JPH09116867A - Frequency modulation circuit - Google Patents

Frequency modulation circuit

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JPH09116867A
JPH09116867A JP7268100A JP26810095A JPH09116867A JP H09116867 A JPH09116867 A JP H09116867A JP 7268100 A JP7268100 A JP 7268100A JP 26810095 A JP26810095 A JP 26810095A JP H09116867 A JPH09116867 A JP H09116867A
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JP
Japan
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current
circuit
voltage
frequency
transistor
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Application number
JP7268100A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Tokita
雅弘 時田
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Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a frequency modulation circuit which can set a deviated frequency to be non-regulated by adopting prescribed circuit constitution. SOLUTION: The modulation circuit consists of a current luminance signal generation block 1, a differential current amplifier circuit 2 and a current control type oscillation circuit 3. Voltage current conversion circuits Q8, Q6 and R2, offset current generation circuits Q9, Q11 and R3 and current addition circuits Q9, Q5 and Q8 are included in the current luminance signal generation block 1, The differential current amplifier circuit 2 is provided with a constant current source where a current value is adjusted to 2 × ICAR and it outputs control current proportional to the change of addition current outputted from the current addition circuit ICAR becomes the current value of control current in which the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit 3 becomes the carrier frequency of the sink chip voltage of a voltage luminance signal, which is previosuly regulated. The oscillation frequency of the current control type oscillation circuit 3 is varied by outputted control current.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
等に使用される周波数変調回路に係わり、特に、半導体
集積回路で構成される周波数変調回路における偏移周波
数の無調整化に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frequency modulation circuit used in a video tape recorder or the like, and is particularly effective when applied to adjustment of the shift frequency in a frequency modulation circuit composed of a semiconductor integrated circuit. Related technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】ビデオテープレコーダ(以下、VTRと
称す。)では、テープヘッド系が直流まで記録できない
こと、再生出力にレベル変動が含まれる等の理由によ
り、輝度信号を周波数変調回路(FM変調回路)で所定
の搬送周波数に周波数変調(FM変調)して記録するよ
うにしている。
2. Description of the Related Art In a video tape recorder (hereinafter referred to as "VTR"), a luminance signal is modulated by a frequency modulation circuit (FM modulation) because a tape head system cannot record up to direct current and a reproduction output includes level fluctuation. The circuit is frequency-modulated (FM-modulated) to a predetermined carrier frequency for recording.

【0003】この場合に、この周波数変調回路は、近年
の小型化、低価格化に対応するために、通常、半導体集
積回路(以下、ICと称す。)で構成される。
In this case, the frequency modulation circuit is usually composed of a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) in order to cope with recent miniaturization and cost reduction.

【0004】図6は、NTSC、VHS方式のVTRに
おいて、周波数変調回路で周波数変調される電圧輝度信
号と、その搬送周波数との関係を説明するための模式図
である。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the relationship between a voltage luminance signal frequency-modulated by a frequency modulation circuit and its carrier frequency in an NTSC or VHS type VTR.

【0005】図6に示すように、NTSC、VHS方式
のVTRでは、例えば、シンクチップ電圧(VST)の
搬送周波数は3.4MHz±100KHz以内、100
%輝度(白ピークレベル)信号の振幅電圧(VWP)の
搬送周波数は4.4MHz±100KHz以内であり、
その偏移周波数は1MHz±100KHz以内と規定さ
れている。
As shown in FIG. 6, in the NTSC and VHS type VTR, for example, the carrier frequency of the sync tip voltage (VST) is within 3.4 MHz ± 100 KHz, 100
The carrier frequency of the amplitude voltage (VWP) of the% luminance (white peak level) signal is within 4.4 MHz ± 100 KHz,
The shift frequency is specified within 1 MHz ± 100 KHz.

【0006】しかしながら、この周波数変調回路を、I
Cで構成した場合には、内蔵される抵抗およびコンデン
サの絶対精度の関係から、前記した搬送周波数を無調整
で実現するのは困難であり、ICの外部に搬送周波数調
整用の調整部品、例えば、可変抵抗等を設け、その調整
部品を調整することにより、外部から周波数変調器の搬
送周波数を調整していた。
However, this frequency modulation circuit is
In the case of C, it is difficult to realize the above-mentioned carrier frequency without adjustment because of the absolute accuracy of the built-in resistor and capacitor, and it is necessary to adjust the carrier frequency outside the IC, for example, an adjusting component for adjusting the carrier frequency. The carrier frequency of the frequency modulator has been adjusted from the outside by providing a variable resistor, etc. and adjusting the adjusting parts.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、外部か
ら周波数変調器の搬送周波数を調整する方法では、調整
部品の実装工程、調整工程等の負担がかかり、コストア
ップの要因となる。
However, the method of adjusting the carrier frequency of the frequency modulator from the outside imposes a burden on the step of mounting the adjusting component, the adjusting step, etc., which causes a cost increase.

【0008】そこで、外部から周波数変調器の搬送周波
数を調整する代わりに、IC内部のトリミングによっ
て、周波数変調器の搬送周波数を調整する方法も考えら
れるが、この方法においても、ICのチップサイズが増
大し、また、製造工程も増えるため、コストアップの要
因となる。
Therefore, instead of adjusting the carrier frequency of the frequency modulator from the outside, a method of adjusting the carrier frequency of the frequency modulator by trimming inside the IC can be considered, but in this method as well, the chip size of the IC is reduced. This also increases the number of manufacturing processes, which causes a cost increase.

【0009】このため、根本的な対応として、周波数変
調器の無調整化が強く要望されている。
Therefore, as a fundamental measure, there is a strong demand for no adjustment of the frequency modulator.

【0010】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、FM変
調回路において、偏移周波数を無調整化できる技術を提
供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a technique capable of making the shift frequency non-adjustable in an FM modulation circuit. .

【0011】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0013】(1)シンクチップの直流レベルが所定の
電位に固定され、かつ、100%輝度信号の振幅レベル
が一定に管理された電圧輝度信号を電流輝度信号に変換
する電圧電流変換回路と、一定のオフセット電流を生成
するオフセット電流生成回路と、前記電圧電流変換回路
から出力される電流輝度信号に前記オフセット電流生成
回路から出力されるオフセット電流を所定の加算比で加
算する電流加算回路と、電流値が(2×ICAR)に調
整されている定電流源を有し、前記電流加算回路から出
力される加算電流の変化に比例する制御電流を出力する
差動電流増幅回路と、前記差動電流増幅回路から出力さ
れる制御電流により発振周波数が可変される電流制御型
発振回路とを備え、かつ、前記(ICAR)が、前記電
流制御型発振回路の発振周波数が予め規定された電圧輝
度信号のシンクチップ電圧の搬送周波数となる制御電流
の電流値であることを特徴とする。
(1) A voltage-current conversion circuit for converting a voltage-brightness signal into a current-brightness signal in which the DC level of the sync chip is fixed to a predetermined potential and the amplitude level of the 100% brightness signal is controlled to be constant. An offset current generation circuit that generates a constant offset current, a current addition circuit that adds the offset current output from the offset current generation circuit to the current brightness signal output from the voltage current conversion circuit at a predetermined addition ratio, A differential current amplifier circuit having a constant current source whose current value is adjusted to (2 × ICAR) and outputting a control current proportional to a change in the added current output from the current addition circuit; A current control type oscillation circuit in which an oscillation frequency is varied by a control current output from a current amplification circuit, and (ICAR) is the current control type oscillation circuit. Wherein the oscillation frequency is the current value of the control current as the carrier frequency of the sync tip voltage of the predefined voltage luminance signal.

【0014】(2)前記(1)の手段において、前記電
圧電流変換回路が、一対の半導体素子と、前記一対の半
導体素子と従属接続される一対の定電流源と、前記一対
の定電流源との間に接続される抵抗とを有する第1の差
動増幅回路を具備し、また、前記オフセット電流生成回
路が、一対の半導体素子と、前記一対の半導体素子と従
属接続され、前記第1の差動増幅回路の定電流源と電流
値が同一とされる一対の定電流源と、前記一対の定電流
源との間に接続される抵抗とを有する第2の差動増幅回
路を具備し、前記第1の差動増幅回路および第2の差動
増幅回路の抵抗の抵抗比により、前記電流輝度信号とオ
フセット電流との所定の加算比を得るようにしたことを
特徴とする。
(2) In the means of (1) above, the voltage-current conversion circuit includes a pair of semiconductor elements, a pair of constant current sources cascade-connected to the pair of semiconductor elements, and the pair of constant current sources. A first differential amplifier circuit having a resistor connected between the pair of semiconductor elements and a pair of semiconductor elements, and the offset current generating circuit is connected to the pair of semiconductor elements in a cascade connection. A second differential amplifier circuit having a pair of constant current sources having the same current value as that of the constant current source of the differential amplifier circuit, and a resistor connected between the pair of constant current sources. However, a predetermined addition ratio of the current luminance signal and the offset current is obtained by the resistance ratio of the resistances of the first differential amplifier circuit and the second differential amplifier circuit.

【0015】前記(1)の手段によれば、制御電流によ
り発振周波数が可変される電流制御型発振回路を具備す
る周波数変調回路において、電圧電流変換回路で、シン
クチップの直流レベルが所定の電位に固定され、かつ、
100%輝度信号の振幅レベルが一定に管理された電圧
輝度信号を電流輝度信号に変換し、電流加算回路で、電
流輝度信号にオフセット電流生成回路で生成されるオフ
セット電流を所定の加算比で加算し、電流値が(2×I
CAR)(ICARは、電流制御型発振回路の発振周波
数が予め規定された電圧輝度信号のシンクチップ電圧の
搬送周波数となる制御電流の電流値)に調整されている
定電流源を有する差動電流増幅回路で、電流加算回路か
ら出力される加算電流の変化に比例した制御電流を出力
し、差動電流増幅回路から出力される制御電流により電
流制御型発振回路の発振周波数を可変するようにしたの
で、偏移周波数を無調整化することが可能となる。
According to the above-mentioned means (1), in the frequency modulation circuit including the current control type oscillation circuit in which the oscillation frequency is changed by the control current, in the voltage / current conversion circuit, the DC level of the sync tip is at a predetermined potential. Fixed to, and
The voltage luminance signal whose amplitude level of 100% luminance signal is controlled to be constant is converted into a current luminance signal, and the current addition circuit adds the offset current generated by the offset current generation circuit to the current luminance signal at a predetermined addition ratio. The current value is (2 × I
CAR) (ICAR is a differential current having a constant current source adjusted to an oscillation frequency of the current control type oscillation circuit, which is a current value of a control current which becomes a carrier frequency of a sync tip voltage of a voltage luminance signal defined in advance) The amplifier circuit outputs a control current proportional to the change in the added current output from the current addition circuit, and the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit is changed by the control current output from the differential current amplification circuit. Therefore, the shift frequency can be made unadjusted.

【0016】前記(2)の手段によれば、さらに、電圧
電流変換回路とオフセット電流生成回路とを、一対の半
導体素子と、前記一対の半導体素子と従属接続される一
対の定電流源と、前記一対の定電流源との間に接続され
る抵抗とを有する差動増幅回路で構成し、また、その定
電流源の定電流(バイアス電流)を同一としたので、各
差動増幅回路の抵抗の抵抗比のみで、電流輝度信号とオ
フセット電流との所定の加算比を、精度良く得ることが
可能となる。
According to the above-mentioned means (2), the voltage-current conversion circuit and the offset current generation circuit are further provided, a pair of semiconductor elements, and a pair of constant current sources subordinately connected to the pair of semiconductor elements. Since the constant current sources have the same constant current (bias current), the differential amplifier circuit has a resistor connected between the pair of constant current sources. Only by the resistance ratio of the resistors, it is possible to accurately obtain a predetermined addition ratio of the current luminance signal and the offset current.

【0017】これにより、ビデオテープレコーダの小型
化、低価格化に大きく寄与することが可能となる。
As a result, it becomes possible to greatly contribute to downsizing and cost reduction of the video tape recorder.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の発
明の実施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0019】なお、本発明の実施の形態を説明するため
の全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments of the present invention, components having the same function are designated by the same reference numeral, and the repeated description thereof will be omitted.

【0020】図1は、本発明の一発明の実施の形態であ
る周波数変調回路の回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a frequency modulation circuit according to an embodiment of the present invention.

【0021】図1において、1は電流輝度信号生成ブロ
ック、2は差動電流増幅回路、3は電流制御型発振回路
である。
In FIG. 1, 1 is a current / luminance signal generation block, 2 is a differential current amplifier circuit, and 3 is a current control type oscillation circuit.

【0022】なお、本発明の実施の形態の周波数変調回
路は、半導体集積回路(IC)で構成される。
The frequency modulation circuit according to the embodiment of the present invention is composed of a semiconductor integrated circuit (IC).

【0023】始めに、図1に示す電流制御型発振回路3
を用いて、従来の周波数変調器の搬送周波数の外部調整
について説明する。
First, the current control type oscillation circuit 3 shown in FIG.
External adjustment of the carrier frequency of the conventional frequency modulator will be described with reference to FIG.

【0024】図1に示す電流制御型発振回路3は、エミ
ッタ結合型非安定マルチバイブレータ回路において、発
振周波数を決定するコンデンサ(C)の充放電電流を可
変するようにしたものであり、npnトランジスタ(Q
30)とnpnトランジスタ(Q31)とのエミッタ間
にコンデンサ(C)が接続され、npnトランジスタ
(Q30)のコレクタは、エミッタホロワ回路を介して
npnトランジスタ(Q31)のベースに、npnトラ
ンジスタ(Q31)のコレクタは、エミッタホロワ回路
を介してnpnトランジスタ(Q30)のベースに接続
されている。
The current-controlled oscillator circuit 3 shown in FIG. 1 is an emitter-coupled astable multivibrator circuit in which the charging / discharging current of a capacitor (C) that determines the oscillation frequency is variable, and is an npn transistor. (Q
30) and the emitter of the npn transistor (Q31) are connected, and the collector of the npn transistor (Q30) is connected to the base of the npn transistor (Q31) via the emitter follower circuit. The collector is connected to the base of the npn transistor (Q30) via the emitter follower circuit.

【0025】また、npnトランジスタ(Q30)とn
pnトランジスタ(Q31)とのエミッタには、それぞ
れnpnトランジスタ(Q32)とnpnトランジスタ
(Q33)とが従属接続される。
The npn transistor (Q30) and n
An npn transistor (Q32) and an npn transistor (Q33) are connected in cascade to the emitters of the pn transistor (Q31).

【0026】なお、本発明の実施の形態では、このnp
nトランジスタ(Q32)とnpnトランジスタ(Q3
3)とは、差動電流増幅回路2のnpnトランジスタ
(Q15)とカレントミラー回路を構成しており、np
nトランジスタ(Q32)とnpnトランジスタ(Q3
3)とには、npnトランジスタ(Q15)に流れる電
流である制御電流(IMOD)と同じ電流が流れる。
In the embodiment of the present invention, this np
n transistor (Q32) and npn transistor (Q3
3) constitutes a current mirror circuit together with the npn transistor (Q15) of the differential current amplifier circuit 2,
n transistor (Q32) and npn transistor (Q3
The same current as the control current (IMOD), which is the current flowing through the npn transistor (Q15), flows through 3).

【0027】したがって、npnトランジスタ(Q1
5)に流れる制御電流(IMOD)を可変することによ
り、npnトランジスタ(Q32)とnpnトランジス
タ(Q33)とに流れる電流が可変される。
Therefore, the npn transistor (Q1
By varying the control current (IMOD) flowing through 5), the current flowing through the npn transistor (Q32) and the npn transistor (Q33) is varied.

【0028】また、npnトランジスタ(Q30)のコ
レクタには、npnトランジスタ(Q34)と抵抗(R
30)との並列回路が従属接続され、npnトランジス
タ(Q31)のコレクタには、npnトランジスタ(Q
35)と抵抗(R31)との並列回路が従属接続され
る。
The collector of the npn transistor (Q30) has an npn transistor (Q34) and a resistor (R).
30) is connected in a parallel circuit, and the npn transistor (Q31) has a collector connected to the npn transistor (Q31).
A parallel circuit of 35) and the resistor (R31) is cascade-connected.

【0029】ここで、npnトランジスタ(Q34)と
npnトランジスタ(Q35)とのベースには、周波数
変調用基準電圧源(VSM)により、(−VMOD)の
電位が印加される。
Here, the potential of (-VMOD) is applied to the bases of the npn transistor (Q34) and the npn transistor (Q35) by the frequency modulation reference voltage source (VSM).

【0030】さらに、npnトランジスタ(Q34)と
npnトランジスタ(Q35)とのコレクタは、ダイオ
ード形式に接続されたnpnトランジスタ(Q36)に
従属接続される。
Further, the collectors of the npn transistor (Q34) and the npn transistor (Q35) are cascade-connected to the diode-type connected npn transistor (Q36).

【0031】この電流制御型発振回路3において、np
nトランジスタ(Q30)がON、npnトランジスタ
(Q31)がOFFとすると、コンデンサ(C)は、電
源→npnトランジスタ(Q36)→npnトランジス
タ(Q34)→npnトランジスタ(Q30)→コンデ
ンサ(C)→npnトランジスタ(Q33)の経路で充
電され、npnトランジスタ(Q31)のエミッタ電位
が降下する。
In this current control type oscillation circuit 3, np
When the n-transistor (Q30) is turned on and the npn-transistor (Q31) is turned off, the capacitor (C) has a power source → npn transistor (Q36) → npn transistor (Q34) → npn transistor (Q30) → capacitor (C) → npn. It is charged in the path of the transistor (Q33), and the emitter potential of the npn transistor (Q31) drops.

【0032】ここで、npnトランジスタ(Q31)の
エミッタ電位が(VCC−VMOD−3VBE)の電位
まで降下すると、npnトランジスタ(Q31)がO
N、npnトランジスタ(Q30)がOFFとなる。
Here, when the emitter potential of the npn transistor (Q31) drops to the potential of (VCC-VMOD-3VBE), the npn transistor (Q31) becomes O.
The N and npn transistors (Q30) are turned off.

【0033】これにより、コンデンサ(C)は、電源→
npnトランジスタ(Q36)→npnトランジスタ
(Q35)→npnトランジスタ(Q31)→コンデン
サ(C)→npnトランジスタ(Q32)の経路で充電
され、npnトランジスタ(Q30)のエミッタ電位が
降下する。
As a result, the capacitor (C) is connected to the power source →
The npn transistor (Q36)-> npn transistor (Q35)-> npn transistor (Q31)-> capacitor (C)-> npn transistor (Q32) is charged along the path, and the emitter potential of the npn transistor (Q30) drops.

【0034】npnトランジスタ(Q30)のエミッタ
電位が(VCC−VMOD−3VBE)の電位まで降下
すると、npnトランジスタ(Q30)がON、npn
トランジスタ(Q31)がOFFとなり、以後、この動
作を繰り返す。
When the emitter potential of the npn transistor (Q30) drops to the potential of (VCC-VMOD-3VBE), the npn transistor (Q30) turns on and npn.
The transistor (Q31) is turned off, and this operation is repeated thereafter.

【0035】ここで、VMODは周波数変調用基準電圧
源(VSM)の基準電圧であり、VBEは、バイポーラ
トランジスタのベース・エミッタ間電圧である。
Here, VMOD is the reference voltage of the frequency modulation reference voltage source (VSM), and VBE is the base-emitter voltage of the bipolar transistor.

【0036】前記電流制御型発振回路3は、周波数変調
に使われる一般的な発振回路で、変調直線性が良く、ま
た、IC化に適している。
The current control type oscillating circuit 3 is a general oscillating circuit used for frequency modulation, has a good modulation linearity, and is suitable for an IC.

【0037】ここで、前記電流制御型発振回路3の発振
周波数(fMOD)は、各npnトランジスタ(Q3
2,Q33)に流れる電流(制御電流)をIMODとす
ると、下記(1)式で与えられる。
Here, the oscillation frequency (fMOD) of the current control type oscillation circuit 3 depends on each npn transistor (Q3).
2, the current flowing through Q33) (control current) is IMOD, which is given by the following equation (1).

【0038】[0038]

【数1】 fMOD=IMOD/4C・VMOD ……………………… (1) 前記(1)式から、前記電流制御型発振回路3の発振周
波数(fMOD)は制御電流(IMOD)に比例し、制
御電流(IMOD)を可変することにより、電流制御型
発振回路3の発振周波数(fMOD)を可変できること
がわかる。
## EQU1 ## fMOD = IMOD / 4C.VMOD (1) From the equation (1), the oscillation frequency (fMOD) of the current control type oscillation circuit 3 becomes the control current (IMOD). It is understood that the oscillation frequency (fMOD) of the current control type oscillation circuit 3 can be changed by changing the control current (IMOD) in proportion.

【0039】ここで、前記したように、NTSC、VH
S方式のVTRでは、シンクチップ電圧(VST)の搬
送周波数は3.4MHz±100KHz以内、100%
輝度信号の振幅電圧(VWP)の搬送周波数は4.4M
Hz±100KHz以内で、偏移周波数は1MHz±1
00KHz以内と規定されている。
Here, as described above, NTSC, VH
In the S type VTR, the carrier frequency of the sync tip voltage (VST) is within 3.4 MHz ± 100 KHz, 100%.
The carrier frequency of the amplitude voltage (VWP) of the luminance signal is 4.4M.
Within ± 100 KHz, deviation frequency is 1 MHz ± 1
It is regulated to be within 00 KHz.

【0040】しかしながら、コンデンサ(C)の値だけ
でも、通常、15%程度は変動するので、前記した搬送
周波数を無調整で実現するのは困難であり、制御電流
(IMOD)を調整して、前記電流制御型発振回路3の
発振周波数(fMOD)を調整にする必要があった。
However, since only the value of the capacitor (C) normally fluctuates by about 15%, it is difficult to realize the carrier frequency without adjustment, and the control current (IMOD) is adjusted to It was necessary to adjust the oscillation frequency (fMOD) of the current control type oscillation circuit 3.

【0041】そこで、従来は、ICの外部にシンクチッ
プ電圧(VST)の搬送周波数調整用と偏移周波数調整
用に2つ可変抵抗器を設け、各npnトランジスタ(Q
32,Q33)に流れる制御電流(IMOD)を調整す
ることで対応していた。
Therefore, conventionally, two variable resistors are provided outside the IC for adjusting the carrier frequency of the sync tip voltage (VST) and for adjusting the deviation frequency, and each npn transistor (Q
This has been dealt with by adjusting the control current (IMOD) flowing through 32, Q33).

【0042】しかしながら、近年、純回路的な手法によ
り周波数変調回路の無調整化が、要望されており,シン
クチップ電圧(VST)の搬送周波数については、クロ
マ信号処理用に搭載している水晶発振回路を利用し、こ
の水晶発振出力とシンクチップ期間の周波数出力とを、
それぞれ周波数/電圧変換した後に、比較フィードバッ
ク制御することで実現できることがわかった。
However, in recent years, there has been a demand for no adjustment of the frequency modulation circuit by a pure circuit method. Regarding the carrier frequency of the sync tip voltage (VST), the crystal oscillation mounted for chroma signal processing is required. Using a circuit, this crystal oscillation output and the frequency output during the sync tip period,
It was found that this can be realized by performing comparative feedback control after each frequency / voltage conversion.

【0043】しかしながら、偏移周波数については、輝
度信号に必ずしも100%輝度信号が存在しないため、
前記したようなフィードバック制御により、偏移周波数
の搬送周波数の無調整化を実現することができず、他の
手法で、偏移周波数の搬送周波数の無調整化を図る必要
があった。
However, with respect to the shift frequency, since the luminance signal does not always have 100% luminance signal,
By the feedback control as described above, the carrier frequency of the shift frequency cannot be adjusted, and the carrier frequency of the shift frequency needs to be adjusted by another method.

【0044】そのため、本発明の実施の形態では、制御
電流により発振周波数が可変される電流制御型発振回路
を具備する周波数変調回路において、電流制御型発振回
路の変調特性が直線であることを利用し、電圧輝度信号
を電流輝度信号に変換する電圧電流変換回路と、一定の
オフセット電流を生成するオフセット電流生成回路と、
電流輝度信号にオフセット電流を所定の加算比で加算す
る電流加算回路と、電流値が(2×ICAR)(ICA
Rは、電流制御型発振回路の発振周波数が予め規定され
た電圧輝度信号のシンクチップ電圧の搬送周波数となる
制御電流の電流値)の電流値に調整されている定電流源
を有し、電流加算回路から出力される加算電流の変化に
比例する制御電流を出力する差動電流増幅回路とを設
け、差動電流増幅回路から出力される制御電流により電
流制御型発振回路の発振周波数を可変(制御)すること
で偏移周波数の無調整化を実現したものである。
Therefore, in the embodiment of the present invention, in the frequency modulation circuit including the current control type oscillation circuit in which the oscillation frequency is changed by the control current, it is used that the modulation characteristic of the current control type oscillation circuit is linear. Then, a voltage-current conversion circuit that converts the voltage brightness signal into a current brightness signal, an offset current generation circuit that generates a constant offset current,
A current adding circuit for adding an offset current to a current brightness signal at a predetermined addition ratio, and a current value of (2 × ICAR) (ICA
R has a constant current source in which the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit is adjusted to a current value of a control current which is a carrier frequency of a sync tip voltage of a voltage luminance signal, which is defined in advance. A differential current amplification circuit that outputs a control current proportional to the change in the addition current output from the addition circuit is provided, and the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit is changed by the control current output from the differential current amplification circuit ( By controlling), the shift frequency is not adjusted.

【0045】以下、本発明の実施の形態について順を追
って説明する。
The embodiments of the present invention will be described below step by step.

【0046】図1に示す電流輝度信号生成ブロック1
は、エミッタ間に抵抗が接続された一対の差動増幅回路
を有し、一方の差動増幅回路は、エミッタ間に抵抗(R
2)が接続されたnpnトランジスタ(Q3)とnpn
トランジスタ(Q6)とを有し、他方の差動増幅回路
は、エミッタ間に抵抗(R3)が接続されたnpnトラ
ンジスタ(Q9)とnpnトランジスタ(Q11)とを
有する。
Current / luminance signal generation block 1 shown in FIG.
Has a pair of differential amplifier circuits having resistors connected between the emitters, and one differential amplifier circuit has a resistor (R
2) is connected to the npn transistor (Q3) and npn
The transistor (Q6), and the other differential amplifier circuit has an npn transistor (Q9) and an npn transistor (Q11) in which a resistor (R3) is connected between the emitters.

【0047】一方の差動増幅回路におけるnpnトラン
ジスタ(Q3)とnpnトランジスタ(Q6)とのエミ
ッタには、それぞれ定電流源となるnpnトランジスタ
(Q4)とnpnトランジスタ(Q7)とが従属接続さ
れ、他方の差動増幅回路におけるnpnトランジスタ
(Q9)とnpnトランジスタ(Q11)とのエミッタ
には、それぞれ定電流源となるnpnトランジスタ(Q
10)とnnpnトランジスタ(Q12)とが従属接続
される。
An npn transistor (Q4) and an npn transistor (Q7), which are constant current sources, are connected to the emitters of the npn transistor (Q3) and the npn transistor (Q6) in the differential amplifier circuit, respectively. The emitters of the npn transistor (Q9) and the npn transistor (Q11) in the other differential amplifier circuit each have an npn transistor (Q
10) and the nnpn transistor (Q12) are connected in cascade.

【0048】ここで、各npnトランジスタ(Q4,Q
7,Q10,Q12)は、npnトランジスタ(Q1)
とカレントミラー回路を構成し、各npnトランジスタ
(Q4,Q7,Q10,Q12)には、npnトランジ
スタ(Q1)に流れる電流と同じ電流(バイアス電流)
が流れる。
Here, each npn transistor (Q4, Q
7, Q10, Q12) are npn transistors (Q1)
And a current mirror circuit, and each npn transistor (Q4, Q7, Q10, Q12) has the same current (bias current) as the current flowing through the npn transistor (Q1).
Flows.

【0049】また、npnトランジスタ(Q3)のコレ
クタにはpnpトランジスタ(Q2)、npnトランジ
スタ(Q6)のコレクタにはpnpトランジスタ(Q
5)、npnトランジスタ(Q9)のコレクタにはpn
pトランジスタ(Q8)が、それぞれ従属接続され、各
pnpトランジスタ(Q2,Q5,Q8)はカレントミ
ラー回路を構成する。
The collector of the npn transistor (Q3) has a pnp transistor (Q2), and the collector of the npn transistor (Q6) has a pnp transistor (Q).
5), the collector of the npn transistor (Q9) has pn
The p-transistors (Q8) are connected in cascade, and the pnp transistors (Q2, Q5, Q8) form a current mirror circuit.

【0050】電流輝度信号生成ブロック1の入力端子に
はビデオ信号が入力されるが、このビデオ信号は、自動
利得制御(AGC)、輝度信号と色信号の分離(Y/C
分離)、クランプ、エンファシス、ホワイト/ダークク
リップ等の処理がなされた後のビデオ信号である。
A video signal is input to the input terminal of the current / luminance signal generation block 1. This video signal is automatically gain controlled (AGC), and the luminance signal and chrominance signal are separated (Y / C).
This is a video signal after processing such as separation), clamp, emphasis, white / dark clip, and the like.

【0051】したがって、入力端子に入力されるビデオ
信号は、直流(DC)レベル、振幅レベルが一定に管理
された輝度信号(VIN)であり、本発明の実施の形態
では、例えば、図6に示すシンクチップ電圧(VST)
が2V、100%輝度信号の振幅電圧(VWP)が0.
5Vとされる。
Therefore, the video signal input to the input terminal is a luminance signal (VIN) in which the direct current (DC) level and the amplitude level are controlled to be constant, and in the embodiment of the present invention, for example, as shown in FIG. Sync tip voltage (VST)
Is 2 V and the amplitude voltage (VWP) of the 100% luminance signal is 0.
It is set to 5V.

【0052】ここで、入力される電圧輝度信号(VI
N)は、npnトランジスタ(Q3)のベースに印加さ
れ、また、npnトランジスタ(Q6)ベースには、輝
度信号用基準電圧源(VSR)の基準電圧(VREF)
が印加される。
Here, the input voltage luminance signal (VI
N) is applied to the base of the npn transistor (Q3), and the reference voltage (VREF) of the brightness signal reference voltage source (VSR) is applied to the base of the npn transistor (Q6).
Is applied.

【0053】また、npnトランジスタ(Q9)のベー
スにも、輝度信号用基準電圧源(VSR)の基準電圧
(VREF)が印加され、さらに、npnトランジスタ
(Q11)のベースには、輝度信号用基準電圧源(VS
R)の基準電圧(VREF)を抵抗(R4)と(R5)
とで分圧した電圧が印加される。
The reference voltage (VREF) of the luminance signal reference voltage source (VSR) is applied to the base of the npn transistor (Q9), and the luminance signal reference voltage is applied to the base of the npn transistor (Q11). Voltage source (VS
The reference voltage (VREF) of R) is set to resistors (R4) and (R5)
The voltage divided by and is applied.

【0054】図1に示す電流輝度信号生成ブロック1に
おいて、各npnトランジスタ(Q3,Q4,Q6,Q
7)、および、抵抗(R2)は、電圧輝度信号を電流輝
度信号に変換する電圧電流変換回路を構成する。
In the current / luminance signal generation block 1 shown in FIG. 1, each npn transistor (Q3, Q4, Q6, Q
7) and the resistor (R2) form a voltage-current conversion circuit that converts the voltage brightness signal into a current brightness signal.

【0055】また、各npnトランジスタ(Q9,Q1
0,Q11,Q12)および、抵抗(R3)ないし抵抗
(R5)は、一定のオフセット(固定電流)を生成する
オフセット電流生成回路を構成する。
Further, each npn transistor (Q9, Q1
0, Q11, Q12) and the resistors (R3) to (R5) form an offset current generation circuit that generates a constant offset (fixed current).

【0056】さらに、各pnpトランジスタ(Q2,Q
5,Q8)は、電流加算回路を構成する。
Further, each pnp transistor (Q2, Q
5, Q8) form a current addition circuit.

【0057】図1に示す差動電流増幅回路2は、可変利
得増幅回路によく用いられる一般的な回路であり、この
差動電流増幅回路2は、pnpトランジスタ(Q14)
とpnpトランジスタ(Q16)とを有する差動増幅回
路で構成され、pnpトランジスタ(Q14)のベース
は、電流輝度信号生成ブロック1のnpnトランジスタ
(Q6)のコレクタに接続され、pnpトランジスタ
(Q16)のベースは、電流輝度信号生成ブロック1の
npnトランジスタ(Q3)のコレクタに接続される。
The differential current amplifier circuit 2 shown in FIG. 1 is a general circuit often used in a variable gain amplifier circuit. This differential current amplifier circuit 2 is a pnp transistor (Q14).
And a pnp transistor (Q16), the base of the pnp transistor (Q14) is connected to the collector of the npn transistor (Q6) of the current / luminance signal generation block 1, and the pnp transistor (Q16) is connected. The base is connected to the collector of the npn transistor (Q3) of the current / luminance signal generation block 1.

【0058】pnpトランジスタ(Q14)のベース
は、ダイオード形式に接続されたpnpトランジスタ
(Q13)のエミッタに、また、pnpトランジスタ
(Q16)のベースは、ダイオード形式に接続されたp
npトランジスタ(Q17)のエミッタに接続される。
The base of the pnp transistor (Q14) is connected to the emitter of the pnp transistor (Q13) connected in a diode form, and the base of the pnp transistor (Q16) is connected to the diode form of p.
It is connected to the emitter of the np transistor (Q17).

【0059】ダイオード形式に接続されたpnpトラン
ジスタ(Q13)のコレクタと、ダイオード形式に接続
されたpnpトランジスタ(Q17)のコレクタとは、
抵抗(R6)を介して、輝度信号用基準電圧源(VS
R)に接続されている。
The collector of the pnp transistor (Q13) connected in the diode form and the collector of the pnp transistor (Q17) connected in the diode form are
Through the resistor (R6), a reference voltage source (VS for luminance signal)
R).

【0060】このpnpトランジスタ(Q13)には、
npnトランジスタ(Q6)とpnpトランジスタ(Q
5)との接続点から流出する電流(I2)が流入し、p
npトランジスタ(Q17)には、npnトランジスタ
(Q3)とpnpトランジスタ(Q2)との接続点から
流出する電流(I1)が流入する。
In this pnp transistor (Q13),
npn transistor (Q6) and pnp transistor (Q
The current (I2) flowing out from the connection point with 5) flows in and p
The current (I1) flowing out from the connection point between the npn transistor (Q3) and the pnp transistor (Q2) flows into the np transistor (Q17).

【0061】また、電流源(IS)は、何らかの手段、
例えば、前記した比較フィードバック制御、あるいは、
IC外部に設けられた搬送周波数調整用部品の調整等
で、npnトランジスタ(Q32)とnpnトランジス
タ(Q33)とに流れる制御電流(IMOD)がICA
Rのときに、電流制御型発振回路3の発振周波数(fM
OD)が、シンクチップ電圧(VST)の搬送周波数で
ある3.4MHzになるように調整された周波数変調用
電流源である。
Further, the current source (IS) is any means,
For example, the above-mentioned comparative feedback control, or
The control current (IMOD) flowing through the npn transistor (Q32) and the npn transistor (Q33) is adjusted by the adjustment of the carrier frequency adjustment parts provided outside the IC.
When R, the oscillation frequency of the current controlled oscillator circuit 3 (fM
OD) is a frequency modulation current source adjusted so that it becomes 3.4 MHz, which is the carrier frequency of the sync tip voltage (VST).

【0062】さらに、抵抗(R6)は、npnトランジ
スタ(Q3)のコレクタ・エミッタ間電圧(VCE)の
ダイナミックレンジを確保するための抵抗である。
Further, the resistor (R6) is a resistor for ensuring the dynamic range of the collector-emitter voltage (VCE) of the npn transistor (Q3).

【0063】次に、本発明の実施の形態の動作について
説明する。
Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described.

【0064】前記した如く、電流輝度信号生成ブロック
1の入力端子に入力される電圧輝度信号(VIN)は、
npnトランジスタ(Q3)のベースに印加される。
As described above, the voltage brightness signal (VIN) input to the input terminal of the current brightness signal generation block 1 is
It is applied to the base of the npn transistor (Q3).

【0065】また、npnトランジスタ(Q6)のベー
スには、輝度信号用基準電圧源(VSR)の基準電圧
(VREF)が印加され、ここで、輝度信号用基準電圧
源(VSR)の基準電圧(VREF)は、シンクチップ
電圧(VST)と同じ2Vとされる。
Further, the reference voltage (VREF) of the luminance signal reference voltage source (VSR) is applied to the base of the npn transistor (Q6), where the reference voltage (VSR) of the luminance signal reference voltage source (VSR) is applied. VREF) is set to 2V, which is the same as the sync tip voltage (VST).

【0066】したがって、npnトランジスタ(Q3)
のベースに入力された電圧輝度信号(VIN)は、輝度
信号用基準電圧源(VSR)の基準電圧(VREF)で
ある2Vを基準にして差動電流輝度信号に変換される。
Therefore, the npn transistor (Q3)
The voltage luminance signal (VIN) input to the base of is converted into a differential current luminance signal with reference to 2V which is the reference voltage (VREF) of the luminance signal reference voltage source (VSR).

【0067】この場合に、各npnトランジスタ(Q
1,Q4,Q7,Q10,Q12)で構成されるカレン
トミラー回路に流れる電流(バイアス電流)をIBと
し、100%輝度信号の振幅電圧(VWP)である0.
5Vで、抵抗(R2)により生じた電流をIDEV’と
すると、npnトランジスタ(Q3)のコレクタ電流は
IB+IDEV’、npnトランジスタ(Q6)のコレ
クタ電流はIB−IDEV’となる。
In this case, each npn transistor (Q
1, Q4, Q7, Q10, Q12), the current (bias current) flowing in the current mirror circuit is IB, and the amplitude voltage (VWP) of 100% luminance signal is 0.
If the current generated by the resistor (R2) at 5V is IDEV ', the collector current of the npn transistor (Q3) is IB + IDEV' and the collector current of the npn transistor (Q6) is IB-IDEV '.

【0068】また、前記した如く、オフセット電流生成
回路の差動増幅回路のnpnトランジスタ(Q9)のベ
ースには、輝度信号用基準電圧源(VSR)の基準電圧
(VREF)が印加され、npnトランジスタ(Q1
1)のベースには、輝度信号用基準電圧源(VSR)の
基準電圧(VREF)を抵抗(R4)と(R5)とで分
圧された電圧が印加される。
Further, as described above, the reference voltage (VREF) of the reference signal source for luminance signal (VSR) is applied to the base of the npn transistor (Q9) of the differential amplifier circuit of the offset current generating circuit, and the npn transistor (npn transistor). (Q1
A voltage obtained by dividing the reference voltage (VREF) of the reference signal source for luminance signal (VSR) by resistors (R4) and (R5) is applied to the base of 1).

【0069】ここで、npnトランジスタ(Q9)と、
npnトランジスタ(Q11)との、ベース間電圧は、
100%輝度信号の振幅電圧(VWP)と同じ0.5V
とされる。
Here, an npn transistor (Q9)
The voltage between the npn transistor (Q11) and the base is
0.5V, which is the same as the amplitude voltage (VWP) of 100% luminance signal
It is said.

【0070】この電圧によって、抵抗(R3)により生
じた電流をICAR’とすると、npnトランジスタ
(Q9)のコレクタ電流はIB+ICAR’となる。
If the current generated by the resistor (R3) by this voltage is ICAR ', the collector current of the npn transistor (Q9) becomes IB + ICAR'.

【0071】このコレクタ電流が、pnpトランジスタ
(Q2)、pnpトランジスタ(Q5)およびpnpト
ランジスタ(Q8)とで構成されるカレントミラー回路
で折り返される。
This collector current is reflected by a current mirror circuit formed of a pnp transistor (Q2), a pnp transistor (Q5) and a pnp transistor (Q8).

【0072】この場合に、npnトランジスタ(Q3)
のコレクタ電流はIB+IDEV’、npnトランジス
タ(Q6)のコレクタ電流はIB−IDEV’であるの
で、npnトランジスタ(Q3)とpnpトランジスタ
(Q2)との接続点から、下記(2)式に示す電流(I
1)が流出し、また、npnトランジスタ(Q6)とp
npトランジスタ(Q5)との接続点から、下記(3)
式に示す電流(I2)が流出する。
In this case, the npn transistor (Q3)
Since the collector current is IB + IDEV 'and the collector current of the npn transistor (Q6) is IB-IDEV', from the connection point between the npn transistor (Q3) and the pnp transistor (Q2), the current ( I
1) flows out, and the npn transistor (Q6) and p
From the connection point with the np transistor (Q5), see (3) below.
The current (I2) shown in the formula flows out.

【0073】[0073]

【数2】 I1=IB+ICAR’−(IB+IDEV’) =ICAR’−IDEV’ ……………………………… (2)## EQU00002 ## I1 = IB + ICAR '-(IB + IDEV') = ICAR'-IDEV '...................................... (2)

【0074】[0074]

【数3】 I2=IB+ICAR’−(IB−IDEV’) =ICAR’+IDEV’ ………………………………… (3) ここで、入力される電圧輝度信号(VIN)が、シンク
チップ電圧(VST)であるときには、電流(IDE
V’)は0であるから、下記(4)式に示すように、電
流(I1)および電流(I2)は、電流(ICAR’)
と等しくなる。
## EQU00003 ## I2 = IB + ICAR '-(IB-IDEV') = ICAR '+ IDEV' (3) where the input voltage luminance signal (VIN) is When it is the sync tip voltage (VST), the current (IDE
Since V ′) is 0, the current (I1) and the current (I2) are equal to the current (ICAR ′) as shown in the following formula (4).
Becomes equal to

【0075】[0075]

【数4】 I1=I2=ICAR’ ………………………………………… (4) 図3は、本発明の実施の形態における電圧電流変換回路
1に入力される電圧輝度信号(VIN)と、電流(I
1,I2)との関係を示すグラフである。
## EQU00004 ## I1 = I2 = ICAR '(4) FIG. 3 shows the voltage input to the voltage-current conversion circuit 1 according to the embodiment of the present invention. Brightness signal (VIN) and current (I
2 is a graph showing the relationship with (1, I2).

【0076】前記電流(I1)および電流(I2)と
は、差動電流増幅回路2のダイオード形式に接続された
pnpトランジスタ(Q17)とダイオード形式に接続
されたpnpトランジスタ(Q13)とに、それぞれ流
入する。
The current (I1) and the current (I2) are respectively supplied to the diode type pnp transistor (Q17) and the diode type pnp transistor (Q13) of the differential current amplifier circuit 2. Inflow.

【0077】これにより、pnpトランジスタ(Q1
4)のベースと、pnpトランジスタ(Q16)のベー
スとにベース電位を与え、pnpトランジスタ(Q1
4)のベース電位と、pnpトランジスタ(Q16)の
ベース電位との差の電位に応じて、周波数変調用電流源
(IS)からの電流(2ICAR)が、pnpトランジ
スタ(Q14)とpnpトランジスタ(Q16)に分配
される。
As a result, the pnp transistor (Q1
4) and the base of the pnp transistor (Q16) are supplied with a base potential, and the pnp transistor (Q1
According to the potential difference between the base potential of 4) and the base potential of the pnp transistor (Q16), the current (2ICAR) from the frequency modulation current source (IS) causes the pnp transistor (Q14) and the pnp transistor (Q16). ).

【0078】ここで、差動電流増幅回路2のpnpトラ
ンジスタ(Q16)のコレクタ電流である制御電流(I
MOD)は、pnpトランジスタ(Q16)のベース電
位をVb1、pnpトランジスタ(Q14)のベース電
位をVb2、pnpトランジスタのエミッタ接地電流増
幅率(hfe)が、ベース電流の影響が無視できるほど
大きいとすると、下記(5)式、(6)式で与えられ
る。
Here, the control current (I) which is the collector current of the pnp transistor (Q16) of the differential current amplifier circuit 2 is
MOD) assumes that the base potential of the pnp transistor (Q16) is Vb1, the base potential of the pnp transistor (Q14) is Vb2, and the grounded-emitter current amplification factor (hfe) of the pnp transistor is so large that it can be ignored. Are given by the following equations (5) and (6).

【0079】[0079]

【数5】 IMOD=2ICAR/(1+Xcot) …………………… (5)[Formula 5] IMOD = 2ICAR / (1 + Xcot) …………………… (5)

【0080】[0080]

【数6】 Xcot=exp{−q・(Vb2−Vb1)/kT} …… (6) ここで、Vb2−Vb1は、下記式(7)で与えられ
る。
Xcot = exp {-q · (Vb2-Vb1) / kT} (6) Here, Vb2-Vb1 is given by the following equation (7).

【0081】[0081]

【数7】 Vb2−Vb1=−kT・{log(I1/I2)}/q … (7) この(7)式を、(6)式に代入すると、下記式(8)
が得られる。
## EQU00007 ## Vb2-Vb1 = -kT.multidot. {Log (I1 / I2)} / q (7) When this equation (7) is substituted into equation (6), the following equation (8) is obtained.
Is obtained.

【0082】[0082]

【数8】 Xcot=exp{log(I1/I2)} Xcot=I1/I2 …………………………………………… (8) したがって、制御電流(IMOD)は、下記(9)で表
される。
Xcot = exp {log (I1 / I2)} Xcot = I1 / I2 ………………………………………… (8) Therefore, the control current (IMOD) is as follows. It is represented by (9).

【0083】[0083]

【数9】 IMOD=2ICAR・I2/(I1+I2) =ICAR・I2/ICAR’ ……………………… (9) したがって、制御電流(IMOD)は、電流(I2)の
変化に比例し、また、IDEV=ICAR・IDEV’
/ICAR’とすると、前記(9)式は、下記(10)
式のように表される。
## EQU00009 ## IMOD = 2ICAR.multidot.I2 / (I1 + I2) = ICAR.multidot.I2 / ICAR '... (9) Therefore, the control current (IMOD) is proportional to the change of the current (I2). , Again, IDEV = ICAR · IDEV '
Assuming that / ICAR ', the above equation (9) is given by the following (10)
It is expressed like a formula.

【0084】[0084]

【数10】 IMOD=ICAR・(ICAR’+IDEV’)/ICAR’ =ICAR(1+IDEV’/ICAR’) =ICAR+IDEV ……………………………… (10) ここで、入力される電圧輝度信号(VIN)が、シンク
チップ電圧(VST)であるときには、電流(IDE
V’)は0であるから、電流(IDEV)も0であり、
下記(11)式に示すように、制御電流(IMOD)
は、電流(ICAR)と等しくなる。
(10) IMOD = ICAR · (ICAR ′ + IDEV ′) / ICAR ′ = ICAR (1 + IDEV ′ / ICAR ′) = ICAR + IDEV ………………………… (10) Here, the voltage input When the luminance signal (VIN) is the sync tip voltage (VST), the current (IDE)
V ') is 0, so the current (IDEV) is also 0,
As shown in the following equation (11), the control current (IMOD)
Becomes equal to the current (ICAR).

【0085】[0085]

【数11】 IMOD=ICAR …………………………………………… (11) 図4は、本発明の実施の形態における電流(I2)と、
差動電流増幅回路2の出力である制御電流(IMOD)
との関係を示すグラフである。
(11) IMOD = ICAR (11) FIG. 4 shows the current (I2) in the embodiment of the present invention.
Control current (IMOD) output from the differential current amplifier circuit 2
6 is a graph showing a relationship with the graph.

【0086】この制御電流(IMOD)に応じて、電流
制御型発振回路3の発振周波数は、直線的に可変され、
これにより、入力される電圧輝度信号(VIN)は、直
線的に周波数変換される。
The oscillation frequency of the current control type oscillation circuit 3 is linearly changed according to the control current (IMOD),
As a result, the input voltage brightness signal (VIN) is linearly frequency-converted.

【0087】図5は、本発明の実施の形態における電流
制御型発振回路3の制御電流(IMOD)と発振周波数
との関係を示すグラフであり、制御電流(IMOD)が
ICARのときの周波数をfCAR、制御電流(IMO
D)がICAR+IDEVのときの周波数をfCAR+
fDEVとしてグラフ化したものでである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the control current (IMOD) and the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit 3 in the embodiment of the present invention, showing the frequency when the control current (IMOD) is ICAR. fCAR, control current (IMO
The frequency when D) is ICAR + IDEV is fCAR +
This is a graph as fDEV.

【0088】以上説明したように、本発明の実施の形態
では、まず、電流輝度信号生成ブロック1で、VST→
ICAR’、VWP→IDEV’に変換する。
As described above, in the embodiment of the present invention, first, in the current / luminance signal generation block 1, VST →
Convert from ICAR ', VWP to IDEV'.

【0089】また、差動電流増幅回路2では、下記(1
2)式に示す関係、電流制御型発振回路3では、下記
(13)式に示す関係が成立する。
In the differential current amplifier circuit 2, the following (1
In the current control type oscillation circuit 3, the relationship represented by the equation (2) is satisfied by the relationship represented by the following equation (13).

【0090】[0090]

【数12】 IDEV=ICAR・IDEV’/ICAR’ ICAR’/IDEV’=ICAR/IDEV ICAR’:IDEV’=ICAR:IDEV ……………… (12)## EQU12 ## IDEV = ICAR.IDEV '/ ICAR' ICAR '/ IDEV' = ICAR / IDEV ICAR ': IDEV' = ICAR: IDEV ............ (12)

【0091】[0091]

【数13】 ICAR:IDEV=fCAR:fDEV ………………… (13) したがって、電流輝度信号生成ブロック1においては、
下記(14)に示すような比で電圧電流変換すればよい
ことになる。
[Equation 13] ICAR: IDEV = fCAR: fDEV (13) Therefore, in the current / luminance signal generation block 1,
It suffices to perform voltage-current conversion at the ratio shown in (14) below.

【0092】[0092]

【数14】 ICAR’:IDEV’=fCAR:fDEV =3.4MHz:1MHz =3.4:1 ……………………… (14) この場合に、pnpトランジスタ(Q14)とpnpト
ランジスタ(Q16)とのベース電位が同じである場合
に、周波数変調用電流源(IS)から各pnpトランジ
スタ(Q14,Q16)に分配される電流(ICAR)
は、何らかの手段で、電流制御型発振回路3の発振周波
数(fMOD)が、シンクチップ電圧(VST)の搬送
周波数、3.4MHzになるように調整されているか
ら、fDEVを1MHzにすることができる。
ICAR ′: IDEV ′ = fCAR: fDEV = 3.4 MHz: 1 MHz = 3.4: 1 (14) In this case, the pnp transistor (Q14) and the pnp transistor ( Current (ICAR) distributed from the frequency modulation current source (IS) to each pnp transistor (Q14, Q16) when the base potential is the same as that of Q16).
Is adjusted by some means so that the oscillation frequency (fMOD) of the current control type oscillation circuit 3 becomes the carrier frequency of the sync tip voltage (VST), 3.4 MHz, so that fDEV can be set to 1 MHz. it can.

【0093】ここで、電流(ICAR’)は、100%
輝度信号の振幅電圧(VWP)とおなじ0.5Vの直流
電圧により、抵抗(R3)で生じた電流であり、電流
(IDEV’)は、100%輝度信号の振幅電圧(VW
P)である0.5Vにより、抵抗(R2)で生じた電流
であるから、抵抗(R2)の抵抗値と抵抗(R3)の抵
抗値を、下記(15)式に満たす抵抗値にすればよい。
Here, the current (ICAR ') is 100%
The current (IDEV ') is a current generated in the resistor (R3) due to the DC voltage of 0.5V, which is the same as the amplitude voltage (VWP) of the luminance signal, and the current (IDEV') is 100% of the amplitude voltage (VW of the luminance signal.
Since it is a current generated in the resistance (R2) by 0.5V which is P), if the resistance value of the resistance (R2) and the resistance value of the resistance (R3) are set to the resistance values satisfying the following expression (15). Good.

【0094】[0094]

【数15】 R2:R3=3.4:1 ……………………………………… (15) 前記(15)式を満たす抵抗値としては、例えば、抵抗
(R2)の抵抗値を34KΩに、抵抗(R3)の抵抗値
を10KΩにすればよい。
[Equation 15] R2: R3 = 3.4: 1 …………………………………… (15) As the resistance value that satisfies the equation (15), for example, the resistance (R2) The resistance value may be 34 KΩ and the resistance value of the resistor (R3) may be 10 KΩ.

【0095】なお、電流(ICAR’)を生成するため
の0.5Vの直流電圧は、例えば、抵抗(R4)の抵抗
値を10KΩに、抵抗(R5)の抵抗値を30KΩにす
ればよい。
For the DC voltage of 0.5 V for generating the current (ICAR '), the resistance value of the resistor (R4) may be 10 KΩ and the resistance value of the resistor (R5) may be 30 KΩ.

【0096】本発明の実施の形態によれば、2組の抵抗
を用い、その2組の抵抗の抵抗値の比(抵抗比)によ
り、目的とする電流加算比を得ることができる。
According to the embodiment of the present invention, two sets of resistors are used, and the target current addition ratio can be obtained from the ratio (resistance ratio) of the resistance values of the two sets of resistors.

【0097】ICにおいては、隣接して配置した抵抗の
抵抗値は相対精度が高いため、目的とする抵抗比を精度
良く実現できるので、これにより、目的とする電流加算
比を精度良く実現できる。
In the IC, since the resistance values of the resistors arranged adjacent to each other have high relative accuracy, the target resistance ratio can be accurately realized, and thus the target current addition ratio can be accurately realized.

【0098】図2は、本発明の実施の形態の電圧電流変
換回路の他の回路構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing another circuit configuration of the voltage-current conversion circuit according to the embodiment of the present invention.

【0099】図2に示す電圧電流変換回路1’は、電流
加算回路の構成が、図1に示す電圧電流変換回路1と相
違しているが、その原理は同じである。
The voltage-current conversion circuit 1'shown in FIG. 2 is different from the voltage-current conversion circuit 1 shown in FIG. 1 in the configuration of the current addition circuit, but the principle is the same.

【0100】図2に示す電圧電流変換回路1’では、前
記npnトランジスタ(Q3)、npnトランジスタ
(Q6)およびnpnトランジスタ(Q9)に流れる電
流を、それぞれカレントミラー回路で折り返して、電流
(I1)および電流(I2)を生成すようにしている。
In the voltage-current conversion circuit 1'shown in FIG. 2, the currents flowing through the npn transistor (Q3), the npn transistor (Q6) and the npn transistor (Q9) are respectively returned by the current mirror circuit to generate the current (I1). And a current (I2) is generated.

【0101】図2に示す電圧電流変換回路1’において
は、差動増幅回路のnpnトランジスタ(Q3)のコレ
クタには、ダイオード形式に接続されたpnpトランジ
スタ(Q18)が従属接続され、pnpトランジスタ
(Q18)は、pnpトランジスタ(Q20)とカレン
トミラー回路を構成する。
In the voltage-current conversion circuit 1'shown in FIG. 2, the collector of the npn transistor (Q3) of the differential amplifier circuit is cascode-connected with the pnp transistor (Q18) connected in the diode form, and the pnp transistor (Q18) is connected. Q18) forms a current mirror circuit with the pnp transistor (Q20).

【0102】また、差動増幅回路のnpnトランジスタ
(Q6)のコレクタには、ダイオード形式に接続された
pnpトランジスタ(Q19)が従属接続され、pnp
トランジスタ(Q19)は、pnpトランジスタ(Q2
3)とカレントミラー回路を構成する。
Further, the collector of the npn transistor (Q6) of the differential amplifier circuit is connected to a pnp transistor (Q19) connected in a diode form in a cascade manner, and the pnp transistor (Q19) is connected.
The transistor (Q19) is a pnp transistor (Q2
3) and a current mirror circuit.

【0103】さらに、差動増幅回路のnpnトランジス
タ(Q9)のコレクタには、pnpトランジスタ(Q
8)が従属接続され、pnpトランジスタ(Q8)は、
pnpトランジスタ(Q2)およびpnpトランジスタ
(Q5)とカレントミラー回路を構成する。
Further, the collector of the npn transistor (Q9) of the differential amplifier circuit has a pnp transistor (Q9).
8) is cascade-connected, and the pnp transistor (Q8) is
A current mirror circuit is formed with the pnp transistor (Q2) and the pnp transistor (Q5).

【0104】npnトランジスタ(Q21)とnpnト
ランジスタ(Q22)とはカレントミラー回路を構成
し、また、npnトランジスタ(Q21)はpnpトラ
ンジスタ(Q20)と、npnトランジスタ(Q22)
はpnpトランジスタ(Q2)と従属接続される。
The npn transistor (Q21) and the npn transistor (Q22) form a current mirror circuit, and the npn transistor (Q21) is a pnp transistor (Q20) and an npn transistor (Q22).
Is cascade-connected to the pnp transistor (Q2).

【0105】したがって、npnトランジスタ(Q3)
に流れる電流は、pnpトランジスタ(Q18)および
pnpトランジスタ(Q20)で構成されるカレントミ
ラー回路と、npnトランジスタ(Q21)およびnp
nトランジスタ(Q22)で構成されるカレントミラー
回路で折り返され、また、npnトランジスタ(Q9)
に流れる電流は、pnpトランジスタ(Q8)およびp
npトランジスタ(Q2)で構成されるカレントミラー
回路で折り返されるので、pnpトランジスタ(Q2)
とnpnトランジスタ(Q22)との接続点から、np
nトランジスタ(Q9)に流れる電流とnpnトランジ
スタ(Q3)に流れる電流との差の電流(I1)が、差
動電流増幅回路2’の、ダイオード形式に接続されたp
npトランジスタ(Q17)に流入する。
Therefore, the npn transistor (Q3)
The current flowing through the current mirror circuit is composed of a pnp transistor (Q18) and a pnp transistor (Q20), and an npn transistor (Q21) and np transistor.
It is folded back by a current mirror circuit composed of an n-transistor (Q22) and also an npn-transistor (Q9).
The current flowing through the pnp transistor (Q8) and p
Since it is folded back by the current mirror circuit composed of the np transistor (Q2), the pnp transistor (Q2)
From the connection point between the npn transistor (Q22) and
The current (I1) which is the difference between the current flowing through the n-transistor (Q9) and the current flowing through the npn-transistor (Q3) is a diode-connected p of the differential current amplifier circuit 2 '.
It flows into the np transistor (Q17).

【0106】npnトランジスタ(Q24)とnpnト
ランジスタ(Q25)とはカレントミラー回路を構成
し、また、npnトランジスタ(Q24)はpnpトラ
ンジスタ(Q23)と、npnトランジスタ(Q25)
はpnpトランジスタ(Q5)と従属接続される。
The npn transistor (Q24) and the npn transistor (Q25) form a current mirror circuit, and the npn transistor (Q24) is a pnp transistor (Q23) and an npn transistor (Q25).
Is cascade-connected to the pnp transistor (Q5).

【0107】したがって、npnトランジスタ(Q6)
に流れる電流は、pnpトランジスタ(Q19)および
pnpトランジスタ(Q23)で構成されるカレントミ
ラー回路と、npnトランジスタ(Q24)およびnp
nトランジスタ(Q25)で構成されるカレントミラー
回路で折り返され、また、npnトランジスタ(Q9)
に流れる電流は、pnpトランジスタ(Q8)およびp
npトランジスタ(Q5)で構成されるカレントミラー
回路で折り返されるので、pnpトランジスタ(Q5)
とnpnトランジスタ(Q25)との接続点から、np
nトランジスタ(Q9)に流れる電流とnpnトランジ
スタ(Q6)に流れる電流との差の電流(I2)が、差
動電流増幅回路2’の、ダイオード形式に接続されたp
npトランジスタ(Q13)に流入する。
Therefore, the npn transistor (Q6)
The current flowing through the current mirror circuit is composed of a pnp transistor (Q19) and a pnp transistor (Q23), and an npn transistor (Q24) and np transistor.
It is folded back by a current mirror circuit composed of an n-transistor (Q25) and also an npn transistor (Q9).
The current flowing through the pnp transistor (Q8) and p
Since it is folded back by the current mirror circuit composed of the np transistor (Q5), the pnp transistor (Q5)
From the connection point between the npn transistor (Q25) and
The current (I2) which is the difference between the current flowing in the n-transistor (Q9) and the current flowing in the npn-transistor (Q6) is connected to the differential current amplifier circuit 2 ′ in the diode type p.
It flows into the np transistor (Q13).

【0108】図2に示す電圧電流変換回路1’において
は、pnpトランジスタ(Q2)、pnpトランジスタ
(Q5)、pnpトランジスタ(Q20)およびpnp
トランジスタ(Q23)のコレクタ電位が全てバイポー
ラトランジスタのベース・エミッタ間電圧(VBE)で
あるため、アーリ効果による電流変動が相殺され、電源
電圧や温度の変化に対して安定となる。
In the voltage-current conversion circuit 1'shown in FIG. 2, a pnp transistor (Q2), a pnp transistor (Q5), a pnp transistor (Q20) and a pnp transistor.
Since the collector potential of the transistor (Q23) is all the base-emitter voltage (VBE) of the bipolar transistor, the current fluctuation due to the Early effect is canceled out, and it becomes stable against changes in the power supply voltage and temperature.

【0109】また、npnトランジスタ(Q3)のダイ
ナミックレンジの問題もなくなるため低電圧化に適して
いる。
Further, since the problem of the dynamic range of the npn transistor (Q3) is eliminated, it is suitable for lowering the voltage.

【0110】なお、本発明の実施の形態では、電流輝度
信号生成ブロック(1、1’)、差動電流増幅回路
(2、2’)および電流制御型発振回路3を、バイポー
ラトランジスタからなる回路構成としたが、これに限定
されるものではなく、電流輝度信号生成ブロック(1、
1’)、差動電流増幅回路(2、2’)および電流制御
型発振回路3の全て、あるいは、その一部を電界効果ト
ランジスタ(FET)からなる回路構成とすることも可
能である。
In the embodiment of the present invention, the current / luminance signal generation block (1, 1 ′), the differential current amplifier circuit (2, 2 ′) and the current control type oscillation circuit 3 are composed of bipolar transistors. However, the configuration is not limited to this, and the current / luminance signal generation block (1,
1 ′), the differential current amplifier circuits (2, 2 ′) and the current control type oscillation circuit 3 may be entirely or partially configured to have a field effect transistor (FET).

【0111】さらに、電流輝度信号生成ブロック(1、
1’)、差動電流増幅回路(2、2’)および電流制御
型発振回路3を、バイポーラトランジスタと電界効果ト
ランジスタ(FET)とを組み合わせた回路構成とする
ことも可能である。
Further, the current / luminance signal generation block (1,
1 '), the differential current amplifier circuit (2, 2'), and the current control type oscillation circuit 3 may have a circuit configuration in which a bipolar transistor and a field effect transistor (FET) are combined.

【0112】以上説明したように、本発明の実施の形態
によれば、純回路的な手法で、かつ、簡単な手段で、周
波数変調回路の偏移周波数の無調整化を実現することが
可能となる。
As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to realize the adjustment of the shift frequency of the frequency modulation circuit by a pure circuit method and a simple means. Becomes

【0113】これにより、VTRの小型化、低価格化に
大きく寄与することが可能となる。
This makes it possible to greatly contribute to the miniaturization and cost reduction of the VTR.

【0114】以上、本発明を発明の実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更し得ることは言うまでもない。
Although the present invention has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments of the present invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Not to mention getting it.

【0115】[0115]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0116】(1)本発明によれば、制御電流により発
振周波数が可変される電流制御型発振回路を具備する周
波数変調回路において、電圧電流変換回路で、電圧輝度
信号を電流輝度信号に変換し、電流加算回路で、電流輝
度信号にオフセット電流生成回路で生成されるオフセッ
ト電流を所定の加算比で加算し、電流値が(2×ICA
R)(ICARは、電流制御型発振回路の発振周波数が
予め規定された電圧輝度信号のシンクチップ電圧の搬送
周波数となる制御電流の電流値)に調整されている定電
流源を有する差動電流増幅回路で、電流加算回路から出
力される加算電流の変化に比例する制御電流を出力し、
差動電流増幅回路から出力される制御電流により電流制
御型発振回路の発振周波数を可変するようにしたので、
純回路的な手法で、かつ、簡単な手段で、偏移周波数を
無調整化することが可能となる。
(1) According to the present invention, in the frequency modulation circuit including the current control type oscillation circuit in which the oscillation frequency is changed by the control current, the voltage-current conversion circuit converts the voltage luminance signal into the current luminance signal. The current addition circuit adds the offset current generated by the offset current generation circuit to the current luminance signal at a predetermined addition ratio, and the current value becomes (2 × ICA
R) (ICAR is a differential current having a constant current source adjusted to an oscillation frequency of the current control type oscillation circuit, which is a current value of a control current which is a carrier frequency of a sync tip voltage of a voltage luminance signal defined in advance) The amplifier circuit outputs a control current proportional to the change in the added current output from the current addition circuit,
Since the oscillation frequency of the current control type oscillation circuit is made variable by the control current output from the differential current amplification circuit,
It is possible to make the shift frequency non-adjustable by a pure circuit method and a simple means.

【0117】(2)本発明によれば、電圧電流変換回路
とオフセット電流生成回路とを、一対の半導体素子と、
前記一対の半導体素子と従属接続される一対の定電流源
と、前記一対の定電流源との間に接続される抵抗とを有
する差動増幅回路で構成し、また、その定電流源の定電
流(バイアス電流)を同一としたので、各差動増幅回路
の抵抗の抵抗比のみで、電流輝度信号とオフセット電流
との所定の加算比を、精度よく得ることが可能となる。
(2) According to the present invention, the voltage-current conversion circuit and the offset current generation circuit are provided with a pair of semiconductor elements.
A differential amplifier circuit having a pair of constant current sources subordinately connected to the pair of semiconductor elements and a resistor connected between the pair of constant current sources, and a constant amplifier of the constant current source. Since the currents (bias currents) are the same, it is possible to accurately obtain the predetermined addition ratio of the current luminance signal and the offset current only by the resistance ratio of the resistors of each differential amplifier circuit.

【0118】(3)本発明によれば、ビデオテープレコ
ーダの小型化、低価格化に大きく寄与することが可能と
なる。
(3) According to the present invention, it is possible to greatly contribute to downsizing and cost reduction of a video tape recorder.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一発明の実施の形態である周波数変調
回路の回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a frequency modulation circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の電圧電流変換回路の他の
回路構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing another circuit configuration of the voltage-current conversion circuit according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態における電圧電流変換回路
1に入力される電圧輝度信号(VIN)と、電流(I
1,I2)との関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a diagram illustrating a voltage luminance signal (VIN) input to the voltage-current conversion circuit 1 according to the embodiment of the present invention and a current (I).
2 is a graph showing the relationship with (1, I2).

【図4】 本発明の実施の形態における電流(I2)
と、差動電流増幅回路2の出力である制御電流(IMO
D)との関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a current (I2) in the embodiment of the present invention.
And the control current (IMO which is the output of the differential current amplifier circuit 2).
It is a graph which shows the relationship with D).

【図5】 本発明の実施の形態における電流制御型発振
回路3の制御電流(IMOD)と発振周波数との関係を
示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the control current (IMOD) of the current controlled oscillator circuit 3 and the oscillation frequency in the embodiment of the present invention.

【図6】 NTSC、VHS方式のVTRにおいて、周
波数変調回路で周波数変調される電圧輝度信号と、その
搬送周波数との関係を説明するための模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a relationship between a voltage luminance signal frequency-modulated by a frequency modulation circuit and a carrier frequency thereof in an NTSC / VHS type VTR.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1’…電流輝度信号生成ブロック、2、2’…差動
電流増幅回路、3…電流制御型発振回路、Q1〜Q2
5,Q30〜Q36…トランジスタ,R1〜R6,R3
0,R31…抵抗,C…コンデンサ、VSR…輝度信号
用基準電圧源、VSM…周波数変調用基準電圧源、IS
…シンクチップの搬送周波数に調整された周波数変調用
電流源。
1, 1 '... Current luminance signal generation block, 2, 2' ... Differential current amplification circuit, 3 ... Current control type oscillation circuit, Q1-Q2
5, Q30 to Q36 ... Transistors, R1 to R6, R3
0, R31 ... Resistor, C ... Capacitor, VSR ... Luminance signal reference voltage source, VSM ... Frequency modulation reference voltage source, IS
… Current source for frequency modulation adjusted to the carrier frequency of the sync tip.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シンクチップの直流レベルが所定の電位
に固定され、かつ、100%輝度信号の振幅レベルが一
定に管理された電圧輝度信号を電流輝度信号に変換する
電圧電流変換回路と、一定のオフセット電流を生成する
オフセット電流生成回路と、前記電圧電流変換回路から
出力される電流輝度信号に前記オフセット電流生成回路
から出力されるオフセット電流を所定の加算比で加算す
る電流加算回路と、電流値が(2×ICAR)に調整さ
れている定電流源を有し、前記電流加算回路から出力さ
れる加算電流の変化に比例する制御電流を出力する差動
電流増幅回路と、前記差動電流増幅回路から出力される
制御電流により発振周波数が可変される電流制御型発振
回路とを備え、かつ、前記(ICAR)が、前記電流制
御型発振回路の発振周波数が予め規定された電圧輝度信
号のシンクチップ電圧の搬送周波数となる制御電流の電
流値であることを特徴とする周波数変調回路。
1. A voltage-current conversion circuit for converting a voltage-brightness signal into a current-brightness signal, in which the direct current level of the sync tip is fixed to a predetermined potential and the amplitude level of the 100% brightness signal is controlled to be constant, and a constant value. An offset current generating circuit that generates an offset current, a current adding circuit that adds the offset current output from the offset current generating circuit to a current brightness signal output from the voltage-current conversion circuit at a predetermined addition ratio, and a current A differential current amplifier circuit having a constant current source whose value is adjusted to (2 × ICAR) and outputting a control current proportional to a change in the added current output from the current addition circuit; A current control type oscillation circuit in which an oscillation frequency is varied by a control current output from an amplification circuit, and (ICAR) is an oscillation of the current control type oscillation circuit. Frequency modulation circuit, wherein the wave number is a current value of the control current as a carrier frequency of the sync tip voltage of the predefined voltage luminance signal.
【請求項2】 前記電圧電流変換回路が、一対の半導体
素子と、前記一対の半導体素子と従属接続される一対の
定電流源と、前記一対の定電流源との間に接続される抵
抗とを有する第1の差動増幅回路を具備し、また、前記
オフセット電流生成回路が、一対の半導体素子と、前記
一対の半導体素子と従属接続され、前記第1の差動増幅
回路の定電流源と電流値が同一とされる一対の定電流源
と、前記一対の定電流源との間に接続される抵抗とを有
する第2の差動増幅回路を具備し、前記第1の差動増幅
回路および第2の差動増幅回路の抵抗の抵抗比により、
前記電流輝度信号とオフセット電流との所定の加算比を
得るようにしたことを特徴とする請求項1に記載された
周波数変調回路。
2. The voltage-current conversion circuit includes a pair of semiconductor elements, a pair of constant current sources subordinately connected to the pair of semiconductor elements, and a resistor connected between the pair of constant current sources. A first differential amplifier circuit having: and the offset current generation circuit is connected to a pair of semiconductor elements and the pair of semiconductor elements in a cascade connection, and a constant current source of the first differential amplifier circuit. And a second differential amplifier circuit having a pair of constant current sources having the same current value, and a resistor connected between the pair of constant current sources. By the resistance ratio of the resistance of the circuit and the second differential amplifier circuit,
The frequency modulation circuit according to claim 1, wherein a predetermined addition ratio of the current luminance signal and the offset current is obtained.
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