JPH0896542A - バンプディスクの製造法 - Google Patents
バンプディスクの製造法Info
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- JPH0896542A JPH0896542A JP22662494A JP22662494A JPH0896542A JP H0896542 A JPH0896542 A JP H0896542A JP 22662494 A JP22662494 A JP 22662494A JP 22662494 A JP22662494 A JP 22662494A JP H0896542 A JPH0896542 A JP H0896542A
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- JP
- Japan
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- substrate
- etching
- disk
- bump disk
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高さが５００Å以下の突起を有するバンプデ
ィスクであっても、所期の突起形状及び突起高さとなる
ように精度良く作製する。 【構成】 基板表面にテキスチャ加工処理を施した後、
該表面の一部をマスクしてエッチング処理してマスク部
以外の基板表面をエッチング除去し、マスク部に突起を
形成する。次いで、基板表面にスパッタリングにより成
膜層を形成する。 【効果】 高さ５００Å以下の突起であっても、その基
底部の直径が５〜１００μｍの尖塔状突起を形成するこ
とができるため、バンプディスクとして、ヘッドやグラ
イドテスターの浮上高さを正確に検定できる。
ィスクであっても、所期の突起形状及び突起高さとなる
ように精度良く作製する。 【構成】 基板表面にテキスチャ加工処理を施した後、
該表面の一部をマスクしてエッチング処理してマスク部
以外の基板表面をエッチング除去し、マスク部に突起を
形成する。次いで、基板表面にスパッタリングにより成
膜層を形成する。 【効果】 高さ５００Å以下の突起であっても、その基
底部の直径が５〜１００μｍの尖塔状突起を形成するこ
とができるため、バンプディスクとして、ヘッドやグラ
イドテスターの浮上高さを正確に検定できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドの浮上高さ
の測定やグライドテスターの浮上高さの測定等の基準検
定に用いられるバンプディスクの製造法に関する。
の測定やグライドテスターの浮上高さの測定等の基準検
定に用いられるバンプディスクの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ヘッドの浮上高さの測定やグ
ライドテスターの浮上高さの測定等の基準検定には、基
板上に所望の高さの突起を形成したバンプディスクが用
いられている。即ち、例えば、磁気ヘッドの浮上高さ
は、ディスクの回転数に比例して変化するが、その回転
数と浮上高さとの関係を求めるために、上記バンプディ
スクを用い、まず、検定したいヘッドをグライドテスタ
ーにかけ、バンプディスクの回転数を変えて被検定ヘッ
ドを浮上させる。そして、バンプディスクの突起に被検
定ヘッドが衝突する時の回転数とその時の突起高さ、即
ち、ヘッド浮上高さとの関係を求めることにより基準検
定が行われる。
ライドテスターの浮上高さの測定等の基準検定には、基
板上に所望の高さの突起を形成したバンプディスクが用
いられている。即ち、例えば、磁気ヘッドの浮上高さ
は、ディスクの回転数に比例して変化するが、その回転
数と浮上高さとの関係を求めるために、上記バンプディ
スクを用い、まず、検定したいヘッドをグライドテスタ
ーにかけ、バンプディスクの回転数を変えて被検定ヘッ
ドを浮上させる。そして、バンプディスクの突起に被検
定ヘッドが衝突する時の回転数とその時の突起高さ、即
ち、ヘッド浮上高さとの関係を求めることにより基準検
定が行われる。
【０００３】従来、このような基準検定用のバンプディ
スクとしては、ディスク基板の板面に荷重をかけた針
（ダイヤモンド等）や微小硬度計などの圧針を押し込
み、これにより圧針押し込み部の周囲の板面が盛り上が
ることを利用して突起を形成したものが用いられてい
る。このバンプディスクにおいて、形成する突起の高さ
の調整は、板面に押し込む圧針にかける荷重を調節する
ことにより行われている。
スクとしては、ディスク基板の板面に荷重をかけた針
（ダイヤモンド等）や微小硬度計などの圧針を押し込
み、これにより圧針押し込み部の周囲の板面が盛り上が
ることを利用して突起を形成したものが用いられてい
る。このバンプディスクにおいて、形成する突起の高さ
の調整は、板面に押し込む圧針にかける荷重を調節する
ことにより行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧針等
を押し込むことにより突起を形成した上記従来のバンプ
ディスクでは、次のような問題点がある。即ち、上記従
来法では、形成される突起の裾野、即ち突起の基底部が
比較的大きなものとならざるを得ない。このため、突起
の高さが約５００Å以下である場合であっても、その突
起の基底部は、直径２ｍｍ程度となり、突起の高さに対
して、基底部の直径が大きく、所期の突起に比べて非常
になだらかな丘状突起となる。このようなバンプディス
クを用いて、磁気ヘッドの浮上高さを５００Åに設定し
て検定を行った場合には、磁気ヘッドはこのなだらかな
丘状突起に追従して浮上飛行するようになり、ヘッドと
突起との衝突が検出されなくなる。このため、バンプデ
ィスクとしての役割を果たさなくなる。
を押し込むことにより突起を形成した上記従来のバンプ
ディスクでは、次のような問題点がある。即ち、上記従
来法では、形成される突起の裾野、即ち突起の基底部が
比較的大きなものとならざるを得ない。このため、突起
の高さが約５００Å以下である場合であっても、その突
起の基底部は、直径２ｍｍ程度となり、突起の高さに対
して、基底部の直径が大きく、所期の突起に比べて非常
になだらかな丘状突起となる。このようなバンプディス
クを用いて、磁気ヘッドの浮上高さを５００Åに設定し
て検定を行った場合には、磁気ヘッドはこのなだらかな
丘状突起に追従して浮上飛行するようになり、ヘッドと
突起との衝突が検出されなくなる。このため、バンプデ
ィスクとしての役割を果たさなくなる。
【０００５】このようなことから、従来の突起の形成方
法では、高さが５００Å以下の突起を有し、しかも、検
定精度の高いバンプディスクを作製することは困難であ
る。
法では、高さが５００Å以下の突起を有し、しかも、検
定精度の高いバンプディスクを作製することは困難であ
る。
【０００６】また、従来の突起の形成方法では、形成さ
れる突起の高さ方向のバラツキが大きく、突起を目的の
高さとなるように正確に形成することが困難であるとい
う問題もある。
れる突起の高さ方向のバラツキが大きく、突起を目的の
高さとなるように正確に形成することが困難であるとい
う問題もある。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、高さ
が５００Å以下の突起を有するバンプディスクであって
も、所期の突起形状及び突起高さとなるように精度良く
作製可能なバンプディスクの製造法を提供することを目
的とする。
が５００Å以下の突起を有するバンプディスクであって
も、所期の突起形状及び突起高さとなるように精度良く
作製可能なバンプディスクの製造法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のバンプディス
クの製造法は、基板表面にテキスチャ加工処理を施した
後、該表面の一部をマスクしてエッチング処理すること
により該マスク部以外の基板表面をエッチング除去して
該マスク部に突起を形成し、次いで該基板表面にスパッ
タリングにより成膜層を形成することを特徴とする。
クの製造法は、基板表面にテキスチャ加工処理を施した
後、該表面の一部をマスクしてエッチング処理すること
により該マスク部以外の基板表面をエッチング除去して
該マスク部に突起を形成し、次いで該基板表面にスパッ
タリングにより成膜層を形成することを特徴とする。
【０００９】請求項２のバンプディスクの製造法は、請
求項１に記載の方法において、テキスチャ加工処理後の
基板の表面平均粗さＲａが１０〜５０Åの範囲であるこ
とを特徴とする。
求項１に記載の方法において、テキスチャ加工処理後の
基板の表面平均粗さＲａが１０〜５０Åの範囲であるこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項３のバンプディスクの製造法は、請
求項１又は２に記載の方法において、マスク部の大きさ
が５〜１５μｍ角の範囲であることを特徴とする。
求項１又は２に記載の方法において、マスク部の大きさ
が５〜１５μｍ角の範囲であることを特徴とする。
【００１１】請求項４のバンプディスクの製造法は、請
求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法において、
エッチング処理が電解エッチング処理であることを特徴
とする。
求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法において、
エッチング処理が電解エッチング処理であることを特徴
とする。
【００１２】請求項５のバンプディスクの製造法は、請
求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法において、
エッチング処理後、テキスチャ加工仕上げ処理を施し、
不必要な突起を除去することを特徴とする。
求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法において、
エッチング処理後、テキスチャ加工仕上げ処理を施し、
不必要な突起を除去することを特徴とする。
【００１３】以下、本発明につき詳細に説明する。
【００１４】本発明において、バンプディスクを製造す
るための基板としては、一般にアルミニウム合金からな
るディスク状基板が用いられ、通常の場合、このような
アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その表面
を鏡面加工してから、非磁性金属、例えばＮｉ−Ｐ合金
又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金よりなる表面層を無電解メッキ
処理等により約５〜２０μｍの膜厚で形成したものが用
いられる。
るための基板としては、一般にアルミニウム合金からな
るディスク状基板が用いられ、通常の場合、このような
アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その表面
を鏡面加工してから、非磁性金属、例えばＮｉ−Ｐ合金
又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金よりなる表面層を無電解メッキ
処理等により約５〜２０μｍの膜厚で形成したものが用
いられる。
【００１５】本発明においては、まず、上記基板の表面
にテキスチャ加工により特定の凹凸を形成する。このテ
キスチャ加工は、通常の場合、研磨テープと遊離砥粒を
用いたスラリー研削、又は、研磨テープのみを用いたテ
ープ研削により行われ、テキスチャ加工処理後の基板の
表面平均粗さＲａが１０〜５０Å、特に２０〜４０Åの
範囲となるように表面凹凸形状を形成するのが好まし
い。
にテキスチャ加工により特定の凹凸を形成する。このテ
キスチャ加工は、通常の場合、研磨テープと遊離砥粒を
用いたスラリー研削、又は、研磨テープのみを用いたテ
ープ研削により行われ、テキスチャ加工処理後の基板の
表面平均粗さＲａが１０〜５０Å、特に２０〜４０Åの
範囲となるように表面凹凸形状を形成するのが好まし
い。
【００１６】このテキスチャ加工に先立って、通常の場
合、ポリッシュ加工を施す。本発明においては、ポリッ
シュ加工により、表面平均粗さＲａ３０〜４０Åに加工
した後、テキスチャ加工を施して、上記表面平均粗さＲ
ａとするのが好ましい。
合、ポリッシュ加工を施す。本発明においては、ポリッ
シュ加工により、表面平均粗さＲａ３０〜４０Åに加工
した後、テキスチャ加工を施して、上記表面平均粗さＲ
ａとするのが好ましい。
【００１７】なお、テキスチャ加工に当り、スラリー研
削に用いる研磨テープとしてはナイロンパイル、ポリエ
ステルパイル等のバフテープが好適に用いられる。ま
た、遊離砥粒としては０．３〜４μｍ径のダイヤモンド
系砥粒が用いられ、この遊離砥粒は液体（水或いはプロ
ピレングリコールなどの高分子溶液をベースとする液
体）中に分散剤と共に懸濁させた液体スラリーとして使
用される。また、テープ研削に用いる研磨テープとして
は、粒度＃３０００（粒径３μｍ）〜＃１００００（粒
径０．５μｍ）のアルミナ砥粒又はＳｉＣ砥粒を担持し
た研磨テープ、望ましくはＷＡ＃４０００〜ＷＡ＃１０
０００のホワイトアルミナ砥粒を担持した研磨テープが
用いられる。
削に用いる研磨テープとしてはナイロンパイル、ポリエ
ステルパイル等のバフテープが好適に用いられる。ま
た、遊離砥粒としては０．３〜４μｍ径のダイヤモンド
系砥粒が用いられ、この遊離砥粒は液体（水或いはプロ
ピレングリコールなどの高分子溶液をベースとする液
体）中に分散剤と共に懸濁させた液体スラリーとして使
用される。また、テープ研削に用いる研磨テープとして
は、粒度＃３０００（粒径３μｍ）〜＃１００００（粒
径０．５μｍ）のアルミナ砥粒又はＳｉＣ砥粒を担持し
た研磨テープ、望ましくはＷＡ＃４０００〜ＷＡ＃１０
０００のホワイトアルミナ砥粒を担持した研磨テープが
用いられる。
【００１８】テキスチャ加工処理を施した基板は、次い
で、その表面の一部をマスクしてエッチング処理する。
この場合、マスク部の大きさは、好ましくは５〜１００
μｍ角、より好ましくは５〜２０μｍ角、特に好ましく
は５〜１５μｍ角の大きさとする。
で、その表面の一部をマスクしてエッチング処理する。
この場合、マスク部の大きさは、好ましくは５〜１００
μｍ角、より好ましくは５〜２０μｍ角、特に好ましく
は５〜１５μｍ角の大きさとする。
【００１９】基板のテキスチャ加工表面をマスクする方
法（マスキング）としては特に制限はなく、上記大きさ
の部分をマスキングできるものであれば良い。具体的に
は、ＳＥＭ（スキャニング エレクトロン マイクロス
コープ）を用い、真空中にて、上記基板のテキスチャ加
工表面に電子線を照射し、カーボン膜を焼き付けること
によりマスクする方法が挙げられる。この方法において
は、ＳＥＭ内に残存する有機ガスが電子線によって基板
表面にたたきつけられてカーボン膜が焼き付けられ、マ
スク部が形成される。マスク部の大きさは、焼き付けに
用いる電子線の走査面積により調節することができる。
また、上記基板のテキスチャ加工表面に感光性樹脂、例
えば、フォトレジストを塗布した後、集光したＡｒレー
ザー光等の光を照射してレーザカッティングすることに
よりマスキングすることもできる。
法（マスキング）としては特に制限はなく、上記大きさ
の部分をマスキングできるものであれば良い。具体的に
は、ＳＥＭ（スキャニング エレクトロン マイクロス
コープ）を用い、真空中にて、上記基板のテキスチャ加
工表面に電子線を照射し、カーボン膜を焼き付けること
によりマスクする方法が挙げられる。この方法において
は、ＳＥＭ内に残存する有機ガスが電子線によって基板
表面にたたきつけられてカーボン膜が焼き付けられ、マ
スク部が形成される。マスク部の大きさは、焼き付けに
用いる電子線の走査面積により調節することができる。
また、上記基板のテキスチャ加工表面に感光性樹脂、例
えば、フォトレジストを塗布した後、集光したＡｒレー
ザー光等の光を照射してレーザカッティングすることに
よりマスキングすることもできる。
【００２０】テキスチャ加工表面の一部をマスクした基
板は、次いで、エッチング処理により該マスク部以外の
基板表面をエッチング除去して突起を形成する。エッチ
ング処理としては、例えば、酸性溶液中での化学エッチ
ング処理、或いは電解エッチング処理が挙げられるが、
エッチング量のコントロールが容易であることから電解
エッチング処理を採用するのが望ましい。
板は、次いで、エッチング処理により該マスク部以外の
基板表面をエッチング除去して突起を形成する。エッチ
ング処理としては、例えば、酸性溶液中での化学エッチ
ング処理、或いは電解エッチング処理が挙げられるが、
エッチング量のコントロールが容易であることから電解
エッチング処理を採用するのが望ましい。
【００２１】電解エッチング処理は、上記基板を酸性溶
液の電解液中に浸漬し、基板に電位を印加して電解処理
することにより行われる。この電解液としては、例え
ば、硫酸、硝酸、塩酸、クロム酸、リン酸、シュウ酸等
の１種又は２種以上を組合せた０．５〜４０重量％、望
ましくは１〜３０重量％の濃度の範囲の水溶液が用いら
れる。また、電解処理条件としては、該電解液中の基板
に電位を印加し、液温１０〜７０℃、電流密度０．１〜
５０ｍＡ／ｃｍ2 、望ましくは０．５〜４５ｍＡ／ｃｍ
2 、更に望ましくは１〜２５ｍＡ／ｃｍ2 、電解時間２
〜４００秒、望ましくは２〜２００秒、電気量（電流密
度と電解時間との積）１０〜１０００ｍＡ・秒／ｃｍ
2 、望ましくは５０〜６００ｍＡ・秒／ｃｍ2 の範囲と
するのが適当である。この電解処理に供する電位として
は直流又は極性が交互に変換する交番波形電流が挙げら
れる。交番波形電流としては、正負の極性、即ち陽極、
陰極の極性を交互に交換（変換）させて得られる交番波
形電流、例えば、正弦波の単相交流、正弦波の三相交
流、矩形波、三角波、台形波等の波形電流が挙げられ
る。交番波形電流の周波数としては０．１〜５００Ｈｚ
の範囲内とするのが適当である。
液の電解液中に浸漬し、基板に電位を印加して電解処理
することにより行われる。この電解液としては、例え
ば、硫酸、硝酸、塩酸、クロム酸、リン酸、シュウ酸等
の１種又は２種以上を組合せた０．５〜４０重量％、望
ましくは１〜３０重量％の濃度の範囲の水溶液が用いら
れる。また、電解処理条件としては、該電解液中の基板
に電位を印加し、液温１０〜７０℃、電流密度０．１〜
５０ｍＡ／ｃｍ2 、望ましくは０．５〜４５ｍＡ／ｃｍ
2 、更に望ましくは１〜２５ｍＡ／ｃｍ2 、電解時間２
〜４００秒、望ましくは２〜２００秒、電気量（電流密
度と電解時間との積）１０〜１０００ｍＡ・秒／ｃｍ
2 、望ましくは５０〜６００ｍＡ・秒／ｃｍ2 の範囲と
するのが適当である。この電解処理に供する電位として
は直流又は極性が交互に変換する交番波形電流が挙げら
れる。交番波形電流としては、正負の極性、即ち陽極、
陰極の極性を交互に交換（変換）させて得られる交番波
形電流、例えば、正弦波の単相交流、正弦波の三相交
流、矩形波、三角波、台形波等の波形電流が挙げられ
る。交番波形電流の周波数としては０．１〜５００Ｈｚ
の範囲内とするのが適当である。
【００２２】上記エッチング処理によって、基板のマス
ク部以外の表面部分がエッチング除去され、マスク部に
突起が形成される。突起高さは、上記エッチング条件、
例えば、エッチング処理液の酸の種類と濃度、エッチン
グ時間等によって、容易にコントロールすることができ
る。
ク部以外の表面部分がエッチング除去され、マスク部に
突起が形成される。突起高さは、上記エッチング条件、
例えば、エッチング処理液の酸の種類と濃度、エッチン
グ時間等によって、容易にコントロールすることができ
る。
【００２３】上記エッチング処理終了後は、エッチング
処理した基板表面にスパッタリング成膜して成膜層を形
成するが、このスパッタリング成膜に先立ち、必要に応
じて、遊離砥粒をセルロース製不織布等の基材表面に付
着させてしみ込ませたもの、或いは、アルミナ等の砥粒
の比較的細かいものを担持したテープ等を基板表面に押
圧して再度テキスチャ処理を施し、不必要な突起を除去
又は寝かし込む仕上げ処理を行っても良い。
処理した基板表面にスパッタリング成膜して成膜層を形
成するが、このスパッタリング成膜に先立ち、必要に応
じて、遊離砥粒をセルロース製不織布等の基材表面に付
着させてしみ込ませたもの、或いは、アルミナ等の砥粒
の比較的細かいものを担持したテープ等を基板表面に押
圧して再度テキスチャ処理を施し、不必要な突起を除去
又は寝かし込む仕上げ処理を行っても良い。
【００２４】このようなエッチング処理後、スパッタリ
ングにより基板表面に形成する成膜層としては特に制限
はないが、磁気ディスクの層構成と同様の層構成とする
のが簡便で有利である。即ち、下地層／磁性層／保護層
の層構成とするのが望ましい。
ングにより基板表面に形成する成膜層としては特に制限
はないが、磁気ディスクの層構成と同様の層構成とする
のが簡便で有利である。即ち、下地層／磁性層／保護層
の層構成とするのが望ましい。
【００２５】この場合、下地層としては通常の場合、Ｃ
ｒをスパッタリングにより形成する。Ｃｒ下地層の膜厚
は、通常、５０〜２０００Åの範囲である。
ｒをスパッタリングにより形成する。Ｃｒ下地層の膜厚
は、通常、５０〜２０００Åの範囲である。
【００２６】Ｃｒ下地層上に形成される磁性層として
は、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされるＣｏ系合金の金
属磁性薄膜層が好適である。ここで、ＸとしてはＬｉ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、及び、Ｅｕよりなる群から選ば
れた１種又は２種以上の元素が挙げられる。このような
Ｃｏ系合金からなる磁性層は通常スパッタリング等の手
段により膜厚１００〜１０００Åの範囲でＣｒ下地層上
に被着形成される。
は、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされるＣｏ系合金の金
属磁性薄膜層が好適である。ここで、ＸとしてはＬｉ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、及び、Ｅｕよりなる群から選ば
れた１種又は２種以上の元素が挙げられる。このような
Ｃｏ系合金からなる磁性層は通常スパッタリング等の手
段により膜厚１００〜１０００Åの範囲でＣｒ下地層上
に被着形成される。
【００２７】上記磁性層上に形成される保護層として
は、炭素質膜が好ましく、炭素質保護層は、通常、アル
ゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下又は少量の水素の存在
下で、カーボンをターゲットとしてスパッタリングによ
りアモルファス状カーボンや水素化カーボン膜等として
被着形成され、その膜厚は、通常、５０〜５００Åの範
囲とされる。このような保護層上には、摩擦係数を小さ
くするために、更に潤滑膜を形成しても良い。
は、炭素質膜が好ましく、炭素質保護層は、通常、アル
ゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下又は少量の水素の存在
下で、カーボンをターゲットとしてスパッタリングによ
りアモルファス状カーボンや水素化カーボン膜等として
被着形成され、その膜厚は、通常、５０〜５００Åの範
囲とされる。このような保護層上には、摩擦係数を小さ
くするために、更に潤滑膜を形成しても良い。
【００２８】このようにして製造されるバンプディスク
は、常法に従って磁気ヘッドの浮上高さの測定やグライ
ドテスターの浮上高さの測定等の基準検定用バンプディ
スクとして用いられるが、本発明により製造されるバン
プディスクは、高さ５００Å以下の突起であっても、そ
の基底部の直径が５〜１００μｍの尖塔状突起を形成す
ることができるため、バンプディスクとして、ヘッドや
グライドテスターの浮上高さを正確に検定できる。
は、常法に従って磁気ヘッドの浮上高さの測定やグライ
ドテスターの浮上高さの測定等の基準検定用バンプディ
スクとして用いられるが、本発明により製造されるバン
プディスクは、高さ５００Å以下の突起であっても、そ
の基底部の直径が５〜１００μｍの尖塔状突起を形成す
ることができるため、バンプディスクとして、ヘッドや
グライドテスターの浮上高さを正確に検定できる。
【００２９】
【作用】基板表面の一部をマスクし、次いでエッチング
処理して該マスク部以外をエッチング除去することによ
り、高さが５００Å以下であっても、基底部の直径が５
〜１００μｍという尖塔状突起を精度良く形成すること
ができる。
処理して該マスク部以外をエッチング除去することによ
り、高さが５００Å以下であっても、基底部の直径が５
〜１００μｍという尖塔状突起を精度良く形成すること
ができる。
【００３０】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例により限定されるものではない。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例により限定されるものではない。
【００３１】実施例１ 無電解メッキ法によりＮｉ−Ｐメッキの表面層を１５μ
ｍ程度の厚みで形成したアルミニウム合金ディスク状基
板の表面を、ポリッシュ加工により表面平均粗さＲａが
約２０〜３０Åの面とし、次いで、研磨テープを用いた
テキスチャ加工により微細な溝を形成し、更に遊離砥粒
を用いたテキスチャ加工を施し、表面平均粗さＲａ４０
Å程度に仕上げた。次に、このディスク基板に、真空中
（１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒ）で、ＳＥＭを用いて電子線
を照射し、１０μｍ×１０μｍの領域を走査させること
により、基板表面にカーボン膜を焼き付けマスクした。
ｍ程度の厚みで形成したアルミニウム合金ディスク状基
板の表面を、ポリッシュ加工により表面平均粗さＲａが
約２０〜３０Åの面とし、次いで、研磨テープを用いた
テキスチャ加工により微細な溝を形成し、更に遊離砥粒
を用いたテキスチャ加工を施し、表面平均粗さＲａ４０
Å程度に仕上げた。次に、このディスク基板に、真空中
（１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒ）で、ＳＥＭを用いて電子線
を照射し、１０μｍ×１０μｍの領域を走査させること
により、基板表面にカーボン膜を焼き付けマスクした。
【００３２】次に、この基板に１０重量％リン酸水溶液
中で矩形波の交番波形電流を印加し、液温２０℃、電流
密度４ｍＡ／ｃｍ2 、周波数５０Ｈｚ、電解時間６０秒
の条件で交流電解エッチング処理を行った。次いで、エ
ッチング処理後の基板表面上に、一般的なＣｒ下地層
（膜厚５００Å）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁性
層（膜厚４００Å）及びカーボン膜からなる保護層（膜
厚２００Å）を、順次スパッタリング成膜して、バンプ
ディスクを製造した。得られたディスクの突起高さは５
００Åであり、その突起の基底部の直径は１０μｍであ
った。
中で矩形波の交番波形電流を印加し、液温２０℃、電流
密度４ｍＡ／ｃｍ2 、周波数５０Ｈｚ、電解時間６０秒
の条件で交流電解エッチング処理を行った。次いで、エ
ッチング処理後の基板表面上に、一般的なＣｒ下地層
（膜厚５００Å）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁性
層（膜厚４００Å）及びカーボン膜からなる保護層（膜
厚２００Å）を、順次スパッタリング成膜して、バンプ
ディスクを製造した。得られたディスクの突起高さは５
００Åであり、その突起の基底部の直径は１０μｍであ
った。
【００３３】このバンプディスクを用い、図１に示すよ
うにバンプディスク１を回転させ、該ディスク１上に磁
気ヘッド２を飛行させ、回転数を変化させて磁気ヘッド
２がディスク１の突起１Ａに接触し始める回転数を求め
て検定を行った。その結果、回転数１６００ｒｐｍのと
きに、ヘッド２と突起１Ａとの接触が確認された。
うにバンプディスク１を回転させ、該ディスク１上に磁
気ヘッド２を飛行させ、回転数を変化させて磁気ヘッド
２がディスク１の突起１Ａに接触し始める回転数を求め
て検定を行った。その結果、回転数１６００ｒｐｍのと
きに、ヘッド２と突起１Ａとの接触が確認された。
【００３４】比較のため、従来法に従って、圧針を押し
込むことにより高さ５００Åの突起を形成したバンプデ
ィスクを用いて同様にヘッドの検定を行ったところ、こ
の突起は基底部の直径が約２ｍｍもある丘状突起であっ
たため、ヘッドはこのなだらかな丘状突起に追従して飛
行してしまい、回転数１３００ｒｐｍでもヘッドと突起
との接触を確認することはできなかった。
込むことにより高さ５００Åの突起を形成したバンプデ
ィスクを用いて同様にヘッドの検定を行ったところ、こ
の突起は基底部の直径が約２ｍｍもある丘状突起であっ
たため、ヘッドはこのなだらかな丘状突起に追従して飛
行してしまい、回転数１３００ｒｐｍでもヘッドと突起
との接触を確認することはできなかった。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のバンプディ
スクの製造法によれば、高さ５００Å以下の突起であっ
ても、その基底部の直径が極めて小さい所望の尖塔状突
起として、容易かつ高精度に形成することができる。こ
のような本発明の方法により製造されたバンプディスク
であれば、ヘッドやグライドテスターの浮上高さが５０
０Å以下の微小高さであっても精度良く検定することが
できる。
スクの製造法によれば、高さ５００Å以下の突起であっ
ても、その基底部の直径が極めて小さい所望の尖塔状突
起として、容易かつ高精度に形成することができる。こ
のような本発明の方法により製造されたバンプディスク
であれば、ヘッドやグライドテスターの浮上高さが５０
０Å以下の微小高さであっても精度良く検定することが
できる。
【図１】実施例１におけるヘッドの検定方法を示す模式
的な断面図である。
的な断面図である。
１ バンプディスク １Ａ 突起 ２ 磁気ヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面にテキスチャ加工処理を施した
後、該表面の一部をマスクしてエッチング処理すること
により該マスク部以外の基板表面をエッチング除去して
該マスク部に突起を形成し、次いで該基板表面にスパッ
タリングにより成膜層を形成することを特徴とするバン
プディスクの製造法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、テキス
チャ加工処理後の基板の表面平均粗さＲａが１０〜５０
Åの範囲であることを特徴とするバンプディスクの製造
法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の方法において、
マスク部の大きさが５〜１５μｍ角の範囲であることを
特徴とするバンプディスクの製造法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項に記載
の方法において、エッチング処理が電解エッチング処理
であることを特徴とするバンプディスクの製造法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載
の方法において、エッチング処理後、テキスチャ加工仕
上げ処理を施し、不必要な突起を除去することを特徴と
するバンプディスクの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22662494A JPH0896542A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | バンプディスクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22662494A JPH0896542A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | バンプディスクの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896542A true JPH0896542A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16848121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22662494A Pending JPH0896542A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | バンプディスクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0896542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951880A (en) * | 1997-05-26 | 1999-09-14 | Trace Storage Tech. Corp. | Method for making bump disks |
| KR100652554B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2006-12-01 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 에스아이-범프를 이용한 마더보드 및 그 제조 방법 |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP22662494A patent/JPH0896542A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951880A (en) * | 1997-05-26 | 1999-09-14 | Trace Storage Tech. Corp. | Method for making bump disks |
| KR100652554B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2006-12-01 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 에스아이-범프를 이용한 마더보드 및 그 제조 방법 |
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