JPH09106981A - 半導体素子保護膜用塗布組成物及びこれを用いる半導体素子の保護方法 - Google Patents
半導体素子保護膜用塗布組成物及びこれを用いる半導体素子の保護方法Info
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- JPH09106981A JPH09106981A JP26269295A JP26269295A JPH09106981A JP H09106981 A JPH09106981 A JP H09106981A JP 26269295 A JP26269295 A JP 26269295A JP 26269295 A JP26269295 A JP 26269295A JP H09106981 A JPH09106981 A JP H09106981A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面に半導体素子が形成されたウエハーを保
管・輸送する際の損傷、汚染を防止する。 【解決手段】 ウエハーの表面に水溶性樹脂の水性溶液
を塗布・乾燥して被膜を形成させる。
管・輸送する際の損傷、汚染を防止する。 【解決手段】 ウエハーの表面に水溶性樹脂の水性溶液
を塗布・乾燥して被膜を形成させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の保護、
特にウエハー上に半導体素子群を形成するウエハー工程
と、このウエハーからICチップを切り出し、各チップ
をリードフレームに固定、パッケージングする組立て工
程の間において、ウエハー表面に形成されている半導体
素子を保護する方法に関するものである。
特にウエハー上に半導体素子群を形成するウエハー工程
と、このウエハーからICチップを切り出し、各チップ
をリードフレームに固定、パッケージングする組立て工
程の間において、ウエハー表面に形成されている半導体
素子を保護する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】集積回路は年を追う毎に集積度が高ま
り、ダイナミックランダムアクセスメモリー(DRA
M)を例にとれば、16Mビットの記憶容量のものが本
格的に生産されつつあり、更に64Mビット、256M
ビットの記憶容量のものの製造研究が進行している。D
RAMの製造は、シリコンウエハー等の基板上に集積回
路群を形成するウエハー工程と、集積回路群が形成され
ているウエハーからICチップを切出し、各チップをリ
ードフレームに固定、パッケージングする組立て工程と
から成っている。この各工程は連続して行なわれること
もあるが、異なる立地で行なわれることもある。特に近
年は、ウエハー工程を日本で行ない、組立て工程をIC
消費地に近い外国で行なうことも一般化している。
り、ダイナミックランダムアクセスメモリー(DRA
M)を例にとれば、16Mビットの記憶容量のものが本
格的に生産されつつあり、更に64Mビット、256M
ビットの記憶容量のものの製造研究が進行している。D
RAMの製造は、シリコンウエハー等の基板上に集積回
路群を形成するウエハー工程と、集積回路群が形成され
ているウエハーからICチップを切出し、各チップをリ
ードフレームに固定、パッケージングする組立て工程と
から成っている。この各工程は連続して行なわれること
もあるが、異なる立地で行なわれることもある。特に近
年は、ウエハー工程を日本で行ない、組立て工程をIC
消費地に近い外国で行なうことも一般化している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この場合、ウエハーは
梱包して組立て工場に輸送されるが、この間にウエハー
表面に傷がついたり、異物が付着したり、腐食が発生し
たりする等の事故が起き易く、結果的に組立て工程にお
ける製品の歩留りが低下するという問題がある。従って
本発明は、このようなウエハー工程から組立て工程の間
において、ウエハー表面の半導体素子を保護する方法を
提供せんとするものである。
梱包して組立て工場に輸送されるが、この間にウエハー
表面に傷がついたり、異物が付着したり、腐食が発生し
たりする等の事故が起き易く、結果的に組立て工程にお
ける製品の歩留りが低下するという問題がある。従って
本発明は、このようなウエハー工程から組立て工程の間
において、ウエハー表面の半導体素子を保護する方法を
提供せんとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば水溶性樹
脂の水性溶液を、表面に半導体素子群が形成されている
ウエハーに塗布・乾燥して、ウエハー表面に水溶性樹脂
の皮膜を形成することにより、後工程に何らの悪影響を
及ぼすことなく、ウエハー表面の半導体素子群を保護す
ることができる。
脂の水性溶液を、表面に半導体素子群が形成されている
ウエハーに塗布・乾燥して、ウエハー表面に水溶性樹脂
の皮膜を形成することにより、後工程に何らの悪影響を
及ぼすことなく、ウエハー表面の半導体素子群を保護す
ることができる。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明について詳細に説明する
と、本発明では水溶性樹脂としては、水性媒体によく溶
解し、かつ溶液の塗布が容易で、塗布・乾燥により良好
な被膜を形成できるものであれば、任意のものを用いる
ことができる。通常は、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、
ポリアクリルアミド、ポリイタコン酸、またはこれらの
モノマーを含む共重合体、ポリメチルビニルエーテル、
メチルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体な
どの水溶性の合成高分子が用いられる。また水溶性多糖
類や水溶性のセルロース誘導体などの天然ないしは半合
成の水溶性高分子を用いることもできる。このようなも
のとしては、プルラン、トリグリコールA(林原社製
品)、メトローズ(信越化学工業社製品)、HECダイ
セル、CMCダイセル(ダイセル化学工業社製品)など
が挙げられる。これらの水溶性樹脂は2種以上を混合し
て用いることもできる。
と、本発明では水溶性樹脂としては、水性媒体によく溶
解し、かつ溶液の塗布が容易で、塗布・乾燥により良好
な被膜を形成できるものであれば、任意のものを用いる
ことができる。通常は、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、
ポリアクリルアミド、ポリイタコン酸、またはこれらの
モノマーを含む共重合体、ポリメチルビニルエーテル、
メチルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体な
どの水溶性の合成高分子が用いられる。また水溶性多糖
類や水溶性のセルロース誘導体などの天然ないしは半合
成の水溶性高分子を用いることもできる。このようなも
のとしては、プルラン、トリグリコールA(林原社製
品)、メトローズ(信越化学工業社製品)、HECダイ
セル、CMCダイセル(ダイセル化学工業社製品)など
が挙げられる。これらの水溶性樹脂は2種以上を混合し
て用いることもできる。
【0006】水溶性樹脂は金属成分の含有量が極力少な
いものが好ましい。従ってアクリル酸、メタクリル酸、
イタコン酸、無水マレイン酸などのモノマー成分を含む
水溶性樹脂を塩型にして用いる場合には、アンモニウム
塩やアミン塩とするのが好ましい。水溶性樹脂を溶解し
てなる溶液中に最も普通に見出される金属はナトリウム
及び鉄であるが、その含有量は、溶液を塗布する状態に
おいて、合せて1ppm以下、特に0.5ppm以下で
あるのが好ましい。また、溶液のpHは、溶液を塗布す
る状態において、pH4〜10、特に5〜9の中性ない
しはこれに近いものであるのが好ましい。溶液中の水溶
性樹脂の濃度は、ウエハー上に形成する被膜の目標とす
る膜厚により異なるが、通常0.1〜50重量%、好ま
しくは1〜30重量%である。上述の水溶性樹脂のなか
でも、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン又
は水溶性のセルロース誘導体を用いるのが好ましい。ポ
リビニルアルコールとしては通常は70〜97%のケン
化度のものを用いる。ポリビニルアルコールの好適なケ
ン化度は75〜95%、特に80〜93%である。
いものが好ましい。従ってアクリル酸、メタクリル酸、
イタコン酸、無水マレイン酸などのモノマー成分を含む
水溶性樹脂を塩型にして用いる場合には、アンモニウム
塩やアミン塩とするのが好ましい。水溶性樹脂を溶解し
てなる溶液中に最も普通に見出される金属はナトリウム
及び鉄であるが、その含有量は、溶液を塗布する状態に
おいて、合せて1ppm以下、特に0.5ppm以下で
あるのが好ましい。また、溶液のpHは、溶液を塗布す
る状態において、pH4〜10、特に5〜9の中性ない
しはこれに近いものであるのが好ましい。溶液中の水溶
性樹脂の濃度は、ウエハー上に形成する被膜の目標とす
る膜厚により異なるが、通常0.1〜50重量%、好ま
しくは1〜30重量%である。上述の水溶性樹脂のなか
でも、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン又
は水溶性のセルロース誘導体を用いるのが好ましい。ポ
リビニルアルコールとしては通常は70〜97%のケン
化度のものを用いる。ポリビニルアルコールの好適なケ
ン化度は75〜95%、特に80〜93%である。
【0007】水溶性樹脂を溶解する媒体としては、水又
は水と水溶性有機溶媒との混合溶媒が用いられる。有機
溶媒としては、メタノール、エタノール等の低級アルコ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のグリコ
ール誘導体、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の
常用のものを用いることができる。一般に有機溶媒の使
用量は少ない方が好ましく、水・有機溶媒混合物中の有
機溶媒の濃度は通常は30重量%以下であり、10重量
%以下とするのが好ましい。なお、水溶性樹脂を溶解し
た溶液中には、溶液の塗布性を良くするため、界面活性
剤などの塗布性改良剤を添加してもよい。
は水と水溶性有機溶媒との混合溶媒が用いられる。有機
溶媒としては、メタノール、エタノール等の低級アルコ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のグリコ
ール誘導体、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の
常用のものを用いることができる。一般に有機溶媒の使
用量は少ない方が好ましく、水・有機溶媒混合物中の有
機溶媒の濃度は通常は30重量%以下であり、10重量
%以下とするのが好ましい。なお、水溶性樹脂を溶解し
た溶液中には、溶液の塗布性を良くするため、界面活性
剤などの塗布性改良剤を添加してもよい。
【0008】本発明では、上述した水溶性樹脂の水性溶
液を、表面に半導体素子群が形成されているウエハー、
例えばシリコンウエハー、ガリウム砒素ウエハー、ガリ
ウム燐ウエハー、インジウム燐ウエハー等に塗布する。
塗布方法はディップ法、ロールコート法、スピンコート
法など任意であるが、スピンコート法を用いるのが好ま
しい。水性溶液を塗布したウエハーは、引続き溶媒を蒸
発させて乾燥した被膜とするが、この乾燥工程では水溶
性樹脂が変質して水への溶解性が低下しないように注意
することが必要である。一般に高温で乾燥すると水溶性
樹脂が変質し易いので、乾燥は30〜150℃、特に5
0〜140℃で行なうのが好ましい。
液を、表面に半導体素子群が形成されているウエハー、
例えばシリコンウエハー、ガリウム砒素ウエハー、ガリ
ウム燐ウエハー、インジウム燐ウエハー等に塗布する。
塗布方法はディップ法、ロールコート法、スピンコート
法など任意であるが、スピンコート法を用いるのが好ま
しい。水性溶液を塗布したウエハーは、引続き溶媒を蒸
発させて乾燥した被膜とするが、この乾燥工程では水溶
性樹脂が変質して水への溶解性が低下しないように注意
することが必要である。一般に高温で乾燥すると水溶性
樹脂が変質し易いので、乾燥は30〜150℃、特に5
0〜140℃で行なうのが好ましい。
【0009】このようにして形成したウエハー上の被膜
は、組立て工程において、ウエハーから各ICチップを
切り出す前に、又はICチップをリードフレームに固定
した後に、ディップ法やスピン洗浄法などにより水性液
で洗浄することにより、容易に除去することができる。
洗浄に用いる水性液としては通常は水を用いるが、塗布
液の調製に用いたような水と有機溶媒との混合液を用い
てもよい。また、被膜の剥離性や溶解性を向上させるた
めに、洗浄に用いる水性液に界面活性剤を添加しておい
てもよい。
は、組立て工程において、ウエハーから各ICチップを
切り出す前に、又はICチップをリードフレームに固定
した後に、ディップ法やスピン洗浄法などにより水性液
で洗浄することにより、容易に除去することができる。
洗浄に用いる水性液としては通常は水を用いるが、塗布
液の調製に用いたような水と有機溶媒との混合液を用い
てもよい。また、被膜の剥離性や溶解性を向上させるた
めに、洗浄に用いる水性液に界面活性剤を添加しておい
てもよい。
【0010】
【実施例】ポリビニルアルコール(日本合成化学社製
品、ゴーセノール GM−14、ケン化度86.5〜8
9%(公表値))を純水に溶解して、ポリビニルアルコ
ールの5重量%水溶液及び6重量%水溶液を調製し、
0.1μmのフィルターで精密濾過して塗布液とした。
また、同様にポリビニルピロリドン(BASF社製品、
LUVISKOL K90)を純水に溶解して、ポリビ
ニルピロリドンの5重量水溶液及び6重量%水溶液を調
製し、0.1μmのフィルターで精密濾過して塗布液と
した。これらの塗布液を、それぞれ5インチシリコンウ
エハー上に、スピンコーターを用いて3000rpmで
塗布した。塗布後のシリコンウエハーは、80℃のホッ
トプレート上に60秒間載置して乾燥させた。これによ
りウエハー全面に粘着性のない均一な硬い被膜が形成さ
れた。このウエハーを23℃のクリーンルーム内に7日
間放置後、23℃の純水に60秒間浸漬したところ、被
膜は全て完全に溶解・除去された。
品、ゴーセノール GM−14、ケン化度86.5〜8
9%(公表値))を純水に溶解して、ポリビニルアルコ
ールの5重量%水溶液及び6重量%水溶液を調製し、
0.1μmのフィルターで精密濾過して塗布液とした。
また、同様にポリビニルピロリドン(BASF社製品、
LUVISKOL K90)を純水に溶解して、ポリビ
ニルピロリドンの5重量水溶液及び6重量%水溶液を調
製し、0.1μmのフィルターで精密濾過して塗布液と
した。これらの塗布液を、それぞれ5インチシリコンウ
エハー上に、スピンコーターを用いて3000rpmで
塗布した。塗布後のシリコンウエハーは、80℃のホッ
トプレート上に60秒間載置して乾燥させた。これによ
りウエハー全面に粘着性のない均一な硬い被膜が形成さ
れた。このウエハーを23℃のクリーンルーム内に7日
間放置後、23℃の純水に60秒間浸漬したところ、被
膜は全て完全に溶解・除去された。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、水溶性樹脂の保護膜を
ウエハー上に形成することにより、ウエハーの輸送・保
管に際し、ウエハー上の素子が損傷を受けたり汚染され
たりする心配がなくなる。また保護膜は水で容易に除去
でき、ウエハー上に何らの痕跡も残さないので、後工程
でのウエハー上の素子の使用に支障をきたすことがな
い。
ウエハー上に形成することにより、ウエハーの輸送・保
管に際し、ウエハー上の素子が損傷を受けたり汚染され
たりする心配がなくなる。また保護膜は水で容易に除去
でき、ウエハー上に何らの痕跡も残さないので、後工程
でのウエハー上の素子の使用に支障をきたすことがな
い。
Claims (4)
- 【請求項1】 水溶性樹脂の水性溶液である半導体素子
保護膜用塗布組成物。 - 【請求項2】 水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン、及び水溶性セルロース誘導体か
らなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求
項1記載の半導体素子保護膜用塗布組成物。 - 【請求項3】 溶液中のナトリウム及び鉄の量が、合せ
て1ppm以下であることを特徴とする請求項1又は2
記載の半導体素子保護膜用塗布組成物。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の半
導体素子保護膜用塗布組成物を半導体素子群が形成され
ているウエハーに塗布して皮膜を形成することを特徴と
するウエハー上に形成されている半導体素子の保護方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26269295A JPH09106981A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体素子保護膜用塗布組成物及びこれを用いる半導体素子の保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26269295A JPH09106981A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体素子保護膜用塗布組成物及びこれを用いる半導体素子の保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106981A true JPH09106981A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17379276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26269295A Pending JPH09106981A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体素子保護膜用塗布組成物及びこれを用いる半導体素子の保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106981A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021153126A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP2021190557A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| CN115304967A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-11-08 | 大连奥首科技有限公司 | 一种晶圆切割保护液、制备方法、用途及切割方法 |
| CN115651474A (zh) * | 2022-10-21 | 2023-01-31 | 大连奥首科技有限公司 | Cmos影像感应器防污染和防划伤的保护液及专用清洗液 |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP26269295A patent/JPH09106981A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021153126A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP2021190557A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| CN115304967A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-11-08 | 大连奥首科技有限公司 | 一种晶圆切割保护液、制备方法、用途及切割方法 |
| CN115304967B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-08-15 | 大连奥首科技有限公司 | 一种晶圆切割保护液、制备方法、用途及切割方法 |
| CN115651474A (zh) * | 2022-10-21 | 2023-01-31 | 大连奥首科技有限公司 | Cmos影像感应器防污染和防划伤的保护液及专用清洗液 |
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