JPH09102474A - ウエハの面取加工方法および装置 - Google Patents
ウエハの面取加工方法および装置Info
- Publication number
- JPH09102474A JPH09102474A JP28436795A JP28436795A JPH09102474A JP H09102474 A JPH09102474 A JP H09102474A JP 28436795 A JP28436795 A JP 28436795A JP 28436795 A JP28436795 A JP 28436795A JP H09102474 A JPH09102474 A JP H09102474A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- clamp
- chamfering
- work
- semiconductor wafer
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハにダメージを与えることなくクランプ
し、位置決め精度も十分に達成するすることができるウ
エハ面取加工方法および装置をを提供する。 【解決手段】 板状のウエハを固定するクランプからな
るワークとワークを研削加工する回転砥石からなる面取
加工装置において、ウエハ１を固定する上，下のクラン
プ１１，１１´が、ウエハ１と直接接する中央部のスポ
ンジ１３，１３´からなる固定部と、ウエハ１の周縁部
を流体を介して直接は接しないギャップ１５，１５´か
らなる位置決め部の二つから構成し、これにより板状の
ウエハを確実に保持し、正確に位置決めしてワークによ
り研削加工するようにしたことを特徴とするのウエハの
面取加工方法である。
し、位置決め精度も十分に達成するすることができるウ
エハ面取加工方法および装置をを提供する。 【解決手段】 板状のウエハを固定するクランプからな
るワークとワークを研削加工する回転砥石からなる面取
加工装置において、ウエハ１を固定する上，下のクラン
プ１１，１１´が、ウエハ１と直接接する中央部のスポ
ンジ１３，１３´からなる固定部と、ウエハ１の周縁部
を流体を介して直接は接しないギャップ１５，１５´か
らなる位置決め部の二つから構成し、これにより板状の
ウエハを確実に保持し、正確に位置決めしてワークによ
り研削加工するようにしたことを特徴とするのウエハの
面取加工方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はウエハ、特に半導
体ウエハの面取加工方法およびその面取加工装置に関す
るものである。
体ウエハの面取加工方法およびその面取加工装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの周縁部を面取加工する従
来の装置は、図２に示すようにモータ４により回転する
砥石２と、下クランプ３´に接続したエアシリンダ７を
作動して下クランプ３´を上昇させて上クランプ３との
間に半導体ウエハ１を挟持して固定するクランプ装置か
らなるワークで構成される。そして、ワークを回転させ
ると共に上下方向に移動させて半導体ウエハ１の相対位
置決めを行い、高速回転させた砥石２を半導体ウエハ１
の周縁を所定の形状に加工するものである。なお、上記
砥石２は半導体ウエハ１を研削するために表面に溝を有
するダイヤモンド砥粒から形成されている。
来の装置は、図２に示すようにモータ４により回転する
砥石２と、下クランプ３´に接続したエアシリンダ７を
作動して下クランプ３´を上昇させて上クランプ３との
間に半導体ウエハ１を挟持して固定するクランプ装置か
らなるワークで構成される。そして、ワークを回転させ
ると共に上下方向に移動させて半導体ウエハ１の相対位
置決めを行い、高速回転させた砥石２を半導体ウエハ１
の周縁を所定の形状に加工するものである。なお、上記
砥石２は半導体ウエハ１を研削するために表面に溝を有
するダイヤモンド砥粒から形成されている。
【０００３】半導体ウエハ１の周縁部の形状は、砥石２
の溝形形状と半導体ウエハ１の上下相対位置により決定
される。クランプ３，３´の一方、例えば上側のクラン
プ３は金属，セラミックス等の固い物質で形成されてい
る。これは半導体ウエハ１の上下位置を１０μｍ程度の
高精度に位置決めする必要があるためである。他方下側
のクランプ３´は半導体ウエハ１を挟持させて固定した
ときに半導体ウエハ１に損傷を与えないため、人工皮革
やゴム等のある程度弾力を有するシート状のもの５を貼
って形成されている。
の溝形形状と半導体ウエハ１の上下相対位置により決定
される。クランプ３，３´の一方、例えば上側のクラン
プ３は金属，セラミックス等の固い物質で形成されてい
る。これは半導体ウエハ１の上下位置を１０μｍ程度の
高精度に位置決めする必要があるためである。他方下側
のクランプ３´は半導体ウエハ１を挟持させて固定した
ときに半導体ウエハ１に損傷を与えないため、人工皮革
やゴム等のある程度弾力を有するシート状のもの５を貼
って形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な面取加工装置でウエハの面取加工を行うと、砥石で削
られた切粉が常に異物となってクランプ部に付着し、
上，下のクランプ３，３´の間に異物が入り込むことが
ある。クランプ部を定期的に洗浄したとしても完全に取
り去ることが難しかった。そして、半導体ウエハ１を固
定したときにワレやクラック等の損傷を与え、高価な半
導体ウエハ１を不良品にしてしまい、多大な損失が生じ
ることになる。
な面取加工装置でウエハの面取加工を行うと、砥石で削
られた切粉が常に異物となってクランプ部に付着し、
上，下のクランプ３，３´の間に異物が入り込むことが
ある。クランプ部を定期的に洗浄したとしても完全に取
り去ることが難しかった。そして、半導体ウエハ１を固
定したときにワレやクラック等の損傷を与え、高価な半
導体ウエハ１を不良品にしてしまい、多大な損失が生じ
ることになる。
【０００５】この発明はこのような点に鑑みてなされた
もので、ウエハに損傷を与えることなく固定させ、しか
も位置決め精度も十分に達成するすることができるウエ
ハ面取加工方法および装置を提供することを目的とす
る。
もので、ウエハに損傷を与えることなく固定させ、しか
も位置決め精度も十分に達成するすることができるウエ
ハ面取加工方法および装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、板状の半導
体ウエハを固定するクランプからなるワークとこのワー
クを研削加工する回転砥石からなる面取加工装置におい
て、ウエハを固定するクランプ部が、ウエハと直接接す
る中央部のスポンジ状固定部と流体を介してウエハと直
接は接しない周縁部の位置決め部の二つから構成され、
これにより板状のウエハを保持したワークにより研削加
工するようにしたことを特徴とするのウエハの面取加工
方法である。また、中央部にスポンジを挿入する窪みと
この窪みの周りに複数の流体の排出口を設けた上，下の
クランプからなり、上記窪みにクランプ本体より高さが
高いスポンジをそれぞれ取り付けて圧縮してウエハを固
定し、上記排出口から流体を噴出させてウエハ周縁部と
の間にギャップを形成させて位置決めして保持させるよ
うに構成したことを特徴とするウエハの面取加工装置で
ある。
体ウエハを固定するクランプからなるワークとこのワー
クを研削加工する回転砥石からなる面取加工装置におい
て、ウエハを固定するクランプ部が、ウエハと直接接す
る中央部のスポンジ状固定部と流体を介してウエハと直
接は接しない周縁部の位置決め部の二つから構成され、
これにより板状のウエハを保持したワークにより研削加
工するようにしたことを特徴とするのウエハの面取加工
方法である。また、中央部にスポンジを挿入する窪みと
この窪みの周りに複数の流体の排出口を設けた上，下の
クランプからなり、上記窪みにクランプ本体より高さが
高いスポンジをそれぞれ取り付けて圧縮してウエハを固
定し、上記排出口から流体を噴出させてウエハ周縁部と
の間にギャップを形成させて位置決めして保持させるよ
うに構成したことを特徴とするウエハの面取加工装置で
ある。
【０００７】このように、クランプ部を加工力に対抗し
て確実に固定する機能とウエハの上下位置に正確に位置
決めする機能とに分け、それぞれ最適な材料と位置決め
方法を採るように構成し、複合的に優れたクランプを有
する面取加工方法および装置となる。即ち、ウエハを確
実に固定する中央の部分は弾力性のあるスポンジによっ
て確実に行い、異物があってもスポンジの中に埋め込ま
れウエハを損傷することがない。また、上下方向の位置
決めする部分はウエハの周縁部で流体圧でギャップを形
成して正確に行うように構成し、ウエハにダメージを与
えることはない。
て確実に固定する機能とウエハの上下位置に正確に位置
決めする機能とに分け、それぞれ最適な材料と位置決め
方法を採るように構成し、複合的に優れたクランプを有
する面取加工方法および装置となる。即ち、ウエハを確
実に固定する中央の部分は弾力性のあるスポンジによっ
て確実に行い、異物があってもスポンジの中に埋め込ま
れウエハを損傷することがない。また、上下方向の位置
決めする部分はウエハの周縁部で流体圧でギャップを形
成して正確に行うように構成し、ウエハにダメージを与
えることはない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。図１は一実施形態の半導体ウエ
ハ面取加工装置のクランプ部の構成を示す断面図であ
る。即ち、クランプ装置１０は金属製の上，下のクラン
プ１１，１１´から構成される。これらの上，下のクラ
ンプ１１，１１´の中央部にそれぞれ円板状の窪み１
２，１２´が形成され、ここに円板状で弾性を有するス
ポンジ１３，１３´が挿入されて取り付けられる。この
スポンジ１３，１３´の高さは上記窪み１２，１２´よ
りも若干高くなる厚さのスポンジが取り付けられる。ま
た、これらの上，下のクランプ１１，１１´には空気を
吹き出すための空気孔１４，１４´が上記窪み１２，１
２´の周りに排出するように軸部１１ａ，１１ａ´から
枝分かれして複数設けられ、それぞれ空気圧制御器６を
介して圧縮空気が上下のクランプ１１，１１´間に供給
され、半導体ウエハ１との間のエアギャップ１５，１５
´を介して半導体ウエハ１の周辺部を非接触に保持する
ように構成されている。
実施の形態を説明する。図１は一実施形態の半導体ウエ
ハ面取加工装置のクランプ部の構成を示す断面図であ
る。即ち、クランプ装置１０は金属製の上，下のクラン
プ１１，１１´から構成される。これらの上，下のクラ
ンプ１１，１１´の中央部にそれぞれ円板状の窪み１
２，１２´が形成され、ここに円板状で弾性を有するス
ポンジ１３，１３´が挿入されて取り付けられる。この
スポンジ１３，１３´の高さは上記窪み１２，１２´よ
りも若干高くなる厚さのスポンジが取り付けられる。ま
た、これらの上，下のクランプ１１，１１´には空気を
吹き出すための空気孔１４，１４´が上記窪み１２，１
２´の周りに排出するように軸部１１ａ，１１ａ´から
枝分かれして複数設けられ、それぞれ空気圧制御器６を
介して圧縮空気が上下のクランプ１１，１１´間に供給
され、半導体ウエハ１との間のエアギャップ１５，１５
´を介して半導体ウエハ１の周辺部を非接触に保持する
ように構成されている。
【０００９】半導体ウエハ１を上，下のクランプ１１，
１１´の間に挿入し、下のクランプ１１´の軸部１１ａ
´に接続したエアシリンダ７を作動することにより下ク
ランプ１１´を押し上げて固定する。このとき、クラン
プ１１，１１´に設けられたスポンジ１３，１３´が適
度に圧縮されるにより半導体ウエハ１は損傷を受けるこ
となく固定される。一方、半導体ウエハ１の周辺部は空
気孔１４，１４´から圧縮空気が吹き出され、半導体ウ
エハ１との間にそれぞれギャップ１５，１５´が形成さ
れ、エアシリンダ７による圧力と釣り合により半導体ウ
エハ１とクランプ１１，１１´の金属部の間に一定のギ
ャップが形成され、半導体ウエハ１とクランプ１１，１
１´の金属部とが接触することはなく正確に位置決めさ
れて保持される。
１１´の間に挿入し、下のクランプ１１´の軸部１１ａ
´に接続したエアシリンダ７を作動することにより下ク
ランプ１１´を押し上げて固定する。このとき、クラン
プ１１，１１´に設けられたスポンジ１３，１３´が適
度に圧縮されるにより半導体ウエハ１は損傷を受けるこ
となく固定される。一方、半導体ウエハ１の周辺部は空
気孔１４，１４´から圧縮空気が吹き出され、半導体ウ
エハ１との間にそれぞれギャップ１５，１５´が形成さ
れ、エアシリンダ７による圧力と釣り合により半導体ウ
エハ１とクランプ１１，１１´の金属部の間に一定のギ
ャップが形成され、半導体ウエハ１とクランプ１１，１
１´の金属部とが接触することはなく正確に位置決めさ
れて保持される。
【００１０】上記ギャップ１５，１５´は、要求される
加工精度および異物の大きさにより決定する。通常、
０．０１ｍｍ程度がよい。また、スポンジ１３，１３´
は異物を吸収するため表面が多孔質で、砥石からくる加
工圧力に対抗するため特に水平方向はある程度剛性のあ
る固めのものがよい。また、圧縮空気の圧力は、クラン
プ１１´のエアシリンダ７による圧力およびスポンジ１
３，１３´の反力に対抗して空気圧制御器６を調節して
ギャップを生じるように調整する。
加工精度および異物の大きさにより決定する。通常、
０．０１ｍｍ程度がよい。また、スポンジ１３，１３´
は異物を吸収するため表面が多孔質で、砥石からくる加
工圧力に対抗するため特に水平方向はある程度剛性のあ
る固めのものがよい。また、圧縮空気の圧力は、クラン
プ１１´のエアシリンダ７による圧力およびスポンジ１
３，１３´の反力に対抗して空気圧制御器６を調節して
ギャップを生じるように調整する。
【００１１】上記実施形態では、クランプ１１，１１´
の中央部に円板状のスポンジ１３，１３´を設けるもの
について説明したが、これはリング状に設けてもよい。
また、圧縮空気を使用したものについて説明したが、こ
れは水等の液体を用いて行ってもよい。この場合の方が
位置決め精度がより向上したものとなる。スポンジ１
３，１３´は、いわゆるウレタンスポンジだけでなく、
ある程度弾性変形量が大きく、かつ、半導体ウエハ１と
の間の摩擦係数が大きいものなら何でもよい。
の中央部に円板状のスポンジ１３，１３´を設けるもの
について説明したが、これはリング状に設けてもよい。
また、圧縮空気を使用したものについて説明したが、こ
れは水等の液体を用いて行ってもよい。この場合の方が
位置決め精度がより向上したものとなる。スポンジ１
３，１３´は、いわゆるウレタンスポンジだけでなく、
ある程度弾性変形量が大きく、かつ、半導体ウエハ１と
の間の摩擦係数が大きいものなら何でもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明のウエハ
の面取加工方法およびその装置によれば、面取加工では
砥石で削られた切粉が常に異物となってワークのクラン
プ部に付着する可能性があり、例えクランプ部を定期的
に洗浄したとしても、ウエハのワレやクラックを皆無に
することができなかった。しかし、この発明の方法によ
れば、化合物半導体ウエハ等のもろい材料のウエハであ
っても、ワレ等の不良等を大幅に低減させることが可能
となり、整形されたウエハを安価に供給することができ
る。
の面取加工方法およびその装置によれば、面取加工では
砥石で削られた切粉が常に異物となってワークのクラン
プ部に付着する可能性があり、例えクランプ部を定期的
に洗浄したとしても、ウエハのワレやクラックを皆無に
することができなかった。しかし、この発明の方法によ
れば、化合物半導体ウエハ等のもろい材料のウエハであ
っても、ワレ等の不良等を大幅に低減させることが可能
となり、整形されたウエハを安価に供給することができ
る。
【図１】本発明の一実施形態の半導体ウエハの面取加工
装置のクランプ部の構成を示す断面図、
装置のクランプ部の構成を示す断面図、
【図２】従来の半導体ウエハの面取加工装置の構成を示
す側面図である。
す側面図である。
１ 半導体ウエハ ２ 砥石 ３，３´，１１，１１´ 上，下クランプ ６ 空気圧制御器 ７ エアシリンダ １２，１２´ 窪み １３，１３´ スポンジ １４，１４´ 空気孔 １５，１５´ エアギャップ
Claims (2)
- 【請求項１】 板状のウエハを固定するクランプからな
るワークとこのワークを研削加工する回転砥石からなる
面取加工装置において、ウエハを固定するクランプ部
が、ウエハと直接接する中央部のスポンジ状固定部と流
体を介してウエハと直接は接しない周縁部の位置決め部
の二つから構成され、これにより板状のウエハを保持し
たワークにより研削加工するようにしたことを特徴とす
るのウエハの面取加工方法。 - 【請求項２】 中央部にスポンジを挿入する窪みとこの
窪みの周りに複数の流体の排出口を設けた上，下のクラ
ンプからなり、上記窪みにクランプ本体より高さが高い
スポンジをそれぞれ取り付けて圧縮してウエハを固定
し、上記排出口から流体を噴出させてウエハ周縁部との
間にギャップを形成させて位置決めして保持させるよう
に構成したことを特徴とするウエハの面取加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28436795A JPH09102474A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | ウエハの面取加工方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28436795A JPH09102474A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | ウエハの面取加工方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102474A true JPH09102474A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17677670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28436795A Pending JPH09102474A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | ウエハの面取加工方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158023A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | 半導体ウェハの研磨装置及び半導体ウェハの研磨方法 |
| JP2010280048A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Sumco Corp | 円筒研削機 |
| KR101390659B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2014-04-30 | (주)미래컴퍼니 | 파티클 방지용 보호 커버를 구비한 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP28436795A patent/JPH09102474A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158023A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | 半導体ウェハの研磨装置及び半導体ウェハの研磨方法 |
| JP2010280048A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Sumco Corp | 円筒研削機 |
| KR101390659B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2014-04-30 | (주)미래컴퍼니 | 파티클 방지용 보호 커버를 구비한 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
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