JPH09101538A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 白色色調が均一である視野角の範囲が広く、
ブラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上さ
せることが可能となるアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供する。 【解決手段】 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持
される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形
成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティ
ブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一
対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素
電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加す
る複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾持す
る面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少
なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記液晶層が、１画素内で２方向の液晶分子の
初期配向方向を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係わ
り、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表され
るアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵す
る高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末装置とし
て広く普及し始めている。

【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
の表示方式には、大別して、次の２通りの表示方式が知
られている。

【０００４】１つは、２つの透明電極が形成された一対
の基板間に液晶層を封入し、２つの透明電極に駆動電圧
を印加することにより、基板界面にほぼ直角な方向の電
界により液晶層を駆動し、透明電極を透過し液晶層に入
射した光を変調して表示する方式（以下、縦電界方式と
称する）であり、現在、普及している製品が全てこの方
式を採用している。

【０００５】しかしながら、前記縦電界方式を採用した
アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、視角
方向を変化させた際の輝度変化が著しく、特に、中間調
表示を行った場合、視角方向により階調レベルが反転し
てしまう等、実用上問題があった。

【０００６】また、もう１つは、一対の基板間に液晶層
を封入し、同一基板あるいは両基板上に形成された２つ
の電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほ
ぼ平行な方向の電界により液晶層を駆動し、２つの電極
の隙間から液晶層に入射した光を変調して表示する方式
（以下、横電界方式と称する）であるが、この横電界方
式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置は未
だ実用化されていない。

【０００７】しかしながら、この横電界方式を採用した
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、広視野角、低
負荷容量等の特徴を有しており、この横電界方式は、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置に関して有望な技術
である。

【０００８】前記横電界方式を採用したアクティブマト
リクス型液晶表示装置の特徴に関しては、特許出願公表
平５−５０５２４７号公報、特公昭６３−２１９０７号
公報、特開平６−１６０８７８号公報を参照されたい。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記横電界方式を採用
したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、液晶分
子を面内で回転させることにより光を変調し、表示を行
っている。

【００１０】これにより、前記縦電界方式を採用したア
クティブマトリクス型液晶表示装置と比較して、視野角
が著しく広いという特徴を有している。

【００１１】しかしながら、前記横電界方式を採用した
アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ある
方向に視野角を傾けた場合に、均一な色調を実現でき
ず、視野角が狭くなり、ブラウン管（ＣＲＴ）等の自発
光表示装置に匹敵する視野角を達成できないという問題
点があった。

【００１２】即ち、液晶分子が回転したときの、その長
軸方向に視野角を傾けると、その他の方位に視野角を傾
けた場合よりも液晶分子の複屈折異方性が変化しやす
く、その方位で、他の方位より階調が反転しやすくかつ
色調が変化しやすい。

【００１３】特に、ノーマリブッラクモードで白表示を
した場合、白色の色調が、その方位で青色にシフトす
る。

【００１４】また、それと９０°の角度をなす液晶分子
の短軸方向では、複屈折異方性は変化しないが、視野角
の傾きにしたがって光路長が増加することにより、白色
の色調が、その方位で黄色にシフトする。

【００１５】その結果、１部の方位において均一な色調
を実現できず、視野角が狭くなり、ブラウン管に匹敵す
る視野角を達成できないという問題点があった。

【００１６】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、横電界
方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、白色色調が均一である視野角の範囲が広く、ブ
ラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上させ
ることが可能となる技術を提供することにある。

【００１７】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。

【００１９】（１）一対の基板と、前記一対の基板間に
挟持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状
に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアク
ティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前
記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記
画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印
加する複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾
持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板と
を、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、前記液晶層が、１画素内で２方向の液晶
分子の初期配向方向を有することを特徴とする。

【００２０】（２）前記（１）の手段において、前記液
晶層が、正の誘電率異方性を有し、前記２方向の液晶分
子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度φＬＣ
１、φＬＣ２が、それぞれ９０°＋α、９０°−αであ
るとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸と印加電界
方向とのなす角度φＰ１、φＰ２が、それぞれ９０°、
０°であることを特徴とする。

【００２１】（３）前記（１）の手段において、前記液
晶層が、負の誘電率異方性を有し、前記２方向の液晶分
子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度φＬＣ
１、φＬＣ２が、それぞれ０°＋α、１８０°−αであ
るとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸と印加電界
方向とのなす角度φＰ１、φＰ２が、それぞれ９０°、
０°であることを特徴とする。

【００２２】（４）前記（２）または（３）の手段にお
いて、前記αの絶対値が、２．５°以下であることを特
徴とする。

【００２３】（５）前記（１）の手段において、前記２
方向の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度φＬＣ
１、φＬＣ２が、それぞれ４５°、１３５°であるとと
もに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸と印加電界方向と
のなす角度φＰ１、φＰ２が、それぞれ９０°、０°で
あることを特徴とする。

【００２４】（６）前記（１）ないし（５）の手段にお
いて、前記２方向の液晶分子の初期配向方向の境界を、
画素内の画素電極もしくは対向電極上に配置することを
特徴とする。

【００２５】（７）一対の基板と、前記一対の基板間に
挾持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状
に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアク
ティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前
記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記
画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印
加する複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され
前記液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の
液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の
偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法において、前記一対の配向膜
に、１画素内で２方向のラビング処理を施すことを特徴
とする。

【００２６】（８）一対の基板と、前記一対の基板間に
挾持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状
に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアク
ティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前
記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記
画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印
加する複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され
前記液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の
液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の
偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法において、液晶層にカイラル剤
を混入し、前記一対の配向膜のいずれか一方に、１画素
内で２方向のラビング処理を施すことを特徴とする。

【００２７】（９）一対の基板と、前記一対の基板間に
挾持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状
に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアク
ティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前
記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記
画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印
加する複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され
前記液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の
液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の
偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法において、前記一対の配向膜の
１画素内のそれぞれ異なる領域に、２方向の所定の偏光
方向を有するレーザー光を照射することにより、前記液
晶層に、１画素内で２方向の液晶分子の初期配向方向を
付与することを特徴とする。

【００２８】前記手段によれば、横電界方式を採用した
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、１画素
内に、白表示を行っている液晶分子の角度が、互いに９
０°の角度をなす２方向存在するようにしたので、互い
に色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存
性を大幅に低減することが可能となる。

【００２９】例えば、複屈折性ノーマリブッラクモード
（電圧無印加時に暗、電圧印加時に明）の場合に、２枚
の偏光板の偏光透過軸は直交し（クロスニコル）、それ
ぞれの偏光透過軸と電界によって回転した液晶分子の長
軸のなす角が４５°となったとき最大透過率、すなわち
白表示を得る。

【００３０】その状態で、液晶分子の長軸方向の方位
（偏光透過軸から４５°の角度）から白表示を見た場
合、複屈折異方性の変化し、白色の色調が、その方位で
青色にシフトする。

【００３１】また、それと９０°の角度をなす液晶分子
の短軸方向（偏光透過軸から−４５°の角度）では、複
屈折異方性は変化しないが、視野角の傾きにしたがって
光路長が増加することにより、白色の色調が、その方位
で黄色にシフトする。

【００３２】青色と黄色と色度座標で補色の関係にあ
り、その２色を混合させると白色になる。

【００３３】したがって、１画素内に、白表示を行って
いる液晶分子の角度が、互いに９０°の角度をなす２方
向存在すれば、互いに色調のシフトを相殺して、白色色
調の方位による依存性を大幅に低減することが可能とな
る。

【００３４】また、同様に、階調反転についても、階調
反転しにくい液晶分子の短軸方向と、階調反転しやすい
液晶分子の長軸方向との特性が平均され、階調反転に弱
い方向での非階調反転視野角を拡大することができる。

【００３５】それにより、階調の均一性および色調の均
一性が全方位で平均化または拡大し、ブラウン管に近い
広視野角を実現することが可能である。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の発
明の実施の形態を詳細に説明する。

【００３７】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３８】［発明の実施の形態１］まず始めに、本発
明の実施の形態で構成した横電界方式のアクティブ・マ
トリクス方式カラー液晶表示装置の概略を説明する。

【００３９】《マトリクス部（画素部）の平面構成》図
１は、本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態
１）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示
装置の一画素とその周辺を示す平面図である。

【００４０】図１に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）（Ｇ
Ｌ）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線ま
たは垂直信号線）（ＤＬ）との交差領域内（４本の信号
線で囲まれた領域内）に配置されている。

【００４１】各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、
蓄積容量（Ｃｓｔｇ）、画素電極（ＰＸ）、対向電極
（ＣＴ）および対向電圧信号線（コモン信号線）（Ｃ
Ｌ）とを含んでいる。

【００４２】ここで、走査信号線（ＧＬ）、対向電圧信
号線（ＣＬ）は、図１においては左右方向に延在し、上
下方向に複数本配置されている。

【００４３】また、映像信号線（ＤＬ）は、上下方向に
延在し、左右方向に複数本配置されている。

【００４４】また、画素電極（ＰＸ）は、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）と接続され、さ
らに、対向電極（ＣＴ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）と
一体に構成されている。

【００４５】画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは
互いに対向し、各画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）
との間の電界により液晶層（ＬＣ）の光学的な状態を制
御し、表示を制御する。

【００４６】画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは
櫛歯状に構成され、それぞれ、図１においては上下方向
に長細い電極となっている。

【００４７】本発明の実施の形態では、画素電極（Ｐ
Ｘ）は下開きのコの字型、対向電極（ＣＴ）は対向電圧
信号線（ＣＬ）から下方向に突起した櫛歯形の形状をし
ており、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の間の領
域は１画素内で４分割されている。

【００４８】《表示マトリクス部（画素部）の断面構
成》図２は、図１に示す３−３切断線における断面を示
す断面図、図３は、図１に示す４−４切断線における薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面を示す断面図、図４
は、図１に示す５−５切断線における蓄積容量（Ｃｓｔ
ｇ）の断面を示す断面図である。

【００４９】図２〜図４に示すように、液晶層（ＬＣ）
を基準にして下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側には、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）お
よび電極群が形成され、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ
２）側には、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光用ブラッ
クマトリクスパターン（ＢＭ）が形成されている。

【００５０】また、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ
２）のそれぞれの内側（液晶層（ＬＣ）側）の表面に
は、液晶の初期配向を制御する配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲ
Ｉ２）が設けられており、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、
ＳＵＢ２）のそれぞれの外側の表面には、それぞれ偏光
板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）が設けられている。

【００５１】以下、より詳細な構成について説明する。

【００５２】《ＴＦＴ基板》まず、下部透明ガラス基板
（ＳＵＢ１）側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明す
る。

【００５３】《薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）》薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）は、ゲート電極（ＧＴ）に正のバイ
アスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗
が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は
大きくなるように動作する。

【００５４】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、図３に示
すように、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（Ｇ
Ｉ）、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不
純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）か
らなるｉ型半導体層（ＡＳ）、一対のソース電極（ＳＤ
１）、ドレイン電極（ＳＤ２）を有す。

【００５５】なお、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電
極（ＳＤ２）は本来その間のバイアス極性によって決ま
るもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作
中反転するので、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極
（ＳＤ２）は動作中入れ替わると理解されたい。

【００５６】しかし、以下の説明では、便宜上一方をソ
ース電極（ＳＤ１）、他方をドレイン電極（ＳＤ２）と
固定して表現する。

【００５７】なお、本発明の実施の形態では、薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）として、非晶質（アモルファス）シ
リコン薄膜トランジスタ素子を用いたが、これに限定さ
れず、ポリシリコン薄膜トランジスタ素子、シリコンウ
エハ上のＭＯＳ型トランジスタ、有機ＴＦＴ、または、
ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａ
ｌ）ダイオード等の２端子素子（厳密にはアクティブ素
子ではないが、本発明ではアクティブ素子とする）を用
いることも可能である。

【００５８】《ゲート電極（ＧＴ）》ゲート電極（Ｇ
Ｔ）は、走査信号線（ＧＬ）と連続して形成されてお
り、走査信号線（ＧＬ）の一部の領域がゲート電極（Ｇ
Ｔ）となるように構成されている。

【００５９】ゲート電極（ＧＴ）は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体
層（ＡＳ）を完全に覆う（下方からみて）ように、それ
より大き目に形成されている。

【００６０】これにより、ゲート電極（ＧＴ）の役割の
ほかに、ｉ型半導体層（ＡＳ）に外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。

【００６１】本発明の実施の形態では、ゲート電極（Ｇ
Ｔ）は、単層の導電膜（ｇ１）で形成されており、導電
膜（ｇ１）としては、例えば、スパッタリングで形成さ
れたアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜が用いられ、その
上にはアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が
設けられている。

【００６２】《走査信号線（ＧＬ）》走査信号線（Ｇ
Ｌ）は、導電膜（ｇ１）で構成されており、この走査信
号線（ＧＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）
の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ一体
に構成されている。

【００６３】この走査信号線（ＧＬ）により、外部回路
からゲート電圧（ＶG）をゲート電極（ＧＴ）に供給す
る。

【００６４】また、走査信号線（ＧＬ）上にもアルミニ
ウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられてい
る。

【００６５】なお、映像信号線（ＤＬ）と交差する部分
は、映像信号線（ＤＬ）との短絡の確率を小さくするた
め細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切
り離すことができるように二股にされている。

【００６６】《対向電極（ＣＴ）》対向電極（ＣＴ）
は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）と同
層の導電膜（ｇ１）で構成されている。

【００６７】また、対向電極（ＣＴ）上にもアルミニウ
ム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。

【００６８】対向電極（ＣＴ）には、対向電圧（Ｖcｏ
ｍ）が印加されるように構成されている。

【００６９】本発明の実施の形態では、対向電圧（Ｖｃ
ｏｍ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される最小レベル
の駆動電圧（ＶDｍｉｎ）と最大レベルの駆動電圧（ＶD
ｍａｘ）との中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子
（ＴＦＴ）をオフ状態にするときに発生するフィードス
ルー電圧（ΔＶｓ分）だけ低い電位に設定されるが、映
像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電圧を約半
分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば良い。

【００７０】《対向電圧信号線（ＣＬ）》対向電圧信号
線（ＣＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されている。

【００７１】この対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ
１）は、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）およ
び対向電極（ＣＴ）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で
形成され、かつ対向電極（ＣＴ）と一体に構成されてい
る。

【００７２】この対向電圧信号線（ＣＬ）により、外部
回路から対向電圧（Ｖｃｏｍ）を対向電極（ＣＴ）に供
給する。

【００７３】また、対向電圧信号線（ＣＬ）上にもアル
ミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられて
いる。

【００７４】また、対向電極（ＣＴ）および対向電圧信
号線（ＣＬ）は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）（カ
ラーフィルタ基板）側に形成してもよい。

【００７５】《絶縁膜（ＧＩ）》絶縁膜（ＧＩ）は、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、ゲート電極（Ｇ
Ｔ）と共に半導体層（ＡＳ）に電界を与えるためのゲー
ト絶縁膜として使用される。

【００７６】絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート電極（ＧＴ）お
よび走査信号線（ＧＬ）の上層に形成されており、絶縁
膜（ＧＩ）としては、例えば、プラズマＣＶＤで形成さ
れた窒化シリコン膜が選ばれ、１２００〜２７００オン
グストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２４
００オングストローム程度）形成される。

【００７７】ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、表示マトリクス
部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部
接続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）が露出されるように除去さ
れている。

【００７８】絶縁膜（ＧＩ）は、走査信号線（ＧＬ）お
よび対向電圧信号線（ＣＬ）と、映像信号線（ＤＬ）と
の電気的絶縁にも寄与している。

【００７９】《ｉ型半導体層（ＡＳ）》ｉ型半導体層
（ＡＳ）は、非晶質シリコンで、２００〜２２００オン
グストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２０
００オングストローム程度の膜厚）形成される。

【００８０】層（ｄ０）は、オーミックコンタクト用の
リン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導
体層であり、下側にｉ型半導体層（ＡＳ）が存在し、上
側に導電膜（ｄ１、ｄ２）が存在するところのみに残さ
れている。

【００８１】ｉ型半導体層（ＡＳ）は、走査信号線（Ｇ
Ｌ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線（Ｄ
Ｌ）との交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けら
れている。

【００８２】この交差部のｉ型半導体層（ＡＳ）は、交
差部における走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線
（ＣＬ）と映像信号線（ＤＬ）との短絡を低減する。

【００８３】《ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極
（ＳＤ２）》ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（Ｓ
Ｄ２）のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）に接
触する導電膜（ｄ１）とその上に形成された導電膜（ｄ
２）とから構成されている。

【００８４】導電膜（ｄ１）は、スパッタリングで形成
したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００オング
ストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、６００
オングストローム程度）形成される。

【００８５】クロム（Ｃｒ）膜は、膜厚を厚く形成する
とストレスが大きくなるので、２０００オングストロー
ム程度の膜厚を越えない範囲で形成する。

【００８６】クロム（Ｃｒ）膜は、Ｎ（＋）型半導体層
（ｄ０）との接着性を良好にし、アルミニウム（Ａｌ）
系の導電膜（ｄ２）におけるアルミニウム（Ａｌ）がＮ
（＋）型半導体層（ｄ０）に拡散することを防止する
（いわゆるバリア層の）目的で使用される。

【００８７】導電膜（ｄ１）として、クロム（Ｃｒ）膜
の他に、高融点金属（モリブテン（Ｍｏ）、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））膜、高
融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴａＳ
ｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いてもよい。

【００８８】導電膜（ｄ２）としては、アルミニウム
（Ａｌ）系の導電膜をスパッタリングで３０００〜５０
００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態で
は、４０００オングストローム程度）形成する。

【００８９】アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜は、クロ
ム（Ｃｒ）膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形
成することが可能で、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン
電極（ＳＤ２）および映像信号線（ＤＬ）の抵抗値を低
減したり、ゲート電極（ＧＴ）やｉ型半導体層（ＡＳ）
に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバー
レッジを良くする）働きがある。

【００９０】また、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を
同じマスクパターンでパターニングした後、同じマスク
を用いて、あるいは、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）
をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）が除去さ
れる。

【００９１】つまり、ｉ型半導体層（ＡＳ）上に残って
いたＮ（＋）型半導体層（ｄ０）は導電膜（ｄ１）、導
電膜（ｄ２）以外の部分がセルフアラインで除去され
る。

【００９２】このとき、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）は
その厚さ分は全て除去されるようエッチングされるの
で、ｉ型半導体層（ＡＳ）も若干その表面部分がエッチ
ングされるが、その程度はエッチング時間で制御すれば
よい。

【００９３】《映像信号線（ＤＬ）》映像信号線（Ｄ
Ｌ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ
２）と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成され
た導電膜（ｄ２）とで構成されている。

【００９４】また、映像信号線（ＤＬ）は、ソース電極
（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成さ
れ、さらに、像信号線（ＤＬ）は、ドレイン電極（ＳＤ
２）と一体に構成されている。

【００９５】《画素電極（ＰＸ）》画素電極（ＰＸ）
は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）
と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成された導
電膜（ｄ２）とで構成されている。

【００９６】また、画素電極（ＰＸ）は、ソース電極
（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成さ
れ、さらに、画素電極（ＰＸ）は、ソース電極（ＳＤ
１）と一体に構成されている。

【００９７】《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）》画素電極（Ｐ
Ｘ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続される端部
と反対側の端部において、対向電圧信号線（ＣＬ）と重
なるように構成されている。

【００９８】この重ね合わせは、図４からも明らかなよ
うに、画素電極（ＰＸ）を一方の電極（ＰＬ２）とし、
対向電圧信号（ＣＬ）を他方の電極（ＰＬ１）とする蓄
積容量（静電容量素子）（Ｃｓｔｇ）を構成する。

【００９９】この蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の誘電体膜は、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として使用
される絶縁膜（ＧＩ）および陽極酸化膜（ＡＯＦ）で構
成されている。

【０１００】図１に示すように平面的には蓄積容量（Ｃ
ｓｔｇ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ１）
の幅を広げた部分に形成されている。

【０１０１】《保護膜（ＰＳＶ）》薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）上には、保護膜（ＰＳＶ）が設けられてい
る。

【０１０２】保護膜（ＰＳＶ）は、主に薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を湿気等から保護するために設けられてお
り、透明性が高く、しかも、耐湿性の良いものを使用す
る。

【０１０３】保護膜（ＰＳＶ）は、例えば、プラズマＣ
ＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で
形成されており、１μｍ程度の膜厚に形成する。

【０１０４】保護膜（ＰＳＶ）は、表示マトリクス部
（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部接
続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を露出されるように除去され
ている。

【０１０５】保護膜（ＰＳＶ）とゲート絶縁膜（ＧＩ）
の厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くさ
れ、後者はトランジスタの相互コンダクタンス（ｇｍ）
を考え薄くされる。

【０１０６】従って、保護効果の高い保護膜（ＰＳＶ）
は、周辺部もできるだけ広い範囲に亘って保護するよう
ゲート絶縁膜（ＧＩ）よりも大きく形成されている。

【０１０７】《カラーフィルタ基板》次に、図１、図２
に戻り、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側（カラーフ
ィルタ基板）の構成を詳しく説明する。

【０１０８】《遮光膜（ＢＭ）》上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）側には、不要な間隙部（画素電極（ＰＸ）
と対向電極（ＣＴ）の間以外の隙間）からの透過光が表
示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないよ
うに遮光膜（ＢＭ）（いわゆるブラックマトリクス）が
形成される。

【０１０９】遮光膜（ＢＭ）は、外部光またはバックラ
イト光がｉ型半導体層（ＡＳ）に入射しないようにする
役割も果たしている。

【０１１０】すなわち、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
ｉ型半導体層（ＡＳ）は上下にある遮光膜（ＢＭ）およ
び大き目のゲート電極（ＧＴ）によってサンドイッチに
され、外部の自然光やバックライト光が当たらなくな
る。

【０１１１】図１に示す遮光膜（ＢＭ）の閉じた多角形
の輪郭線は、その内側が遮光膜（ＢＭ）が形成されない
開口を示している。

【０１１２】図１に示す上下方向の境界線は上下基板の
合わせ精度によって決まり、合わせ精度が映像信号線
（ＤＬ）に隣接する対向電極（ＣＴ）の電極幅よりも良
い場合には、対向電極の幅の間に設定すれば、より開口
部を拡大することができる。

【０１１３】遮光膜（ＢＭ）は、光に対する遮蔽性を有
し、かつ、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の間の
電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成され
ており、本発明の実施の形態では、黒色の顔料をレジス
ト材に混入し、１．２μｍ程度の厚さに形成している。

【０１１４】遮光膜（ＢＭ）は、各画素の周囲に格子状
に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切ら
れている。

【０１１５】従って、各画素の輪郭が遮光膜（ＢＭ）に
よってはっきりとする。

【０１１６】つまり、遮光膜（ＢＭ）は、ブラックマト
リクスとｉ型半導体層（ＡＳ）に対する遮光との２つの
機能をもつ。

【０１１７】遮光膜（ＢＭ）は、周辺部にも額縁状に形
成され、そのパターンは、ドット状に複数の開口を設け
た図１に示すマトリクス部のパターンと連続して形成さ
れている。

【０１１８】周辺部の遮光膜（ＢＭ）は、シール部（Ｓ
Ｌ）の外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する
反射光等の漏れ光が表示マトリクス部に入り込むのを防
いでいる。

【０１１９】他方、この遮光膜（ＢＭ）は上部透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ２）の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程
内側に留められ、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の切
断領域を避けて形成されている。

【０１２０】《カラーフィルタ（ＦＩＬ）》カラーフィ
ルタ（ＦＩＬ）は、画素に対向する位置に赤、緑、青の
繰り返しでストライプ状に形成され、また、カラーフィ
ルタ（ＦＩＬ）は、遮光膜（ＢＭ）のエッジ部分と重な
るように形成されている。

【０１２１】カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、次のように
して形成することができる。

【０１２２】まず、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。

【０１２３】この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタ（Ｒ）を形成する。

【０１２４】つぎに、同様な工程を施すことによって、
緑色フィルタ（Ｇ）、青色フィルタ（Ｂ）を順次形成す
る。

【０１２５】《オーバーコート膜（ＯＣ）》オーバーコ
ート膜（ＯＣ）は、カラーフィルタ（ＦＩＬ）から染料
が液晶層（ＬＣ）へ漏洩するのを防止し、および、カラ
ーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光膜（ＢＭ）による段差を平
坦化するために設けられている。

【０１２６】オーバーコート膜（ＯＣ）はたとえばアク
リル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されて
いる。

【０１２７】《表示マトリクス部（ＡＲ）周辺の構成》
図５は、上下の透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）
を含む表示パネル（ＰＮＬ）の表示マトリクス（ＡＲ）
部周辺の要部平面を示す図である。

【０１２８】また、図６は、左側に走査回路が接続され
るべき外部接続端子（ＧＴＭ）付近の断面を、右側に外
部接続端子がないところのシール部付近の断面を示す図
である。

【０１２９】このパネルの製造では、小さいサイズであ
れば、スループット向上のため１枚のガラス基板で複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、また、大
きいサイズであれば、製造設備の共用のためどの品種で
も標準化された大きさのガラス基板を加工してから、各
品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通り
の工程を経てからガラスを切断する。

【０１３０】図５、図６は後者の例を示すもので、図
５、図６の両図とも上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、Ｓ
ＵＢ２）の切断後を表しており、図５に示すＬＮは両基
板の切断前の縁を示す。

【０１３１】いずれの場合も、完成状態では外部接続端
子群（Ｔｇ、Ｔｄ）および端子（ＣＴＭ）（添字略）が
存在する（図で上辺と左辺の）部分は、それらが露出さ
れるように上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の大きさが
下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）よりも内側に制限され
ている。

【０１３２】端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）は、それぞれ後述す
る走査回路接続用端子（ＧＴＭ）、映像信号回路接続用
端子（ＤＴＭ）とそれらの引出配線部を集積回路チップ
（ＣＨＩ）が搭載されたテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）（図１６、図１７）の単位に複数本まとめて名付
けたものである。

【０１３３】各群の表示マトリクス部から外部接続端子
部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜し
ている。

【０１３４】これは、パッケージ（ＴＣＰ）の配列ピッ
チ及び各パッケージ（ＴＣＰ）における接続端子ピッチ
に表示パネル（ＰＮＬ）の端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を合
わせるためである。

【０１３５】また、対向電極端子（ＣＴＭ）は、対向電
極（ＣＴ）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を外部回路から与え
るための端子である。

【０１３６】表示マトリクス部の対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）は、走査回路用端子（ＧＴＭ）の反対側（図では右
側）に引き出し、各対向電圧信号線（ＣＬ）を共通バス
ライン（ＣＢ）（対向電極接続信号線）で一纏めにし
て、対向電極端子（ＣＴＭ）に接続している。

【０１３７】透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の
間にはその縁に沿って、液晶封入口（ＩＮＪ）を除き、
液晶層（ＬＣ）を封止するようにシールパターン（Ｓ
Ｌ）が設けられる。

【０１３８】シールパターン（ＳＬ）は、例えば、エポ
キシ樹脂から形成される。

【０１３９】配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲＩ２）の層は、シ
ールパターン（ＳＬ）の内側に形成され、また、偏光板
（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）は、それぞれ下部透明ガラス基
板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の外
側の表面に形成されている。

【０１４０】液晶層（ＬＣ）は、液晶分子の向きを設定
する下部配向膜（ＯＲＩ１）と上部配向膜（ＯＲＩ２）
との間でシールパターン（ＳＬ）で仕切られた領域に封
入される。

【０１４１】下部配向膜（ＯＲＩ１）は、下部透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ１）側の保護膜（ＰＳＶ）の上部に形成
される。

【０１４２】本発明の実施の形態の液晶表示装置では、
下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）を別個に種々の層を積み重ねて形成した
後、シールパターン（ＳＬ）を上部透明ガラス基板（Ｓ
ＵＢ２）側に形成し、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）
と上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）とを重ね合わせ、シ
ールパターン（ＳＬ）の開口部（ＩＮＪ）から液晶（Ｌ
Ｃ）を注入し、注入口（ＩＮＪ）をエポキシ樹脂などで
封止し、上下基板を切断することによって組み立てられ
る。

【０１４３】《ゲート端子（ＧＴＭ）部》図７は、表示
マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその外
部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構造
を示す図であり、図７（Ａ）は、平面図であり、図７
（Ｂ）は、図７（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面
図である。

【０１４４】なお、図７は、図５における下方付近に対
応し、斜め配線の部分は便宜状一直線状で表した。

【０１４５】図７において、ＡＯはホトレジスト直接描
画の境界線、言い換えれば選択的陽極酸化のホトレジス
トパターンである。

【０１４６】従って、このホトレジストは陽極酸化後除
去され、図７に示すパターン（ＡＯ）は完成品としては
残らないが、ゲート配線（ＧＬ）には断面図に示すよう
に酸化膜（ＡＯＦ）が選択的に形成されるのでその軌跡
が残ることになる。

【０１４７】図７（Ａ）の平面図において、ホトレジス
トの境界線（ＡＯ）を基準にして左側はレジストで覆い
陽極酸化をしない領域、右側はレジストから露出され陽
極酸化される領域である。

【０１４８】陽極酸化されたアルミニウム（ＡＬ）系の
導電膜（ｇ１）は、表面にアルミニウム酸化膜（Ａｌ２
Ｏ３）が形成され下方の導電部は体積が減少する。

【０１４９】勿論、陽極酸化はその導電部が残るように
適切な時間、電圧などを設定して行われる。

【０１５０】図７において、アルミニウム（ＡＬ）系の
導電膜（ｇ１）は、判り易くするためハッチを施してあ
るが、陽極化成されない領域は櫛状にパターニングされ
ている。

【０１５１】これは、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜
の幅が広いと表面にホイスカが発生するので、１本１本
の幅は狭くし、それらを複数本並列に束ねた構成とする
ことにより、ホイスカの発生を防ぎつつ、断線の確率や
導電率の犠牲を最低限に押さえる狙いである。

【０１５２】ゲート端子（ＧＴＭ）は、アルミニウム
（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）と、更にその表面を保護
し、かつ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃ
ｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上させるための透明導
電膜（ｇ２）とで形成されている。

【０１５３】この透明導電膜（ｇ２）は、スパッタリン
グで形成された透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏ
ｘｉｄｅ ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２０
００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態で
は、１４００オングストローム程度の膜厚）形成され
る。

【０１５４】また、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜
（ｇ１）上、および、その側面部に形成された導電膜
（ｄ１）は、導電膜（ｇ１）と透明導電膜（ｇ２）との
接続不良を補うために、導電膜（ｇ１）と透明導電膜
（ｇ２）との両方に接続性の良いクロム（Ｃｒ）層（ｄ
１）を接続し、接続抵抗の低減を図るためのものであ
り、導電膜（ｄ２）は導電膜（ｄ１）と同一マスクで形
成しているために残っているものである。

【０１５５】図７（Ａ）の平面図において、ゲート絶縁
膜（ＧＩ）は、その境界線（ＡＯ）よりも右側に、保護
膜（ＰＳＶ）は、その境界線（ＡＯ）よりも左側に形成
されており、左端に位置する端子部（ＧＴＭ）はそれら
から露出し外部回路との電気的接触ができるようになっ
ている。

【０１５６】図７では、ゲート線（ＧＬ）とゲート端子
の一つの対のみが示されているが、実際はこのような対
が上下に複数本並べられて、図５に示す端子群（Ｔｇ）
が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、下部
透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断領域を越えて延長さ
れ配線（ＳＨｇ）（図示せず）によって短絡される。

【０１５７】製造過程におけるこのような短絡線（ＳＨ
ｇ）は、陽極化成時の給電と、配向膜（ＯＲＩ１）のラ
ビング時等の静電破壊防止に役立つ。

【０１５８】《ドレイン端子（ＤＴＭ）部》図８は、表
示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその
外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続
を示す図であり、図８（Ａ）はその平面図であり、図８
（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面
図である。

【０１５９】なお、図８は、図５における右上付近に対
応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向が下部
透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の上端部に該当する。

【０１６０】図８において、ＴＳＴｄは検査端子であ
り、ここには外部回路は接続されないが、プローブ針等
を接触できるよう配線部より幅が広げられている。

【０１６１】同様に、ドレイン端子（ＤＴＭ）も外部回
路との接続ができるよう配線部より幅が広げられてい
る。

【０１６２】ドレイン端子（ＤＴＭ）は複数本上下方向
に並べられ、図５に示す端子群（Ｔｄ）（添字省略）を
構成し、さらに、ドレイン端子（ＤＴＭ）は、下部透明
ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断線を越えて延長され、製
造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線
（ＳＨｄ）（図示せず）によって短絡される。

【０１６３】検査端子（ＴＳＴｄ）は、図８に示すよう
に一本置きの映像信号線（ＤＬ）に設けられる。

【０１６４】ドレイン接続端子（ＤＴＭ）は、透明導電
膜（ｇ２）の単層で形成されており、ゲート絶縁膜（Ｇ
Ｉ）を除去した部分で映像信号線（ＤＬ）と接続されて
いる。

【０１６５】ゲート絶縁膜（ＧＩ）の端部上に形成され
た半導体層（ＡＳ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の縁をテ
ーパ状にエッチングするためのものである。

【０１６６】ドレイン接続端子（ＤＴＭ）上では、外部
回路との接続を行うため保護膜（ＰＳＶ）は勿論のこと
取り除かれている。

【０１６７】表示マトリクス部（ＡＲ）からドレイン端
子部（ＤＴＭ）までの引出配線は、映像信号線（ＤＬ）
と同じレベルの導電膜（ｄ１、ｄ２）が、保護膜（ＰＳ
Ｖ）の途中まで構成されており、保護膜（ＰＳＶ）の中
で透明導電膜（ｇ２）と接続されている。

【０１６８】これは、電触し易いアルミニウム（Ａｌ）
系の導電膜（ｄ２）を保護膜（ＰＳＶ）やシールパター
ン（ＳＬ）でできるだけ保護する狙いである。

【０１６９】《対向電極端子（ＣＴＭ）》図９は、対向
電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向電
極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図であり、図９
（Ａ）は、その平面図であり、図９（Ｂ）は、図９
（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。

【０１７０】なお、図９は、図５における左上付近に対
応する。

【０１７１】各対向電圧信号線（ＣＬ）は、共通バスラ
イン（ＣＢ）で一纏めして対向電極端子（ＣＴＭ）に引
き出されている。

【０１７２】共通バスライン（ＣＢ）は、導電膜（ｇ
１）の上に導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を積層した
構造となっている。

【０１７３】これは、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を
低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）に十分に供給されるようにするためである。

【０１７４】この構造によれば、特に新たに導電膜を付
加することなく、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を下げ
られるのが特徴である。

【０１７５】共通バスライン（ＣＢ）の導電膜（ｇ１）
は、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）と電気的に接続さ
れるように、陽極参加はされておらず、また、ゲート絶
縁膜（ＧＩ）からも露出している。

【０１７６】対向電極端子（ＣＴＭ）は、導電膜（ｇ
１）の上に透明導電膜（ｇ２）が積層された構造になっ
ている。

【０１７７】このように、その表面を保護し、また、電
食等を防ぐために耐久性のよい透明導電膜（ｇ２）で、
導電膜（ｇ１）を覆っている。

【０１７８】《表示装置全体等価回路》図１０は、表示
マトリクス部（ＡＲ）の等価回路とその周辺回路の結線
図を示す図である。

【０１７９】なお、図１０は、回路図ではあるが、実際
の幾何学的配置に対応して描かれている。

【０１８０】図１０において、ＡＲは、複数の画素を二
次元状に配列した表示マトリクス部（マトリクス・アレ
イ）を示している。

【０１８１】図１０中、ＰＸは画素電極であり、添字
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。

【０１８２】走査信号線（ＧＬ）のｙ０、…、ｙｅｎｄ
は走査タイミングの順序を示している。

【０１８３】走査信号線（ＧＬ）は垂直走査回路（Ｖ）
に接続されており、映像信号線（ＤＬ）は映像信号駆動
回路（Ｈ）に接続されている。

【０１８４】回路（ＳＵＰ）は、１つの電圧源から複数
の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路や
ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）
用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に交換する
回路を含む回路である。

【０１８５】《駆動方法》図１１は、本発明の実施の形
態の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図で
あり、図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ、（ｉ
−１）番目、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）に印加さ
れるゲート電圧（走査信号電圧）（ＶG）を示してい
る。

【０１８６】また、図１１（ｃ）は、映像信号線（Ｄ
Ｌ）に印加される映像信号電圧（ＶD）を示し、図１１
（ｄ）は、対向電極（ＣＴ）に印加される対向電圧（Ｖ
ｃｏｍ）を示している。

【０１８７】さらに、図１１（ｅ）は、（ｉ）行、
（ｊ）列の画素における画素電極（ＰＸ）に印加される
画素電極電圧（Ｖｓ）を示し、図１１（ｆ）は、（ｉ）
行、（ｊ）列の画素の液晶層（ＬＣ）に印加される電圧
（ＶLC）を示している。

【０１８８】本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動
方法においては、図１１（ｄ）に示すように、対向電極
（ＣＴ）に印加する対向電圧（Ｖｃｏｍ）を、ＶCHとＶ
CLの２値の交流矩型波にし、それに同期させてゲート電
極（ＧＴ）に印加するゲート電圧（ＶG）の非選択電圧
を１走査期間ごとに、ＶGLHとＶGLLの２値で変化させ
る。

【０１８９】この場合に、対向電圧（Ｖｃｏｍ）の振幅
値と、ゲート電圧（ＶG）の非選択電圧の振幅値とは同
一にする。

【０１９０】映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号
電圧（ＶD）は、液晶層（ＬＣ）に印加したい電圧か
ら、対向電圧（ＶC）の振幅の１／２を差し引いた電圧
（ＶSIG)である。

【０１９１】対向電極（ＣＴ）に印加する対向電圧（Ｖ
ｃｏｍ）は直流でもよいが、交流化することで映像信号
電圧（ＶD）の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路
（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることが可
能になる。

【０１９２】《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の働き》蓄積容量
（Ｃｓｔｇ）は、画素に書き込まれた（薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）がオフした後の）映像情報を、長く蓄積す
るために設ける。

【０１９３】本発明の実施の形態のように、電界を基板
面と平行に印加する方式では、電界を基板面に垂直に印
加する方式と異なり、画素電極（ＰＸ）と対向電極（Ｃ
Ｔ）とで構成される容量（いわゆる液晶容量（Ｃｐｉ
ｘ））がほとんど無いため、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）がな
いと映像情報を画素に蓄積することができない。

【０１９４】したがって、電界を基板面と平行に印加す
る方式では、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は必須の構成要素で
ある。

【０１９５】また、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）がスイッチングするとき、画素電極
電位（Ｖｓ）に対するゲート電位変化（ΔＶG）の影響
を低減するようにも働く。

【０１９６】この様子を式で表すと、次のようになる。

【０１９７】

【数１】ΔＶｓ＝｛Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋Ｃｐ
ｉｘ）｝×ΔＶG ここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート
電極（ＧＴ）とソース電極（ＳＤ１）との間に形成され
る寄生容量、Ｃｐｉｘは画素電極（ＰＸ）と対向電極
（ＣＴ）との間に形成される容量、ΔＶｓはΔＶGによ
る画素電極電位の変化分いわゆるフィードスルー電圧を
表わす。

【０１９８】この変化分（ΔＶｓ）は、液晶層（ＬＣ）
に加わる直流成分の原因となるが、保持容量（Ｃｓｔ
ｇ）を大きくすればする程、その値を小さくすることが
できる。

【０１９９】液晶層（ＬＣ）に印加される直流成分の低
減は、液晶層（ＬＣ）の寿命を向上し、液晶表示画面の
切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減す
ることができる。

【０２００】前述したように、ゲート電極（ＧＴ）は、
ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆うよう大きくされてい
る分、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）
とのオーバラップ面積が増え、従って寄生容量（Ｃｇ
ｓ）が大きくなり、画素電極電位（Ｖｓ）は、ゲート電
圧（走査信号電圧）（ＶG）の影響を受け易くなるとい
う逆効果が生じる。

【０２０１】しかし、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）を設けるこ
とによりこのデメリットも解消することができる。

【０２０２】《製造方法》つぎに、前記した液晶表示装
置の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の製造方法につ
いて図１２〜図１４を参照して説明する。

【０２０３】なお、図１２〜図１４において、中央の文
字は工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）部分、右側は図７に示すゲート端子付
近の断面形状でみた加工の流れを示す。

【０２０４】工程Ｂ、工程Ｄを除き、工程Ａ〜工程Ｉは
各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいず
れの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジスト
を除去した段階を示している。

【０２０５】なお、以下の説明においては、写真処理と
は、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露
光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものと
し、繰返しの説明は避ける。

【０２０６】以下区分けした工程に従って、説明する。

【０２０７】（工程Ａ、図１２）ガラスからなる下部透
明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に、膜厚が３０００オング
ストロームのアルミニウム（Ａｌ）−パラジウム（Ｐ
ｄ）、アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）、アル
ミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔａ）、アルミニウム
（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタル（Ｔａ）等からな
る導電膜（ｇ１）をスパッタリングにより形成する。

【０２０８】写真処理後、リン酸と硝酸と氷酢酸と水と
の混酸液で導電膜（ｇ１）を選択的にエッチングする。

【０２０９】それによって、ゲート電極（ＧＴ）、走査
信号線（ＧＬ）、対向電極（ＣＴ）、対向電圧信号線
（ＣＬ）、電極（ＰＬ１）、ゲート端子（ＧＴＭ）、共
通バスライン（ＣＢ）の第１導電膜、対向電極端子（Ｃ
ＴＭ）の第１導電膜、ゲート端子（ＧＴＭ）を接続する
陽極酸化バスライン（ＳＨｇ）（図示せず）および陽極
酸化バスライン（ＳＨｇ）に接続された陽極酸化パッド
（図示せず）を形成する。

【０２１０】（工程Ｂ、図１２）直接描画による陽極酸
化マスク（ＡＯ）の形成後、３％酒石酸をアンモニアに
よりＰＨ６．２５±０．０５に調整した溶液をエチレン
グリコール液で１：９に稀釈した液からなる陽極酸化液
中に下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）を浸漬し、化成電
流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ² になるように調整する（定
電流化成）。

【０２１１】次に、所定膜厚のアルミニウム酸化膜（Ａ
ＯＦ）が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達する
まで陽極酸化を行う。

【０２１２】その後、この状態で数１０分保持すること
が望ましい（定電圧化成）。

【０２１３】これは均一なアルミニウム酸化膜（ＡＯ
Ｆ）を得る上で大事なことである。

【０２１４】それによって、導電膜（ｇ１）が陽極酸化
され、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）、対向
電極（ＣＴ）、対向電圧信号線（ＣＬ）および電極（Ｐ
Ｌ１）上に膜厚が１８００オングストロームの陽極酸化
膜（ＡＯＦ）が形成される。

【０２１５】（工程Ｃ、図１２）膜厚が１４００オング
ストロームのＩＴＯ膜からなる透明導電膜（ｇ２）をス
パッタリングにより形成する。

【０２１６】写真処理後、エッチング液として、塩酸と
硝酸との混酸液で透明導電膜（ｇ２）を選択的にエッチ
ングすることにより、ゲート端子（ＧＴＭ）の最上層、
ドレイン端子（ＤＴＭ）および対向電極端子（ＣＴＭ）
の第２導電膜を形成する。

【０２１７】（工程Ｄ、図１３）プラズマＣＶＤ装置に
アンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜
厚が２２００オングストロームの窒化シリコン膜（Ｓｉ
ＮX）を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素
ガスを導入して、膜厚が２０００オングストロームのｉ
型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を設けたのち、プラズマＣ
ＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚
が３００オングストロームのＮ（＋）型非晶質シリコン
（Ｓｉ）膜を設ける。

【０２１８】（工程Ｅ、図１３）写真処理後、ドライエ
ッチングガスとして四塩化炭素（ＣＣｌ４）、六弗化硫
黄（ＳＦ６）を使用してＮ（＋）型非晶質シリコン（Ｓ
ｉ）膜、ｉ型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を選択的にエッ
チングすることにより、ｉ型半導体層（ＡＳ）の島を形
成する。

【０２１９】（工程Ｆ、図１３）写真処理後、ドライエ
ッチングガスとして六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用して、
窒化シリコン膜を選択的にエッチングする。

【０２２０】（工程Ｇ、図１４）膜厚が６００オングス
トロームのクロム（Ｃｒ）からなる導電膜（ｄ１）をス
パッタリングにより設け、さらに膜厚が４０００オング
ストロームのアルミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔ
ａ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタ
ル（Ｔａ）等からなる導電膜（ｄ２）をスパッタリング
により設ける。

【０２２１】写真処理後、導電膜（ｄ２）を、リン酸と
硝酸と氷酢酸と水とからなる混酸液でエッチングし、導
電膜（ｄ１）を硝酸第２セリウムアンモン液でエッチン
グし、映像信号線（ＤＬ）、ソース電極（ＳＤ１）、ド
レイン電極（ＳＤ２）、画素電極（ＰＸ）、電極（ＰＬ
２）、共通バスライン（ＣＢ）の第２導電膜、第３導電
膜およびドレイン端子（ＤＴＭ）を短絡するバスライン
（ＳＨｄ）（図示せず）を形成する。

【０２２２】なお、本発明の実施の形態で用いているレ
ジスト材は、東京応化製半導体用レジストＯＦＰＲ８０
０（商品名）を用いた。

【０２２３】つぎに、ドライエッチング装置に四塩化炭
素（ＣＣｌ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）を導入して、Ｎ
（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜をエッチングするこ
とにより、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層
（ｄ０）を選択的に除去する。

【０２２４】（工程Ｈ、図１４）プラズマＣＶＤ装置に
アンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜
厚が１μｍの窒化シリコン膜を設ける。

【０２２５】写真処理後、ドライエッチングガスとして
六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用した写真蝕刻技術で窒化シ
リコン膜を選択的にエッチングすることによって、保護
膜（ＰＳＶ）を形成する。

【０２２６】《表示パネル（ＰＮＬ）と駆動回路基板Ｐ
ＣＢ１》図１５は、図５等に示す表示パネル（ＰＮＬ）
に映像信号駆動回路（Ｈ）と垂直走査回路（Ｖ）を接続
した状態を示す平面図である。

【０２２７】図１５において、ＣＨＩは表示パネル（Ｐ
ＮＬ）を駆動させる駆動ＩＣチップであり、図１５に示
す下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣチップ、左の
１０個は映像信号駆動回路側の駆動ＩＣチップである。

【０２２８】ＴＣＰは図１６、図１７で後述するように
駆動用ＩＣチップ（ＣＨＩ）がテープ・オートメイティ
ド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープ
キャリアパッケージ、ＰＣＢ１は前記テープキャリアパ
ッケージ（ＴＣＰ）やコンデンサ等が実装された駆動回
路基板で、映像信号駆動回路用と走査信号駆動回路用の
２つに分割されている。

【０２２９】ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケース（ＳＨＤ）に切り込んで設けられたバネ
状の破片が半田付けされる。

【０２３０】ＦＣは下側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）と
左側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）を電気的に接続するフ
ラットケーブルである。

【０２３１】フラットケーブル（ＦＣ）としては、複数
のリード線（りん青銅の素材にスズ（Ｓｎ）鍍金を施し
たもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニル
アルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用
する。

【０２３２】《ＴＣＰの接続構造》図１６は、走査信号
駆動回路（Ｖ）や映像信号駆動回路（Ｈ）を構成する、
集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキシブル配線基板に搭
載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）の断面構
造を示す断面図であり、図１７は、それを液晶表示パネ
ル（ＰＮＬ）に接続した状態（図１６では、走査信号回
路用端子（ＧＴＭ）に接続した状態）を示す要部断面図
である。

【０２３３】図１６において、ＴＴＢは集積回路（ＣＨ
Ｉ）の入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路（Ｃ
ＨＩ）の出力端子・配線部であり、端子（ＴＴＢ、ＴＴ
Ｍ）は、例えば、銅（Ｃｕ）から成り、それぞれの内側
の先端部（通称インナーリード）には、集積回路（ＣＨ
Ｉ）のボンディングパッド（ＰＡＤ）がいわゆるフェー
スダウンボンディング法により接続される。

【０２３４】端子（ＴＴＢ、ＴＴＭ）の外側の先端部
（通称アウターリード）には、それぞれ半導体集積回路
チップ（ＣＨＩ）の入力及び出力に対応し、半田付け等
によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路（ＳＵＰ）、
あるいは、異方性導電膜（ＡＣＦ）によって液晶表示パ
ネル（ＰＮＬ）が接続される。

【０２３５】パッケージ（ＴＣＰ）は、その先端部が、
パネル（ＰＮＬ）側の接続端子（ＧＴＭ）が露出される
保護膜（ＰＳＶ）を覆うようにパネルに接続されてお
り、従って、外部接続端子（ＧＴＭ）（またはＤＴＭ）
は、保護膜（ＰＳＶ）かパッケージ（ＴＣＰ）の少なく
とも一方で覆われるので電触に対して強くなる。

【０２３６】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。

【０２３７】シールパターン（ＳＬ）の外側の上下ガラ
ス基板の隙間は洗浄後エポキシ樹脂（ＥＰＸ）等により
保護され、パッケージ（ＴＣＰ）と上部基板（ＳＵＢ
２）の間には更にシリコーン樹脂（ＳＩＬ）が充填され
保護が多重化されている。

【０２３８】《駆動回路基板（ＰＣＢ２）》駆動回路基
板（ＰＣＢ２）は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部
品が搭載されている。

【０２３９】この駆動回路基板（ＰＣＢ２）には、１つ
の電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得る
ための電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からの
ＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置
用の情報に変換する回路を含む回路（ＳＵＰ）が搭載さ
れている。

【０２４０】ＣＪは外部と接続される図示しないコネク
タが接続されるコネクタ接続部である。

【０２４１】駆動回路基板（ＰＣＢ１）と駆動回路基板
（ＰＣＢ２）とはフラットケーブル（ＦＣ）により電気
的に接続されている。

【０２４２】《液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の全体構
成》図１８は、液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の各構成
部品を示す分解斜視図である。

【０２４３】ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケ
ース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光体、
ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡはバ
ックライトケースであり、図に示すような上下の配置関
係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組み立
てられる。

【０２４４】モジュール（ＭＤＬ）は、シールドケース
（ＳＨＤ）に設けられた爪とフックによって全体が固定
されるようになっている。

【０２４５】バックライトケース（ＬＣＡ）は、バック
ライト蛍光管（ＢＬ）、光拡散板（ＳＰＢ）、導光体
（ＬＣＢ）、反射板（ＲＭ）を収納する形状になってお
り、導光体（ＬＣＢ）の側面に配置されたバックライト
蛍光管（ＢＬ）の光を、導光体（ＬＣＢ）、反射板（Ｒ
Ｍ）、光拡散板（ＳＰＢ）により表示面で一様なバック
ライトにし、液晶表示パネル（ＰＮＬ）側に出射する。

【０２４６】バックライト蛍光管（ＢＬ）にはインバー
タ回路基板（ＰＣＢ３）が接続されており、バックライ
ト蛍光管（ＢＬ）の電源となっている。

【０２４７】《液晶層および偏向板の構成》次に、本発
明の特徴である液晶層、配向膜、偏光板等について説明
する。

【０２４８】《液晶層》液晶層（ＬＣ）の液晶材料とし
ては、誘電率異方性（Δε）が正で、その値が１３．
２、屈折率異方性（Δｎ）が０．０８１（５８９ｎｍ、
２０℃）のネマティック液晶を用いる。

【０２４９】液晶層の厚み（ギャップ）は、３．９μｍ
とし、リタデーション（Δｎ・ｄ）は０．３１６とす
る。

【０２５０】このリタデーション（Δｎ・ｄ）の値は、
バックライト光の波長特性のほぼ平均の波長の１／２と
なる様に設定され、バックライト光の波長特性との組み
合わせにより、液晶層の透過光が色調が白色（Ｃ光源、
色度座標ｘ＝０．３１０１、ｙ＝０．３１６３）となる
様に設定する。

【０２５１】偏光板の偏光透過軸と液晶分子の長軸方向
のなす角が４５°になるとき最大透過率を得ることがで
き、可視光の範囲ないで波長依存性がほとんどない透過
光を得ることができる。

【０２５２】なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリ
マビーズで制御している。

【０２５３】また、液晶層（ＬＣ）の液晶材料は、特に
限定したものではなく、誘電率異方性Δεは負でもよ
い。

【０２５４】さらに、誘電率異方性（Δε）は、その値
が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、また、屈折率異
方性（Δｎ）は小さいほうが、液晶層の厚み（ギャッ
プ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャ
ップばらつきを少なくすることができる。

【０２５５】《初期配向方向》配向膜ＯＲＩとしては、
ポリイミドを用いる。

【０２５６】本発明の実施の形態では、上部透明ガラス
基板（ＳＵＢ２）側の上部配向膜（ＯＲＩ２）と、下部
透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の下部配向膜（ＯＲＩ
１）との両方に、ラビング処理を施すことにより、液晶
分子の初期配向方向（φＬＣ１、φＬＣ２）を制御し、
各画素毎に（φＬＣ１、φＬＣ２）の２方向にラビング
が行われるようにしている。

【０２５７】図１にラビング領域の分割のようすを示し
ており、図１に示す領域５０１と領域５０２は、それぞ
れ異なるラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）にラビン
グされれる。

【０２５８】図１９は、本発明の実施の形態における下
部配向膜（ＯＲＩ１）のラビング処理方法を示す図であ
る。

【０２５９】図１９に示すように、１画素内で液晶層
（ＬＣ）の液晶分子に２方向の初期配向方向を付与すた
めに、下部配向膜（ＯＲＩ１）をＲＤＲ１方向に全面に
ラビングし、その後ホトレジストプロセスで、レジスト
材（ＲＥＳ）を形成しマスキングして、ＲＤＲ２方向に
再度ラビングする。

【０２６０】これにより、レジスト材（ＲＥＳ）でマス
クされていない部分は、ＲＤＲ２方向にラビングし直さ
れる。

【０２６１】その後レジスト材（ＲＥＳ）を剥離するこ
とで、２方向のラビング処理を施すことができる。

【０２６２】両透明ガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）
のラビング方向が平行配向になるようにそれぞれの方向
に、上部配向膜（ＯＲＩ２）にも図１９のプロセスでラ
ビング処理を施す。

【０２６３】図２２は、本発明の実施の形態における印
加電界方向（ＥＤＲ）、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤ
Ｒ２）、偏光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係を示
す図である。

【０２６４】図２２において、φＬＣ１及びφＬＣ２は
それぞれ領域５０１と５０２での印加電界方向（ＥＤ
Ｒ）とラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）のなす角度
を示している。

【０２６５】本発明の実施の形態では、φＬＣ１を７５
度、φＬＣ２を１０５度とした。

【０２６６】なお、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ
２）と印加電界方向（ＥＤＲ）とのなす角度は、液晶材
料の誘電率異方性Δεが正であれば、４５℃以上９０℃
未満または、９０°を超え１３５°以下、誘電率異方性
Δεが負であれば、液晶分子が電界方向に直交する方向
に回転するので、０°を超え４５°以下または１４５℃
以上１８０℃未満でなければならない。

【０２６７】したがって、本発明の実施の形態で、誘電
率異方性Δεが負の液晶の場合は、φＬＣ１が１６５
（−１５°）、φＬＣ２が１５度にする。

【０２６８】《偏光板》図２２に示すように、偏光板
（ＰＯＬ）としては、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光
透過軸（ＭＡＸ１）と印加電界方向（ＥＤＲ）となす角
φＰ１＝９０°とし、上側の偏向板（ＰＯＬ２）の偏光
透過軸（ＭＡＸ２）を、それに直交、即ちφＰ２＝０°
（１８０°）に設定する。

【０２６９】これにより、領域５０１，５０２におい
て、本発明の実施の形態の画素に印加される電圧（画素
電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加させるに伴
い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を得ること
ができる。

【０２７０】［比較例１］本比較例の液晶表示装置は、
φＬＣ１＝φＬＣ＝７５度の１方向のみであり、φＰ１
＝φＬＣ１＝φＬＣ＝７５°、φＰ２＝φＰ１±９０°
＝１６５°（−１５°）であることを除けば、発明の実
施の形態１と同一である。

【０２７１】図２０は、本発明の実施の形態の液晶表示
装置、および、比較例の液晶表示装置を駆動した際の、
白色表示色調の角度依存特性を示すグラフである。

【０２７２】図２０（ａ）は比較例の場合であり、図２
０（ｂ）は本発明の実施の形態の場合である。

【０２７３】ｘ座標、ｙ座標はそれぞれＣＩＥ１９３１
ＸＹ座標系にもとづく色度座標である。

【０２７４】本図中にはＸ座標、ｙ座標それぞれ４本の
曲線が引かれている。

【０２７５】これは、図２３に定義した視角での４方向
での測定値であり、その４方向はθ＝０度、４０度、９
０度、１５０度である。またθはパネル周方向の角度を
示し、φはパネル垂直方向からの角度をそれぞれ示す。

【０２７６】図２０（ａ）に示す比較例の結果では、白
色色調が視角により大きく異なることが分かる。

【０２７７】一方、図２０（ｂ）に示す本発明の実施の
形態では、白色色調はほとんど変化していない。

【０２７８】これは、２つのラビング領域での液晶分子
の回転角度は、電界印加方向の法線方向（９０°）に対
し、対称となるため、互いに着色を打ち消し合う効果が
あり、白色色調が一定である角度範囲をさらに拡大する
ことができるためである。

【０２７９】したがって、本発明の実施の形態によれ
ば、全周方向でφが５０度までの範囲で完全な色調不変
を実現できることが分かる。

【０２８０】これを、半球状のグラフに示したのが、図
２１である。

【０２８１】図２１（ａ）は比較例の場合であり、図２
１は（ｂ）は本発明の実施の形態の場合であり、共に白
色色調の分布を示す。

【０２８２】なお、図２１中に、色調ずれ１階調という
表示があるが、これは、色調のずれを判定する便宜的尺
度として本発明の実施の形態では用いており、白色色調
のＸ、Ｙ座標が正面白色色調から＋０．０２以上ずれた
場合を色調ずれ１階調（黄変）、−０．０２以上ずれた
場合を色調ずれ１階調（青変）として定義している。

【０２８３】比較例では、１５０度をほぼ中心とする方
向で白色が青みを帯び、また４５度をほぼ中心とする方
向で黄みを帯びてしまっい、白色の色調に視角方向依存
性が生じてしまった。

【０２８４】一方、本発明の実施の形態では、全方位に
渡りφが５０度までの範囲では完全に白色色調が均一化
でき、視角方向に対する均一性を向上できる。

【０２８５】また、非階調反転領域は、特性が平均化さ
れて、全方位で非階調反転領域が平均化され、特定の方
位で、特性が落ちるという問題が解決される。

【０２８６】これは、コントラスト比の視角依存性につ
いても同様である。

【０２８７】比較例では、図２０（ａ）及び図２１
（ａ）に示すように、白色色調に方向依存性が生じ、ま
た、階調反転に弱い方位も存在する。

【０２８８】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、色調、階調反転、コントラスト比の視角方向に
対する均一性を向上でき、ブラウン管により近い広視野
角の液晶表示装置を得ることができる。

【０２８９】［発明の実施の形態２］本発明の実施の形
態では、φＬＣ１、φＬＣ２、φＰ１、φＰ２を除け
ば、前記発明の実施の形態１と同一である。

【０２９０】本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝８
８．５度、φＬＣ２＝９２．５度とし、また、φＰ１＝
９０°、φＰ２＝０°に設定する。

【０２９１】前記発明の実施の形態１と同様に、これに
より、２つのラビング領域での液晶分子の回転角度は、
電界印加方向の法線方向に対し、対称となるため、互い
に着色を打ち消し合う効果がさらに増大し、白色色調が
一定である角度範囲をさらに拡大することができる。

【０２９２】また、同様に階調反転、コントラスト比に
ついても全方位でより均一に平均化できる。

【０２９３】さらに、前記発明の実施の形態１では、φ
ＬＣ１、φＬＣ２とφＰ１の成す角度は１５度もあった
ため、電圧無印加時で黒レベルが十分に沈まず、コント
ラスト比が４に低下するという問題が生じた。

【０２９４】これに対し、本発明の実施の形態の構成で
は、φＬＣ１およびφＬＣ２とφＰの成す角を０°に近
くできたため、電圧無印加時の黒レベルが十分に沈み込
み、コントラスト比を改善することができ、本発明の実
施の形態では１００を達成できた。

【０２９５】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、前記発明の実施の形態１の効果に加え、コント
ラスト比１００以上と大幅なコントラスト比の向上させ
ることが可能となる。

【０２９６】視覚的にコントラスト比が１００未満であ
ると、コントラスト比の低下にともない画質の劣化を感
じるが、１００以上ではコントラスト比が向上しても画
質の向上を認識し難い。

【０２９７】したがって、コントラスト比１００を超え
ることは、画質上重要な境界である。

【０２９８】本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝８
８．５度、φＬＣ２＝９２．５度としたが、それぞれよ
り９０°に近ければ、さらにコントラスト比を向上させ
ることができる。

【０２９９】また、本発明の実施の形態で、誘電率異方
性Δεが負の液晶の場合は、φＬＣ１が１７７．５°
（−２．５°）、φＬＣ２が２．５°にする。

【０３００】［発明の実施の形態３］本発明の実施の形
態では、φＰ１、φＰ２を除けば、前記発明の実施の形
態１と同一である。

【０３０１】本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝４５
度、φＬＣ２＝１３５度とし、かつφＰ１＝９０度、φ
Ｐ２＝０度とした。

【０３０２】これにより、２つのラビング方向φＬＣ１
及びφＬＣ２は、いずれも一方の偏向板と４５度の角度
をなし、電圧無印加時に最大透過率を示す。

【０３０３】また、電圧印加時には、それぞれの領域の
液晶分子の長軸（光軸）は印加電圧方向に４５度、−４
５度回転し、φＰ２と一致し黒表示を得る。

【０３０４】即ち、電圧印加に伴って、透過率が減少す
るノーマリホワイトの特性を得ることができる。

【０３０５】本発明の実施の形態では、ノーマリホワイ
トの特性でも、印加電界方向（ＥＤＲ）に最終的に電極
間の全て領域の液晶分子が整列し、液晶分子の光軸が一
方の偏光板の偏光透過軸と完全に一致させることができ
るため、良好な黒レベルの表示が行え、コントラスト比
が前記発明の実施の形態２と同レベルまたはそれ以上に
なる。

【０３０６】この結果、本発明の実施の形態では、コン
トラスト比が前記発明の実施の形態２の同等の１２０を
得ることができた。

【０３０７】また、本発明の実施の形態では、電界印加
時に液晶分子の配列が１方向（０°）の方向にそろうた
め、着色の問題が生じるが、光をほとんど透過しない黒
レベルの着色であるため、ほとんど着色を感じることは
無い。

【０３０８】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、ノーマリホワイトの特性で、前記発明の実施の
形態２と同等の効果を得ることができる。

【０３０９】また、本発明の実施の形態では、電圧無印
加時に白表示を行うため、電極間領域で一様な透過率を
得ることができるため、より明るい白表示を行うことが
できる。

【０３１０】［発明の実施の形態４］本発明の実施の形
態では、以下の構成を除けば前記発明の実施の形態３と
同一である。

【０３１１】図２４は、本発明の他の発明の実施の形態
（発明の実施の形態４）であるアクティブマトリクス方
式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面
図である。

【０３１２】本発明の実施の形態は、ラビング方向の異
なる２つの領域の配置の仕方のみが図１と相違する。

【０３１３】図１に示すように、ラビングの境界を設け
た場合、境界付近で配向不良領域（ドメイン）が発生す
るため、コントラスト比の低下と画質の劣化を招く。

【０３１４】そこで、本発明の実施の形態では、ラビン
グ方向の異なる２つの領域５０１と５０２の境界を、画
素電極上に設けた。

【０３１５】なお、ラビング方向の異なる２つの領域５
０１と５０２の境界を、対向電極上に設けてもよい。

【０３１６】これにより、ドメインが発生する領域を表
示には無関係な金属電極上とすることができたため、ド
メインによる表示品質の劣化とコントラスト比の低下を
防ぐことができた。

【０３１７】このため、本発明の実施の形態ではコント
ラスト比２００と、さらに優れた表示品質を得ることが
できた。

【０３１８】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、前記発明の実施の形態３の効果に加え、極めて
広視野角で、色調の視角特性に優れ、２００という高コ
ントラスト比を有し、表示品質にも優れた極めて高画質
の液晶表示装置を得ることができる。

【０３１９】また、本発明の実施の形態は、発明の実施
の形態１または２と組み合わせることも可能であり、そ
の組み合わせは、本発明の範疇である。

【０３２０】［発明の実施の形態５］本発明の実施の形
態では、以下の構成を除けば発明の実施の形態１と同一
である。

【０３２１】前記各発明の実施の形態では、上部配向膜
（ＯＲＩ１）および下部配向膜（ＯＲＩ２）の両方に、
ラビング処理を施すことにより、液晶分子の初期配向方
向（φＬＣ１、φＬＣ２）を制御した。

【０３２２】しかし、ラビング処理を２回行うことは、
どちらかの領域にはラビングされないようにマスクしな
ければならないため、マスク用のレジスト材の塗布やは
く離などの工程が増え、スループットの低下や直材費の
増加を招く。

【０３２３】したがって、本発明の実施の形態では、ラ
ビング処理が上下配向膜（ＯＲＩ１，ＯＲＩ２）のいず
れか一方で良いようにする。

【０３２４】本発明の実施の形態では、液晶層（ＬＣ）
の液晶組成物に右旋回と左旋回のカイラル剤をほぼ５０
％の比率で混合させることにより、液晶分子に平行配向
の規制力を与えるようにする。

【０３２５】これにより、片側の配向膜の配向方向が決
まれば、もう一方の配向膜の配向方向もおのずと決ま
る。

【０３２６】したがって、一方の配向膜にのみラビング
処理を行えば良く、マスク用のレジスト材の塗布やはく
離などの工程が半分に低減でき、スループットの低下や
直材費の増加を抑制できる。

【０３２７】また、本発明の実施の形態は、前記各発明
の実施の形態に適用でき、それぞれの効果を再現でき
る。

【０３２８】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、発明の実施の形態１の効果に加え、ラビング処
理に要するレジスト材の塗布やはく離などの工程が半分
に低減でき、スループットの低下や直材費の増加を抑制
できる。

【０３２９】［発明の実施の形態６］本発明の実施の形
態では、以下の構成を除けば前記発明の実施の形態１と
同一である。

【０３３０】前記各発明の実施の形態では、上部配向膜
（ＯＲＩ１）あるいは下部配向膜（ＯＲＩ２）のいずれ
か一方、または、両方にラビング処理を施すことによ
り、液晶分子の初期配向方向（φＬＣ１、φＬＣ２）を
制御するようにしている。

【０３３１】しかし、ラビング処理を２回行うことは、
どちらかの領域にはラビングされないようマスクしなけ
ればならないため、マスク用のレジスト材の塗布やはく
離などの工程が増え、スループットの低下や直材費の増
加を招く。

【０３３２】したがって、本発明の実施の形態では、ラ
ビング処理を不要にする。

【０３３３】図２５は、本発明の実施の形態における配
向膜（ＯＲＩ）の配向方法を示す図である。

【０３３４】本発明の実施の形態では、偏光方向の異な
る２つの偏光レーザー光（Ｌ１、Ｌ２）を、配向方向を
変えたい２つの領域にそれぞれ照射する。

【０３３５】配向膜（ＯＲＩ）として用いるポリイミ
ド、ポリウレタン等は、その偏光方向にしたがって、液
晶分子との界面規制力が変わるため、液晶分子はレーザ
ーの偏光方向に初期配向する。

【０３３６】したがって、レジスト材を塗布しなくて
も、１画素内の配向膜（ＯＲＩ）に２方向の配向を行う
ことが可能である。

【０３３７】また、本発明の実施の形態は、前記各発明
の実施の形態に適用でき、それぞれの効果を再現でき
る。

【０３３８】以上、説明したように、本発明の実施の形
態では、発明の実施の形態１の効果に加え、ラビング処
理に要するレジスト材の塗布やはく離などの工程が削減
でき、スループットの低下や直材費の増加を招かない。

【０３３９】以上、本発明を発明の実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更し得ることは言うまでもない。

【０３４０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【０３４１】（１）本発明によれば、横電界方式を採用
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、互
いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依
存性を大幅に低減することが可能となる。

【０３４２】さらに、階調反転しにくい液晶分子の短軸
方向と、階調反転しやすい液晶分子の長軸方向との特性
が平均され、階調反転に弱い方向での非階調反転視野角
を拡大することが可能となる。

【０３４３】これにより、全方位における視野角の範囲
を向上させ、かつ、階調の均一性および色調の均一性が
全方位で平均化または拡大することが可能となる。

【０３４４】（２）本発明によれば、極めて広視野角
で、色調の視角特性に優れ、ブラウン管並の視野角を実
現でき、高コントラスト比を有し、表示品質にも優れた
極めて高画質の液晶表示装置を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形
態１）であるアクティブマトリックス型カラー液晶表示
装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平面図
である。

【図２】図１の３−３切断線における画素の断面図であ
る。

【図３】図１の４−４切断線における薄膜トランジスタ
素子ＴＦＴの断面図である。

【図４】図１の５−５切断線における蓄積容量Ｃstgの
断面図である。

【図５】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表
示パネル（ＰＮＬ）のマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における左
側に走査信号端子、右側に外部接続端子のないパネル縁
部分を示す断面図である。

【図７】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表
示マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその
外部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構
造を示す図である。

【図８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表
示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその
外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続
を示す図である。

【図９】発明の実施の形態１の液晶表示装置における対
向電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向
電極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図である。

【図１０】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
表示マトリクス部（ＡＲ）の等化回路とその周辺回路を
示す図である。

【図１１】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
駆動時の駆動波形を示す図である。

【図１２】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ａ〜Ｃの製造
工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャ
ートである。

【図１３】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｄ〜Ｆの製造
工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャ
ートである。

【図１４】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｇ〜Ｈの製造
工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャ
ートである。

【図１５】発明の実施の形態１における液晶表示パネル
（ＰＮＬ）に周辺の駆動回路を実装した状態を示す平面
図である。

【図１６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
駆動回路を構成する集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキ
シブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）の断面構造を示す断面図である。

【図１７】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を液晶表示パネル
（ＰＮＬ）の走査信号回路用端子（ＧＴＭ）に接続した
状態を示す要部断面図である。

【図１８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における
液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図１９】発明の実施の形態１における下部配向膜（Ｏ
ＲＩ１）のラビング処理方法を示す図である。

【図２０】発明の実施の形態１の液晶表示装置、およ
び、比較例の液晶表示装置における、白色表示色調の角
度依存特性を示すグラフである。

【図２１】発明の実施の形態１の液晶表示装置、およ
び、比較例の液晶表示装置における、視野方向よる全方
位の白色色調の均一領域を示すグラフである。

【図２２】発明の実施の形態１における印加電界方向
（ＥＤＲ）、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）、偏
光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係を示す図であ
る。

【図２３】発明の実施の形態１における視角の定義を示
す図である。

【図２４】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施
の形態４）であるアクティブマトリックス型カラー液晶
表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平
面図である。

【図２５】発明の実施の形態６における配向膜（ＯＲ
Ｉ）の配向方法を示す図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、Ｃ
Ｔ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ
…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電
極、ＰＯＬ…偏光板、ＯＲＩ…配向膜、ＯＣ…オーバー
コート膜、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＦＩＬ…カ
ラーフィルタ、ＬＣ…液晶層、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ｇ，ｄ…導電膜、Ｃｓｔｇ…蓄積容量、ＡＯＦ…陽
極酸化膜、ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端
子、ＤＴＭ…ドレイン端子、ＣＢ…共通バスライン、Ｃ
ＴＭ…対向電極端子、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ
…液晶表示パネル、ＳＰＢ…光拡散板、ＬＣＢ…導光
体、ＢＬ…バックライト蛍光管、ＬＣＡ…バックライト
ケース、ＲＭ…反射板、ＲＥＳ…レジスト材、ＭＡＳ…
ホトマスク、Ｌ…偏光レーザー光。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦沢 啓一郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 小西 信武 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持
   される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形
   成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティ
   ブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一
   対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素
   電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加す
   る複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾持す
   る面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少
   なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置に
   おいて、前記液晶層が、１画素内で２方向の液晶分子の
   初期配向方向を有することを特徴とするアクティブマト
   リクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記液晶層が、正の誘電率異方性を有
   し、前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方
   向とのなす角度φＬＣ１、φＬＣ２が、それぞれ９０°
   ＋α、９０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の
   偏光透過軸と印加電界方向とのなす角度φＰ１、φＰ２
   が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求
   項１に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記液晶層が、負の誘電率異方性を有
   し、前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方
   向とのなす角度φＬＣ１、φＬＣ２が、それぞれ０°＋
   α、１８０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の
   偏光透過軸と印加電界方向とのなす角度φＰ１、φＰ２
   が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求
   項１に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】 前記αの絶対値が、２．５°以下である
   ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載された
   アクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記２方向の初期配向方向と印加電界方
   向とのなす角度φＬＣ１、φＬＣ２が、それぞれ４５
   °、１３５°であるとともに、前記２枚の偏光板の偏光
   透過軸と印加電界方向とのなす角度φＰ１、φＰ２が、
   それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求項１
   に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記２方向の液晶分子の初期配向方向の
   境界を、画素内の画素電極もしくは対向電極上に配置す
   ることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか
   １項に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
7. 【請求項７】 一対の基板と、前記一対の基板間に挾持
   される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形
   成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティ
   ブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一
   対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素
   電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加す
   る複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され前記
   液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の液晶
   層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光
   板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶
   表示装置の製造方法において、前記一対の配向膜に、１
   画素内で２方向のラビング処理を施すことを特徴とする
   アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 一対の基板と、前記一対の基板間に挾持
   される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形
   成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティ
   ブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一
   対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素
   電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加す
   る複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され前記
   液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の液晶
   層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光
   板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶
   表示装置の製造方法において、液晶層にカイラル剤を混
   入し、前記一対の配向膜のいずれか一方に、１画素内で
   ２方向のラビング処理を施すことを特徴とするアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 一対の基板と、前記一対の基板間に挾持
   される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形
   成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティ
   ブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一
   対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素
   電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加す
   る複数の対向電極と、前記一対の基板上に形成され前記
   液晶層と接する一対の配向膜と、前記一対の基板の液晶
   層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光
   板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶
   表示装置の製造方法において、前記一対の配向膜の１画
   素内のそれぞれ異なる領域に、２方向の所定の偏光方向
   を有するレーザー光を照射することにより、前記液晶層
   に、１画素内で２方向の液晶分子の初期配向方向を付与
   することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
   装置の製造方法。