JPH09146790A - 半導体集積回路装置とその試験方法 - Google Patents

半導体集積回路装置とその試験方法

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Publication number
JPH09146790A
JPH09146790A JP7303145A JP30314595A JPH09146790A JP H09146790 A JPH09146790 A JP H09146790A JP 7303145 A JP7303145 A JP 7303145A JP 30314595 A JP30314595 A JP 30314595A JP H09146790 A JPH09146790 A JP H09146790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
test
semiconductor integrated
integrated circuit
rom
Prior art date
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Pending
Application number
JP7303145A
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English (en)
Inventor
Noriomi Koizumi
範臣 小泉
Kazuo Yoshizawa
和夫 芳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP7303145A priority Critical patent/JPH09146790A/ja
Publication of JPH09146790A publication Critical patent/JPH09146790A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】異なったオプション・ROMの内容を持つ1チ
ップマイクロコンピューターの派生機種を共通のテスト
プログラムで試験する事により、試験のコスト・工数を
削減することのできる半導体集積回路装置とその検査方
法を提供する。 【解決手段】集積回路装置を、従来アルミ配線の変更に
より異なる回路構成を可能としていた部分を全てメモリ
マップドI/Oによりアクセス可能なレジスタによって
制御出来る回路構成とする。試験時にはテスト端子によ
り3のセレクタの制御を行い、5のデータ入力端子から
メモリマップドI/Oによりレジスタにアクセスし周辺
回路の状態を自由に設定して試験を行う。また、ROM
はBISTのLFSRを設け自己試験を行う。実使用時
には、RESET後周辺回路の情報を記憶している2の
記憶回路から周辺回路の情報を書き込みユーザーの仕様
にあった回路に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に関し、特に試験のコスト・工数の削減を図る技術に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の1チップマイクロコンピュ−タ−
においては、ROMの内容や出力等の構成をユ−ザ−の
仕様に合った回路に変更するのに、プロセス段階でアル
ミ配線の容易な変更で可能にしている。また、これらの
変更により製造される派生機種を試験する為にはそれぞ
れの派生機種ごとにテストプログラムを用意し、異なる
オプション部分はそれに合ったテストの追加・変更、R
OMに関してはROMの内容を全て出力させ期待値と比
較を行うことで良否判定をしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】簡単なアルミ配線の変
更で製造される派生機種が膨大な数になると、それぞれ
を試験する為のテストプログラムの数も膨大となる。そ
の為、テストプログラムの作成及び、管理に大きな工数
を必要とする。さらに、テストプログラムの修正をしな
ければならない場合、上記全ての派生機種のテストプロ
グラムを修正する必要がある。
【0004】本発明は上記の問題点を解消するためにな
されたもので、異なったオプション・ROMの内容を持
つ派生機種を共通のテストプログラムで試験出来る事に
より、試験のコスト・工数を削減することのできる半導
体集積回路装置とその半導体集積回路装置の試験方法を
提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、 a) コアCPUとメモリマップドI/O方式の周辺回
路と読み出し専用記憶回路(以降ROMと呼ぶ)を備え
る半導体集積回路において、 b) 周辺回路の情報を記憶している記憶回路と、 c) 前述の記憶回路の情報から周辺回路の状態を切り
換える選択回路と、 d) 記憶回路の自己試験を行う為のLFSR回路と、 e) 通常状態と試験状態を切り換える為のテストモー
ド回路を備えることを特徴としている。
【0006】また、本発明の半導体集積回路装置の試験
方法は a) 上記記載の半導体集積回路装置について b) テストモード回路を制御して試験状態に切り換え
るステップと c) 選択回路を制御して周辺回路の接続を切り換える
ステップと d) コアCPU及び、周辺回路の全ての状態を試験す
るステップと e) ROMの自己試験 を行うステップからなることを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を説明す
る。
【0008】図1において、1はROM、2は周辺回路
の情報を記憶している記憶回路、3はセレクタ−、4は
セレクタ−制御用の外部入力テスト端子、5はデータ入
力外部端子、6はコアCPU、7はレジスタ、8は周辺
回路、9はBISTのLFSRである。また、従来アル
ミ配線の変更により異なる回路構成を可能としていた部
分を全てメモリマップドI/Oによりアクセス可能な7
のレジスタによって制御出来る回路構成とする。例え
ば、図2において従来はアルミの配線をaとbを接続す
る事でコンプリメンタリ−出力を可能とし、aとcを接
続する事でN−chオープンドレイン出力を可能として
きた。これに対し図3において、10はメモリマップド
I/Oからのデータ入力、11はクロック入力、12は
ラッチ回路、13は外部出力端子である。この図3のよ
うにメモリマップドI/Oから10にハイのデータを入
力する事でコンプリメンタリ−出力、10にロ−のデー
タを入力する事でN−chオープンドレイン出力の設定
を行うことの出来る回路構成とする。
【0009】試験時にはまず4のテスト端子にロ−を入
力し5のデータ入力端子からのデータを直接7のレジス
タにアクセス可能な状態とする。これにより自由にデ−
タを入力することで全ての周辺回路の状態を設定する。
そして、全ての状態に対して試験を行う。
【0010】一方、ROMの試験の為に9のBISTの
LFSRを設けROMデータを圧縮し出力出来る回路構
成とする。そして、ROMのテストバンクに圧縮されて
出力されるそのROMデータ固有のデータを書き込んで
おく。試験する際はこの圧縮されたデータをテスターに
読み込みLFSRにより出力されるデータと比較する事
により良否判定を行う。
【0011】実使用時には、4のテスト端子にハイを入
力しRESET直後周辺回路の情報を記憶している2の
記憶回路から周辺回路の情報を書き込む。例えば、図3
の出力のユーザー仕様がN−chオープンドレインであ
る場合、2の記憶回路に12のレジスタにロ−を書き込
む様にデータを作成しておく。そしてRESET直後そ
のデータを書き込み図3をN−chオープンドレインに
設定する。これによりRESET後ユ−ザ−仕様に合っ
た周辺回路に常に設定を行うことが出来る。
【0012】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
異なったオプション・ROMの内容を持つ派生機種を全
て1つのテストプログラムで試験可能となり、テストプ
ログラム作成の工数が全く不要となる。又、テストプロ
グラムが1つの為、管理・保守が非常に容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路装置の構成図。
【図2】従来のアルミ配線変更による出力ドライバ構成
図。
【図3】本発明の出力ドライバ構成図。
【符号の説明】
1 読み出し専用記憶回路(ROM) 2 周辺回路の情報を記憶している記憶回路 3 セレクタ 4 セレクタ制御用の外部入力テスト端子 5 データ入力外部端子 6 コアCPU 7 レジスタ 8 周辺回路 9 BISTのLFSR回路 10 メモリマップドI/Oからのデータ入力 11 クロック入力 12 ラッチ回路 13 外部出力端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】a) コアCPUとメモリマップドI/O
    方式の周辺回路と読み出し専用記憶回路(以降ROMと
    呼ぶ)を備える半導体集積回路において、 b) 周辺回路の情報を記憶している記憶回路と、 c) 前述の記憶回路の情報から周辺回路の状態を切り
    換える選択回路と、 d) 記憶回路の自己試験を行う為のLFSR回路と、 e) 通常状態と試験状態を切り換える為のテストモー
    ド回路を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】a) 請求項1記載の半導体集積回路装置
    について b) テストモード回路を制御して試験状態に切り換え
    るステップと c) 選択回路を制御して周辺回路の接続を切り換える
    ステップと d) コアCPU及び、周辺回路の全ての状態を試験す
    るステップと e) ROMの自己試験 を行うステップからなる試験方法。
JP7303145A 1995-11-21 1995-11-21 半導体集積回路装置とその試験方法 Pending JPH09146790A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377904B1 (ko) * 1999-05-11 2003-03-29 샤프 가부시키가이샤 1칩 마이크로컴퓨터와 그 제어방법, 및 1칩마이크로컴퓨터를 탑재한 ic 카드
KR100487051B1 (ko) * 1998-10-13 2005-05-03 어드밴테스트 코포레이션 내장 메모리를 테스트하기 위한 방법 및 장치

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KR100377904B1 (ko) * 1999-05-11 2003-03-29 샤프 가부시키가이샤 1칩 마이크로컴퓨터와 그 제어방법, 및 1칩마이크로컴퓨터를 탑재한 ic 카드

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