JPH0897162A - プラズマ処理装置の下電極部昇降機構 - Google Patents
プラズマ処理装置の下電極部昇降機構Info
- Publication number
- JPH0897162A JPH0897162A JP25952694A JP25952694A JPH0897162A JP H0897162 A JPH0897162 A JP H0897162A JP 25952694 A JP25952694 A JP 25952694A JP 25952694 A JP25952694 A JP 25952694A JP H0897162 A JPH0897162 A JP H0897162A
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- Japan
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- lower electrode
- processing chamber
- substrate
- base
- guide shaft
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理装置に於いて、下電極を取外すこ
となく処理室内の清掃が行え、又プラズマ処理装置の組
立てを容易にする。 【構成】処理室１の下面に上方に向かってロッド１７を
伸縮する様２段昇降シリンダ１６を設け、該２段昇降シ
リンダのロッドに昇降ベース６を設け、該昇降ベースに
処理室の底部を気密に貫通するガイドシャフト５を立設
し、該ガイドシャフトを介して下電極部２を設け、基板
処理に於いては、２段昇降シリンダを小ストロークで作
動させ、清掃時等のメンテナンス時には大ストロークで
動作させ、下電極部を大きく上昇させ、下電極部と処理
室底面間の間隔を大きく明けて清掃作業を可能とする。
となく処理室内の清掃が行え、又プラズマ処理装置の組
立てを容易にする。 【構成】処理室１の下面に上方に向かってロッド１７を
伸縮する様２段昇降シリンダ１６を設け、該２段昇降シ
リンダのロッドに昇降ベース６を設け、該昇降ベースに
処理室の底部を気密に貫通するガイドシャフト５を立設
し、該ガイドシャフトを介して下電極部２を設け、基板
処理に於いては、２段昇降シリンダを小ストロークで作
動させ、清掃時等のメンテナンス時には大ストロークで
動作させ、下電極部を大きく上昇させ、下電極部と処理
室底面間の間隔を大きく明けて清掃作業を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
あるプラズマ処理装置の特に下電極部昇降機構の改良に
関するものである。
あるプラズマ処理装置の特に下電極部昇降機構の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のプラズマ処理装置の処理室
１の下部を示しており、図中２は下電極部を示し、該下
電極部２は処理基板が載置されるサセプタ３、該サセプ
タ３が載設され該サセプタ３を介して処理基板を所要の
温度に加熱保持する為のアノードヒータ４等から構成さ
れる。
１の下部を示しており、図中２は下電極部を示し、該下
電極部２は処理基板が載置されるサセプタ３、該サセプ
タ３が載設され該サセプタ３を介して処理基板を所要の
温度に加熱保持する為のアノードヒータ４等から構成さ
れる。
【０００３】該アノードヒータ４はガイドシャフト５に
より支持され、該ガイドシャフト５は前記処理室１の底
部を気密に貫通し、該ガイドシャフト５の下端は昇降ベ
ース６に固着されている。前記処理室１の下面にブラケ
ット７を介して昇降シリンダ８が下方に向かってロッド
を伸縮する様設けられ、該昇降シリンダ８に前記昇降ベ
ース６が連結され、該昇降シリンダ８の伸縮で前記ガイ
ドシャフト５を介して前記下電極部２が昇降する。
より支持され、該ガイドシャフト５は前記処理室１の底
部を気密に貫通し、該ガイドシャフト５の下端は昇降ベ
ース６に固着されている。前記処理室１の下面にブラケ
ット７を介して昇降シリンダ８が下方に向かってロッド
を伸縮する様設けられ、該昇降シリンダ８に前記昇降ベ
ース６が連結され、該昇降シリンダ８の伸縮で前記ガイ
ドシャフト５を介して前記下電極部２が昇降する。
【０００４】前記ガイドシャフト５に摺動自在に中間ベ
ース９が設けられ、前記昇降ベース６の上面には基板リ
フトシリンダ１０が上方に向ってロッドを伸縮する様設
けられ、該基板リフトシリンダ１０と前記中間ベース９
が連結される。該中間ベース９には図示しない処理基板
リフトピンが設けられ、該リフトピンは前記処理室１の
底部、前記下電極部２を貫通可能となっており、前記基
板リフトシリンダ１０の伸縮でリフトピンの上端が前記
下電極部２より突出、後退する様になっている。
ース９が設けられ、前記昇降ベース６の上面には基板リ
フトシリンダ１０が上方に向ってロッドを伸縮する様設
けられ、該基板リフトシリンダ１０と前記中間ベース９
が連結される。該中間ベース９には図示しない処理基板
リフトピンが設けられ、該リフトピンは前記処理室１の
底部、前記下電極部２を貫通可能となっており、前記基
板リフトシリンダ１０の伸縮でリフトピンの上端が前記
下電極部２より突出、後退する様になっている。
【０００５】又、前記ガイドシャフト５の中心には熱電
対１１が貫通し、前記アノードヒータ４の温度の検出が
可能となっている。
対１１が貫通し、前記アノードヒータ４の温度の検出が
可能となっている。
【０００６】尚、図中１２は処理基板搬入搬出用の搬送
口、１４はバルブ等で構成される排気系である。
口、１４はバルブ等で構成される排気系である。
【０００７】基板を処理する場合は、前記昇降シリンダ
８を下方に伸長し、下電極部２を降下させた状態で前記
搬送口１２より基板を挿入する。前記基板リフトシリン
ダ１０の上方への伸長によりリフトピン（図示せず）を
突出させ、該リフトピンが処理基板を受取り、更に基板
リフトシリンダ１０の縮短で図示しないリフトピンが降
下して処理基板がサセプタ３上に載置される。前記昇降
シリンダ８が縮短し、下電極部２が高位置に保持され
る。前記処理室１の減圧下で反応ガスが供給され、図示
しない上電極と前記下電極部２間に高周波電力が印加さ
れ、プラズマが発生され、前記処理基板にＣＶＤ処理、
或はプラズマエッチング等のプラズマ処理がなされる。
８を下方に伸長し、下電極部２を降下させた状態で前記
搬送口１２より基板を挿入する。前記基板リフトシリン
ダ１０の上方への伸長によりリフトピン（図示せず）を
突出させ、該リフトピンが処理基板を受取り、更に基板
リフトシリンダ１０の縮短で図示しないリフトピンが降
下して処理基板がサセプタ３上に載置される。前記昇降
シリンダ８が縮短し、下電極部２が高位置に保持され
る。前記処理室１の減圧下で反応ガスが供給され、図示
しない上電極と前記下電極部２間に高周波電力が印加さ
れ、プラズマが発生され、前記処理基板にＣＶＤ処理、
或はプラズマエッチング等のプラズマ処理がなされる。
【０００８】プラズマ処理完了後は前記搬送口１２から
処理基板が搬出される。
処理基板が搬出される。
【０００９】斯かるプラズマ処理装置では反応副生成物
が生じ、処理室１の底面、側壁に堆積し、反応副生成物
はプラズマ処理精度に悪影響を及ぼすので定期的、或は
所要時間稼働後に清掃除去している。
が生じ、処理室１の底面、側壁に堆積し、反応副生成物
はプラズマ処理精度に悪影響を及ぼすので定期的、或は
所要時間稼働後に清掃除去している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のプラズ
マ処理装置の下電極部昇降機構では、アノードヒータ４
と処理室１の底面との間隔がなく、又中間ベース９と処
理室１の下面との間隔もなく、又前記排気系１４がある
等するので中間ベース９の可動空間が狭く、下電極部２
を上昇させたとしても、清掃に充分な空間を確保するこ
とはできなかった。従って、処理室１の底面の清掃をす
る場合は前記下電極部２を取外して行っていた。
マ処理装置の下電極部昇降機構では、アノードヒータ４
と処理室１の底面との間隔がなく、又中間ベース９と処
理室１の下面との間隔もなく、又前記排気系１４がある
等するので中間ベース９の可動空間が狭く、下電極部２
を上昇させたとしても、清掃に充分な空間を確保するこ
とはできなかった。従って、処理室１の底面の清掃をす
る場合は前記下電極部２を取外して行っていた。
【００１１】又、構造上ガイドシャフト５は長くなる
が、その為ガイドシャフト５を貫通しているヒータスリ
ーブ１３も長くしなければならず、アノードヒータ４の
取付け、取外しが非常に難しい。更に又、前記ガイドシ
ャフト５が長い為、前記熱電対１１を取外す場合に、ア
ノードヒータ４、ガイドシャフト５を取外さなければな
らない等作業性が著しく悪い。
が、その為ガイドシャフト５を貫通しているヒータスリ
ーブ１３も長くしなければならず、アノードヒータ４の
取付け、取外しが非常に難しい。更に又、前記ガイドシ
ャフト５が長い為、前記熱電対１１を取外す場合に、ア
ノードヒータ４、ガイドシャフト５を取外さなければな
らない等作業性が著しく悪い。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、アノードヒー
タを取外すことなく処理室の清掃を行え、更にアノード
ヒータ、熱電対の取付け、取外し作業が簡単に行える様
にしようとするものである。
タを取外すことなく処理室の清掃を行え、更にアノード
ヒータ、熱電対の取付け、取外し作業が簡単に行える様
にしようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室の下面
に上方に向かってロッドを伸縮する様２段昇降シリンダ
を設け、該２段昇降シリンダのロッドに昇降ベースを設
け、該昇降ベースに処理室の底部を気密に貫通するガイ
ドシャフトを立設し、該ガイドシャフトを介して下電極
部を設けたことを特徴とするものである。
に上方に向かってロッドを伸縮する様２段昇降シリンダ
を設け、該２段昇降シリンダのロッドに昇降ベースを設
け、該昇降ベースに処理室の底部を気密に貫通するガイ
ドシャフトを立設し、該ガイドシャフトを介して下電極
部を設けたことを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】基板処理に於いては、２段昇降シリンダを小ス
トロークで作動させ、清掃時等のメンテナンス時には大
ストロークで動作させ、下電極部を大きく上昇させ、下
電極部と処理室底面間の間隔を大きく明けて清掃作業を
可能とする。
トロークで作動させ、清掃時等のメンテナンス時には大
ストロークで動作させ、下電極部を大きく上昇させ、下
電極部と処理室底面間の間隔を大きく明けて清掃作業を
可能とする。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１６】尚、図１中、図２中で示したものと同様の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【００１７】処理室１の下面に長脚のブラケット１５を
取付け、該ブラケット１５に２段昇降シリンダ１６を上
方に向かってロッド１７を伸縮する様設ける。該ロッド
１７の上端に昇降ベース６を固着し、該昇降ベース６の
下面に下方に向かってロッドを伸縮する様基板リフトシ
リンダ１０を設け、前記２段昇降シリンダ１６と前記昇
降ベース６の下方に配設した中間ベース９とを連結す
る。該中間ベース９には図示しない処理基板リフトピン
が設けられ、該リフトピンは前記処理室１の底部、前記
下電極部２を気密に貫通し、前記基板リフトシリンダ１
０の伸縮でリフトピンの上端が前記下電極部２より突
出、後退する様になっている。
取付け、該ブラケット１５に２段昇降シリンダ１６を上
方に向かってロッド１７を伸縮する様設ける。該ロッド
１７の上端に昇降ベース６を固着し、該昇降ベース６の
下面に下方に向かってロッドを伸縮する様基板リフトシ
リンダ１０を設け、前記２段昇降シリンダ１６と前記昇
降ベース６の下方に配設した中間ベース９とを連結す
る。該中間ベース９には図示しない処理基板リフトピン
が設けられ、該リフトピンは前記処理室１の底部、前記
下電極部２を気密に貫通し、前記基板リフトシリンダ１
０の伸縮でリフトピンの上端が前記下電極部２より突
出、後退する様になっている。
【００１８】前記処理室１の底部を気密に摺動自在に貫
通するガイドシャフト５の下端を前記昇降ベース６に固
着し、該ガイドシャフト５の上端にはアノードヒータ４
を取付け、更にアノードヒータ４の上面にはサセプタ３
を載設する。
通するガイドシャフト５の下端を前記昇降ベース６に固
着し、該ガイドシャフト５の上端にはアノードヒータ４
を取付け、更にアノードヒータ４の上面にはサセプタ３
を載設する。
【００１９】前記ガイドシャフト５の１つには熱電対１
１が挿設され、他の１つにはヒータスリーブ１３が挿設
されている。
１が挿設され、他の１つにはヒータスリーブ１３が挿設
されている。
【００２０】基板を処理する場合は、前記２段昇降シリ
ンダ１６を下方に向ってロッド１７を縮短させ、昇降ベ
ース６、ガイドシャフト５を介して下電極部２を降下さ
せ、前記搬送口１２より基板を挿入する。前記基板リフ
トシリンダ１０の上方への縮短により中間ベース９を上
昇させてリフトピン（図示せず）を突出させ、該リフト
ピンが処理基板を受取り、更に基板リフトシリンダ１０
の伸長によりリフトピンが降下し、処理基板がサセプタ
３上に載置される。前記２段昇降シリンダ１６が伸長
し、下電極部２が高位置に保持される。前記処理室１の
減圧下で反応ガスが供給され、図示しない上電極と前記
下電極部２間に高周波電力が印加され、プラズマが発生
され、前記処理基板にＣＶＤ処理、或はプラズマエッチ
ング等のプラズマ処理がなされる。
ンダ１６を下方に向ってロッド１７を縮短させ、昇降ベ
ース６、ガイドシャフト５を介して下電極部２を降下さ
せ、前記搬送口１２より基板を挿入する。前記基板リフ
トシリンダ１０の上方への縮短により中間ベース９を上
昇させてリフトピン（図示せず）を突出させ、該リフト
ピンが処理基板を受取り、更に基板リフトシリンダ１０
の伸長によりリフトピンが降下し、処理基板がサセプタ
３上に載置される。前記２段昇降シリンダ１６が伸長
し、下電極部２が高位置に保持される。前記処理室１の
減圧下で反応ガスが供給され、図示しない上電極と前記
下電極部２間に高周波電力が印加され、プラズマが発生
され、前記処理基板にＣＶＤ処理、或はプラズマエッチ
ング等のプラズマ処理がなされる。
【００２１】前記２段昇降シリンダ１６を上方に向かっ
て伸縮する様設け、更に２段昇降シリンダ１６に連結し
た昇降ベース６の下面に基板リフトシリンダ１０を設け
る構成としてあるので、昇降ベース６を可及的に上方で
支持し、処理室１の下方の空間を有効に利用した構成と
なっており、前記ガイドシャフト５の長さが短くなり、
更に昇降ベース６の昇降ストロークが大きく取れる。
て伸縮する様設け、更に２段昇降シリンダ１６に連結し
た昇降ベース６の下面に基板リフトシリンダ１０を設け
る構成としてあるので、昇降ベース６を可及的に上方で
支持し、処理室１の下方の空間を有効に利用した構成と
なっており、前記ガイドシャフト５の長さが短くなり、
更に昇降ベース６の昇降ストロークが大きく取れる。
【００２２】更に、前記した２段昇降シリンダ１６は２
箇所の停止位置を有し、処理基板の処理、処理基板搬入
搬出作動では小ストロークの伸縮作動で対応する。前記
した様に昇降ベース６の可動許容空間が大きく取れるこ
とから、２段昇降シリンダ１６の大ストロークでの動作
が可能となり、清掃時にはこの大ストロークで伸長す
る。
箇所の停止位置を有し、処理基板の処理、処理基板搬入
搬出作動では小ストロークの伸縮作動で対応する。前記
した様に昇降ベース６の可動許容空間が大きく取れるこ
とから、２段昇降シリンダ１６の大ストロークでの動作
が可能となり、清掃時にはこの大ストロークで伸長す
る。
【００２３】図１は大ストロークで伸長した状態を示し
ており、この状態では下電極部２が大きく上昇し、アノ
ードヒータ４と処理室１の底面間には清掃に充分な空間
が確保されている。従って、清掃作業で下電極部２を取
外す必要はなくなる。
ており、この状態では下電極部２が大きく上昇し、アノ
ードヒータ４と処理室１の底面間には清掃に充分な空間
が確保されている。従って、清掃作業で下電極部２を取
外す必要はなくなる。
【００２４】前記した様に、ガイドシャフト５を短くで
きることから、熱電対１１を短くでき、又ガイドシャフ
ト５、アノードヒータ４を取外すことなく前記熱電対１
１の取付け取外しが可能となる。更にヒータスリーブ１
３が短くなり、アノードヒータ４の脱着が容易になる。
きることから、熱電対１１を短くでき、又ガイドシャフ
ト５、アノードヒータ４を取外すことなく前記熱電対１
１の取付け取外しが可能となる。更にヒータスリーブ１
３が短くなり、アノードヒータ４の脱着が容易になる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、下電極
部を大きく上昇させることができるので下電極部を取外
すことなく処理室の清掃を行うことができ、メンテナン
スの作業性が向上し、又ガイドシャフトが短くなるので
中を挿通している熱電対、ヒータスリーブが短くなり、
下電極部の組立て、熱電対の着脱が容易になる等優れた
効果を発揮する。
部を大きく上昇させることができるので下電極部を取外
すことなく処理室の清掃を行うことができ、メンテナン
スの作業性が向上し、又ガイドシャフトが短くなるので
中を挿通している熱電対、ヒータスリーブが短くなり、
下電極部の組立て、熱電対の着脱が容易になる等優れた
効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す要部概略図である。
【図２】従来例の要部概略図である。
１ 処理室 ２ 下電極部 ５ ガイドシャフト ６ 昇降ベース ９ 中間ベース １０ 基板リフトシリンダ １１ 熱電対 １３ ヒータスリーブ １６ ２段昇降シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/68 Ｎ
Claims (1)
- 【請求項１】 処理室の下面に上方に向かってロッドを
伸縮する様２段昇降シリンダを設け、該２段昇降シリン
ダのロッドに昇降ベースを設け、該昇降ベースに処理室
の底部を気密に貫通するガイドシャフトを立設し、該ガ
イドシャフトを介して下電極部を設けたことを特徴とす
るプラズマ処理装置の下電極部昇降機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25952694A JPH0897162A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | プラズマ処理装置の下電極部昇降機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25952694A JPH0897162A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | プラズマ処理装置の下電極部昇降機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897162A true JPH0897162A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17335336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25952694A Pending JPH0897162A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | プラズマ処理装置の下電極部昇降機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004514270A (ja) * | 2000-04-28 | 2004-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置で使用され得る可変ギャップストップ |
| CN110385883A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-10-29 | 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 | 一种压头升降组件 |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP25952694A patent/JPH0897162A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004514270A (ja) * | 2000-04-28 | 2004-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置で使用され得る可変ギャップストップ |
| CN110385883A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-10-29 | 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 | 一种压头升降组件 |
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