JPH09118564A - 高誘電定数及び低温度係数を有するパイロクロールを基本とする酸化物 - Google Patents
高誘電定数及び低温度係数を有するパイロクロールを基本とする酸化物Info
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- JPH09118564A JPH09118564A JP8262618A JP26261896A JPH09118564A JP H09118564 A JPH09118564 A JP H09118564A JP 8262618 A JP8262618 A JP 8262618A JP 26261896 A JP26261896 A JP 26261896A JP H09118564 A JPH09118564 A JP H09118564A
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
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- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は高誘電定数及び低温度係数を有する
パイロクロールを基本とする酸化物を提供する。 【解決手段】 室温付近で、誘電定数をＰｂ2（Ｎｂ、
Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+xパイロクロール及びＰｂ（Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ）Ｏ3ペロブスカイトの相混合物であるバルク
セラミックスについて測定した。パイロクロールの誘電
定数の負の温度係数が、ペロブスカイトの誘電定数の正
の温度係数により、非常に良く補償される組成帯が見出
された。これらの組成は、約２００の誘電定数を有し、
１ＭＨｚではＱはほぼ２００で、広く研究されている高
誘電定数低Ｑチタン酸バリウム−ストロンチウムと低誘
電定数高Ｑチタン酸バリウム−ランタンの中間の誘電体
族を作っている。
パイロクロールを基本とする酸化物を提供する。 【解決手段】 室温付近で、誘電定数をＰｂ2（Ｎｂ、
Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+xパイロクロール及びＰｂ（Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ）Ｏ3ペロブスカイトの相混合物であるバルク
セラミックスについて測定した。パイロクロールの誘電
定数の負の温度係数が、ペロブスカイトの誘電定数の正
の温度係数により、非常に良く補償される組成帯が見出
された。これらの組成は、約２００の誘電定数を有し、
１ＭＨｚではＱはほぼ２００で、広く研究されている高
誘電定数低Ｑチタン酸バリウム−ストロンチウムと低誘
電定数高Ｑチタン酸バリウム−ランタンの中間の誘電体
族を作っている。
Description
【０００１】
【本発明の分野】本発明は容量要素の作製に有用な結晶
性セラミック材料に係り、セラミック材料は高い誘電定
数と、チタン酸バリウムストロンチウム・セラミック材
料に比べ、減少した誘電体の温度係数を有する。
性セラミック材料に係り、セラミック材料は高い誘電定
数と、チタン酸バリウムストロンチウム・セラミック材
料に比べ、減少した誘電体の温度係数を有する。
【０００２】
【本発明の背景】マイクロエレクトロニクス及び携帯用
デバイスの寸法を小さくしようとする努力が、現在用い
られている誘電材料の特性に、かなりの制約を置いてい
る。たとえば、大容量ダイナミックランダムアクセスメ
モリー（ＤＲＡＭ）の場合、かってチタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢＳＴ）のような高い誘電定数を有する
新種の材料を、マイクロエレクトロニクス容量に用いる
ことが考えられた（テイー・エイモリ（Ｔ．Ｅｉｍｏｒ
ｉ）ら、ＩＥＤＭ９３ ６３１（１９９３））。マイク
ロ波通信に用いるような巨視的な要素の場合、４０−９
０の誘電定数と０−２０ｐｐｍ／℃の誘電定数温度係数
を有するＢａ2Ｔｉ9Ｏ20及びＢａＬｎ2Ｔｉ5Ｏ14のよう
なバルクセラミックスが、現在活発に開発されている。
（ティー・ネガス（Ｔ．Ｎｅｇａｓ）、ジー・イエガー
（Ｇ．Ｙｅａｇｅｒ）、エス・ベル（Ｓ．Ｂｅｌｌ）及
びエヌ・コーツ（Ｎ．Ｃｏａｔｓ）、アメリカン・セラ
ミック・ソサイアティ・ブリテン（Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏ
ｃ．Ｂｕｌｌ．）７２ ８０（１９９３）及びエス・ニ
シガキ（Ｓ．Ｎｉｓｈｉｇａｋｉ）、エイチ・カトー
（Ｈ．Ｋａｔｏ）、エス・ヤノ（Ｓ．Ｙａｎｏ）及びア
ール・キムラ（Ｒ．Ｋｉｍｕｒａ）、セラミック・ブリ
テン（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ）６６１４０
５（１９８７）。
デバイスの寸法を小さくしようとする努力が、現在用い
られている誘電材料の特性に、かなりの制約を置いてい
る。たとえば、大容量ダイナミックランダムアクセスメ
モリー（ＤＲＡＭ）の場合、かってチタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢＳＴ）のような高い誘電定数を有する
新種の材料を、マイクロエレクトロニクス容量に用いる
ことが考えられた（テイー・エイモリ（Ｔ．Ｅｉｍｏｒ
ｉ）ら、ＩＥＤＭ９３ ６３１（１９９３））。マイク
ロ波通信に用いるような巨視的な要素の場合、４０−９
０の誘電定数と０−２０ｐｐｍ／℃の誘電定数温度係数
を有するＢａ2Ｔｉ9Ｏ20及びＢａＬｎ2Ｔｉ5Ｏ14のよう
なバルクセラミックスが、現在活発に開発されている。
（ティー・ネガス（Ｔ．Ｎｅｇａｓ）、ジー・イエガー
（Ｇ．Ｙｅａｇｅｒ）、エス・ベル（Ｓ．Ｂｅｌｌ）及
びエヌ・コーツ（Ｎ．Ｃｏａｔｓ）、アメリカン・セラ
ミック・ソサイアティ・ブリテン（Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓｏ
ｃ．Ｂｕｌｌ．）７２ ８０（１９９３）及びエス・ニ
シガキ（Ｓ．Ｎｉｓｈｉｇａｋｉ）、エイチ・カトー
（Ｈ．Ｋａｔｏ）、エス・ヤノ（Ｓ．Ｙａｎｏ）及びア
ール・キムラ（Ｒ．Ｋｉｍｕｒａ）、セラミック・ブリ
テン（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ）６６１４０
５（１９８７）。
【０００３】誘電定数の低い温度係数は、具体的な用途
に対し、容量特性の高い温度安定性が要件である時、重
要である。そのような安定性は強誘電性に伴う誘電定数
Ｋの高い温度依存性により、ＢＳＴのような高誘電定数
材料では、不可能である。
に対し、容量特性の高い温度安定性が要件である時、重
要である。そのような安定性は強誘電性に伴う誘電定数
Ｋの高い温度依存性により、ＢＳＴのような高誘電定数
材料では、不可能である。
【０００４】室温以下のキューリー温度（Ｔｃ）を有す
る強誘電体の高い負の温度係数を、室温以上のＴｃを有
する強誘電体の高い正の温度係数で平均化することは、
この分野の長い間の問題である。（エヌ・エイ・アンド
リーバ（Ｎ．Ａ．Ａｎｄｒｅｅｖａ）、オー・エイ・グ
ルシェフスカヤ（Ｏ．Ａ．Ｇｒｕｓｈｅｖｓｋａｙａ）
及びヴィ・アイ・ツコフスキー（Ｖ．Ｉ．Ｚｈｕｋｏｖ
ｓｋｉｉ）、ブリテン・アカデミック・サイエンス（Ｂ
ｕｌｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．）ＵＳＳＲ、フィジックス
・シリーズ（Ｐｈｙｓ．Ｓｅｒ．）２４ １２８１（１
９６０）。そのように混合することにより、比較的大き
な誘電定数、比較的小さな温度依存性及び平衡状態で用
いられる高いＴＣ強誘電体の量に依存する室温付近での
無視できない損失係数を持つと予想される。
る強誘電体の高い負の温度係数を、室温以上のＴｃを有
する強誘電体の高い正の温度係数で平均化することは、
この分野の長い間の問題である。（エヌ・エイ・アンド
リーバ（Ｎ．Ａ．Ａｎｄｒｅｅｖａ）、オー・エイ・グ
ルシェフスカヤ（Ｏ．Ａ．Ｇｒｕｓｈｅｖｓｋａｙａ）
及びヴィ・アイ・ツコフスキー（Ｖ．Ｉ．Ｚｈｕｋｏｖ
ｓｋｉｉ）、ブリテン・アカデミック・サイエンス（Ｂ
ｕｌｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．）ＵＳＳＲ、フィジックス
・シリーズ（Ｐｈｙｓ．Ｓｅｒ．）２４ １２８１（１
９６０）。そのように混合することにより、比較的大き
な誘電定数、比較的小さな温度依存性及び平衡状態で用
いられる高いＴＣ強誘電体の量に依存する室温付近での
無視できない損失係数を持つと予想される。
【０００５】高温強誘電体ペロブスカイトＰｂＮｂ2/3
Ｍｇ1/3Ｏ3及びＰｂＴｉＯ3及びそれらの混合物、プロ
セス及び化学的置換については、非常によく研究されて
いる。（たとえば、エム・テイ・ラナガン（Ｍ．Ｔ．Ｌ
ａｎａｇａｎ）、エヌ・ヤング（Ｎ．Ｙａｎｇ）、ディ
ー・シー・デューブ（Ｄ．Ｃ．Ｄｕｂｅ）及びエス ジ
ー・ジャン（Ｓ−Ｊ．Ｊａｎｇ）、ジャーナル・アメリ
カン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａ
ｍ．Ｓｏｃ．）７２ ４８１（１９８９）；ジェイ・チ
ェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイチ・エム・チャン（Ｈ．
Ｍ．Ｃｈａｎ）、エム・ピー・ハーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａ
ｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリカン・セラミック・ソ
サイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ＞Ｓｏｃ）７２ ５
９３（１９８９）；エム・レジェン（Ｍ．ＬｅＪｅｕｎ
ｅ）及びジェイ・ピー・ボイロット（Ｊ．Ｐ．Ｂｏｉｌ
ｏｔ）、アメリカン・セラミック・ソサイアティ・ブリ
テン（Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．）６４
６７９（１９８５）；及びエス・エル・スワルツ（Ｓ．
Ｌ．Ｓｗａｒｔｚ）、ティー・アール・シュラウト
（Ｔ．Ｒ．Ｓｈｒｏｕｔ）、ダヴリュ・エイ・シュルツ
（Ｗ．Ａ．Ｓｃｈｕｌｚｅ）及びエル・イー・クロス
（Ｌ．Ｅ．Ｃｒｏｓｓ）、ジャーナル・アメリカン・セ
ラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏ
ｃ．）６７ ３１１（１９８４））。パイロクローレ構
造Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ）2Ｏ6+x低Ｔｃ強誘電体も、かなり
注目をあびてきた。（ティー・アール・シュラウト
（Ｔ．Ｒ．Ｓｈｒｏｕｔ）及びエス・エル・スワルツ
（Ｓ．Ｌ．Ｓｗａｒｔｚ）、マテリアル・リサーチ・ブ
リテン（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｂｕｌｌ．）１８ ６６３
（１９８３）；及びジェイ・ディー・シーグワース
（Ｊ．Ｄ．Ｓｉｅｇｗａｒｔｈ）、ダヴリュー・エヌ・
ローレス（Ｗ．Ｎ．Ｌａｗｌｅｓｓ）及びエイ・ジェイ
・モロー（Ａ．Ｊ．Ｍｏｒｒｏｗ）；ジャーナル・アプ
ライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）４
７ ３７８９（１９７６））。しかし、全体をペロブス
カイト相材料として意図したセラミックス中の不純物相
として以外は、一般に実際的な関心がもたれなかった
（ジェイ・チェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）及びエム・ピー・ハ
ーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリ
カン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａ
ｍ．Ｓｏｃ．７３ ６８（１９９０）及びジェイ・チェ
ン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイ・ゴートン（Ａ．Ｇｏｒｔｏ
ｎ）、エイチ・エム・チャン（Ｈ．Ｍ．Ｃｈａｎ）及び
エム・ピー・ハーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）ジャー
ナル・アメリカン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６９ ３０３（１９８
６））。Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｚｎ）2Ｏ6+x パイロクロール−
ＰｂＴｉＯ3 ペロブスカイト系の研究により、１２０付
近のＫと、室温付近で約２００ｐｐｍ／℃のＴＣＫ（誘
電定数の温度係数）を有する多相セラミックスが見出さ
れている。（ジェイ・チェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイ・
ゴートン（Ａ．Ｇｏｒｔｏｎ）、エイチ・エム・チャン
（Ｈ．Ｍ．Ｃｈａｎ）及びエム・ピー・ハーマー（Ｍ．
Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリカン・セラミ
ック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．
６９ ３０３（１９８６））。同じ業者は７０−１００
の範囲のＫと、＋２００ないし−１２５ｐｐｍ／℃で、
Ｋ＝９０である組成で最低のＴＣＫとなる低ＴＣＫセラ
ミックスの存在を、Ｂｉ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−Ｎｂ2
Ｏ5系で見出した。（エイチ・シー・リング（Ｈ．Ｃ．
Ｌｉｎｇ）、エム・エフ・ヤン（Ｍ．Ｆ．Ｙａｎ）及び
ダヴリュ・ダヴリュ・ローデス（Ｗ．Ｗ．Ｒｈｏｄｅ
ｓ）、ジャーナル・マテリアル・リサーチ（Ｊ．Ｍａ
ｔ．Ｒｅｓ．）５ １７５２（１９９０））。
Ｍｇ1/3Ｏ3及びＰｂＴｉＯ3及びそれらの混合物、プロ
セス及び化学的置換については、非常によく研究されて
いる。（たとえば、エム・テイ・ラナガン（Ｍ．Ｔ．Ｌ
ａｎａｇａｎ）、エヌ・ヤング（Ｎ．Ｙａｎｇ）、ディ
ー・シー・デューブ（Ｄ．Ｃ．Ｄｕｂｅ）及びエス ジ
ー・ジャン（Ｓ−Ｊ．Ｊａｎｇ）、ジャーナル・アメリ
カン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａ
ｍ．Ｓｏｃ．）７２ ４８１（１９８９）；ジェイ・チ
ェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイチ・エム・チャン（Ｈ．
Ｍ．Ｃｈａｎ）、エム・ピー・ハーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａ
ｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリカン・セラミック・ソ
サイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ＞Ｓｏｃ）７２ ５
９３（１９８９）；エム・レジェン（Ｍ．ＬｅＪｅｕｎ
ｅ）及びジェイ・ピー・ボイロット（Ｊ．Ｐ．Ｂｏｉｌ
ｏｔ）、アメリカン・セラミック・ソサイアティ・ブリ
テン（Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．）６４
６７９（１９８５）；及びエス・エル・スワルツ（Ｓ．
Ｌ．Ｓｗａｒｔｚ）、ティー・アール・シュラウト
（Ｔ．Ｒ．Ｓｈｒｏｕｔ）、ダヴリュ・エイ・シュルツ
（Ｗ．Ａ．Ｓｃｈｕｌｚｅ）及びエル・イー・クロス
（Ｌ．Ｅ．Ｃｒｏｓｓ）、ジャーナル・アメリカン・セ
ラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏ
ｃ．）６７ ３１１（１９８４））。パイロクローレ構
造Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ）2Ｏ6+x低Ｔｃ強誘電体も、かなり
注目をあびてきた。（ティー・アール・シュラウト
（Ｔ．Ｒ．Ｓｈｒｏｕｔ）及びエス・エル・スワルツ
（Ｓ．Ｌ．Ｓｗａｒｔｚ）、マテリアル・リサーチ・ブ
リテン（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｂｕｌｌ．）１８ ６６３
（１９８３）；及びジェイ・ディー・シーグワース
（Ｊ．Ｄ．Ｓｉｅｇｗａｒｔｈ）、ダヴリュー・エヌ・
ローレス（Ｗ．Ｎ．Ｌａｗｌｅｓｓ）及びエイ・ジェイ
・モロー（Ａ．Ｊ．Ｍｏｒｒｏｗ）；ジャーナル・アプ
ライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）４
７ ３７８９（１９７６））。しかし、全体をペロブス
カイト相材料として意図したセラミックス中の不純物相
として以外は、一般に実際的な関心がもたれなかった
（ジェイ・チェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）及びエム・ピー・ハ
ーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリ
カン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａ
ｍ．Ｓｏｃ．７３ ６８（１９９０）及びジェイ・チェ
ン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイ・ゴートン（Ａ．Ｇｏｒｔｏ
ｎ）、エイチ・エム・チャン（Ｈ．Ｍ．Ｃｈａｎ）及び
エム・ピー・ハーマー（Ｍ．Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）ジャー
ナル・アメリカン・セラミック・ソサイアティ（Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．６９ ３０３（１９８
６））。Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｚｎ）2Ｏ6+x パイロクロール−
ＰｂＴｉＯ3 ペロブスカイト系の研究により、１２０付
近のＫと、室温付近で約２００ｐｐｍ／℃のＴＣＫ（誘
電定数の温度係数）を有する多相セラミックスが見出さ
れている。（ジェイ・チェン（Ｊ．Ｃｈｅｎ）、エイ・
ゴートン（Ａ．Ｇｏｒｔｏｎ）、エイチ・エム・チャン
（Ｈ．Ｍ．Ｃｈａｎ）及びエム・ピー・ハーマー（Ｍ．
Ｐ．Ｈａｒｍｅｒ）、ジャーナル・アメリカン・セラミ
ック・ソサイアティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．
６９ ３０３（１９８６））。同じ業者は７０−１００
の範囲のＫと、＋２００ないし−１２５ｐｐｍ／℃で、
Ｋ＝９０である組成で最低のＴＣＫとなる低ＴＣＫセラ
ミックスの存在を、Ｂｉ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−Ｎｂ2
Ｏ5系で見出した。（エイチ・シー・リング（Ｈ．Ｃ．
Ｌｉｎｇ）、エム・エフ・ヤン（Ｍ．Ｆ．Ｙａｎ）及び
ダヴリュ・ダヴリュ・ローデス（Ｗ．Ｗ．Ｒｈｏｄｅ
ｓ）、ジャーナル・マテリアル・リサーチ（Ｊ．Ｍａ
ｔ．Ｒｅｓ．）５ １７５２（１９９０））。
【０００６】
【本発明の要約】本発明は高ＴｃペロブスカイトＰｂ
（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ3 を少量添加した低Ｔｃパイク
ロール相Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+x の温度依存
性を平衡させる。
（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ3 を少量添加した低Ｔｃパイク
ロール相Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+x の温度依存
性を平衡させる。
【０００７】得られた材料はほぼ２００の誘電定数をも
ち、それは２０℃を中心とする８０℃の温度範囲で、±
１００ｐｐｍ変化する。Ｑ値はペロブスカイトの存在に
より、ほぼ２００である。それらの特性を考えると、こ
れらの新しい誘電材料は、マイクロエレクトロニクス用
に考えられるＢＳＴとバルク用に考えられているＢＬＴ
の中間の種類と考えられる。
ち、それは２０℃を中心とする８０℃の温度範囲で、±
１００ｐｐｍ変化する。Ｑ値はペロブスカイトの存在に
より、ほぼ２００である。それらの特性を考えると、こ
れらの新しい誘電材料は、マイクロエレクトロニクス用
に考えられるＢＳＴとバルク用に考えられているＢＬＴ
の中間の種類と考えられる。
【０００８】本発明において、Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ）2Ｏ6.5+x パイクロールとＰｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ）Ｏ3 ペロブスカイトを適当に混合して作られた誘電
材料は、ほぼ２００の誘電定数と、室温付近でパーセン
ト以下のＫの温度依存性をもつことがわかった。これら
の材料の化学的性質が、ＰＺＴのようなよく研究された
強誘電体ペロブスカイトと非常に似ているとすれば、そ
れらの材料を用いた電子デバイスの作製ですでに用いら
れ、よく知られた同じバルク形成プロセス及び薄膜堆積
技術が直接移せるはずである。比較的大きな誘電定数と
誘電定数の低い温度係数を組み合わせることにより、こ
れらの材料は、小体積、小面積及び良好な熱的安定性容
量要素を必要とするエレクトロニクスの用途に対する条
件を満たす可能性がある。
ｉ）2Ｏ6.5+x パイクロールとＰｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ）Ｏ3 ペロブスカイトを適当に混合して作られた誘電
材料は、ほぼ２００の誘電定数と、室温付近でパーセン
ト以下のＫの温度依存性をもつことがわかった。これら
の材料の化学的性質が、ＰＺＴのようなよく研究された
強誘電体ペロブスカイトと非常に似ているとすれば、そ
れらの材料を用いた電子デバイスの作製ですでに用いら
れ、よく知られた同じバルク形成プロセス及び薄膜堆積
技術が直接移せるはずである。比較的大きな誘電定数と
誘電定数の低い温度係数を組み合わせることにより、こ
れらの材料は、小体積、小面積及び良好な熱的安定性容
量要素を必要とするエレクトロニクスの用途に対する条
件を満たす可能性がある。
【０００９】
【本発明の詳細な説明】本発明において、高い誘電定数
とその小さな温度依存性の良い組合せは、平面状の四元
系ＰｂＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ2Ｏ5−ＴｉＯ2で可能なことが
わかった。この場合、ペロブスカイト及びパイロクロー
ルが平衡にあり、たとえば１ＰｂＯ：Σ（Ｍｇ＋Ｔｉ＋
Ｎｂ）＝１が好ましい。最も適切で好ましい材料は、Ｐ
ｂ2Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ0.65−ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＭｇ1/3
Ｎｂ2/3Ｏ3三角形の中にある。
とその小さな温度依存性の良い組合せは、平面状の四元
系ＰｂＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ2Ｏ5−ＴｉＯ2で可能なことが
わかった。この場合、ペロブスカイト及びパイロクロー
ルが平衡にあり、たとえば１ＰｂＯ：Σ（Ｍｇ＋Ｔｉ＋
Ｎｂ）＝１が好ましい。最も適切で好ましい材料は、Ｐ
ｂ2Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ0.65−ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＭｇ1/3
Ｎｂ2/3Ｏ3三角形の中にある。
【００１０】これらの材料の粉末Ｘ線回折評価により、
Ｎｂ、Ｍｇ及びＴｉはパイクロール及びペロブスカイト
両相で広い範囲の固溶体を形成し、単一相及び多相材料
の両方の誘電定数を有し、多相材料は遷移金属比の関数
として、著しく変化することがわかった。適切に補償さ
れた材料である好ましい混合物は、（回折測定から見積
って）９０−９５％Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+x
パイクローレと５−１０％Ｐｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ
3 ペロブスカイトの混合物であった。パイロクロールの
ＴＣＫを補償するために必要な比較的少量のペロブスカ
イト相は、合成材料のＱ値を妨げ、強誘電体ペロブスカ
イトの損失に支配され、劣化ないし極めて低い値にな
る。
Ｎｂ、Ｍｇ及びＴｉはパイクロール及びペロブスカイト
両相で広い範囲の固溶体を形成し、単一相及び多相材料
の両方の誘電定数を有し、多相材料は遷移金属比の関数
として、著しく変化することがわかった。適切に補償さ
れた材料である好ましい混合物は、（回折測定から見積
って）９０−９５％Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+x
パイクローレと５−１０％Ｐｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ
3 ペロブスカイトの混合物であった。パイロクロールの
ＴＣＫを補償するために必要な比較的少量のペロブスカ
イト相は、合成材料のＱ値を妨げ、強誘電体ペロブスカ
イトの損失に支配され、劣化ないし極めて低い値にな
る。
【００１１】以下の例は例を示すことを意図したもの
で、いずれにしても、本発明の視野を限定することを意
図したものではない。
で、いずれにしても、本発明の視野を限定することを意
図したものではない。
【００１２】
【例】セラミック合成の出発材料は、ＰｂＯ、Ｎｂ
2Ｏ5、ＴｉＯ2及びＭｇ（ＯＨ）2であった。粉末は適当
なモル比率で混合し、攪拌モーター及び乳棒で、機械的
に粉砕した。粉末は高密度の被覆されたＡｌ2Ｏ3るつぼ
中で、大気中において燃焼した。最初の処理は約８００
℃で約１６時間、続いて約８５０℃で１６時間であっ
た。再粉砕後、粉末は約４時間、約９２５℃において燃
焼し、約３時間、約１０００℃において燃焼した。粉末
は次に３度目の粉砕をし、０．５インチ径のペレットに
加圧し、直径２０ｍｍ、高さ４ｍｍのカバーされたるつ
ぼ中で、約４時間、約１１００℃において、次に約３時
間、約１２００℃において燃焼した。カバーと短い反応
時間は、ＰｂＯの揮発性に対する予防策で、ペレットの
誘電特性を試験する前に、表面を粉砕した。ＰｂＯの損
失は示されなかった。
2Ｏ5、ＴｉＯ2及びＭｇ（ＯＨ）2であった。粉末は適当
なモル比率で混合し、攪拌モーター及び乳棒で、機械的
に粉砕した。粉末は高密度の被覆されたＡｌ2Ｏ3るつぼ
中で、大気中において燃焼した。最初の処理は約８００
℃で約１６時間、続いて約８５０℃で１６時間であっ
た。再粉砕後、粉末は約４時間、約９２５℃において燃
焼し、約３時間、約１０００℃において燃焼した。粉末
は次に３度目の粉砕をし、０．５インチ径のペレットに
加圧し、直径２０ｍｍ、高さ４ｍｍのカバーされたるつ
ぼ中で、約４時間、約１１００℃において、次に約３時
間、約１２００℃において燃焼した。カバーと短い反応
時間は、ＰｂＯの揮発性に対する予防策で、ペレットの
誘電特性を試験する前に、表面を粉砕した。ＰｂＯの損
失は示されなかった。
【００１３】ペレット表面に塗った１：１Ｇａ：Ｉｎ合
金で、接触を作った。ＨＰ４１９２Ａインピーダンス・
アナライザで１００ｋＨｚ及び１ＭＨｚにおいて、誘電
定数及び誘電正接（損失正接）を測定した。ＲＡＮＳＣ
Ｏ温度可変容器内で、−２０ないし６０℃において温度
変化をさせた。
金で、接触を作った。ＨＰ４１９２Ａインピーダンス・
アナライザで１００ｋＨｚ及び１ＭＨｚにおいて、誘電
定数及び誘電正接（損失正接）を測定した。ＲＡＮＳＣ
Ｏ温度可変容器内で、−２０ないし６０℃において温度
変化をさせた。
【００１４】本発明において、Ｐｂ−Ｎｂ−Ｍｇ−Ｔｉ
−Ｏ相図の研究は、（Ｎｂ2Ｏ5＋ＭｇＯ＋ＴｉＯ2）の
合成に対するＰｂＯの比が１：１に等しい三元面、たと
えばＰｂＴｉＯ3を含む面及びＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3ペ
ロブスカイト、Ｐｂ2Ｎｂ2Ｏ7及びＰｂ2Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3
Ｏ6.5パイロクロールに中心を置いた。２０℃における
誘電定数及びそれらの温度依存性を、各種の組成で測定
した。
−Ｏ相図の研究は、（Ｎｂ2Ｏ5＋ＭｇＯ＋ＴｉＯ2）の
合成に対するＰｂＯの比が１：１に等しい三元面、たと
えばＰｂＴｉＯ3を含む面及びＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3ペ
ロブスカイト、Ｐｂ2Ｎｂ2Ｏ7及びＰｂ2Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3
Ｏ6.5パイロクロールに中心を置いた。２０℃における
誘電定数及びそれらの温度依存性を、各種の組成で測定
した。
【００１５】図１に示された相図の特定の一つの領域
は、高誘電定数（Ｋ）と誘電定数の低温度依存性（ＴＣ
Ｋ）の良好な組合せを示すことがわかった。図１は１Ｐ
ｂＯ：（ｘＮｂ＋ｙＭｇ＋ｚＴｉ）Ｏ５／２ｘ＋ｙ＋２
ｚ四元面のこの小さな部分中の１００ないし４００Ｋに
おけるΔＫ＝５０の間隔でとった輪郭を示す。ここで、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。Ｋ＝２００の輪郭の付近で、図
１の影をつけた領域により示されているのは、低誘電定
数における負から、高誘電定数における正へ、ＴＣＫが
符号を変える組成の組である。正のＴＣＫが増すにつ
れ、誘電定数が高くなり、Ｐｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ
3ペロブスカイト相の比率が増す。この影をつけた組成
領域の２つの部分を、より詳細に調べるため、選択し
た。０．１５Ｔｉ付近と、０．２０−０．２５Ｔｉ含有
量の間で、室温付近で高いＫと低いＴＣＫの最も平衡の
とれた組成を見出すのが目的である。
は、高誘電定数（Ｋ）と誘電定数の低温度依存性（ＴＣ
Ｋ）の良好な組合せを示すことがわかった。図１は１Ｐ
ｂＯ：（ｘＮｂ＋ｙＭｇ＋ｚＴｉ）Ｏ５／２ｘ＋ｙ＋２
ｚ四元面のこの小さな部分中の１００ないし４００Ｋに
おけるΔＫ＝５０の間隔でとった輪郭を示す。ここで、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。Ｋ＝２００の輪郭の付近で、図
１の影をつけた領域により示されているのは、低誘電定
数における負から、高誘電定数における正へ、ＴＣＫが
符号を変える組成の組である。正のＴＣＫが増すにつ
れ、誘電定数が高くなり、Ｐｂ（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ
3ペロブスカイト相の比率が増す。この影をつけた組成
領域の２つの部分を、より詳細に調べるため、選択し
た。０．１５Ｔｉ付近と、０．２０−０．２５Ｔｉ含有
量の間で、室温付近で高いＫと低いＴＣＫの最も平衡の
とれた組成を見出すのが目的である。
【００１６】詳細に検討した最善の材料についての誘電
体のデータが、表１に示されている。ここに示されたデ
ータは、図１中の影をつけた領域の０．２５Ｔｉとの交
点付近の領域に集中している。表１及び図２及び図３
は、１００ｋＨｚのデータを示し、１ＭＨｚにおけるデ
ータは、著しく異なる。
体のデータが、表１に示されている。ここに示されたデ
ータは、図１中の影をつけた領域の０．２５Ｔｉとの交
点付近の領域に集中している。表１及び図２及び図３
は、１００ｋＨｚのデータを示し、１ＭＨｚにおけるデ
ータは、著しく異なる。
【表１】
【００１７】平衡のとれた組成に対する誘電定数は、１
８０−２４０の範囲で、Ｄの値（＝ｔａｎδ）は０．０
０５−０．００７の範囲にある。材料の一般的な振舞い
は、組成のわずかな変化に対して、比較的一定、すなわ
ち２００付近のＫに対して、材料はよく平衡がとれる
が、室温付近のＫの詳細な温度依存性は、組成のわずか
な変化に、かなり敏感である。これはたとえば表１にお
いて、Ｐｂ1±0.03Ｎｂ0 .65Ｍｇ0.105Ｔｉ0.245Ｏxの特
性に対するＰｂ過剰及び欠乏の関数として、明らかであ
る。また、Ｎｂ、Ｍｇ及びＴｉ含有量に対し、Ｔ対Ｋの
詳細では、±１−２％の感度がある。
８０−２４０の範囲で、Ｄの値（＝ｔａｎδ）は０．０
０５−０．００７の範囲にある。材料の一般的な振舞い
は、組成のわずかな変化に対して、比較的一定、すなわ
ち２００付近のＫに対して、材料はよく平衡がとれる
が、室温付近のＫの詳細な温度依存性は、組成のわずか
な変化に、かなり敏感である。これはたとえば表１にお
いて、Ｐｂ1±0.03Ｎｂ0 .65Ｍｇ0.105Ｔｉ0.245Ｏxの特
性に対するＰｂ過剰及び欠乏の関数として、明らかであ
る。また、Ｎｂ、Ｍｇ及びＴｉ含有量に対し、Ｔ対Ｋの
詳細では、±１−２％の感度がある。
【００１８】いくつかの代表的な材料についての誘電定
数の温度依存性が、図２及び図３に示されている。たと
えば、図２に示されている２０℃付近のＴ対Ｋの極小
は、ペロブスカイト相とパイロクロール相についてのＫ
の正と負の温度係数間の、良好な平衡の結果である。図
３は鉛の過剰又は欠乏を導くＴ対Ｋの感度を示し、“化
学量論的”ＰｂＯ：（Ｎｂ＋Ｔｉ＋Ｍｇ）＝１：１の比
近くで、最も良く平衡した組成となる。図２及び表１
は、２０℃付近を中心とし、高いＫをもつ良く平衡のと
れた最善の材料は、Ｐｂ1.01Ｎｂ0.65Ｍｇ0.10Ｔｉ0.25
Ｏx で、誘電定数は約１８０、３０℃におけるＴ対Ｋの
非常に浅い極小をもつことを示している。また、約２３
０というかなり高い誘電定数を有する材料ＰｂＮｂ
0.645Ｍｇ0.105Ｔｉ0.25Ｏx は、電子的要素に対して通
常の動作温度として予想される２０ないし６０℃の温度
で、きわめて良く平衡し、その温度範囲でＫの大きさは
０．２％変化することに、注意することが重要である。
数の温度依存性が、図２及び図３に示されている。たと
えば、図２に示されている２０℃付近のＴ対Ｋの極小
は、ペロブスカイト相とパイロクロール相についてのＫ
の正と負の温度係数間の、良好な平衡の結果である。図
３は鉛の過剰又は欠乏を導くＴ対Ｋの感度を示し、“化
学量論的”ＰｂＯ：（Ｎｂ＋Ｔｉ＋Ｍｇ）＝１：１の比
近くで、最も良く平衡した組成となる。図２及び表１
は、２０℃付近を中心とし、高いＫをもつ良く平衡のと
れた最善の材料は、Ｐｂ1.01Ｎｂ0.65Ｍｇ0.10Ｔｉ0.25
Ｏx で、誘電定数は約１８０、３０℃におけるＴ対Ｋの
非常に浅い極小をもつことを示している。また、約２３
０というかなり高い誘電定数を有する材料ＰｂＮｂ
0.645Ｍｇ0.105Ｔｉ0.25Ｏx は、電子的要素に対して通
常の動作温度として予想される２０ないし６０℃の温度
で、きわめて良く平衡し、その温度範囲でＫの大きさは
０．２％変化することに、注意することが重要である。
【図１】Ｐｂ：Σ（Ｎｂ＋Ｍｇ＋Ｔｉ）＝１：１の面に
おけるＰｂＯ−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｇＯ−ＴｉＯ2相図の一部
で、輪郭は２０℃における誘電定数の値を表わし、影に
した領域はＴ対Ｋの傾斜が低いＫにおける負から、高い
Ｋにおける正に変化する組成領域を示す図。
おけるＰｂＯ−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｇＯ−ＴｉＯ2相図の一部
で、輪郭は２０℃における誘電定数の値を表わし、影に
した領域はＴ対Ｋの傾斜が低いＫにおける負から、高い
Ｋにおける正に変化する組成領域を示す図。
【図２】最も良く補償されたいくつかの材料についての
２０℃付近におけるＫの温度変化を示す図。
２０℃付近におけるＫの温度変化を示す図。
【図３】Ｐｂ過剰及び欠乏の関数として、具体的なＮ
ｂ：Ｍｇ：Ｔｉ比に対する２０℃付近におけるＫの温度
変化を示す図。
ｂ：Ｍｇ：Ｔｉ比に対する２０℃付近におけるＫの温度
変化を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス ジョセフ クラジャウスキー アメリカ合衆国 08869 ニュージャーシ ィ，ラリタン，オバート ドライヴ 10 (72)発明者 ウィリアム フレデリック ペック アメリカ合衆国 08807 ニュージャーシ ィ，ブリッジウォーター，マウンテンサイ ド レーン 120
Claims (7)
- 【請求項１】 ヘロブスカイトとパイロクロールが本質
的に平衡する面における四元系ＰｂＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ2
Ｏ5−ＴｉＯ2を含む高誘電定数と誘電定数の小さな温度
依存性を有する誘電材料。 - 【請求項２】 １ＰｂＯ：Σ（Ｍｇ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）が約
１である請求項１記載の誘電材料。 - 【請求項３】 Ｐｂ2Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ6.5−ＰｂＴｉＯ
3−ＰｂＭｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ3三角形内にある請求項１記載
の誘電材料。 - 【請求項４】 低Ｔｃパイクロール相Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ）2Ｏ6+xと高ＴｃペロブスカイトＰｂ（Ｎｂ、
Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ3の誘電定数の低温度依存性を生じるの
に効果的な量の混合物を含む誘電体材料。 - 【請求項５】 約９０−９５％Ｐｂ2（Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ）2Ｏ6+Xパイロクロール及び約５−１０％Ｐｂ（Ｎ
ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ）Ｏ3ペロブスカイトを含む請求項３記
載の誘電体材料。 - 【請求項６】 混合物はＰｂＴｉＯ3及びＰｂＭｇ1/3Ｎ
ｂ2/3Ｏ3ペロブスカイトと Ｐｂ2Ｎｂ2Ｏ7及びＰｂ2Ｍ
ｇ1/3Ｎｂ2/3Ｏ6.5パイロクロールを含む面を含む請求
項１記載の材料。 - 【請求項７】 ０.９＜ ｘ ＜１.１、 ０.６＜ ｙ ＜
０.８、 ０.０５＜ ｚ＜０.１５、及び ０.１０＜ ±
＜０.３０であるＰｂxＮｂyＭｇzＴｉz酸化物を含む請
求項１記載の誘電材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/538,318 US5658485A (en) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | Pyrochlore based oxides with high dielectric constant and low temperature coefficient |
| US08/538318 | 1995-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09118564A true JPH09118564A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=24146416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8262618A Pending JPH09118564A (ja) | 1995-10-03 | 1996-10-03 | 高誘電定数及び低温度係数を有するパイロクロールを基本とする酸化物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5658485A (ja) |
| EP (1) | EP0767153B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09118564A (ja) |
| KR (1) | KR970021024A (ja) |
| DE (1) | DE69619761D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317780A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型ｐｔｃサーミスタ素子 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996020503A1 (fr) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | Seiko Epson Corporation | Element piezo-electrique a couche mince, son procede de preparation et tete d'ecriture a jet d'encre produite a l'aide dudit element |
| JPH09208312A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US6471392B1 (en) | 2001-03-07 | 2002-10-29 | Holl Technologies Company | Methods and apparatus for materials processing |
| US6742774B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-06-01 | Holl Technologies Company | Process for high shear gas-liquid reactions |
| US6652805B2 (en) | 1999-07-02 | 2003-11-25 | Holl Technologies Company | Highly filled composites of powdered fillers and polymer matrix |
| US6391082B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-05-21 | Holl Technologies Company | Composites of powdered fillers and polymer matrix |
| US7538237B2 (en) * | 1999-07-02 | 2009-05-26 | Kreido Laboratories | Process for high shear gas-liquid reactions |
| US6830806B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-12-14 | Kreido Laboratories | Methods of manufacture of electric circuit substrates and components having multiple electric characteristics and substrates and components so manufactured |
| EP1446222A2 (en) * | 2001-09-13 | 2004-08-18 | Holl Technologies Company | Methods and apparatus for transfer of heat energy between a body surface and heat transfer fluid |
| US6787246B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-09-07 | Kreido Laboratories | Manufacture of flat surfaced composites comprising powdered fillers in a polymer matrix |
| US7098360B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-08-29 | Kreido Laboratories | Processes employing multiple successive chemical reaction process steps and apparatus therefore |
| WO2004025260A2 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Kreido Laboratories | Methods and apparatus for high-shear mixing and reacting of materials |
| WO2004030802A2 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Kreido Laboratories | Apparatus for transfer of heat energy between a body surface and heat transfer fluid |
| US7952349B2 (en) * | 2002-12-09 | 2011-05-31 | Ferro Solutions, Inc. | Apparatus and method utilizing magnetic field |
| US20090062886A1 (en) * | 2002-12-09 | 2009-03-05 | Ferro Solutions, Inc. | Systems and methods for delivering electrical energy in the body |
| US7808236B1 (en) | 2002-12-09 | 2010-10-05 | Ferro Solutions, Inc. | Energy harvester utilizing external magnetic field |
| US7569952B1 (en) | 2003-04-18 | 2009-08-04 | Ferro Solutions, Inc. | High efficiency, inductive vibration energy harvester |
| CN107793153B (zh) * | 2017-11-20 | 2018-07-03 | 首凯汽车零部件（江苏）有限公司 | 一种复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3586118D1 (de) * | 1984-10-25 | 1992-07-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Keramische zusammensetzung mit hoher dielektrischer konstante. |
| JPS63141205A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器 |
| US5192723A (en) * | 1990-09-04 | 1993-03-09 | Nikon Corporation | Method of phase transition, method for producing lead niobate-based complex oxide utilizing said phase transition method, and lead niobate-based complex oxide produced by said method |
-
1995
- 1995-10-03 US US08/538,318 patent/US5658485A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-09-25 EP EP96306966A patent/EP0767153B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-25 DE DE69619761T patent/DE69619761D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-02 KR KR1019960043671A patent/KR970021024A/ko not_active Ceased
- 1996-10-03 JP JP8262618A patent/JPH09118564A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317780A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型ｐｔｃサーミスタ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69619761D1 (de) | 2002-04-18 |
| EP0767153B1 (en) | 2002-03-13 |
| EP0767153A1 (en) | 1997-04-09 |
| US5658485A (en) | 1997-08-19 |
| KR970021024A (ko) | 1997-05-28 |
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