JPH09110412A - 酸化珪素の製造方法 - Google Patents
酸化珪素の製造方法Info
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Abstract
珪素を蒸着する場合の蒸着材料として好適な酸化珪素を
製造する。 【構成】 原料珪素1をヒータ6により加熱蒸発させ
て、基体4の表面に酸化珪素7を析出させる。基体4と
して、表面組織を粗に処理した金属を用いる。原料珪素
1の中に、ヒータ6により効率よく加熱される発熱体あ
るいは熱伝導体3を設置する。析出した酸化珪素7の表
面が平坦になる。その酸化珪素7を基体4から剥離させ
るときに、酸化珪素7が砕けない。
Description
使用されるプラスチックフィルムの表面に酸化珪素を蒸
着する際に用いる酸化珪素の製造方法に関する。
関係等の各分野においては、金属酸化物を被覆したプラ
スチックフィルムが、透明性や耐熱性、ガスバリヤ性に
優れることから、包装材料やガス遮蔽材として注目さ
れ、その需要を伸ばしている。その金属酸化物としては
アルミ系、珪素系の2つが主に使用されているが、酸化
アルミ被覆フィルムは耐レトルト性に問題がある。ま
た、金属アルミを被覆したフィルムは、これらの金属酸
化物を用いたものよりガスバリア性に優れているが、電
子レンジに使用できず、また不透明なため内容物を直視
できないという欠点が存在する。これらに対し、酸化珪
素被覆フィルムは、ガスバリア性、耐レトルト性、透明
性、電子レンジ対応性等のいずれも兼ね備え、現在最も
高い総合評価を得ている。
ては、スパッタ法と蒸着法がある。スパッタ法は蒸着法
と比較して成膜速度が遅いため、低コストを要求される
包装材料等の分野には適さない。このため包装材料等の
分野では蒸着法が多用されている。
である酸化珪素を真空中で抵抗加熱や誘導加熱などによ
り直接加熱して蒸発させ、その蒸気をフィルムに付着さ
せることにより製造される。この製造では、加熱時に酸
化珪素が飛散する現象(スプラッシュ)を防止するた
め、蒸着材料を塊状にする対策がとられる。
子)を使用した蒸着も増加している。EBの使用は、狭
い範囲に高エネルギーを集中させることができ、蒸気圧
の低い金属酸化物でも比較的容易に蒸発させることが可
能である。しかし、EBの照射が均一に行われず部分的
に高エネルギーが与えられると、金属酸化物中の酸素が
分解して、系内の圧力を上昇させる。このため蒸発膜厚
が不均一になったり、フィルムとの付着性が不十分にな
ったりする。そこでEBを蒸着材料に均一に照射するこ
とが必要になる。
に照射するには、蒸着材料の表面に平坦性を持たせるこ
とが必要である。しかし、スプラッシュを防止するため
に従来使用されている塊状の酸化珪素は、砕けた状態の
ため、EBを均一に照射するのが大変困難であり、また
材料に切れ目があるためEBを連続して照射することが
不可能である。
は、その酸化珪素の製造時にある。酸化珪素蒸着フィル
ムの製造に蒸着材料として使用される塊状の酸化珪素
は、従来は粉末の原料珪素を容器内に充填し、真空下で
これを加熱蒸発させ、石英からなる基体の表面に蒸着さ
せることにより製造される。しかし、石英と酸化珪素の
付着性が強いため、石英の表面に蒸着した酸化珪素を石
英から剥離させるときに、その酸化珪素が砕けてしまう
のである。
着性が石英より弱く、その表面に蒸着した酸化珪素を原
形のまま剥離させることができる。しかし、金属の表面
に蒸着した酸化珪素は、表面が凹凸状態となり、金属酸
化物蒸着フィルムの蒸着材料として用いた場合にEBの
均一照射が不可能であり、蒸発特性が著しく悪化するな
どの問題がある。
素の表面が平坦で、しかも、その酸化珪素を砕けること
なく基体から剥離させることができる酸化珪素の製造方
法を提供することにある。
より製造する場合に、基体として金属を使用すると、そ
の金属表面に蒸着した酸化珪素は砕けることなく金属基
体から剥離する。しかし、得られた酸化珪素の表面は凹
凸状態となり、EB照射に不適なものとなる。
珪素の表面を平坦にする方法の開発を企画し、実験研究
を続けた結果、その金属基体の表面を酸処理やサンドブ
ラスト等により粗な組織とするのが有効なことを知見
し、本発明を完成させた。
化における核発生密度は、その固体の界面張力、分子
量、密度、過飽和度、温度等に依存する。中でも過飽和
度の増大は、核発生密度を著しく増加させる。本発明に
おいては、過飽和度等の環境条件を変化させることな
く、物理的な方法で核発生密度を増加させた。なぜな
ら、過飽和度等の環境条件は、核発生後の成長段階にも
大きな影響を与える。従来の環境条件を変えることは、
酸化珪素の成長に悪影響を与えることになるため好まし
くない。未処理金属と処理金属の表面の差異は、前述の
物理的影響に相当する。つまり、未処理金属の表面は組
織が緻密であり、原料ガスの凝縮、蒸着時、固体酸化珪
素の発生源となる核の発生密度が小さく、基体表面にお
いて局所的に酸化珪素が成長してしまうため、生成した
酸化珪素の表面は凹凸状態となる。一方、表面処理を施
した金属基体表面は、未処理金属表面と比較し、表面状
態が粗である。この物理的な要因によって、核発生密度
が増加し、局所的な成長が抑止され、基体表面均一に成
長が起こる。そのため、生成する酸化珪素の表面は平坦
なものとなる。
なぜなら、核発生速度は温度に影響され、高温ほど速度
は速くなる。蒸着部では、下部からの輻射熱のみで、十
分核発生必要温度以上に達するため、核発生速度は速く
なっている。核発生速度が速い状態で原料ガスの供給が
十分でないと、金属基体の表面全体に核が均一に成長せ
ず、一部の核が異常成長する。そうなると金属基体の表
面に生成する酸化珪素の表面が凹凸状態になり、EB照
射に不適なものとなる。この観点から、原料珪素の中に
発熱体、あるいは熱伝導体を配置するのがよい。原料珪
素は粉状であるため熱吸収が悪いが、その中に発熱体あ
るいは熱伝導体を配置し、原料珪素を内外から同時加熱
することにより、蒸発速度が速くなり、生成酸化珪素の
表面をより平坦にすることができる。
を蒸発発生させる基体として表面組織を粗に処理した金
属を使用することにより、生成した酸化珪素を基体表面
から剥離しやすくし、その剥離時に酸化珪素が砕けるの
を防止すると共に、その酸化珪素をEB照射に適した平
坦な表面とする。
導体を配置することにより、酸化珪素の表面をより平坦
なものにすることができる。
量性、耐食性に優れたものが必要であり、具体的にはス
テンレス鋼、チタン等を用いることができる。
の方法を用いることができる。化学的手法については、
酸、アルカリを用いる薬品処理の他、溶剤処理、蒸気処
理、オートクレーブ処理等がある。物理的手法では、ス
パッタエッチング処理、ショットブラスト処理、タンブ
リング処理、ボールミル処理等がある。主だった処理の
内容を表1に示す。
による表面塊状粒子の大きさで表すことができ、本発明
ではこれが50〜500μmの範囲が望ましい。これが
小さすぎると平坦な表面を有する酸化珪素が生成せず、
大きすぎると酸化珪素の蒸着が困難になる。
外周部と同様にグラファイトヒーターを用いることがで
きる。熱伝導体としては、原料珪素を加熱するために従
来から使用されているヒーターにより高効率に加熱され
且つ原料珪素を汚染しないグラファイト、高融点金属
(タンタル、タングステン等)などを用いることができ
る。
態を図1により説明する。
原料珪素1としてグラファイト製の容器2に充填する。
この容器2の中心部には熱伝導体3としてグラファイト
棒を設置する。これとは別に基体4としての4枚のSU
S304板をエチルアルコールで洗浄後、酸処理し水洗
して乾燥させる。乾燥後4枚の基体4を角筒状に組み合
わせる。
容器2を真空チャンバー5内のヒータ6の内側に配置
し、真空チャンバー5の上部に、角筒状に組み合わせた
基体4を取り付ける。
タ6により容器2内の原料珪素1を蒸発させた。その蒸
気は角筒状に組み合わせた基体4の内面に付着し、酸化
珪素7を析出させる。
伝導性が低い。内部に熱伝導体3が存在しない場合、蒸
発に必要なエネルギーが原料珪素1の中心部まで到達す
るのにかなりの時間がかかる。中心部に熱伝導体3を設
置することにより、熱伝導体3が存在しないときに上下
方向に放熱された熱を熱伝導体3が吸収し、その熱を原
料珪素1に中心部から伝達するため、原料珪素1は外側
からも内側からも加熱されることになり、熱伝導体3を
設置していないときよりも原料珪素1の蒸発速度が速く
なり、表面がより平坦な酸化珪素7を生成させることが
できる。
たことを確認した後、チャンバー5内を冷却し大気圧に
戻して基体4を取り出す。
は平坦となる。その酸化珪素7を基体4から剥離させる
ときに酸化珪素7が砕けることもない。かくして、表面
が平坦な平板状の酸化珪素7が得られる。
さに切断してEB照射によるプラスチックフィルムの真
空蒸着材料に用いる。その蒸着材料は塊状であるためス
プラッシュは発生せず、また砕けていないためにEBの
連続照射が可能であり、更に表面が平坦なためEBの均
一照射も可能である。その結果、均一な厚さの蒸着膜が
効率よく生成される。
中心部に配置し且つ基体4を酸洗した場合、容器2の中
心部に熱伝導体3を設置しなかった場合、基体4を酸処
理しなかった場合について、酸化珪素7の製造を実際に
行った。いずれの場合も剥離時に酸化珪素7が砕けるこ
とはなかったが、表面の平坦度が表2のように変化し
た。なお、表2は製造条件と精製SiOの平坦度を示し
たものである。
製造方法は、基体として金属を用いるので、基体表面に
蒸着した酸化珪素を剥離させるときにその酸化珪素が砕
けるのを防ぐことができる。しかも、金属を用いたとき
に問題となる酸化珪素の表面凹凸化を金属表面の粗化処
理により防止するので、酸化珪素の表面を平坦にするこ
とができる。従ってEB照射による蒸着に適した塊状の
酸化珪素を製造することができる。
を示す模式図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 原料珪素を加熱蒸発させて基体の表面に
蒸着させる酸化珪素の製造方法において、前記基体とし
て表面組織を粗に処理した金属を使用することを特徴と
する酸化珪素の製造方法。 - 【請求項2】 原料珪素の中に発熱体あるいは熱伝導体
を配置することを特徴とする請求項1に記載の酸化珪素
の製造方法。
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1995
- 1995-10-11 JP JP29038695A patent/JP3584096B2/ja not_active Expired - Fee Related
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