JPH09122941A - レーザー捺印装置 - Google Patents
レーザー捺印装置Info
- Publication number
- JPH09122941A JPH09122941A JP7277330A JP27733095A JPH09122941A JP H09122941 A JPH09122941 A JP H09122941A JP 7277330 A JP7277330 A JP 7277330A JP 27733095 A JP27733095 A JP 27733095A JP H09122941 A JPH09122941 A JP H09122941A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- depth
- digging depth
- marking
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- Pending
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- Lasers (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】常に最適な文字の掘り深さで捺印し、レーザー
捺印品質を向上させる。 【解決手段】レーザー捺印されたＩＣ３が、滑走レール
１上を自重滑走し、ＩＣストッパー６にて掘り深さ測定
ステージ５で停止、位置決めされる。掘り深さ測定部７
は、レーザー捺印された文字をとらえるカメラ８、焦点
を認識する認識装置９、深さを測定し記憶、伝達する制
御部１０から成る。測定結果は演算処理部１１に伝達さ
れ、あらかじめ設定された条件と照合される。条件範囲
外の場合はその値をもとに適当な出力値が演算され、そ
の情報がレーザー制御部１２に伝達される。その情報を
もとにレーザー制御部１２にて出力が制御される為、常
に最適な文字の掘り深さの得られるレーザー光が発振さ
れ、レーザー捺印が実施される。
捺印品質を向上させる。 【解決手段】レーザー捺印されたＩＣ３が、滑走レール
１上を自重滑走し、ＩＣストッパー６にて掘り深さ測定
ステージ５で停止、位置決めされる。掘り深さ測定部７
は、レーザー捺印された文字をとらえるカメラ８、焦点
を認識する認識装置９、深さを測定し記憶、伝達する制
御部１０から成る。測定結果は演算処理部１１に伝達さ
れ、あらかじめ設定された条件と照合される。条件範囲
外の場合はその値をもとに適当な出力値が演算され、そ
の情報がレーザー制御部１２に伝達される。その情報を
もとにレーザー制御部１２にて出力が制御される為、常
に最適な文字の掘り深さの得られるレーザー光が発振さ
れ、レーザー捺印が実施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
集積回路装置にレーザー光を走査して捺印するレーザー
捺印装置に関する。
集積回路装置にレーザー光を走査して捺印するレーザー
捺印装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザー捺印装置の構成と動作は
以下の様になっていた。図４は、従来技術を示すレーザ
ー捺印装置の構成図である。図４において、捺印体２０
への捺印は、レーザー発生部１６からのレーザービーム
をシャッタ１７の開閉を制御しながら、偏向ミラー１８
によりＸ，Ｙ方向に移動させ、収束レンズ１９を通して
捺印体２０に照射する事により行われる。ここで、レー
ザービーム照射中レーザーパワーセンサー２３とその指
示計２４により、熱センサ出力Ｆ３をコントローラー２
２に与え、これによってコントローラー２２はレーザー
ビームの強度が適切であるか否かをチェックするように
なっていた（特開昭５８−２１２８８５）。
以下の様になっていた。図４は、従来技術を示すレーザ
ー捺印装置の構成図である。図４において、捺印体２０
への捺印は、レーザー発生部１６からのレーザービーム
をシャッタ１７の開閉を制御しながら、偏向ミラー１８
によりＸ，Ｙ方向に移動させ、収束レンズ１９を通して
捺印体２０に照射する事により行われる。ここで、レー
ザービーム照射中レーザーパワーセンサー２３とその指
示計２４により、熱センサ出力Ｆ３をコントローラー２
２に与え、これによってコントローラー２２はレーザー
ビームの強度が適切であるか否かをチェックするように
なっていた（特開昭５８−２１２８８５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術における
第１の問題点は、あらゆる種類のモールド樹脂材料で封
止された半導体集積回路装置が混在していても発振，走
査されるレーザー光のパワーの値は所定の設定されたパ
ワー値で固定されている事である。その理由は、レーザ
ー捺印された文字の掘り深さを認識し、制御部にフィー
ドバックし、レーザー光の出力をコントロールする機能
が無かったからである。
第１の問題点は、あらゆる種類のモールド樹脂材料で封
止された半導体集積回路装置が混在していても発振，走
査されるレーザー光のパワーの値は所定の設定されたパ
ワー値で固定されている事である。その理由は、レーザ
ー捺印された文字の掘り深さを認識し、制御部にフィー
ドバックし、レーザー光の出力をコントロールする機能
が無かったからである。
【０００４】本発明の目的は、レーザー光により樹脂封
止型半導体集積回路に捺印された文字の深さのバラツキ
をなくし、常に安定した捺印文字視認性を得、またレー
ザー光による内部集積回路装置への影響を防ぎ、ＩＣの
信頼性を向上させることのできるレーザー捺印装置を提
供することである。
止型半導体集積回路に捺印された文字の深さのバラツキ
をなくし、常に安定した捺印文字視認性を得、またレー
ザー光による内部集積回路装置への影響を防ぎ、ＩＣの
信頼性を向上させることのできるレーザー捺印装置を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザー捺印装
置は、レーザー光で樹脂封止型半導体集積回路装置に捺
印された文字の深さを測定する機構と、測定された文字
深さを演算処理しレーザー光制御部に最適なレーザーパ
ワー値をフィードバックする機構とを有している。
置は、レーザー光で樹脂封止型半導体集積回路装置に捺
印された文字の深さを測定する機構と、測定された文字
深さを演算処理しレーザー光制御部に最適なレーザーパ
ワー値をフィードバックする機構とを有している。
【０００６】レーザー光で捺印された文字の深さを測定
する機構により、文字深さが測定される。その結果が演
算処理部に伝達され、演算処理部ではその値が安定した
視認性を得る為に適当な値か又内部集積回路の機能に影
響を与えてしまう様な値ではないか判断される。そして
その判断結果はレーザー光制御部にフィードバックさ
れ、必要に応じてレーザーパワーはコントロールされ
る。その結果、常に安定した高品質のレーザー捺印が実
施される。
する機構により、文字深さが測定される。その結果が演
算処理部に伝達され、演算処理部ではその値が安定した
視認性を得る為に適当な値か又内部集積回路の機能に影
響を与えてしまう様な値ではないか判断される。そして
その判断結果はレーザー光制御部にフィードバックさ
れ、必要に応じてレーザーパワーはコントロールされ
る。その結果、常に安定した高品質のレーザー捺印が実
施される。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示す全
体構成図である。被加工物であるＩＣ３は滑走レール１
により滑走し、まずストッパー６ａにより捺印ステージ
部４に停止・位置決めされ、レーザー光２により捺印せ
しめられる。そして所定の捺印が完了すると、ストッパ
ー６ａは下降して再びＩＣ３は滑走レール１上を滑走
し、ストッパー６ｂにより掘り深さ測定ステージ部５に
停止・位置決めされる。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示す全
体構成図である。被加工物であるＩＣ３は滑走レール１
により滑走し、まずストッパー６ａにより捺印ステージ
部４に停止・位置決めされ、レーザー光２により捺印せ
しめられる。そして所定の捺印が完了すると、ストッパ
ー６ａは下降して再びＩＣ３は滑走レール１上を滑走
し、ストッパー６ｂにより掘り深さ測定ステージ部５に
停止・位置決めされる。
【０００８】次に、掘り深さ測定ステージ部５におい
て、ＩＣ３の表面にレーザー捺印された文字の掘り深さ
を、カメラ８，焦点認識装置９，制御部１０で構成され
る掘り深さ測定部７によって測定し、演算処理部１１に
結果を伝達する。更に演算処理した結果をレーザー制御
部１２に伝達する事で、次に捺印するＩＣへの出力を調
整・制御し、その後レーザー光発振部１３にてレーザー
光２を発振させレーザー光走査部１４にてレーザー光２
が走査されて捺印が施される。
て、ＩＣ３の表面にレーザー捺印された文字の掘り深さ
を、カメラ８，焦点認識装置９，制御部１０で構成され
る掘り深さ測定部７によって測定し、演算処理部１１に
結果を伝達する。更に演算処理した結果をレーザー制御
部１２に伝達する事で、次に捺印するＩＣへの出力を調
整・制御し、その後レーザー光発振部１３にてレーザー
光２を発振させレーザー光走査部１４にてレーザー光２
が走査されて捺印が施される。
【０００９】次に、本発明の実施の形態のフィードバッ
ク制御について図２に示すフローチャートを用いて説明
する。まず、レーザー捺印された文字の深さの測定は、
ＩＣ表面上の捺印されていない部分と、捺印されて掘ら
れている文字の部分を、それぞれカメラでとらえ、焦点
を合わせ、その焦点進度の差を深さ測定値として認識、
記憶する事により行われる（１０１）。このようにして
測定された深さ測定値は、演算処理部に伝達され、演算
処理部であらかじめ設定された条件と照合される（１０
２）。条件範囲内の場合は前回と同様な出力がレーザー
発振部に与えられるが条件範囲外の場合は、その値をも
とに適当な出力値が演算され（１０３）、その情報がレ
ーザー制御部に伝達される。その情報をもとに、レーザ
ー制御部において出力が制御され（１０４）、レーザー
発振部でレーザー光発振（１０５）、レーザー光走査部
でレーザー光が走査（１０６）された後、ＩＣに捺印が
施される（１０７）。
ク制御について図２に示すフローチャートを用いて説明
する。まず、レーザー捺印された文字の深さの測定は、
ＩＣ表面上の捺印されていない部分と、捺印されて掘ら
れている文字の部分を、それぞれカメラでとらえ、焦点
を合わせ、その焦点進度の差を深さ測定値として認識、
記憶する事により行われる（１０１）。このようにして
測定された深さ測定値は、演算処理部に伝達され、演算
処理部であらかじめ設定された条件と照合される（１０
２）。条件範囲内の場合は前回と同様な出力がレーザー
発振部に与えられるが条件範囲外の場合は、その値をも
とに適当な出力値が演算され（１０３）、その情報がレ
ーザー制御部に伝達される。その情報をもとに、レーザ
ー制御部において出力が制御され（１０４）、レーザー
発振部でレーザー光発振（１０５）、レーザー光走査部
でレーザー光が走査（１０６）された後、ＩＣに捺印が
施される（１０７）。
【００１０】図３は本発明の第２の実施の形態を示す構
成図である。この実施の形態においては、掘り深さ測定
部７にレーザー変位センサー１５を用い、捺印された文
字の深さを変位センサー１５で直接測定する。これによ
り、第１の実施の形態において必要な焦点が合った事を
認識する装置は不要となり、掘り深さ測定部の構造が若
干簡素化出来る。その他の部分は第１の実施の形態と同
じである。
成図である。この実施の形態においては、掘り深さ測定
部７にレーザー変位センサー１５を用い、捺印された文
字の深さを変位センサー１５で直接測定する。これによ
り、第１の実施の形態において必要な焦点が合った事を
認識する装置は不要となり、掘り深さ測定部の構造が若
干簡素化出来る。その他の部分は第１の実施の形態と同
じである。
【００１１】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、被加工物である
樹脂封止型半導体集積回路装置の樹脂材料の種類が異な
っても、常に最適な文字の掘り深さのレーザー捺印済製
品が得られる事である。その理由は、実際にレーザー捺
印された製品の文字の深さをモニターしながら、レーザ
ーパワーが最適値にコントロールされるからである。
樹脂封止型半導体集積回路装置の樹脂材料の種類が異な
っても、常に最適な文字の掘り深さのレーザー捺印済製
品が得られる事である。その理由は、実際にレーザー捺
印された製品の文字の深さをモニターしながら、レーザ
ーパワーが最適値にコントロールされるからである。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すレーザー捺印
装置の全体構成図である。
装置の全体構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の動作を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示すレーザー捺印
装置の全体構成図である。
装置の全体構成図である。
【図４】従来技術を示すレーザー刻印装置のブロック図
である。
である。
【符号の説明】 １ 滑走レール ２ レーザー光 ３ ＩＣ ４ 捺印ステージ部 ５ 掘り深さ測定ステージ部 ６ ストッパー ７ 掘り深さ測定部 ８ カメラ ９ 焦点認識装置 １０ 制御部 １１ 演算処理部 １２ レーザー制御部 １３ レーザー光発振部 １４ レーザー光走査部 １５ レーザー変位センサー １６ レーザー発生部 １７ シャッタ １８ 偏光ミラー １９ 収束レンズ ２０ 捺印体 ２１ テーブル ２２ コントローラ ２３ レーザパワーセンサー ２４ 指示計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザー光を走査して樹脂封止型半導体
集積回路装置に所定の捺印を行うレーザー捺印装置にお
いて、樹脂封止型半導体集積回路装置に捺印された文字
の掘り深さを自動測定する機構を有し、その測定結果を
レーザー出力発振部にフィードバックし、レーザーパワ
ーを自動制御する事を特徴とするレーザー捺印装置。 - 【請求項２】 レーザー発振部からのレーザー光をレー
ザー光走査部で樹脂封止型半導体集積回路上に走査し所
定の捺印を行うレーザー捺印装置において、捺印された
文字の掘り深さを測る掘り深さ測定部と、この測定結果
とあらかじめ設置した条件とを照合し演算する演算処理
部と、演算された結果に基いてレーザー発振部を制御す
るレーザー制御部とを備えることを特徴とするレーザー
捺印装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7277330A JPH09122941A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | レーザー捺印装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7277330A JPH09122941A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | レーザー捺印装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09122941A true JPH09122941A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17582031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7277330A Pending JPH09122941A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | レーザー捺印装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09122941A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666371B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-12-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Sealing system for electronic device and sealing method therefor |
| WO2006109020A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Renishaw Plc | Method of scale manufacture with laser and sensor and feedback means for producing scale marking with desired depth |
| WO2015084934A3 (en) * | 2013-12-04 | 2015-09-24 | Microlution Inc. | System for drilling small holes; method of drilling a hole; article of manufacturing for perfoming drilling and a further method of drilling |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195885A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | レーザによる彫刻方法および彫刻装置 |
| JPH05329588A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Nippon Steel Corp | 鋳片鋳造用冷却ドラムのディンプル加工装置および方法 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP7277330A patent/JPH09122941A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195885A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | レーザによる彫刻方法および彫刻装置 |
| JPH05329588A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Nippon Steel Corp | 鋳片鋳造用冷却ドラムのディンプル加工装置および方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666371B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-12-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Sealing system for electronic device and sealing method therefor |
| WO2006109020A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Renishaw Plc | Method of scale manufacture with laser and sensor and feedback means for producing scale marking with desired depth |
| WO2015084934A3 (en) * | 2013-12-04 | 2015-09-24 | Microlution Inc. | System for drilling small holes; method of drilling a hole; article of manufacturing for perfoming drilling and a further method of drilling |
| JP2017511754A (ja) * | 2013-12-04 | 2017-04-27 | マイクロルーション・インコーポレイテッドＭｉｃｒｏｌｕｔｉｏｎ Ｉｎｃ． | 小さな孔を穿孔するシステム、孔を穿孔する方法、穿孔するための製品、およびさらなる穿孔の方法 |
| US9764426B2 (en) | 2013-12-04 | 2017-09-19 | Microlution Inc. | Multi-station laser machine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971021 |