JPH09120019A - 光結合部品およびその製造方法 - Google Patents
光結合部品およびその製造方法Info
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- JPH09120019A JPH09120019A JP7278853A JP27885395A JPH09120019A JP H09120019 A JPH09120019 A JP H09120019A JP 7278853 A JP7278853 A JP 7278853A JP 27885395 A JP27885395 A JP 27885395A JP H09120019 A JPH09120019 A JP H09120019A
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- Japan
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- electrode
- silicon substrate
- light receiving
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】 シリコン基板１表面に被着形成される電
極３に端面発光素子或は受光素子５下面に形成される端
子側電極５１をハンダ付け実装する光結合部品におい
て、シリコン基板１表面に形成される電極３はその面積
を端面発光素子或は受光素子５下面に形成される端子側
電極５１の面積より一回り小さく形成され、電極３のリ
ード端子３１が延伸形成される領域を除いて電極３周囲
全体をほぼ包囲する環状の環状凹溝４をシリコン基板１
表面に形成した光結合部品。 【効果】 光を送受する端面間に凝固ハンダが存在し、
これにより伝送される光が遮光されることはなくなる。
極３に端面発光素子或は受光素子５下面に形成される端
子側電極５１をハンダ付け実装する光結合部品におい
て、シリコン基板１表面に形成される電極３はその面積
を端面発光素子或は受光素子５下面に形成される端子側
電極５１の面積より一回り小さく形成され、電極３のリ
ード端子３１が延伸形成される領域を除いて電極３周囲
全体をほぼ包囲する環状の環状凹溝４をシリコン基板１
表面に形成した光結合部品。 【効果】 光を送受する端面間に凝固ハンダが存在し、
これにより伝送される光が遮光されることはなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光結合部品およ
びその製造方法に関し、特に、端面発光素子或は受光素
子をシリコン基板表面にハンダ付けしたハンダが端面発
光素子と受光素子の間に伝送される光を遮光することな
く端面発光素子或は受光素子をシリコン基板表面に実装
する光結合部品およびその製造方法に関する。
びその製造方法に関し、特に、端面発光素子或は受光素
子をシリコン基板表面にハンダ付けしたハンダが端面発
光素子と受光素子の間に伝送される光を遮光することな
く端面発光素子或は受光素子をシリコン基板表面に実装
する光結合部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図２を参照して説明する。図２
（ａ）は端面発光素子或は受光素子をシリコン基板表面
に実装したところを上から視た図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面を示す図である。
図２において、１はシリコン基板である。シリコン基板
１の表面には、異方性エッチングによりＶ溝２が刻設さ
れている。Ｖ溝２には光ファイバが嵌合固定される。３
はシリコン基板１の表面に被着形成される電極である。
３１は電極３から延伸して一体に被着形成されるリード
端子を示す。５はシリコン基板１表面に被着形成される
電極３にハンダ付けされる端面発光素子或は受光素子を
示す。５１は素子の端子側電極である。端面発光素子と
してはレーザダイオード或は発光ダイオードの如き素子
が使用される。受光素子としてはホトトランジスタの如
き光電変換素子が使用される。電極３に端面発光素子５
の端子側電極５１をハンダ付けして図２における端面発
光素子５の右端面から光を放射する場合、光ファイバ先
端に取り付けられた受光素子の受光面を端面発光素子５
の右端面に対向してＶ溝２に嵌合して取り付ける。この
様に、端面発光素子と受光素子の間に光結合を形成し、
両者間において光信号の送受信をすることができる。シ
リコン基板１表面に形成される電極３の面積と端子側電
極５１の面積は通常は等しく形成されており、基板表面
の電極３表面に予備ハンダを施しておく。６はハンダ付
け処理した後の凝固したハンダを示す。６１はシリコン
基板の電極３と端子側電極５１との間から流出して凝固
したハンダを示す。
（ａ）は端面発光素子或は受光素子をシリコン基板表面
に実装したところを上から視た図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面を示す図である。
図２において、１はシリコン基板である。シリコン基板
１の表面には、異方性エッチングによりＶ溝２が刻設さ
れている。Ｖ溝２には光ファイバが嵌合固定される。３
はシリコン基板１の表面に被着形成される電極である。
３１は電極３から延伸して一体に被着形成されるリード
端子を示す。５はシリコン基板１表面に被着形成される
電極３にハンダ付けされる端面発光素子或は受光素子を
示す。５１は素子の端子側電極である。端面発光素子と
してはレーザダイオード或は発光ダイオードの如き素子
が使用される。受光素子としてはホトトランジスタの如
き光電変換素子が使用される。電極３に端面発光素子５
の端子側電極５１をハンダ付けして図２における端面発
光素子５の右端面から光を放射する場合、光ファイバ先
端に取り付けられた受光素子の受光面を端面発光素子５
の右端面に対向してＶ溝２に嵌合して取り付ける。この
様に、端面発光素子と受光素子の間に光結合を形成し、
両者間において光信号の送受信をすることができる。シ
リコン基板１表面に形成される電極３の面積と端子側電
極５１の面積は通常は等しく形成されており、基板表面
の電極３表面に予備ハンダを施しておく。６はハンダ付
け処理した後の凝固したハンダを示す。６１はシリコン
基板の電極３と端子側電極５１との間から流出して凝固
したハンダを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上の通り、シリコン
基板１表面に被着形成される電極３に端面発光素子或は
受光素子５の端子側電極５１をダイボンダー装置を適用
してハンダ付け実装する場合、両者間を加熱加圧する結
果溶融したハンダが流出して６１により示されるが如く
凝固するに到る。端面発光素子５の発光端面である右端
面とこれに対向する受光素子の受光面の間にこの凝固ハ
ンダ６１が形成されると、対向する両端面間における光
の伝送は凝固ハンダ６１により遮光される分だけ阻害さ
れることとなる。
基板１表面に被着形成される電極３に端面発光素子或は
受光素子５の端子側電極５１をダイボンダー装置を適用
してハンダ付け実装する場合、両者間を加熱加圧する結
果溶融したハンダが流出して６１により示されるが如く
凝固するに到る。端面発光素子５の発光端面である右端
面とこれに対向する受光素子の受光面の間にこの凝固ハ
ンダ６１が形成されると、対向する両端面間における光
の伝送は凝固ハンダ６１により遮光される分だけ阻害さ
れることとなる。
【０００４】この発明は、上述の通りの問題を解消した
光結合部品およびその製造方法を提供するものである。
光結合部品およびその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】シリコン基板１表面に被
着形成される電極３に端面発光素子或は受光素子５下面
に形成される端子側電極５１をハンダ付け実装する光結
合部品において、シリコン基板１表面に形成される電極
３は、その面積を端面発光素子或は受光素子５下面に形
成される端子側電極５１の面積より一回り小さく形成さ
れ、電極３のリード端子３１が延伸形成される領域を除
いて電極３周囲全体をほぼ包囲する環状凹溝４をシリコ
ン基板１表面に形成した光結合部品を構成した。
着形成される電極３に端面発光素子或は受光素子５下面
に形成される端子側電極５１をハンダ付け実装する光結
合部品において、シリコン基板１表面に形成される電極
３は、その面積を端面発光素子或は受光素子５下面に形
成される端子側電極５１の面積より一回り小さく形成さ
れ、電極３のリード端子３１が延伸形成される領域を除
いて電極３周囲全体をほぼ包囲する環状凹溝４をシリコ
ン基板１表面に形成した光結合部品を構成した。
【０００６】そして、シリコン基板１表面に被着形成さ
れる電極３に端面発光素子或は受光素子５下面に形成さ
れる端子側電極５１をハンダ付け実装する光結合部品の
製造方法において、シリコン基板１表面に異方性エッチ
ングにより光ファイバを嵌合固定するＶ溝２を刻設する
と共に環状凹溝４を刻設し、環状凹溝４に包囲されるシ
リコン基板１表面に電極３を被着形成し、電極３の面積
より一回り大きく形成される端子側電極５１を下面に形
成される端面発光素子或は受光素子５を準備して、端子
側電極５１の周縁部が電極３周囲をオーバーハングした
状態に相互位置決めしてハンダ付け実装する光結合部品
の製造方法を構成した
れる電極３に端面発光素子或は受光素子５下面に形成さ
れる端子側電極５１をハンダ付け実装する光結合部品の
製造方法において、シリコン基板１表面に異方性エッチ
ングにより光ファイバを嵌合固定するＶ溝２を刻設する
と共に環状凹溝４を刻設し、環状凹溝４に包囲されるシ
リコン基板１表面に電極３を被着形成し、電極３の面積
より一回り大きく形成される端子側電極５１を下面に形
成される端面発光素子或は受光素子５を準備して、端子
側電極５１の周縁部が電極３周囲をオーバーハングした
状態に相互位置決めしてハンダ付け実装する光結合部品
の製造方法を構成した
【０００７】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１の実
施例を参照して説明する。図１（ａ）は端面発光素子或
は受光素子をシリコン基板表面に実装したところを上か
ら視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ａ−Ａ’
に沿った断面を示す図である。図１において、図２と共
通する部材には共通する参照符号を付与している。
施例を参照して説明する。図１（ａ）は端面発光素子或
は受光素子をシリコン基板表面に実装したところを上か
ら視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ａ−Ａ’
に沿った断面を示す図である。図１において、図２と共
通する部材には共通する参照符号を付与している。
【０００８】図１において、シリコン基板１の表面に
は、異方性エッチングによりＶ溝２が刻設されている。
Ｖ溝２には光ファイバが嵌合固定される。シリコン基板
１の表面に被着形成される電極３からリード端子３１が
延伸して一体に被着形成されている。４は異方性エッチ
ングにより刻設される環状凹溝である。この環状凹溝で
あるＶ溝４は、リード端子３１が延伸形成される領域を
除いて、電極３周囲をほぼ包囲する形状寸法に刻設形成
される。端面発光素子或は受光素子５は、その下面に形
成される端子側電極５１を介してシリコン基板１表面に
被着形成される電極３にハンダ付けされる。端面発光素
子としてはレーザダイオード或は発光ダイオードの如き
素子が使用される。受光素子としてはホトトランジスタ
の如き光電変換素子が使用される。
は、異方性エッチングによりＶ溝２が刻設されている。
Ｖ溝２には光ファイバが嵌合固定される。シリコン基板
１の表面に被着形成される電極３からリード端子３１が
延伸して一体に被着形成されている。４は異方性エッチ
ングにより刻設される環状凹溝である。この環状凹溝で
あるＶ溝４は、リード端子３１が延伸形成される領域を
除いて、電極３周囲をほぼ包囲する形状寸法に刻設形成
される。端面発光素子或は受光素子５は、その下面に形
成される端子側電極５１を介してシリコン基板１表面に
被着形成される電極３にハンダ付けされる。端面発光素
子としてはレーザダイオード或は発光ダイオードの如き
素子が使用される。受光素子としてはホトトランジスタ
の如き光電変換素子が使用される。
【０００９】電極３に端面発光素子５の端子側電極５１
をハンダ付けして図１における端面発光素子５の右端面
から光を放射する場合、光ファイバ先端に取り付けられ
た受光素子の受光面を端面発光素子５の右端面に対向し
てＶ溝２に嵌合して取り付ける。この様にして端面発光
素子と受光素子の間に光結合を形成し、両者間において
光信号の送受信をすることができる。基板表面の電極３
表面に予備ハンダを施しておく。ハンダ付け処理した後
の凝固したハンダ６の一部は、シリコン基板の電極３と
端子側電極５１との間から流出して凝固ハンダ６１とな
る。
をハンダ付けして図１における端面発光素子５の右端面
から光を放射する場合、光ファイバ先端に取り付けられ
た受光素子の受光面を端面発光素子５の右端面に対向し
てＶ溝２に嵌合して取り付ける。この様にして端面発光
素子と受光素子の間に光結合を形成し、両者間において
光信号の送受信をすることができる。基板表面の電極３
表面に予備ハンダを施しておく。ハンダ付け処理した後
の凝固したハンダ６の一部は、シリコン基板の電極３と
端子側電極５１との間から流出して凝固ハンダ６１とな
る。
【００１０】ここで、この実施例においては、シリコン
基板１表面に形成される電極３は、その面積を端面発光
素子或は受光素子５下面に形成される端子側電極５１の
面積より一回り小さく形成される。即ち、環状Ｖ溝４は
リード端子３１が延伸形成される領域を除いて電極３周
囲全体をほぼ包囲する環状に刻設形成し、この電極３の
面積をこれにハンダ付けされるべき素子５の端子側電極
５１の面積より一回り小さく小さく形成し、素子５の端
子側電極５１の周縁部が電極３周囲をオーバーハングし
た状態に相互位置決めする。この状態においてダイボン
ダー装置を適用してハンダ付け実装する。
基板１表面に形成される電極３は、その面積を端面発光
素子或は受光素子５下面に形成される端子側電極５１の
面積より一回り小さく形成される。即ち、環状Ｖ溝４は
リード端子３１が延伸形成される領域を除いて電極３周
囲全体をほぼ包囲する環状に刻設形成し、この電極３の
面積をこれにハンダ付けされるべき素子５の端子側電極
５１の面積より一回り小さく小さく形成し、素子５の端
子側電極５１の周縁部が電極３周囲をオーバーハングし
た状態に相互位置決めする。この状態においてダイボン
ダー装置を適用してハンダ付け実装する。
【００１１】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、環状
Ｖ溝４はリード端子３１が延伸形成される領域を除いて
電極３周囲全体をほぼ包囲する環状に刻設形成し、この
電極３の面積をこれにハンダ付けされるべき端面発光素
子或は受光素子５の端子側電極５１の面積より一回り小
さく小さく形成し、素子５の端子側電極５１の周縁部が
電極３周囲をオーバーハングした状態に相互位置決めし
てダイボンダー装置を適用し、ハンダ付け実装するもの
である。このハンダ付け実装に際して、加熱加圧する結
果、必然的に端子側電極５１と電極３の間から溶融した
ハンダが流出するのであるが、この流出ハンダは端面発
光素子或は受光素子５の端子側電極５１のオーバーハン
グした周縁部により流路を制限されて環状Ｖ溝４に流下
することとなって、ここに凝固ハンダ６１を形成する。
この結果、端面発光素子或は受光素子５の光を送受する
端面間に凝固ハンダ６１が形成存在してこれにより伝送
される光が遮光されることはなくなる。
Ｖ溝４はリード端子３１が延伸形成される領域を除いて
電極３周囲全体をほぼ包囲する環状に刻設形成し、この
電極３の面積をこれにハンダ付けされるべき端面発光素
子或は受光素子５の端子側電極５１の面積より一回り小
さく小さく形成し、素子５の端子側電極５１の周縁部が
電極３周囲をオーバーハングした状態に相互位置決めし
てダイボンダー装置を適用し、ハンダ付け実装するもの
である。このハンダ付け実装に際して、加熱加圧する結
果、必然的に端子側電極５１と電極３の間から溶融した
ハンダが流出するのであるが、この流出ハンダは端面発
光素子或は受光素子５の端子側電極５１のオーバーハン
グした周縁部により流路を制限されて環状Ｖ溝４に流下
することとなって、ここに凝固ハンダ６１を形成する。
この結果、端面発光素子或は受光素子５の光を送受する
端面間に凝固ハンダ６１が形成存在してこれにより伝送
される光が遮光されることはなくなる。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】従来例を説明する図。
１ シリコン基板 ２ Ｖ溝 ３ 電極 ３１ リード端子 ４ 環状凹溝 ５ 端面発光素子或は受光素子 ５１ 端子側電極
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板表面に被着形成される電極
に端面発光素子或は受光素子下面に形成される端子側電
極をハンダ付け実装する光結合部品において、 シリコン基板表面に形成される電極はその面積を端面発
光素子或は受光素子下面に形成される端子側電極の面積
より一回り小さく形成され、 電極のリード端子が延伸形成される領域を除いて電極周
囲全体をほぼ包囲する環状凹溝をシリコン基板１表面に
形成したことを特徴とする光結合部品。 - 【請求項２】 シリコン基板表面に被着形成される電極
に端面発光素子或は受光素子下面に形成される端子側電
極をハンダ付け実装する光結合部品の製造方法におい
て、 シリコン基板表面に異方性エッチングにより光ファイバ
を嵌合固定するＶ溝を刻設すると共に環状凹溝を刻設
し、 環状凹溝に包囲されるシリコン基板表面に電極を被着形
成し、 電極の面積より一回り大きく形成される端子側電極を下
面に形成される端面発光素子或は受光素子を準備し、 端子側電極の周縁部が電極周囲をオーバーハングした状
態に相互位置決めしてハンダ付け実装することを特徴と
する光結合部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278853A JPH09120019A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光結合部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278853A JPH09120019A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光結合部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120019A true JPH09120019A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17603057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7278853A Pending JPH09120019A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光結合部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09120019A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272573U (ja) * | 1988-11-18 | 1990-06-01 | ||
| JPH07174941A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP7278853A patent/JPH09120019A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272573U (ja) * | 1988-11-18 | 1990-06-01 | ||
| JPH07174941A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020730 |