JPH09137156A - ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 - Google Patents
ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法Info
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- JPH09137156A JPH09137156A JP29809195A JP29809195A JPH09137156A JP H09137156 A JPH09137156 A JP H09137156A JP 29809195 A JP29809195 A JP 29809195A JP 29809195 A JP29809195 A JP 29809195A JP H09137156 A JPH09137156 A JP H09137156A
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- Japan
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- polishing
- hard disk
- disk substrate
- abrasive grains
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保存安定性が良く、且つ優れた研磨面を与え
るハードディスク基板の研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 水溶性バインダー樹脂及び平均分子量５
０００以上の高分子分散剤を含む水性媒体中に砥粒を分
散させて成り、且つ高分子分散剤がポリオキシアルキレ
ン鎖部分（Ａ）とカルボキシル基が結合している炭化水
素鎖部分（Ｂ）とを有しており、その重量比がＢ：Ａ＝
１：０．０１〜０．２であることを特徴とするハードデ
ィスク基板の研磨用組成物。
るハードディスク基板の研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 水溶性バインダー樹脂及び平均分子量５
０００以上の高分子分散剤を含む水性媒体中に砥粒を分
散させて成り、且つ高分子分散剤がポリオキシアルキレ
ン鎖部分（Ａ）とカルボキシル基が結合している炭化水
素鎖部分（Ｂ）とを有しており、その重量比がＢ：Ａ＝
１：０．０１〜０．２であることを特徴とするハードデ
ィスク基板の研磨用組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク基
板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法に関するも
のである。特に本発明は、ハードディスク基板のＮｉ−
Ｐメッキ面を能率よく且つ高品質に研磨するための、保
存安定性に優れた研磨用組成物、及びこれを用いたＮｉ
−Ｐメッキ面の研磨方法に関するものである。
板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法に関するも
のである。特に本発明は、ハードディスク基板のＮｉ−
Ｐメッキ面を能率よく且つ高品質に研磨するための、保
存安定性に優れた研磨用組成物、及びこれを用いたＮｉ
−Ｐメッキ面の研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクは、コンピュータの外部
記憶装置として、広く用いられている。ハードディスク
は、ガラス、セラミックスやアルミニウム等の種々の基
板上に、主にスパッタリングにより磁性層を設けること
により、製造されている。最も一般的なアルミニウムを
基板とするハードディスクでは、アルミニウムやその合
金板を先ず研磨して鏡面とし、その上にＮｉ−Ｐのメッ
キ層を形成する。次いでＮｉ−Ｐメッキ層を研磨し、更
にテクスチャリングを施したのち、その上にスパッタリ
ングにより磁性層を形成する。最後に、所望により、磁
性層面を研磨してハードディスクとする。
記憶装置として、広く用いられている。ハードディスク
は、ガラス、セラミックスやアルミニウム等の種々の基
板上に、主にスパッタリングにより磁性層を設けること
により、製造されている。最も一般的なアルミニウムを
基板とするハードディスクでは、アルミニウムやその合
金板を先ず研磨して鏡面とし、その上にＮｉ−Ｐのメッ
キ層を形成する。次いでＮｉ−Ｐメッキ層を研磨し、更
にテクスチャリングを施したのち、その上にスパッタリ
ングにより磁性層を形成する。最後に、所望により、磁
性層面を研磨してハードディスクとする。
【０００３】近年、ハードディスクの高密度化が進み、
情報の記録・再生に際してのハードディスクと磁気ヘッ
ドとの間隔、すなわち磁気ヘッドの浮上量はますます小
さくなってきている。従ってハードディスク面上に突起
が存在するとヘッドクラッシュを招き、ハードディスク
や磁気ヘッドを損傷させるおそれがある。また、ヘッド
クラッシュに至らないような微小な突起でも、突起部の
磁気特性の乱れにより、情報の読み書きに際し、種々の
エラーの原因となりやすい。従って磁性層を形成する前
の、ハードディスク基板の研磨工程で、突起のない高品
質の研磨面を形成することが重要であり、従来から研磨
用組成物や研磨方法などについて、多くの検討がなされ
ている（特開平６−３３０４２号公報参照）。
情報の記録・再生に際してのハードディスクと磁気ヘッ
ドとの間隔、すなわち磁気ヘッドの浮上量はますます小
さくなってきている。従ってハードディスク面上に突起
が存在するとヘッドクラッシュを招き、ハードディスク
や磁気ヘッドを損傷させるおそれがある。また、ヘッド
クラッシュに至らないような微小な突起でも、突起部の
磁気特性の乱れにより、情報の読み書きに際し、種々の
エラーの原因となりやすい。従って磁性層を形成する前
の、ハードディスク基板の研磨工程で、突起のない高品
質の研磨面を形成することが重要であり、従来から研磨
用組成物や研磨方法などについて、多くの検討がなされ
ている（特開平６−３３０４２号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ハードディスク基板の
研磨に際して第一に要求されることは、突起のない高品
質の研磨面を形成することである。特に最近の高密度化
の進行に伴い、従来は許容されていた微小な突起といえ
ども、無視できない存在となりつつある。研磨用組成物
は、先ず第一に、この要求を満足するものでなければな
らない。これに加えて、保存安定性、作業性、研磨能率
等に優れたものであることが要求されている。本発明は
これらの要求に応えようとするものである。
研磨に際して第一に要求されることは、突起のない高品
質の研磨面を形成することである。特に最近の高密度化
の進行に伴い、従来は許容されていた微小な突起といえ
ども、無視できない存在となりつつある。研磨用組成物
は、先ず第一に、この要求を満足するものでなければな
らない。これに加えて、保存安定性、作業性、研磨能率
等に優れたものであることが要求されている。本発明は
これらの要求に応えようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水溶性
バインダー樹脂及び平均分子量５×１０3 以上の高分子
分散剤を含む水性媒体中に砥粒を分散させて成り、且つ
高分子分散剤がポリオキシアルキレン鎖部分（Ａ）とカ
ルボキシル基が結合している炭化水素鎖部分（Ｂ）とを
有しており、その重量比がＢ：Ａ＝１：０．０１〜０．
２である研磨用組成物を用いて、ハードディスク基板を
研磨することにより、突起の少ない高品質のハードディ
スク基板を能率よく製造することができる。
バインダー樹脂及び平均分子量５×１０3 以上の高分子
分散剤を含む水性媒体中に砥粒を分散させて成り、且つ
高分子分散剤がポリオキシアルキレン鎖部分（Ａ）とカ
ルボキシル基が結合している炭化水素鎖部分（Ｂ）とを
有しており、その重量比がＢ：Ａ＝１：０．０１〜０．
２である研磨用組成物を用いて、ハードディスク基板を
研磨することにより、突起の少ない高品質のハードディ
スク基板を能率よく製造することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明についてさらに詳細に説明
すると、本発明に係る研磨用組成物は、基本的には水性
媒体に水溶性バインダー樹脂と高分子分散剤とを溶解
し、さらにこれに砥粒を分散させたものである。高分子
分散剤は砥粒を取りかこんでこれを個々の粒子にまで分
散させる作用を有し、水溶性バインダー樹脂は砥粒の凝
集を阻止する作用を有するものと思われる。水溶性バイ
ンダー樹脂が凝集を阻止するのは、これが砥粒に吸着し
て、砥粒間に働く凝集力を減衰させることが寄与してい
るものと考えられる。本発明に係る研磨用組成物は、水
溶性バインダー樹脂と高分子分散剤との共存により、優
れた保存安定性と研磨性能とを発揮することができる。
すると、本発明に係る研磨用組成物は、基本的には水性
媒体に水溶性バインダー樹脂と高分子分散剤とを溶解
し、さらにこれに砥粒を分散させたものである。高分子
分散剤は砥粒を取りかこんでこれを個々の粒子にまで分
散させる作用を有し、水溶性バインダー樹脂は砥粒の凝
集を阻止する作用を有するものと思われる。水溶性バイ
ンダー樹脂が凝集を阻止するのは、これが砥粒に吸着し
て、砥粒間に働く凝集力を減衰させることが寄与してい
るものと考えられる。本発明に係る研磨用組成物は、水
溶性バインダー樹脂と高分子分散剤との共存により、優
れた保存安定性と研磨性能とを発揮することができる。
【０００７】本発明に係る研磨用組成物を構成する砥粒
としては、従来からこの分野で用いられているものを用
いることができる。砥粒の硬度はモース硬度で４〜１０
であることが好ましく、また、砥粒の比表面積は０．１
〜５０ｍ2 ／ｇが好ましい。砥粒の粒径は０．１〜１０
μｍ（平均粒径）が好ましい。通常用いられる砥粒は酸
化セリウム、アルミナ、シリカ、クロミア（Ｃｒ
2 Ｏ3 ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などであるが、特にア
ルミナを用いるのが好ましい。一般に砥粒には、大きな
粒子を破砕し更に所望の粒度に分級して得られる破砕タ
イプのものと、コロイド溶液から生成させる球状タイプ
のものとがあり、それぞれ特徴を有している。例えば同
一の粒径で比較した場合、破砕タイプのものは球状タイ
プのものに比して比表面積が大きく、且つ研磨速度も大
きい。砥粒は、研磨用組成物の用途に応じて選択するの
が好ましく、例えばＮｉ−Ｐメッキ面のポリッシングに
アルミナ又はシリカ砥粒を用いる場合には、平均粒径が
０．１〜１０μｍで、破砕タイプのものでは比表面積が
１５〜５０ｍ2 ／ｇ、球状タイプのものでは１〜１０ｍ
2／ｇのものが好ましい。またポリッシングに引続くテ
クスチャリングに用いる場合には平均粒径が１．０〜１
０μｍで、破砕タイプのものでは比表面積が３〜３０ｍ
2 ／ｇ、球状タイプのものでは０．１〜２ｍ2 ／ｇのも
のが好ましい。
としては、従来からこの分野で用いられているものを用
いることができる。砥粒の硬度はモース硬度で４〜１０
であることが好ましく、また、砥粒の比表面積は０．１
〜５０ｍ2 ／ｇが好ましい。砥粒の粒径は０．１〜１０
μｍ（平均粒径）が好ましい。通常用いられる砥粒は酸
化セリウム、アルミナ、シリカ、クロミア（Ｃｒ
2 Ｏ3 ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などであるが、特にア
ルミナを用いるのが好ましい。一般に砥粒には、大きな
粒子を破砕し更に所望の粒度に分級して得られる破砕タ
イプのものと、コロイド溶液から生成させる球状タイプ
のものとがあり、それぞれ特徴を有している。例えば同
一の粒径で比較した場合、破砕タイプのものは球状タイ
プのものに比して比表面積が大きく、且つ研磨速度も大
きい。砥粒は、研磨用組成物の用途に応じて選択するの
が好ましく、例えばＮｉ−Ｐメッキ面のポリッシングに
アルミナ又はシリカ砥粒を用いる場合には、平均粒径が
０．１〜１０μｍで、破砕タイプのものでは比表面積が
１５〜５０ｍ2 ／ｇ、球状タイプのものでは１〜１０ｍ
2／ｇのものが好ましい。またポリッシングに引続くテ
クスチャリングに用いる場合には平均粒径が１．０〜１
０μｍで、破砕タイプのものでは比表面積が３〜３０ｍ
2 ／ｇ、球状タイプのものでは０．１〜２ｍ2 ／ｇのも
のが好ましい。
【０００８】砥粒は、研磨能率及び得られる研磨面の性
状よりして、研磨用組成物の０．１重量％以上を占める
のが好ましい。しかし３０重量％を超える多量の砥粒を
存在させても、それによる利点は特に認められず、逆に
徒らに砥粒を消費して不経済となる。研磨用組成物全体
に占める砥粒の好適な比率は１〜２０重量％である。
状よりして、研磨用組成物の０．１重量％以上を占める
のが好ましい。しかし３０重量％を超える多量の砥粒を
存在させても、それによる利点は特に認められず、逆に
徒らに砥粒を消費して不経済となる。研磨用組成物全体
に占める砥粒の好適な比率は１〜２０重量％である。
【０００９】水溶性バインダー樹脂としては、ポリビニ
ルアルコールやポリ酢酸ビニルの部分ケン化物などが用
いられる。また、共重合成分としてアクリル酸やメタク
リル酸などを含む共重合体、さらには極性官能基を導入
して水溶性とした樹脂、例えば水溶化ポリウレタン樹脂
や水溶化エポキシ樹脂なども用いられる。このような極
性官能基としては、−ＰＯ（ＯＭ）2 、−ＯＰＯ（Ｏ
Ｍ）2 、−ＳＯ3 Ｍ、−ＯＳＯ3 Ｍ、−ＣＯＯＭ（Ｍは
カチオンであり、好ましくはＨ+ 、Ｌ+ 、Ｎａ+、Ｋ+
及びＮＨ4 + からなる群から選択される）などがあげら
れる。水溶性バインダー樹脂が解離し得る極性官能基を
有している場合には、その極性官能基の数は分子量１０
4 当り４個未満でなければならない。また水溶性バイン
ダー樹脂の平均分子量（本明細書において分子量は数平
均分子量を意味する）は通常は１×１０3 以上、好まし
くは５×１０3 以上である。分子量の上限は特にない
が、一般に分子量が大きくなると水溶性が低下すること
が多い。好適な水溶性バインダー樹脂は、平均分子量が
５×１０3 〜１．５×１０5 、特に１×１０4 〜８×１
０4 のものである。水溶性バインダー樹脂は組成物の１
〜１０重量％、特に２〜７重量％を占めるのが好まし
い。
ルアルコールやポリ酢酸ビニルの部分ケン化物などが用
いられる。また、共重合成分としてアクリル酸やメタク
リル酸などを含む共重合体、さらには極性官能基を導入
して水溶性とした樹脂、例えば水溶化ポリウレタン樹脂
や水溶化エポキシ樹脂なども用いられる。このような極
性官能基としては、−ＰＯ（ＯＭ）2 、−ＯＰＯ（Ｏ
Ｍ）2 、−ＳＯ3 Ｍ、−ＯＳＯ3 Ｍ、−ＣＯＯＭ（Ｍは
カチオンであり、好ましくはＨ+ 、Ｌ+ 、Ｎａ+、Ｋ+
及びＮＨ4 + からなる群から選択される）などがあげら
れる。水溶性バインダー樹脂が解離し得る極性官能基を
有している場合には、その極性官能基の数は分子量１０
4 当り４個未満でなければならない。また水溶性バイン
ダー樹脂の平均分子量（本明細書において分子量は数平
均分子量を意味する）は通常は１×１０3 以上、好まし
くは５×１０3 以上である。分子量の上限は特にない
が、一般に分子量が大きくなると水溶性が低下すること
が多い。好適な水溶性バインダー樹脂は、平均分子量が
５×１０3 〜１．５×１０5 、特に１×１０4 〜８×１
０4 のものである。水溶性バインダー樹脂は組成物の１
〜１０重量％、特に２〜７重量％を占めるのが好まし
い。
【００１０】高分子分散剤としては、平均分子量が５×
１０3 以上で、且つポリオキシアルキレン鎖部分（Ａ）
と、炭化水素鎖部分（Ｂ）とを有しており、この炭化水
素鎖部分にはカルボキシル基が結合した構造のものが用
いられる。ポリオキシアルキレン鎖部分は、通常はポリ
オキシエチレン、ポリオキシプロピレン又はポリオキシ
エチレン−プロピレンであるが、好ましくはエチレンオ
キシドとプロピレンオキシドとの共重合体であるポリオ
キシエチレン−プロピレンである。特にエチレンオキシ
ドとプロピレンオキシドとの重量比が２０：８０〜８
０：２０の共重合体が好ましい。ポリオキシアルキレン
鎖の末端は遊離の水酸基であってもよく、またエーテル
結合、エステル結合などにより封鎖されていてもよい。
ポリオキシアルキレン鎖部分の分子量は通常４００以上
である。４００未満では研磨用組成物における砥粒の分
散が不十分となり、保存安定性が低下することがある。
逆に分子量が大きすぎると、研磨用組成物の粘度が上昇
し過ぎることがある。従ってポリオキシアルキレン鎖部
分の分子量は５００〜５０００、特に５００〜３０００
であるのが好ましい。
１０3 以上で、且つポリオキシアルキレン鎖部分（Ａ）
と、炭化水素鎖部分（Ｂ）とを有しており、この炭化水
素鎖部分にはカルボキシル基が結合した構造のものが用
いられる。ポリオキシアルキレン鎖部分は、通常はポリ
オキシエチレン、ポリオキシプロピレン又はポリオキシ
エチレン−プロピレンであるが、好ましくはエチレンオ
キシドとプロピレンオキシドとの共重合体であるポリオ
キシエチレン−プロピレンである。特にエチレンオキシ
ドとプロピレンオキシドとの重量比が２０：８０〜８
０：２０の共重合体が好ましい。ポリオキシアルキレン
鎖の末端は遊離の水酸基であってもよく、またエーテル
結合、エステル結合などにより封鎖されていてもよい。
ポリオキシアルキレン鎖部分の分子量は通常４００以上
である。４００未満では研磨用組成物における砥粒の分
散が不十分となり、保存安定性が低下することがある。
逆に分子量が大きすぎると、研磨用組成物の粘度が上昇
し過ぎることがある。従ってポリオキシアルキレン鎖部
分の分子量は５００〜５０００、特に５００〜３０００
であるのが好ましい。
【００１１】炭化水素鎖部分に結合しているカルボキシ
ル基は、炭化水素鎖に直接結合していてもよく、またア
ルキレン基やフェニレン基等を介して結合していてもよ
い。他に解離し得る極性官能基が無い場合には、カルボ
キシル基は、炭化水素鎖部分の分子量１×１０4 当り４
個以上存在させる必要がある。この炭化水素鎖部分は、
例えばスチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体であ
るのが好ましい。
ル基は、炭化水素鎖に直接結合していてもよく、またア
ルキレン基やフェニレン基等を介して結合していてもよ
い。他に解離し得る極性官能基が無い場合には、カルボ
キシル基は、炭化水素鎖部分の分子量１×１０4 当り４
個以上存在させる必要がある。この炭化水素鎖部分は、
例えばスチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体であ
るのが好ましい。
【００１２】炭化水素鎖部分（Ｂ）とポリオキシアルキ
レン鎖部分（Ａ）との重量比は、１：０．０１〜０．２
である。炭化水素鎖部分がこれよりも大きいと、高分子
分散剤が凝集剤の如く作用して、砥粒が凝集してしまう
ことがある。逆に炭化水素鎖部分の占める比率がこれよ
りも小さいと、分散効果が低下し、やはり砥粒の凝集を
生ずることがある。
レン鎖部分（Ａ）との重量比は、１：０．０１〜０．２
である。炭化水素鎖部分がこれよりも大きいと、高分子
分散剤が凝集剤の如く作用して、砥粒が凝集してしまう
ことがある。逆に炭化水素鎖部分の占める比率がこれよ
りも小さいと、分散効果が低下し、やはり砥粒の凝集を
生ずることがある。
【００１３】炭化水素鎖部分とポリオキシアルキレン鎖
部分との結合は任意であるが、両者が交互に存在してい
るのが好ましい。また末端はポリオキシアルキレン鎖で
あるのが好ましい。このような構造をとることにより、
高分子分散剤が適度に砥粒を取りかこみ、砥粒を凝集さ
せずに良好な分散状態を維持し得るものと考えられる。
部分との結合は任意であるが、両者が交互に存在してい
るのが好ましい。また末端はポリオキシアルキレン鎖で
あるのが好ましい。このような構造をとることにより、
高分子分散剤が適度に砥粒を取りかこみ、砥粒を凝集さ
せずに良好な分散状態を維持し得るものと考えられる。
【００１４】高分子分散剤の分子量は５×１０3 以上で
あることが必要である。これよりも小さいと砥粒を適度
に取りかこむことが出来なくなり、砥粒が良好に分散し
なくなることがある。逆に分子量が大きくなり過ぎる
と、粘度が高くなりすぎて砥粒の分散が必ずしも十分と
はならないことがある。従って高分子分散剤の分子量は
５×１０3 〜５×１０4 の範囲が好ましい。高分子分散
剤は研磨用組成物の０．５〜１０重量％を占めるのが好
ましい。なお、高分子分散剤には、カルボキシル基以外
に、スルホン酸基やリン酸基等の極性基が存在していて
もよく、これらの極性基も含めて分子量１×１０4 当り
４個以上の解離し得る極性基を有していることが必要で
ある。またカルボキシル基を有する炭化水素鎖部分と、
ポリオキシアルキレン鎖部分とが、結合して１個の分子
を形成せずに、別個の分子として存在していてもよい。
この場合には、それぞれの分子量が５×１０3 以上であ
ることを要する以外は、上述したことがそのままそれぞ
れの分子について適用される。
あることが必要である。これよりも小さいと砥粒を適度
に取りかこむことが出来なくなり、砥粒が良好に分散し
なくなることがある。逆に分子量が大きくなり過ぎる
と、粘度が高くなりすぎて砥粒の分散が必ずしも十分と
はならないことがある。従って高分子分散剤の分子量は
５×１０3 〜５×１０4 の範囲が好ましい。高分子分散
剤は研磨用組成物の０．５〜１０重量％を占めるのが好
ましい。なお、高分子分散剤には、カルボキシル基以外
に、スルホン酸基やリン酸基等の極性基が存在していて
もよく、これらの極性基も含めて分子量１×１０4 当り
４個以上の解離し得る極性基を有していることが必要で
ある。またカルボキシル基を有する炭化水素鎖部分と、
ポリオキシアルキレン鎖部分とが、結合して１個の分子
を形成せずに、別個の分子として存在していてもよい。
この場合には、それぞれの分子量が５×１０3 以上であ
ることを要する以外は、上述したことがそのままそれぞ
れの分子について適用される。
【００１５】本発明に係る研磨用組成物は、基本的には
上述した砥粒、水溶性バインダー樹脂及び高分子分散剤
よりなるが、さらに所望により、界面活性剤その他の常
用の助剤や防カビ剤などを添加してもよい。本発明に係
る研磨用組成物を用いるハードディスク基板の研磨は、
常法により行なうことができる。代表的な方法では研磨
布（研磨パッド）に本発明に係る研磨用組成物を供給し
つつ、この研磨布を５０〜３００ｒｐｍで回転している
ハードディスク基板に接触させることにより研磨が行な
われる。本発明に係る研磨用組成物を用いることによ
り、能率よく研磨を行なうことができ、かつスクラッチ
傷や突起の非常に少ない研磨面を容易に得ることができ
る。
上述した砥粒、水溶性バインダー樹脂及び高分子分散剤
よりなるが、さらに所望により、界面活性剤その他の常
用の助剤や防カビ剤などを添加してもよい。本発明に係
る研磨用組成物を用いるハードディスク基板の研磨は、
常法により行なうことができる。代表的な方法では研磨
布（研磨パッド）に本発明に係る研磨用組成物を供給し
つつ、この研磨布を５０〜３００ｒｐｍで回転している
ハードディスク基板に接触させることにより研磨が行な
われる。本発明に係る研磨用組成物を用いることによ
り、能率よく研磨を行なうことができ、かつスクラッチ
傷や突起の非常に少ない研磨面を容易に得ることができ
る。
【００１６】
【実施例】以下に実施例及び比較例により本発明を更に
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。なお研磨は、実施例及び比較例で調製
した研磨用組成物を用いて、次の条件で行なった。 研磨機 ：両面ポリシングマシン（９Ｂタイプ） 研磨パッド ：スウェードタイプポリシングパッド ハードディスク基板：３．５インチハードディスク用アルミニウム合金板に Ｎｉ−Ｐのメッキを施したもの 研磨時間 ：５分間 回転数 ：６０ｒｐｍ（下定盤回転数） 加工圧力 ：１００ｇ／ｃｍ2 研磨用組成物供給量：１００ｍｌ／分
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。なお研磨は、実施例及び比較例で調製
した研磨用組成物を用いて、次の条件で行なった。 研磨機 ：両面ポリシングマシン（９Ｂタイプ） 研磨パッド ：スウェードタイプポリシングパッド ハードディスク基板：３．５インチハードディスク用アルミニウム合金板に Ｎｉ−Ｐのメッキを施したもの 研磨時間 ：５分間 回転数 ：６０ｒｐｍ（下定盤回転数） 加工圧力 ：１００ｇ／ｃｍ2 研磨用組成物供給量：１００ｍｌ／分
【００１７】スクラッチ傷の数は研磨後の基板の全面を
顕微鏡で観察して求めた。研磨用組成物中の砥粒の平均
粒径は、堀場製作所製 ＬＡ５００（レーザー回折型粒
度分布計）で測定した。又、安定性は研磨剤組成物を２
日間室温で静置し、観察した。
顕微鏡で観察して求めた。研磨用組成物中の砥粒の平均
粒径は、堀場製作所製 ＬＡ５００（レーザー回折型粒
度分布計）で測定した。又、安定性は研磨剤組成物を２
日間室温で静置し、観察した。
【００１８】実施例１ アルミナ砥粒（住友化学社製品 ＡＫＰ１０；α−Ａｌ2 Ｏ3 、純度９９．９ ％、平均粒子径１．０μｍ、比表面積２．０ｍ2 ／ｇ） １０重量部 水溶性バインダー樹脂（ポリビニルアルコール 日本合成社製品 ＧＭ−１４ ） ５重量部
【００１９】 高分子分散剤（平均分子量約１×１０4 、カルボキシル基を有する炭化水素鎖 部分とポリオキシアルキレン鎖部分との重量比９：１、ポリオ キシアルキレン鎖はエチレンオキシドとプロピレンオキシドと の７７：２３（重量比）の共重合体、極性基の含有量は分子当 り約１０個） １重量部 水 １００重量部 上記の各成分を混合し、サンドミルで１時間分散処理し
て研磨用組成物とした。結果を第１表に示す。
て研磨用組成物とした。結果を第１表に示す。
【００２０】実施例２ 実施例１において、高分子分散剤として、アニオン型分
散剤（平均分子量約３×１０4 で、分子当りカルボキシ
ル基約３０個含有）とノニオン型分散剤（平均分子量約
１×１０4 ）とを、重量比で１：０．１で混合したもの
を用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を
調製した。結果を第１表に示す。
散剤（平均分子量約３×１０4 で、分子当りカルボキシ
ル基約３０個含有）とノニオン型分散剤（平均分子量約
１×１０4 ）とを、重量比で１：０．１で混合したもの
を用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を
調製した。結果を第１表に示す。
【００２１】実施例３ 実施例１において、高分子分散剤としてアニオン型分散
剤（平均分子量約１×１０4 で分子当りカルボキシル基
約１０個を含有）とノニオン型分散剤（平均分子量約１
×１０4 ）とを、重量比で１：０．２で混合したものを
用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調
製した。結果を第１表に示す。
剤（平均分子量約１×１０4 で分子当りカルボキシル基
約１０個を含有）とノニオン型分散剤（平均分子量約１
×１０4 ）とを、重量比で１：０．２で混合したものを
用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調
製した。結果を第１表に示す。
【００２２】比較例１ 実施例１において、高分子分散剤の代りに、ノニオン型
分散剤（オレイン酸ポリオキシエチレン、平均分子量９
１３）を用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組
成物を調製した。結果を第１表に示す。
分散剤（オレイン酸ポリオキシエチレン、平均分子量９
１３）を用いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組
成物を調製した。結果を第１表に示す。
【００２３】比較例２ 実施例１において、高分子分散剤の代りに、アニオン型
分散剤（ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫
酸エステルアンモニウム塩、平均分子量７７０（ポリオ
キシエチレン部分の平均分子量３５２））を用いた以外
は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。結
果を第１表に示す。
分散剤（ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫
酸エステルアンモニウム塩、平均分子量７７０（ポリオ
キシエチレン部分の平均分子量３５２））を用いた以外
は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。結
果を第１表に示す。
【００２４】比較例３ 実施例１において、高分子分散剤の代りに、アニオン型
分散剤（ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫
酸エステルアンモニウム塩、平均分子量７７０（ポリオ
キシエチレン部分の平均分子量３５２））と、ノニオン
型分散剤（オレイン酸ポリオキシエチレン、平均分子量
９１３）とを、重量比で１：０．１で混合したものを用
いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製
した。結果を第１表に示す。
分散剤（ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫
酸エステルアンモニウム塩、平均分子量７７０（ポリオ
キシエチレン部分の平均分子量３５２））と、ノニオン
型分散剤（オレイン酸ポリオキシエチレン、平均分子量
９１３）とを、重量比で１：０．１で混合したものを用
いた以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製
した。結果を第１表に示す。
【００２５】
【表１】 * 両面研磨しているので、研磨面としては１００面となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る研磨用組成物を用いれば、
高い研磨能率でスクラッチ及び突起の非常に少ない研磨
面が得られるので、最近のハードディスクの高密度化に
有利に対応できる。また、本発明に係る研磨用組成物は
砥粒の分散が安定していて流動性に富んでおり、いわゆ
るケーキングを起さないので取扱いが容易である。更に
研磨パッドの目詰りが少ないので、研磨パッドのドレッ
シング頻度を大幅に改善できる。
高い研磨能率でスクラッチ及び突起の非常に少ない研磨
面が得られるので、最近のハードディスクの高密度化に
有利に対応できる。また、本発明に係る研磨用組成物は
砥粒の分散が安定していて流動性に富んでおり、いわゆ
るケーキングを起さないので取扱いが容易である。更に
研磨パッドの目詰りが少ないので、研磨パッドのドレッ
シング頻度を大幅に改善できる。
Claims (7)
- 【請求項１】 水溶性バインダー樹脂及び平均分子量５
×１０3 以上の高分子分散剤を含む水性媒体中に砥粒を
分散させて成り、且つ高分子分散剤がポリオキシアルキ
レン鎖部分（Ａ）と、カルボキシル基が結合している炭
化水素鎖部分（Ｂ）とを有しており、その重量比がＢ：
Ａ＝１：０．０１〜０．２であることを特徴とするハー
ドディスク基板の研磨用組成物。 - 【請求項２】 高分子分散剤のポリオキシアルキレン鎖
部分が、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドと
の８０：２０〜２０：８０（重量比）の共重合体である
ことを特徴とする請求項１記載の研磨用組成物。 - 【請求項３】 砥粒の平均粒子径が０．１〜１０μｍで
あり、且つ砥粒が組成物の１〜２０重量％を占めること
を特徴とする請求項１又は２記載の研磨用組成物。 - 【請求項４】 高分子分散剤が組成物の０．５〜１０重
量％を占めることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の研磨用組成物。 - 【請求項５】 水溶性バインダー樹脂が、平均分子量５
×１０3 〜１．５×１０5 のものであることを特徴とす
る請求項１ないし４のいずれかに記載の研磨用組成物。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の研
磨用組成物を研磨布に担持させて、ハードディスク基板
のＮｉ−Ｐメッキ面を研磨することを特徴とするハード
ディスク基板の研磨方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかに記載の研
磨用組成物を研磨布に担持させて、ハードディスク基板
のＮｉ−Ｐメッキ面にテクスチャリングを施すことを特
徴とするハードディスク基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29809195A JPH09137156A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29809195A JPH09137156A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09137156A true JPH09137156A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17855055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29809195A Pending JPH09137156A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09137156A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999043761A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Showa Denko K.K. | Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent |
| JP2005519761A (ja) * | 2002-02-04 | 2005-07-07 | ナノフェイズ テクノロジーズ コーポレイション | 水性媒体中の安定なナノ粒子分散体 |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2011502757A (ja) * | 2007-11-09 | 2011-01-27 | ロデイア・オペラシヨン | 両性コポリマーを含む液相中の無機粒子のコロイド分散液 |
| CN113583574A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-11-02 | 安徽光智科技有限公司 | 硒化锌镜片用抛光液及其制备方法 |
| WO2022184979A1 (en) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | Kemira Oyj | Lithium-ion battery cathode binder formulation |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP29809195A patent/JPH09137156A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999043761A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Showa Denko K.K. | Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent |
| US6410444B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-06-25 | Showa Denko K.K. | Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same |
| US6436835B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-08-20 | Showa Denko K.K. | Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2005519761A (ja) * | 2002-02-04 | 2005-07-07 | ナノフェイズ テクノロジーズ コーポレイション | 水性媒体中の安定なナノ粒子分散体 |
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| WO2022184979A1 (en) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | Kemira Oyj | Lithium-ion battery cathode binder formulation |
| CN113583574A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-11-02 | 安徽光智科技有限公司 | 硒化锌镜片用抛光液及其制备方法 |
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