JPH0894802A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
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- JPH0894802A JPH0894802A JP6230956A JP23095694A JPH0894802A JP H0894802 A JPH0894802 A JP H0894802A JP 6230956 A JP6230956 A JP 6230956A JP 23095694 A JP23095694 A JP 23095694A JP H0894802 A JPH0894802 A JP H0894802A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、合成樹脂基板と反射防止膜
との密着性をより改善することである。 【構成】 本発明は、合成樹脂基板上にＳｉを蒸着し、
さらにその上に、反射防止膜を形成したことを特徴とす
る光学素子である。
との密着性をより改善することである。 【構成】 本発明は、合成樹脂基板上にＳｉを蒸着し、
さらにその上に、反射防止膜を形成したことを特徴とす
る光学素子である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカメラ、複写機、ファク
シミリ、レーザビームプリンタなど多くの光学機器の光
学系に使用される反射防止膜を有する光学素子に関す
る。
シミリ、レーザビームプリンタなど多くの光学機器の光
学系に使用される反射防止膜を有する光学素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学機器の軽量化、生産性の向
上、コストの低減化などのニーズから合成樹脂製光学部
品が多く使用されてきている。
上、コストの低減化などのニーズから合成樹脂製光学部
品が多く使用されてきている。
【０００３】従来光学部品はガラスを研磨したものが多
く使用されており、このような光学素子に反射防止膜を
設ける場合、ガラス基材を200℃以上に加熱し、真空蒸
着法により、単層、または多層にコーティングすること
が出来る。ところが、合成樹脂基板はガラスに比べて軟
化温度が低い（〜110℃）ため、ガラスのように加熱す
ることは出来ない。そのため、膜と基板の密着性が十分
でなく、また、膜の表面硬度も低く、実用的でない膜と
なってしまう。そこで、合成樹脂基板上の第１層とし
て、合成樹脂製基板との密着性が高く、表面硬度の高い
SiOx膜層（但し１≦ｘ≦２）を設ける構成が、従来より
多く提案れている（特公昭53-306号など）。
く使用されており、このような光学素子に反射防止膜を
設ける場合、ガラス基材を200℃以上に加熱し、真空蒸
着法により、単層、または多層にコーティングすること
が出来る。ところが、合成樹脂基板はガラスに比べて軟
化温度が低い（〜110℃）ため、ガラスのように加熱す
ることは出来ない。そのため、膜と基板の密着性が十分
でなく、また、膜の表面硬度も低く、実用的でない膜と
なってしまう。そこで、合成樹脂基板上の第１層とし
て、合成樹脂製基板との密着性が高く、表面硬度の高い
SiOx膜層（但し１≦ｘ≦２）を設ける構成が、従来より
多く提案れている（特公昭53-306号など）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、合成樹脂基板と反射防止膜との密着性をより改善
することである。
点は、合成樹脂基板と反射防止膜との密着性をより改善
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、合成樹脂基板
上にＳｉを蒸着し、さらにその上に、反射防止膜を形成
したことを特徴とする光学素子である。
上にＳｉを蒸着し、さらにその上に、反射防止膜を形成
したことを特徴とする光学素子である。
【０００６】本発明においては、合成樹脂基材と反射防
止膜との間にＳｉの蒸着層を設けることによって、合成
樹脂製基板に対して密着性が良く、かつ、高温高湿環境
下に於ても密着性が劣化することの無い反射防止膜を有
する光学素子を提供できるものである。
止膜との間にＳｉの蒸着層を設けることによって、合成
樹脂製基板に対して密着性が良く、かつ、高温高湿環境
下に於ても密着性が劣化することの無い反射防止膜を有
する光学素子を提供できるものである。
【０００７】本発明に於て、基板上に設けられるSi蒸着
層は基板とその上層に設けられる反射防止膜との密着性
を強固なものとするように作用する。また、外層から有
機溶剤や水などの侵入により基板が侵されたり、膜との
密着性が劣化することを抑制するように作用する。Ｓｉ
を蒸着して形成されるＳｉ蒸着層には、酸素が全く含ま
れないか、又は、蒸着中微量の酸素、例えば、水分中の
酸素と反応して、含有されていたとしても、ＳｉＯｘ
（ｘ＜１）であり、このようなＳｉ蒸着層が密着性に有
効に作用するものと考えられる。
層は基板とその上層に設けられる反射防止膜との密着性
を強固なものとするように作用する。また、外層から有
機溶剤や水などの侵入により基板が侵されたり、膜との
密着性が劣化することを抑制するように作用する。Ｓｉ
を蒸着して形成されるＳｉ蒸着層には、酸素が全く含ま
れないか、又は、蒸着中微量の酸素、例えば、水分中の
酸素と反応して、含有されていたとしても、ＳｉＯｘ
（ｘ＜１）であり、このようなＳｉ蒸着層が密着性に有
効に作用するものと考えられる。
【０００８】Ｓｉ蒸着層は、可視光に対して吸収性を持
ち、膜厚が厚い場合、光学的に十分な透過率が得られな
いことがあるので、膜厚ｄは０＜ｄ≦５０ｎｍの範囲、
特には５ｎｍ以下が好適である。
ち、膜厚が厚い場合、光学的に十分な透過率が得られな
いことがあるので、膜厚ｄは０＜ｄ≦５０ｎｍの範囲、
特には５ｎｍ以下が好適である。
【０００９】Ｓｉ蒸着層上に形成される反射防止膜とし
ては、高屈折率材層及び低高屈折率材層の交互層が好適
である。一般には、高屈折率材料としてはTiO2、ZrO2、
HfO2、ZnS、 Ta2O5等、またはこれらの混合物が、また、
低屈折率材料としてはSiO2、Al2O3、MgF2、Na2AlF6等が
使用される。特に、空気側から数えて第１層目の低屈折
率材層は、屈折率が低く、比較的表面高度が高いSiO2が
好ましい。
ては、高屈折率材層及び低高屈折率材層の交互層が好適
である。一般には、高屈折率材料としてはTiO2、ZrO2、
HfO2、ZnS、 Ta2O5等、またはこれらの混合物が、また、
低屈折率材料としてはSiO2、Al2O3、MgF2、Na2AlF6等が
使用される。特に、空気側から数えて第１層目の低屈折
率材層は、屈折率が低く、比較的表面高度が高いSiO2が
好ましい。
【００１０】合成樹脂基板は、アクリル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン等、一般に市販されている材料を、
成形したものが使用される。また、成膜方法は、真空蒸
着法、スパッタリング法等、公知の成膜技術で有れば、
特に限定するものではない。
ート、ポリスチレン等、一般に市販されている材料を、
成形したものが使用される。また、成膜方法は、真空蒸
着法、スパッタリング法等、公知の成膜技術で有れば、
特に限定するものではない。
【００１１】また、Si蒸着層上に設けられる反射防止膜
が単層の場合、Si蒸着層の厚さによって１波長のみ１％
以下にまで反射率を低下させ、また、可視域全体を平均
約２％まで反射率を低下することが出来る反射防止膜を
得ることが可能である。また、多層の場合、２層以上の
層数で空気側に接する層を低屈折率材層とすることによ
り、単層よりも反射防止効果の高い反射防止膜を得るこ
とが可能である。
が単層の場合、Si蒸着層の厚さによって１波長のみ１％
以下にまで反射率を低下させ、また、可視域全体を平均
約２％まで反射率を低下することが出来る反射防止膜を
得ることが可能である。また、多層の場合、２層以上の
層数で空気側に接する層を低屈折率材層とすることによ
り、単層よりも反射防止効果の高い反射防止膜を得るこ
とが可能である。
【００１２】
【実施例】以下に、必要に応じて図面を用いつつ本発明
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【００１３】（実施例１）図１に、本発明に係る２層構
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。こ
の基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より
数えて第１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に
て２１ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により
蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒ
ｒになるように酸素を真空槽に導入して、１６８ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により真空蒸着を行
った。各層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法に
より行った。以上のようにして得られた反射防止膜の分
光反射率特性を図２に示した。本反射防止膜は、波長７
８０ｎｍに於て反射率がほとんど０％となり、かつ、７
０℃８５％高温高湿槽に１００時間放置した後セロテー
プによる密着力テストを実施したところ、基板と膜の密
着性は良好であり、レーザビームプリンタ等に使用され
る半導体レーザ光学系の反射防止膜として有効である。
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。こ
の基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より
数えて第１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に
て２１ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により
蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒ
ｒになるように酸素を真空槽に導入して、１６８ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により真空蒸着を行
った。各層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法に
より行った。以上のようにして得られた反射防止膜の分
光反射率特性を図２に示した。本反射防止膜は、波長７
８０ｎｍに於て反射率がほとんど０％となり、かつ、７
０℃８５％高温高湿槽に１００時間放置した後セロテー
プによる密着力テストを実施したところ、基板と膜の密
着性は良好であり、レーザビームプリンタ等に使用され
る半導体レーザ光学系の反射防止膜として有効である。
【００１４】（実施例２）図３に、本発明に係る２層構
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は非晶質ポリ
オレフィンをレンズ形状に射出成形されたものである。
この基板上に実施例１と同様に２層膜を形成した。第１
層目は膜厚５ｎｍのＳｉ層であり、第２層目は膜厚１０
０ｎｍのＳｉＯ2層である。以上のようにして得られた
反射防止膜の分光反射率特性を図４に示した。本反射防
止膜は可視域の平均反射率が約２％であり、カメラ等に
使用されるフッ化マグネシウム単層反射防止膜の分光反
射率に近く、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００時
間放置した後セロテープによる密着力テストを実施した
ところ、基板と膜の密着性は良好であり、カメラ等に用
いられる反射防止膜として有効である。
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は非晶質ポリ
オレフィンをレンズ形状に射出成形されたものである。
この基板上に実施例１と同様に２層膜を形成した。第１
層目は膜厚５ｎｍのＳｉ層であり、第２層目は膜厚１０
０ｎｍのＳｉＯ2層である。以上のようにして得られた
反射防止膜の分光反射率特性を図４に示した。本反射防
止膜は可視域の平均反射率が約２％であり、カメラ等に
使用されるフッ化マグネシウム単層反射防止膜の分光反
射率に近く、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００時
間放置した後セロテープによる密着力テストを実施した
ところ、基板と膜の密着性は良好であり、カメラ等に用
いられる反射防止膜として有効である。
【００１５】（実施例３）図５に、本発明に係る４層構
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。こ
の基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より
数えて第１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に
て７．４ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法によ
り蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏ
ｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、２１ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第３層目はＴｉＯ2を１．５×１０-4Ｔｏｒｒにな
るように酸素を真空槽に導入して、１２０ｎｍの膜厚に
なるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第４
層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素
を真空槽に導入して、８５ｎｍの膜厚になるまで、電子
ビーム加熱法により蒸着を行った。各層の膜厚制御は、
単色光による反射率測光法により行った。以上のように
して得られた反射防止膜の分光反射率特性を図６に示し
た。本反射防止膜は可視域全域に渡り１％以下、特に４
１０ｎｍから６８０ｎｍの波長において０．５％以下の
反射率であり、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００
時間放置した後セロテープによる密着力テストを実施し
たところ、基板と膜の密着性は良好であり、カメラ、ビ
デオ、メガネ等の可視光学系の反射防止膜として有効で
ある。
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。こ
の基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より
数えて第１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に
て７．４ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法によ
り蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏ
ｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、２１ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第３層目はＴｉＯ2を１．５×１０-4Ｔｏｒｒにな
るように酸素を真空槽に導入して、１２０ｎｍの膜厚に
なるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第４
層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素
を真空槽に導入して、８５ｎｍの膜厚になるまで、電子
ビーム加熱法により蒸着を行った。各層の膜厚制御は、
単色光による反射率測光法により行った。以上のように
して得られた反射防止膜の分光反射率特性を図６に示し
た。本反射防止膜は可視域全域に渡り１％以下、特に４
１０ｎｍから６８０ｎｍの波長において０．５％以下の
反射率であり、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００
時間放置した後セロテープによる密着力テストを実施し
たところ、基板と膜の密着性は良好であり、カメラ、ビ
デオ、メガネ等の可視光学系の反射防止膜として有効で
ある。
【００１６】（実施例４）図７に、本発明に係る６層構
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートとポリスチレンの混合物をレンズ形状に射出成
形されたものである。この基板上に、真空蒸着法により
成膜を行った。基板より数えて第１層目はＳｉを３×１
０-5Ｔｏｒｒの真空度にて１ｎｍの膜厚になるまで、電
子ビーム加熱法により蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ
2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導
入して、７０ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法
により蒸着を行った。第３層目はＴｉＯ2を１．５×１
０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１
４ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着
を行った。第４層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒに
なるように酸素を真空槽に導入して、４３ｎｍの膜厚に
なるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第５
層目は第３層と同様の条件でＴｉＯ2を１２０ｎｍの膜
厚に、また、第６層目は第４層と同様の条件でＳｉＯ2
を８６ｎｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を施した。
各層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法により行
った。以上のようにして得られた反射防止膜の分光反射
率特性を図８に示した。本反射防止膜は、可視域全域に
渡り１％以下の反射率であり、かつ、７０℃８５％高温
高湿槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力
テストを実施したところ、基板と膜の密着性は良好であ
り、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視光学系の反射防止
膜として有効である。
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカー
ボネートとポリスチレンの混合物をレンズ形状に射出成
形されたものである。この基板上に、真空蒸着法により
成膜を行った。基板より数えて第１層目はＳｉを３×１
０-5Ｔｏｒｒの真空度にて１ｎｍの膜厚になるまで、電
子ビーム加熱法により蒸着を行った。第２層目はＳｉＯ
2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導
入して、７０ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法
により蒸着を行った。第３層目はＴｉＯ2を１．５×１
０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１
４ｎｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着
を行った。第４層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒに
なるように酸素を真空槽に導入して、４３ｎｍの膜厚に
なるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第５
層目は第３層と同様の条件でＴｉＯ2を１２０ｎｍの膜
厚に、また、第６層目は第４層と同様の条件でＳｉＯ2
を８６ｎｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を施した。
各層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法により行
った。以上のようにして得られた反射防止膜の分光反射
率特性を図８に示した。本反射防止膜は、可視域全域に
渡り１％以下の反射率であり、かつ、７０℃８５％高温
高湿槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力
テストを実施したところ、基板と膜の密着性は良好であ
り、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視光学系の反射防止
膜として有効である。
【００１７】（実施例５）図９に、本発明に係る６層構
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、アクリル
をレンズ形状に射出成形されたものである。この基板上
に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より数えて第
１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度にて５ｎｍ
の膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第２層目はＳｉＯを１×１０-4Ｔｏｒｒになるよう
に酸素を真空槽に導入して、２３６ｎｍの膜厚になるま
で、抵抗加熱法により蒸着を行った。第３層目はＴｉＯ
2とＺｒＯ2の混合物（重量比１：１）を５×１０-4Ｔｏ
ｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１３ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第４層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるよ
うに酸素を真空槽に導入して、２１ｎｍの膜厚になるま
で、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第５層目は
第３層と同様の物質を同条件で１０９ｎｍの膜厚に、ま
た、第６層目は第４層と同様の条件でＳｉＯ2を８４ｎ
ｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を行った。各層の膜
厚は、単色光による反射率測光法により行った。以上の
ようにして得られた反射防止膜の分光反射率特性を図１
０に示した。本反射防止膜は可視域全域に渡り反射率が
１％以下の反射率であり、かつ、７０℃８５％高温高湿
槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力テス
トを実施したところ、基板と膜の密着性は良好であっ
た。また、メタノール（３０ｖｏｌ％）とエーテル（７
０ｖｏｌ％）の混合液をレンズクリーニングペーパーに
浸して５００ｇの加重で表面を５０往復擦ったが、レン
ズ表面は傷や膜剥離も認められず十分な表面硬度を得
た。以上のことから、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視
光学系の反射防止膜として有効である。
成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、アクリル
をレンズ形状に射出成形されたものである。この基板上
に、真空蒸着法により成膜を行った。基板より数えて第
１層目はＳｉを３×１０-5Ｔｏｒｒの真空度にて５ｎｍ
の膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第２層目はＳｉＯを１×１０-4Ｔｏｒｒになるよう
に酸素を真空槽に導入して、２３６ｎｍの膜厚になるま
で、抵抗加熱法により蒸着を行った。第３層目はＴｉＯ
2とＺｒＯ2の混合物（重量比１：１）を５×１０-4Ｔｏ
ｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１３ｎｍの
膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行っ
た。第４層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになるよ
うに酸素を真空槽に導入して、２１ｎｍの膜厚になるま
で、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第５層目は
第３層と同様の物質を同条件で１０９ｎｍの膜厚に、ま
た、第６層目は第４層と同様の条件でＳｉＯ2を８４ｎ
ｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を行った。各層の膜
厚は、単色光による反射率測光法により行った。以上の
ようにして得られた反射防止膜の分光反射率特性を図１
０に示した。本反射防止膜は可視域全域に渡り反射率が
１％以下の反射率であり、かつ、７０℃８５％高温高湿
槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力テス
トを実施したところ、基板と膜の密着性は良好であっ
た。また、メタノール（３０ｖｏｌ％）とエーテル（７
０ｖｏｌ％）の混合液をレンズクリーニングペーパーに
浸して５００ｇの加重で表面を５０往復擦ったが、レン
ズ表面は傷や膜剥離も認められず十分な表面硬度を得
た。以上のことから、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視
光学系の反射防止膜として有効である。
【００１８】（比較例１）図１１に、比較例として単層
構成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカ
ーボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。
この基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板よ
り数えて第１層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒにな
るように酸素を真空槽に導入して、１３４ｎｍの膜厚
（設計波長７８０ｎｍのλ／４）になるまで、電子ビー
ム加熱法により蒸着を行った。各層の膜厚制御は、単色
光による反射率測光法により行った。以上のようにして
得られた反射防止膜の分光反射率特性を図１２に示し
た。本反射防止膜は、波長７８０ｎｍに於て反射率が２
％以上となり、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００
時間放置した後セロテープによる密着力テストを実施し
たところ、基板と膜の界面から剥離を生じ、レーザビー
ムプリンタ等に使用される半導体レーザ光学系の反射防
止膜としても有効ではない。
構成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカ
ーボネートをレンズ形状に射出成形されたものである。
この基板上に、真空蒸着法により成膜を行った。基板よ
り数えて第１層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒにな
るように酸素を真空槽に導入して、１３４ｎｍの膜厚
（設計波長７８０ｎｍのλ／４）になるまで、電子ビー
ム加熱法により蒸着を行った。各層の膜厚制御は、単色
光による反射率測光法により行った。以上のようにして
得られた反射防止膜の分光反射率特性を図１２に示し
た。本反射防止膜は、波長７８０ｎｍに於て反射率が２
％以上となり、かつ、７０℃８５％高温高湿槽に１００
時間放置した後セロテープによる密着力テストを実施し
たところ、基板と膜の界面から剥離を生じ、レーザビー
ムプリンタ等に使用される半導体レーザ光学系の反射防
止膜としても有効ではない。
【００１９】（比較例２）図１３に、比較例として５層
構成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカ
ーボネートとポリスチレンの混合物をレンズ形状に射出
成形されたものである。この基板上に、真空蒸着法によ
り成膜を行った。基板より数えて第１層目はＳｉＯを１
×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入し
て、２３６ｎｍの膜厚になるまで、抵抗加熱法により真
空蒸着を行った。第２層目はＴｉＯ2を１．５×１０-4
Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１５ｎ
ｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行
った。第３層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになる
ように酸素を真空槽に導入して、２８ｎｍの膜厚になる
まで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第４層目
は第２層と同様の条件でＴｉＯ2を１２０ｎｍの膜厚
に、また、第５層目は第３層と同様の条件でＳｉＯ2を
８６ｎｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を施した。各
層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法により行っ
た。以上のようにして得られた反射防止膜の分光反射率
特性を図１４に示した。本反射防止膜は、可視域全域に
渡り１％以下の反射率であるものの、７０℃８５％高温
高湿槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力
テストを実施したところ、基板と膜の界面から剥離を生
じ、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視光学系の反射防止
膜として有効ではない。
構成の反射防止膜の断面模式図を示す。基板は、ポリカ
ーボネートとポリスチレンの混合物をレンズ形状に射出
成形されたものである。この基板上に、真空蒸着法によ
り成膜を行った。基板より数えて第１層目はＳｉＯを１
×１０-4Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入し
て、２３６ｎｍの膜厚になるまで、抵抗加熱法により真
空蒸着を行った。第２層目はＴｉＯ2を１．５×１０-4
Ｔｏｒｒになるように酸素を真空槽に導入して、１５ｎ
ｍの膜厚になるまで、電子ビーム加熱法により蒸着を行
った。第３層目はＳｉＯ2を１×１０-4Ｔｏｒｒになる
ように酸素を真空槽に導入して、２８ｎｍの膜厚になる
まで、電子ビーム加熱法により蒸着を行った。第４層目
は第２層と同様の条件でＴｉＯ2を１２０ｎｍの膜厚
に、また、第５層目は第３層と同様の条件でＳｉＯ2を
８６ｎｍの膜厚になるまで、それぞれ蒸着を施した。各
層の膜厚制御は、単色光による反射率測光法により行っ
た。以上のようにして得られた反射防止膜の分光反射率
特性を図１４に示した。本反射防止膜は、可視域全域に
渡り１％以下の反射率であるものの、７０℃８５％高温
高湿槽に１００時間放置した後セロテープによる密着力
テストを実施したところ、基板と膜の界面から剥離を生
じ、カメラ、ビデオ、メガネ等の可視光学系の反射防止
膜として有効ではない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、合成樹
脂基板の表面に密着性が良好な反射防止膜を有する光学
素子を提供することができるものである。
脂基板の表面に密着性が良好な反射防止膜を有する光学
素子を提供することができるものである。
【図１】本発明に係る２層合成樹脂製反射防止膜の断面
模式図
模式図
【図２】図１の反射防止膜の分光反射率特性を示す図
【図３】本発明に係る２層反射防止膜の断面模式図
【図４】図３の反射防止膜の分光反射率特性を示す図
【図５】本発明に係る４層反射防止膜の断面模式図
【図６】図５の反射防止膜の分光反射率特性を示す図
【図７】本発明に係る６層反射防止膜の断面模式図
【図８】図７の反射防止膜の分光反射率特性を示す図
【図９】本発明に係る６層反射防止膜の断面模式図
【図１０】図９の反射防止膜の分光反射率特性を示す図
【図１１】比較例に係る単層反射防止膜の断面模式図
【図１２】図１１の反射防止膜の分光反射率特性を示す
図
図
【図１３】比較例に係る５層反射防止膜の断面模式図
【図１４】図１３の反射防止膜の分光反射率特性を示す
図
図
１ａ，１ｂ，１ｃ ポリカーボネート基板 ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ Ｓｉ層 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ，３
ｉ，３ｊ，３ｋ，３ｌＳｉＯ2層 ４ 非晶質ポリオレフィン基板 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ ＴｉＯ2層 ６ａ，６ｂ ポリカーボネートとポリスチレンの混合物
基板 ７ アクリル基板 ８ａ，８ｂ ＳｉＯ蒸着層 ９ａ，９ｂ ＴｉＯ2とＺｒＯ2の混合物蒸着層
ｉ，３ｊ，３ｋ，３ｌＳｉＯ2層 ４ 非晶質ポリオレフィン基板 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ ＴｉＯ2層 ６ａ，６ｂ ポリカーボネートとポリスチレンの混合物
基板 ７ アクリル基板 ８ａ，８ｂ ＳｉＯ蒸着層 ９ａ，９ｂ ＴｉＯ2とＺｒＯ2の混合物蒸着層
Claims (6)
- 【請求項１】 合成樹脂基板上にＳｉを蒸着し、さらに
その上に、反射防止膜を形成したことを特徴とする光学
素子。 - 【請求項２】 Ｓｉを蒸着して形成される層の厚さ
（ｄ）が０＜ｄ≦５０ｎｍであることを特徴とする請求
項１の光学素子。 - 【請求項３】 反射防止膜が高屈折率材層及び低屈折率
材層を交互に積層し、空気側から数えて第１層目が低屈
折率材層とすることを特徴とする請求項１又は２の光学
素子。 - 【請求項４】 反射防止膜が低屈折率材層とすることを
特徴とする請求項１又は２の光学素子。 - 【請求項５】 高屈折率材層がＴｉＯ2およびＺｒＯ2か
ら選ばれた層であり、低屈折率材層がＳｉＯ2層である
ことを特徴とする請求項３の光学素子。 - 【請求項６】 低屈折率材層がＳｉＯ2であることを特
徴とする請求項４の光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230956A JPH0894802A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230956A JPH0894802A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894802A true JPH0894802A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16915961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6230956A Withdrawn JPH0894802A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894802A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10148703A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Nikon Corp | 吸収損失の少ない光学薄膜 |
| WO1999049097A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Essilor International | Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it |
| JP2016080943A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社コシナ | 反射防止膜及び光学素子 |
| EP2188404B1 (en) * | 2007-09-14 | 2016-06-15 | Teer Coatings Limited | Method for the deposition of coatings to resist and protect against aquatic biofouling |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6230956A patent/JPH0894802A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10148703A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Nikon Corp | 吸収損失の少ない光学薄膜 |
| WO1999049097A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Essilor International | Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it |
| EP0947601A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-06 | ESSILOR INTERNATIONAL Compagnie Générale d'Optique | Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it |
| EP2188404B1 (en) * | 2007-09-14 | 2016-06-15 | Teer Coatings Limited | Method for the deposition of coatings to resist and protect against aquatic biofouling |
| JP2016080943A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社コシナ | 反射防止膜及び光学素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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