JPH09100350A - 感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜 - Google Patents
感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜Info
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Abstract
に対する溶解性に優れ、高温加熱が不要で、硬化膜の電
気的性質および機械的性質が良好な感光性ポリイミドシ
ロキサンを提供する。 【解決手段】2つのベンゼン環が直接またはCO、ある
いはOで結合した芳香族テトラカルボン酸二無水物と、
感光基を含有する芳香族ジアミンおよびジアミノポリシ
ロキサンとからなるジアミンとを重合および化学イミド
化して得られる感光性ポリイミドシロキサンに関する。
Description
る溶解性の優れた、高分子主鎖中に感光基を含有する新
規な芳香族ポリイミドシロキサン、詳しくは、耐熱性、
電気的および柔軟性等の機械的性質に優れ、フレキシブ
ル配線板のオ−バ−コ−ト材や層間絶縁材料、半導体工
業における固体素子への絶縁膜や、パッシベ−ション膜
の形成材料等として好適な有機溶媒可溶性の感光性ポリ
イミドシロキサンに関するものである。
や、多層基板の層間絶縁膜、また半導体工業における固
体素子への絶縁膜やパッシベ−ション膜の形成材料、お
よび半導体集積回路や多層プリント配線板などの層間絶
縁材料は、耐熱性および絶縁性に富むことが要請され、
また、高密度化、高集積化の要求から感光性のある耐熱
材料が求められる。
に、耐熱性の高いポリイミドで形成することが種々提案
されている。しかし、一般にこれらのポリイミドを用い
たものは、溶媒不溶性で感光基を有していないか、感光
基を含有するポリマ−は、いずれもポリイミド前駆体で
あるポリアミック酸のカルボン酸をアミド化、エステル
化など変性した形であり、ポリアミック酸を光硬化時に
ポリイミドとしたり、光硬化後ポストベ−クしてポイミ
ドとする必要がある。
基を有しない)に、光硬化性基を有する単量体を混合し
て光硬化させるようにした耐熱性フォトレジスト組成物
(特開昭54−109828号公報等)もあるが、この
ような組成物は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポ
リイミドの耐熱性も充分ではない。また、耐熱性に優れ
ている芳香族ポリイミドは、一般に溶媒に対する溶解性
が劣るので、光硬化後未露光部を有機溶媒に溶解させる
工程を含むレリ−フパタ−ンの形成には適さない。
性不飽和二重結合を含むジアミン化合物、例えばジアミ
ノカルコンとを反応させて、感光性および耐熱性に優れ
たポリイミドを得ることが提案されている(特開昭57
−131227号公報等)。しかし、このようにして得
られるポリイミドは、感光性に優れているが、有機溶媒
に対する溶解性が劣るため、溶解に長時間を要し、レリ
−フパタ−ンを形成する上で実用上の問題がある。
るために、ポリイミドシロキサンが提案されている(特
開平2−50161号公報、特開平4−252227号
公報)が、ポリマ−成分としてポリアミック酸を用いて
いるためイミド化するためにパタ−ニング後、高温加熱
が必要であり、基板に熱的ダメ−ジを与えるので好まし
くないなどの実用上の問題がある。
機溶媒に対する溶解性が優れており、しかも光硬化して
高い感度を有し、かつ光硬化物が高い耐熱性とフレキシ
ブル性を有する感光性ポリイミドを提供することであ
る。また、この発明の目的は、実用上の問題を実質的に
有しない感光性溶液組成物を提供することである。さら
に、この発明の目的は、厚みを大きくでき、パタ−ニン
グ後イミド化するための高温加熱(250〜400℃)
が不要で、解像力の良好な電気絶縁膜を提供することで
ある。
一般式(1)で表される芳香族テトラカルボン酸二無水
物成分と、
する1核の芳香族残基、XはCO、Oまたは直接結合を
示す。)一般式(2)で表される感光基を含有する芳香
族ジアミン化合物15〜80モル%
性基を含有する芳香族残基を示す。)および一般式
(3)で示されるジアミノポリシロキサン85〜20モ
ル%
5 は独立に炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル基
を示し、lは3〜30の整数を示す。)からなるジアミ
ン成分との実質的等モル量を重合およびイミド化してな
る有機溶媒可溶性の感光性ポリイミドシロキサンに関す
るものである。
る芳香族テトラカルボン酸二無水物成分と、
する1核の芳香族残基、XはCO、Oまたは直接結合を
示す。)一般式(2)で表される感光基を含有する芳香
族ジアミン化合物15〜80モル%
性基を含有する芳香族残基を示す。)および一般式
(3)で示されるジアミノポリシロキサン85〜20モ
ル%
5 は独立に炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル基
を示し、lは3〜30の整数を示す。)からなるジアミ
ン成分との実質的等モル量を重合およびイミド化してな
る有機溶媒可溶性の感光性ポリイミドシロキサンを有機
溶媒に溶解してなり、該ポリイミドシロキサンからなる
固形分濃度が20〜50重量%である感光性ポリイミド
シロキサン溶液組成物に関するものである。
ミドシロキサンからなり、厚みが2〜50μmで、感光
性ポリイミドシロキサン溶液組成物の乾燥膜を超高圧水
銀灯(2KW)照射により評価した光硬化後少なくとも
10μmまで解像力のある絶縁膜に関するものである。
キサン溶液組成物の光硬化物が、基板に設けた回路の絶
縁膜として形成されており、厚みが2〜50μmで、少
なくとも10μmまで解像力があり、耐半田耐熱性が2
50〜300℃であることを特徴とする絶縁膜に関する
ものである。
は、前記一般式で示される芳香族テトラカルボン酸二無
水物と、二種類のジアミン成分との実質的等モル量を、
有機溶媒中でランダムあるいはブロック重合させてポリ
アミック酸とした後、化学イミド化させることにより製
造することができる。
れる芳香族テトラカルボン二無水物としては、ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、オキシジフタル酸無水物などが挙げ
られ、好適には3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)を挙げ
ることができる。
で示される感光基含有の芳香族ジアミンとしては、感光
性の炭化水素不飽和基を有する芳香族ジアミンであれば
良く、例えば、3,5−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、2、4−ジアミノ安息香酸エチルアクリ
ル酸エステル、3,5−ジアミノ安息香エチルメタクリ
ル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エチルメタク
リル酸エステル、3,5−ジアミノ安息香酸グリシジル
アクリレ−トエステル、2,4−ジアミノ安息香酸グリ
シジルアクリレ−トエステル、3,5−ジアミノ安息香
酸グリシジルメタクリレ−トエステル、2,4−ジアミ
ノ安息香酸グリシジルメタクリレ−トエステル、3,5
−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2,4−ジアミノ
安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸不飽和エステ
ル、3,5−ジアミノベンジルアクリレ−ト、3,5−
ジアミノベンジルメタクリレ−トなどのベンジルア(メ
タ)クリレ−ト、4−アクリルアミド−3,4’−ジア
ミノジフェニルエ−テル、2−アクリルアミド−3,
4’−ジアミノジフェニルエ−テル、2−アクリルアミ
ド−3,4’−ジアミノジフェニルエ−テル、4−シン
ナムアミド−3,4’−ジアミノジフェニルエ−テル、
3,4’−ジアクリルアミド−3’,4−ジアミノジフ
ェニルエ−テル、3,4’−ジシンナムアミド−3’、
4−ジアミノジフェニルエ−テル、4−メチル−2’−
カルボキシエチルメタクリル酸エステル−3,4’−ジ
アミノジフェニルエ−テル〔カルボキシエチルメタクリ
ル酸エステル:CH2 =C(CH3 )COOCH2 CH
2 OOC−〕、4−メチル−2’−カルボキシエチルア
クリル酸エステル−3,4’−ジアミノジフェニルエ−
テル〔カルボキシエチルアクリル酸エステル:CH2 =
CHCOOCH2 CH2 OOC−〕などのジフェニルエ
−テル不飽和エステル、および4,4’−ジアミノカル
コン、3,3’−ジアミノカルコン、3,4’−ジアミ
ノカルコン、3’,4−ジアミノカルコン、4’−メチ
ル−3’,4−ジアミノカルコン、4’−メトキシ−
3’,4−ジアミノカルコン、3’−メチル−3,5−
ジアミノカルコンなどの置換(非置換)ジアミノカルコ
ンなどを挙げることができる。
芳香族ジアミンは1種のみ使用してもよく、2種以上を
組み合わせて使用してもよい。
れるジアミノポリシロキサンとしては、一般式(3)中
のR4 が2価の炭化水素残基、好ましくは炭素数2〜
6、特に炭素数3〜5の「複数のメチレン基」またはフ
ェニレン基であり、R5 が独立にメチル基、エチル基、
プロピル基などの炭素数1〜3のアルキル基またはフェ
ニル基であることが好ましく、さらに、lが3〜30、
特に5〜20であることが好ましい。また、一般式
(3)で示されるジアミノポリシロキサンは、lが前記
の範囲内(3〜30)であれば均一な化合物であっても
よく、lの異なる化合物の混合物であってもよい。混合
物である場合は、アミノ当量から計算される平均値のl
が5〜20の範囲内であることが好ましい。
記一般式(2)で示される感光基含有の芳香族ジアミン
および一般式(3)で示されるジアミノポリシロキサン
を使用することが必要であり、その使用割合は一般式
(2)で示される芳香族ジアミンが15〜80モル%、
好ましくは20〜70モル%、一般式(3)で示される
ジアミノポリシロキサンが85〜20モル%、好ましく
は80〜30モル%であることが必要である。一般式
(2)で示される感光基含有の芳香族ジアミンの割合が
前記下限より少ないと、得られる感光性ポリイミドシロ
キサンの光感度が低下し、光硬化後の解像度が高い電気
絶縁膜を得ることができず、また感光性ポリイミドシロ
キサンの熱分解温度が低くなる。一般式(2)で示され
る感光基含有の芳香族ジアミンの割合が前記上限より多
いと、得られるポリイミドシロキサンの有機溶媒溶解性
が低下する。
されるジアミンとともに、他の芳香族ジアミンを併用し
てもよい。その使用割合は、ジアミン成分の30モル%
以下であることが好ましい。他の芳香族ジアミンとして
は、例えば4,4’−ジアミノジフェニルエ−テル、
4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジア
ミノジフェニルスルホン、o−トリジンなどのベンゼン
環を2個有する芳香族ジアミン、1,4−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ
フェニル)ベンゼンなどのベンゼン環を3個有する芳香
族ジアミン、あるいはビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕スルホン、2,2−ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパンなどのベンゼン環
を4個有する芳香族ジアミンを好適に挙げることができ
る。
は、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分と実質的に等
モル量のジアミン成分とを、先ず、有機溶媒中で100
℃以下の反応温度、好ましくは10〜80℃の反応温度
で1〜48時間程度ランダムあるいはブロック重合反
応、好ましくはランダム重合反応を行い、次いで、この
重合反応によって得られたポリアミック酸溶液を有機溶
媒で希釈した後、100℃以下の温度、好ましくは10
〜50℃の反応温度で化学イミド化剤、例えば無水酢酸
のような無水カルボン酸およびピリジンのような第3級
アミンなどのイミド化剤を加えて0.1〜5時間程度イ
ミド化反応を行うことによってこの発明のポリイミドシ
ロキサンを好適に得ることができる。
る有機溶媒としては、例えばN,N−ジメチルスルホキ
シド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,
N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリド
ン(NMP)、ヘキサメチレンホスホアミドなどが用い
られる。
は、そのまま使用してもよいが、用途によって、例えば
パタ−ン形成材料として使用する場合には、有機溶媒に
溶解した溶液として使用するのが好ましい。
キシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチル
ホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、
N−エチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリ
ドンなどのピロリドン系溶媒、メチルジグライム、メチ
ルトリジグライムなどのグライム系溶媒、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド、γ−ブチルラクトン、シクロ
ヘキサノンなどを挙げることができる。
溶液組成物は、ポリマ−である固形分濃度が20〜50
重量%であることが好ましい。前記の感光性ポリイミド
シロキサン溶液に、増感剤および光重合開始剤を添加す
ることが好ましい。また、光硬化後の絶縁膜の物性を損
なわない範囲でエチレン性不飽和基を有する光により重
合可能な化合物を添加してもよい。
は、ミヒラ−ケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
−テル、ベンゾインエチルエ−テル、ベンゾインイソプ
ロピルエ−テル、2−t−ビチルアントラキノン、1,
2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、4,4’−ビ
ス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノ
ン、ベンゾフェノン、チオキサントン、1,5−アセナ
フテン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケト
ン、2−ベンジル−1,2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルホリノフェニル)ブタン−1、1ーヒドロキシー
シクロヘキシルフェニルケトンなどを挙げることがで
き、その添加量は合計でポリイミドシロキサン100重
量部に対して1〜50重量部、特に10〜50重量部が
好ましい。
光により重合可能な化合物としては、エチレングリコ−
ルジメタ(ア)クリレ−ト、プロピレングリコ−ルジメ
タ(ア)クリレ−ト、トリメチロ−ルプロパントリメタ
(ア)クリレ−ト、テトラメチロ−ルメタンテトラメタ
(ア)クリレ−ト、N,N’−メチレンビスメタ(ア)
クリレ−ト、ジエチルアミノエチルメタ(ア)クロレ−
ト、1,3,5−トリアクリロイルヘキサヒドロ−s−
トリアジン、トリス(ヒドロキシエチルアクリロイル)
イソシアヌレ−トなどをあげることができる。
サンの溶液組成物は、アエロジル(使用量は、感光性ポ
リイミドシロキサン100重量部に対して10〜50重
量部が好ましい)、ワラストナイト、シリカ、タルクな
どの微細な無機充填剤(使用量は、感光性ポリイミドシ
ロキサン100重量部に対して10〜100重量部が好
ましい)、微細なポリマ−充填剤、あるいは微細なある
いは可溶性の無機あるいは有機染料などを含有させても
よい。
使用し、上記のようにして感光性ポリイミドシロキサン
溶液組成物によって、以下のようにしてパタ−ンを形成
することができる。すなわち、先ず上記の感光性ポリイ
ミドシロキサン溶液を基板に塗布し、乾燥して有機溶媒
を除去する。基板への塗布はスクリ−ン印刷、カ−テン
ロ−ル、リバ−スロ−ル等により行うことができる。塗
布膜(好ましくは厚み:5〜100μm、特に10〜1
00μm)の乾燥は90℃以下、好ましくは40〜80
℃で行う。乾燥後、乾燥塗布膜にネガ型のフォトマスク
を置き、紫外線、可視光線、電子線などの活性光線を照
射する。次いで、未露光部分をシャワ−または超音波を
用い、現像液で洗い出すことによりポリイミドシロキサ
ンのパタ−ンを得ることができる。硬化膜は厚みが2〜
50μm程度であることが好ましい。
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキサ
メチレンホスホアミド、ジグライム、トリグライムなど
の有機溶媒またはこれらとメタノ−ル、エタノ−ルなど
との混合液を使用することができる。
は、優れた溶解性を有しており、そのため未露光部分の
ポリイミドシロキサンを容易に除去でき、これによりパ
タ−ンを容易に形成することができる。
サンおよび溶液組成物は、高い感光性を有し、光透過性
及び光架橋性に優れているため、従来の非感光ポリイミ
ドのように画像形成用のレジストを別途必要とせず、ま
た感光性ポリアミック酸のように画像形成後のイミド化
のための高温加熱(250〜400℃)を必要とせず、
150〜200℃の後加熱工程で充分なことから高信頼
性・低コストをもたらすのみならず基板の熱的ダメ−ジ
を与えることがないなど多くの優れた効果を奏する。こ
のため、この発明の感光性ポリイミドシロキサン組成物
を例えば、ネガパタ−ンやポジパタ−ンに好適に使用で
きる。
キサンあるいはその溶液組成物から形成した硬化膜から
なるパタ−ンは、耐熱性、電気的及び機械的性質に優れ
ており、特に柔軟性に優れている。例えば、この発明の
絶縁膜は、好適には厚さ2〜50μm程度の膜厚で光硬
化後少なくとも10μmまでの解像力、特に10〜10
00μm程度の解像力のものである。このためこの発明
の絶縁膜は高密度フレキシブル基板の絶縁材料として特
に適しているのである。
において、評価は以下のようにして行った。
メスフラスコにとりN−メチル−2−ピロリドンを加え
て溶解し、キャノンフェンスケの粘度計を用い30℃に
て液の落下時間を計る方法で対数粘度を測定した。
ル−2−ピロリドンに溶解した溶液をポリイミドシロキ
サンの膜が厚さ約20μmとなるようにテフロン板
(1.0mm)上に塗布し70℃で30分間乾燥し、1
60℃で60分間熱処理し180°に折り曲げ、クラッ
カの発生を観察した。クラックの発生の無い場合を○、
クラックのあるものを×とした。
る溶解性 ポリイミドシロキサン0.2gを0.8gのN−メチル
−2−ピロリドンに加え、ポリイミドシロキサンの溶解
状態を観察し、1時間以内に溶解した場合を◎、1日以
内に溶解した場合を○、膨潤のみの場合を△、不溶の場
合を×として評価した。
箔(35μm)上にインキをバ−コ−タ−を用いて均一
に流延し、70℃で30分間乾燥して得た乾燥膜につい
て、下記の光感度及び解像力の試験に供した。
mW/cm2 で照射し光硬化させ、光硬化するまでの光
照射量を測定した。
075〜2.0mmの等間隔の図柄パタ−ンを有するテ
ストパタ−ン)を置き、超高圧水銀灯(2KW)を用い
て、所定の照射を行い光硬化後、トリグライム溶媒中に
浸漬し未硬化部分を洗い流し、メタノ−ルで表面を洗浄
してポリイミドフィルムに密着したレリ−フパタ−ンを
得て、160℃で120分間後加熱処理してパタ−ンの
解像力を測定した。
し、70℃で30分間乾燥後、1J/cm2 紫外線露
光、引き続き200℃で1時間加熱した後、膜を剥離
し、ダンベル状にテストピ−スを切り出し、引張試験機
を用いてASTMD882に準じて測定し、引張強度、
伸び率、初期弾性率を求めた。
液組成物を塗布し、70℃で30分間乾燥後、1J/c
m2 紫外線露光、引き続き200℃で1時間加熱して得
たサンプルについてJIS C 2103(電気絶縁用
ワニス試験法)に基づき試験を行った。
た内容積1リットルの反応装置に2,3,3’,4’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)
25.06g(0.085mol)とNMP108gを
加えて溶解後、ゲル化防止剤としてハイドロキノン1.
2gおよび4−メトキシハイドロキノン1.2gを添加
する。乾燥空気を通じながら、ドライアイス/メタノ−
ル(−30℃)で冷却し、3,5−ジメチル安息香酸エ
チルメタクリル酸エステル〔融点:88〜89℃、元素
分析値(実測値、%) C:59.36、H:6.0
8、N:10.49〕 6.0g(0.023mo
l)、ジアミノポリシロキサン〔一般式(3)中、R4
はプロピル、R5 はメチル、lは10、アミノ当量は4
35〕54.0g(0.062mol)を3〜5分間で
添加した。その際、NMP40gで装置内、器具を洗浄
した。外部を冷却し、25〜28℃で20〜30時間攪
拌してポリアミック酸溶液を得た。
にNMP472gを加え、反応液を希釈した。次いで、
外部を冷却しながら、25〜28℃で無水酢酸145.
2g、ピリジン62.2gを滴下ロ−トにて10分間で
加え、引き続き18〜22℃で一晩攪拌してイミド化溶
液を得た。
ミド化溶液をメタノ−ル1.5リットルを入れた3リッ
トルの容器にディスパ−サ−を用いて2分間で析出させ
た。析出物を濾紙(No.3 アドバンテック製)を用
いて濾集し、少量のメタノ−ルで洗浄した。この操作を
3回繰り返した後、濾集物を真空乾燥(25℃、15時
間)して感光性ポリイミドシロキサン85.5gを得
た。
ミドシロキサン30gをNMP45gに溶解した後、ア
エロジル(平均粒径:約0.02μm)5.25g、タ
ルク(平均粒径:1.5μm)12g、1−ヒドロキシ
−シクロヘキシルフェニルケトン6.92g、2−ベン
ジル−1,2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノ
フェニル)ブタン−1を6.92gを加え、攪拌した。
この混合物を3本ロ−ルにて混練りしてインキ:感光性
ポリイミドシロキサン溶液組成物を得た。この感光性ポ
リイミドシロキサン溶液組成物についての評価結果をま
とめて表2に示す。
果は、引張強度が0.93kg/mm2 、伸びが9%、
初期弾性率が33kg/mm2 であった。また、露光・
後加熱膜の電気物性測定結果は体積抵抗値が9.2×1
014Ω・cmであった。この絶縁膜について、耐半田耐
熱性を常法により評価したところ、300℃で問題が生
じなかった。
水物に代えてベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
(BTDA)を使用した以外は実施例1と同様に実施し
て、感光性ポリイミドシロキサンを得た。次いで、実施
例1に記載の方法と同様にして感光性ポリイミドシロキ
サン溶液組成物(インキ)を得た。この感光性ポリイミ
ドシロキサンの光硬化物(絶縁膜)について、耐半田耐
熱性を常法により評価したところ、300℃で問題が生
じなかった。他の物性の評価結果をまとめて表1、表2
に示す。
クリル酸エステルに代えて、それぞれ表1に示す感光基
を含有する芳香族ジアミンを使用した以外は実施例1と
同様にして、感光性ポリイミドシロキサンを得た。次い
で、実施例1に記載の方法と同様にして感光性ポリイミ
ドシロキサン溶液組成物(インキ)を得た。これらの感
光性ポリイミドシロキサン溶液から得られた絶縁膜につ
いて、耐半田耐熱性を常法により評価した。いずれも3
00℃で問題が生じなかった。他の物性の評価結果をま
とめて表1、表2に示す。
同様にして、感光性ポリイミドシロキサンを得た。得ら
れた感光性ポリイミドシロキサンはN−メチルピロリド
ンに不溶であり、光硬化特性は測定できなかった。
水物に代えてピロメリット酸二無水物(PMDA)を使
用した以外は実施例1と同様に実施して、感光性ポリイ
ミドシロキサンを得た。得られた感光性ポリイミドシロ
キサンはN−メチルピロリドンに膨潤するのみであり、
インキ液は得られず光硬化特性は測定できなかった。
(0.0582mol)とジアミノポリシロキサン(ア
ミノ当量450)26.16g(O.0291mo
l)、ジアミノ安息香酸4.424g(0.0291m
ol)とを170℃で3時間反応させてポリイミドシロ
キサン溶液を得た。 エポキシの反応 前記ポリイミドシロキサン溶液17gを採取し(ジアミ
ノ安息香酸含量0.011mol)、カルボキシル量当
たり3倍量のグリシジルメタクリレ−ト4.51g
(0.032mol)を加え、乾燥空気を通じながら、
90℃で3時間反応させた。得られたエポキシ変性液は
黒褐色であった。 配合 このエポキシ変性液25.0g(固形分12.7g)
に、タルクを3.8g、アエジル200を2.5g、D
B−100を0.38g、イルガキュア369を0.9
7g、イルガキュア184を1.95gを混合して感光
性ポリイミドシロキサン溶液組成物(インキ)を得た。 光硬化性の評価 実施例1と同様にこの感光性ポリイミドシロキサン溶液
から膜の形成を行い、1.0J/cmの照射を行い光硬
化後、トリグライム溶媒中に浸漬し未硬化部分を超音波
露光を行い未露光部分を洗い流したところ、膜の浮きと
表面荒れが見られた。
を使用し、以下の方法で解像力評価を別途行った。 テストパタ−ン ガラスマスクのテストパタ−ン(ポジパタ−ン)を用い
て解像力テストを行った。パタ−ン径は最小径が4μm
である。 膜形成 塗布はスピンコ−タ−により行い、乾燥60℃×30
分、露光0.21J/cm2 、現像を超音波浴(溶剤ト
リグライム)で行った。 評価結果 膜厚3μmで10μmφのホ−ルが形成され、ホ−ルの
つぶれは見られなかった。
は、優れた溶解性を有しており、そのため未露光部分の
ポリイミドシロキサンを容易に除去できる。
サンは、高い感光性を有し、光透過性及び光架橋性に優
れている。
キサン溶液組成物は、膜厚を大きくでき、光硬化特性を
示す解像力及び光感度が良好である。
キサンの溶液組成物から形成した硬化膜は、熱分解温度
によって評価した耐熱性が300℃以上、特に330℃
以上であり、耐熱性が優れており、耐半田耐熱性が25
0〜300℃であり、膜厚が2〜50μmで、光硬化後
少なくとも10μmの解像力、特に10〜1000μm
の解像力のものである。
キサンの溶液組成物から形成した硬化膜は、機械的特性
に優れ、体積抵抗で評価した電気的性質がエポキシ樹脂
より優れ、折り曲げクラックが発生せず、フレキシブル
性がすぐれている。
Claims (6)
- 【請求項1】 一般式(1)で表される芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物成分と、 【化1】 (ただし、式中、R1 、R2 はそれぞれ酸無水物基を有
する1核の芳香族残基、XはCO、Oまたは直接結合を
示す。)一般式(2)で表される感光基を含有する芳香
族ジアミン化合物15〜80モル% 【化2】 (ただし、式中、R3 は炭化水素不飽和基を有する感光
性基を含有する芳香族残基を示す。)および一般式
(3)で示されるジアミノポリシロキサン85〜20モ
ル% 【化3】 (ただし、式中、R4 は2価の炭化水素残基を示し、R
5 は独立に炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル基
を示し、lは3〜30の整数を示す。)からなるジアミ
ン成分との実質的に等モル量を重合およびイミド化して
なることを特徴とする有機溶媒可溶性の感光性ポリイミ
ドシロキサン。 - 【請求項2】 芳香族テトラカルボン酸二無水物が2,
3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
またはベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物である
請求項1記載の感光性ポリイミドシロキサン。 - 【請求項3】 一般式(1)で表される芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物成分と、 【化4】 (ただし、式中、R1 、R2 はそれぞれ酸無水物基を有
する1核の芳香族残基、XはCO、Oまたは直接結合を
示す。)一般式(2)で表される感光基を含有する芳香
族ジアミン化合物15〜80モル% 【化5】 (ただし、式中、R3 は炭化水素不飽和基を有する感光
性基を含有する芳香族残基を示す。)および一般式
(3)で示されるジアミノポリシロキサン85〜20モ
ル% 【化6】 (ただし、式中、R4 は2価の炭化水素残基を示し、R
5 は独立に炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル基
を示し、lは3〜30の整数を示す。)からなるジアミ
ン成分との実質的に等モル量を重合およびイミド化して
なる有機溶媒可溶性の感光性ポリイミドシロキサンを有
機溶媒に溶解してなり、該ポリイミドシロキサンからな
る固形分濃度が20〜50重量%であることを特徴とす
る感光性ポリイミドシロキサン溶液組成物。 - 【請求項4】 感光性ポリイミドシロキサンに対して合
計で1〜50重量%の増感剤および光重合開始剤が添加
されてなる請求項3記載の感光性ポリイミドシロキサン
溶液組成物。 - 【請求項5】 ポリマ−成分がポリイミドシロキサンか
ら主としてなり、厚みが2〜50μmで、感光性ポリイ
ミドシロキサン溶液組成物の乾燥膜を超高圧水銀灯(2
KW)照射により光硬化後少なくとも10μmまで解像
力のあることを特徴とする絶縁膜。 - 【請求項6】 感光性ポリイミドシロキサン溶液組成物
の光硬化物が、基板に設けた回路の絶縁膜として形成さ
れており、膜の厚みが2〜50μmで、少なくとも10
μmまで解像力があり、耐半田耐熱性が250〜300
℃であることを特徴とする絶縁膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8149050A JPH09100350A (ja) | 1995-07-28 | 1996-06-11 | 感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜 |
EP96111577A EP0755962A3 (en) | 1995-07-28 | 1996-07-18 | Photosensitive polyimidosiloxanes, compositions and insulating films based on these polymers |
KR1019960031757A KR100230505B1 (ko) | 1995-07-28 | 1996-07-27 | 감광성 폴리이미도실록산, 이를 포함하는 조성물 및 이로부터 제조된 절연 필름 |
US08/985,872 US6096480A (en) | 1995-07-28 | 1997-12-05 | Photosensitive polyimidosiloxane compositions and insulating films made thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-192794 | 1995-07-28 | ||
JP19279495 | 1995-07-28 | ||
JP8149050A JPH09100350A (ja) | 1995-07-28 | 1996-06-11 | 感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09100350A true JPH09100350A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=26479058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8149050A Pending JPH09100350A (ja) | 1995-07-28 | 1996-06-11 | 感光性ポリイミドシロキサン、組成物および絶縁膜 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0755962A3 (ja) |
JP (1) | JPH09100350A (ja) |
KR (1) | KR100230505B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006109514A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路基板 |
US7141614B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-11-28 | Kaneka Corporation | Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same |
US8735467B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-05-27 | Ube Industries, Ltd. | Process for producing pigment-containing curable resin solution composition, pigment dispersed liquid, and pigment-containing curable resin solution composition |
JP2018070829A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3968884B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2007-08-29 | 日本メクトロン株式会社 | 感光性組成物 |
JP3968885B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2007-08-29 | 日本メクトロン株式会社 | 感光性組成物 |
US20040235992A1 (en) * | 2001-05-30 | 2004-11-25 | Koji Okada | Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist and photosensitive coverlay film produced therefrom |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4586997A (en) * | 1984-10-19 | 1986-05-06 | General Electric Company | Soluble silicone-imide copolymers |
JPH0250161A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US5252703A (en) * | 1990-06-01 | 1993-10-12 | Ube Industries, Ltd. | Polyimidosiloxane resin and composition thereof and method of applying same |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP8149050A patent/JPH09100350A/ja active Pending
- 1996-07-18 EP EP96111577A patent/EP0755962A3/en not_active Ceased
- 1996-07-27 KR KR1019960031757A patent/KR100230505B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7141614B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-11-28 | Kaneka Corporation | Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same |
WO2006109514A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路基板 |
KR100921149B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2009-10-12 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 이것을 이용한 회로기판 |
US8735467B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-05-27 | Ube Industries, Ltd. | Process for producing pigment-containing curable resin solution composition, pigment dispersed liquid, and pigment-containing curable resin solution composition |
JP2018070829A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0755962A3 (en) | 1997-07-02 |
KR100230505B1 (ko) | 2000-02-01 |
EP0755962A2 (en) | 1997-01-29 |
KR970007477A (ko) | 1997-02-21 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041022 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050517 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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