JPH088444B2 - 偏平空洞の高周波パワーディバイダ - Google Patents
偏平空洞の高周波パワーディバイダInfo
- Publication number
- JPH088444B2 JPH088444B2 JP4113813A JP11381392A JPH088444B2 JP H088444 B2 JPH088444 B2 JP H088444B2 JP 4113813 A JP4113813 A JP 4113813A JP 11381392 A JP11381392 A JP 11381392A JP H088444 B2 JPH088444 B2 JP H088444B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- flat cavity
- power divider
- cavity
- flat
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波伝送システ
ムに関し、特に強制空冷を有する比較的高いパワーが処
理可能な高周波パワーディバイダに関する。
ムに関し、特に強制空冷を有する比較的高いパワーが処
理可能な高周波パワーディバイダに関する。
【０００２】
【従来の技術】空洞パワーディバイダは、衛星マイクロ
波伝送アンテナシステムのアクティブフェーズアレイ素
子とインターフェイスする最も適合した部品である。従
来のＲＦパワーディバイダは主に共通供給タイプであ
る。従来技術は、導波管Ｔ接合あるいはハイブリッドカ
プラを含む。方形同軸ハイブリッドカプラはパワーディ
バイダとしても使用される。
波伝送アンテナシステムのアクティブフェーズアレイ素
子とインターフェイスする最も適合した部品である。従
来のＲＦパワーディバイダは主に共通供給タイプであ
る。従来技術は、導波管Ｔ接合あるいはハイブリッドカ
プラを含む。方形同軸ハイブリッドカプラはパワーディ
バイダとしても使用される。
【０００３】従来のパワーディバイダの１例は、Harris
社による1987年の契約番号F19628-83-C-0115の“４４Ｇ
Ｈｚモノリシック等角アクティブ伝送フェーズアレイア
ンテナ”と題される文献に記載される。方形導波管プレ
ート（並列プレートあるいはPillbox Feed）、同軸転移
に対するリッジ導波管、リッジ導波管の短絡部分および
出力ポートに対する同軸から構成されるパワーディバイ
ダが記載されている。
社による1987年の契約番号F19628-83-C-0115の“４４Ｇ
Ｈｚモノリシック等角アクティブ伝送フェーズアレイア
ンテナ”と題される文献に記載される。方形導波管プレ
ート（並列プレートあるいはPillbox Feed）、同軸転移
に対するリッジ導波管、リッジ導波管の短絡部分および
出力ポートに対する同軸から構成されるパワーディバイ
ダが記載されている。
【０００４】従来技術の別の例は、Ball Aerospace社に
よる1989年３月の契約番号F19628-C-0109 の“２０ＧＨ
ｚモノリシック等角アクティブ受信フェーズアレイアン
テナ”と題される文献に記載されている。Ball社のパワ
ーディバイダは、複合マイクロストリップカプラパワー
分割回路、導波管からＥ面への転移、および出力ポート
してマイクロストリップに直接接続された小型同軸ケー
ブルから構成される。これら上記された通常の装置の欠
点は、低い熱放散効率、複雑な冷却システム、高い製造
費用、および高いＲＦ挿入損失を含む。
よる1989年３月の契約番号F19628-C-0109 の“２０ＧＨ
ｚモノリシック等角アクティブ受信フェーズアレイアン
テナ”と題される文献に記載されている。Ball社のパワ
ーディバイダは、複合マイクロストリップカプラパワー
分割回路、導波管からＥ面への転移、および出力ポート
してマイクロストリップに直接接続された小型同軸ケー
ブルから構成される。これら上記された通常の装置の欠
点は、低い熱放散効率、複雑な冷却システム、高い製造
費用、および高いＲＦ挿入損失を含む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の前記要素お
よび状態特性に関して、新しい、改善された偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダを提供することが本発明の主要目的
である。本発明の別の目的は、軽くあまり大型でない偏
平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本
発明の別の目的は、強制空冷され、構造が簡単である小
型の偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することであ
る。本発明のさらに別の目的は、アクティブ素子インタ
ーフェイス用の所望の同軸出力ポートを備えた偏平空洞
ＲＦパワーディバイダを提供することであり、平滑な位
相および振幅出力を有する５％の帯域幅を有する偏平空
洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本発明
のさらに別の目的は、無調整ねじあるいは整合リアクタ
を利用し、１４．３５ＧＨｚで２５．４ミリメートル
（１インチ）以下の非常に薄いプロフィルを有する偏平
空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本発
明のさらに別の目的は、限定された領域内で１対１６の
パワー分割を実行し、アクティブフェーズアレイ素子と
のインターフェイスに適合される偏平空洞ＲＦパワーデ
ィバイダを提供することである。
よび状態特性に関して、新しい、改善された偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダを提供することが本発明の主要目的
である。本発明の別の目的は、軽くあまり大型でない偏
平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本
発明の別の目的は、強制空冷され、構造が簡単である小
型の偏平空洞ＲＦパワーディバイダを提供することであ
る。本発明のさらに別の目的は、アクティブ素子インタ
ーフェイス用の所望の同軸出力ポートを備えた偏平空洞
ＲＦパワーディバイダを提供することであり、平滑な位
相および振幅出力を有する５％の帯域幅を有する偏平空
洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本発明
のさらに別の目的は、無調整ねじあるいは整合リアクタ
を利用し、１４．３５ＧＨｚで２５．４ミリメートル
（１インチ）以下の非常に薄いプロフィルを有する偏平
空洞ＲＦパワーディバイダを提供することである。本発
明のさらに別の目的は、限定された領域内で１対１６の
パワー分割を実行し、アクティブフェーズアレイ素子と
のインターフェイスに適合される偏平空洞ＲＦパワーデ
ィバイダを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の実施例によれ
ば、偏平空洞ＲＦパワーディバイダは水平の中心線を有
する広い壁と上部および下部の縦の壁とを有する偏平空
洞構造を含む。１端部に入力ポートを有し、導波管の広
い壁に縦の中心線を有する入力導波管構造は、空洞の広
い壁と共通している導波管の広い壁を有し、導波管の縦
の中心線は偏平空洞構造の中心線と平行であるがこの中
心線とずれている。複数の縦の分路スロットを含んでい
る結合手段は、空洞構造中に主要なＴＥ4,0 モードを励
起するために空洞の縦の中心線に沿って共通壁に配置さ
れる。本発明はまた、導波管構造に沿った比較的高い定
常波を生成するために導波管構造中に配置され、各スロ
ットを励起する最大のＥ電界を供給し、それによって偏
平空洞構造の横断軸の列を励起する湾曲した導波管短絡
回路手段、およびパワーディバイダの周波数応答特性の
改善のために縦の壁に沿って偏平空洞構造中に配置され
たＲＦ吸収手段をさらに含む。出力結合手段はＲＦパワ
ー出力を供給するための偏平空洞構造と関連される。
ば、偏平空洞ＲＦパワーディバイダは水平の中心線を有
する広い壁と上部および下部の縦の壁とを有する偏平空
洞構造を含む。１端部に入力ポートを有し、導波管の広
い壁に縦の中心線を有する入力導波管構造は、空洞の広
い壁と共通している導波管の広い壁を有し、導波管の縦
の中心線は偏平空洞構造の中心線と平行であるがこの中
心線とずれている。複数の縦の分路スロットを含んでい
る結合手段は、空洞構造中に主要なＴＥ4,0 モードを励
起するために空洞の縦の中心線に沿って共通壁に配置さ
れる。本発明はまた、導波管構造に沿った比較的高い定
常波を生成するために導波管構造中に配置され、各スロ
ットを励起する最大のＥ電界を供給し、それによって偏
平空洞構造の横断軸の列を励起する湾曲した導波管短絡
回路手段、およびパワーディバイダの周波数応答特性の
改善のために縦の壁に沿って偏平空洞構造中に配置され
たＲＦ吸収手段をさらに含む。出力結合手段はＲＦパワ
ー出力を供給するための偏平空洞構造と関連される。
【０００７】本発明は、入力導波管構造がＷＲ−６２導
波管であり、入力ポートがその外端部にあるように構成
されることができる。代りに、入力導波管構造は、細長
い水。平部分とこの水平部分に沿って中心に配置される
導波管Ｔ接合で水平部分と接合する細長い直交パワー供
給部分を含み、入力ポートは供給部分の外端部に配置さ
れる。
波管であり、入力ポートがその外端部にあるように構成
されることができる。代りに、入力導波管構造は、細長
い水。平部分とこの水平部分に沿って中心に配置される
導波管Ｔ接合で水平部分と接合する細長い直交パワー供
給部分を含み、入力ポートは供給部分の外端部に配置さ
れる。
【０００８】本発明の実施例にしたがって、結合手段
は、波長の４分の１の倍数の間隔を有する４つの分路ス
ロットを含み、出力手段は、空洞構造中に延在し、約
１．５λｇの間隔を有する、１６の同軸の超小型アダプ
タ（ＳＭＡ）出力結合プローブを含んでいる。
は、波長の４分の１の倍数の間隔を有する４つの分路ス
ロットを含み、出力手段は、空洞構造中に延在し、約
１．５λｇの間隔を有する、１６の同軸の超小型アダプ
タ（ＳＭＡ）出力結合プローブを含んでいる。
【０００９】このように、従来技術と対比して、簡単化
された冷却性能による高熱効果、製造の低価格および低
いＲＦ挿入損失を示すＲＦパワーディバイダは、従来技
術に比較して大きな進歩を与える。
された冷却性能による高熱効果、製造の低価格および低
いＲＦ挿入損失を示すＲＦパワーディバイダは、従来技
術に比較して大きな進歩を与える。
【００１０】
【実施例】図１および図２を参照すると、偏平空洞構造
13および入力導波管構造15を有する偏平空洞高周波パワ
ーディバイダが示されている。偏平空洞構造13は狭い上
部の縦の端部壁17、それと平行の狭い下部の縦の端部壁
19、狭い左側の端部壁21、および狭い右側の端部壁23を
含む。この構造はまた、内部の広い壁25および外部の広
い壁27を有する。
13および入力導波管構造15を有する偏平空洞高周波パワ
ーディバイダが示されている。偏平空洞構造13は狭い上
部の縦の端部壁17、それと平行の狭い下部の縦の端部壁
19、狭い左側の端部壁21、および狭い右側の端部壁23を
含む。この構造はまた、内部の広い壁25および外部の広
い壁27を有する。
【００１１】入力導波管構造15はＷＲ−６２構成であ
り、構造15の外端部に入力ポート31を有し、通常の導波
管フランジ33を備えている。導波管は、内部の広い壁25
と共有し、共通壁39と呼ばれる内部導波管壁と導波管の
中心線35とをさらに含む。図１に見られるように、導波
管の中心線35は、偏平空洞の構造13の上部と下部の縦の
端部壁（17および19）の間のほぼ中央にこれらと平行に
配置される。
り、構造15の外端部に入力ポート31を有し、通常の導波
管フランジ33を備えている。導波管は、内部の広い壁25
と共有し、共通壁39と呼ばれる内部導波管壁と導波管の
中心線35とをさらに含む。図１に見られるように、導波
管の中心線35は、偏平空洞の構造13の上部と下部の縦の
端部壁（17および19）の間のほぼ中央にこれらと平行に
配置される。
【００１２】４つの縦の結合スロット41は、約１４．３
５ＧＨｚの動作周波数では０．２３ミリメートル（０．
００８９インチ）だけ導波管の中心線35からずれている
スロットの縦の中心線42に沿って、共通壁39に設けられ
ている。スロット41は１．５λｇに間隔が隔てられ、λ
ｇはＷＲ−６２導波管の波長である。この構造におい
て、スロットが配置される縦のスロット中心線42が導波
管の中心線35と一致する場合は放射しない。０．２３ミ
リメートル（０．００８９インチ）のずれた位置は、こ
の特定の構造を経験的にテストすることによって最適に
される。
５ＧＨｚの動作周波数では０．２３ミリメートル（０．
００８９インチ）だけ導波管の中心線35からずれている
スロットの縦の中心線42に沿って、共通壁39に設けられ
ている。スロット41は１．５λｇに間隔が隔てられ、λ
ｇはＷＲ−６２導波管の波長である。この構造におい
て、スロットが配置される縦のスロット中心線42が導波
管の中心線35と一致する場合は放射しない。０．２３ミ
リメートル（０．００８９インチ）のずれた位置は、こ
の特定の構造を経験的にテストすることによって最適に
される。
【００１３】標準的な直線の縁部短絡回路より帯域幅が
広い通常の湾曲した導波管短絡回路構造43は、ＷＲ−６
２導波管15に沿って高い定常波を生成するために、入力
ポート31から最後のスロット41' を越えたλｇ／４の位
置に配置される。４つのスロット41は４分の１波長の倍
数の間隔を有しているため、最大のＥ電界が各スロット
を励起するために生ずる。励起されたスロットは、次に
この場合に８．３８ミリメートル（０．３３インチ）で
ある偏平空洞の深さの横断軸の列を励起する。
広い通常の湾曲した導波管短絡回路構造43は、ＷＲ−６
２導波管15に沿って高い定常波を生成するために、入力
ポート31から最後のスロット41' を越えたλｇ／４の位
置に配置される。４つのスロット41は４分の１波長の倍
数の間隔を有しているため、最大のＥ電界が各スロット
を励起するために生ずる。励起されたスロットは、次に
この場合に８．３８ミリメートル（０．３３インチ）で
ある偏平空洞の深さの横断軸の列を励起する。
【００１４】仮想壁（ゼロのＥ電界であり、示されてい
ない）は、空洞13のそれぞれ励起されたスロットの列の
間に存在する。仮想壁は、導波管の部分と同様の偏平空
洞内の上部あるいは下部にＲＦ伝播を維持する。しかし
ながら、仮想壁は実際の固体の導電性の壁と完全に同じ
ではないため、高次のモードが励起する。
ない）は、空洞13のそれぞれ励起されたスロットの列の
間に存在する。仮想壁は、導波管の部分と同様の偏平空
洞内の上部あるいは下部にＲＦ伝播を維持する。しかし
ながら、仮想壁は実際の固体の導電性の壁と完全に同じ
ではないため、高次のモードが励起する。
【００１５】これらの不所望なモード状態を抑制する技
術は、偏平空洞の２つの縦の壁、すなわち上部の縦の壁
17および下部の縦の壁19に沿って通常のＲＦ吸収材料44
の薄いストリップを配置することである。この技術は、
−３ｄＢにパワーディバイダの全挿入損失を増加する
が、各放射素子の利得をふやすために使用される通常の
簡単なＲＦ増幅器（示されていない）が存在するため重
要ではない。これらの増幅器は、以下に記載されるよう
に、いかなる周波数特性に対するパワーレベルおよび出
力ポート間の出力振幅変動をも克服するために通常の自
動利得制御（ＡＧＣ）回路を備えている。
術は、偏平空洞の２つの縦の壁、すなわち上部の縦の壁
17および下部の縦の壁19に沿って通常のＲＦ吸収材料44
の薄いストリップを配置することである。この技術は、
−３ｄＢにパワーディバイダの全挿入損失を増加する
が、各放射素子の利得をふやすために使用される通常の
簡単なＲＦ増幅器（示されていない）が存在するため重
要ではない。これらの増幅器は、以下に記載されるよう
に、いかなる周波数特性に対するパワーレベルおよび出
力ポート間の出力振幅変動をも克服するために通常の自
動利得制御（ＡＧＣ）回路を備えている。
【００１６】この実施例において、１６の出力ポート45
は偏平空洞構造13の外部の広い壁27を横切って対称に分
布される。出力ポート45は、ＲＦエネルギを外部に結合
させるために偏平空洞中に挿入されているλ0 /4のプロ
ーブ長を有する通常のＳＭＡプローブをそれぞれ含む。
これらのポートは、Ｘ，Ｙ軸上で１．５λｇの間隔を有
している。
は偏平空洞構造13の外部の広い壁27を横切って対称に分
布される。出力ポート45は、ＲＦエネルギを外部に結合
させるために偏平空洞中に挿入されているλ0 /4のプロ
ーブ長を有する通常のＳＭＡプローブをそれぞれ含む。
これらのポートは、Ｘ，Ｙ軸上で１．５λｇの間隔を有
している。
【００１７】図３および図４に示される本発明の第２の
実施例にしたがうと、本発明の対称的な供給の状態は改
善される。偏平空洞ＲＦパワーディバイダ101 は、偏平
空洞構造103 および入力導波管構造105 を具備する。図
３に見られるように、入力導波管105 は２つの主な部
分、水平部分107 およびそれと直交している入力部分10
9 を含む。これら２つの導波管部分は、水平部分107 の
長さに沿って中央に配置された通常の隔壁111'を有する
導波管接合部111 で接合する。
実施例にしたがうと、本発明の対称的な供給の状態は改
善される。偏平空洞ＲＦパワーディバイダ101 は、偏平
空洞構造103 および入力導波管構造105 を具備する。図
３に見られるように、入力導波管105 は２つの主な部
分、水平部分107 およびそれと直交している入力部分10
9 を含む。これら２つの導波管部分は、水平部分107 の
長さに沿って中央に配置された通常の隔壁111'を有する
導波管接合部111 で接合する。
【００１８】湾曲した導波管短絡構造113 （構造43と同
様である）は、水平部107 の各端部に配置される。第１
の実施例における材料45と同様のＲＦ吸収材料115 は、
上部の縦の壁117 および下部の縦の壁119 に沿って配置
される。本発明の第１の実施例のように、４つの縦のス
ロット121 は、前記のような同じ理由で、導波管部分の
中心線125 から２．２６ミリメートル（０．０８９イン
チ）ずれた空洞の中心線123 に沿って配置されている。
様である）は、水平部107 の各端部に配置される。第１
の実施例における材料45と同様のＲＦ吸収材料115 は、
上部の縦の壁117 および下部の縦の壁119 に沿って配置
される。本発明の第１の実施例のように、４つの縦のス
ロット121 は、前記のような同じ理由で、導波管部分の
中心線125 から２．２６ミリメートル（０．０８９イン
チ）ずれた空洞の中心線123 に沿って配置されている。
【００１９】入力導波管フランジ129 を通る入力ポート
127 に結合された入力エネルギは、入力導波管部分109
に沿って内部へ伝播し、通常のＴ結合111 によって等し
く分けられ、偏平空洞103 の内部の広い壁133 と入力導
波管構造105 の水平部分107の内部の広い壁135 との間
の共通壁131 に配置される、対応する２つの縦のスロッ
ト121 を励起するために、これらのエネルギは各短絡部
113 によって反射される。
127 に結合された入力エネルギは、入力導波管部分109
に沿って内部へ伝播し、通常のＴ結合111 によって等し
く分けられ、偏平空洞103 の内部の広い壁133 と入力導
波管構造105 の水平部分107の内部の広い壁135 との間
の共通壁131 に配置される、対応する２つの縦のスロッ
ト121 を励起するために、これらのエネルギは各短絡部
113 によって反射される。
【００２０】この設計は、偏平空洞構造103 の外部の広
い壁139 に設けられた通常のＳＭＡプローブ137 におい
て、一定の位相および振幅分布、および増加された周波
数帯域幅をもたらす。プローブは、約λ0 /4だけ偏平空
洞に挿入され、前記のように間隔が隔てられ、そのスロ
ットの大きさは長さ約１０．０３ミリメートル（０．３
９５インチ）、幅４．４５ミリメートル（０．１７５イ
ンチ）である。１４．３５ＧＨｚの動作周波数では、内
部偏平空洞の大きさは５．９９５λｇ×５．８０５λｇ
であり、幅が８．３８ミリメートル（０．３３インチ）
であり、導波管の内部の幅が７．９０ミリメートル
（０．３１１インチ）であり、導波管入力ポートの開口
部は７．９０×１５．８０ミリメートルである。さら
に、ＲＦ吸収材料44および115 の最適な厚さは、約２．
０３ミリメートル（０．０８０インチ）である。
い壁139 に設けられた通常のＳＭＡプローブ137 におい
て、一定の位相および振幅分布、および増加された周波
数帯域幅をもたらす。プローブは、約λ0 /4だけ偏平空
洞に挿入され、前記のように間隔が隔てられ、そのスロ
ットの大きさは長さ約１０．０３ミリメートル（０．３
９５インチ）、幅４．４５ミリメートル（０．１７５イ
ンチ）である。１４．３５ＧＨｚの動作周波数では、内
部偏平空洞の大きさは５．９９５λｇ×５．８０５λｇ
であり、幅が８．３８ミリメートル（０．３３インチ）
であり、導波管の内部の幅が７．９０ミリメートル
（０．３１１インチ）であり、導波管入力ポートの開口
部は７．９０×１５．８０ミリメートルである。さら
に、ＲＦ吸収材料44および115 の最適な厚さは、約２．
０３ミリメートル（０．０８０インチ）である。
【００２１】前記述の説明から新しい改善された偏平空
洞ＲＦパワーディバイダおよび特に非常に小型で軽く、
効率的であり、パワーディバイダ内の強制空冷に適応す
る１対１６の偏平空洞ＲＦパワーディバイダが明らかに
される。上記実施例が単に本発明の原理の適用を表す多
くの特別な実施例のうちの幾つかの例示であることが理
解されるべきである。明らかに、多くの他の変化が本発
明の技術的範囲から逸脱することなしに当業者によって
容易に案出できる。
洞ＲＦパワーディバイダおよび特に非常に小型で軽く、
効率的であり、パワーディバイダ内の強制空冷に適応す
る１対１６の偏平空洞ＲＦパワーディバイダが明らかに
される。上記実施例が単に本発明の原理の適用を表す多
くの特別な実施例のうちの幾つかの例示であることが理
解されるべきである。明らかに、多くの他の変化が本発
明の技術的範囲から逸脱することなしに当業者によって
容易に案出できる。
【図１】本発明にしたがって構成される偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダの部分的に切開かれた側面図。
ワーディバイダの部分的に切開かれた側面図。
【図２】図１に示される偏平空洞ＲＦパワーディバイダ
の線２−２における断面図。
の線２−２における断面図。
【図３】本発明の別の実施例にしたがった偏平空洞ＲＦ
パワーディバイダの側面図。
パワーディバイダの側面図。
【図４】図３に示される偏平空洞ＲＦパワーディバイダ
の底面図。
の底面図。
13,103…偏平空洞，15,105,109…入力導波管，41,41',1
21…スロット，42,123,125…中心線，44,115…吸収材
料，101 …ＲＦパワーディバイダ。
21…スロット，42,123,125…中心線，44,115…吸収材
料，101 …ＲＦパワーディバイダ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・ディー・クルーパ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90504、トアランス、ワンハンドレッドセ ブンティーフィフス・ストリート 4035 (72)発明者 モン・エヌ・ウォング アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90503、トアランス、コンヤ・ドライブ 4132 (56)参考文献 特開 昭57−131101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−300603（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139101（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46006（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−83103（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭51−9632（ＪＰ，Ｕ)
Claims (10)
- 【請求項１】 間隔をあけて平行に配置された第１およ
び第２の広い空洞壁、および偏平空洞を囲むためにその
縁部で前記広い空洞壁と接合されている上部、下部、左
側、右側の狭い端部壁を有する偏平空洞構造と、 間隔をあけて配置された第１および第２の広い導波管
壁、その縁部において接合されている間隔をあけて配置
された第１および第２の導波管側壁、および１端部に配
置されている入力ポートを有する方形入力導波管構造と
を具備し、 前記導波管構造は、前記偏平空洞構造の上部および下部
の端部壁の間のほぼ中央にこれらと平行に配置される縦
の中心線を有し、前記広い導波管壁の一つの一部は前記
広い空洞壁の一つの一部と共有されて共通の広い壁の部
分を構成し、 さらに、供給されたＲＦエネルギを前記導波管構造と前
記偏平空洞構造との間で結合させるために、前記共通の
広い壁の部分に、前記導波管構造の縦の中心線に平行で
あるがずれている縦のスロット中心線に沿って配置され
ている複数の縦の分路スロットと、 供給されたＲＦエネルギに応答して前記導波管構造に沿
った比較的高い定常波を生成し、前記偏平空洞構造の横
断軸の列を励起する前記スロットのそれぞれを励起する
最大電界Ｅを供給する、前記導波管構造内に配置された
湾曲した導波管短絡回路手段と、 ＲＦエネルギを外部に結合するために前記偏平空洞構造
内に突出したプローブをそれぞれ有し、前記偏平空洞構
造の他の広い空洞壁に配置された複数の出力ポートとを
具備し、 前記導波管構造に供給されたＲＦエネルギは、前記スロ
ットおよびプローブを介して結合され、前記出力ポート
間に分割されることを特徴とする供給されたＲＦエネル
ギを結合させる偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項２】 所望しないモードを抑制し、前記パワー
ディバイダの改良された周波数応答を提供するために、
前記偏平空洞構造の上部および下部の端部壁に沿って前
記偏平空洞構造内に配置されたＲＦ吸収部材をさらに具
備することを特徴とする請求項１記載の偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダ。 - 【請求項３】 前記入力導波管構造がＷＲ−６２導波管
であることを特徴とする請求項２記載の偏平空洞ＲＦパ
ワーディバイダ。 - 【請求項４】 前記複数の縦の分路スロットは、供給さ
れたＲＦエネルギの入力導波管の管内波長の４分の１の
倍数の間隔をあけて配置された４つのスロットから構成
されていることを特徴とする請求項３記載の偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダ。 - 【請求項５】 前記複数の出力ポートは、λg を供給さ
れたＲＦエネルギの入力導波管の管内波長として、約
１．５λg の間隔をあけて配置された前記偏平空洞構造
内に延在している対応したＳＭＡ出力結合プローブを有
する１６の出力ポートから構成されていることを特徴と
する請求項３記載の偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項６】 前記湾曲した導波管短絡回路手段は、λ
g を供給されたＲＦエネルギの入力導波管の管内波長と
して、前記スロットの最も近い１つからλg/4の間隔を
あけて配置されていることを特徴とする請求項３記載の
偏平空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項７】 前記入力導波管構造は、前記スロットの
対称的な励起を提供するために、細長い水平供給部の中
心部分に配置されている導波管Ｔ接合部において、前記
細長い水平供給部と直交して結合している細長い供給部
を含み、前記入力ポートは、前記細長い供給部の外部端
に配置されていることを特徴とする請求項１記載の偏平
空洞ＲＦパワーディバイダ。 - 【請求項８】 前記出力結合プローブは、λ0 を入力導
波管内の電磁波と同じ周波数を有する電磁波の自由空間
波長として、前記偏平空洞内にλ0 /4延在していること
を特徴とする請求項７記載の偏平空洞ＲＦパワーディバ
イダ。 - 【請求項９】 前記細長い水平供給部は２つの半分の部
分と対向する端部とを含み、前記複数の縦の分路スロッ
トは４つのスロットを含み、前記細長い水平供給部の２
つの半分の部分にそれぞれ２つのスロットが配置されて
いることを特徴とする請求項７記載の偏平空洞ＲＦパワ
ーディバイダ。 - 【請求項１０】 前記湾曲した導波管短絡回路手段は、
入射したエネルギを反射して前記縦の分路スロットの対
応する２つを励起するために、前記細長い水平供給部の
対向する端部に配置された湾曲した導波管短絡回路素子
手段を含むことを特徴とする請求項９記載の偏平空洞Ｒ
Ｆパワーディバイダ。
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