CN109957833B - 一种预防单晶掉落的装置 - Google Patents

一种预防单晶掉落的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109957833B
CN109957833B CN201711426647.0A CN201711426647A CN109957833B CN 109957833 B CN109957833 B CN 109957833B CN 201711426647 A CN201711426647 A CN 201711426647A CN 109957833 B CN109957833 B CN 109957833B
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
crystal
metal
stretching cylinder
connecting rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711426647.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109957833A (zh
Inventor
王雅楠
刘卓
韩秋雨
姜舰
翟顺元
张金义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd.
Original Assignee
Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Grinm Semiconductor Materials Co Ltd filed Critical Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
Priority to CN201711426647.0A priority Critical patent/CN109957833B/zh
Publication of CN109957833A publication Critical patent/CN109957833A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109957833B publication Critical patent/CN109957833B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种预防单晶掉落的装置。该装置包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托,下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端,下法兰上设有金属柱,金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔,金属弯头的下端与连接杆一端相连,连接杆的另一端连接底托。在取单晶时,先将晶体上升到拉伸筒内,将金属弯头挂在拉伸筒下法兰的金属柱子上,用连接杆连接好金属弯头与底托,将晶体下降,使晶体的尾部(尖)下降到底托的孔中,再将拉伸筒旋出。旋转到位后,将金属弯头从金属柱上取下,再将晶体落下取单晶棒。采用本发明的装置能够在取出单晶过程中预防发生意外,安全、方便地进行取棒操作。

Description

一种预防单晶掉落的装置
技术领域
本发明涉及一种预防单晶掉落的装置,属于半导体材料技术领域。
背景技术
直拉单晶制造法(Czochralski,CZ法)是从熔体中获得单晶的一种重要方法,随着硅单晶应用领域的扩展,目前绝大部分半导体和光伏硅单晶都用直拉CZ法生长。
随着热场尺寸的升级,投料量的不断增加,使单晶的重量不断增加,单晶拉制完成后取出单晶的手段也越来越趋向于通过拉伸筒(拉晶设备的主要组成部分)旋出后再降晶体的方式。虽然这种方式方便,但也伴随着一定风险,甚至是安全隐患。由于晶体直径的增加,晶体重量的增加,在拉伸筒旋出时,晶体不可避免的出现晃动、摆动,摆幅较大的甚至会与拉伸筒内侧接触、磕碰。而且这种摆动会瞬间增加籽晶的承受力,甚至使籽晶横向受力,在籽晶的细颈部分,直径大概在5mm左右,承受的力量是有限的,在横向受力时会出现断裂的情况。
如图2所示,现有的办法是在拉伸筒11的下沿制作一个旋转臂12,拉伸筒外旋时将旋转臂12旋转至拉伸筒11的正下方,防止晶体掉落。但该种办法只能起到预防的作用,减小意外发生的可能,但是一旦发生晶体掉落的情况,该方法对后续取棒、人员安全等保障毫无办法。
发明内容
本发明的目的是提供一种预防单晶掉落的装置,该装置通过减少单晶振动幅度的方式,预防意外的发生,安全、方便地进行取棒操作。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种预防单晶掉落的装置,包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托,下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端,下法兰上设有金属柱,金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔,金属弯头的下端与连接杆一端相连,连接杆的另一端连接底托。
所述连接杆为沿长度方向具有缝隙的长条形连接杆,连接杆的数量为三根。
所述底托的中心位置具有孔,并具有从该孔向外延伸的三根杆,该三根杆对称分布,在每根杆的端部均设有连接孔。
本发明的优点在于:
采用本发明的装置能够在取出单晶过程中预防发生意外,安全、方便地进行取棒操作。
附图说明
图1为本发明的装置的结构示意图。
图2为现有的设有旋转臂的拉伸筒的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明,但并不意味着对本发明保护范围的限制。
如图1所示,为本发明的装置的结构示意图。该装置包括单晶炉拉伸筒1、下法兰2、金属弯头3、连接杆4及底托5,下法兰2安装在单晶炉拉伸筒1的下端,下法兰2上设有金属柱6,金属弯头3上设有供该金属柱7穿过的孔,金属弯头3的下端与连接杆4一端相连,连接杆4的另一端连接底托5。连接杆4为沿长度方向具有缝隙6的长条形连接杆,连接杆4的数量为三根。
底托5的中心位置具有孔8,并具有从该孔8向外延伸的三根杆9,该三根杆对称分布,在每根杆的端部均设有用于连接天车的连接孔10。
在取单晶时,先将晶体上升到拉伸筒1内,将金属弯头3挂在下法兰2的金属柱子6上,用连接杆4连接好金属弯头3与底托5,将晶体下降,使晶体的尾部(尖)下降到底托5的孔8中,再将拉伸筒1旋出。这样能够大大减少拉伸筒旋出时晶体晃动、摆动,防止其与拉伸筒内侧接触、磕碰。拉伸筒旋转到位后,将金属弯头2从金属柱7上取下,再将晶体落下取单晶棒。
若一旦发生单晶脱落的情况,用帆布带穿过连接杆4上预留的缝隙6,自然将晶体环绕一周,起到保护单晶的作用,然后另取帆布带将底托5的三根杆9的端部的连接孔10与天车连接,提升天车。同时金属弯头3从金属柱7中脱离,再旋转金属弯头后即可操作天车,达到安全取单晶棒的目的。

Claims (2)

1.一种预防单晶掉落的装置,其特征在于,包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托,下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端,下法兰上设有金属柱,金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔,金属弯头的下端与连接杆一端相连,连接杆的另一端连接底托;所述连接杆为沿长度方向具有缝隙的长条形连接杆,连接杆的数量为三根;若一旦发生单晶脱落的情况,用帆布带穿过连接杆上的缝隙,自然将晶体环绕一周,起到保护单晶的作用。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述底托的中心位置具有孔,并具有从该孔向外延伸的三根杆,该三根杆对称分布,在每根杆的端部均设有连接孔。
CN201711426647.0A 2017-12-25 2017-12-25 一种预防单晶掉落的装置 Active CN109957833B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711426647.0A CN109957833B (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种预防单晶掉落的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711426647.0A CN109957833B (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种预防单晶掉落的装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109957833A CN109957833A (zh) 2019-07-02
CN109957833B true CN109957833B (zh) 2020-10-27

Family

ID=67021530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711426647.0A Active CN109957833B (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种预防单晶掉落的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109957833B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110846714B (zh) * 2019-12-16 2021-07-27 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶棒取出防护组件、晶棒取出装置及晶棒取出方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5762703A (en) * 1995-10-19 1998-06-09 Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag Method and apparatus for pulling monocrystals from a melt contained in a crucible
CN202017071U (zh) * 2010-11-23 2011-10-26 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种简易实用的硅单晶炉晶棒托架
CN203653749U (zh) * 2013-12-13 2014-06-18 英利能源(中国)有限公司 分体式托晶盘

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5762703A (en) * 1995-10-19 1998-06-09 Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag Method and apparatus for pulling monocrystals from a melt contained in a crucible
CN202017071U (zh) * 2010-11-23 2011-10-26 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种简易实用的硅单晶炉晶棒托架
CN203653749U (zh) * 2013-12-13 2014-06-18 英利能源(中国)有限公司 分体式托晶盘

Also Published As

Publication number Publication date
CN109957833A (zh) 2019-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201598821U (zh) 一种高处作业吊篮的钢丝绳悬挂系统
CN109957833B (zh) 一种预防单晶掉落的装置
CN104652911B (zh) 一种防倒杆装置
CN205803720U (zh) 纺织机架
CN105271024B (zh) 具有防风结构的塔吊
CN201762481U (zh) 单晶炉籽晶夹头机构
CN104638589B (zh) 管型母线吊装专用工具
JP5005747B2 (ja) 単結晶を引き上げるための装置
CN202706009U (zh) 脱钩器及强夯机
CN201268729Y (zh) 籽晶夹持装置
CN210933503U (zh) 一种带差速自锁器的高压输电线路铁塔防坠落装置
KR101389162B1 (ko) 단결정 성장장치 및 이에 적용된 원료공급장치와 원료공급방법
CN208016462U (zh) 一种重楼花果扶托装置
CN105293302B (zh) 具有防风功能的塔吊
CN202017071U (zh) 一种简易实用的硅单晶炉晶棒托架
CN202047167U (zh) 一种减小单晶硅拉制过程中晃动的装置
CN203754376U (zh) 井盖开启装置
CN105171395A (zh) 卧式大型螺母安装器
CN204938720U (zh) 航空导弹及炸弹发射装置吊挂
CN203295667U (zh) 一种硅棒提升夹具
KR100882578B1 (ko) 쵸크랄스키 결정성장 장치 및 이를 이용한 염폐기물의정제방법
CN209583474U (zh) 车斗防坠落装置
CN208080076U (zh) 一种文冠果栽种支撑装置
CN206502892U (zh) 一种直拉法单晶炉用分段式接晶框
CN207112310U (zh) 快装支架

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing

Patentee after: Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd.

Address before: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing

Patentee before: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder