JPH09110976A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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- JPH09110976A JPH09110976A JP34955095A JP34955095A JPH09110976A JP H09110976 A JPH09110976 A JP H09110976A JP 34955095 A JP34955095 A JP 34955095A JP 34955095 A JP34955095 A JP 34955095A JP H09110976 A JPH09110976 A JP H09110976A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 有機感光体用の高分子電荷輸送性材料用芳香
族ポリカーボネート樹脂の提供。 【解決手段】 式で表わされる構成単位からなり、２，
０００〜４００，０００のＭｎと、２，５００〜４０
０，０００のＭｗを有する芳香族ポリカーボネート樹
脂。 ［Ａｒ1、Ａｒ2はアリール基、Ａは単結合、アルキレン
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基、Ｘはアルキレン基、ジアル
キレンエーテル基または−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（Ａ
ｒ3、Ａｒ4はアリレン基、Ｙは単結合、のアルキレン
基、ジアルキルエーテル基、アルキリデン基、シクロア
ルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基）を表
わし、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はアルキル基、アリール基又は
ハロゲン原子、ｌ、ｍｎは０〜４］
族ポリカーボネート樹脂の提供。 【解決手段】 式で表わされる構成単位からなり、２，
０００〜４００，０００のＭｎと、２，５００〜４０
０，０００のＭｗを有する芳香族ポリカーボネート樹
脂。 ［Ａｒ1、Ａｒ2はアリール基、Ａは単結合、アルキレン
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基、Ｘはアルキレン基、ジアル
キレンエーテル基または−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（Ａ
ｒ3、Ａｒ4はアリレン基、Ｙは単結合、のアルキレン
基、ジアルキルエーテル基、アルキリデン基、シクロア
ルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基）を表
わし、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はアルキル基、アリール基又は
ハロゲン原子、ｌ、ｍｎは０〜４］
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な芳香族ポリ
カーボネート樹脂に関し、更に詳しくは電子写真感光体
の有機光導電性材料として有用な新規な芳香族ポリカー
ボネート樹脂に関する。
カーボネート樹脂に関し、更に詳しくは電子写真感光体
の有機光導電性材料として有用な新規な芳香族ポリカー
ボネート樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェ
ニルカーボネート等のカーボネート前駆物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂が、その代表的なもの
として知られている。かかるビスフェノールＡからのポ
リカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、寸法精度及び
機械的強度等の面で優れた性質を有していることから、
多くの分野で用いられている。そのひとつの例として、
電子写真法において使用される有機感光体用のバインダ
ー樹脂として様々な検討がなされている。有機感光体の
代表的な構成例として、導電性基板上に電荷発生層、電
荷輸送層を順次積層した積層型感光体が挙げられる。電
荷輸送層は低分子電荷輸送材料とバインダー樹脂より形
成され、このバインダー樹脂として芳香族ポリカーボネ
ート樹脂が多数提案されている。しかしながら、低分子
電荷輸送材料の含有により、バインダー樹脂が本来有す
る機械的強度を低下させ、このことが感光体の摩耗性、
傷、クラック等の原因となり、感光体の耐久性を損なう
ものとなっている。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェ
ニルカーボネート等のカーボネート前駆物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂が、その代表的なもの
として知られている。かかるビスフェノールＡからのポ
リカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、寸法精度及び
機械的強度等の面で優れた性質を有していることから、
多くの分野で用いられている。そのひとつの例として、
電子写真法において使用される有機感光体用のバインダ
ー樹脂として様々な検討がなされている。有機感光体の
代表的な構成例として、導電性基板上に電荷発生層、電
荷輸送層を順次積層した積層型感光体が挙げられる。電
荷輸送層は低分子電荷輸送材料とバインダー樹脂より形
成され、このバインダー樹脂として芳香族ポリカーボネ
ート樹脂が多数提案されている。しかしながら、低分子
電荷輸送材料の含有により、バインダー樹脂が本来有す
る機械的強度を低下させ、このことが感光体の摩耗性、
傷、クラック等の原因となり、感光体の耐久性を損なう
ものとなっている。
【０００３】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、三級アミン
を側鎖に有するアクリル系樹脂［Ｍ．Ｓｔｏｌｋａ ｅ
ｔａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ ２１，９
６９（１９８３）］及びベンジジン構造を有するポリカ
ーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公報）等の光
導電性高分子材料が検討されているが、実用化には到っ
ていない。
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、三級アミン
を側鎖に有するアクリル系樹脂［Ｍ．Ｓｔｏｌｋａ ｅ
ｔａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，ｖｏｌ ２１，９
６９（１９８３）］及びベンジジン構造を有するポリカ
ーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公報）等の光
導電性高分子材料が検討されているが、実用化には到っ
ていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
高分子電荷輸送性材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することをその目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
高分子電荷輸送性材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することをその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば下記式
（化５）及び（化６）で表わされる構成単位からなり、
末端がフェノールで封鎖されている芳香族ポリカーボネ
ート樹脂が提供される。
（化５）及び（化６）で表わされる構成単位からなり、
末端がフェノールで封鎖されている芳香族ポリカーボネ
ート樹脂が提供される。
【０００６】
【化５】 ［上式中Ａｒ1、Ａｒ2は置換若しくは無置換のアリール
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数を表わす。ｐは５〜５，００
０の整数を表わす。］
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数を表わす。ｐは５〜５，００
０の整数を表わす。］
【０００７】
【化６】 ［上式中、Ｒ4は水素原子、アルキル基、置換若しくは
無置換のアリール基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリ
アルキレンエーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−
（式中、Ａｒ3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキ
レンエーテル基、アルキリデン基、シクロアルキリデン
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表
わす。］
無置換のアリール基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリ
アルキレンエーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−
（式中、Ａｒ3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキ
レンエーテル基、アルキリデン基、シクロアルキリデン
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表
わす。］
【０００８】また、本発明によれば下記式（化７）及び
（化８）で表わされる構成単位からなり、構成単位の組
成比が０＜ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボ
ネート樹脂が提供される。
（化８）で表わされる構成単位からなり、構成単位の組
成比が０＜ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボ
ネート樹脂が提供される。
【０００９】
【化７】
【００１０】
【化８】 ［上式中Ａｒ1、Ａｒ2は置換若しくは無置換のアリール
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数を表わす。］ これら本発明の樹脂は２０００〜４００，０００の数平
均分子量と、２５００〜４００，０００の重量平均分子
量を有する。
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数を表わす。］ これら本発明の樹脂は２０００〜４００，０００の数平
均分子量と、２５００〜４００，０００の重量平均分子
量を有する。
【００１１】前記式（化５）、（化６）、（化７）及び
（化８）におけるＲ１〜Ｒ４、Ａｒ１、Ａｒ２の具体例
としては、アルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等が、アリール基としては、フェ
ニル基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アン
トリル基、ピレニル基等が挙げられ、更にこれらの置換
基としては上記アルキル基、アリール基に加え、アルコ
キシ基としてメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基等が、ハロゲン原子としてフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素を挙げることができる。またＡｒ３、Ａｒ４
の具体例としてはフェニレン基、ビフェニリレン基、ナ
フチレン基などを挙げることができ、更にこれは前記に
挙げた置換基を有してもよい。次に、Ａ，Ｘ及びＹの具
体例としてアルキレン基若しくはポリアルキレンエーテ
ル基例えばジアルキレンエーテル基、側鎖低級アルキル
置換ジアルキレンエーテル基、トリアルキレンエーテル
基、側鎖低級アルキル置換トリアルキレンエーテル基、
テトラアルキレンエーテル基、側鎖低級アルキル置換テ
トラアルキレンエーテル基のアルキレン基としてメチレ
ン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン
基、２−メチル−トリメチレン基、ジフルオロメチレン
基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキ
シエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニ
ルメチレン基、ジフェニルメチレン基を挙げることがで
き、アルキリデン基、としてはイソプロピリデン基、イ
ソブチリデン基、ｓｅｃ−ブチリデン基等を挙げること
ができ、シクロアルキリデン基としては、シクロペンチ
リデン基、シクロヘキシリデン基、シクロオクチリデン
基等が挙げられる。本発明にかかる前記式（化５）で表
わされる芳香族ポリカーボネート樹脂は、新規物質であ
り、このものは下記式（化９）で表わされるジヒドロキ
シ化合物と下記式（化１０）で表わされるビス（クロロ
ホーメート）化合物とに、脱酸剤を加え、溶媒の存在下
若しくは無溶媒下で反応させることにより製造すること
ができる。
（化８）におけるＲ１〜Ｒ４、Ａｒ１、Ａｒ２の具体例
としては、アルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等が、アリール基としては、フェ
ニル基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アン
トリル基、ピレニル基等が挙げられ、更にこれらの置換
基としては上記アルキル基、アリール基に加え、アルコ
キシ基としてメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基等が、ハロゲン原子としてフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素を挙げることができる。またＡｒ３、Ａｒ４
の具体例としてはフェニレン基、ビフェニリレン基、ナ
フチレン基などを挙げることができ、更にこれは前記に
挙げた置換基を有してもよい。次に、Ａ，Ｘ及びＹの具
体例としてアルキレン基若しくはポリアルキレンエーテ
ル基例えばジアルキレンエーテル基、側鎖低級アルキル
置換ジアルキレンエーテル基、トリアルキレンエーテル
基、側鎖低級アルキル置換トリアルキレンエーテル基、
テトラアルキレンエーテル基、側鎖低級アルキル置換テ
トラアルキレンエーテル基のアルキレン基としてメチレ
ン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン
基、２−メチル−トリメチレン基、ジフルオロメチレン
基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキ
シエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニ
ルメチレン基、ジフェニルメチレン基を挙げることがで
き、アルキリデン基、としてはイソプロピリデン基、イ
ソブチリデン基、ｓｅｃ−ブチリデン基等を挙げること
ができ、シクロアルキリデン基としては、シクロペンチ
リデン基、シクロヘキシリデン基、シクロオクチリデン
基等が挙げられる。本発明にかかる前記式（化５）で表
わされる芳香族ポリカーボネート樹脂は、新規物質であ
り、このものは下記式（化９）で表わされるジヒドロキ
シ化合物と下記式（化１０）で表わされるビス（クロロ
ホーメート）化合物とに、脱酸剤を加え、溶媒の存在下
若しくは無溶媒下で反応させることにより製造すること
ができる。
【００１２】
【化９】 （上式中Ａｒ1、Ａｒ2は置換若しくは無置換のアリール
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無
置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わ
し、ｌ、ｍ及びｎは各々独立して０〜３の整数を表わ
す。）
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無
置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わ
し、ｌ、ｍ及びｎは各々独立して０〜３の整数を表わ
す。）
【００１３】
【化１０】 ［Ｘはアルキレン基、ポリアルキレンエーテル基又は次
式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ3、Ａｒ4は置換若
しくは無置換のアリレン基を表わし、各々同一でも異な
っていてもよく、Ｙは単結合、置換若しくは無置換のア
ルキレン基、ポリアルキレンエーテル基、アルキリデン
基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビニ
レン基を表わす。）を表わす。］ また本発明にかかる前記式（化６）で表わされる芳香族
ポリカーボネート樹脂は、（化５）と同様な製造法によ
り得られる。本発明にかかる前記式（化７）及び（化
８）で表わされる構成単位からなる芳香族ポリカーボネ
ート樹脂は、前記式（化９）で表わされるジヒドロキシ
化合物と下記式（化１１）で表わされるジヒドロキシ化
合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加しておきホスゲン或
いは液化ホスゲンを導入する従来公知の方法で得られ
る。
式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ3、Ａｒ4は置換若
しくは無置換のアリレン基を表わし、各々同一でも異な
っていてもよく、Ｙは単結合、置換若しくは無置換のア
ルキレン基、ポリアルキレンエーテル基、アルキリデン
基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビニ
レン基を表わす。）を表わす。］ また本発明にかかる前記式（化６）で表わされる芳香族
ポリカーボネート樹脂は、（化５）と同様な製造法によ
り得られる。本発明にかかる前記式（化７）及び（化
８）で表わされる構成単位からなる芳香族ポリカーボネ
ート樹脂は、前記式（化９）で表わされるジヒドロキシ
化合物と下記式（化１１）で表わされるジヒドロキシ化
合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加しておきホスゲン或
いは液化ホスゲンを導入する従来公知の方法で得られ
る。
【００１４】
【化１１】 （式中、Ｘは前記と同じ）
【００１５】これらの場合、脱酸剤としては、トリエチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ピ
リジン、キノリン等の窒素化合物若しくは水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物を挙げ
ることができる。また、添加量としては反応中に生じる
塩化水素を中和するのに十分な量、具体的に反応基に対
して当量〜３倍量が普通に用いられる。反応溶媒として
は、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テト
ラヒドロフラン、エチルエーテル、トルエン、キシレ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、
ヘキサンなどを挙げることができる。反応温度は０〜１
５０℃の範囲で行われる。
ルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ピ
リジン、キノリン等の窒素化合物若しくは水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物を挙げ
ることができる。また、添加量としては反応中に生じる
塩化水素を中和するのに十分な量、具体的に反応基に対
して当量〜３倍量が普通に用いられる。反応溶媒として
は、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テト
ラヒドロフラン、エチルエーテル、トルエン、キシレ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、
ヘキサンなどを挙げることができる。反応温度は０〜１
５０℃の範囲で行われる。
【００１６】また、前記式（化７）及び（化８）で表わ
される芳香族ポリカーボネート樹脂は前記式（化９）で
表わされるジヒドロキシ化合物と前記式（化１１）で表
わされるジヒドロキシ化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を
添加することによっても合成することができる。
される芳香族ポリカーボネート樹脂は前記式（化９）で
表わされるジヒドロキシ化合物と前記式（化１１）で表
わされるジヒドロキシ化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を
添加することによっても合成することができる。
【００１７】そして、これらジヒドロキシ化合物とビス
（クロロホーメート）化合物もしくはホスゲンとの反応
モル比、または、脱酸剤、反応溶媒の種類、量、さらに
それらの組み合わせによって、本発明の樹脂における分
子量の値を調整することができる。
（クロロホーメート）化合物もしくはホスゲンとの反応
モル比、または、脱酸剤、反応溶媒の種類、量、さらに
それらの組み合わせによって、本発明の樹脂における分
子量の値を調整することができる。
【００１８】上記の方法に従って製造される芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤等の添加剤を加えること
ができる。
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤等の添加剤を加えること
ができる。
【００１９】本発明で得られる新規な芳香族ポリカーボ
ネート樹脂は、電子写真用感光体における光導電性材料
として極めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤
によって光学的或いは化学的に増感される。更にこのも
のは、有機顔料或いは無機顔料を電荷発生材料とする、
所謂、機能分離型感光体における電荷輸送材料としてと
りわけ有用である。
ネート樹脂は、電子写真用感光体における光導電性材料
として極めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤
によって光学的或いは化学的に増感される。更にこのも
のは、有機顔料或いは無機顔料を電荷発生材料とする、
所謂、機能分離型感光体における電荷輸送材料としてと
りわけ有用である。
【００２０】上記増感剤としては、例えば、メチルバイ
オレット、クリスタルバイオレット等のトリアリールメ
タン染料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
等のキサンテン染料、２，４，７−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノン等が
挙げられる。
オレット、クリスタルバイオレット等のトリアリールメ
タン染料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
等のキサンテン染料、２，４，７−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノン等が
挙げられる。
【００２１】また、有機顔料としてはシーアイピグメン
トブルー２５（ＣＩ Ｎｏ．２１１８０）、シーアイピ
グメントレッド４１（ＣＩ Ｎｏ．２１２００）、シー
アイピグメントレッド３（ＣＩ Ｎｏ．４５２１０）等
のアゾ系顔料、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ
Ｎｏ．７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーア
イバットブラウン５（ＣＩ Ｎｏ．７３４１０）、シー
アイバットダイ（ＣＩＮｏ．７３０３０）等のインジゴ
系顔料、アルゴスカーレットＢ、インダンスレンスカー
レットＲ等のペリレン系顔料が挙げられる。また、セレ
ン、セレン−テルル、硫化カドミウム、αーシリコン等
の無機顔料も使用できる。
トブルー２５（ＣＩ Ｎｏ．２１１８０）、シーアイピ
グメントレッド４１（ＣＩ Ｎｏ．２１２００）、シー
アイピグメントレッド３（ＣＩ Ｎｏ．４５２１０）等
のアゾ系顔料、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ
Ｎｏ．７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーア
イバットブラウン５（ＣＩ Ｎｏ．７３４１０）、シー
アイバットダイ（ＣＩＮｏ．７３０３０）等のインジゴ
系顔料、アルゴスカーレットＢ、インダンスレンスカー
レットＲ等のペリレン系顔料が挙げられる。また、セレ
ン、セレン−テルル、硫化カドミウム、αーシリコン等
の無機顔料も使用できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００２３】実施例１ 窒素気流下、１，１−ビス｛３−［４−ジ−ｐートリル
アミノフェネチル］−４−ヒドロキシフェニル｝シクロ
ヘキサン８．６７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン３．０４ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒ
ドロフラン５０ｍｌに溶解させ、これにジエチレングリ
コール ビス（クロロホーメート）２．３１ｇ（１０．
０ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラン１０ｍｌに溶解
させたものを室温にて３０分間かけ滴下した。続いて、
室温にて３時間撹拌を行った後、フェノール０．０４ｇ
（０．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１ｍｌに溶解
させたものを加え、更に１０分間撹拌を行った。次に、
析出しているトリエチルアミン塩酸塩を濾過することに
より取り除き、濾液のテトラヒドロフラン溶液をメタノ
ールに滴下して、析出した樹脂を瀘別し、減圧加熱乾燥
を行った。更に得られた樹脂をテトラヒドロフランに溶
解させてメタノール中にて析出させる操作を２回繰り返
し、減圧加熱乾燥して目的物の下記構造式で示される芳
香族ポリカーボネート樹脂７．９２ｇ（収率７７．３
％）を得た。このもののＴｇは９１℃であり、また、数
平均分子量、重量平均分子量（ポリスチレン換算）は５
８００、１１９００であった。
アミノフェネチル］−４−ヒドロキシフェニル｝シクロ
ヘキサン８．６７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン３．０４ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒ
ドロフラン５０ｍｌに溶解させ、これにジエチレングリ
コール ビス（クロロホーメート）２．３１ｇ（１０．
０ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラン１０ｍｌに溶解
させたものを室温にて３０分間かけ滴下した。続いて、
室温にて３時間撹拌を行った後、フェノール０．０４ｇ
（０．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１ｍｌに溶解
させたものを加え、更に１０分間撹拌を行った。次に、
析出しているトリエチルアミン塩酸塩を濾過することに
より取り除き、濾液のテトラヒドロフラン溶液をメタノ
ールに滴下して、析出した樹脂を瀘別し、減圧加熱乾燥
を行った。更に得られた樹脂をテトラヒドロフランに溶
解させてメタノール中にて析出させる操作を２回繰り返
し、減圧加熱乾燥して目的物の下記構造式で示される芳
香族ポリカーボネート樹脂７．９２ｇ（収率７７．３
％）を得た。このもののＴｇは９１℃であり、また、数
平均分子量、重量平均分子量（ポリスチレン換算）は５
８００、１１９００であった。
【００２４】
【化１２】 なお、上記芳香族ポリカーボネート樹脂の元素分析値は
下記のとおりであった。 このものの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１
に示す。
下記のとおりであった。 このものの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１
に示す。
【００２５】実施例２〜４ 実施例１と同様な条件で、他の芳香族ポリカーボネート
樹脂を得た。得られた樹脂の化学構造式を表１に、収
率、Ｔｇ、数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）及び元素分析値を表２に示す。
樹脂を得た。得られた樹脂の化学構造式を表１に、収
率、Ｔｇ、数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）及び元素分析値を表２に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】 応用例 アルミ板上にメタノール／ブタノール混合溶媒に溶解し
たポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して０．３μｍの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式
（化１３）で表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサ
ノン中でボールミルにより粉砕し、得られた分散液をド
クターブレードで塗布し、自然乾燥して約１μｍの電荷
発生層を形成した。
たポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して０．３μｍの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式
（化１３）で表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサ
ノン中でボールミルにより粉砕し、得られた分散液をド
クターブレードで塗布し、自然乾燥して約１μｍの電荷
発生層を形成した。
【００２８】
【化１３】 次に、電荷輸送物質として実施例１の化合物をジクロロ
メタンに溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクタ
ーブレードで塗布し、自然乾燥し、ついで１２０℃で２
０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成し感
光体を作成した。次にこうして得られた積層型電子写真
感光体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静
電複写紙試験装置｛（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８
型｝を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行
って帯電させた後、感光体の表面電位Ｖｍ（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖｏ
（Ｖ）を測定した。ついで、タングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ｌｘになるように照射して、
Ｖｏが１／２になるまでの露光量Ｅ１／２（ｌｘ・ｓ）
を測定した。結果はＶｍ−１３２１（Ｖ）、Ｖｏ−１２
３３（Ｖ）、Ｅ１／２１．２０（ｌｘ・ｓ）であった。
メタンに溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクタ
ーブレードで塗布し、自然乾燥し、ついで１２０℃で２
０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成し感
光体を作成した。次にこうして得られた積層型電子写真
感光体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静
電複写紙試験装置｛（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８
型｝を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行
って帯電させた後、感光体の表面電位Ｖｍ（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖｏ
（Ｖ）を測定した。ついで、タングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ｌｘになるように照射して、
Ｖｏが１／２になるまでの露光量Ｅ１／２（ｌｘ・ｓ）
を測定した。結果はＶｍ−１３２１（Ｖ）、Ｖｏ−１２
３３（Ｖ）、Ｅ１／２１．２０（ｌｘ・ｓ）であった。
【００２９】
【発明の効果】以上の詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は電荷
輸送能を持ち且つ高い機械的強度を有するため、電子写
真用感光体の電荷輸送性高分子材料として有用なもので
ある。
なように、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は電荷
輸送能を持ち且つ高い機械的強度を有するため、電子写
真用感光体の電荷輸送性高分子材料として有用なもので
ある。
【図１】実施例１で得られた芳香族ポリカーボネート樹
脂の赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）である。
脂の赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 千秋 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安西 光利 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保土 谷化学工業株式会社内 (72)発明者 今井 章博 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保土 谷化学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 下記式（化１）で表わされる構成単位か
らなり、２，０００〜４００，０００の数平均分子量
と、２，５００〜４００，０００の重量平均分子量を有
する芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】 ［上式中Ａｒ1、Ａｒ2は置換若しくは無置換のアリール
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数、ｐは５〜５，０００の整数
を表わす。］ - 【請求項２】 下記式（化２）で表わされる構成単位か
らなり、２，０００〜４００，０００の数平均分子量
と、２，５００〜４００，０００の重量平均分子量を有
する芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化２】 ［上式中、Ｒ4は水素原子、アルキル基、置換若しくは
無置換のアリール基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリ
アルキレンエーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−
（式中、Ａｒ3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキ
ルエーテル基、アルキリデン基、シクロアルキリデン
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表
わす。］ - 【請求項３】 下記式（化３）及び（化４）で表わされ
る構成単位からなり、２，０００〜４００，０００の数
平均分子量と、２，５００〜４００，０００の重量平均
分子量を有し、前記構成単位の組成比が０＜ｋ／（ｋ＋
ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化３】 【化４】 ［上式中Ａｒ1、Ａｒ2は置換若しくは無置換のアリール
基を表わし、各々同一でも異なっていてもよい。Ａは単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、アルキリデ
ン基、シクロアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、ビ
ニレン基を表わし、Ｘはアルキレン基、ポリアルキレン
エーテル基又は次式−Ａｒ3−Ｙ−Ａｒ4−（式中、Ａｒ
3、Ａｒ4は置換若しくは無置換のアリレン基を表わし、
各々同一でも異なっていてもよく、Ｙは単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、ポリアルキレンエーテル
基、アルキリデン基、シクロアルキリデン基、酸素原
子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。）を表わし、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は置換若しくは無置換のアルキル基、
アリール基又はハロゲン原子を表わし、ｌ、ｍ及びｎは
各々独立して０〜３の整数、ｋは５〜５，０００、ｊは
０〜５，０００の整数を表わす。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34955095A JP3358140B2 (ja) | 1995-08-14 | 1995-12-22 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-226979 | 1995-08-14 | ||
| JP22697995 | 1995-08-14 | ||
| JP34955095A JP3358140B2 (ja) | 1995-08-14 | 1995-12-22 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110976A true JPH09110976A (ja) | 1997-04-28 |
| JP3358140B2 JP3358140B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=26527442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34955095A Expired - Lifetime JP3358140B2 (ja) | 1995-08-14 | 1995-12-22 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3358140B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154281A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| US7914959B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-03-29 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming method, and image forming apparatus |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4579151B2 (ja) | 2005-12-27 | 2010-11-10 | 株式会社リコー | 感光体及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP34955095A patent/JP3358140B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JPH1154281A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7914959B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-03-29 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming method, and image forming apparatus |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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