JPH0886829A - 電子部品耐電圧測定方法及び装置 - Google Patents

電子部品耐電圧測定方法及び装置

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JPH0886829A
JPH0886829A JP6247092A JP24709294A JPH0886829A JP H0886829 A JPH0886829 A JP H0886829A JP 6247092 A JP6247092 A JP 6247092A JP 24709294 A JP24709294 A JP 24709294A JP H0886829 A JPH0886829 A JP H0886829A
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JP
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measured
discharge
sound
electronic component
voltage
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JP6247092A
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Takayuki Osada
尊行 長田
Yoshio Sato
由郎 佐藤
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 チョークコイル等のコイルの絶縁低下や絶縁
破壊等の異常を容易に測定する電子部品耐電圧測定方法
及び装置を提供すること。 【構成】 被測定コイル1の巻線2の端子10には、ノ
イズシュミレータ4から終端器3を経て高電圧インパル
スが印加される。一方、分光器システム5は、集光レン
ズ6から入射した前記被測定コイル1から放電される放
電光の強さのレベルを測定する。その測定値は、メイン
アンプ8で増幅し、記録計7で記録される。前記被測定
コイル1、前記分光器システム5を暗箱9に設置する電
子部品耐電圧測定方法及び装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品等にある電圧
を印加した時に発生する放電現象による放電光及び放電
音を定量的に測定する電子部品耐電圧測定方法及び装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の電磁雑音に対するイミ
ュニティ(耐ノイズ性)が社会的な問題となり、注目さ
れている。これに伴って、イミュニティ試験が盛んに行
われるようになってきている。その代表例が、高電圧イ
ンパルス試験で、この試験はパルス幅50×10-2μs
ec〜1μsec、電圧1000V〜2000V以上、
両極性の方形波を電子機器の電源入力回路に一定時間入
力し、電子機器に異常が発生したか否かを判定する方法
である。
【0003】しかし、通常、ノイズフィルタとして電源
入力回路にチョークコイル(以下、単にコイルと称す)
が実装されており、高電圧インパルス試験を行うと、同
相の巻線間に放電現象が発生することがある。この放電
現象は、コイルのインダクタンスが低下して、ノイズフ
ィルタとしての効果がなくなり、コイルの絶縁低下や絶
縁破壊に進行するものであり、又、放電したコイル自身
がノイズ源となり、電子機器の誤動作の原因となる可能
性がある。
【0004】 従来、こうしたインパルス電圧によるコ
イルの絶縁低下や絶縁破壊の測定には、例えば、特開昭
60−4407号公報に提示されたインパルス巻線試験
器を利用した測定方法がある。図9に、この測定方法の
原理構成図を示す。
【0005】この方法は、高圧電源12から高圧コンデ
ンサ13に直流の高電圧をチャージし、高圧コンデンサ
13にチャージされた高電圧は、サイリスタ(SCR)
14のゲートをトリガ回路15でトリガすることによっ
て、被測定コイル1に高電圧インパルス電圧を印加する
ものである。高電圧インパルス電圧を印加すると、その
電気エネルギーを受け渡された該被測定コイル1は、コ
ンデンサ11との間で減衰振動を開始する。その減衰振
動の波形を正常特性を持つ基準となるマスタコイルが持
つ波形と比較し、被測定コイルの絶縁低下や絶縁破壊を
測定するものである。この時、波形の観測は、高速A/
Dコンバータ16により数列に変換され、メモリ(RA
M)17に格納され、表示や良否判定の演算処理が行わ
れ、この高速A/Dコンバータ16は、インパルス応答
波形、即ち、トランジェット波形を捉えることに十分な
スピードでなくてはならず、現在の試験機では毎50×
10-2μsecで変換可能なA/Dコンバータが使用さ
れている。又、高圧電源12は、データとして保管され
ているインパルス電圧をマイクロコンピュータ19の制
御によって再現するために、自動制御可能なスイッチン
グ高圧電源が使用されている。18は表示器、20はD
/Aコンバータである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したインパルス巻
線試験器によるコイルの電気エネルギーの減衰振動を測
定する方法では、コイルのインダクタンス値及び線間容
量の個体差が大きく、全てのコイルがマスターコイルと
同等の特性になるとは限らない。従って、マスターコイ
ルを用いて測定した基本的な減衰振動波形に対して、被
測定物を用いて測定した波形が同様の特性にならない場
合も多く、測定が困難になる。
【0007】更に、マスターコイルが劣化することが考
えられ、同一の条件で試験を行うために、マスターコイ
ルの管理が必要である。一方、上記した放電現象の室内
においての放電測定では、目視できるような持続放電に
ついては測定可能であるが、非持続放電並びに微弱な放
電の測定は困難である。
【0008】従って、本発明の課題は、前記問題点を解
消したコイルの絶縁低下や絶縁破壊等の異常を容易に測
定できる電子部品耐電圧測定方法及び装置を提供するこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、被測定電子部品に高電圧を印加し、前
記被測定電子部品の放電光の有無を検出し、前記放電光
の波長を分析測定することにより、前記被測定電子部品
の耐電圧特性を測定評価することを特徴とする電子部品
耐電圧測定方法を供し、少なくとも被測定電子部品、
及び集光装置を外部からの光を遮断する機能を有する箱
内に収納することを特徴とする前記記載の電子部品耐
電圧測定装置を供し、被測定電子部品に高電圧を印加
し、前記被測定電子部品の放電音の有無を検出し、前記
放電音の周波数を分析測定することにより、前記被測定
電子部品の耐電圧特性を測定評価することを特徴とする
電子部品耐電圧測定方法を供し、少なくとも被測定電
子部品、及び集音装置を外部からの音を遮断する機能を
有する箱内に収納することを特徴とする前記記載の電
子部品耐電圧測定装置を供し、被測定電子部品に高電
圧を印加し、前記被測定電子部品の放電光及び放電音の
有無を検出し、前記放電光の波長及び放電音の周波数を
分析測定することにより、前記被測定電子部品の耐電圧
特性を測定評価することを特徴とする電子部品耐電圧測
定方法を供し、少なくとも被測定電子部品、集光装
置、及び集音装置を外部からの光及び音を遮断する機能
を有する箱内に収納することを特徴とする前記記載の
電子部品耐電圧測定装置を供する。
【0010】
【作用】本発明では、コイルに高電圧インパルスを加
え、放電現象により発生する放電光、又は放電音、又は
放電光と放電音は、コイル破壊前にも放出されるので、
これを暗箱、又は防音箱、又は防音性暗箱の中で測定す
ることにより、微弱な放電音や放電光が捕捉でき、コイ
ルの絶縁低下や絶縁破壊の兆候を捉らえることが可能と
なる。
【0011】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面をもとに説明
する。
【0012】(実施例1)図1は、本発明の実施例1を
示すコイルの放電現象による放電光を測定するシステム
のブロック図である。
【0013】図1において、被測定コイル1は、巻線2
を持つコモンモードチョークコイル、或いはノーマルモ
ードチョークコイルである。前記巻線2を巻き回した前
記被測定コイル1の端子10には、ノイズシュミレータ
4から終端器3を経て、高電圧インパルスが印加されて
いる。
【0014】一方、発生する放電光を測定するには、分
光器システム5による。この集光・分光システムとして
の分光器システム5は、モノクロメーター、メインアン
プと記録計から構成される。モノクロメーターは、集光
装置の集光レンズ、光分析装置、光電子増倍管、波長駆
動装置から構成される。被測定電子部品の放電により、
放電光が集光装置の集光レンズ6に入射し、その放電光
の入射光は光分析装置に入り、ある特定の波長、もしく
はスペクトラムに波長駆動装置によって分解され、前記
放電光の強さのレベルを測定する。その測定の結果は、
メインアンプ8で規定の値まで増幅し、記録計7によっ
て記録する。
【0015】メインアンプ8及び記録計7以外は、暗箱
9内に設置されている。暗箱は、黒色の布で内部を覆っ
た木製の箱を用いた。
【0016】又、分光器システムの分光器の中に光電子
増倍管が設置され、前記光分析装置から出た光は、前記
光電子増倍管に入り、負高圧の電圧を印加するようにな
っている。この負高圧の印加電圧が大きいほど、出力電
圧が大きくなり、この分光器には300V〜2000V
(100Vステップ毎)の切り換えスイッチが付いて、
負高圧の印加電圧を上げることができる。又、利得(G
ain)は、光電子増倍管から出力されている電圧を電
気的に増幅するものである。即ち、この分光器には、
1,2,5,10,20,50,100,200倍にす
ることができる切り換えスイッチが付いている。利得
(Gain)掛ける1、即ち、×1は、前記切り換えス
イッチによって1倍にしたという意味である。
【0017】図2に、その一実施例の記録結果、即ち、
放電光のスペクトラムを示す。印加した高電圧インパル
スは、パルス幅1μsecで、電圧の高さ1100Vか
ら1800Vまで変化させた。又、光の強さのレベルを
縦軸にとり、放電光の波長を横軸にとり、その各電圧の
パラメータとも、スケールは同じ値とした。
【0018】図2(a)は、高電圧インパルスがパルス
幅1μsecで、電圧の高さが1100Vで、負電圧の
印加電圧が−1000Vで、利得が×1である条件での
放電光のスペクトラムである。
【0019】図2(b)は、高電圧インパルスがパルス
幅1μsecで、電圧の高さが1400Vで、負電圧の
印加電圧が−1000Vで、利得が×1である条件での
放電光のスペクトラムである。
【0020】図2(c)は、高電圧インパルスがパルス
幅1μsecで、電圧の高さが1800Vで、負電圧の
印加電圧が−1000Vで、利得が×1である条件での
放電光のスペクトラムを示している。
【0021】この測定結果では、放電光の波長333n
mの場合が最も相対レベルが高くなって、電圧1800
Vにて異常に高い放電光のスペクトラムが観測されてい
る。
【0022】従来のインパルス巻線試験器では、巻線2
の絶縁低下や絶縁破壊の兆候を上述したレベルでは、捉
えることが不可能である。
【0023】本発明による放電光測定では、暗箱9の中
での測定なので、微弱な異常の兆候を捉えることが可能
である。
【0024】放電光のスペクトラムの結果を前もって測
定し、正常なコイルの測定値と比較し、その良否を決め
ておくことにより、コイル等の生産現場の品質管理にも
適応が可能である。
【0025】(実施例2)以下に、本発明の実施例2を
図面をもとに説明する。
【0026】図3は、本発明の実施例2を示すコイルの
放電現象による放電音を測定するシステムのブロック図
である。
【0027】図3において、被測定コイル1は、巻線2
を持つコモンモードチョークコイル、或いはノーマルモ
ードチョークコイルである。被測定コイル1の巻線2の
端子10には、ノイズシュミレータ4から終端器3を経
て、高電圧インパルスが印加されている。
【0028】集音、分音システムとしては、騒音計2
1、ディジタルオシロスコープ23、又は高速フーリエ
変換解析器(FFTアナライザー)24から構成され
る。発生する放電音を測定するには、騒音計21によ
る。この騒音計21は、集音装置として防風スクリーン
内にマイクロホン22が設置されており、このマイクロ
ホン22で音を感知し、電圧に変換し、更に、内部の電
気回路で、その電圧を減衰・増幅させ、集音した騒音レ
ベルを測定するものである。その騒音レベルは、タイム
ドメインレベルでディジタルオシロスコープ23を使用
し、又は、周波数ドメインレベルでは、FFTアナライ
ザー24を用いて観測する。前記ディジタルオシロスコ
ープ23及び前記FFTアナライザー24以外は、防音
箱25内に設置されている。防音箱は、コンクリート製
の箱を用いた。
【0029】図4は、その実施例2の記録結果、タイム
ドメインでの放電音の騒音レベルの観測結果である。印
加したインパルス波形は、パルス幅1μsecで、電圧
の高さを1000Vから1800Vまで変化させた。各
々、図4(a)は、電圧の高さが1000Vの場合で、
放電音を測定する装置によって放電音を発生しない時の
波形を示す図であり、図4(b)は、電圧の高さが11
00Vの場合、図4(c)は、電圧の高さが1800V
の場合の放電音波形である。騒音計の出力電圧を縦軸に
とり、時間を横軸にとり、その各電圧のパラメーターと
も同じ値とした。図4の縦軸の1目盛りが500mVで
あり、横軸の1目盛りが500μsecである。
【0030】又、図5に、実施例2の記録結果、FFT
アナライザー24を用いて測定した周波数ドメインでの
放電音の音圧レベルの観測結果を示す。測定条件は、図
4の場合と同じである。騒音の周波数をX軸にとり、騒
音の相対レベルをY軸に、騒音の時間経過をZ軸にとっ
た。
【0031】この測定の結果では、図4において、イン
パルス電圧1800Vにて、異常に高いレベルの放電音
が観測されているとおり、周波数ドメインにおいても、
図5に示すように、インパルス電圧1800Vにおい
て、同様に、約5KHzから20KHzの周波数帯に異
常に高いレベルの放電音のスペクトラムが観測される。
【0032】従来のインパルス巻線試験器による減衰振
動波形では、巻線2の絶縁低下や絶縁破壊の兆候を上記
したレベルでは、捉えることが不可能である。本発明に
よる放電音の測定では、防音箱25内の測定なので、微
弱な放電の兆候を捉えることが可能である。
【0033】放電音の測定の結果と、前もって測定した
正常なコイルの測定値との比較により、その良否を決め
ておくことにより、コイル等の生産現場にも適応が可能
である。
【0034】(実施例3)以下に、本発明の実施例3を
図面をもとに説明する。
【0035】図6は、本発明の実施例3を示すコイルの
放電現象による放電光及び放電音を測定するシステムの
ブロック図である。
【0036】図6において、防音性暗箱26内に設置さ
れた被測定コイル1は、巻線2を持つコモンモードチョ
ークコイル、或いはノーマルモードチョークコイルであ
る。被測定コイル1の巻線2の端子10には、ノイズシ
ュミレータ4から終端器3を経て、高電圧インパルスが
印加されている。
【0037】一方、発生する放電光を測定するには、分
光器システム5による。この集光・分光システムとして
の分光器システム5は、モノクロメーター、メインアン
プと記録計から構成される。モノクロメーターは、集光
装置の集光レンズ、光分析装置、光電子増倍管、波長駆
動装置から構成される。被測定電子部品の放電により、
放電光が集光装置の集光レンズ6に入射し、その放電光
の入射光は光分析装置に入り、ある特定の波長、もしく
はスペクトラムに波長駆動装置によって分解され、前記
放電光の強さのレベルを測定する。その測定の結果は、
メインアンプ8で規定の値まで増幅し、記録計7によっ
て記録する。
【0038】又、前述のように、集音、分音システム
は、騒音計21、ディジタルオシロスコープ23、又は
FFTアナライザー24から構成される。発生する放電
音を測定するには、防音性暗箱26内に設置した騒音計
21による。この騒音計21は、集音装置として防風ス
クリーン内にマイクロホン22が設置されて、このマイ
クロホン22で音を感知し、電圧に変換し、更に、内部
の電気回路で、その電圧を減衰・増幅させ、集音した放
電の騒音レベルを測定するものである。その測定結果
は、タイムドメインにおいて、ディジタルオシロスコー
プ23で観測する。又、周波数ドメインにおける放電音
の騒音レベルは、FFTアナライザー24にて観測す
る。
【0039】この放電光及び放電音を測定するシステム
において、被測定コイル1、分光器システム5、及び騒
音計21は、防音性暗箱内に設置し、その他の機器は外
部に設置する。防音性暗箱は、コンクリート製の箱を用
いた。
【0040】図7に、その一実施例の記録結果として、
放電光を分光器システムで測定した放電光のスペクトラ
ム及び放電音のディジタルオシロスコープで測定した放
電音の波形を示す。印加したインパルス波形は、パルス
幅1μsecで、電圧の高さ500Vから1800Vま
で変化させた。図7(a)は、電圧の高さが500Vの
場合であり、放電光を測定する装置によって放電光を発
しない時のスペクトラムを示す図である。図7(b)
は、電圧の高さが1100Vの場合であり、放電光を測
定する装置によって放電光を発した時のスペクトラムを
示す図である。図7(c)は、電圧の高さが1800V
の場合であり、放電光を測定する装置によって放電光を
発した時のスペクトラムを示す図である。図7(d)
は、電圧の高さが500Vの場合であり、放電音を測定
する装置によって放電音を発しない時の波形を示す図で
ある。図7(e)は、電圧の高さが1100Vの場合で
あり、放電音を測定する装置によって放電音を発した時
の波形を示す図である。図7(f)は、電圧の高さが1
800Vの場合であり、放電音を測定する装置によって
放電音を発した時の波形を示す図である。
【0041】この測定結果では、インパルス電圧180
0Vにおいて、異常に高いレベルの放電光のスペクトラ
ムが観測され、同時に放電音の騒音レベルも高いレベル
が観測されている。この試験結果では、500V、11
00V、1800Vの3ポイントの波形を示している
が、連続的にインパルス電圧を変化させても、放電光と
放電音とがよく対応していることが確認されている。
【0042】又、図8に、インパルス電圧1100V、
及び1800Vにおける放電音のFFTアナライザーに
よる観測結果を示す。X軸に騒音の周波数、Y軸に騒音
の相対レベル、Z軸に騒音の時間経過をとっている。こ
の測定結果から、インパルス電圧が1800Vになる
と、約5KHzから20KHzの周波数帯に放電音のス
ペクトラムが顕著に見られることがわかる。
【0043】以上のように、放電光のスペクトラム、放
電音のレベル、及び放電音のスペクトラムを同時に観測
することによって、非常に精度の高い測定が可能とな
り、コイルの絶縁低下や絶縁破壊の微弱な兆候を捉える
ことが可能となる。
【0044】放電光及び放電音の測定結果と前もって測
定した正常なコイルの測定値との比較により、その良否
を決めておくことにより、コイル等の生産現場の品質管
理にも適応が可能である。
【0045】
【発明の効果】以上のように本発明は、高電圧インパル
ス電圧をコイルに印加した時の放電現象による放電光を
暗箱の中で測定するので、絶縁低下や絶縁破壊の微弱な
兆候が測定でき、品質の向上に寄与できる。更に、暗箱
の中で測定するので、高電圧による感電事故を防止でき
る。
【0046】又、高電圧インパルス電圧をコイルに印加
した時の放電現象による放電音を防音箱の中で測定する
ので、絶縁低下や絶縁破壊の微弱な兆候が測定できる。
又、コイル等の生産現場において、その良否の判定に用
いて、品質の向上に寄与できる。更に、防音箱の中で測
定するので、高電圧による感電事故を防止できる。
【0047】又、高電圧インパルス電圧をコイルに印加
した時の放電現象による放電光及び放電音を防音性暗箱
の中で測定するので、絶縁低下や絶縁破壊の微弱な兆候
が測定でき、精度の高い良否の判定が可能となるので、
コイル等の生産品質の向上に寄与できる。更に、防音性
暗箱の中で測定するので、高電圧による感電事故を防止
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放電光を測定するシステムのブロック
図。
【図2】本発明のシステムにより測定した放電光のスペ
クトラムを示す図。図2(a)は、電圧の高さが110
0Vの場合の本発明の装置によって測定した放電光のス
ペクトラムを示す図。図2(b)は、電圧の高さが14
00Vの場合の本発明の装置によって測定した放電光の
スペクトラムを示す図。図2(c)は、電圧の高さが1
800Vの場合の本発明の装置によって測定した放電光
のスペクトラムを示す図。
【図3】本発明の放電音を測定するシステムのブロック
図。
【図4】本発明のシステムにより測定したタイムドメイ
ンでの放電音の波形を示す図。図4(a)は、本発明の
電圧の高さが1000Vの場合の放電音を測定する装置
によって測定した、放電音を発しない時の波形を示す
図。図4(b)は、本発明の電圧の高さが1100Vの
場合の放電音を測定する装置によって測定した放電音波
形を示す図。図4(c)は、本発明の電圧の高さが18
00Vの場合の放電音を測定する装置によって測定した
放電音波形を示す図。
【図5】本発明のシステムにより測定した周波数ドメイ
ンでの放電音のスペクトラムを示す図。図5(a)は、
本発明の電圧の高さが1100Vの場合の放電音のスペ
クトラムを示す図。図5(b)は、本発明の電圧の高さ
が1800Vの場合の放電音のスペクトラムを示す図。
【図6】本発明の放電光及び放電音を測定するシステム
のブロック図。
【図7】本発明のシステムにより測定した放電光のスペ
クトラム及び放電音の波形を示す図。図7(a)は、電
圧の高さが500Vの場合の放電光を測定する装置によ
って測定した放電光を発しない時のスペクトラムを示す
図。図7(b)は、電圧の高さが1100Vの場合の放
電光を測定する装置によって測定した放電光を発した時
のスペクトラムを示す図。図7(c)は、電圧の高さが
1800Vの場合の放電光を測定する装置によって測定
した放電光を発した時のスペクトラムを示す図。図7
(d)は、電圧の高さが500Vの場合の放電音を測定
する装置によって測定した放電音を発しない時の波形を
示す図。図7(e)は、電圧の高さが1100Vの場合
の放電音を測定する装置によって測定した放電音を発し
た時の波形を示す図。図7(f)は、電圧の高さが18
00Vの場合の放電音を測定する装置によって測定した
放電音を発した時の波形を示す図。
【図8】本発明のシステムにより測定した放電音のスペ
クトラムを示す図。図8(a)は、本発明の電圧の高さ
が1100Vの場合の放電音のスペクトラムを示す図。
図8(b)は、本発明の電圧の高さが1800Vの場合
の放電音のスペクトラムを示す図。
【図9】従来例のインパルス巻線試験器のシステムのブ
ロック図。
【符号の説明】
1 被測定コイル 2 巻線 3 終端器 4 ノイズシュミレーター 5 分光器システム 6 集光レンズ 7 記録計 8 メインアンプ 9 暗箱 10 端子 11,13 コンデンサ 12 高圧電源 14 サイリスタ(SCR) 15 トリガ回路 16 高速A/Dコンバータ 17 メモリ(RAM) 18 表示器 19 (制御部)マイクロコンピュータ 20 D/Aコンバータ 21 騒音計 22 マイクロホン 23 ディジタルオシロスコープ 24 高速フーリエ変換解析器(FFTアナライザ
ー) 25 防音箱 26 防音性暗箱

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定電子部品に高電圧を印加し、前記
    被測定電子部品の放電光の有無を検出し、前記放電光の
    波長を分析測定することにより、前記被測定電子部品の
    耐電圧特性を測定評価することを特徴とする電子部品耐
    電圧測定方法。
  2. 【請求項2】 少なくとも被測定電子部品、及び集光装
    置を外部からの光を遮断する機能を有する箱内に収納す
    ることを特徴とする請求項1記載の電子部品耐電圧測定
    装置。
  3. 【請求項3】 被測定電子部品に高電圧を印加し、前記
    被測定電子部品の放電音の有無を検出し、前記放電音の
    周波数を分析測定することにより、前記被測定電子部品
    の耐電圧特性を測定評価することを特徴とする電子部品
    耐電圧測定方法。
  4. 【請求項4】 少なくとも被測定電子部品、及び集音装
    置を外部からの音を遮断する機能を有する箱内に収納す
    ることを特徴とする請求項3記載の電子部品耐電圧測定
    装置。
  5. 【請求項5】 被測定電子部品に高電圧を印加し、前記
    被測定電子部品の放電光及び放電音の有無を検出し、前
    記放電光の波長及び放電音の周波数を分析測定すること
    により、前記被測定電子部品の耐電圧特性を測定評価す
    ることを特徴とする電子部品耐電圧測定方法。
  6. 【請求項6】 少なくとも被測定電子部品、集光装置、
    及び集音装置を外部からの光及び音を遮断する機能を有
    する箱内に収納することを特徴とする請求項5記載の電
    子部品耐電圧測定装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012168158A (ja) * 2011-01-25 2012-09-06 Univ Of Tokyo 絶縁抵抗測定装置
JP2012242239A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 放電光検出回路、電子部品の検査システム、電子部品の検査方法、及び、その検査方法により検査された電子部品
JP2018044938A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 株式会社東芝 監視システム

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