JPH0887118A - レジスト剥離液組成物 - Google Patents
レジスト剥離液組成物Info
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- JPH0887118A JPH0887118A JP24671294A JP24671294A JPH0887118A JP H0887118 A JPH0887118 A JP H0887118A JP 24671294 A JP24671294 A JP 24671294A JP 24671294 A JP24671294 A JP 24671294A JP H0887118 A JPH0887118 A JP H0887118A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミン５０〜
９０重量％と（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチ
ル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種５０〜
１０重量％からなる組成物、及び前記組成物にさらに配
合剤を配合したレジスト剥離液組成物。 【効果】本発明のレジスト用剥離液組成物は、安全性、
剥離性、腐食防止性等の性質に優れ、しかも過酷な剥離
条件下においても安定に剥離作用を持続し、高品質の半
導体素子や液晶パネル素子を製造できる。
９０重量％と（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチ
ル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種５０〜
１０重量％からなる組成物、及び前記組成物にさらに配
合剤を配合したレジスト剥離液組成物。 【効果】本発明のレジスト用剥離液組成物は、安全性、
剥離性、腐食防止性等の性質に優れ、しかも過酷な剥離
条件下においても安定に剥離作用を持続し、高品質の半
導体素子や液晶パネル素子を製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト剥離液組成
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或は
液晶パネル素子の製造に好適に使用される、剥離性の高
いレジスト剥離液組成物に関する。
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或は
液晶パネル素子の製造に好適に使用される、剥離性の高
いレジスト剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液として、従
来、アルキルベンゼンスルホン酸にフェノール系化合物
や塩素系溶剤を配合した酸性剥離液や水溶性有機アミン
と各種有機溶剤とからなるアルカリ性剥離液が使用され
てきた。前記酸性剥離液のアルキルベンゼンスルホン酸
は基板の導電性金属膜等を腐食し易く、また配合成分の
フェノール化合物は毒性があり、しかも塩素系溶剤は環
境汚染となる等、作業性、環境問題、基板の腐食性等に
問題があり、水溶性有機アミン、特にモノエタノールア
ミンを必須成分とするアルカリ性剥離液が多く使用され
るようになった。そのため多くの研究がなされ、様々な
剥離液が提案がされている。例えば米国特許第４６１７
２５１号明細書には、（ａ）モノエタノールアミン、２
−（２−アミノエトキシ）エタノール等の有機アミン類
と（ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシド、カルビトールアセテート、メトキシ
アセトキシプロパン等の有機極性溶媒の２成分からなる
レジスト剥離液が、特開昭６２ー４９３５５号公報に
は、（ａ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン又は
エチレンジアミンのエチレンオキサイド付加物等のアル
キレンポリアミン、（ｂ）スルホラン等のスルホン化合
物、（ｃ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルモノアルキルエーテルを特定割合で配合した剥離液
が、特開昭６３ー２０８０４３号公報には、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンとモノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミン等の水溶性有機アミンを含有し
たポジ型レジスト用水溶性剥離液が、特開昭６３ー２３
１３４３号公報には、（ａ）モノエタノールアミン、エ
チレンジアミン、ピペリジン、ベンジルアミン等のアミ
ン類、（ｂ）ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶
媒、（ｃ）界面活性剤からなるレジストパターンの剥離
液が、特開昭６４ー４２６５３号公報には、（ａ）ジメ
チルスルホキシド、（ｂ）ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエー
テル、γ−ブチロラクトン及び１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノンの中から選ばれた少なくとも１種、
（ｃ）モノエタノールアミン等の含窒素有機ヒドロキシ
ル化合物を特定の割合で配合したポジ型ホトレジスト用
剥離剤が提案されている。これらの剥離液は安全性、作
業性、レジスト剥離性、アッシング、イオン注入法やプ
ラズマ処理等で異常硬化・変質したレジスト膜の剥離
性、導電性金属膜の腐食防止性等に優れた特性を示す。
来、アルキルベンゼンスルホン酸にフェノール系化合物
や塩素系溶剤を配合した酸性剥離液や水溶性有機アミン
と各種有機溶剤とからなるアルカリ性剥離液が使用され
てきた。前記酸性剥離液のアルキルベンゼンスルホン酸
は基板の導電性金属膜等を腐食し易く、また配合成分の
フェノール化合物は毒性があり、しかも塩素系溶剤は環
境汚染となる等、作業性、環境問題、基板の腐食性等に
問題があり、水溶性有機アミン、特にモノエタノールア
ミンを必須成分とするアルカリ性剥離液が多く使用され
るようになった。そのため多くの研究がなされ、様々な
剥離液が提案がされている。例えば米国特許第４６１７
２５１号明細書には、（ａ）モノエタノールアミン、２
−（２−アミノエトキシ）エタノール等の有機アミン類
と（ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシド、カルビトールアセテート、メトキシ
アセトキシプロパン等の有機極性溶媒の２成分からなる
レジスト剥離液が、特開昭６２ー４９３５５号公報に
は、（ａ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン又は
エチレンジアミンのエチレンオキサイド付加物等のアル
キレンポリアミン、（ｂ）スルホラン等のスルホン化合
物、（ｃ）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルモノアルキルエーテルを特定割合で配合した剥離液
が、特開昭６３ー２０８０４３号公報には、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンとモノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミン等の水溶性有機アミンを含有し
たポジ型レジスト用水溶性剥離液が、特開昭６３ー２３
１３４３号公報には、（ａ）モノエタノールアミン、エ
チレンジアミン、ピペリジン、ベンジルアミン等のアミ
ン類、（ｂ）ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶
媒、（ｃ）界面活性剤からなるレジストパターンの剥離
液が、特開昭６４ー４２６５３号公報には、（ａ）ジメ
チルスルホキシド、（ｂ）ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエー
テル、γ−ブチロラクトン及び１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノンの中から選ばれた少なくとも１種、
（ｃ）モノエタノールアミン等の含窒素有機ヒドロキシ
ル化合物を特定の割合で配合したポジ型ホトレジスト用
剥離剤が提案されている。これらの剥離液は安全性、作
業性、レジスト剥離性、アッシング、イオン注入法やプ
ラズマ処理等で異常硬化・変質したレジスト膜の剥離
性、導電性金属膜の腐食防止性等に優れた特性を示す。
【０００４】しかしながら、最近の半導体デバイスや液
晶デバイスの製造においては、剥離液が１１０〜１３０
℃の高温に保持される過酷な条件下で使用されることが
発生し、前記モノエタノールアミンを必須成分とする剥
離液では、前記条件での剥離処理を行うと、処理後のア
セトンやメチルエチルケトン等の極性溶媒によるリンス
工程で不溶物が析出し、それが導電性金属膜の上に微粒
子として付着し、半導体デバイスや液晶デバイスの作成
に大きな支障をきたし、高品質のデバイスを歩留まりよ
く製造することができないという問題があった。また、
モノエタノールアミンを使用しないトリエタノールアミ
ンを必須の成分とするアルカリ性剥離液が特開平４ー３
０５６５３号公報で提案されているが、該剥離液は剥離
作用が劣り、１０μｍ以下の微細なパターンの形成が困
難で、高度化した半導体デバイスや液晶デバイスの製造
に使用できない。また特開昭６４ー８１９４９号公報に
は、（ａ）γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンより選ばれる少な
くとも１種と（ｂ）Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、
ジエチルアミノエタノール、２−エチルアミノエタノー
ルなどのアミノアルコール類と（ｃ）水を含有するホト
レジスト剥離液が、さらに特開昭６４ー８１９５０号公
報には、（ａ）ジメチルスルホキシドと（ｂ）Ｎ−ｎ−
ブチルエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、
２−エチルアミノエタノールなどのアミノアルコール類
と（ｃ）水を含有するホトレジスト剥離液が提案されて
いる。これらの特開昭６４−８１９４９号公報、特開昭
６４ー８１９５０号公報の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）成分
の配合割合は、（ａ）成分３０ｗｔ％以上、（ｂ）成分
１〜５０ｗｔ％及び（ｃ）成分５〜６０ｗｔ％であり、
いずれも水を含有し導電性金属膜を腐食するという欠点
があった。
晶デバイスの製造においては、剥離液が１１０〜１３０
℃の高温に保持される過酷な条件下で使用されることが
発生し、前記モノエタノールアミンを必須成分とする剥
離液では、前記条件での剥離処理を行うと、処理後のア
セトンやメチルエチルケトン等の極性溶媒によるリンス
工程で不溶物が析出し、それが導電性金属膜の上に微粒
子として付着し、半導体デバイスや液晶デバイスの作成
に大きな支障をきたし、高品質のデバイスを歩留まりよ
く製造することができないという問題があった。また、
モノエタノールアミンを使用しないトリエタノールアミ
ンを必須の成分とするアルカリ性剥離液が特開平４ー３
０５６５３号公報で提案されているが、該剥離液は剥離
作用が劣り、１０μｍ以下の微細なパターンの形成が困
難で、高度化した半導体デバイスや液晶デバイスの製造
に使用できない。また特開昭６４ー８１９４９号公報に
は、（ａ）γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンより選ばれる少な
くとも１種と（ｂ）Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、
ジエチルアミノエタノール、２−エチルアミノエタノー
ルなどのアミノアルコール類と（ｃ）水を含有するホト
レジスト剥離液が、さらに特開昭６４ー８１９５０号公
報には、（ａ）ジメチルスルホキシドと（ｂ）Ｎ−ｎ−
ブチルエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、
２−エチルアミノエタノールなどのアミノアルコール類
と（ｃ）水を含有するホトレジスト剥離液が提案されて
いる。これらの特開昭６４−８１９４９号公報、特開昭
６４ー８１９５０号公報の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）成分
の配合割合は、（ａ）成分３０ｗｔ％以上、（ｂ）成分
１〜５０ｗｔ％及び（ｃ）成分５〜６０ｗｔ％であり、
いずれも水を含有し導電性金属膜を腐食するという欠点
があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、Ｎーアルキルアル
カノールアミンと特定の有機溶媒からなる溶液を剥離液
として使用することにより、高温の過酷な剥離処理であ
っても不溶物の析出がなく、微粒子の基板への付着の少
ないレジスト剥離液組成物が得られることを見出し、本
発明を完成したものである。
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、Ｎーアルキルアル
カノールアミンと特定の有機溶媒からなる溶液を剥離液
として使用することにより、高温の過酷な剥離処理であ
っても不溶物の析出がなく、微粒子の基板への付着の少
ないレジスト剥離液組成物が得られることを見出し、本
発明を完成したものである。
【０００６】すなわち、本発明は、作業性、安全上の問
題がなく、ポジ型及びネガ型レジストの両方に使用可能
で、剥離性、腐食防止性の高いレジスト剥離液組成物を
提供することを目的とする。
題がなく、ポジ型及びネガ型レジストの両方に使用可能
で、剥離性、腐食防止性の高いレジスト剥離液組成物を
提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、過酷な使用条件下でも基
板に微粒子を付着させることの少ないレジスト剥離液組
成物を提供することを目的とする。
板に微粒子を付着させることの少ないレジスト剥離液組
成物を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミン５０〜９
０重量％と（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチル
−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種を含有す
ることを特徴とするレジスト剥離液組成物に係る。
明は、（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミン５０〜９
０重量％と（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチル
−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種を含有す
ることを特徴とするレジスト剥離液組成物に係る。
【０００９】上述のとおり本発明の剥離液組成物は
（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミンを必須成分と
し、これに（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチル
−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種を含有せ
しめた熱安定性の向上した剥離液組成物である。前記剥
離液組成物にはさらに（ｃ）芳香族ヒドロキシ化合物、
（ｄ）カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、
並びに（ｅ）トリアゾール化合物の配合剤の単独、又は
２種以上を組合せて含有させることができる。この配合
剤の配合により剥離性、剥離安定性、及び防食性、特に
水洗リンス処理の際の防食性が一層向上する。また、界
面活性剤等の他の添加剤も本発明の剥離液組成物を変質
しない範囲内で添加することもできる。
（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミンを必須成分と
し、これに（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−メチル
−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種を含有せ
しめた熱安定性の向上した剥離液組成物である。前記剥
離液組成物にはさらに（ｃ）芳香族ヒドロキシ化合物、
（ｄ）カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、
並びに（ｅ）トリアゾール化合物の配合剤の単独、又は
２種以上を組合せて含有させることができる。この配合
剤の配合により剥離性、剥離安定性、及び防食性、特に
水洗リンス処理の際の防食性が一層向上する。また、界
面活性剤等の他の添加剤も本発明の剥離液組成物を変質
しない範囲内で添加することもできる。
【００１０】上記（ａ）成分は、本発明の剥離液組成物
において、剥離性、過酷な使用条件下で基板に微粒子を
付着させることのない性能を有する化合物であって、具
体的にはＮーメチルエタノールアミン、Ｎーエチルエタ
ノールアミン、Ｎープロピルエタノールアミン等が挙げ
られ、特にＮーメチルエタノールアミン及びＮーエチル
エタノールアミンが好ましい。
において、剥離性、過酷な使用条件下で基板に微粒子を
付着させることのない性能を有する化合物であって、具
体的にはＮーメチルエタノールアミン、Ｎーエチルエタ
ノールアミン、Ｎープロピルエタノールアミン等が挙げ
られ、特にＮーメチルエタノールアミン及びＮーエチル
エタノールアミンが好ましい。
【００１１】上記（ｂ）成分は、（ａ）成分と混和性に
優れ、（ａ）成分と混合することにより、腐食防止性に
寄与する。
優れ、（ａ）成分と混合することにより、腐食防止性に
寄与する。
【００１２】配合剤の（ｃ）成分としては、クレゾー
ル、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、
ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼント
リオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジ
ルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ
−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノ
ール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、ア
ミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒ
ドロキシ安息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、
２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ
安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げるこ
とができ、中でもピロカテコールが好適である。これら
の化合物の単独、又は２種以上を組合せて配合できる。
ル、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、
ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼント
リオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジ
ルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ
−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノ
ール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、ア
ミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒ
ドロキシ安息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、
２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ
安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げるこ
とができ、中でもピロカテコールが好適である。これら
の化合物の単独、又は２種以上を組合せて配合できる。
【００１３】また、配合剤の（ｄ）成分としては、有機
カルボン酸又はそれらの酸無水物であって、具体例には
蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フ
マル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼント
リカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン
酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水
コハク酸、サリチル酸等を挙げることができる。好まし
いカルボキシル基含有有機化合物としては、蟻酸、フタ
ル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサリチル酸があ
り、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリチル酸が好適
である。これらの化合物の単独、又は２種以上を組合せ
て配合できる。
カルボン酸又はそれらの酸無水物であって、具体例には
蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フ
マル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼント
リカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン
酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水
コハク酸、サリチル酸等を挙げることができる。好まし
いカルボキシル基含有有機化合物としては、蟻酸、フタ
ル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサリチル酸があ
り、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリチル酸が好適
である。これらの化合物の単独、又は２種以上を組合せ
て配合できる。
【００１４】さらに、配合剤の（ｅ）成分でとしては、
例えばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、
ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カ
ルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾト
リアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシ
プロピルベンゾトリアゾール等を挙げることができ、中
でもベンゾトリアゾールが好適である。これらの化合物
の単独、又は２種以上を組合せて配合できる。これらの
配合剤を（ａ）成分及び（ｂ）成分に加えて配合させる
ことにより、剥離性、剥離安定性、及び防食性が一段と
向上する。したがって、用いるレジスト組成物、剥離温
度等の剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処
理等によるレジスト変質膜の生成条件、又はのちのリン
ス処理条件等に応じて適宜組わ合せて用いることができ
る。特に剥離処理のあとに水洗リンス処理を行う場合、
基板が腐食されやすいのでこのような配合剤を用いるの
が好ましい。
例えばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、
ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カ
ルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾト
リアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシ
プロピルベンゾトリアゾール等を挙げることができ、中
でもベンゾトリアゾールが好適である。これらの化合物
の単独、又は２種以上を組合せて配合できる。これらの
配合剤を（ａ）成分及び（ｂ）成分に加えて配合させる
ことにより、剥離性、剥離安定性、及び防食性が一段と
向上する。したがって、用いるレジスト組成物、剥離温
度等の剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処
理等によるレジスト変質膜の生成条件、又はのちのリン
ス処理条件等に応じて適宜組わ合せて用いることができ
る。特に剥離処理のあとに水洗リンス処理を行う場合、
基板が腐食されやすいのでこのような配合剤を用いるの
が好ましい。
【００１５】本発明の剥離液組成物は上記各成分を以下
の配合割合で配合する。すなわち、
の配合割合で配合する。すなわち、
【００１６】（ｉ）（ａ）成分と（ｂ）成分の２成分系
の場合、（ａ）成分５０〜９０重量％、好ましくは６０
〜９０重量％、（ｂ）成分５０〜１０重量％、好ましく
は４０〜１０重量％；
の場合、（ａ）成分５０〜９０重量％、好ましくは６０
〜９０重量％、（ｂ）成分５０〜１０重量％、好ましく
は４０〜１０重量％；
【００１７】（ｉｉ）（ａ）成分と（ｂ）成分と
（ｃ）、（ｄ）又は（ｅ）成分からなる３成分系の場
合、（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）、
（ｄ）又は（ｅ）成分１〜２０重量％、好ましくは１〜
１０重量％；
（ｃ）、（ｄ）又は（ｅ）成分からなる３成分系の場
合、（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）、
（ｄ）又は（ｅ）成分１〜２０重量％、好ましくは１〜
１０重量％；
【００１８】（ｉｉｉ）（ａ）成分と（ｂ）成分と
（ｃ）又は（ｄ）成分と（ｅ）成分とからなる４成分系
の場合、（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）
又は（ｄ）成分１〜２０重量％、好ましくは１〜１０重
量％、及び（ｅ）成分０．２〜５重量％、好ましくは
０．５〜２重量％；
（ｃ）又は（ｄ）成分と（ｅ）成分とからなる４成分系
の場合、（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）
又は（ｄ）成分１〜２０重量％、好ましくは１〜１０重
量％、及び（ｅ）成分０．２〜５重量％、好ましくは
０．５〜２重量％；
【００１９】（ｉｖ）（ａ）成分と（ｂ）成分と（ｃ）
成分と（ｄ）成分からなる４成分系の場合、（ｉ）の２
成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）成分１〜２０重量
％、好ましくは１〜１０重量％、及び（ｄ）成分１〜２
０重量％、好ましくは１〜１０重量％；
成分と（ｄ）成分からなる４成分系の場合、（ｉ）の２
成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）成分１〜２０重量
％、好ましくは１〜１０重量％、及び（ｄ）成分１〜２
０重量％、好ましくは１〜１０重量％；
【００２０】（ｖ）（ａ）成分と（ｂ）成分と（ｃ）成
分と（ｄ）成分と（ｅ）成分からなる５成分系の場合、
（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）成分１〜
２０重量％、好ましくは１〜１０重量％、（ｄ）成分１
〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量％、及び（ｅ）
成分０．２〜５重量％、好ましくは０．５〜２重量％；
分と（ｄ）成分と（ｅ）成分からなる５成分系の場合、
（ｉ）の２成分系のレジスト剥離液に、（ｃ）成分１〜
２０重量％、好ましくは１〜１０重量％、（ｄ）成分１
〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量％、及び（ｅ）
成分０．２〜５重量％、好ましくは０．５〜２重量％；
【００２１】配合割合が上記範囲を逸脱すると、剥離
性、剥離安定性、防食性等が劣るため各成分を上記範囲
で配合するのが肝要である。
性、剥離安定性、防食性等が劣るため各成分を上記範囲
で配合するのが肝要である。
【００２２】本発明の剥離液組成物は、基板上に形成さ
れたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温度で接触さ
せて使用されるが、特に１１０〜１３０℃の温度で長時
間、例えば約１日、接触させて使用してもリンス工程で
不溶物が析出しにくいため、それが微粒子となって基板
に付着することが少なく、過酷な条件下での剥離処理に
特に有効である。
れたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温度で接触さ
せて使用されるが、特に１１０〜１３０℃の温度で長時
間、例えば約１日、接触させて使用してもリンス工程で
不溶物が析出しにくいため、それが微粒子となって基板
に付着することが少なく、過酷な条件下での剥離処理に
特に有効である。
【００２３】また、本発明のレジスト剥離液組成物は、
ネガ型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用
いて現像できるレジストに有用に利用できる。前記レジ
ストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノ
ボラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光
により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水
溶液に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸
を発生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含
有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
ネガ型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用
いて現像できるレジストに有用に利用できる。前記レジ
ストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノ
ボラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光
により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水
溶液に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸
を発生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含
有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
【００２４】次に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００２５】
実施例１〜３ シリコンウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノ
ボラック樹脂からなるポジ型レジストであるＯＦＰＲ−
８００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、１
１０℃にて、９０秒間のプレベークを施し、膜厚で１．
２６μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮ
ＳＲー１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製）を用いてマスクパ
ターンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジスト
パターンを形成した。次いで、１４０℃で３００秒間の
ポストベークを行った。
ボラック樹脂からなるポジ型レジストであるＯＦＰＲ−
８００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、１
１０℃にて、９０秒間のプレベークを施し、膜厚で１．
２６μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮ
ＳＲー１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製）を用いてマスクパ
ターンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジスト
パターンを形成した。次いで、１４０℃で３００秒間の
ポストベークを行った。
【００２６】上記レジストパターンを有するシリコンウ
エーハを表１に示す組成であって、１２０℃で２４時間
保持したレジスト用剥離液組成物に、１０分間浸漬し、
剥離処理を行った。前記剥離処理した基板をアセトンに
３分間浸漬しリンス処理を行ったのち水洗し、乾燥し
た。得られたシリコンウェーハの表面に付着した微粒子
の数を表面検査装置ＷＩＳー８５０（キヤノン社製）を
用いて測定した。その結果を表１に示す。
エーハを表１に示す組成であって、１２０℃で２４時間
保持したレジスト用剥離液組成物に、１０分間浸漬し、
剥離処理を行った。前記剥離処理した基板をアセトンに
３分間浸漬しリンス処理を行ったのち水洗し、乾燥し
た。得られたシリコンウェーハの表面に付着した微粒子
の数を表面検査装置ＷＩＳー８５０（キヤノン社製）を
用いて測定した。その結果を表１に示す。
【００２７】別に、剥離液による基板の腐食を調べるた
めに１０，０００Åの厚さのアルミニウムパターンを有
するシリコンウェーハを表１に示す組成の剥離液中に９
０℃で浸漬し、アルミニウムパターンの腐食速度を浸漬
時間（分）とアルミニウムの腐食量（ｍÅ）から算出し
た。これを腐食性速度Ａとする。また、水洗リンス処理
の際の基板の腐食を調べるために強制試験として、１
０，０００Åのアルミニウムパターンを有するシリコン
ウェ−ハを表１に示す組成の剥離液１０重量％を含有す
る水溶液に４０℃にて、２０分間浸漬し、アルミニウム
パターンの腐食速度を浸漬時間（分）とアルミニウムの
腐食量（ｍÅ）から算出した。これを腐食速度Ｂとす
る。これらの結果を表１に示す。
めに１０，０００Åの厚さのアルミニウムパターンを有
するシリコンウェーハを表１に示す組成の剥離液中に９
０℃で浸漬し、アルミニウムパターンの腐食速度を浸漬
時間（分）とアルミニウムの腐食量（ｍÅ）から算出し
た。これを腐食性速度Ａとする。また、水洗リンス処理
の際の基板の腐食を調べるために強制試験として、１
０，０００Åのアルミニウムパターンを有するシリコン
ウェ−ハを表１に示す組成の剥離液１０重量％を含有す
る水溶液に４０℃にて、２０分間浸漬し、アルミニウム
パターンの腐食速度を浸漬時間（分）とアルミニウムの
腐食量（ｍÅ）から算出した。これを腐食速度Ｂとす
る。これらの結果を表１に示す。
【００２８】なお、上記剥離液組成物によるレジスト膜
の剥離性については、モノエタノールアミンを含有する
剥離液とほぼ同様の効果を奏した。
の剥離性については、モノエタノールアミンを含有する
剥離液とほぼ同様の効果を奏した。
【００２９】実施例４〜６ 実施例１におけるリンス液をメチルエチルケトンに代
え、剥離液を表１に示す組成にした以外は、実施例１と
同様にして、シリコンウェーハ表面に付着した微粒子の
数を測定した。また、腐食速度Ａ、腐食速度Ｂについて
も実施例１と同様に算出した。それらの結果を表１に示
す。
え、剥離液を表１に示す組成にした以外は、実施例１と
同様にして、シリコンウェーハ表面に付着した微粒子の
数を測定した。また、腐食速度Ａ、腐食速度Ｂについて
も実施例１と同様に算出した。それらの結果を表１に示
す。
【００３０】なお、レジスト膜の剥離性については、モ
ノエタノールアミンを含有する剥離液とほぼ同様であっ
た。
ノエタノールアミンを含有する剥離液とほぼ同様であっ
た。
【００３１】比較例１〜３ 実施例１において、剥離液を表１の比較例１〜３に示す
組成に代えた以外は実施例１と同様にして、シリコンウ
ェーハ表面に付着した微粒子の数を測定した。また、腐
食速度Ａ、腐食速度Ｂについても実施例１と同様に算出
した。それらの結果を表１に示す。
組成に代えた以外は実施例１と同様にして、シリコンウ
ェーハ表面に付着した微粒子の数を測定した。また、腐
食速度Ａ、腐食速度Ｂについても実施例１と同様に算出
した。それらの結果を表１に示す。
【００３２】比較例４〜６ 実施例４において、剥離液を表１の比較例４〜６に示す
組成に代えた以外は実施例４と同様にして、シリコンウ
ェーハ表面に付着した微粒子の数を測定した。また、腐
食速度Ａ、腐食速度Ｂについても実施例１と同様に算出
した。それらの結果を表１に示す。
組成に代えた以外は実施例４と同様にして、シリコンウ
ェーハ表面に付着した微粒子の数を測定した。また、腐
食速度Ａ、腐食速度Ｂについても実施例１と同様に算出
した。それらの結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】 註）ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００３４】実施例７〜１２ 実施例１において、剥離液を表２に示す組成に代えた以
外は実施例１と同様にして、シリコンウェーハ表面に付
着した微粒子の数を測定した。また、実施例１と同様に
して腐食速度Ａと腐食速度Ｂを調べた。その結果を表２
に示す。
外は実施例１と同様にして、シリコンウェーハ表面に付
着した微粒子の数を測定した。また、実施例１と同様に
して腐食速度Ａと腐食速度Ｂを調べた。その結果を表２
に示す。
【００３５】なお、レジスト膜の剥離性については、モ
ノエタノールアミンを含有する剥離液とほぼ同様であっ
た。
ノエタノールアミンを含有する剥離液とほぼ同様であっ
た。
【００３６】
【表２】 註）ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００３７】比較例７〜１２ 実施例１において、剥離液を表３に示す組成に代えた以
外は実施例１と同様にして、シリコンウェーハ表面に付
着した微粒子の数を測定した。また、実施例１と同様に
して腐食速度Ａと腐食速度Ｂを調べた。その結果を表３
に示す。
外は実施例１と同様にして、シリコンウェーハ表面に付
着した微粒子の数を測定した。また、実施例１と同様に
して腐食速度Ａと腐食速度Ｂを調べた。その結果を表３
に示す。
【００３８】
【表３】 註）ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００３９】上記表１、２に示すように本発明のレジス
ト剥離液組成物を用いた剥離処理ではリンス処理後に基
板に付着する微粒子の数は１００以下と少なく、しかも
基板の腐食もない。一方、表３に示すようにモノエタノ
ールアミンを必須成分とする従来の剥離液では微粒子の
数が２０００を超えデバイス製造の歩留まりが悪かっ
た。また、Ｎーアルキルアルカノールアミンを用いても
水を併用すると基板に腐食が現れた。
ト剥離液組成物を用いた剥離処理ではリンス処理後に基
板に付着する微粒子の数は１００以下と少なく、しかも
基板の腐食もない。一方、表３に示すようにモノエタノ
ールアミンを必須成分とする従来の剥離液では微粒子の
数が２０００を超えデバイス製造の歩留まりが悪かっ
た。また、Ｎーアルキルアルカノールアミンを用いても
水を併用すると基板に腐食が現れた。
【００４０】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離液組成物は、安全
性、剥離性、腐食防止性等の性質に優れ、しかも過酷な
剥離条件下においても安定に剥離作用を持続でき、その
上基板を腐食することがないので高品質の半導体素子や
液晶パネル素子を製造できる。
性、剥離性、腐食防止性等の性質に優れ、しかも過酷な
剥離条件下においても安定に剥離作用を持続でき、その
上基板を腐食することがないので高品質の半導体素子や
液晶パネル素子を製造できる。
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミン５
０〜９０重量％と（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−
メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種５
０〜１０重量％を含有することを特徴とするレジスト剥
離液組成物。 - 【請求項２】（ａ）成分がＮーメチルエタノールアミン
又はＮ−エチルエタノールアミンであることを特徴とす
る請求項１記載のレジスト剥離液組成物。 - 【請求項３】（ａ）Ｎーアルキルアルカノールアミン５
０〜９０重量％、（ｂ）ジメチルスルホキシド及びＮ−
メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種５
０〜１０重量％を含有してなるレジスト剥離液に配合剤
１〜２０重量％を添加することを特徴とするレジスト剥
離液組成物。 - 【請求項４】配合剤が芳香族ヒドロキシ化合物、カルボ
キシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリア
ゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種で
あることを特徴とする請求項４記載のレジスト剥離液組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24671294A JP3449651B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | レジスト剥離液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24671294A JP3449651B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | レジスト剥離液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887118A true JPH0887118A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3449651B2 JP3449651B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17152527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24671294A Expired - Fee Related JP3449651B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | レジスト剥離液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449651B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071868A (en) * | 1998-08-25 | 2000-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist stripping composition |
| WO2003042762A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical rinse composition |
| US7135445B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
| CN100403169C (zh) * | 2001-07-13 | 2008-07-16 | Ekc技术公司 | 亚砜吡咯烷酮链烷醇胺剥离和清洗组合物 |
| US7678751B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing photoresist, method of removing photoresist and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
| JP2011105814A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Tosoh Corp | 電子デバイスの洗浄方法 |
| JP2012018982A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 |
| JP2012032757A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| CN115291483A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-04 | 昆山晶科微电子材料有限公司 | 一种半导体剥离液及其制备方法 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP24671294A patent/JP3449651B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071868A (en) * | 1998-08-25 | 2000-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist stripping composition |
| CN100403169C (zh) * | 2001-07-13 | 2008-07-16 | Ekc技术公司 | 亚砜吡咯烷酮链烷醇胺剥离和清洗组合物 |
| WO2003042762A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical rinse composition |
| US7063930B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-06-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical rinse composition |
| CN1302342C (zh) * | 2001-11-13 | 2007-02-28 | 三星电子株式会社 | 用于去除抗蚀剂的稀释剂组合物 |
| US7135445B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
| US7678751B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing photoresist, method of removing photoresist and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
| JP2011105814A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Tosoh Corp | 電子デバイスの洗浄方法 |
| JP2012018982A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 |
| JP2012032757A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| CN115291483A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-04 | 昆山晶科微电子材料有限公司 | 一种半导体剥离液及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3449651B2 (ja) | 2003-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |