JPH09134013A - 大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法 - Google Patents
大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH09134013A JPH09134013A JP7290838A JP29083895A JPH09134013A JP H09134013 A JPH09134013 A JP H09134013A JP 7290838 A JP7290838 A JP 7290838A JP 29083895 A JP29083895 A JP 29083895A JP H09134013 A JPH09134013 A JP H09134013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon atoms
- organic group
- chemical formula
- embedded image
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】水系溶剤で現像可能な感光性樹脂組成物を用い
た大規模集積回路を提供すること。 【解決手段】塩基触媒反応により分解する基で保護され
たカルボキシル基または水酸基を有する高分子と、電磁
波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤を含む感光
性樹脂組成物。 【効果】大規模集積回路の製造，液晶配向膜パターン形
成、及び、液晶配向膜を有する表示装置の製造におい
て、塩基触媒反応が利用でき、しかも、水系溶剤で現像
可能なポジ型感光性樹脂組成物を用いるため、環境汚
染，作業環境に問題なく、高感度で高膜厚なレリーフパ
ターンを有するフィルムが得られる。
た大規模集積回路を提供すること。 【解決手段】塩基触媒反応により分解する基で保護され
たカルボキシル基または水酸基を有する高分子と、電磁
波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤を含む感光
性樹脂組成物。 【効果】大規模集積回路の製造，液晶配向膜パターン形
成、及び、液晶配向膜を有する表示装置の製造におい
て、塩基触媒反応が利用でき、しかも、水系溶剤で現像
可能なポジ型感光性樹脂組成物を用いるため、環境汚
染，作業環境に問題なく、高感度で高膜厚なレリーフパ
ターンを有するフィルムが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な感光性樹脂組
成物を用いた電子装置の製造方法に関する。
成物を用いた電子装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】感光性樹脂組成物は、電機電子産業の分
野で、配線形成工程を大幅に簡素化できる材料として広
く用いられている。これらの感光性樹脂材料は、露光し
た部分が主にエッチングされるポジ型と、露光されなか
った部分が主にエッチングされるネガ型に分類される。
ネガ型感光材料は、その現像液による露光部の膨潤が起
こるために高解像度の微細加工を行う上で不利となる。
又、プロセス上ポジ型の感光耐熱材料が必要となる場合
も有り、ポジ型の感光性耐熱材料が望まれていた。また
環境汚染防止の観点や作業環境改善の観点から、従来の
塩素系溶剤や有機溶剤を中心とする現像液を用いる感光
性樹脂組成物に代わる、水系溶剤で現像できる感光性樹
脂組成物が望まれていた。
野で、配線形成工程を大幅に簡素化できる材料として広
く用いられている。これらの感光性樹脂材料は、露光し
た部分が主にエッチングされるポジ型と、露光されなか
った部分が主にエッチングされるネガ型に分類される。
ネガ型感光材料は、その現像液による露光部の膨潤が起
こるために高解像度の微細加工を行う上で不利となる。
又、プロセス上ポジ型の感光耐熱材料が必要となる場合
も有り、ポジ型の感光性耐熱材料が望まれていた。また
環境汚染防止の観点や作業環境改善の観点から、従来の
塩素系溶剤や有機溶剤を中心とする現像液を用いる感光
性樹脂組成物に代わる、水系溶剤で現像できる感光性樹
脂組成物が望まれていた。
【０００３】半導体工業において固体素子の絶縁膜やパ
ッシベーション膜として、例えば、酸化珪素などの無機
材料が広く使用されている。
ッシベーション膜として、例えば、酸化珪素などの無機
材料が広く使用されている。
【０００４】一方、有機材料は無機材料に比較して低応
力性，平滑性に優れ、高純度であるなどの性質を保持し
ており、近年絶縁層やパッシベーション層として使用す
る技術が開発され、一部の半導体素子に実用化されてい
る。
力性，平滑性に優れ、高純度であるなどの性質を保持し
ており、近年絶縁層やパッシベーション層として使用す
る技術が開発され、一部の半導体素子に実用化されてい
る。
【０００５】有機材料を用いる場合、ダイボンディング
などの作業工程を経るため、材料に熱安定性が要求さ
れ、耐熱性有機材料を使用する必要がある。そのため、
通常、耐熱性に優れたポリイミドが広く検討されてい
る。
などの作業工程を経るため、材料に熱安定性が要求さ
れ、耐熱性有機材料を使用する必要がある。そのため、
通常、耐熱性に優れたポリイミドが広く検討されてい
る。
【０００６】例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミ
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換したのち、そのポリイミド膜上にフォトレジス
トのレリーフパターンを形成させ、ヒドラジン系エッチ
ング剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリ
ーフパターンをポリイミドに転写させている。
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換したのち、そのポリイミド膜上にフォトレジス
トのレリーフパターンを形成させ、ヒドラジン系エッチ
ング剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリ
ーフパターンをポリイミドに転写させている。
【０００７】しかし、工程におけるポリイミドのパター
ン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程が含
まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、レリ
ーフパターンをレジストを介して転写することによる寸
法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡略化
や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐熱材
料の開発が望まれていた。
ン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程が含
まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、レリ
ーフパターンをレジストを介して転写することによる寸
法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡略化
や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐熱材
料の開発が望まれていた。
【０００８】前記目的のための材料として、ネガ型につ
いては既に種々の材料が開示されているが、プロセス上
ポジ型の感光耐熱材料が必要となる場合がある。ポジ型
の感光性耐熱材料としては、感光性ポリアミド酸ニトロ
ベンジルエステル（特公平1−59571 号公報），ポリア
ミド酸とジヒドロピリジン誘導体から成る感光性耐熱材
料（特開平6−43648号公報）、また、ポリイミド前駆体
であるポリアミド酸の替わりに、ポリベンズオキサゾー
ル前駆体を用いる感光性ポリベンズオキサゾール（特公
平6−12449号公報）等が開示されているが、解像度，感
度，アスペクト比等に問題があり、十分なレリーフパタ
ーンは得られておらず、また、膜特性，現像特性につい
ても不十分であった。
いては既に種々の材料が開示されているが、プロセス上
ポジ型の感光耐熱材料が必要となる場合がある。ポジ型
の感光性耐熱材料としては、感光性ポリアミド酸ニトロ
ベンジルエステル（特公平1−59571 号公報），ポリア
ミド酸とジヒドロピリジン誘導体から成る感光性耐熱材
料（特開平6−43648号公報）、また、ポリイミド前駆体
であるポリアミド酸の替わりに、ポリベンズオキサゾー
ル前駆体を用いる感光性ポリベンズオキサゾール（特公
平6−12449号公報）等が開示されているが、解像度，感
度，アスペクト比等に問題があり、十分なレリーフパタ
ーンは得られておらず、また、膜特性，現像特性につい
ても不十分であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記問題を解決する目
的で、カルボキシル基を有する高分子と電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤を含む水系溶剤で現像
可能なポジ型感光性材料が考えられる。しかしながら、
前記のポジ型感光性耐熱材料では、パターンを得る為の
照射量は比較的大きく、また、電磁波照射による反応に
より着色が起こるため膜表面での吸収が生じる。また、
露光部と未露光部との現像時の溶解性の差は、ポリアミ
ド酸とポリアミド酸塩との溶解度差によっているため不
十分であった。従って、現像可能な膜厚，解像度，感度
に制限がでてくる。本発明の目的は、上記問題を解決し
うる水系溶剤で現像可能な極性変化型感光性樹脂組成物
を用いて、大規模集積回路を提供することにある。更
に、本発明の目的は前記感光性樹脂組成物を用いて、液
晶配向膜パターンを形成し、該液晶配向膜を有する表示
装置を提供することにある。
的で、カルボキシル基を有する高分子と電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤を含む水系溶剤で現像
可能なポジ型感光性材料が考えられる。しかしながら、
前記のポジ型感光性耐熱材料では、パターンを得る為の
照射量は比較的大きく、また、電磁波照射による反応に
より着色が起こるため膜表面での吸収が生じる。また、
露光部と未露光部との現像時の溶解性の差は、ポリアミ
ド酸とポリアミド酸塩との溶解度差によっているため不
十分であった。従って、現像可能な膜厚，解像度，感度
に制限がでてくる。本発明の目的は、上記問題を解決し
うる水系溶剤で現像可能な極性変化型感光性樹脂組成物
を用いて、大規模集積回路を提供することにある。更
に、本発明の目的は前記感光性樹脂組成物を用いて、液
晶配向膜パターンを形成し、該液晶配向膜を有する表示
装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、下記の技術的手段が用いられている。
すなわち、第１の手段は、大規模集積回路における回路
形成、あるいは保護膜形成が、前記化１で表される分子
量一万以上百万以下のカルボン酸エステル重合体（式
中、Ｒ１は炭素数２〜４０の有機基、ｎは１０から二万
の間の正の整数で、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基，水
素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ３は炭素数１〜３
０の有機基である）を重量で全樹脂量に対して２０％以
上と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤
を、前記カルボン酸エステル重合体のエステル基に対し
て０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、基
板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁
波照射する工程，現像する工程を含む。第２の手段は、
大規模集積回路における回路形成、あるいは保護膜形成
が、カルボン酸エステル重合体と、前記化９（式中、Ｒ
１７は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原
子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、
Ｒ１８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ
２０は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で表され
る光塩基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗
布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射す
る工程，現像する工程を含む。
達成するために、下記の技術的手段が用いられている。
すなわち、第１の手段は、大規模集積回路における回路
形成、あるいは保護膜形成が、前記化１で表される分子
量一万以上百万以下のカルボン酸エステル重合体（式
中、Ｒ１は炭素数２〜４０の有機基、ｎは１０から二万
の間の正の整数で、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基，水
素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ３は炭素数１〜３
０の有機基である）を重量で全樹脂量に対して２０％以
上と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤
を、前記カルボン酸エステル重合体のエステル基に対し
て０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、基
板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁
波照射する工程，現像する工程を含む。第２の手段は、
大規模集積回路における回路形成、あるいは保護膜形成
が、カルボン酸エステル重合体と、前記化９（式中、Ｒ
１７は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原
子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、
Ｒ１８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ
２０は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で表され
る光塩基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗
布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射す
る工程，現像する工程を含む。
【００１１】第３の手段は、大規模集積回路における回
路形成、あるいは保護膜形成が、前記化５で表される分
子量一万以上百万以下の水酸基保護フェノール重合体
（式中、Ｒ１１は炭素数２〜２０の有機基、ｎは１０か
ら二万の間の正の整数で、Ｒ12は炭素数１〜２０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１３は、炭
素数１〜３０の有機基）を重量で全樹脂量に対して２０
％以上と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発
生剤を、前記水酸基保護フェノール重合体の水酸基に対
して０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、
基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電
磁波照射する工程，現像する工程を含む。第４の手段
は、大規模集積回路における回路形成、あるいは保護膜
形成が、水酸基保護フェノール重合体と、前記化９（式
中、Ｒ１７は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロ
ゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。
また、Ｒ１８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１
９，Ｒ２０は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で
表される光塩基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板
上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波
照射する工程，現像する工程を含む。
路形成、あるいは保護膜形成が、前記化５で表される分
子量一万以上百万以下の水酸基保護フェノール重合体
（式中、Ｒ１１は炭素数２〜２０の有機基、ｎは１０か
ら二万の間の正の整数で、Ｒ12は炭素数１〜２０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１３は、炭
素数１〜３０の有機基）を重量で全樹脂量に対して２０
％以上と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発
生剤を、前記水酸基保護フェノール重合体の水酸基に対
して０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、
基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電
磁波照射する工程，現像する工程を含む。第４の手段
は、大規模集積回路における回路形成、あるいは保護膜
形成が、水酸基保護フェノール重合体と、前記化９（式
中、Ｒ１７は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロ
ゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。
また、Ｒ１８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１
９，Ｒ２０は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で
表される光塩基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板
上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波
照射する工程，現像する工程を含む。
【００１２】第５の手段は、前記化１で表される分子量
一万以上百万以下のカルボン酸エステル重合体（式中、
Ｒ１は炭素数２〜４０の有機基、ｎは１０から二万の間
の正の整数で、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基，水素原
子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ３は炭素数１〜３０の
有機基）を重量で全樹脂量に対して２０％以上と、電磁
波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤を、前記カ
ルボン酸エステル重合体のエステル基に対して０.０１
〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗
布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射す
る工程，現像する工程を含む液晶配向膜パターンの形成
方法、及び、該液晶配向膜を有する。
一万以上百万以下のカルボン酸エステル重合体（式中、
Ｒ１は炭素数２〜４０の有機基、ｎは１０から二万の間
の正の整数で、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基，水素原
子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ３は炭素数１〜３０の
有機基）を重量で全樹脂量に対して２０％以上と、電磁
波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤を、前記カ
ルボン酸エステル重合体のエステル基に対して０.０１
〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗
布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射す
る工程，現像する工程を含む液晶配向膜パターンの形成
方法、及び、該液晶配向膜を有する。
【００１３】第６の手段は、前記化９（式中、Ｒ１７は
炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原子のい
ずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、Ｒ１８
は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ２０は
水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で表される光塩
基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗布し乾
燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射する工
程，現像する工程を含む液晶配向膜パターンの形成方
法、及び、該液晶配向膜を有する。
炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原子のい
ずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、Ｒ１８
は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ２０は
水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で表される光塩
基発生剤を含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗布し乾
燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射する工
程，現像する工程を含む液晶配向膜パターンの形成方
法、及び、該液晶配向膜を有する。
【００１４】第７の手段は、前記化５で表される分子量
一万以上百万以下の水酸基保護フェノール重合体（式
中、Ｒ１１は炭素数２〜２０の有機基、ｎは１０から二
万の間の正の整数で、Ｒ１２は炭素数１〜２０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１３は、炭
素数１〜３０の有機基である）を重量で全樹脂量に対し
て２０％以上と、電磁波の照射により塩基を発生する光
塩基発生剤を、前記水酸基保護フェノール重合体の水酸
基に対して０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成
物を、基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介
して電磁波照射する工程，現像する工程を含む液晶配向
膜パターンの形成方法、及び、該液晶配向膜を有する。
一万以上百万以下の水酸基保護フェノール重合体（式
中、Ｒ１１は炭素数２〜２０の有機基、ｎは１０から二
万の間の正の整数で、Ｒ１２は炭素数１〜２０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１３は、炭
素数１〜３０の有機基である）を重量で全樹脂量に対し
て２０％以上と、電磁波の照射により塩基を発生する光
塩基発生剤を、前記水酸基保護フェノール重合体の水酸
基に対して０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成
物を、基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マスクを介
して電磁波照射する工程，現像する工程を含む液晶配向
膜パターンの形成方法、及び、該液晶配向膜を有する。
【００１５】第８の手段は、水酸基保護フェノール重合
体と、前記化９（式中、Ｒ１７は炭素数１〜１０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０
〜４の整数である。また、Ｒ１８は水素又は炭素数１〜
１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ20は水素原子又は炭素数１〜
１２の有機基）で表される光塩基発生剤を含む感光性樹
脂組成物を、基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マス
クを介して電磁波照射する工程，現像する工程を含む液
晶配向膜パターンの形成方法、及び、該液晶配向膜を有
する。
体と、前記化９（式中、Ｒ１７は炭素数１〜１０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０
〜４の整数である。また、Ｒ１８は水素又は炭素数１〜
１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ20は水素原子又は炭素数１〜
１２の有機基）で表される光塩基発生剤を含む感光性樹
脂組成物を、基板上に塗布し乾燥する工程，遮光性マス
クを介して電磁波照射する工程，現像する工程を含む液
晶配向膜パターンの形成方法、及び、該液晶配向膜を有
する。
【００１６】本発明において、塩基を発生させる手段と
しては、電磁波の照射，マイクロ波の照射，アミン液の
吹きかけなどが挙げられる。
しては、電磁波の照射，マイクロ波の照射，アミン液の
吹きかけなどが挙げられる。
【００１７】本発明において、前記化１の溶解度は、該
構造中のアルコキシカルボニル基が塩基存在下分解しカ
ルボキシル基になることにより、大きく変化する。従っ
て、構造中にカルボキシル基を有するものの塩基分解性
エステル体であれば適用可能である。カルボキシル基を
有する高分子の分子量としては、現像液への溶解性，レ
リーフパタンの機械特性を考慮した場合一万以上である
ことが望ましい、分子量の上限については特に制限はな
いが、溶剤への溶解性，感光剤ワニスの取り扱いやす
さ、現像液への溶解性を考えた場合は百万以下であるこ
とが望ましい。
構造中のアルコキシカルボニル基が塩基存在下分解しカ
ルボキシル基になることにより、大きく変化する。従っ
て、構造中にカルボキシル基を有するものの塩基分解性
エステル体であれば適用可能である。カルボキシル基を
有する高分子の分子量としては、現像液への溶解性，レ
リーフパタンの機械特性を考慮した場合一万以上である
ことが望ましい、分子量の上限については特に制限はな
いが、溶剤への溶解性，感光剤ワニスの取り扱いやす
さ、現像液への溶解性を考えた場合は百万以下であるこ
とが望ましい。
【００１８】連鎖重合によってカルボキシル基を有する
高分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子デー
タハンドブック基礎編（高分子学会編，培風館，１９８
６）表９.１記載のポリアクリル酸及びポリアクリル酸
アルキル誘導体，表１４.１記載のマレイン酸及びその
誘導体，マレイン酸フルオロアルキル及び酢酸ビニルな
どが挙げられる。具体例としては、アクリル酸，クロト
ン酸，イソクロトン酸，アンジェリカ酸，チグリン酸、
３−プロピルアクリル酸、３−イソプロピルアクリル
酸、α−アセトキシアクリル酸、α−トリフルオロメチ
ルアクリル酸，メタクリル酸，マレイン酸，メチルマレ
イン酸，フルオロマレイン酸，マレイン酸フルオロアル
キル，酢酸ビニルなどが挙げられる。ここに挙げたモノ
マーの塩基分解性エステル体の重合体及び該モノマーを
共重合成分とする高分子であれば、そのまま本発明を適
用することができる。また、重合時のモノマにカルボキ
シル基を含まない高分子であっても、化学修飾によって
アルコキシカルボキシル基を導入することによって、本
発明が適用可能になる。
高分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子デー
タハンドブック基礎編（高分子学会編，培風館，１９８
６）表９.１記載のポリアクリル酸及びポリアクリル酸
アルキル誘導体，表１４.１記載のマレイン酸及びその
誘導体，マレイン酸フルオロアルキル及び酢酸ビニルな
どが挙げられる。具体例としては、アクリル酸，クロト
ン酸，イソクロトン酸，アンジェリカ酸，チグリン酸、
３−プロピルアクリル酸、３−イソプロピルアクリル
酸、α−アセトキシアクリル酸、α−トリフルオロメチ
ルアクリル酸，メタクリル酸，マレイン酸，メチルマレ
イン酸，フルオロマレイン酸，マレイン酸フルオロアル
キル，酢酸ビニルなどが挙げられる。ここに挙げたモノ
マーの塩基分解性エステル体の重合体及び該モノマーを
共重合成分とする高分子であれば、そのまま本発明を適
用することができる。また、重合時のモノマにカルボキ
シル基を含まない高分子であっても、化学修飾によって
アルコキシカルボキシル基を導入することによって、本
発明が適用可能になる。
【００１９】前記化１の構造が、前記化２である場合
に、本発明の効果がより高く発揮される。例えば、縮重
合型の高分子であるポリアミド酸エステルを本発明に適
用した場合は、レリーフ像を形成した後に、加熱または
化学的にイミド化しポリイミドに変換することによっ
て、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得ることが
できるため、ＬＳＩの保護膜，配線基板の絶縁膜等とし
て優れた性能を発揮する。本発明において、前記化３で
表されるカルボン酸エステル重合体のアルコキシカルボ
ニル基の分解の反応機構は、カルボキシル基のβ位の炭
素上の水素が塩基により引き抜かれてカルボアニオンが
発生するというものである。従って、構造式中、Ｒ９で
表される基は該カルボアニオンを安定化する電子吸引基
又は芳香族基が望ましい。Ｒ１０〜１２で表される基は
レリーフパタン形成時の膜べりの点から、炭素数１２以
下の有機基であることが望ましい。更に望ましくは炭素
数１〜３の有機基がよい。また、本発明で用いる保護基
は前記の構造に拘らず、塩基存在下分解し、カルボキシ
ル基，水酸基を生成するものであれば用いことができ
る。カルボン酸の具体的な保護基としては、２−シアノ
−１−メチルエチル基、２，２−ジシアノ−１−メチル
エチル基、９−フルオレニルメチル基、２−メチルスル
フォニルエチル基、２−アセチル−１−メチルエチル
基、２−ベンゾイル−１−メチルエチル基、２−シアノ
−２−エトキシカルボニル−２−メチルエチル基などが
挙げられる。本発明で用いるポリアミド酸エステルはジ
アミンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボン酸
ジエステルの反応によって、または、ポリアミド酸とク
ロロギ酸エステルまたはｐ−ニトロフェノキシギ酸エス
テルの反応によって得られる。本発明で用いられるジア
ミンと酸無水物誘導体としては、特開昭61−181829号公
報記載の物などが例として挙げられる。
に、本発明の効果がより高く発揮される。例えば、縮重
合型の高分子であるポリアミド酸エステルを本発明に適
用した場合は、レリーフ像を形成した後に、加熱または
化学的にイミド化しポリイミドに変換することによっ
て、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得ることが
できるため、ＬＳＩの保護膜，配線基板の絶縁膜等とし
て優れた性能を発揮する。本発明において、前記化３で
表されるカルボン酸エステル重合体のアルコキシカルボ
ニル基の分解の反応機構は、カルボキシル基のβ位の炭
素上の水素が塩基により引き抜かれてカルボアニオンが
発生するというものである。従って、構造式中、Ｒ９で
表される基は該カルボアニオンを安定化する電子吸引基
又は芳香族基が望ましい。Ｒ１０〜１２で表される基は
レリーフパタン形成時の膜べりの点から、炭素数１２以
下の有機基であることが望ましい。更に望ましくは炭素
数１〜３の有機基がよい。また、本発明で用いる保護基
は前記の構造に拘らず、塩基存在下分解し、カルボキシ
ル基，水酸基を生成するものであれば用いことができ
る。カルボン酸の具体的な保護基としては、２−シアノ
−１−メチルエチル基、２，２−ジシアノ−１−メチル
エチル基、９−フルオレニルメチル基、２−メチルスル
フォニルエチル基、２−アセチル−１−メチルエチル
基、２−ベンゾイル−１−メチルエチル基、２−シアノ
−２−エトキシカルボニル−２−メチルエチル基などが
挙げられる。本発明で用いるポリアミド酸エステルはジ
アミンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボン酸
ジエステルの反応によって、または、ポリアミド酸とク
ロロギ酸エステルまたはｐ−ニトロフェノキシギ酸エス
テルの反応によって得られる。本発明で用いられるジア
ミンと酸無水物誘導体としては、特開昭61−181829号公
報記載の物などが例として挙げられる。
【００２０】本発明において、前記化５の溶解度は、該
構造中のアルコキシカルボニロキシ基が塩基存在下分解
し水酸基になることにより、大きく変化する。従って、
構造中に水酸基を有するものの塩基分解性アルコキシカ
ルボニロキシ体であれば適用可能である。水酸基を有す
る分子の分子量としては、現像液への溶解性，レリーフ
パタンの機械特性を考慮した場合一万以上であることが
望ましい、分子量の上限については特に制限はないが、
溶剤への溶解性，感光剤ワニスの取り扱いやすさ，現像
液への溶解性を考えた場合は百万以下であることが望ま
しい。
構造中のアルコキシカルボニロキシ基が塩基存在下分解
し水酸基になることにより、大きく変化する。従って、
構造中に水酸基を有するものの塩基分解性アルコキシカ
ルボニロキシ体であれば適用可能である。水酸基を有す
る分子の分子量としては、現像液への溶解性，レリーフ
パタンの機械特性を考慮した場合一万以上であることが
望ましい、分子量の上限については特に制限はないが、
溶剤への溶解性，感光剤ワニスの取り扱いやすさ，現像
液への溶解性を考えた場合は百万以下であることが望ま
しい。
【００２１】水酸基を有する高分子は、多糖類，フェノ
ール樹脂等が挙げられる。具体例としては、セルロー
ス，アミロース，キチン，ノボラック，レゾール等が挙
げられる。連鎖重合によって水酸基を有する高分子構造
を与える繰り返し単位としては、高分子データハンドブ
ック基礎編(高分子学会編，培風館，１９８６）表５.１
記載のスチレンおよびその誘導体の中で水酸基，ヒドロ
キシアルキル基を有するものとが挙げられる。具体例
は、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレ
ン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２，４−ジヒドロキシス
チレン、２，５ージヒドロキシスチレン、ｐ−ビニルベ
ンジルアルコール，ビニルアルコールなどが挙げられ
る。ここに挙げたモノマの塩基分解性アルコキシカルボ
ニロキシ体の重合体及び該モノマを共重合成分とする高
分子であれば、そのまま本発明を適用することができ
る。また、重合時のモノマにアルコキシカルボニロキシ
基を含まない高分子であっても、化学修飾によって塩基
分解性アルコキシカルボニロキシ基を導入することによ
って、本発明が適用可能になる。
ール樹脂等が挙げられる。具体例としては、セルロー
ス，アミロース，キチン，ノボラック，レゾール等が挙
げられる。連鎖重合によって水酸基を有する高分子構造
を与える繰り返し単位としては、高分子データハンドブ
ック基礎編(高分子学会編，培風館，１９８６）表５.１
記載のスチレンおよびその誘導体の中で水酸基，ヒドロ
キシアルキル基を有するものとが挙げられる。具体例
は、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレ
ン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２，４−ジヒドロキシス
チレン、２，５ージヒドロキシスチレン、ｐ−ビニルベ
ンジルアルコール，ビニルアルコールなどが挙げられ
る。ここに挙げたモノマの塩基分解性アルコキシカルボ
ニロキシ体の重合体及び該モノマを共重合成分とする高
分子であれば、そのまま本発明を適用することができ
る。また、重合時のモノマにアルコキシカルボニロキシ
基を含まない高分子であっても、化学修飾によって塩基
分解性アルコキシカルボニロキシ基を導入することによ
って、本発明が適用可能になる。
【００２２】前記化５の構造が、前記化６である場合
に、本発明の効果がより高く発揮される。例えば、縮重
合型の高分子であるポリベンズオキザゾール前駆体のア
ルコキシカルボニロキシ保護体を本発明に適用した場合
は、レリーフ像を形成した後に、加熱または化学的にオ
キサゾール化しポリベンズオキザゾールに変換すること
によって、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得る
ことができるため、LSIの保護膜，配線基板の絶縁膜等
として優れた性能を発揮する。
に、本発明の効果がより高く発揮される。例えば、縮重
合型の高分子であるポリベンズオキザゾール前駆体のア
ルコキシカルボニロキシ保護体を本発明に適用した場合
は、レリーフ像を形成した後に、加熱または化学的にオ
キサゾール化しポリベンズオキザゾールに変換すること
によって、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得る
ことができるため、LSIの保護膜，配線基板の絶縁膜等
として優れた性能を発揮する。
【００２３】本発明において、前記化７で表される水酸
基保護フェノール重合体のアルコキシカルボニロキシ化
された水酸基の分解の反応機構は、カルボニロキシル基
のβ位の炭素上の水素が塩基により引き抜かれてカルボ
アニオンが発生するというものである。従って、構造式
中、Ｒ９で表される基は該カルボアニオンを安定化する
電子吸引基又は芳香族基が望ましい。Ｒ１０〜１２で表
される基はレリーフパタン形成時の膜べりの点から、炭
素数１２以下の有機基であることが望ましい。更に望ま
しくは炭素数１〜３の有機基がよい。また、本発明で用
いる保護基は前記の構造に拘らず、塩基存在下分解し、
カルボキシル基，水酸基を生成するものであれば用いこ
とができる。水酸基の具体的な保護基としては、２−シ
アノ−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、２，２
−ジシアノ−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、
９−フルオレニルメトキシカルボニロキシル基、２−メ
チルスルフォニルエトキシカルボニロキシル基、２−ア
セチル−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、２−
ベンゾイル−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、
２−シアノ−２−エトキシカルボニル−２−メチルエト
キシカルボニロキシル基などが挙げられる。本発明で用
いるポリベンズオキザゾール前駆体のアルコキシカルボ
ニロキシ保護体はジカルボン酸またはジカルボン酸クロ
リドとジアミノジアルコキシカルボニロキシ化合物の反
応によって、または、ポリベンズオキザゾール前駆体と
クロロギ酸エステルまたはｐ−ニトロフェノキシギ酸エ
ステルの反応によって得られる。
基保護フェノール重合体のアルコキシカルボニロキシ化
された水酸基の分解の反応機構は、カルボニロキシル基
のβ位の炭素上の水素が塩基により引き抜かれてカルボ
アニオンが発生するというものである。従って、構造式
中、Ｒ９で表される基は該カルボアニオンを安定化する
電子吸引基又は芳香族基が望ましい。Ｒ１０〜１２で表
される基はレリーフパタン形成時の膜べりの点から、炭
素数１２以下の有機基であることが望ましい。更に望ま
しくは炭素数１〜３の有機基がよい。また、本発明で用
いる保護基は前記の構造に拘らず、塩基存在下分解し、
カルボキシル基，水酸基を生成するものであれば用いこ
とができる。水酸基の具体的な保護基としては、２−シ
アノ−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、２，２
−ジシアノ−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、
９−フルオレニルメトキシカルボニロキシル基、２−メ
チルスルフォニルエトキシカルボニロキシル基、２−ア
セチル−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、２−
ベンゾイル−１−メチルエトキシカルボニロキシル基、
２−シアノ−２−エトキシカルボニル−２−メチルエト
キシカルボニロキシル基などが挙げられる。本発明で用
いるポリベンズオキザゾール前駆体のアルコキシカルボ
ニロキシ保護体はジカルボン酸またはジカルボン酸クロ
リドとジアミノジアルコキシカルボニロキシ化合物の反
応によって、または、ポリベンズオキザゾール前駆体と
クロロギ酸エステルまたはｐ−ニトロフェノキシギ酸エ
ステルの反応によって得られる。
【００２４】本発明で用いる光塩基発生剤は、トシルア
ミンやカルバメ−トなどの化合物が挙げられる。具体的
化合物としては、シクロヘキシルパラトルエンスルホニ
ルアミン、Ｎ−［１−（３，５−ジメトキシフェニル）
−１−メチルエトキシカルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−［（２，６−ジニトロフェニル）メトキシカル
ボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［１−（２，６−
ジニトロフェニル）エトキシカルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［ビス（２，６−ジニトロフェニル）メ
トキシカルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［ビス
（２−ニトロフェニル）メトキシカルボニル］オクタデ
シルアミン、Ｎ−［（２−ニトロフェニル）メトキシカ
ルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−［１−（２−ニト
ロフェニル）エトキシカルボニル］オクタデシルアミ
ン、Ｎ−［（２−ニトロフェニル）メトキシカルボニ
ル］ピペリジン、Ｎ，Ｎ′−ビス［（２−ニトロフェニ
ル）メトキシカルボニル］−１，６−ジアミノヘキサ
ン、Ｎ−［１−（４，５ージメチル−２−ニトロフェニ
ル）エトキシカルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−
［１−（４−メチル−２−ニトロフェニル）エトキシカ
ルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−［１−（６−メチ
ル−２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オクタ
デシルアミンなどが挙げられる。これらの合成法と構造
については、文献（J.Am.Chem.Soc.１９９１，１１３，
４３０３−４３１３，Fahey,J.T. and Frechet,J.M.J.
（１９９１）Proc.SPIE,１４６６，６７, Frechet,J.M.
J.,Stanciulescu,M.,Lizawa,T.,and Willson,C.G.,（１
９８９）Proc.ACS Div.Polym.Mater.Sci.Eng.,６０，１
７０. Graziano,K.A.,Thompson,S.D.,and Winkle,M.R.
(１９９０)Proc.SPIE,１４６６，７５．）に記載されて
おり、この分野の研究者であれば必要とする光塩基発生
剤を容易に合成可能である。これらの化合物はいずれも
光照射により分解し塩基を発生する。これらのうち、前
記化９で表される光塩基発生剤は、本発明中で用いた場
合、発生効率が高くすぐれた特性を得る。更に望ましく
は炭素数５−１０の有機基がよい。また、本発明で用い
る光塩基発生剤は前記の構造に拘らず、電磁波の照射に
よって水溶性の脂肪族アミンを発生するものであれば用
いることができる。光塩基発生剤の添加量は、現像液へ
の溶解性，レリーフパターンの膜べりを考慮した場合、
前記カルボン酸重合体のカルボキシル基、または、水酸
基保護フェノール重合体のアルコキシカルボニロキシル
基に対して０.０１〜０.５モル当量が望ましい。更に望
ましくは０.０５〜０.２モル当量がよい。
ミンやカルバメ−トなどの化合物が挙げられる。具体的
化合物としては、シクロヘキシルパラトルエンスルホニ
ルアミン、Ｎ−［１−（３，５−ジメトキシフェニル）
−１−メチルエトキシカルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−［（２，６−ジニトロフェニル）メトキシカル
ボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［１−（２，６−
ジニトロフェニル）エトキシカルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［ビス（２，６−ジニトロフェニル）メ
トキシカルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［ビス
（２−ニトロフェニル）メトキシカルボニル］オクタデ
シルアミン、Ｎ−［（２−ニトロフェニル）メトキシカ
ルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−［１−（２−ニト
ロフェニル）エトキシカルボニル］オクタデシルアミ
ン、Ｎ−［（２−ニトロフェニル）メトキシカルボニ
ル］ピペリジン、Ｎ，Ｎ′−ビス［（２−ニトロフェニ
ル）メトキシカルボニル］−１，６−ジアミノヘキサ
ン、Ｎ−［１−（４，５ージメチル−２−ニトロフェニ
ル）エトキシカルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−
［１−（４−メチル−２−ニトロフェニル）エトキシカ
ルボニル］オクタデシルアミン、Ｎ−［１−（６−メチ
ル−２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オクタ
デシルアミンなどが挙げられる。これらの合成法と構造
については、文献（J.Am.Chem.Soc.１９９１，１１３，
４３０３−４３１３，Fahey,J.T. and Frechet,J.M.J.
（１９９１）Proc.SPIE,１４６６，６７, Frechet,J.M.
J.,Stanciulescu,M.,Lizawa,T.,and Willson,C.G.,（１
９８９）Proc.ACS Div.Polym.Mater.Sci.Eng.,６０，１
７０. Graziano,K.A.,Thompson,S.D.,and Winkle,M.R.
(１９９０)Proc.SPIE,１４６６，７５．）に記載されて
おり、この分野の研究者であれば必要とする光塩基発生
剤を容易に合成可能である。これらの化合物はいずれも
光照射により分解し塩基を発生する。これらのうち、前
記化９で表される光塩基発生剤は、本発明中で用いた場
合、発生効率が高くすぐれた特性を得る。更に望ましく
は炭素数５−１０の有機基がよい。また、本発明で用い
る光塩基発生剤は前記の構造に拘らず、電磁波の照射に
よって水溶性の脂肪族アミンを発生するものであれば用
いることができる。光塩基発生剤の添加量は、現像液へ
の溶解性，レリーフパターンの膜べりを考慮した場合、
前記カルボン酸重合体のカルボキシル基、または、水酸
基保護フェノール重合体のアルコキシカルボニロキシル
基に対して０.０１〜０.５モル当量が望ましい。更に望
ましくは０.０５〜０.２モル当量がよい。
【００２５】本発明は、前記方法によって合成されたカ
ルボン酸エステル重合体、または、水酸基保護フェノー
ル重合体と光塩基発生剤を混合することによって容易に
達成される。本発明において三重項増感剤との併用，各
種アミン化合物からなる密着向上剤，界面活性剤等との
併用が可能であることは言うまでもない。
ルボン酸エステル重合体、または、水酸基保護フェノー
ル重合体と光塩基発生剤を混合することによって容易に
達成される。本発明において三重項増感剤との併用，各
種アミン化合物からなる密着向上剤，界面活性剤等との
併用が可能であることは言うまでもない。
【００２６】電磁波の照射により発生した塩基は、高分
子中の保護基の分解反応の触媒として作用し、高分子の
溶解性を変化させる。すなわち極性の高い水酸基とカル
ボキシル基が生成するため水系溶媒に対する溶解性が向
上し、有機溶剤に対する溶解性が低下する。これによ
り、極性の高い水溶剤を現像液として用いた場合はポジ
像が得られ、有機溶剤を現像液として用いた場合はネガ
像を得ることが可能になる。カルボキシル基と発生した
塩基の結合は弱いためイミド化過程で容易に脱離し、強
靭で平坦性に優れたレリーフパターンを与えることが可
能となる。前記レリーフパターンは極性の高いカルボキ
シル基，水酸基の生成に基づくため、樹脂組成物中のカ
ルボキシル基，水酸基と塩基発生剤の量が重要となる。
これらの配合量について検討した結果、カルボキシル
基，水酸基を含む高分子が全樹脂成分に対して２０重量
％以上とした場合に良好なレリーフパターンが得られ、
大規模集積回路の製造，液晶配向膜パターン形成へ適用
出来ることが分かった。
子中の保護基の分解反応の触媒として作用し、高分子の
溶解性を変化させる。すなわち極性の高い水酸基とカル
ボキシル基が生成するため水系溶媒に対する溶解性が向
上し、有機溶剤に対する溶解性が低下する。これによ
り、極性の高い水溶剤を現像液として用いた場合はポジ
像が得られ、有機溶剤を現像液として用いた場合はネガ
像を得ることが可能になる。カルボキシル基と発生した
塩基の結合は弱いためイミド化過程で容易に脱離し、強
靭で平坦性に優れたレリーフパターンを与えることが可
能となる。前記レリーフパターンは極性の高いカルボキ
シル基，水酸基の生成に基づくため、樹脂組成物中のカ
ルボキシル基，水酸基と塩基発生剤の量が重要となる。
これらの配合量について検討した結果、カルボキシル
基，水酸基を含む高分子が全樹脂成分に対して２０重量
％以上とした場合に良好なレリーフパターンが得られ、
大規模集積回路の製造，液晶配向膜パターン形成へ適用
出来ることが分かった。
【００２７】カルボン酸エステル重合体，水酸基保護フ
ェノール重合体は極性が小さく水系溶媒には不溶であ
る。電磁波の照射によって発生した少量の塩基により、
カンボキシル基，水酸基の保護基を触媒的に分解し、極
性の高いカルボニル基，水酸基が生成するため、露光部
のみ水系溶媒に対する溶解性が向上する。
ェノール重合体は極性が小さく水系溶媒には不溶であ
る。電磁波の照射によって発生した少量の塩基により、
カンボキシル基，水酸基の保護基を触媒的に分解し、極
性の高いカルボニル基，水酸基が生成するため、露光部
のみ水系溶媒に対する溶解性が向上する。
【００２８】
（実施例１）ピロメリット酸二無水物４.３６ｇ（２０
ｍmol）、トリエチルアミン６ｍｌ（４３ｍmol）、４−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン０.４９ｇ（４ｍm
ol)のテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)溶液１０ｍｌに、室
温で１，１−ジメチル−２−シアノエタノール５.２ｍ
ｌ(５０ｍmol)を滴下し、３時間攪拌後、ＴＨＦ１００
ｍｌ加え、濾過により結晶を得る。ＴＨＦ１００ｍｌを
加え、１Ｎ−ＨＣｌ(３０ｍｌ×３）とbrine３０ｍｌ×
４で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去す
る。ヘキサン溶液からの再結晶により、対応するｐ−ピ
ロメリット酸ジアルキルエステル（ｐＰＭＤＥ）を２.
５５ｇ（３１％）を得た。
ｍmol）、トリエチルアミン６ｍｌ（４３ｍmol）、４−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン０.４９ｇ（４ｍm
ol)のテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)溶液１０ｍｌに、室
温で１，１−ジメチル−２−シアノエタノール５.２ｍ
ｌ(５０ｍmol)を滴下し、３時間攪拌後、ＴＨＦ１００
ｍｌ加え、濾過により結晶を得る。ＴＨＦ１００ｍｌを
加え、１Ｎ−ＨＣｌ(３０ｍｌ×３）とbrine３０ｍｌ×
４で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去す
る。ヘキサン溶液からの再結晶により、対応するｐ−ピ
ロメリット酸ジアルキルエステル（ｐＰＭＤＥ）を２.
５５ｇ（３１％）を得た。
【００２９】得られたｐＰＭＤＥ８.３３ｇ（２０ｍmo
l）とジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）４.００ｇ
（２０ｍmol）をＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド（ＤＣＣ）８.２５ｇ（４０ｍmol）存在下、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド中で４時間撹拌した。濾過後、
濾液をエタノール３ｌに滴下することによりポリアミド
酸エステル固体を得た。固形分含量１２重量％のポリア
ミド酸エステルのＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のＮ−
［１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オ
クタデシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
l）とジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）４.００ｇ
（２０ｍmol）をＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド（ＤＣＣ）８.２５ｇ（４０ｍmol）存在下、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド中で４時間撹拌した。濾過後、
濾液をエタノール３ｌに滴下することによりポリアミド
酸エステル固体を得た。固形分含量１２重量％のポリア
ミド酸エステルのＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のＮ−
［１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オ
クタデシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
【００３０】（実施例２）実施例１の方法で、１，１−
ジメチル−２−シアノエタノールの変わりに９−フルオ
レニルメタノールを用いることにより、対応するポリア
ミド酸エステル固体を得た。固形分含量１２重量％のポ
リアミド酸エステルのＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のＮ−
［１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オ
クタデシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
ジメチル−２−シアノエタノールの変わりに９−フルオ
レニルメタノールを用いることにより、対応するポリア
ミド酸エステル固体を得た。固形分含量１２重量％のポ
リアミド酸エステルのＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のＮ−
［１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル］オ
クタデシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
【００３１】（実施例３）ポリヒドロキシスチレン（Ｐ
ＨＳ）(Ｍｗ＝３０,０００)１２ｇ(１００ｍmol)とトリ
エチルアミン１４ｍｌ(１１０ｍmol）のＴＨＦ溶液１０
ｍｌに、室温で、クロロギ酸９−フルオレニルメチル２
５.９ｇ（１００ｍmol）のＴＨＦ溶液（１００ｍｌ）を
滴下し、１０分間攪拌後、ＴＨＦ５００ｍｌ加え、濾過
によりトリエチルアミン塩酸塩を除去し濾液をメタノー
ル５ｌに滴下することによりポリ（９−フルオレニルメ
トキシカルボニロキシスチレン）(FmocPST）固体21.5ｇ
（６３％）を得た。固形分含量２０重量％のFmocPST の
ジグリム溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のビ
ス（１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）
ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００mJ照射した。１００℃で３分間加熱した後、Ｎ
ＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとんど
侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
ＨＳ）(Ｍｗ＝３０,０００)１２ｇ(１００ｍmol)とトリ
エチルアミン１４ｍｌ(１１０ｍmol）のＴＨＦ溶液１０
ｍｌに、室温で、クロロギ酸９−フルオレニルメチル２
５.９ｇ（１００ｍmol）のＴＨＦ溶液（１００ｍｌ）を
滴下し、１０分間攪拌後、ＴＨＦ５００ｍｌ加え、濾過
によりトリエチルアミン塩酸塩を除去し濾液をメタノー
ル５ｌに滴下することによりポリ（９−フルオレニルメ
トキシカルボニロキシスチレン）(FmocPST）固体21.5ｇ
（６３％）を得た。固形分含量２０重量％のFmocPST の
ジグリム溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のビ
ス（１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）
ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００mJ照射した。１００℃で３分間加熱した後、Ｎ
ＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとんど
侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
【００３２】（実施例４）実施例３の方法で、クロロギ
酸９−フルオレニルメチル の変わりに１，１−ジメチ
ル−２−シアノエチルギ酸−４−ニトロフェニルを用い
ることにより、ポリ（１，１−ジメチル−２−シアノエ
トキシカルボニロキシスチレン）(CocPST)固体２１.５
ｇ(６３％）を得た。固形分含量２０重量％のCocPSTの
ジグリム溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のビ
ス（１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）
ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
酸９−フルオレニルメチル の変わりに１，１−ジメチ
ル−２−シアノエチルギ酸−４−ニトロフェニルを用い
ることにより、ポリ（１，１−ジメチル−２−シアノエ
トキシカルボニロキシスチレン）(CocPST)固体２１.５
ｇ(６３％）を得た。固形分含量２０重量％のCocPSTの
ジグリム溶液を調製し、ＤＤＥに対して０.１ 当量のビ
ス（１−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）
ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この
感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板
上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３
６５ｎｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介し
て５００ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、
ＮＭＤ３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとん
ど侵触することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパ
ターンを得ることができた。
【００３３】（実施例５）３，３′−ジヒドロキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）と当量のイソ
フタルサンクロリド（ＩＰＣ）をＤＭＡｃ中で４時間撹
拌し、濾過後、濾液をメタノール３ｌに滴下することに
より対応するポリベンズオキサゾール前駆体を得た。
４，４′−ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）と当量のイソ
フタルサンクロリド（ＩＰＣ）をＤＭＡｃ中で４時間撹
拌し、濾過後、濾液をメタノール３ｌに滴下することに
より対応するポリベンズオキサゾール前駆体を得た。
【００３４】実施例３の方法で、ＰＨＳの変わりにポリ
ベンズオキサゾール前駆体を用いることにより、ポリ
（９−フルオレニルメトキシカルボニロキベンズオキサ
ゾール前駆体）(FmocPBO）固体 を得た。固形分含量１
０重量％のFmocPBOのＮＭＰ溶液を調製し、ＨＡＢに対
して０.１ 当量のビス（１−（２−ニトロフェニル）エ
トキシカルボニル）ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂
組成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法
によってガラス基板上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧
水銀灯からの光を３６５ｎｍバンドパスフィルタを用い
遮光性マスクを介して５００ｍＪ照射した。１００℃で
３分間加熱した後、ＮＭＤ３中で３０秒現像したとこ
ろ、未露後部をほとんど侵触することなくレリーフパタ
ーンを得ることができた。更に３００℃で１時間熱処理
し、強靱なレリーフパターンを得ることができた。
ベンズオキサゾール前駆体を用いることにより、ポリ
（９−フルオレニルメトキシカルボニロキベンズオキサ
ゾール前駆体）(FmocPBO）固体 を得た。固形分含量１
０重量％のFmocPBOのＮＭＰ溶液を調製し、ＨＡＢに対
して０.１ 当量のビス（１−（２−ニトロフェニル）エ
トキシカルボニル）ヘキサンジアミンを加え感光性樹脂
組成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法
によってガラス基板上に塗布し、８０℃で乾燥し、高圧
水銀灯からの光を３６５ｎｍバンドパスフィルタを用い
遮光性マスクを介して５００ｍＪ照射した。１００℃で
３分間加熱した後、ＮＭＤ３中で３０秒現像したとこ
ろ、未露後部をほとんど侵触することなくレリーフパタ
ーンを得ることができた。更に３００℃で１時間熱処理
し、強靱なレリーフパターンを得ることができた。
【００３５】（実施例６）実施例５の方法で、クロロギ
酸９−フルオレニルメチルの変わりに１，１−ジメチル
−２−シアノエチルギ酸−４−ニトロフェニルを用いる
ことにより、ポリ（１，１−ジメチル−２−シアノエト
キシカルボニロキシベンズオキサゾール前駆体）（CocP
BO）固体を得た。固形分含量１０重量％のCocPBOのＮＭ
Ｐ溶液を調製し、ＨＡＢに対して０.１ 当量のビス（１
−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）ヘキサ
ンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この感光性
樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板上に塗
布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３６５ｎ
ｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介して５０
０ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、ＮＭＤ
３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとんど侵触
することなくレリーフパターンを得ることができた。更
に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパターン
を得ることができた。
酸９−フルオレニルメチルの変わりに１，１−ジメチル
−２−シアノエチルギ酸−４−ニトロフェニルを用いる
ことにより、ポリ（１，１−ジメチル−２−シアノエト
キシカルボニロキシベンズオキサゾール前駆体）（CocP
BO）固体を得た。固形分含量１０重量％のCocPBOのＮＭ
Ｐ溶液を調製し、ＨＡＢに対して０.１ 当量のビス（１
−（２−ニトロフェニル）エトキシカルボニル）ヘキサ
ンジアミンを加え感光性樹脂組成物を得た。この感光性
樹脂組成物をスピンコート法によってガラス基板上に塗
布し、８０℃で乾燥し、高圧水銀灯からの光を３６５ｎ
ｍバンドパスフィルタを用い遮光性マスクを介して５０
０ｍＪ照射した。１００℃で３分間加熱した後、ＮＭＤ
３中で３０秒現像したところ、未露後部をほとんど侵触
することなくレリーフパターンを得ることができた。更
に３００℃で１時間熱処理し、強靱なレリーフパターン
を得ることができた。
【００３６】（実施例７）本発明の感光性樹脂組成物を
用いたバッファーコート膜の製造工程を図１に示す。Ｌ
ＳＩの配線形成が終了したシリコンウエハ上に実施例１
の感光性樹脂組成物を塗布した。次いで、露光，現像に
よりボンディングワイヤ接続用のホールを有するバファ
ーコート膜を形成した。現像工程で有機溶剤を用いない
ために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が大幅に軽減され
た。
用いたバッファーコート膜の製造工程を図１に示す。Ｌ
ＳＩの配線形成が終了したシリコンウエハ上に実施例１
の感光性樹脂組成物を塗布した。次いで、露光，現像に
よりボンディングワイヤ接続用のホールを有するバファ
ーコート膜を形成した。現像工程で有機溶剤を用いない
ために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が大幅に軽減され
た。
【００３７】（実施例８）現像液をＮＭＰに替えて、実
施例７と同様にしてバファーコート膜を形成した。この
際マスクは実施例７の場合用いたものとネガ，ポジ反転
されたものを用いた。
施例７と同様にしてバファーコート膜を形成した。この
際マスクは実施例７の場合用いたものとネガ，ポジ反転
されたものを用いた。
【００３８】（実施例９）本発明の感光性樹脂組成物を
用いた銅／ポリイミド配線を有するＬＳＩの製造工程を
図２に示す。図２（ａ）に示すようにシリコンウエハ５
上に実施例１で用いた感光性樹脂組成物をスピンコート
する。同図（ｂ）に示すように露光，現像により配線パ
ターンを形成し、熱イミド化により膜厚約０.７μｍ の
ポリイミド７を得る。次いで、同図（ｃ）ではスパッタ
でタンタル／銅層８（ポリイミド７の保護膜）を８００
Å形成後、その上に約１μｍの銅９を形成した。同図
（ｄ）ではＣＭＰ（Chemical−mechanical polish)で銅
９を平坦に研磨し配線層を得た。同図（ａ）−（ｄ）を
繰り返すことにより、同図（ｆ）の銅／ポリイミド配線
を有するＬＳＩを作成した。現像工程で有機溶剤を用い
ないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が大幅に軽減
された。
用いた銅／ポリイミド配線を有するＬＳＩの製造工程を
図２に示す。図２（ａ）に示すようにシリコンウエハ５
上に実施例１で用いた感光性樹脂組成物をスピンコート
する。同図（ｂ）に示すように露光，現像により配線パ
ターンを形成し、熱イミド化により膜厚約０.７μｍ の
ポリイミド７を得る。次いで、同図（ｃ）ではスパッタ
でタンタル／銅層８（ポリイミド７の保護膜）を８００
Å形成後、その上に約１μｍの銅９を形成した。同図
（ｄ）ではＣＭＰ（Chemical−mechanical polish)で銅
９を平坦に研磨し配線層を得た。同図（ａ）−（ｄ）を
繰り返すことにより、同図（ｆ）の銅／ポリイミド配線
を有するＬＳＩを作成した。現像工程で有機溶剤を用い
ないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が大幅に軽減
された。
【００３９】（実施例１０）現像液をＮＭＰに替えて、
実施例９と同様にして銅／ポリイミド配線を有するＬＳ
Ｉを作成した。この際マスクは実施例９の場合用いたも
のとネガ，ポジ反転されたものを用いた。
実施例９と同様にして銅／ポリイミド配線を有するＬＳ
Ｉを作成した。この際マスクは実施例９の場合用いたも
のとネガ，ポジ反転されたものを用いた。
【００４０】（実施例１１）本発明の感光性樹脂組成物
を用いた多層Ａｌ配線構造を有するＬＳＩの製造工程を
図３に示す。図３（ａ）に示すような、表面にＳｉＯ2
膜を有するシリコンウエハにＡｌ被膜を形成し、これを
公知のエッチングで不要部分のＡｌ被膜を除去して所望
の配線パターンを有する第１のＡｌ配線１２を設ける。
配線１２はＳｉＯ2 膜１１の所定の箇所に設けたスルー
ホールを介して半導体素子と電気的に接続される。次
に、図３（ｂ）に示すように、実施例１で用いた感光性
樹脂組成物をスピンコートする。同図（ｃ）に示すよう
に露光，現像により配線パターンを形成し、熱イミド化
により膜厚約０.５μｍ のポリイミド１４を得る。同図
（ｄ）に示すように、ポリイミド１４に同様にしてＡｌ
被膜からなる第２の配線１２′を形成し、第１のＡｌ配
線１２と電気的に接続することによって回路を形成す
る。同図（ａ）−（ｄ）を繰り返すことにより、多層Ａ
ｌ配線構造を有するＬＳＩを作成した。現像工程で有機
溶剤を用いないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が
大幅に軽減された。
を用いた多層Ａｌ配線構造を有するＬＳＩの製造工程を
図３に示す。図３（ａ）に示すような、表面にＳｉＯ2
膜を有するシリコンウエハにＡｌ被膜を形成し、これを
公知のエッチングで不要部分のＡｌ被膜を除去して所望
の配線パターンを有する第１のＡｌ配線１２を設ける。
配線１２はＳｉＯ2 膜１１の所定の箇所に設けたスルー
ホールを介して半導体素子と電気的に接続される。次
に、図３（ｂ）に示すように、実施例１で用いた感光性
樹脂組成物をスピンコートする。同図（ｃ）に示すよう
に露光，現像により配線パターンを形成し、熱イミド化
により膜厚約０.５μｍ のポリイミド１４を得る。同図
（ｄ）に示すように、ポリイミド１４に同様にしてＡｌ
被膜からなる第２の配線１２′を形成し、第１のＡｌ配
線１２と電気的に接続することによって回路を形成す
る。同図（ａ）−（ｄ）を繰り返すことにより、多層Ａ
ｌ配線構造を有するＬＳＩを作成した。現像工程で有機
溶剤を用いないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負担が
大幅に軽減された。
【００４１】（実施例１２）本発明の感光性樹脂組成物
を用いたＳＴＮ液晶表示素子の製造工程を図４に示す。
実施例１で用いた感光性樹脂組成物を透明電極付ガラス
板上にスピンコートする。幅０.２５μｍ のラインとス
ペースが交互に設けられ、該ラインとスペースが、５μ
ｍの繰り返し長で、０〜１００％の透過率を有するマス
クも用いて露光し、次いで、現像することにより、幅
０.２５μｍ のラインとスペースとそれに直行する方向
に沿って５μｍのピッチで凸凹形状を有し、凸凹の断面
形状を左右非対称とした配線パターンを形成する。熱イ
ミド化により膜厚約０.２μｍ のポリイミド１８を得
る。この２枚を１０μｍのスペーサを介してエポキシ樹
脂の有機シールを施し、素子を作成した。これらの素子
に液晶組成物（ＺＬＩ−2293：メルク社製）を注入した
後、注入口をエポキシ樹脂で封止して液晶素子を作成し
た。このセルをクロスニコル中で回転したところ明瞭な
明暗が見とられ、幅０.２５μｍ のラインとスペース方
向に良好に配向していることが確認された。現像工程で
有機溶剤を用いないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負
担が大幅に軽減された。
を用いたＳＴＮ液晶表示素子の製造工程を図４に示す。
実施例１で用いた感光性樹脂組成物を透明電極付ガラス
板上にスピンコートする。幅０.２５μｍ のラインとス
ペースが交互に設けられ、該ラインとスペースが、５μ
ｍの繰り返し長で、０〜１００％の透過率を有するマス
クも用いて露光し、次いで、現像することにより、幅
０.２５μｍ のラインとスペースとそれに直行する方向
に沿って５μｍのピッチで凸凹形状を有し、凸凹の断面
形状を左右非対称とした配線パターンを形成する。熱イ
ミド化により膜厚約０.２μｍ のポリイミド１８を得
る。この２枚を１０μｍのスペーサを介してエポキシ樹
脂の有機シールを施し、素子を作成した。これらの素子
に液晶組成物（ＺＬＩ−2293：メルク社製）を注入した
後、注入口をエポキシ樹脂で封止して液晶素子を作成し
た。このセルをクロスニコル中で回転したところ明瞭な
明暗が見とられ、幅０.２５μｍ のラインとスペース方
向に良好に配向していることが確認された。現像工程で
有機溶剤を用いないために、廃棄設備，廃溶剤処理の負
担が大幅に軽減された。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、水系溶剤で現像可能なポジ型
感光性樹脂組成物を用いた電子装置の製造方法に関する
ものであり、環境汚染，作業環境に問題なく、高感度で
高膜厚なレリーフパターンを有するフィルムが得られそ
の工業的価値は大きい。
感光性樹脂組成物を用いた電子装置の製造方法に関する
ものであり、環境汚染，作業環境に問題なく、高感度で
高膜厚なレリーフパターンを有するフィルムが得られそ
の工業的価値は大きい。
【図１】本発明の一実施例の製造工程の説明図。
【図２】本発明の第二実施例の製造工程の説明図。
【図３】本発明の第三実施例の製造工程の説明図。
【図４】本発明の第四実施例の製造工程の説明図。
１…ＬＳＩ配線層、２…ボンディングパッド、３…感光
性樹脂組成物、４…ポリイミド。
性樹脂組成物、４…ポリイミド。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 石田 美奈 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 平野 利則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (20)
- 【請求項１】大規模集積回路における回路形成手段が、
化１で表される分子量一万以上百万以下のカルボン酸エ
ステル重合体（式中、Ｒ１は炭素数２〜４０の有機基、
ｎは１０から二万の間の正の整数で、Ｒ２は炭素数１〜
２０の有機基，水素原子，ハロゲン原子のいずれか、Ｒ
３は炭素数１〜３０の有機基）を重量で全樹脂量に対し
て２０％以上と、電磁波の照射により塩基を発生する光
塩基発生剤を、前記カルボン酸エステル重合体のエステ
ル基に対して０.０１〜２.０モル当量含む感光性樹脂組
成物を、基板上に塗布し乾燥する工程、遮光性マスクを
介して電磁波照射する工程，現像する工程を含むことを
特徴とする大規模集積回路の製造方法。 【化１】 - 【請求項２】前記化１が、化２（式中、Ｒ４は炭素数４
〜２０の有機基、Ｒ５は炭素数１〜２０の有機基，水素
原子，ハロゲン原子のいずれかである。Ｒ６は炭素数２
〜２０の有機基）である請求項１に記載の大規模集積回
路の製造方法。 【化２】 - 【請求項３】前記化１が、化３（式中、Ｒ７，Ｒ８は炭
素数１〜１２の有機基，水素，ハロゲン原子のいずれか
である。また、Ｒ９は炭素数１〜２０の有機基，ハロゲ
ン原子のいずれか、Ｒ１０は炭素数１〜２０の有機基，
水素，ハロゲン原子のいずれか）である請求項１に記載
の大規模集積回路の製造方法。 【化３】 - 【請求項４】前記化１が、化４である請求項１に記載の
大規模集積回路の製造方法。 【化４】 - 【請求項５】大規模集積回路における回路形成手段が、
化５で表される分子量一万以上百万以下の水酸基保護フ
ェノール重合体（式中、Ｒ１１は炭素数２〜４０の有機
基、ｎは１０から二万の間の正の整数で、Ｒ１２は炭素
数１〜２０の有機基，水素原子，ハロゲン原子のいずれ
か、Ｒ１３は、炭素数１〜３０の有機基である）を重量
で全樹脂量に対して２０％以上と、電磁波の照射により
塩基を発生する光塩基発生剤を、前記カルボン酸エステ
ル重合体のエステル基に対して０.０１〜２.０モル当量
含む感光性樹脂組成物を、基板上に塗布し乾燥する工
程，遮光性マスクを介して電磁波照射する工程，現像す
る工程を含む大規模集積回路の製造方法。 【化５】 - 【請求項６】前記化５が、化６（式中、Ｒ１４は炭素数
４〜２０の有機基、Ｒ１５は炭素数１〜２０の有機基，
水素原子，ハロゲン原子のいずれかである。Ｒ１６は炭
素数２〜２０の有機基）である請求項５に記載の大規模
集積回路の製造方法。 【化６】 - 【請求項７】前記化５が、化７である請求項５に記載の
大規模集積回路の製造方法。 【化７】 - 【請求項８】前記化５が、化８である請求項５に記載の
大規模集積回路の製造方法。 【化８】 - 【請求項９】前記光塩基発生剤が、化９（式中、Ｒ１７
は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原子の
いずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、Ｒ１
８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ２０
は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基）で表される請
求項１〜８に記載の大規模集積回路の製造方法。 【化９】 - 【請求項１０】光塩基発生剤が、コバルト（III）アミ
ン塩，コバルト（III）アルキルアミン塩、α−ケトカ
ルボン酸アンモニウム塩，フェニルグリオキシ酸アンモ
ニウム塩、４−メチルフェニルスルホリオキシ酸アンモ
ニウム塩、４−メチルフェニルスルホンアミド、Ｎ−シ
クロヘキシル−４−メチルフェニルスルホンアミドの中
の少なくとも１種を用いている請求項１，２，３，４，
５，６，７または８に記載の大規模集積回路の製造方
法。 - 【請求項１１】化１０で表される分子量一万以上百万以
下のカルボン酸エステル重合体（式中、Ｒ１は炭素数２
〜４０の有機基、ｎは１０から二万の間の正の整数で、
Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基，水素原子，ハロゲン原
子のいずれか、Ｒ３は炭素数１〜３０の有機基）を重量
で全樹脂量に対して２０％以上と、電磁波の照射により
塩基を発生する光塩基発生剤を、前記カルボン酸エステ
ル重合体のエステル基に対して０.０１〜２.０モル当量
含むことを特徴とする感光性樹脂組成物を、基板上に塗
布し乾燥する工程，遮光性マスクを介して電磁波照射す
る工程，現像する工程を含むことを特徴とする液晶配向
膜パターンの形成方法。 【化１０】 - 【請求項１２】前記化１０が、化１１（式中、Ｒ４は炭
素数４〜２０の有機基、Ｒ５は炭素数１〜２０の有機
基，水素原子，ハロゲン原子のいずれかである。Ｒ６は
炭素数２〜２０の有機基）である請求項１１に記載の液
晶配向膜パターンの形成方法。 【化１１】 - 【請求項１３】前記化１０が、化１２（式中、Ｒ７，Ｒ
８は炭素数１〜１２の有機基，水素，ハロゲン原子のい
ずれかである。また、Ｒ９は炭素数１〜２０の有機基，
ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１０は炭素数１〜２０の有
機基，水素，ハロゲン原子のいずれか）である請求項１
１に記載の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１２】 - 【請求項１４】前記化１０が、化１３である請求項１１
に記載の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１３】 - 【請求項１５】前記化１０が、化１４（式中、Ｒ１１は
炭素数２〜４０の有機基、ｎは１０から二万の間の正の
整数で、Ｒ１２は炭素数１〜２０の有機基，水素原子，
ハロゲン原子のいずれか、Ｒ１３は、炭素数１〜３０の
有機基）である請求項１１に記載の液晶配向膜パターン
の形成方法。 【化１４】 - 【請求項１６】前記化１０が、化１５（式中、Ｒ１４は
炭素数４〜２０の有機基、Ｒ１５は炭素数１〜２０の有
機基，水素原子，ハロゲン原子のいずれかである。Ｒ１
６は炭素数２〜２０の有機基）である請求項１１に記載
の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１５】 - 【請求項１７】前記化１０が、化１６である請求項１１
に記載の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１６】 - 【請求項１８】前記化１０が、化１７である請求項１１
に記載の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１７】 - 【請求項１９】光塩基発生剤が、化１８（式中、Ｒ１７
は炭素数１〜１０の有機基，水素原子，ハロゲン原子の
いずれかである。ｐは０〜４の整数である。また、Ｒ１
８は水素又は炭素数１〜１０の有機基、Ｒ１９，Ｒ２０
は水素原子又は炭素数１〜１２の有機基である）で表さ
れる請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７
または１８に記載の液晶配向膜パターンの形成方法。 【化１８】 - 【請求項２０】前記光塩基発生剤が、コバルト（III）
アミン塩，コバルト（III）アルキルアミン塩、α−ケ
トカルボン酸アンモニウム塩，フェニルグリオキシ酸ア
ンモニウム塩、４−メチルフェニルスルホリオキシ酸ア
ンモニウム塩、４−メチルフェニルスルホンアミド、Ｎ
−シクロヘキシル−４−メチルフェニルスルホンアミド
の中の少なくとも１種を用いている請求項１１，１２，
１３，１４，１５，１６，１７または１８に記載の液晶
配向膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290838A JPH09134013A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290838A JPH09134013A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134013A true JPH09134013A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17761149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7290838A Pending JPH09134013A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134013A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037925A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
| JP2006058518A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相差板 |
| JP2006058517A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学補償偏光板 |
| JP2006071663A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
| JP2006084510A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相差板 |
| JP2006171259A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体、これを用いた光学補償板、光学補償偏光板、積層型光学補償板、液晶表示素子用基板および液晶表示素子、ならびに積層体の製造方法 |
| JP2016057605A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
-
1995
- 1995-11-09 JP JP7290838A patent/JPH09134013A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037925A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
| JP4600644B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2010-12-15 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
| JP2006058518A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相差板 |
| JP2006058517A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学補償偏光板 |
| JP2006071663A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
| JP4525255B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-08-18 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
| JP2006084510A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相差板 |
| JP2006171259A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体、これを用いた光学補償板、光学補償偏光板、積層型光学補償板、液晶表示素子用基板および液晶表示素子、ならびに積層体の製造方法 |
| JP2016057605A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | Jsr株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW569078B (en) | Photosensitive polymer composition, method for forming relief patterns, and electronic parts | |
| US6436593B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, process for producing pattern and electronic parts | |
| JPH08146608A (ja) | 感光性樹脂組成物とそれを用いた電子装置の製法 | |
| JP3011457B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2000034346A (ja) | ポリイミド、その製造法および感光性組成物 | |
| JP4687938B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JP3176795B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH09134013A (ja) | 大規模集積回路および液晶配向膜パターンの形成方法 | |
| JP5257450B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれらを用いた半導体装置、表示体装置 | |
| JP2003121998A (ja) | 感光性重合体組成物及びパターン製造法及び電子部品 | |
| JP3458669B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2000026603A (ja) | ポリイミド、その製造法および感光性組成物 | |
| US6541178B2 (en) | Ion-type photoacid generator containing naphthol and photosensitive polyimide composition prepared by using the same | |
| JP2000221677A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物およびポジ型感光性樹脂のパターン形成法 | |
| JP2000034347A (ja) | ポリイミド、その製造法および感光性組成物 | |
| KR101385183B1 (ko) | 포지티브형 감광성 폴리이미드 바니쉬 조성물, 포지티브형 폴리이미드 및 이를 포함하는 필름 | |
| JP2001312051A (ja) | 感光性重合体組成物及びパターンの製造方法並びに電子部品 | |
| JPH09134003A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JPH09134012A (ja) | 感光性樹脂組成物並びに該組成物を用いたパターン形成方法 | |
| JP3449931B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2001092138A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH09134014A (ja) | 感光性樹脂組成物、その組成物を用いたパターン形成方法 | |
| JPH07140663A (ja) | 感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法 | |
| JP2002341527A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4159838B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |