JPH09134312A - フラッシュメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 必要に応じて管理情報の格納容量又はデータ
の格納容量を調整すると共に、管理情報の格納領域に使
用不可能な領域が発生しても管理情報が格納できなくな
る可能性を低く抑える。 【構成】 フラッシュメモリ部２はｎ個のブロックから
構成され、先頭の第１ブロックから第ｋブロックまでが
データ格納予約領域１１、最後尾の第ｎブロックから第
ｋ−Ｌ＋１ブロックまでが管理情報格納予約領域１２、
データ格納予約領域１１と管理情報格納予約領域１２の
どちらでもある重なった第ｋ−Ｌ＋１ブロックから第ｋ
ブロックまでのＬブロック分の領域がオーバーラップ領
域１３となっている。データはデータ格納予約領域１１
の先頭の第１ブロックから第２ブロックの方向に順次格
納され、データの管理情報は最後尾の第ｎロックから第
ｎ−１ブロックの方向に順次格納される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
装置、更に詳しくはブロックを単位として、データの消
去、使用不可状態の管理を行う部分に特徴のあるフラッ
シュメモリ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プログラムできる安価な不揮発性
メモリ装置としてフラッシュメモリ（一括消去型不揮発
性メモリ）装置が使用されるようになってきているが、
この種のフラッシュメモリー装置は、その動作原理上、
消去や書込のとき、高レベルの電圧をかけるため、他の
ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭやＲＯＭなどに比べ劣化して壊れる
可能性が高いという問題あった。

【０００３】そこで、メモリ領域をブロックという単位
に分割し、ブロックの使用可能・使用不可能の状態を検
知し、管理情報として管理する方式のフラッシュメモリ
装置が提案されている。

【０００４】従来のフラッシュメモリ装置においては、
前記管理情報は、フラッシュメモリ装置本体内の固定さ
れた、データ領域に対しごく小容量の決められたアドレ
ス位置に記憶されるようになっている。例えば、特開平
３−１６７６４４号公報においては、静的情報リストと
いう管理情報が存在するが、メモリアドレス内の固定位
置に固定のサイズで確保される。

【０００５】つまり、従来のフラッシュメモリは、図１
０に示すように、ｎ個のブロックからなり、フラッシュ
メモリの先頭の第１ブロックから第ｋブロックまでのデ
ータ格納予約領域１０１と、フラッシュメモリのアドレ
スの最後尾の第ｎブロックから第ｋ＋１ブロックまでの
管理情報格納予約領域１０２とが固定されて設けられて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すように、フラッシュメモリ装置本体の固定された
領域に管理情報格納予約領域１０２を持った従来例の場
合、管理情報格納予約領域１０２を大きくとることで管
理情報が壊れてフラッシュメモリ装置全体が使用不能と
なる危険性を減少させることができるが、その分データ
を格納できる最大格納容量が減少してしまうという問題
がある。

【０００７】また逆に、管理情報格納予約領域１０２を
小さくしておくと、データの最大格納容量は増えるが、
管理情報が壊れてフラッシュメモリ装置全体が使用不能
となる危険性が増大する。

【０００８】つまり、前記のようにフラッシュメモリ装
置本体内の固定のアドレス位置に管理情報を記憶させる
と、その管理情報記憶用アドレス領域部分が破壊された
ときに、たとえその他のデータ領域部分が使用可能の状
態にあっても、そのフラッシュメモリ装置全体が使用不
可能な状態になってしまうという問題がある。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、必要に応じて管理情報の格納容量又はデータの
格納容量を調整すると共に、管理情報の格納領域に使用
不可能な領域が発生しても管理情報が格納できなくなる
可能性を低く抑えることのできるフラッシュメモリ装置
を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のフラッシュメモ
リ装置は、データを記憶する複数のブロックより構成さ
れるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを前記
ブロックを単位として、前記フラッシュメモリの前記デ
ータの消去及び使用不可状態の管理を行うメモリ制御部
とを備えて構成される。

【００１１】本発明のフラッシュメモリ装置では、前記
メモリ制御部が、前記フラッシュメモリの前記ブロック
使用可・使用不可状態を示すフラッシュメモリ管理情報
及び前記フラッシュメモリに記憶させる前記データの管
理を行う内部データ管理情報よりなる管理情報を、前記
フラッシュメモリのメモリアドレスの先頭または最後尾
と、あらかじめ決められた前記フラッシュメモリのメモ
リアドレスの第１の後端部とにより指定される管理情報
領域に、前記管理情報領域のメモリアドレスの先頭また
は最後尾より順次記憶させると共に、管理される側の前
記データを、前記管理情報が前記管理情報領域のメモリ
アドレスの先頭より記憶された場合は前記フラッシュメ
モリのメモリアドレスの最後尾、あるいは、前記管理情
報が前記管理情報領域のメモリアドレスの最後尾より記
憶された場合は前記フラッシュメモリのメモリアドレス
の先頭と、あらかじめ決められた前記フラッシュメモリ
のメモリアドレスの第２の後端部とにより指定されるデ
ータ領域に順次記憶させ、前記第１の後端部及び前記第
２の後端部により、前記管理情報または前記管理される
側の前記データのどちらもが記憶可能なアドレス領域を
設けることで、必要に応じて管理情報の格納容量又はデ
ータの格納容量を調整すると共に、管理情報の格納領域
に使用不可能な領域が発生しても管理情報が格納できな
くなる可能性を低く抑えることを可能とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について述べる。

【００１３】図１ないし図４は本発明の第１の実施の形
態に係わり、図１はフラッシュメモリ装置の構成を示す
構成図、図２は図１のフラッシュメモリ部のメモリ構成
を示すメモリマップ、図３は図２の管理情報格納予約領
域のメモリ構成を示すメモリマップ、図４は図１のフラ
ッシュメモリ装置の作用を説明するフローチャートであ
る。

【００１４】（構成）図１に示すように、本実施の形態
のフラッシュメモリ装置１は、種々の処理を行う図示し
ないデータ処理部からのデータを格納するフラッシュメ
モリ部２と、このフラッシュメモリ部２に対して後述す
る複数にブロック単位で分割されたデータ格納予約領域
及び管理情報格納予約領域を指定し、データ格納予約領
域に前記データを、管理情報格納予約領域に前記データ
の管理情報を格納するように、前記フラッシュメモリ部
２を制御するメモリ制御部３とから構成される。

【００１５】このメモリ制御部３は、図示しないデータ
処理部からの制御信号及びアドレス／データを受け取
り、フラッシュメモリ装置１内の内部制御バス４及び内
部アドレス／データバス５を介して前記フラッシュメモ
リ部２へのデータのリード・ライト制御を行っている。

【００１６】また、メモリ制御部３は、フラッシュメモ
リ部２に対して初期化等のための一括消去や、データ更
新等のためのブロック単位での消去を行うことができ
る。なお、消去を実施した後は全ビットが０または１の
状態に初期化される。

【００１７】そして、メモリ制御部３は、一括消去ある
いはブロック消去あるいは書き込みを行った際には、フ
ラッシュメモリ部２の各領域のブロック毎の損傷状態を
判断し、異常のあるブロックがある場合には管理情報格
納予約領域１２にそのアドレス（ブロック番号）を記録
するようになっている。

【００１８】フラッシュメモリ部２は、図２に示すよう
に、ｎ個のブロックから構成されている。ここで、フラ
ッシュメモリ部２の先頭の第１ブロックから第ｋブロッ
クまでがデータ格納予約領域１１、フラッシュメモリ部
２のアドレスの最後尾の第ｎブロックから第ｋ−Ｌ＋１
ブロックまでが管理情報格納予約領域１２、データ格納
予約領域１１と管理情報格納予約領域１２のどちらでも
ある重なった第ｋ−Ｌ＋１ブロックから第ｋブロックま
でのＬブロック分の領域がオーバーラップ領域１３とな
っている。

【００１９】そして、メモリ制御部３の制御により、フ
ラッシュメモリ部２に格納されるデータは、データ格納
予約領域１１の先頭の第１ブロックから第２ブロックの
方向に順次格納され、また、このデータの管理情報は、
最後尾の第ｎブロックから第ｎ−１ブロックの方向に順
次格納されるようになっている。

【００２０】一方、管理情報格納予約領域１２の内部で
は、図３に示すように、フラッシュメモリ部２の各ブロ
ックの損傷状態を管理するフラッシュメモリ管理情報２
１と、フラッシュメモリ部２のデータ格納予約領域１１
に格納されているデータを管理する内部データ管理情報
２２の２種類の管理情報が格納される。

【００２１】（作用）次に、このように構成された本実
施の形態のフラッシュメモリ装置１の作用について説明
する。

【００２２】図示しないデータ処理部から、データの書
き込みのために制御信号及びアドレス／データがメモリ
制御部３に出力されると、メモリ制御部３は、図４に示
すように、ステップＳ１で管理情報格納予約領域１２よ
り管理情報を読み出す。次に、ステップＳ２で読み出し
た管理情報に基づき、データ更新の場合には、所望のブ
ロック内のデータを読み出しブロック内を消去した後、
更新したデータをブロックに書き込み、新規書き込みの
場合には、データ格納予約領域１１の最も先頭寄りの空
きブロックから新規データの書き込みを行う。

【００２３】そして、ステップＳ３で書き込んだデータ
を読み出しベリファイ処理を行い、データが正しく書き
込まれたかを判断する。このステップＳ３でのベリファ
イが失敗した場合は、更新による消去または書き込み時
のブロックの損傷発生が原因であると判断し、ステップ
Ｓ４でデータ格納予約領域１１の最も先頭寄りのオーバ
ーラップ領域１３を含んだ空きブロックをチェックす
る。そして、ステップＳ５においてステップＳ２で読み
出したブロック内のデータを更新し、チェックした空き
ブロックに更新したデータを書き込み、ステップＳ３に
戻り、再びベリファイ処理を行う。そして、ベリファイ
が正しく行えた場合、ステップＳ６に進む。

【００２４】ステップＳ６では、上記の処理によりデー
タの更新あるいは新規書き込みが成功したので、管理情
報の更新を行う。この管理情報の更新とは、フラッシュ
メモリ管理情報２１、すなわちデータ更新によるブロッ
クの損傷状態の更新及び更新あるい新規書き込みによる
データの内部データ管理情報２２の更新である。この場
合もステップＳ２と同様に、フラッシュメモリ管理情報
２１及び内部データ管理情報２２が格納されているブロ
ック内の管理情報を読み出し、ブロック内を消去した
後、新たに更新した管理情報をブロックに書き込む。

【００２５】そして、ステップＳ７で書き込んだデータ
を読み出しベリファイ処理を行い、データが正しく書き
込まれたかを判断する。このステップＳ７でのベリファ
イが失敗した場合は、更新による消去時のブロックの損
傷発生が原因であると判断し、ステップＳ８で管理情報
格納予約領域１２の最後尾寄りのオーバーラップ領域１
３を含んだ空きブロックをチェックする。そして、ステ
ップＳ９においてステップＳ７で読み込んだブロック内
の管理情報を更新し、チェックした空きブロックに更新
した管理情報を書き込み、ステップＳ７に戻り、再びベ
リファイ処理を行う。そして、ベリファイが正しく行え
たら、処理を終了する。

【００２６】なお、上述したように、管理情報格納予約
領域１２の管理情報がフラッシュメモリ部２の最後尾か
ら記憶される場合は、データ格納予約領域１１のデータ
はフラッシュメモリ部２の先頭から記憶されるが、これ
とは逆に、管理情報格納予約領域１２の管理情報がフラ
ッシュメモリ部２の先頭から記憶される場合、データ格
納予約領域１１のデータをフラッシュメモリ部２の最後
尾から記憶させるようにしてもよい。

【００２７】（効果）以上説明したように、本実施の形
態のフラッシュメモリ装置１では、管理情報が第ｋブロ
ックまで使用されていない時は、データ格納予約領域１
１を全てデータ格納に使用できる。

【００２８】また、管理情報を格納していたブロックが
複数使用不可になった場合は、管理情報を第ｋ−Ｌ＋１
ブロックまで格納できるので、オーバーラップ領域１３
がなく管理情報格納予約領域１２が第ｋ＋１ブロックま
でしかなかった従来に比べ、管理情報が書き込めなくな
り、フラッシュメモリ装置１の全体が使用不可能になる
可能性が減少する。

【００２９】さらに、管理情報格納予約領域１２は第ｋ
−Ｌ＋１ブロックまで、データ格納予約領域１１は第ｋ
ブロックまでと、オーバーラップ領域１３をＬブロック
分の領域サイズに限定すると共に、管理情報のみを格納
する領域（第ｎブロック〜第ｋ＋１ブロック）とデータ
のみを格納する領域（第１ブロック〜第ｋ−Ｌブロッ
ク）もそれぞれ確保してあるので、管理情報ばかりでデ
ータが書き込めない、データが大きすぎて管理情報が書
き込めない等という状態も防止できる。

【００３０】図５は本発明の第２の実施の形態に係る管
理情報格納予約領域のメモリ構成を示すメモリマップで
ある。

【００３１】第２の実施の形態は、第１の実施の形態と
ほとんど同じであるので、異なる点のみ説明し、同一の
構成には同じ符号をつけ説明は省略する。

【００３２】（構成及び作用）第２の実施の形態の管理
情報格納予約領域１２の構成においては、図５に示すよ
うに、フラッシュメモリ管理情報２１及び内部データ管
理情報２２のそれぞれにフラッシュメモリ管理情報正２
１ａ及びフラッシュメモリ管理情報副２１ｂ、内部デー
タ管理情報正２２ａ及び内部データ管理情報副２２ｂを
設けることで、フラッシュメモリ管理情報２１及び内部
データ管理情報２２に同一内容のものを正副２つずつ記
憶させる。

【００３３】フラッシュメモリ管理情報正２１ａ及びフ
ラッシュメモリ管理情報副２１ｂ、内部データ管理情報
正２２ａ及び内部データ管理情報副２２ｂには各々が管
理情報であることを示すＩＤが設けられている。これら
の管理情報を検索するとき、管理情報格納予約領域２の
オーバーラップ領域１３側より検索を行う。そして、Ｉ
Ｄにより管理情報を検索し最初に見つけた管理情報が有
効な最新の管理情報となる。

【００３４】その他の構成及び作用は第１の実施の形態
と同じである。

【００３５】（効果）以上のように本実施の形態では、
フラッシュメモリ管理情報正２１ａ及びフラッシュメモ
リ管理情報副２１ｂ、内部データ管理情報正２２ａ及び
内部データ管理情報副２２ｂを設けたことで、第１の実
施の形態の効果に加え、それぞれの管理情報の正副２つ
の内のどちらか一方が壊れても、正副のもう一方の管理
情報により管理情報が失われることはないので、フラッ
シュメモリー装置としての信頼性が向上する。

【００３６】また、第１の実施の形態のように、管理情
報格納予約領域１２の記憶開始位置より管理情報を検索
すると、ブロックが破壊された等により管理情報がブロ
ックごと更新されているかどうかを、管理情報格納予約
領域１２全部を検索しチェックしなければならないが、
本実施の形態のように、オーバーラップ領域側より検索
することにより、メモリ装置の信頼性を向上できるとと
もに検索効率が上がる。

【００３７】図６及び図７は本発明の第３の実施の形態
に係わり、図６はデータ格納予約領域のメモリ構成を示
すメモリマップ、図７は図６の静止画像データ領域のメ
モリ構成を示すメモリマップである。

【００３８】第３の実施の形態は、第１の実施の形態と
ほとんど同じであるので、異なる点のみ説明し、同一の
構成には同じ符号をつけ説明は省略する。

【００３９】（構成及び作用）本実施の形態では、図６
に示すように、データ格納予約領域１１には静止画像情
報が静止画像データ領域３１ａ，３１ｂ，３１ｃに記録
される。

【００４０】図７に示すように、静止画像情報３２は、
静止画像情報本体３３と各静止画像情報３１に固有の静
止画像情報付帯情報３４とから構成される。そして、各
静止画像データ領域３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、静止画
像情報本体３３と静止画像情報付帯情報３４とからなる
領域のサイズ以上の領域をもつ複数のブロックを占有
し、各静止画像情報本体３３を格納したブロックの最後
のブロックのあらかじめ指定された位置に、静止画像情
報付帯情報３４が格納される。

【００４１】その他の構成及び作用は第１の実施の形態
と同じである。

【００４２】（効果）本実施の形態では、第１の実施の
形態の効果に加え、上記のように静止画像情報３２の管
理情報である静止画像情報付帯情報３４を、管理情報格
納予約領域１２の内部データ管理情報２２に格納する必
要がなく、内部データ管理情報２２の更新回数が減り、
管理情報格納予約領域２内での使用不可能ブロックの発
生頻度が減少し、信頼性が向上する。

【００４３】図８及び図９は本発明の第４の実施の形態
に係わり、図８はフラッシュメモリ管理情報の構成を示
すデータ構成図、図９は図８のブロック管理情報の構成
を示すデータ構成図である。

【００４４】第４の実施の形態は、第１の実施の形態と
ほとんど同じであるので、異なる点のみ説明し、同一の
構成には同じ符号をつけ説明は省略する。

【００４５】（構成及び作用）図８に示すように、本実
施の形態の管理情報格納予約領域１２内のフラッシュメ
モリ管理情報２１には、フラッシュメモリ管理情報２１
であることを示すためのＩＤ４１があり、フラッシュメ
モリ装置１の全体のブロックの使用可能・不可能をブロ
ック管理情報４２として管理する。

【００４６】フラッシュメモリ装置１では、消去を実施
した後は全ビットが０または１の状態に初期化される。
そこで、図９に示すように、ブロック管理情報４２内で
は、各ビット情報毎にフラッシュメモリ装置１の全体の
全ての各ブロックを対応させ、各ビットの初期状態の値
を使用可能状態に対応させ、ブロックが使用不可能状態
になったときに当該ブロックに対応したビット情報を反
転させる。

【００４７】使用不可能状態となったブロックが再び使
用可能状態に転ずることはないので、こうすることによ
りブロック管理情報４２は、ビット情報が消去後の初期
状態から反転する方向の一方向にしか、どのビットも変
わらない。そこで、ブロック管理情報４２を更新するに
あたって、消去してから書き換えるのではなく、追加書
込のみを行うことにより更新を行うことができる。

【００４８】尚、消去を行わずに追加書込を行っていく
と、徐々にビット情報が劣化していくので、追加書込回
数部４３内に追加書込を行った回数を、追加書込回数部
４３内の初期状態のビット情報からの反転したビット情
報の個数として記録しておく。追加書込を行う度にこの
回数をカウントし、ある一定の回数に達した場合は、追
加書込ではなく消去を行ってから書込を行う。

【００４９】その他の構成及び作用は第１の実施の形態
と同じである。

【００５０】（効果）以上のように、本実施の形態で
は、第１の実施の形態の効果に加え、フラッシュメモリ
管理情報２１のデータ更新をビット情報を一方向のみに
変化させるだけで実現させるので、更新の度に消去を行
わなくても済むようになり、フラッシュメモリ管理情報
２１が壊れる可能性が減少し、そのため管理情報が使用
する領域が増える可能性が減少し、その分データ格納予
約領域１１の内に実際にデータが格納できる領域が減少
する可能性が減り、フラッシュメモリ装置１の全体とし
ての信頼性も向上する。

【００５１】［付記］ （付記項１） データを記憶する複数のブロックより構
成されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを
前記ブロックを単位として、前記フラッシュメモリの前
記データの消去及び使用不可状態の管理を行うメモリ制
御部とを備え、前記メモリ制御部は、前記フラッシュメ
モリの前記ブロック使用可・使用不可状態を示すフラッ
シュメモリ管理情報及び前記フラッシュメモリに記憶さ
せる前記データの管理を行う内部データ管理情報よりな
る管理情報を、前記フラッシュメモリのメモリアドレス
の先頭または最後尾と、あらかじめ決められた前記フラ
ッシュメモリのメモリアドレスの第１の後端部とにより
指定される管理情報領域に、前記管理情報領域のメモリ
アドレスの先頭または最後尾より順次記憶させると共
に、管理される側の前記データを、前記管理情報が前記
管理情報領域のメモリアドレスの先頭より記憶された場
合は前記フラッシュメモリのメモリアドレスの最後尾、
あるいは、前記管理情報が前記管理情報領域のメモリア
ドレスの最後尾より記憶された場合は前記フラッシュメ
モリのメモリアドレスの先頭と、あらかじめ決められた
前記フラッシュメモリのメモリアドレスの第２の後端部
とにより指定されるデータ領域に順次記憶させること
で、前記第１の後端部及び前記第２の後端部により、前
記管理情報または前記管理される側の前記データのどち
らもが記憶可能なアドレス領域を設けたことを特徴とす
るフラッシュメモリ装置。

【００５２】付記項１のフラッシュメモリ装置によれ
ば、データと管理情報の両方を格納する可能性のあるア
ドレス領域を設定することにより、必要に応じて管理情
報の格納予約アドレス領域の容量又はデータ格納領域の
容量を調整することができる。また、管理情報格納予約
領域に使用不可能な領域が発生しても、管理情報が格納
できなくなる可能性を低く抑えることができる。さら
に、あらかじめ管理情報を格納するアドレス領域の後端
部が設定されているため、管理情報により格納できるデ
ータ容量が減少されるのを制限でき、格納できるデータ
の最低量が確保できる。

【００５３】（付記項２） 前記管理情報は、管理情報
ブロックとして前記ブロックの単位で取り扱われること
を特徴とする付記項１に記載のフラッシュメモリ装置。

【００５４】付記項２のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項１のフラッシュメモリ装置の作用・効果に加
え、ブロックにより管理情報の読み書きをコントロール
できるので、管理情報の管理が簡単になる。

【００５５】（付記項３） 前記管理情報は、同一内容
のものが記憶される２つの正副管理情報ブロックである
ことを特徴とする付記項２に記載のフラッシュメモリ装
置。

【００５６】付記項３のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項２のフラッシュメモリ装置の作用・効果に加
え、管理情報を同一内容のもの正副２つ記憶させるの
で、管理情報の信頼性が向上し、管理情報が破壊されフ
ラッシュメモリ装置全体が使用不可になる可能性が低く
なる。

【００５７】（付記項４） 前記メモリ制御部は、前記
フラッシュメモリ管理情報及び前記内部データ管理情報
を読み取るとき、前記管理情報に予約されたアドレス領
域の前記オーバーラップ領域側の端より読み出されるこ
とを特徴とする付記項１に記載のフラッシュメモリ装
置。

【００５８】付記項４のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項１のフラッシュメモリ装置の作用・効果に加
え、管理情報を読み出す時、管理情報に予約されたアド
レス領域のオーバーラップ領域側の端より読み出すこと
により、劣化したり、破壊した古い管理情報を読む必要
がなく、フラッシュメモリ装置全体の信頼性を維持でき
るとともに検索効率が上がる。

【００５９】（付記項５） 前記管理される前記データ
は、静止画像データであり、前記メモリ制御部は、前記
静止画像データの固有の付帯情報を、前記静止画像デー
タ自体を記録させる前記ブロック内の所定の位置に前記
静止画像データと一緒に記憶させることを特徴とする付
記項１に記載のフラッシュメモリ装置。

【００６０】付記項５のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項１のフラッシュメモリ装置の作用・効果に加
え、あらかじめ管理情報を格納するアドレス領域の後端
部が設定されているため、管理情報により格納できる静
止画像データ容量が減少されるのを制限でき、格納でき
る静止画像データの最低量が確保できる。また、各静止
画像に固有の付帯情報は、各静止画像データ自体を記録
させるブロック内の所定の位置に格納させるため、管理
情報の更新回数が減り、管理情報を格納した領域が使用
不可となる確率が減る。

【００６１】（付記項６） 前記フラッシュメモリ管理
情報は、更新時にビットデータの１または０のどちらか
のビット情報を追加書込のみ行うことを特徴とする付記
項１、２、３、４または５のいずれか１つに記載のフラ
ッシュメモリ装置。

【００６２】付記項６のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項１、２、３、４または５のいずれか１つのフ
ラッシュメモリ装置の作用・効果に加え、管理情報の更
新時に消去を行う回数が減るため、管理情報を格納した
領域が使用不可となる確率が減り、フラッシュメモリ装
置の信頼性が向上する。

【００６３】（付記項７） 前記フラッシュメモリ管理
情報及び前記内部データ管理情報は、それぞれに固有の
ＩＤコードにより識別され、前記管理情報領域内におい
て、順不同に格納されることを特徴とする付記項１、
２、３、４、５または６のいずれか１つに記載のフラッ
シュメモリ装置。

【００６４】付記項７のフラッシュメモリ装置によれ
ば、付記項１、２、３、４、５または６のいずれか１つ
のフラッシュメモリ装置の作用・効果に加え、管理情報
がＩＤによって識別されるため、管理情報を認識すると
きに管理情報全体を読み込む必要がなくなる。また、フ
ラッシュメモリ管理情報と内部データ管理情報のどちら
もを、あらかじめ管理情報記憶アドレス領域として予約
されていた領域のあいている領域に順次格納させること
ができる。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように本発明のフラッシュ
メモリ装置によれば、メモリ制御部が、フラッシュメモ
リのブロック使用可・使用不可状態を示すフラッシュメ
モリ管理情報及びフラッシュメモリに記憶させるデータ
の管理を行う内部データ管理情報よりなる管理情報を、
フラッシュメモリのメモリアドレスの先頭または最後尾
と、あらかじめ決められたフラッシュメモリのメモリア
ドレスの第１の後端部とにより指定される管理情報領域
に、管理情報領域のメモリアドレスの先頭または最後尾
より順次記憶させると共に、管理される側のデータを、
管理情報が管理情報領域のメモリアドレスの先頭より記
憶された場合はフラッシュメモリのメモリアドレスの最
後尾、あるいは、管理情報が管理情報領域のメモリアド
レスの最後尾より記憶された場合はフラッシュメモリの
メモリアドレスの先頭と、あらかじめ決められたフラッ
シュメモリのメモリアドレスの第２の後端部とにより指
定されるデータ領域に順次記憶させ、第１の後端部及び
第２の後端部により、管理情報または管理される側のデ
ータのどちらもが記憶可能なアドレス領域を設けている
ので、必要に応じて管理情報の格納容量又はデータの格
納容量を調整すると共に、管理情報の格納領域に使用不
可能な領域が発生しても管理情報が格納できなくなる可
能性を低く抑えることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフラッシュメ
モリ装置の構成を示す構成図

【図２】図１のフラッシュメモリ部のメモリ構成を示す
メモリマップ

【図３】図２の管理情報格納予約領域のメモリ構成を示
すメモリマップ

【図４】図１のフラッシュメモリ装置の作用を説明する
フローチャート

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る管理情報格納
予約領域のメモリ構成を示すメモリマップ

【図６】本発明の第３の実施の形態に係るデータ格納予
約領域のメモリ構成を示すメモリマップ

【図７】図６の静止画像データ領域のメモリ構成を示す
メモリマップ

【図８】本発明の第４の実施の形態に係るフラッシュメ
モリ管理情報の構成を示すデータ構成図

【図９】図８のブロック管理情報の構成を示すデータ構
成図

【図１０】従来のフラッシュメモリ部のメモリ構成を示
すメモリマップ

【符号の説明】

１…フラッシュメモリ装置 ２…フラッシュメモリ部 ３…メモリ制御部 ４…内部制御バス ５…内部アドレス／データバス １１…データ格納予約領域 １２…管理情報格納予約領域 １３…オーバーラップ領域 ２１…フラッシュメモリ管理情報 ２２…内部データ管理情報

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 データを記憶する複数のブロックより構
   成されるフラッシュメモリと、 前記フラッシュメモリを前記ブロックを単位として、前
   記フラッシュメモリの前記データの消去及び使用不可状
   態の管理を行うメモリ制御部とを備え、 前記メモリ制御部は、 前記フラッシュメモリの前記ブロック使用可・使用不可
   状態を示すフラッシュメモリ管理情報及び前記フラッシ
   ュメモリに記憶させる前記データの管理を行う内部デー
   タ管理情報よりなる管理情報を、 前記フラッシュメモリのメモリアドレスの先頭または最
   後尾と、あらかじめ決められた前記フラッシュメモリの
   メモリアドレスの第１の後端部とにより指定される管理
   情報領域に、前記管理情報領域のメモリアドレスの先頭
   または最後尾より順次記憶させると共に、 管理される側の前記データを、 前記管理情報が前記管理情報領域のメモリアドレスの先
   頭より記憶された場合は前記フラッシュメモリのメモリ
   アドレスの最後尾、あるいは、前記管理情報が前記管理
   情報領域のメモリアドレスの最後尾より記憶された場合
   は前記フラッシュメモリのメモリアドレスの先頭と、 あらかじめ決められた前記フラッシュメモリのメモリア
   ドレスの第２の後端部とにより指定されるデータ領域に
   順次記憶させることで、 前記第１の後端部及び前記第２の後端部により、前記管
   理情報または前記管理される側の前記データのどちらも
   が記憶可能なアドレス領域を設けたことを特徴とするフ
   ラッシュメモリ装置。
2. 【請求項２】 前記管理情報は、 管理情報ブロックとして前記ブロックの単位で取り扱わ
   れることを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモ
   リ装置。
3. 【請求項３】 前記管理情報は、 同一内容のものが記憶される２つの正副管理情報ブロッ
   クであることを特徴とする請求項２に記載のフラッシュ
   メモリ装置。