JPH09119965A - ３軸型磁束検出用コイル - Google Patents
３軸型磁束検出用コイルInfo
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- JPH09119965A JPH09119965A JP29932695A JP29932695A JPH09119965A JP H09119965 A JPH09119965 A JP H09119965A JP 29932695 A JP29932695 A JP 29932695A JP 29932695 A JP29932695 A JP 29932695A JP H09119965 A JPH09119965 A JP H09119965A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３つの薄膜コイルの中心軸が互いに直交し，
かつ，３つの薄膜コイル中心が１点で一致するように構
成することにより，特殊な工程が必要なくコイルの作製
工程が容易な３軸型磁束検出用コイルを提供する。 【解決手段】 第１のアルミの薄膜コイル１０２が設け
られた第１のフッソ樹脂基板１０１および第２のアルミ
の薄膜コイル１１２が設けられた第２のフッソ樹脂基板
１１１に，それぞれのコイルの両端の間を通り，コイル
の中心方向に向かって形成された切り込み２０１，３０
１を設け，第３のアルミの薄膜コイル１２２が設けられ
た第３のフッソ樹脂基板１２１の中央部に十字型の孔４
０１を形成し，第１のフッソ樹脂基板１０１の切り込み
２０１と第２のフッソ樹脂基板１１１の切り込み３０１
とを互いに差し込み，第３のフッソ樹脂基板１２１の十
字型の孔４０１に通したものである。
かつ，３つの薄膜コイル中心が１点で一致するように構
成することにより，特殊な工程が必要なくコイルの作製
工程が容易な３軸型磁束検出用コイルを提供する。 【解決手段】 第１のアルミの薄膜コイル１０２が設け
られた第１のフッソ樹脂基板１０１および第２のアルミ
の薄膜コイル１１２が設けられた第２のフッソ樹脂基板
１１１に，それぞれのコイルの両端の間を通り，コイル
の中心方向に向かって形成された切り込み２０１，３０
１を設け，第３のアルミの薄膜コイル１２２が設けられ
た第３のフッソ樹脂基板１２１の中央部に十字型の孔４
０１を形成し，第１のフッソ樹脂基板１０１の切り込み
２０１と第２のフッソ樹脂基板１１１の切り込み３０１
とを互いに差し込み，第３のフッソ樹脂基板１２１の十
字型の孔４０１に通したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁束検出器に用いら
れる３軸型磁束検出用コイルに関し，特に，ＥＭＩ対策
としてノイズ源を特定する磁束検出器に用いられる３軸
型磁束検出用コイルに関する。
れる３軸型磁束検出用コイルに関し，特に，ＥＭＩ対策
としてノイズ源を特定する磁束検出器に用いられる３軸
型磁束検出用コイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁束を検出する装置としては，電磁誘導
現象を利用したコイルを用いた装置が知られている。ま
た，磁界の方向も検出する装置としては，３つのコイル
で構成された３軸型磁束検出用コイルを有した装置があ
る。図１２から図１６は，従来の３軸型磁束検出用コイ
ルを示す斜視図である。
現象を利用したコイルを用いた装置が知られている。ま
た，磁界の方向も検出する装置としては，３つのコイル
で構成された３軸型磁束検出用コイルを有した装置があ
る。図１２から図１６は，従来の３軸型磁束検出用コイ
ルを示す斜視図である。
【０００３】図１２に示す３軸型磁束検出用コイルは，
立方体型の絶縁体１２０１の６つの面１２０２におい
て，それぞれ，２つの導体薄膜１２０３が絶縁膜１２０
４を挟んで交差するように形成してあり，隣り合う２つ
の面１２０２のなす稜線上において，はんだ１２０５に
よって補強されている。絶縁体１２０１の６つの面１２
０２に形成された導体薄膜１２０３によって，３つのコ
イルの中心軸が互いに直交するように構成されており，
これによって外部磁界を３次元的に検出するものであ
る。
立方体型の絶縁体１２０１の６つの面１２０２におい
て，それぞれ，２つの導体薄膜１２０３が絶縁膜１２０
４を挟んで交差するように形成してあり，隣り合う２つ
の面１２０２のなす稜線上において，はんだ１２０５に
よって補強されている。絶縁体１２０１の６つの面１２
０２に形成された導体薄膜１２０３によって，３つのコ
イルの中心軸が互いに直交するように構成されており，
これによって外部磁界を３次元的に検出するものであ
る。
【０００４】また，図１３の斜視図および図１４の分解
斜視図は，特開昭６１−３０７７９号公報『３軸形磁束
検出用コイル』に開示されている３軸型磁束検出用コイ
ルを示し，この３軸型磁束検出用コイルは，２つの導体
薄膜１３０３が絶縁膜１３０４を挟んで交差するように
形成された６つの板１３０６からなり，導体薄膜１３０
３がはんだ１３０５によって結合されている。６つの板
１３０６に形成された導体薄膜１３０３によって３つの
コイルの中心軸が互いに直交するように構成されおり，
これによって外部磁界を３次元的に検出するものであ
る。
斜視図は，特開昭６１−３０７７９号公報『３軸形磁束
検出用コイル』に開示されている３軸型磁束検出用コイ
ルを示し，この３軸型磁束検出用コイルは，２つの導体
薄膜１３０３が絶縁膜１３０４を挟んで交差するように
形成された６つの板１３０６からなり，導体薄膜１３０
３がはんだ１３０５によって結合されている。６つの板
１３０６に形成された導体薄膜１３０３によって３つの
コイルの中心軸が互いに直交するように構成されおり，
これによって外部磁界を３次元的に検出するものであ
る。
【０００５】図１５は，特開平２−１３６７７３号公報
『磁気センサ』に開示されている３軸型磁束検出用コイ
ルを示し，この３軸型磁束検出用コイルは，球状のコア
１５０１の周囲に３つのコイル１５０２を中心軸が互い
に直交するように形成したものであり，これによって外
部磁界を３次元的に検出するものである。
『磁気センサ』に開示されている３軸型磁束検出用コイ
ルを示し，この３軸型磁束検出用コイルは，球状のコア
１５０１の周囲に３つのコイル１５０２を中心軸が互い
に直交するように形成したものであり，これによって外
部磁界を３次元的に検出するものである。
【０００６】図１６は，特開平３−２６９３７８号公報
『スクイツドベクトル磁束計のピツクアツプコイル』に
開示されている３軸型磁束検出用コイルを示し，この３
軸型磁束検出用コイルは，逆台形状の穴１６０１を形成
した基板１６０２において，底部１６０３と２つの壁面
１６０４にそれぞれコイル１６０５を形成して，３つの
コイルの中心軸を立体的に交差させており，これによっ
て外部磁界を３次元的に検出するものである。
『スクイツドベクトル磁束計のピツクアツプコイル』に
開示されている３軸型磁束検出用コイルを示し，この３
軸型磁束検出用コイルは，逆台形状の穴１６０１を形成
した基板１６０２において，底部１６０３と２つの壁面
１６０４にそれぞれコイル１６０５を形成して，３つの
コイルの中心軸を立体的に交差させており，これによっ
て外部磁界を３次元的に検出するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，図１２
に示した３軸型磁束検出用コイルでは，コイルの作製工
程において立方体型の絶縁体１２０１の６つの面１２０
２に導体薄膜１２０３を形成する必要があり，かつ，立
方体型の絶縁体１２０１のそれぞれの面１２０２で２つ
の導体薄膜１２０３を絶縁膜１２０４を挟んで形成する
必要があるため，コイルの作製工程が極めて複雑になる
という問題点があった。
に示した３軸型磁束検出用コイルでは，コイルの作製工
程において立方体型の絶縁体１２０１の６つの面１２０
２に導体薄膜１２０３を形成する必要があり，かつ，立
方体型の絶縁体１２０１のそれぞれの面１２０２で２つ
の導体薄膜１２０３を絶縁膜１２０４を挟んで形成する
必要があるため，コイルの作製工程が極めて複雑になる
という問題点があった。
【０００８】また，図１３および図１４に示した３軸型
磁束検出用コイルでは，板１３０６に２つの導体薄膜１
３０３を絶縁膜１３０４を挟んで形成する必要があり，
さらに，導体薄膜１３０３をはんだ１３０５によって結
合させる必要があるため，コイルの作製工程が極めて複
雑になるという問題点があった。
磁束検出用コイルでは，板１３０６に２つの導体薄膜１
３０３を絶縁膜１３０４を挟んで形成する必要があり，
さらに，導体薄膜１３０３をはんだ１３０５によって結
合させる必要があるため，コイルの作製工程が極めて複
雑になるという問題点があった。
【０００９】また，図１５に示した３軸型磁束検出用コ
イルでは，球状のコア１５０１にコイル１５０２を３つ
巻いて３軸型磁束検出用コイルを作製するため，３つの
コイル１５０２の中心を１点で一致するように作製する
のが容易でなく，生産性が悪いという問題点がある。
イルでは，球状のコア１５０１にコイル１５０２を３つ
巻いて３軸型磁束検出用コイルを作製するため，３つの
コイル１５０２の中心を１点で一致するように作製する
のが容易でなく，生産性が悪いという問題点がある。
【００１０】さらに，図１６に示した３軸型磁束検出用
コイルでは，半導体プロセスを用いて３つのコイル１６
０５を隣接して形成しているが，３つのコイル１６０５
の中心が１点で一致してないので，厳密には３つのコイ
ル１６０５はそれぞれ異なった点での磁束を検出してい
ることになる。また，作製工程において，逆台形状の穴
１６０１の底部１６０３および壁面１６０４にコイル１
６０５を形成する必要があるため，Ｘ線を用いたフォト
リソグラフィ技術あるいはフォーカスビームによるエッ
チング法などの特殊な工程が必要であるという問題点が
あった。
コイルでは，半導体プロセスを用いて３つのコイル１６
０５を隣接して形成しているが，３つのコイル１６０５
の中心が１点で一致してないので，厳密には３つのコイ
ル１６０５はそれぞれ異なった点での磁束を検出してい
ることになる。また，作製工程において，逆台形状の穴
１６０１の底部１６０３および壁面１６０４にコイル１
６０５を形成する必要があるため，Ｘ線を用いたフォト
リソグラフィ技術あるいはフォーカスビームによるエッ
チング法などの特殊な工程が必要であるという問題点が
あった。
【００１１】本発明は上記に鑑みてなされたものであっ
て，３つの薄膜コイルの中心軸が互いに直交し，かつ，
３つの薄膜コイル中心が１点で一致するように構成する
ことにより，特殊な工程が必要なくコイルの作製工程が
容易な３軸型磁束検出用コイルを提供することを目的と
する。
て，３つの薄膜コイルの中心軸が互いに直交し，かつ，
３つの薄膜コイル中心が１点で一致するように構成する
ことにより，特殊な工程が必要なくコイルの作製工程が
容易な３軸型磁束検出用コイルを提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，請求項１に係る３軸型磁束検出用コイルは，３つ
の薄膜コイルによって構成されている３軸型磁束検出用
コイルにおいて，第１のコイルが設けられた第１の絶縁
基板および第２のコイルが設けられた第２の絶縁基板
に，それぞれのコイルの両端の間を通り，コイルの中心
方向に向かって形成された切り込みを設け，第３のコイ
ルが設けられた第３の絶縁基板の中央部に孔を形成し，
前記第１の絶縁基板の切り込みと前記第２の絶縁基板の
切り込みとを互いに差し込み，前記第３の絶縁基板の孔
に通したものである。
めに，請求項１に係る３軸型磁束検出用コイルは，３つ
の薄膜コイルによって構成されている３軸型磁束検出用
コイルにおいて，第１のコイルが設けられた第１の絶縁
基板および第２のコイルが設けられた第２の絶縁基板
に，それぞれのコイルの両端の間を通り，コイルの中心
方向に向かって形成された切り込みを設け，第３のコイ
ルが設けられた第３の絶縁基板の中央部に孔を形成し，
前記第１の絶縁基板の切り込みと前記第２の絶縁基板の
切り込みとを互いに差し込み，前記第３の絶縁基板の孔
に通したものである。
【００１３】また，請求項２に係る３軸型磁束検出用コ
イルは，前記第１の絶縁基板および第２の絶縁基板が凸
型であるものである。
イルは，前記第１の絶縁基板および第２の絶縁基板が凸
型であるものである。
【００１４】また，請求項３に係る３軸型磁束検出用コ
イルは，３つの薄膜コイルによって構成されている３軸
型磁束検出用コイルにおいて，第１のコイルが設けられ
た第１の絶縁基板および第２のコイルが設けられた第２
の絶縁基板に，それぞれコイルの両端を通り，Ｔ字型に
形成された切り込みを設け，第３のコイルが設けられた
第３の絶縁基板の中央に孔を形成し，さらにコイルの両
端を通り中央の孔に届くまで切り込みを形成し，前記第
１の絶縁基板の切り込みと前記第２の絶縁基板の切り込
みとを互いに差し込み，前記第１の絶縁基板の切り込み
と前記第２の絶縁基板の切り込みに第３の絶縁基板を差
し込んだものである。
イルは，３つの薄膜コイルによって構成されている３軸
型磁束検出用コイルにおいて，第１のコイルが設けられ
た第１の絶縁基板および第２のコイルが設けられた第２
の絶縁基板に，それぞれコイルの両端を通り，Ｔ字型に
形成された切り込みを設け，第３のコイルが設けられた
第３の絶縁基板の中央に孔を形成し，さらにコイルの両
端を通り中央の孔に届くまで切り込みを形成し，前記第
１の絶縁基板の切り込みと前記第２の絶縁基板の切り込
みとを互いに差し込み，前記第１の絶縁基板の切り込み
と前記第２の絶縁基板の切り込みに第３の絶縁基板を差
し込んだものである。
【００１５】また，請求項４に係る３軸型磁束検出用コ
イルは，前記薄膜コイルが超伝導体であるものである。
イルは，前記薄膜コイルが超伝導体であるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下，本発明の３軸型磁束検出用
コイルについて，〔実施例１〕，〔実施例２〕，〔実施
例３〕の順で図面を参照して詳細に説明する。
コイルについて，〔実施例１〕，〔実施例２〕，〔実施
例３〕の順で図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】〔実施例１〕図１は実施例１の３軸型磁束
検出用コイルの斜視図である。図２は実施例１の３軸型
磁束検出用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成され
た第１のコイルの斜視図である。図３は実施例１の３軸
型磁束検出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成さ
れた第２のコイルの斜視図である。図４は実施例１の３
軸型磁束検出用コイルを構成する第３の絶縁基板に形成
された第３のコイルの斜視図である。
検出用コイルの斜視図である。図２は実施例１の３軸型
磁束検出用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成され
た第１のコイルの斜視図である。図３は実施例１の３軸
型磁束検出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成さ
れた第２のコイルの斜視図である。図４は実施例１の３
軸型磁束検出用コイルを構成する第３の絶縁基板に形成
された第３のコイルの斜視図である。
【００１８】図において，１０１は第１のフッソ樹脂基
板，１０２は第１のアルミの薄膜コイル，１１１は第２
のフッソ樹脂基板，１１２は第２のアルミの薄膜コイ
ル，１２１は第３のフッソ樹脂基板，１２２は第３のア
ルミの薄膜コイル，２０１は第１のアルミの薄膜コイル
１０２の両端に間を通りコイルの中央部に向かって形成
された切り込み，３０１は第２のアルミの薄膜コイル１
１２の両端に間を通りコイルの中央部に向かって形成さ
れた切り込み，４０１は第３のアルミの薄膜コイル１２
２の内側に形成された十字型の孔である。
板，１０２は第１のアルミの薄膜コイル，１１１は第２
のフッソ樹脂基板，１１２は第２のアルミの薄膜コイ
ル，１２１は第３のフッソ樹脂基板，１２２は第３のア
ルミの薄膜コイル，２０１は第１のアルミの薄膜コイル
１０２の両端に間を通りコイルの中央部に向かって形成
された切り込み，３０１は第２のアルミの薄膜コイル１
１２の両端に間を通りコイルの中央部に向かって形成さ
れた切り込み，４０１は第３のアルミの薄膜コイル１２
２の内側に形成された十字型の孔である。
【００１９】図２から図４に示したコイルの製造方法に
ついて説明する。まず，第１のフッソ樹脂基板１０１，
第２のフッソ樹脂基板１１１および第３のフッソ樹脂基
板１２１上にスパッタリング法等によりアルミ薄膜を形
成し，次に，一般的なフォトリソグラフィ技術と，例え
ばエッチング液としてＨ3 ＰＯ4 ＋ＨＮＯ3 ＋ＣＨ3Ｃ
ＯＯＨを用いたウェットエッチング法により第１のアル
ミの薄膜コイル１０２，第２のアルミの薄膜コイル１１
２および第３のアルミの薄膜コイル１２２を形成する。
ついて説明する。まず，第１のフッソ樹脂基板１０１，
第２のフッソ樹脂基板１１１および第３のフッソ樹脂基
板１２１上にスパッタリング法等によりアルミ薄膜を形
成し，次に，一般的なフォトリソグラフィ技術と，例え
ばエッチング液としてＨ3 ＰＯ4 ＋ＨＮＯ3 ＋ＣＨ3Ｃ
ＯＯＨを用いたウェットエッチング法により第１のアル
ミの薄膜コイル１０２，第２のアルミの薄膜コイル１１
２および第３のアルミの薄膜コイル１２２を形成する。
【００２０】次に，第１のフッソ樹脂基板１０１に切り
込み２０１，第２のフッソ樹脂基板１１１に切り込み３
０１，および，第３のフッソ樹脂基板１２１に十字型の
孔４０１をそれぞれ形成する。なお，第１のアルミの薄
膜コイル１０２，第２のアルミの薄膜コイル１１２およ
び第３のアルミの薄膜コイル１２２を形成する工程は，
第１のフッソ樹脂基板１０１に切り込み２０１，第２の
フッソ樹脂基板１１１に切り込み３０１，および，第３
のフッソ樹脂基板１２１に十字型の孔４０１をそれぞれ
形成する工程の後でも良い。
込み２０１，第２のフッソ樹脂基板１１１に切り込み３
０１，および，第３のフッソ樹脂基板１２１に十字型の
孔４０１をそれぞれ形成する。なお，第１のアルミの薄
膜コイル１０２，第２のアルミの薄膜コイル１１２およ
び第３のアルミの薄膜コイル１２２を形成する工程は，
第１のフッソ樹脂基板１０１に切り込み２０１，第２の
フッソ樹脂基板１１１に切り込み３０１，および，第３
のフッソ樹脂基板１２１に十字型の孔４０１をそれぞれ
形成する工程の後でも良い。
【００２１】上述の製造方法で製造した第１のコイル，
第２のコイルおよび第３のコイルにおいて，まず，第１
の薄膜コイル１０２の中心点と第２の薄膜コイル１１２
の中心点が一致し，かつ，第１の薄膜コイル１０２の中
心軸と第２の薄膜コイル１１２の中心軸が直交するよう
に，第１のコイルを形成した第１のフッソ樹脂基板１０
１の切り込み２０１と第２のコイルを形成した第２のフ
ッソ樹脂基板１１１の切り込み３０１とを互いに差し込
み，次に，第１の薄膜コイル１０２の中心点および第２
の薄膜コイル１１２の中心点と第３の薄膜コイル１２２
の中心点が一致し，かつ，第１の薄膜コイル１０２の中
心軸および第２の薄膜コイル１１２の中心軸と第３の薄
膜コイル１２２の中心軸が直交するように，第１のフッ
ソ樹脂基板１０１と第２のフッソ樹脂基板１１１の構成
物を第３のフッソ樹脂基板１２１に形成した十字型の孔
４０１に通し，最後に第１のフッソ樹脂基板１０１と第
２のフッソ樹脂基板１１１と第３のフッソ樹脂基板１２
１とフッソ樹脂用の接着剤で固定し，図１に示した３軸
型磁束検出用コイルを構成する。
第２のコイルおよび第３のコイルにおいて，まず，第１
の薄膜コイル１０２の中心点と第２の薄膜コイル１１２
の中心点が一致し，かつ，第１の薄膜コイル１０２の中
心軸と第２の薄膜コイル１１２の中心軸が直交するよう
に，第１のコイルを形成した第１のフッソ樹脂基板１０
１の切り込み２０１と第２のコイルを形成した第２のフ
ッソ樹脂基板１１１の切り込み３０１とを互いに差し込
み，次に，第１の薄膜コイル１０２の中心点および第２
の薄膜コイル１１２の中心点と第３の薄膜コイル１２２
の中心点が一致し，かつ，第１の薄膜コイル１０２の中
心軸および第２の薄膜コイル１１２の中心軸と第３の薄
膜コイル１２２の中心軸が直交するように，第１のフッ
ソ樹脂基板１０１と第２のフッソ樹脂基板１１１の構成
物を第３のフッソ樹脂基板１２１に形成した十字型の孔
４０１に通し，最後に第１のフッソ樹脂基板１０１と第
２のフッソ樹脂基板１１１と第３のフッソ樹脂基板１２
１とフッソ樹脂用の接着剤で固定し，図１に示した３軸
型磁束検出用コイルを構成する。
【００２２】なお，実施例１においては一例としてコイ
ルにアルミの薄膜を用いているが，他の導体薄膜に対し
ても適用でき，また，絶縁基板にフッソ樹脂を用いてい
るが他の絶縁基板に対しても適用できる。さらに，第３
の絶縁基板に形成する孔は十字型としたが，第１の絶縁
基板と第２の絶縁基板の構成物が通る形状であれば良
い。
ルにアルミの薄膜を用いているが，他の導体薄膜に対し
ても適用でき，また，絶縁基板にフッソ樹脂を用いてい
るが他の絶縁基板に対しても適用できる。さらに，第３
の絶縁基板に形成する孔は十字型としたが，第１の絶縁
基板と第２の絶縁基板の構成物が通る形状であれば良
い。
【００２３】このように３軸型磁束検出用コイルを構成
することにより，第１の薄膜コイル１０２と第２の薄膜
コイル１１２および第３の薄膜コイル１２２の中心軸が
互いに直交し，かつ，第１の薄膜コイル１０２と第２の
薄膜コイル１１２および第３の薄膜コイル１２２の中心
点が１点で一致した３軸型磁束検出用コイルを容易に作
製することができる。
することにより，第１の薄膜コイル１０２と第２の薄膜
コイル１１２および第３の薄膜コイル１２２の中心軸が
互いに直交し，かつ，第１の薄膜コイル１０２と第２の
薄膜コイル１１２および第３の薄膜コイル１２２の中心
点が１点で一致した３軸型磁束検出用コイルを容易に作
製することができる。
【００２４】さらに，コイルを形成する薄膜として，例
えばニオブや窒化ニオブ等の超伝導体を用いると，ＳＱ
ＵＩＤを用いた高感度磁束計用の３軸型磁束検出用コイ
ルとして使用することができる。
えばニオブや窒化ニオブ等の超伝導体を用いると，ＳＱ
ＵＩＤを用いた高感度磁束計用の３軸型磁束検出用コイ
ルとして使用することができる。
【００２５】〔実施例２〕図５は実施例２の３軸型磁束
検出用コイルの正面図であり，第１のコイルの中心軸方
向から見た図である。図６は実施例２の３軸型磁束検出
用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成された第１の
コイルの斜視図である。図７は実施例２の３軸型磁束検
出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成された第２
のコイルの斜視図である。
検出用コイルの正面図であり，第１のコイルの中心軸方
向から見た図である。図６は実施例２の３軸型磁束検出
用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成された第１の
コイルの斜視図である。図７は実施例２の３軸型磁束検
出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成された第２
のコイルの斜視図である。
【００２６】図において，５０１は第１の凸型のフッソ
樹脂基板，５１１は第２の凸型のフッソ樹脂基板であ
る。第１のコイルが形成された第１の絶縁基板において
は，上に第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１に対して切
り込み６０１は下部から中央部に向かって形成し，第２
のコイルが形成された第２の絶縁基板においては，上に
第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１に対して切り込み７
０１は上部から中央部に向かって形成している。第３の
コイルは，図５に示した実施例１の第３のコイルと同様
な形状である。第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１およ
び第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１において，狭い方
の幅Ｗｎは第３のフッソ樹脂基板５２１に形成した十字
型の孔５２３（図示せず）に通る幅とし，広い方の幅Ｗ
ｗは第３のフッソ樹脂基板５２１に形成した十字型の孔
５２３に通らない幅とする。また，広い幅の部分の高さ
Ｈにおいては，３軸型磁束検出用コイルを構成する際
に，第１のコイルと第２のコイルの構成物を第１の凸型
のフッソ樹脂基板５０１および第２の凸型のフッソ樹脂
基板５１１の幅の狭い方から第３のフッソ樹脂基板５２
１に形成された十字型の孔５２３に通し，第１のコイル
と第２のコイルの構成物の第１の凸型のフッソ樹脂基板
５０１および第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１の幅が
広くなる所に第３のフッソ樹脂基板５２１が来たとき
に，第３のコイル面が第１のコイルおよび第２のコイル
の中心と一致する高さにする。
樹脂基板，５１１は第２の凸型のフッソ樹脂基板であ
る。第１のコイルが形成された第１の絶縁基板において
は，上に第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１に対して切
り込み６０１は下部から中央部に向かって形成し，第２
のコイルが形成された第２の絶縁基板においては，上に
第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１に対して切り込み７
０１は上部から中央部に向かって形成している。第３の
コイルは，図５に示した実施例１の第３のコイルと同様
な形状である。第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１およ
び第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１において，狭い方
の幅Ｗｎは第３のフッソ樹脂基板５２１に形成した十字
型の孔５２３（図示せず）に通る幅とし，広い方の幅Ｗ
ｗは第３のフッソ樹脂基板５２１に形成した十字型の孔
５２３に通らない幅とする。また，広い幅の部分の高さ
Ｈにおいては，３軸型磁束検出用コイルを構成する際
に，第１のコイルと第２のコイルの構成物を第１の凸型
のフッソ樹脂基板５０１および第２の凸型のフッソ樹脂
基板５１１の幅の狭い方から第３のフッソ樹脂基板５２
１に形成された十字型の孔５２３に通し，第１のコイル
と第２のコイルの構成物の第１の凸型のフッソ樹脂基板
５０１および第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１の幅が
広くなる所に第３のフッソ樹脂基板５２１が来たとき
に，第３のコイル面が第１のコイルおよび第２のコイル
の中心と一致する高さにする。
【００２７】図６と図７に示したコイルの製造として
は，上述した実施例１のコイルの製造方法と同様にして
製造することが可能である。
は，上述した実施例１のコイルの製造方法と同様にして
製造することが可能である。
【００２８】３軸型磁束検出用コイルの構成方法につい
ては，上述した実施例１の３軸型磁束検出用コイルの構
成方法と同様にして構成することができる。ただし，第
１の凸型のフッソ樹脂基板５０１と第２の凸型のフッソ
樹脂基板５１１の構成物を第３のフッソ樹脂基板５２１
に形成した十字型の孔５２３に通す際に，第３のフッソ
樹脂基板５２１は第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１お
よび第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１の幅が広くなる
部分で止まるため，第３のアルミの薄膜コイル５２２
（図示せず）の中心点と第１の薄膜コイル５０２の中心
点および第２のアルミの薄膜コイル７１１の中心点が一
致し，かつ，第３のアルミの薄膜コイル５２２の中心軸
と第１の薄膜コイル５０２の中心軸および第２のアルミ
の薄膜コイル７１１の中心軸が直交するように容易に構
成することができる。
ては，上述した実施例１の３軸型磁束検出用コイルの構
成方法と同様にして構成することができる。ただし，第
１の凸型のフッソ樹脂基板５０１と第２の凸型のフッソ
樹脂基板５１１の構成物を第３のフッソ樹脂基板５２１
に形成した十字型の孔５２３に通す際に，第３のフッソ
樹脂基板５２１は第１の凸型のフッソ樹脂基板５０１お
よび第２の凸型のフッソ樹脂基板５１１の幅が広くなる
部分で止まるため，第３のアルミの薄膜コイル５２２
（図示せず）の中心点と第１の薄膜コイル５０２の中心
点および第２のアルミの薄膜コイル７１１の中心点が一
致し，かつ，第３のアルミの薄膜コイル５２２の中心軸
と第１の薄膜コイル５０２の中心軸および第２のアルミ
の薄膜コイル７１１の中心軸が直交するように容易に構
成することができる。
【００２９】〔実施例３〕図８は実施例３の３軸型磁束
検出用コイルの斜視図である。図９は実施例３の３軸型
磁束検出用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成され
た第１のコイルの斜視図である。図１０は実施例３の３
軸型磁束検出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成
された第２のコイルの斜視図である。図１１は実施例３
の３軸型磁束検出用コイルを構成する第３の絶縁基板に
形成された第３のコイルの斜視図である。
検出用コイルの斜視図である。図９は実施例３の３軸型
磁束検出用コイルを構成する第１の絶縁基板に形成され
た第１のコイルの斜視図である。図１０は実施例３の３
軸型磁束検出用コイルを構成する第２の絶縁基板に形成
された第２のコイルの斜視図である。図１１は実施例３
の３軸型磁束検出用コイルを構成する第３の絶縁基板に
形成された第３のコイルの斜視図である。
【００３０】図において，８０１は第１のフッソ樹脂基
板，８０２は第１のアルミの薄膜コイル，８１１は第２
のフッソ樹脂基板，８１２は第２のアルミの薄膜コイ
ル，８２１は第３のフッソ樹脂基板，８２２は第３のア
ルミの薄膜コイル，９０１および１００１はＴ字型の切
り込み，１１０２は方形型の孔である。
板，８０２は第１のアルミの薄膜コイル，８１１は第２
のフッソ樹脂基板，８１２は第２のアルミの薄膜コイ
ル，８２１は第３のフッソ樹脂基板，８２２は第３のア
ルミの薄膜コイル，９０１および１００１はＴ字型の切
り込み，１１０２は方形型の孔である。
【００３１】図９から図１１に示したコイルの製造方法
については，上述した実施例１のコイルの製造方法と同
様にして製造することが可能である。
については，上述した実施例１のコイルの製造方法と同
様にして製造することが可能である。
【００３２】図９から図１１に示した第１のコイル，第
２のコイルおよび第３のコイルにおいて，まず，第１の
アルミの薄膜コイル８０２の中心点と第２のアルミの薄
膜コイル８１２の中心点が一致し，かつ，第１のアルミ
の薄膜コイル８０２の中心軸と第２のアルミの薄膜コイ
ル８１２の中心軸が直交するように，第１のコイルを形
成した第１のフッソ樹脂基板８０１のＴ字型の切り込み
９０１と第２のコイルを形成した第２のフッソ樹脂基板
８１１のＴ字型の切り込み１００１とを互いに差し込
み，次に，第３のコイルが形成してある第３のフッソ樹
脂基板８２１の切り込み１１０１から第１のフッソ樹脂
基板８０１または第２のフッソ樹脂基板８１１を第３の
フッソ樹脂基板８２１の方形型の孔１１０２まで通し，
第３のフッソ樹脂基板８２１を回転させて，第１のフッ
ソ樹脂基板８０１のＴ字型の切り込み９０１および第２
のフッソ樹脂基板８１１のＴ字型の切り込み１００１に
差し込む。このとき，第１のアルミの薄膜コイル８０２
の中心点および第２のアルミの薄膜コイル８１２の中心
点と第３のアルミの薄膜コイル８２２の中心点が一致
し，かつ，第１のアルミの薄膜コイル８０２の中心軸お
よび第２のアルミの薄膜コイル８１２の中心軸と第３の
アルミの薄膜コイル８２２の中心軸が互いに直交するよ
うに構成する。最後に，第１のフッソ樹脂基板８０１と
第２のフッソ樹脂基板８１１と第３のフッソ樹脂基板８
２１とをフッソ樹脂用の接着剤で固定し，図８に示した
３軸型磁束検出用コイルを構成する。
２のコイルおよび第３のコイルにおいて，まず，第１の
アルミの薄膜コイル８０２の中心点と第２のアルミの薄
膜コイル８１２の中心点が一致し，かつ，第１のアルミ
の薄膜コイル８０２の中心軸と第２のアルミの薄膜コイ
ル８１２の中心軸が直交するように，第１のコイルを形
成した第１のフッソ樹脂基板８０１のＴ字型の切り込み
９０１と第２のコイルを形成した第２のフッソ樹脂基板
８１１のＴ字型の切り込み１００１とを互いに差し込
み，次に，第３のコイルが形成してある第３のフッソ樹
脂基板８２１の切り込み１１０１から第１のフッソ樹脂
基板８０１または第２のフッソ樹脂基板８１１を第３の
フッソ樹脂基板８２１の方形型の孔１１０２まで通し，
第３のフッソ樹脂基板８２１を回転させて，第１のフッ
ソ樹脂基板８０１のＴ字型の切り込み９０１および第２
のフッソ樹脂基板８１１のＴ字型の切り込み１００１に
差し込む。このとき，第１のアルミの薄膜コイル８０２
の中心点および第２のアルミの薄膜コイル８１２の中心
点と第３のアルミの薄膜コイル８２２の中心点が一致
し，かつ，第１のアルミの薄膜コイル８０２の中心軸お
よび第２のアルミの薄膜コイル８１２の中心軸と第３の
アルミの薄膜コイル８２２の中心軸が互いに直交するよ
うに構成する。最後に，第１のフッソ樹脂基板８０１と
第２のフッソ樹脂基板８１１と第３のフッソ樹脂基板８
２１とをフッソ樹脂用の接着剤で固定し，図８に示した
３軸型磁束検出用コイルを構成する。
【００３３】なお，実施例３においては一例としてコイ
ルにアルミの薄膜を用いているが，実施例１と同様に，
他の導体薄膜に対しても適用でき，また，絶縁基板にフ
ッソ樹脂を用いているが他の絶縁基板に対しても適用で
きる。さらに，第３の絶縁基板に形成する孔は方形型と
したが，他の形状でも良い。
ルにアルミの薄膜を用いているが，実施例１と同様に，
他の導体薄膜に対しても適用でき，また，絶縁基板にフ
ッソ樹脂を用いているが他の絶縁基板に対しても適用で
きる。さらに，第３の絶縁基板に形成する孔は方形型と
したが，他の形状でも良い。
【００３４】このように，３軸型磁束検出用コイルを構
成することにより，第１のアルミの薄膜コイル８０２と
第２のアルミの薄膜コイル８１２および第３のアルミの
薄膜コイル８２２の中心軸が互いに直交し，かつ，第１
のアルミの薄膜コイル８０２と第２のアルミの薄膜コイ
ル８１２および第３のアルミの薄膜コイル８２２の中心
点が１点で一致した３軸型磁束検出用コイルを容易に作
製することができる。
成することにより，第１のアルミの薄膜コイル８０２と
第２のアルミの薄膜コイル８１２および第３のアルミの
薄膜コイル８２２の中心軸が互いに直交し，かつ，第１
のアルミの薄膜コイル８０２と第２のアルミの薄膜コイ
ル８１２および第３のアルミの薄膜コイル８２２の中心
点が１点で一致した３軸型磁束検出用コイルを容易に作
製することができる。
【００３５】さらに，コイルを形成する薄膜として，例
えばニオブや窒化ニオブ等の超伝導体を用いると，ＳＱ
ＵＩＤを用いた高感度磁束計用の３軸型磁束検出用コイ
ルとして使用することができる。
えばニオブや窒化ニオブ等の超伝導体を用いると，ＳＱ
ＵＩＤを用いた高感度磁束計用の３軸型磁束検出用コイ
ルとして使用することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明による３軸型磁束検
出用コイル（請求項１〜請求項４）は，３つの薄膜コイ
ルの中心の１点で一致し，かつ，３つの薄膜コイルの中
心軸が互いに直交しており，外部磁界を３次元的に検出
できる３軸型磁束検出用コイルを容易に作製することが
できる。換言すれば，３つの薄膜コイルの中心軸が互い
に直交し，かつ，３つの薄膜コイル中心が１点で一致す
るように構成することにより，特殊な工程が必要なくコ
イルの作製工程が容易な３軸型磁束検出用コイルを提供
することができる。したがって，ＯＡ機器や家庭用電化
製品等から漏洩する電磁ノイズの発生源を特定するため
の磁束検出器の３軸型コイルとして用いることができ，
ＥＭＩ対策に有用である。
出用コイル（請求項１〜請求項４）は，３つの薄膜コイ
ルの中心の１点で一致し，かつ，３つの薄膜コイルの中
心軸が互いに直交しており，外部磁界を３次元的に検出
できる３軸型磁束検出用コイルを容易に作製することが
できる。換言すれば，３つの薄膜コイルの中心軸が互い
に直交し，かつ，３つの薄膜コイル中心が１点で一致す
るように構成することにより，特殊な工程が必要なくコ
イルの作製工程が容易な３軸型磁束検出用コイルを提供
することができる。したがって，ＯＡ機器や家庭用電化
製品等から漏洩する電磁ノイズの発生源を特定するため
の磁束検出器の３軸型コイルとして用いることができ，
ＥＭＩ対策に有用である。
【図１】実施例１の３軸型磁束検出用コイルの斜視図で
ある。
ある。
【図２】実施例１の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
【図３】実施例１の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図であ
る。
第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図であ
る。
【図４】実施例１の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第３の絶縁基板に形成された第３のコイルの斜視図であ
る。
第３の絶縁基板に形成された第３のコイルの斜視図であ
る。
【図５】実施例２の３軸型磁束検出用コイルの正面図で
あり，第１のコイルの中心軸方向から見た図である。
あり，第１のコイルの中心軸方向から見た図である。
【図６】実施例２の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
【図７】実施例２の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図であ
る。
第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図であ
る。
【図８】実施例３の３軸型磁束検出用コイルの斜視図で
ある。
ある。
【図９】実施例３の３軸型磁束検出用コイルを構成する
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
第１の絶縁基板に形成された第１のコイルの斜視図であ
る。
【図１０】実施例３の３軸型磁束検出用コイルを構成す
る第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図で
ある。
る第２の絶縁基板に形成された第２のコイルの斜視図で
ある。
【図１１】実施例３の３軸型磁束検出用コイルを構成す
る第３の絶縁基板に形成された第３のコイルの斜視図で
ある。
る第３の絶縁基板に形成された第３のコイルの斜視図で
ある。
【図１２】従来の３軸型磁束検出用コイルの斜視図であ
る。
る。
【図１３】従来の３軸型磁束検出用コイルの斜視図であ
る。
る。
【図１４】従来の３軸型磁束検出用コイルの分解斜視図
である。
である。
【図１５】従来の３軸型磁束検出用コイルの斜視図であ
る。
る。
【図１６】従来の３軸型磁束検出用コイルの斜視図であ
る。
る。
１０１，８０１ 第１のフッソ樹脂基板 １０２，８０２ 第１のアルミの薄膜コイル １１１，８１１ 第２のフッソ樹脂基板 １１２，７１１，８１２ 第２のアルミの薄膜コイル １２１，５２１，８２１ 第３のフッソ樹脂基板 １２２，５２２，８２２ 第３のアルミの薄膜コイル ２０１，３０１，６０１，７０１，１１０１ 切り込
み ４０１，５２３ 十字型の孔 ５０１ 第１の凸型のフッソ樹脂基板 ５１１ 第２の凸型のフッソ樹脂基板 ９０１，１００１ Ｔ字型の切り込み １１０２ 方形型の孔
み ４０１，５２３ 十字型の孔 ５０１ 第１の凸型のフッソ樹脂基板 ５１１ 第２の凸型のフッソ樹脂基板 ９０１，１００１ Ｔ字型の切り込み １１０２ 方形型の孔
Claims (4)
- 【請求項１】 ３つの薄膜コイルによって構成されてい
る３軸型磁束検出用コイルにおいて，第１のコイルが設
けられた第１の絶縁基板および第２のコイルが設けられ
た第２の絶縁基板に，それぞれのコイルの両端の間を通
り，コイルの中心方向に向かって形成された切り込みを
設け，第３のコイルが設けられた第３の絶縁基板の中央
部に孔を形成し，前記第１の絶縁基板の切り込みと前記
第２の絶縁基板の切り込みとを互いに差し込み，前記第
３の絶縁基板の孔に通したことを特徴とする３軸型磁束
検出用コイル。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁基板および第２の絶縁基
板が凸型であることを特徴とする請求項１記載の３軸型
磁束検出用コイル。 - 【請求項３】 ３つの薄膜コイルによって構成されてい
る３軸型磁束検出用コイルにおいて，第１のコイルが設
けられた第１の絶縁基板および第２のコイルが設けられ
た第２の絶縁基板に，それぞれコイルの両端を通り，Ｔ
字型に形成された切り込みを設け，第３のコイルが設け
られた第３の絶縁基板の中央に孔を形成し，さらにコイ
ルの両端を通り中央の孔に届くまで切り込みを形成し，
前記第１の絶縁基板の切り込みと前記第２の絶縁基板の
切り込みとを互いに差し込み，前記第１の絶縁基板の切
り込みと前記第２の絶縁基板の切り込みに第３の絶縁基
板を差し込んだことを特徴とする３軸型磁束検出用コイ
ル。 - 【請求項４】 前記薄膜コイルが超伝導体であることを
特徴とする請求項１または３記載の３軸型磁束検出用コ
イル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932695A JPH09119965A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | ３軸型磁束検出用コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932695A JPH09119965A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | ３軸型磁束検出用コイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09119965A true JPH09119965A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17871100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29932695A Pending JPH09119965A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | ３軸型磁束検出用コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09119965A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014206493A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 日置電機株式会社 | 磁界センサ用ボビンおよびこれを用いた磁界センサ |
| JP2016192812A (ja) * | 2016-08-04 | 2016-11-10 | 日本電信電話株式会社 | ３軸ループアンテナ |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP29932695A patent/JPH09119965A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014206493A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 日置電機株式会社 | 磁界センサ用ボビンおよびこれを用いた磁界センサ |
| JP2016192812A (ja) * | 2016-08-04 | 2016-11-10 | 日本電信電話株式会社 | ３軸ループアンテナ |
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