JPH04273711A - Transistor circuit - Google Patents

Transistor circuit

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JPH04273711A
JPH04273711A JP3478891A JP3478891A JPH04273711A JP H04273711 A JPH04273711 A JP H04273711A JP 3478891 A JP3478891 A JP 3478891A JP 3478891 A JP3478891 A JP 3478891A JP H04273711 A JPH04273711 A JP H04273711A
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JP
Japan
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circuit
current
transistor
voltage
current source
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JP3478891A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Murayama
明宏 村山
Shunichi Anzai
安西 俊一
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make a dynamic range into a broad band and to set depending performance on temperature and a source voltage satisfactorily by providing a base-grounded amplifier between a vector synthesis circuit and a transmission circuit in a horizontal oscillation circuit. CONSTITUTION:An input current (i) is inputted to a transistor Q5 that becomes the base-grounded amplifier biased by a bias circuit Vbias and a current source Iref. Output amplified by the transistor Q5 is supplied to a phase shifter 10 after being folded in a form of current (i) at a current mirror circuit CM. In other words, since an amplifier by the grounding of the transistor Q5 is used as a current amplifier, deterioration in frequency characteristic can be suppressed even compared with the input current (i), and also, the bias circuit Vbias and the current source Iref can be comprised in constitution effective for the improvement of dynamic ranger temperature depending performance.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[発明の目的][Object of the invention]

【0002】0002

【産業上の利用分野】この発明は、ダイナミックレンジ
の広帯域化、温度および電源電圧の依存性能に好適なト
ランジスタ回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transistor circuit suitable for widening the dynamic range and for performance dependent on temperature and power supply voltage.

【0003】0003

【従来の技術】図7のように任意の入力電流iを、任意
の位相分だけ移相するするような、あるいは任意の周波
数帯に選択性を持たせたいような場合、抵抗R1 、R
2 および容量Cで構成される移相器やフィルタ等の負
荷素子が用いられる。
2. Description of the Related Art When it is desired to shift an arbitrary input current i by an arbitrary phase as shown in FIG. 7, or when it is desired to provide selectivity to an arbitrary frequency band, resistors R1, R
A load element such as a phase shifter or a filter composed of 2 and a capacitor C is used.

【0004】図8はテレビジョン受像器の水平発振回路
のベクトル合成回路1および移相回路であり、第7図の
電流源Iinを具体的な回路で構成したものとなってい
る。図示しない水平周波数自動制御回路1によって出力
される制御電圧が、NPNトランジスタQ1 、Q2 
、Q3 、Q4 で構成されるベクトル合成回路2にお
ける電流の加算比を調整し、受信している水平周波数と
同周波数で発振が行われるように電流iを出力する。電
流iは、抵抗R1 、R2 、容量Cで構成されるよう
な移相回路3へ直接出力され、水平発振回路全体の発振
条件を満たすように、前記素子によって決めた位相量だ
け移相される。
FIG. 8 shows a vector synthesis circuit 1 and a phase shift circuit of a horizontal oscillation circuit of a television receiver, in which the current source Iin of FIG. 7 is constructed with a specific circuit. The control voltage output by the horizontal frequency automatic control circuit 1 (not shown) is applied to NPN transistors Q1 and Q2.
, Q3, and Q4, and outputs the current i so that oscillation is performed at the same frequency as the received horizontal frequency. The current i is directly output to a phase shift circuit 3 composed of resistors R1, R2, and a capacitor C, and is phase-shifted by a phase amount determined by the element so as to satisfy the oscillation conditions of the entire horizontal oscillation circuit. .

【0005】従来の回路は入力電流iを直接、移相器3
あるいはフィルタに入力しているために、前段の電流源
Iinのダイナミックレンジが狭くなる問題がある。第
8図で説明すれば、移相回路3へ電流iが流れていると
きには抵抗R1 の両端にはi・R1 もの電圧が生じ
る。すなわちベクトル合成回路2の出力端の動作上限電
圧はほぼVcc−i・R1 となり、これ以上になると
トランジスタQ2 、Q4 が飽和状態となる。抵抗R
1 の値は移相回路2の他の抵抗R2 および容量C1
 とともに、移相回路2の移相量を決めているもので、
抵抗R1 を小さくした場合、容量C1 値が格段に増
えるので、ICに内蔵するような場合には現実的には抵
抗R1 の値を小さくすることは不可能である。
In the conventional circuit, the input current i is directly input to the phase shifter 3.
Alternatively, since the current is input to a filter, there is a problem that the dynamic range of the current source Iin at the previous stage becomes narrow. To explain with reference to FIG. 8, when a current i flows into the phase shift circuit 3, a voltage of i·R1 is generated across the resistor R1. That is, the operating upper limit voltage at the output end of the vector synthesis circuit 2 is approximately Vcc-i.R1, and when it exceeds this voltage, the transistors Q2 and Q4 become saturated. Resistance R
1 is the other resistance R2 and capacitance C1 of phase shift circuit 2.
This also determines the phase shift amount of the phase shift circuit 2.
If the resistor R1 is made smaller, the value of the capacitance C1 increases significantly, so it is practically impossible to reduce the value of the resistor R1 when it is built into an IC.

【0006】よって、従来の回路でダイナミックレンジ
を広くとるためには電源電圧Vccをかなり大きな値に
設定する必要がある。しかし、液晶用テレビジョン受像
機等のように電源電圧Vccを大きくとれない低電圧源
回路においては、ダイナミックレンジが大きくとれない
ばかりか、ゲイン不足に陥り水平発振回路の発振が停止
してしまう、といったように回路動作に不良をきたして
しまう恐れがある。
Therefore, in order to widen the dynamic range in the conventional circuit, it is necessary to set the power supply voltage Vcc to a considerably large value. However, in low-voltage power supply circuits such as LCD television receivers that cannot provide a large power supply voltage Vcc, not only cannot a large dynamic range be obtained, but the horizontal oscillation circuit stops oscillating due to lack of gain. This may lead to defects in circuit operation.

【0007】また、電流源I1 は電源電圧Vccの変
化が入力電流iに影響を及ぼさないものを使用しなけれ
ばならない。このとき、電源電圧Vccの変化に対する
前記回路の出力端における最大・最小電圧および直流成
分の電圧の変化は、入力電流iを直接移相回路3へ出力
する第8図のような構成であるならば、図4のグラフ(
a)(b)(c)のようにプロットできる。ここで、最
大電圧(a)、直流成分電圧(b)は電源電圧Vccに
対する依存性を持つので、Vccを上げていくに従い電
圧差を保ちながら高い電圧レベル方向へシフトしていく
。一般に、最低動作供給電圧を低く設定してある低電圧
回路においては、必然的に前記電圧差は最小Vccで動
作を補償するために小さく設定されており、電源電圧V
ccを高くとったような場合にはダイナミックレンジを
有効に活用していない。電源電圧Vccを高くとるほど
、グラフ(b)とグラフ(a)の縦軸方向の間隔が、グ
ラフ(b)とグラフ(c)の同間隔に比して小さくなり
、直流レベル(b)の上方向に振れる信号が歪みやすい
ことになる。
Furthermore, the current source I1 must be one in which changes in the power supply voltage Vcc do not affect the input current i. At this time, changes in the maximum and minimum voltages and DC component voltage at the output end of the circuit with respect to changes in the power supply voltage Vcc are as follows if the configuration is as shown in FIG. 8 in which the input current i is directly output to the phase shift circuit 3. For example, the graph in Figure 4 (
It can be plotted as shown in a), (b), and (c). Here, since the maximum voltage (a) and the DC component voltage (b) have dependence on the power supply voltage Vcc, as Vcc increases, they shift toward a higher voltage level while maintaining the voltage difference. Generally, in a low voltage circuit where the minimum operating supply voltage is set low, the voltage difference is necessarily set small to compensate for operation at the minimum Vcc, and the power supply voltage V
In cases where cc is set high, the dynamic range is not effectively utilized. The higher the power supply voltage Vcc is, the smaller the interval in the vertical axis direction between graph (b) and graph (a) becomes, compared to the same interval between graph (b) and graph (c), and the DC level (b) becomes smaller. This means that signals that swing upward are likely to be distorted.

【0008】さらに、電源電圧Vccに依存しない電流
源としては一般的にバンドギャップ回路のような定電流
源が用いられる。ところがバンドギャップ回路を使用し
た場合、温度変化により入力電流iが変化し、延いては
移相器あるいはフィルタの出力も変化してしまうことに
なる。これは図8のような電流増域が直接後段の回路に
伝わる水平発振回路においては、発振条件からはずれて
しまう、不具合が起こり得る。
Furthermore, a constant current source such as a bandgap circuit is generally used as a current source that does not depend on the power supply voltage Vcc. However, when a bandgap circuit is used, the input current i changes due to temperature changes, which in turn causes the output of the phase shifter or filter to change as well. In a horizontal oscillation circuit as shown in FIG. 8, in which the current increase range is directly transmitted to the subsequent circuit, a problem may occur in which the oscillation conditions are deviated from.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来の回路では入力電
流iを直接、移相器あるいはフィルタに入力しているた
め、前段の電流源Iinのダイナミックレンジが狭くな
る問題がある。また、電流源I1 は電源電圧Vccの
変化が入力電流iに影響されないものとしてバンドギャ
ップ回路を使用することが一般的であるが、バンドギャ
ップ回路は温度変化により入力電流iを変えてしまい、
延いては移相器あるいはフィルタの出力も変化してしま
う問題がある。
In the conventional circuit, since the input current i is directly input to the phase shifter or filter, there is a problem that the dynamic range of the current source Iin at the previous stage is narrowed. In addition, it is common to use a bandgap circuit for the current source I1, assuming that changes in the power supply voltage Vcc are not affected by the input current i, but a bandgap circuit changes the input current i due to temperature changes.
Furthermore, there is a problem in that the output of the phase shifter or filter also changes.

【0010】この発明は、入力電流iの周波数特性を劣
化させることなく、ダイナミックレンジを広域化して低
電圧源回路においても良好な動作を得、かつ温度依存性
能も良好なトランジスタ回路を提供することを目的とす
る。
An object of the present invention is to provide a transistor circuit that widens the dynamic range without deteriorating the frequency characteristics of the input current i, obtains good operation even in a low voltage power supply circuit, and has good temperature dependent performance. With the goal.

【0011】[発明の構成][Configuration of the invention]

【0012】0012

【課題を解決するための手段】この発明は、電源に接続
されている電流源と入力信号とを、電源電圧または温度
に依存性を持つあるいは任意に設定できるバイアス回路
をバイアス手段とするベース接地アンプに入力し、この
増幅出力を負荷素子へ電流として供給する手段とを備え
るものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a common base bias circuit that biases a current source connected to a power supply and an input signal using a bias circuit that is dependent on the power supply voltage or temperature or can be arbitrarily set. It is provided with means for inputting the amplified output into the amplifier and supplying the amplified output to the load element as a current.

【0013】[0013]

【作用】上記の手段により、ベース接地型の増幅手段で
得られる出力電流をカレントミラー回路で折り返し、こ
れを付加素子の入力とすることでf特を劣化させること
なくダイナミックレンジを広くとれ、電源電圧や温度に
よる回路動作への悪影響を軽減するための回路を付加す
ることができる。
[Operation] By using the above means, the output current obtained by the base-grounded amplification means is folded back by the current mirror circuit, and this is used as the input of the additional element, thereby widening the dynamic range without deteriorating the f-characteristics. A circuit can be added to reduce the adverse effects of voltage and temperature on circuit operation.

【0014】[0014]

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1はこの発明の一実施例である。入力電
流iは、バイアス回路Vbiasおよび電流源Iref
 によってバイアスされたベース接地アンプとなるトラ
ンジスタQ5 のエミッタに入力する。トランジスタQ
5 で増幅した出力はコレクタより出力され、トランジ
スタQ6 、Q7 からなるカレントミラー回路CMで
電流i′の形で折り返して抵抗R1 、R2 、コンデ
ンサC1 で構成される移相器10に供給する。  こ
のように電流増幅器としてトランジスタQ5 のベース
接地によるアンプを用いていることから、入力電流iに
比べても周波数特性の劣化は最小限に抑えることができ
る。また、ベース接地アンプはバイアス回路Vbias
、電流源Iref をダイナミックレンジや温度依存性
能の改善に効果的な構成をとることができる。バイアス
回路Vbiasや電流源Iref は、例えば発振器の
例をとれば発振条件を満たすような電流i′さえ得られ
ればその範囲で任意に設定することができる。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The input current i is connected to the bias circuit Vbias and the current source Iref.
It is input to the emitter of transistor Q5, which serves as a common base amplifier biased by . transistor Q
The output amplified by 5 is outputted from the collector, turned back in the form of a current i' by a current mirror circuit CM made up of transistors Q6 and Q7, and supplied to a phase shifter 10 made up of resistors R1 and R2 and a capacitor C1. Since the amplifier with the base of the transistor Q5 being grounded is used as the current amplifier in this way, the deterioration of the frequency characteristics can be minimized compared to the input current i. In addition, the common base amplifier has a bias circuit Vbias.
, the current source Iref can be configured effectively to improve the dynamic range and temperature-dependent performance. For example, in the case of an oscillator, the bias circuit Vbias and the current source Iref can be set arbitrarily within the range provided that a current i' that satisfies the oscillation conditions can be obtained.

【0016】図1のトランジスタQ5 のバイアス回路
Vbiasおよび電流源Iref を第2図に示す構成
にした場合のバイアス電圧Vbiasおよび電流源電流
Iref は、それぞれ Vbias=Vcc−(Iref ・R4 +VBE(
Q8 ))Iref =(Vcc−(Vbias+VB
E(Q5 )))/R3 となる。
Bias voltage Vbias and current source current Iref when the bias circuit Vbias and current source Iref of transistor Q5 in FIG. 1 are configured as shown in FIG.
Q8 )) Iref = (Vcc-(Vbias+VB
E(Q5)))/R3.

【0017】ベクトル合成回路11の出力端電圧はVc
c−(i+i′)・R3 となり、抵抗R3 は任意に
決められる。これに対し、抵抗R1 は第8図でも述べ
たようにあまり小さな値をとることができないことから
、i・R1 >(i+i′)・R3 となるように設計
となるのが一般的である。電流源Iinを第8図のよう
にした場合、ベクトル合成回路2のダイナミックレンジ
を広くとることができ、また図3は電源電圧Vccを高
くしたときにダイナミックレンジを有効に活用するよう
にバイアス回路Vbiasおよび電流源Iref を構
成したこの発明の他の実施例を示すものである。電源電
圧Vccを高くしたときにダイナミックレンジを有効に
使うには、図4のグラフ(b′)で示すように回路出力
端の最低動作電圧Vominをある程度超えた時点Qで
グラフの傾きを緩やかな方向に変えてやればよい。Qの
位置設定、およびグラフの傾きは扱う信号波形によって
設計者が任意に決められるもので、直流レベルを中心に
上下同振幅で振れるような信号のときには、図4のよう
にグラフ(a)と(c)の中間線に(b′)が相当する
ように設定する。
The output terminal voltage of the vector synthesis circuit 11 is Vc
c-(i+i')·R3, and the resistance R3 can be arbitrarily determined. On the other hand, since the resistance R1 cannot take a very small value as described in FIG. 8, it is generally designed so that i.R1 >(i+i').R3. When the current source Iin is configured as shown in FIG. 8, the dynamic range of the vector synthesis circuit 2 can be widened, and FIG. 3 shows a bias circuit configured to effectively utilize the dynamic range when the power supply voltage Vcc is increased. This figure shows another embodiment of the present invention in which Vbias and current source Iref are configured. In order to effectively use the dynamic range when the power supply voltage Vcc is increased, the slope of the graph should be made gentler at the point Q when the lowest operating voltage Vomin at the circuit output end is exceeded to some extent, as shown in graph (b') in Figure 4. Just change the direction. The position of Q and the slope of the graph can be arbitrarily determined by the designer depending on the signal waveform being handled.When the signal swings with the same amplitude above and below the DC level, the graph (a) and the slope shown in Figure 4 are used. Set so that (b') corresponds to the intermediate line of (c).

【0018】この実施例では、ベース接地アンプのバイ
アスを制御することで移相回路への入力電流i′を電源
電圧に同調して変化させ、前記目的を達成できる。
In this embodiment, by controlling the bias of the common base amplifier, the input current i' to the phase shift circuit can be changed in synchronization with the power supply voltage, thereby achieving the above object.

【0019】図3は、図2の電流源Iref ′を抵抗
R5 と直列接続されたR6 、ダイオードD1 、D
2 を並列接続により構成したものである。図中Vがダ
イオードD1 、D2 の両端電圧と抵抗R6 電圧降
下分の和以下の電圧であるときは、トランジスタQ8 
のコレクタ電流は全て抵抗R5 へ流れ、一方Vが前記
和以上の電圧となれば抵抗R5 並びにダイオードD1
 、D2 、抵抗R6 にも電流が流れるようになる。 電圧VがダイオードD1 、D2 の両端電圧と抵抗R
6 電圧降下分の和に等しい時のVcc値をVturn
とすれば、Vccとi′の関係は、図5のグラフで表せ
る。つまりi′にVccに対する依存性を持たせている
ことになる。i′は次段の移相回路10の抵抗R1 に
流れ、抵抗R1 の両端にはi′・R1 の電圧が発生
する。一方、従来のベース接地アンプを介さない場合に
抵抗R1 に発生する電圧はi・R1 であった。すな
わち移相回路の入力端電圧はそれぞれVcc−i′・R
1 、Vcc−i・R1で、前者の値の方が小値をとる
ことがわかる。移相回路10の入力電流は移相され、電
圧のかたちで初段の基準発振回路にフィードバックされ
ることから、この結果を図4のグラフと関連づけて考え
てみれば、Vcc=Vturnとなる電圧値において、
グラフ(b′)のように傾きが緩やかになる。以上より
、ダイナミックレンジを有効に使用することができる。
FIG. 3 shows the current source Iref ' of FIG. 2 connected in series with a resistor R5, R6, diodes D1, D
2 are connected in parallel. In the figure, when V is less than the sum of the voltage across diodes D1 and D2 and the voltage drop across resistor R6, transistor Q8
All of the collector current flows to the resistor R5, and if V becomes a voltage higher than the sum, the collector current flows to the resistor R5 and the diode D1.
, D2, and the resistor R6. The voltage V is the voltage across the diodes D1 and D2 and the resistance R
6 Vcc value when equal to the sum of voltage drops is Vturn
Then, the relationship between Vcc and i' can be expressed by the graph in FIG. In other words, i' is made to have dependence on Vcc. i' flows to the resistor R1 of the next stage phase shift circuit 10, and a voltage of i'·R1 is generated across the resistor R1. On the other hand, when the conventional common base amplifier is not used, the voltage generated across the resistor R1 is i·R1. In other words, the input terminal voltage of the phase shift circuit is Vcc-i'・R
1, Vcc-i·R1, it can be seen that the former value takes a smaller value. Since the input current of the phase shift circuit 10 is phase-shifted and fed back to the first-stage reference oscillation circuit in the form of a voltage, if we consider this result in relation to the graph of FIG. 4, we can see that the voltage value becomes Vcc=Vturn. In,
The slope becomes gentle as shown in graph (b'). As described above, the dynamic range can be used effectively.

【0020】図6は、温度変化による回路動作への悪影
響を抑えるように構成したこの発明のもう一つの他の実
施例である。
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention configured to suppress the adverse effects of temperature changes on circuit operation.

【0021】この実施例は電流iが温度変化により変化
したときに、変化分を相殺して電流i′を温度に依存し
ないようにし、温度変化による回路動作への悪影響を抑
えたものである。温度に依存しないためには抵抗R3 
に流れる電流i(R3 ) を温度に応じて増減を調節
すれば良いことがわかる。すなわち、入力電流iが増え
たときにはi・R3 を増やす方向に、iが減った場合
にはi・R3 を増やす方向にすればよい。
In this embodiment, when current i changes due to temperature change, the change is canceled out to make current i' independent of temperature, thereby suppressing the adverse effects of temperature change on circuit operation. To be independent of temperature, resistor R3
It can be seen that the current i (R3) flowing through can be increased or decreased depending on the temperature. That is, when the input current i increases, i·R3 may be increased, and when i decreases, i·R3 may be increased.

【0022】PNPトランジスタQ5 およびQ8 で
構成されているカレントミラー回路の入力端に、バンド
ギヤップ回路のような熱起電力VT 依存の電流源I2
 と、電流源I1 およびNPNトランジスタQ9 、
Q10で構成されるようなベース・エミッタ間電圧VB
E依存の電流源を接続する。これより抵抗R4 の両端
に現れる電圧V(R4 ) には以下のような関係式が
成り立つ。
A current source I2 dependent on thermoelectromotive force VT, such as a bandgap circuit, is connected to the input terminal of the current mirror circuit composed of PNP transistors Q5 and Q8.
, current source I1 and NPN transistor Q9,
Base-emitter voltage VB as configured by Q10
Connect an E-dependent current source. From this, the following relational expression holds true for the voltage V(R4) appearing across the resistor R4.

【0023】V(R4 ) =R4 ・I2 +R4 
・Ic( Q9 )=R4 ・VT ・1 nN/Rs
 +R4 ・VBE(Q10) /R7 ただし、Ic
( Q9 ) :トランジスタQ9 コレクタ電流N 
       :バンドギャップ回路の固有の定数Rs
       :バンドギャップ回路の電流設定用抵抗
いま、PNPトランジスタQ5 およびQ8 のベース
エミッタ間電圧を等しいとすればR3 の両端に発生す
る電圧V(R3 ) はV(R4 ) に等しい。また
i(R3 ) =V(R3 ) /R3 であるのでi
(R3 ) は次式で表せる。
[0023]V(R4) =R4 ・I2 +R4
・Ic (Q9)=R4 ・VT ・1 nN/Rs
+R4 ・VBE(Q10) /R7 However, Ic
(Q9): Transistor Q9 collector current N
: Unique constant Rs of the bandgap circuit
: Current setting resistor of bandgap circuit Now, assuming that the base-emitter voltages of PNP transistors Q5 and Q8 are equal, the voltage V(R3) generated across R3 is equal to V(R4). Also, since i(R3) = V(R3)/R3, i
(R3) can be expressed by the following formula.

【0024】   i(R3 ) =R4 /R3 ・VT ・1 n
N/Rs +R4 /R3 ・VBE(Q10) /R
7 温度Tで上式の偏微分をとってみると、(ただし抵
抗の温度依存性は無視する。)   2i(R3 ) 
/2T=1/R3 ・R4 / R3 ・ln N・ 
2VT/2T+1/R7 ・R4 / R3 ・ 2V
BE(Q10)/ 2Tすなわち、上式における1/R
s および1/R7 の値を任意に設定することによっ
て抵抗R3 に流れる電流の温度依存性を調節できる。 例えば、入力電流iがVTによる温度依存性を持つよう
な電流であれば、1/R7 に比べ1/Rsを大きな値
に設定し、i・R3 もVT による温度依存性を持た
せるようにすればよい。もし入力電流iがベース・エミ
ッタ間電圧による温度依存性を持つような場合、あるい
は両者の複合要素による場合も同様に、任意に設定する
ことができる。
i(R3) =R4/R3・VT・1 n
N/Rs +R4 /R3 ・VBE(Q10) /R
7 Taking the partial differential of the above equation with respect to temperature T, we get (however, ignoring the temperature dependence of resistance) 2i(R3)
/2T=1/R3 ・R4 / R3 ・ln N・
2VT/2T+1/R7 ・R4 / R3 ・2V
BE(Q10)/2T, that is, 1/R in the above formula
By arbitrarily setting the values of s and 1/R7, the temperature dependence of the current flowing through the resistor R3 can be adjusted. For example, if the input current i is a current that has temperature dependence due to VT, set 1/Rs to a larger value than 1/R7 so that i・R3 also has temperature dependence due to VT. Bye. Similarly, if the input current i has temperature dependence due to the base-emitter voltage, or if it is due to a combination of both, it can be set arbitrarily.

【0025】この実施例によれば、低電圧の改善、電源
電圧および温度の変化による回路への悪影響を軽減する
ことができ、安定な発振動作が可能である。
According to this embodiment, it is possible to improve low voltage, reduce the adverse effects on the circuit due to changes in power supply voltage and temperature, and enable stable oscillation operation.

【0026】なお、この発明は上記した実施例に限定さ
れることなく、例えばベース接地アンプのバイアス手段
を他の手段により構成した場合においても、同様の目的
を達成することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the same object can be achieved even if, for example, the bias means of the common base amplifier is configured by other means.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
水平発振回路におけるベクトル合成回路と移相回路の間
にベース接地アンプを設けることにより、伝達信号の周
波数特性を劣化させることなくダイナミックレンジを拡
大でき、低電圧電源でも良好な動作を得ることができ、
加えて電源電圧や温度の変化に伴う回路動作への悪影響
を軽減することが可能である。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
By providing a common base amplifier between the vector synthesis circuit and the phase shift circuit in the horizontal oscillation circuit, the dynamic range can be expanded without deteriorating the frequency characteristics of the transmitted signal, and good operation can be obtained even with a low voltage power supply. ,
In addition, it is possible to reduce the adverse effects on circuit operation due to changes in power supply voltage and temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1により具体的に示した回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram more specifically shown in FIG. 1;

【図3】この発明の他の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention.

【図4】この発明と従来の動作を比較するための特性図
である。
FIG. 4 is a characteristic diagram for comparing the operation of the present invention and the conventional operation.

【図5】この発明の動作を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing the operation of the present invention.

【図6】この発明のもう一つの他の実施例を示す回路図
である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention.

【図7】従来の回路図である。FIG. 7 is a conventional circuit diagram.

【図8】もう一つの従来の回路図である。FIG. 8 is another conventional circuit diagram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Iin、Iref ………電流源 Q5 ………トランジスタ Vbias………バイアス回路 CM………カレントミラー回路 Iin, Iref……Current source Q5......transistor Vbias……bias circuit CM……Current mirror circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基準電位に一方の端子を接続した第1
の電流源と、前記基準電位あるいは別の基準電位に一方
の端子を接続した第2の電流源と、前記第1および第2
の電流源の他方の端子をエミッタに接続したトランジス
タと、前記トランジスタのベースに接続した電源電圧ま
たは温度に依存性を持つあるいは任意に設定できるバイ
アス回路と、前記トランジスタのコレクタから負荷素子
へ電流を供給する手段とを有してなることを特徴とする
トランジスタ回路。
[Claim 1] A first electrode whose one terminal is connected to a reference potential.
a current source having one terminal connected to the reference potential or another reference potential;
a transistor in which the other terminal of the current source is connected to the emitter; a bias circuit that is dependent on the power supply voltage or temperature or can be set arbitrarily; and a bias circuit connected to the base of the transistor, and a current source from the collector of the transistor to the load element. 1. A transistor circuit comprising: supplying means.
【請求項2】  前記第1の電流源を抵抗により構成し
たことを特徴とする請求項1記載のトランジスタ回路。
2. The transistor circuit according to claim 1, wherein the first current source is constituted by a resistor.
【請求項3】  前記バイアス回路は、それぞれ正負の
温度依存性を持つバンドギャップ電圧とトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧を用い前記電圧を任意の比で合
成したものであることを特徴とする請求項1記載のトラ
ンジスタ回路。
3. The bias circuit is characterized in that the voltages are synthesized in an arbitrary ratio using a bandgap voltage and a base-emitter voltage of a transistor, each of which has positive and negative temperature dependence. 1. The transistor circuit according to 1.
【請求項4】  前記バイアス回路は、電源電圧を分圧
したものであることを特徴とする請求項1記載のトラン
ジスタ回路。
4. The transistor circuit according to claim 1, wherein the bias circuit is a voltage-divided power supply voltage.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218640A (en) * 2008-03-06 2009-09-24 Onkyo Corp Current system low-pass filter

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