JPH09118587A - 坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるための装置および方法 - Google Patents

坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるための装置および方法

Info

Publication number
JPH09118587A
JPH09118587A JP8268197A JP26819796A JPH09118587A JP H09118587 A JPH09118587 A JP H09118587A JP 8268197 A JP8268197 A JP 8268197A JP 26819796 A JP26819796 A JP 26819796A JP H09118587 A JPH09118587 A JP H09118587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
pulling
lock gate
lock
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8268197A
Other languages
English (en)
Inventor
Winfried Schulmann
シュールマン ヴィンフリート
Franz Thimm
ティム フランツ
Helmut Kaiser
カイザー ヘルムート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG, Balzers und Leybold Deutschland Holding AG filed Critical Leybold AG
Publication of JPH09118587A publication Critical patent/JPH09118587A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 完成した結晶が確実かつ衝撃なくロックゲー
トチャンバから取出し可能となり、しかも敏感な構成部
分を作業位置から除去しないで済むようにする。 【解決手段】 連結解除装置７が、長手方向スリット９
を有する、引上げ軸２２に結合された連結リング１０
と、ヘッド部分１１を備えた、種子結晶に結合された結
晶ホルダ１２と、ロックゲートチャンバ５のカバープレ
ート１５によって保持されたロックゲートリング１４と
から形成されており、該ロックゲートリングにフラップ
１３，１３′が支承されており、該フラップが、水平な
軸線３５，３５′を中心にして水平なロック位置と、鉛
直な開放位置との間で旋回可能であり、フラップ１３，
１３′の、ロック位置で互いに向かい合わされた端面１
６，１６′が、一緒になって開口１７を形成していて、
該端面が、結晶ホルダ１２の軸部１９を取り囲んで該結
晶ホルダを前記ロックゲートリング１４の平面にロック
している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、坩堝内に存在する
溶融液から真空下または保護ガス下に、減圧された圧力
で単結晶を引き上げるための装置であって、坩堝が、ベ
ースフレームに支持された真空チャンバ内で坩堝支持ピ
ンに配置されていて、加熱エレメントの熱放射線によっ
て加熱可能であり、溶融液の上方に引上げエレメントが
設けられており、該引上げエレメントにより結晶が溶融
液表面から上方に向かって、ベースフレームに対して側
方に旋回可能なロックゲートチャンバ内へ引出し可能で
あり、さらに結晶と引上げエレメントとの間に連結解除
装置が設けられていて、該連結解除装置が結晶を引上げ
エレメントから分離するようになっている形式のものに
関する。
【０００２】さらに本発明は、坩堝内に存在する溶融液
から真空下または保護ガス下に、減圧された圧力で単結
晶を引き上げるための方法であって、この場合、坩堝
を、ベースフレームに支承された真空チャンバ内に配置
し、ベースフレームによって保持された上側フレームに
支持された引上げエレメントを溶融液の上方に設けて、
該引上げエレメントによって結晶を溶融液表面から上方
に向かってロックゲートチャンバ内へ引き出せるように
し、さらに結晶と引上げエレメントとの間に連結解除装
置を設けて、該連結解除装置により結晶を引上げエレメ
ントから分離する形式のものに関する。
【０００３】
【従来の技術】ロックゲートチャンバ内で種子結晶に懸
吊された結晶は通常、特別なハンドリングシステムによ
り、ロックゲートチャンバに設けられた側方の開口を通
じて把持され、次いで種子結晶と分離され、最後にハン
ドリングシステムによって、フラップにより閉鎖可能な
開口を通じて側方でロックゲートチャンバから引き出さ
れる。
【０００４】この公知の方法には一連の欠点があり、こ
れらの欠点は全て衝撃や振動に対する結晶の特別な敏感
性に基づき生ぜしめられる。さらに、結晶がハンドリン
グシステムによって適正に把持されない危険も生じる。
なぜならば、結晶はロックゲートチャンバ内で懸吊され
ていて、自由に接近可能でないからである。
【０００５】また、別の公知の装置では、引上げプロセ
ス後およびロックゲートチャンバの通気後に、ロックゲ
ートチャンバが、嵩高でかつ重い引上げ軸および装置フ
レームに設けられた軸駆動装置と共に旋回させられるの
で、結晶を、ロックゲートチャンバの下方へ移動させら
れた搬送台車上に降下させるか、もしくはこの搬送台車
によって引き取ることができる。しかし、この公知の装
置には極めて重大な欠点がある。すなわち、この公知の
構成の引上げ装置の寸法および引上げ装置の個別構成部
分の重量では、引上げプロセスのために必要となる、個
々の構成部分の互いに相対的な位置を連続運転において
保証することができない。特に経験によれば、敏感でか
つ高精密な引上げ軸をその駆動装置を含めて、繰り返し
正確な角度で、溶融液上方の作業位置へ移動操作するこ
とはほとんど不可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の装置および方法を改良して、完成した結
晶が確実かつ衝撃なくロックゲートチャンバから取出し
可能となり、しかもこの場合、敏感な装置構成部分をそ
の作業位置から除去しなくても済むような装置および方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の装置の構成では、連結解除装置が、長手方向
スリットを有する、引上げエレメントまたは引上げ軸に
結合された連結リングと、茸形のヘッド部分を備えた、
種子結晶に結合された結晶ホルダと、前記ロックゲート
チャンバのカバープレートによって保持されたロックゲ
ートリングとから形成されており、該ロックゲートリン
グにロックエレメントまたはフラップが支承されてお
り、該フラップが、ロックゲート門形式で、水平な軸線
を中心にして水平なロック位置から、鉛直な開放位置へ
かつ鉛直な開放位置から水平なロック位置へ旋回可能で
あり、前記フラップの、ロック位置で互いに向かい合わ
された、フラップ旋回の軸線とは反対の側の端部に設け
られた端面が、一緒になって開口を形成していて、さら
に該端面が、結晶ホルダの軸部を取り囲んで該結晶ホル
ダを前記ロックゲートリングの平面にロックしているよ
うにした。
【０００８】さらに上記課題を解決するために本発明の
方法の構成では、引上げプロセスの完了後に、上側フレ
ームに設けられた旋回アームによって保持されたロック
ゲートチャンバを第１のステップで持ち上げ、この場
合、結晶を引上げ軸によって位置固定的に保持し、ロッ
クゲートチャンバに保持されたロックエレメントを、結
晶が懸吊されている結晶ホルダの下方にまで移動させ、
該結晶ホルダをロックゲートチャンバに対する所定の位
置に固定し、第２のステップでロックゲートチャンバを
結晶と共にさらに所定の量だけ持ち上げて、結晶ホルダ
に突設されたヘッド部分を連結リングから、ひいては引
上げ軸から引き離し、第３のステップで結晶をロックゲ
ートチャンバと共に旋回アームに懸吊した状態で水平方
向の運動で取出し位置にまで旋回させ、第４のステップ
で結晶を復動装置または往復台のバスケットにより持ち
上げて、結晶ホルダをロックエレメントから解除し、結
晶から分離させるようにした。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、完成した結晶が確実か
つ衝撃なくロックゲートチャンバから取出し可能とな
り、しかもこの場合、敏感な装置構成部分をその作業位
置から除去しなくても済むようになるという利点が得ら
れる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面につき詳しく説明する。
【００１１】図１に示したように、引上げ装置は４脚式
のベースフレーム６と、このベースフレーム６に装着さ
れた３脚式の上側フレーム２と、ベースフレーム６に載
設された真空チャンバ３と、この真空チャンバ３に内蔵
された坩堝と加熱装置と、下方から真空チャンバ３に突
入した坩堝支持ピン４と、カバープレート１５を備えた
引上げチャンバもしくはロックゲートチャンバ５と、駆
動スピンドル２７を備えた、上方からロックゲートチャ
ンバ５に突入した引上げエレメントとして働く引上げ軸
２２と、ロックゲートチャンバ５のための旋回支承部３
６を備えた旋回アーム２８とから成っている。
【００１２】結晶８と引上げ軸２２との間には、連結解
除装置７が設けられており、この連結解除装置７によっ
て結晶８は引上げ軸２２から分離することが可能とな
る。連結解除装置７は、長手方向スリット９を有する、
引上げ軸２２に結合された連結リング１０と、茸形のヘ
ッド部分１１を備えた、種子結晶に結合された結晶ホル
ダ１２と、ロックゲートチャンバ５のカバープレート１
５によって保持されたロックゲートリング１４とから形
成されている。このロックゲートリング１４にはロック
エレメントまたはフラップ１３，１３′が支承されてお
り、このフラップ１３，１３′は、ロックゲート門形式
で、水平な軸線３５，３５′を中心にして水平なロック
位置と、鉛直な開放位置との間で旋回可能である。フラ
ップ１３，１３′の、ロック位置で互いに向かい合わさ
れた、フラップ旋回の軸線３５，３５′とは反対の側の
端部に設けられた端面１６，１６′は、一緒になって開
口１７を形成していて（図４）、さらにこれらの端面１
６，１６′は、結晶ホルダ１２の軸部１９を取り囲ん
で、この結晶ホルダ１２をロックゲートリング１４の平
面にロックする。
【００１３】引上げ軸２２の下端部は、図２に示したよ
うに連結リング１０に固く結合されている。この連結リ
ング１０に設けられた長手方向スリット９の幅ｂは結晶
ホルダ１２のネック部分１８の直径よりも大きく形成さ
れているが、しかし茸形に成形されたヘッド部分１１の
直径よりも小さく形成されている。
【００１４】結晶８は引上げ過程の終了後にロックゲー
トチャンバ５内に存在していて、この場所で結晶ホルダ
１２に懸吊される。この引上げ過程後に引上げ軸２２は
回転運動により、図５に示した位置にまで移動させられ
て、規定の回転角度で停止する。この回転角度はイニシ
エータもしくは光検出器２５，２５′により測定され
る。この光検出器２５，２５′は、ロックゲートリング
１４に設けられたホルダ２４，２４′に配置されてい
る。光検出器２５，２５′の信号は、電気回路を介して
引上げ軸２２のための復動モータもしくは回転モータを
制御して、この復動モータもしくは回転モータを一時的
に遮断し、ひいては引上げ軸２２を停止させるようにな
っており、この場合、長手方向スリット９は、ロックゲ
ートチャンバ５の、フラップにより閉鎖可能な開口と整
合する。
【００１５】引上げ軸２２が規定の回転角度で停止した
後に、装置もしくはロックゲートチャンバ５が空気注入
されて、ベローズ２９がニューマチックシリンダによっ
てロックゲートチャンバ５から持ち上げられる。次い
で、ばね力と自重とにより、両フラップ１３，１３′が
矢印方向で水平な位置（ロック位置）へ旋回する（図６
参照）。
【００１６】ロックゲートチャンバ５もしくは上側のカ
バープレート１５の持上げにより、懸吊された結晶８を
有する結晶ホルダ１２はフラップ１３，１３′に載設さ
れる。引き続きロックゲート行程が連続的に行程量Ｄに
まで行われることにより、結晶ホルダ１２は引上げ軸２
２から離れ、この場合、茸形のヘッド部分１１（図２も
しくは図６参照）は連結リング１０から持ち上がるか、
もしくは引き離される。
【００１７】その後に、結晶８と結晶ホルダ１２とを有
するロックゲートチャンバ５は約９０゜の角度だけハイ
ドロリック的または電気的に軸３３を中心にして、旋回
アーム３４，３４′に懸吊された状態で、図１０もしく
は図７に示した位置にまで旋回させられる。
【００１８】結晶８とオペレータフロア３０との間に十
分な自由スペースを得るためには、ロックゲートチャン
バ５全体がもう一度約３０ｍｍだけ持ち上げられる（図
８参照）。
【００１９】引き続き、移動可能な往復台３１がロック
ゲートチャンバ５の下方へ移動させられ、バスケット３
２が上方に移動させられ、それから結晶８が載置される
か、もしくはロックゲートチャンバ５が結晶８に対して
約３００ｍｍだけ降下される（移動量Ｅ）。その後に、
ロックゲートチャンバ５が開かれて、種子結晶が切断さ
れる。
【００２０】往復台３１は結晶８と共に降下させられ
て、引き離される。
【００２１】ロックゲートチャンバ５を持ち上げて閉鎖
した後に、このロックゲートチャンバ５は再び戻し旋回
させられて、さらに残りの遊び経過が逆に行われた後
に、上記装置は再び始動できる状態となる。
【００２２】極めて長い結晶８の場合では、ハイドロリ
ック復動装置にロックピンが位置決めされ、これによっ
て引上げ容器もしくは真空チャンバ３がロックゲートチ
ャンバ５に固く結合される。ロックゲートチャンバ５の
持ち上げおよび旋回時では、真空チャンバ３が常に連行
される。
【００２３】この過程は引上げ容器もしくは真空チャン
バ３をクリーニングするために必要となる。この場合、
真空チャンバ３は旋回後に突起に載設され、ロックゲー
トチャンバは持ち上げられて、再び内方旋回させられ
る。その後に、真空チャンバを旋回させて、クリーニン
グすることができる。
【００２４】上記装置の組立は、逆の順序で行われる。
【００２５】念のため付言しておくと、結晶取出しは、
上記装置の連結された状態においても、開かれた扉を通
じて常時可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置の主要構成部分の構造を示す
斜視図である。
【図２】連結解除装置を一部断面して示す側面図であ
る。
【図３】図２のＣ―Ｄ線に沿った連結リングの断面図で
ある。
【図４】図２のＡ―Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】連結解除過程の第１の段階を示す連結解除装置
と結晶の概略図である。
【図６】連結解除過程の第２の段階を示す連結解除装置
と結晶の概略図である。
【図７】連結解除過程の第３の段階を示す連結解除装置
と結晶の概略図である。
【図８】連結解除過程の第４の段階を示す連結解除装置
と結晶の概略図である。
【図９】連結解除過程の第５の段階を示す連結解除装置
と結晶の概略図である。
【図１０】結晶を搬出するための往復台と、引上げ装置
から旋回させられたロックゲートチャンバとを示す側面
図である。
【符号の説明】
２ 上側フレーム、 ３ 真空チャンバ、 ４ 坩堝支
持ピン、 ５ ロックゲートチャンバ、 ６ ベースフ
レーム、 ７ 連結解除装置、 ８ 結晶、９ 長手方
向スリット、 １０ 連結リング、 １１ ヘッド部
分、 １２ 結晶ホルダ、 １３，１３′ フラップ、
１４ ロックゲートリング、 １５カバープレート、
１７ 開口、 １８ ネック部分、 １９ 軸部、
２２引上げ軸、 ２４，２４′ ホルダ、 ２５，２
５′ 光検出器、 ２７ 駆動スピンドル、 ２８ 旋
回アーム、 ２９ ベローズ、 ３０ オペレータフロ
ア、 ３１ 往復台、 ３２ バスケット、 ３３
軸、 ３４，３４′ 旋回アーム、 ３５，３５′ 軸
線、 ３６ 旋回支承部、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィンフリート シュールマン ドイツ連邦共和国 クラインオストハイム ハイデルベルガー シュトラーセ ３ (72)発明者 フランツ ティム ドイツ連邦共和国 アルツェナウ アム バッハグラーベン ７ (72)発明者 ヘルムート カイザー ドイツ連邦共和国 ブルーフケーベル イ ンネラー リング １ツェー

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 坩堝内に存在する溶融液から真空下また
    は保護ガス下に、減圧された圧力で単結晶を引き上げる
    ための装置であって、坩堝が、ベースフレーム（６）に
    支持された真空チャンバ（３）内で坩堝支持ピン（４）
    に配置されていて、加熱エレメントの熱放射線によって
    加熱可能であり、溶融液の上方に引上げエレメント（２
    ２）が設けられており、該引上げエレメント（２２）に
    より結晶（８）が溶融液表面から上方に向かって、ベー
    スフレーム（６）に対して側方に旋回可能なロックゲー
    トチャンバ（５）内へ引出し可能であり、さらに結晶
    （８）と引上げエレメント（２２）との間に連結解除装
    置（７）が設けられていて、該連結解除装置（７）が結
    晶（８）を引上げエレメント（２２）から分離するよう
    になっている形式のものにおいて、連結解除装置（７）
    が、長手方向スリット（９）を有する、引上げエレメン
    トまたは引上げ軸（２２）に結合された連結リング（１
    ０）と、茸形のヘッド部分（１１）を備えた、種子結晶
    に結合された結晶ホルダ（１２）と、前記ロックゲート
    チャンバ（５）のカバープレート（１５）によって保持
    されたロックゲートリング（１４）とから形成されてお
    り、該ロックゲートリング（１４）にロックエレメント
    またはフラップ（１３，１３′）が支承されており、該
    フラップ（１３，１３′）が、ロックゲート門形式で、
    水平な軸線（３５，３５′）を中心にして水平なロック
    位置から、鉛直な開放位置へかつ鉛直な開放位置から水
    平なロック位置へ旋回可能であり、前記フラップ（１
    ３，１３′）の、ロック位置で互いに向かい合わされ
    た、フラップ旋回の軸線（３５，３５′）とは反対の側
    の端部に設けられた端面（１６，１６′）が、一緒にな
    って開口（１７）を形成していて、さらに該端面（１
    ６，１６′）が、結晶ホルダ（１２）の軸部（１９）を
    取り囲んで該結晶ホルダ（１２）を前記ロックゲートリ
    ング（１４）の平面にロックしていることを特徴とす
    る、坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるた
    めの装置。
  2. 【請求項２】 側方で旋回可能でかつ高さ方向に移動可
    能なロックゲートチャンバ（５）が、前記ロックゲート
    リング（１４）に固く結合されており、前記フラップ
    （１３，１３′）が、前記ロックゲートリング（１４）
    に対して結晶ホルダ（１２）の上昇運動を可能にする
    が、しかし下降運動をロックするようになっており、し
    かも前記フラップ（１３，１３′）が、該フラップ（１
    ３，１３′）に作用する重力またはばね力によって支持
    されて、結晶ホルダ（１２）のヘッド部分（１１）の通
    過を阻止するようにロック位置へ旋回するようになって
    いる、請求項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記ロックゲートリング（１４）がホル
    ダ（２４，２４′）を備えており、該ホルダが、前記連
    結リング（１０）に対する結晶ホルダ（１２）の相対的
    な位置を検出する光検出器（２５，２５′）を有してお
    り、該光検出器（２５，２５′）の信号が、電気回路を
    介して引上げ軸（２２）のための復動モータもしくは回
    転モータを制御して、該復動モータもしくは回転モータ
    を一時的に遮断し、ひいては引上げ軸（２２）を停止さ
    せるようになっており、しかも前記長手方向スリット
    （９）が、ロックゲートチャンバ（５）の、フラップに
    より閉鎖可能な開口と整合するようになっている、請求
    項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 坩堝内に存在する溶融液から真空下また
    は保護ガス下に、減圧された圧力で単結晶を引き上げる
    ための方法であって、この場合、坩堝を、ベースフレー
    ム（６）に支承された真空チャンバ（３）内に配置し、
    ベースフレーム（６）によって保持された上側フレーム
    （２）に支持された引上げエレメント（２２）を溶融液
    の上方に設けて、該引上げエレメント（２２）によって
    結晶（８）を溶融液表面から上方に向かってロックゲー
    トチャンバ（５）内へ引き出せるようにし、さらに結晶
    （８）と引上げエレメント（２２）との間に連結解除装
    置（７）を設けて、該連結解除装置（７）により結晶
    （８）を引上げエレメント（２２）から分離する形式の
    ものにおいて、引上げプロセスの完了後に、上側フレー
    ム（２）に設けられた旋回アーム（３４，３４′）によ
    って保持されたロックゲートチャンバ（５）を第１のス
    テップで持ち上げ、この場合、結晶（８）を引上げ軸
    （２２）によって位置固定的に保持し、ロックゲートチ
    ャンバ（５）に保持されたロックエレメント（１３，１
    ３′）を、結晶（８）が懸吊されている結晶ホルダ（１
    ２）の下方にまで移動させ、該結晶ホルダ（１２）をロ
    ックゲートチャンバ（５）に対する所定の位置に固定
    し、第２のステップでロックゲートチャンバ（５）を結
    晶（８）と共にさらに所定の量だけ持ち上げて、結晶ホ
    ルダ（１２）に突設されたヘッド部分（１１）を連結リ
    ング（１０）から、ひいては引上げ軸（２２）から引き
    離し、第３のステップで結晶（８）をロックゲートチャ
    ンバ（５）と共に旋回アーム（２８）に懸吊した状態で
    水平方向の運動で取出し位置にまで旋回させ、第４のス
    テップで結晶（８）を復動装置または往復台（３１）の
    バスケットにより持ち上げて、結晶ホルダ（１２）をロ
    ックエレメントから解除し、結晶（８）から分離させる
    ことを特徴とする、坩堝内に存在する溶融液から単結晶
    を引き上げるための方法。
JP8268197A 1995-10-19 1996-10-09 坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるための装置および方法 Pending JPH09118587A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19538857.7 1995-10-19
DE19538857A DE19538857A1 (de) 1995-10-19 1995-10-19 Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09118587A true JPH09118587A (ja) 1997-05-06

Family

ID=7775211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8268197A Pending JPH09118587A (ja) 1995-10-19 1996-10-09 坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるための装置および方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5762703A (ja)
EP (1) EP0769577B1 (ja)
JP (1) JPH09118587A (ja)
KR (1) KR100191554B1 (ja)
DE (2) DE19538857A1 (ja)
TW (1) TW370579B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879452A (en) * 1996-01-25 1999-03-09 Ferrofluidics Corporation Czochralski crystal growth system with an independently supported pull head
DE19613282A1 (de) * 1996-04-03 1997-10-09 Leybold Ag Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
DE19709212A1 (de) * 1997-03-06 1998-09-10 Leybold Ag Vorrichtung zur Handhabung schwerer Bauteile einer in einem Traggestell abgestützten Kristallziehmaschine nach dem Czochralski-Verfahren
US6183556B1 (en) 1998-10-06 2001-02-06 Seh-America, Inc. Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck
CN109957833B (zh) * 2017-12-25 2020-10-27 有研半导体材料有限公司 一种预防单晶掉落的装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3822111A (en) * 1971-02-25 1974-07-02 Sony Corp Apparatus for pulling up semiconductor crystals
US4301120A (en) * 1980-09-02 1981-11-17 Ferrofluidics Corporation Chain introduction means for a crystal growth pulling head
US4350560A (en) * 1981-08-07 1982-09-21 Ferrofluidics Corporation Apparatus for and method of handling crystals from crystal-growing furnaces
JPH0791146B2 (ja) * 1987-02-13 1995-10-04 株式会社小松製作所 シリコン単結晶製造用加熱炉
JPS63315588A (ja) * 1987-06-16 1988-12-23 Nippon Fueroo Furuideikusu Kk 単結晶製造方法及びその装置
JP2605164B2 (ja) * 1990-05-28 1997-04-30 信越半導体 株式会社 単結晶棒搬出装置及びその搬送方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR970021379A (ko) 1997-05-28
DE59601489D1 (de) 1999-04-29
EP0769577A3 (de) 1997-05-07
KR100191554B1 (ko) 1999-06-15
EP0769577A2 (de) 1997-04-23
TW370579B (en) 1999-09-21
US5762703A (en) 1998-06-09
DE19538857A1 (de) 1997-04-24
EP0769577B1 (de) 1999-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4350560A (en) Apparatus for and method of handling crystals from crystal-growing furnaces
JPH09118587A (ja) 坩堝内に存在する溶融液から単結晶を引き上げるための装置および方法
WO2021184661A1 (zh) 一种透明根系栽培容器拍照系统
KR102086399B1 (ko) 실린더 헤드용 주조 장치
US6019838A (en) Crystal growing apparatus with melt-doping facility
CN115502373A (zh) 一种全自动取件放网沾水一体机
JP3158328B2 (ja) 単結晶引上装置用原料組み込み方法及び装置
JPH09165289A (ja) 単結晶インゴット把持装置および把持方法
JP3402040B2 (ja) 単結晶保持装置
US6443217B1 (en) Apparatus for producing cast metal articles and process
CN111957928A (zh) 一种大型铸件覆膜砂铸造方法
CN112501682B (zh) 一种半导体单晶炉中炉筒升降旋转装置
JP3816056B2 (ja) スパッタパレット装着装置
US5935329A (en) Lifting unit for a monocrystal puller
JP3109247B2 (ja) 鋳造装置
US6010569A (en) Device for handling heavy components of a crystal puller according to the Czochralski method which is supported in a supporting frame
US4742715A (en) Apparatus for the manipulation of probes
JP3003766B2 (ja) 管鋳造設備
JP4519764B2 (ja) 差圧鋳造装置
JPH07267772A (ja) 単結晶引上げ装置
CN116428998B (zh) 一种晶棒直径测量装置及测量方法
JPH07291784A (ja) 単結晶製造装置
JPH03218933A (ja) シリコン単結晶の取り出し運搬装置
JPH10310491A (ja) 単結晶の取り出し装置および取り出し方法
JPH02243586A (ja) 単結晶引上装置における単結晶搬出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061219

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070319

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070323

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070619

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080205