JPH02288501A - 導波管とマイクロストリップと間の変換装置 - Google Patents
導波管とマイクロストリップと間の変換装置Info
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- JPH02288501A JPH02288501A JP2081489A JP8148990A JPH02288501A JP H02288501 A JPH02288501 A JP H02288501A JP 2081489 A JP2081489 A JP 2081489A JP 8148990 A JP8148990 A JP 8148990A JP H02288501 A JPH02288501 A JP H02288501A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
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- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロストリップが導波路と容量的に結合
しているの導波路−マイクロストリップ変換部に関し、
特に基板の一方の側に形成されたＴ型導電パターンによ
って、所定の幅対と高さの比を有するリデュースト・ハ
イド（ｒｅｄｕｃｅｄ−ｈｃｉｇｈｔ、低減された高さ
を有する）型導電路−マイクロストリップ変換部に係る
。
しているの導波路−マイクロストリップ変換部に関し、
特に基板の一方の側に形成されたＴ型導電パターンによ
って、所定の幅対と高さの比を有するリデュースト・ハ
イド（ｒｅｄｕｃｅｄ−ｈｃｉｇｈｔ、低減された高さ
を有する）型導電路−マイクロストリップ変換部に係る
。
［従来の技術］
従来、標準的な導波路−マイクロストリップ変換部とし
ては、例えば１９７０年６月３０日発行のＭ、Ｉｌ。
ては、例えば１９７０年６月３０日発行のＭ、Ｉｌ。
ｆＴｓａｎによるの米国特許３．５１８．５７９号、１
９７７年ＩＯ月４日発行のＪ 、１１．Ｃ，ｖａｎ Ｈ
ｅｕｖｅｎ他による米国特許４．０５２．８８３号、１
９８４年６月５日発行のＥ、Ｒ，Ｍｕｒｐｈｙによる米
国特許４．４５８．１４号、及び１９７９年７月発行の
ｒｃｓ＊ｕｎ１ｃａｔｌｏｎｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｊ第６巻、第７巻２２．２５及び２Ｂ頁のＥ、
Ｓ■ｉｔｈ他の論文に示されるものが開発されている。
９７７年ＩＯ月４日発行のＪ 、１１．Ｃ，ｖａｎ Ｈ
ｅｕｖｅｎ他による米国特許４．０５２．８８３号、１
９８４年６月５日発行のＥ、Ｒ，Ｍｕｒｐｈｙによる米
国特許４．４５８．１４号、及び１９７９年７月発行の
ｒｃｓ＊ｕｎ１ｃａｔｌｏｎｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｊ第６巻、第７巻２２．２５及び２Ｂ頁のＥ、
Ｓ■ｉｔｈ他の論文に示されるものが開発されている。
しかし、これら変換部の全ては、フルサイズの高さの導
波路を同軸線路端子のマイクロストリップへ接続するた
めに用いられるものである。多くの導波路ホーンが一緒
に束ねられたフェーズドアレーシステムのような用途で
は、寸法縮小、重量軽減のために、一般に低減された高
さの導波路が選択される。アレーの中の低減高さ導波路
の使用例は、例えば１９８７年８月２７日発行Ｍ、Ｊ、
Ｇａｎ５他の米国特許４．６８９．８３１号に開示され
ているが、そこでは、空間増幅器構成がアンテナの開口
部に配置されている。その空間増幅器の構成は、フルサ
イズの導波路の入力及び出力の導波路セクションから、
マイクロストリップ増幅器の分離部分が伸びている低減
高さ導波路セクションへ向かって、インピーダンス整合
構成を経て、縮小されてゆく導波路アレーを含んいる。
波路を同軸線路端子のマイクロストリップへ接続するた
めに用いられるものである。多くの導波路ホーンが一緒
に束ねられたフェーズドアレーシステムのような用途で
は、寸法縮小、重量軽減のために、一般に低減された高
さの導波路が選択される。アレーの中の低減高さ導波路
の使用例は、例えば１９８７年８月２７日発行Ｍ、Ｊ、
Ｇａｎ５他の米国特許４．６８９．８３１号に開示され
ているが、そこでは、空間増幅器構成がアンテナの開口
部に配置されている。その空間増幅器の構成は、フルサ
イズの導波路の入力及び出力の導波路セクションから、
マイクロストリップ増幅器の分離部分が伸びている低減
高さ導波路セクションへ向かって、インピーダンス整合
構成を経て、縮小されてゆく導波路アレーを含んいる。
マイクロストリップ−低減高さ導波路変換部が有する問
題は、その変換部が、それによって遮られ又は伝送され
るべき信号の約１／、４の波長に等しい距離だけ低減高
さ導波路セクション内に広がっていなければならない点
である。１／４の波長の距離は、標準のフルサイズの導
波路については可能であるが、低減高さ導波路では、導
波路の相対する広幅の壁の間の非常に狭いスペースにそ
の様な距離を確保することは困難である。その結果、も
し、フルサイズの導波路に通常用いられる既知の変換部
を、低減高さ導波路のそのような間隔の狭い対抗壁の１
つを通って延設した場合、そのような変換部はその低減
高さ導波路の対抗壁によってショート（ｂｅ ５ｈｏｒ
ｔｅｄ ｏｕｔ） してしまう。
題は、その変換部が、それによって遮られ又は伝送され
るべき信号の約１／、４の波長に等しい距離だけ低減高
さ導波路セクション内に広がっていなければならない点
である。１／４の波長の距離は、標準のフルサイズの導
波路については可能であるが、低減高さ導波路では、導
波路の相対する広幅の壁の間の非常に狭いスペースにそ
の様な距離を確保することは困難である。その結果、も
し、フルサイズの導波路に通常用いられる既知の変換部
を、低減高さ導波路のそのような間隔の狭い対抗壁の１
つを通って延設した場合、そのような変換部はその低減
高さ導波路の対抗壁によってショート（ｂｅ ５ｈｏｒ
ｔｅｄ ｏｕｔ） してしまう。
従って、従来技術に残された問題は、ショートすること
なく、必要な１／４波長の距離を有し、低減高さ導波路
セクションの壁の１つを通って、狭いスペースに挿入可
能であり、それによってマイクロストリップと低減音さ
導波路セクション間の信号の効果的な転送を可能にする
マイクロストリップ−低減高さ導波変換部を提供するこ
とである。
なく、必要な１／４波長の距離を有し、低減高さ導波路
セクションの壁の１つを通って、狭いスペースに挿入可
能であり、それによってマイクロストリップと低減音さ
導波路セクション間の信号の効果的な転送を可能にする
マイクロストリップ−低減高さ導波変換部を提供するこ
とである。
［発明の概要コ
前述した従来技術の問題は、マイクロストリップの主要
面上にＴ型導電パターンを配置したマイクロストリップ
−低減高さ導波路変換部に関する本発明に従うことによ
って解決される。Ｔ型パターンは、“Ｔ″の縦部と腕部
の両方に沿って測れば、そのパターンが低減高さ導波路
の壁の開口部を通って伸ばされても、低減高さ導波路セ
クションの壁によって短縮されることなく、約１／４波
長の距離を確保できる。更に、そのような変換部は、マ
イクロストリップ基板上に２個のＴ型変換部をカスケー
ドの形にした低減高さ導波路−マイクロストリップ−導
波路変換部として用いることもできる。
面上にＴ型導電パターンを配置したマイクロストリップ
−低減高さ導波路変換部に関する本発明に従うことによ
って解決される。Ｔ型パターンは、“Ｔ″の縦部と腕部
の両方に沿って測れば、そのパターンが低減高さ導波路
の壁の開口部を通って伸ばされても、低減高さ導波路セ
クションの壁によって短縮されることなく、約１／４波
長の距離を確保できる。更に、そのような変換部は、マ
イクロストリップ基板上に２個のＴ型変換部をカスケー
ドの形にした低減高さ導波路−マイクロストリップ−導
波路変換部として用いることもできる。
本発明のその他の特徴は以下の説明と添付図面を参照す
ることによって明らかになろう。
ることによって明らかになろう。
［実施例の説明］
第１図及び第２図は、基板１１の第１の主表面上に形成
された２Ｗの幅を持つ導電性Ｔ型アンテナ変換部パター
ン１２で終端する導電性マイクロストリップ線路１０の
構造を示す正面図及び側面図である。基板１１は適当な
材料、例えばアルミナで作ることができる。そのＴ型変
換部１２は、負荷１４で終端するマイクロストリップ伝
送線路１０を、幅“ａ”と高さ“ｂ”からなる低減高さ
導波路セクション１５へ接続させるために用いられる。
された２Ｗの幅を持つ導電性Ｔ型アンテナ変換部パター
ン１２で終端する導電性マイクロストリップ線路１０の
構造を示す正面図及び側面図である。基板１１は適当な
材料、例えばアルミナで作ることができる。そのＴ型変
換部１２は、負荷１４で終端するマイクロストリップ伝
送線路１０を、幅“ａ”と高さ“ｂ”からなる低減高さ
導波路セクション１５へ接続させるために用いられる。
典型的な目的のみに対しては、マイクロストリップ線路
１０は０．０６２インチの幅を持つと考えられるが、他
の適当な線路幅が用いられることもありうる。また、導
電性接地面１３が基板１１の第１主要面の反対側の第２
主要面に形成されているが、この接地面はＴ型変換部１
２の背面に相当する領域には広がっていない。第１図、
第２図に示されるように、基板１１は、Ｔ型変換部１２
の脚を形成する中央導体が導波路１５の中に所定距離“
ｈ”だけ入るように、低減高さ導波路セクション１５の
壁の開口部１６を通って挿入されている。
１０は０．０６２インチの幅を持つと考えられるが、他
の適当な線路幅が用いられることもありうる。また、導
電性接地面１３が基板１１の第１主要面の反対側の第２
主要面に形成されているが、この接地面はＴ型変換部１
２の背面に相当する領域には広がっていない。第１図、
第２図に示されるように、基板１１は、Ｔ型変換部１２
の脚を形成する中央導体が導波路１５の中に所定距離“
ｈ”だけ入るように、低減高さ導波路セクション１５の
壁の開口部１６を通って挿入されている。
第２図の側面図に示すように、基板１１は低減高さ導波
路セクション１５の開口部１６を通って配置され、接地
面１３は何等かの適当な方法、例えば接触により導波路
１５の壁に接続される。
路セクション１５の開口部１６を通って配置され、接地
面１３は何等かの適当な方法、例えば接触により導波路
１５の壁に接続される。
方、Ｔ型変換部は導波路セクションの壁と接触すること
なく導波路セクション１５の開口部１６を通って延設さ
れている。接地面１３は導波路セクション１５内に配置
されたＴ型変換部の背面領域とはオーバーラツプしてい
ない。その結果、Ｔ型変換部１２に向かって伝搬する電
磁信号又はＴ型変換部から放射する電磁信号１８は基板
１１を通過することができる。可動短絡器１７は、この
分野で周知のように、アンテナ１２のリアクタンスを：
Ａ整し且つ反射を避けるためＴ型アンテナ変換部の後方
“ｇ″の距離に配置される。
なく導波路セクション１５の開口部１６を通って延設さ
れている。接地面１３は導波路セクション１５内に配置
されたＴ型変換部の背面領域とはオーバーラツプしてい
ない。その結果、Ｔ型変換部１２に向かって伝搬する電
磁信号又はＴ型変換部から放射する電磁信号１８は基板
１１を通過することができる。可動短絡器１７は、この
分野で周知のように、アンテナ１２のリアクタンスを：
Ａ整し且つ反射を避けるためＴ型アンテナ変換部の後方
“ｇ″の距離に配置される。
放射抵抗は、もし、それがアンテナの代わり挿入された
ならば、アンテナにより放射されるパワーと同量を消費
するであろう電気抵抗として通信用語辞典に定義されて
いる。あるいはアンテナよって放射されるパワーの、特
定点でのアンテナ電流の実効値の２乗に対する比として
定義されている。所定の波長に対する導波路内の開放端
ブローフ（ｐｒｏｂｅ） ・周知の通り、アンテナの
放射抵抗は、自由空間インピーダンス、個々のＴＥモー
ド（例えばＴ Ｅ ｔｏモード）の伝搬定数、自由空間
の伝搬定数、パックショート距離“ｇ”、及び導波路の
幅“ａ″及び高さ“ｂ″によって変わる。第６図は標準
のＷＲ−２２９低減高さ導波路セクション１５内に配置
された第１と第２のＴ型アンテナ変換部１２の放射抵抗
の周波数に対する典型的な値のグラフを示している。
ならば、アンテナにより放射されるパワーと同量を消費
するであろう電気抵抗として通信用語辞典に定義されて
いる。あるいはアンテナよって放射されるパワーの、特
定点でのアンテナ電流の実効値の２乗に対する比として
定義されている。所定の波長に対する導波路内の開放端
ブローフ（ｐｒｏｂｅ） ・周知の通り、アンテナの
放射抵抗は、自由空間インピーダンス、個々のＴＥモー
ド（例えばＴ Ｅ ｔｏモード）の伝搬定数、自由空間
の伝搬定数、パックショート距離“ｇ”、及び導波路の
幅“ａ″及び高さ“ｂ″によって変わる。第６図は標準
のＷＲ−２２９低減高さ導波路セクション１５内に配置
された第１と第２のＴ型アンテナ変換部１２の放射抵抗
の周波数に対する典型的な値のグラフを示している。
幅ａ−２，２９インチ、高さｂ−０，２００インチのＷ
Ｒ−２２９低減高さ導波路セクション１５内に配置され
た半幅Ｗ−０，５００インチ、高さｈ−０，１５０イン
チの典型的な第１のＴ型アンテナ変換部に対して、各周
波数に対する放射抵抗の典型的な値は第６図の“丸”印
で示されている。第１のＴ型アンテナ変換部の放射抵抗
は、４゜０ＧＨｚに於いて４３．５オームである。第６
図は又、ＷＲ−２２９低減高さ導波路セクション１５内
に配置された半幅Ｗ−０．７００インチ、高さｈ−０，
１５０インチの第２のＴ型アンテナ変換部１２に対する
放射抵抗の典型的な値を示しているが、それは各周波数
について“Ｘ”印で示されている。第２のＴ型アンテナ
変換部の放射抵抗は、４．０ＧＨｚに於いて５０オーム
である。即ち、Ｔ型アンテナ変換部の半幅（Ｗ）が、第
１のＴ型変換部における０、５００インチから、第２の
Ｔ型変換部における０、７００インチに増すことによっ
て、放射抵抗は４３．５オームから５０オームに増加し
たことがわかる。放射抵抗のそのような変化は、Ｔ型変
換部の幅（２Ｗ）対高さ（ｈ）の間係に交換条件（トレ
ードオフ）があり、短いＴ型変換部は、その幅が増した
ように働き得ることを示している。加えて、Ｔ型変換部
１２の幅と高さを調整することにより、マイクロストリ
ップ線路１０と、低減高さ導波路１５の間の優れた変換
部の設計が可能であることが理解できる。
Ｒ−２２９低減高さ導波路セクション１５内に配置され
た半幅Ｗ−０，５００インチ、高さｈ−０，１５０イン
チの典型的な第１のＴ型アンテナ変換部に対して、各周
波数に対する放射抵抗の典型的な値は第６図の“丸”印
で示されている。第１のＴ型アンテナ変換部の放射抵抗
は、４゜０ＧＨｚに於いて４３．５オームである。第６
図は又、ＷＲ−２２９低減高さ導波路セクション１５内
に配置された半幅Ｗ−０．７００インチ、高さｈ−０，
１５０インチの第２のＴ型アンテナ変換部１２に対する
放射抵抗の典型的な値を示しているが、それは各周波数
について“Ｘ”印で示されている。第２のＴ型アンテナ
変換部の放射抵抗は、４．０ＧＨｚに於いて５０オーム
である。即ち、Ｔ型アンテナ変換部の半幅（Ｗ）が、第
１のＴ型変換部における０、５００インチから、第２の
Ｔ型変換部における０、７００インチに増すことによっ
て、放射抵抗は４３．５オームから５０オームに増加し
たことがわかる。放射抵抗のそのような変化は、Ｔ型変
換部の幅（２Ｗ）対高さ（ｈ）の間係に交換条件（トレ
ードオフ）があり、短いＴ型変換部は、その幅が増した
ように働き得ることを示している。加えて、Ｔ型変換部
１２の幅と高さを調整することにより、マイクロストリ
ップ線路１０と、低減高さ導波路１５の間の優れた変換
部の設計が可能であることが理解できる。
比較のために、ＷＲ２２９低減高さ導波路の導波路イン
ピーダンスは４ＧＨｚにおいて６９オームに等しいこと
が確認されており、これは上記第２のＴ型変換部の放射
抵抗とほぼ同等の値である。
ピーダンスは４ＧＨｚにおいて６９オームに等しいこと
が確認されており、これは上記第２のＴ型変換部の放射
抵抗とほぼ同等の値である。
本発明のＴ型アンテナ変換部は又、第１図のＴ型変換部
２個を、第３図に示す方法でカスケードにし、導波路−
マイクロストリップ−導波路変換部を提供するのに用い
ることができる。更に詳細には、第３図の正面図で、第
１のＴ型アンテナ変換部１２ は、基板１１の上でマイ
クロウェーブプ線路１０を介して第２のＴ型アンテナ変
換部１２、へ直接接続される。この型の変換部は、例え
ば低減高さ導波路の入力ポートと出力ボートにハイブリ
ッド及びモノシリツク高速集積回路を接続するために用
いることができる。そのような使用において、第１のＴ
型変換部１２ は第１の導波路セクションへの、又は第
１の導波路セクションからのマイクロウェーブのエネル
ギーを結合し、第２のＴ型変換部１２ｂは第２の導波路
セクションからの、又は第２の導波路セクションへのマ
イクロウェーブのエネルギーとを合する。その様な導波
路−マイクロストリップ−導波路変換部の背面は第４図
に示され、基板１１上に典型的な金属化された背面１３
が配置されている。前述のごとく、基板１１のいずれか
の側から変換部に衝突する電磁波を通過させるために、
背面の金属化部分はＴ型アンテナ変換部１２ 及び１２
ｂのに対する区域を除いて設けられている。
２個を、第３図に示す方法でカスケードにし、導波路−
マイクロストリップ−導波路変換部を提供するのに用い
ることができる。更に詳細には、第３図の正面図で、第
１のＴ型アンテナ変換部１２ は、基板１１の上でマイ
クロウェーブプ線路１０を介して第２のＴ型アンテナ変
換部１２、へ直接接続される。この型の変換部は、例え
ば低減高さ導波路の入力ポートと出力ボートにハイブリ
ッド及びモノシリツク高速集積回路を接続するために用
いることができる。そのような使用において、第１のＴ
型変換部１２ は第１の導波路セクションへの、又は第
１の導波路セクションからのマイクロウェーブのエネル
ギーを結合し、第２のＴ型変換部１２ｂは第２の導波路
セクションからの、又は第２の導波路セクションへのマ
イクロウェーブのエネルギーとを合する。その様な導波
路−マイクロストリップ−導波路変換部の背面は第４図
に示され、基板１１上に典型的な金属化された背面１３
が配置されている。前述のごとく、基板１１のいずれか
の側から変換部に衝突する電磁波を通過させるために、
背面の金属化部分はＴ型アンテナ変換部１２ 及び１２
ｂのに対する区域を除いて設けられている。
第５図は、２つの導波路セクション２１と２２の間に配
置された第３図の型の広帯域導波路−マイクロストリッ
プ−導波路変換部２０の断面図を示している。各導波路
セクション２１と２２は、例えば適切なインピーダンス
整合を与えるため、夫々の入力ポートから変換部２０ま
で所定の階段状に高さが減少している。第５図で、導波
路２１は、変換部２０の領域にある例えばＷＲ−２２９
低減高さ導波路セクションへ向かって減少し、その結果
、変換部２０に向かって伝搬する電磁信号はＴ型アンテ
ナ変換部１２ によって遮られる。
置された第３図の型の広帯域導波路−マイクロストリッ
プ−導波路変換部２０の断面図を示している。各導波路
セクション２１と２２は、例えば適切なインピーダンス
整合を与えるため、夫々の入力ポートから変換部２０ま
で所定の階段状に高さが減少している。第５図で、導波
路２１は、変換部２０の領域にある例えばＷＲ−２２９
低減高さ導波路セクションへ向かって減少し、その結果
、変換部２０に向かって伝搬する電磁信号はＴ型アンテ
ナ変換部１２ によって遮られる。
Ｔ型変換部１２ の領域を経て基板１１の裏側に通過し
た信号は、リアクタンスを３！！整し、変換部１２ へ
の信号反射を避けるため、バックショート１７ａによっ
て遮られる。同じ構成が導波路２２とＴ型アンテナ変換
部１２ｂについて設けられている。従って、導波路２１
の入力ポートからの伝搬信号は、Ｔ型アンテナ変換部１
２ によって遮られ、マイクロストリップ線路１０を経
てＴ型アンテナ変換部１２．に送られ、導波路２２へ発
射され、その人力ボートへ向かって伝搬される。
た信号は、リアクタンスを３！！整し、変換部１２ へ
の信号反射を避けるため、バックショート１７ａによっ
て遮られる。同じ構成が導波路２２とＴ型アンテナ変換
部１２ｂについて設けられている。従って、導波路２１
の入力ポートからの伝搬信号は、Ｔ型アンテナ変換部１
２ によって遮られ、マイクロストリップ線路１０を経
てＴ型アンテナ変換部１２．に送られ、導波路２２へ発
射され、その人力ボートへ向かって伝搬される。
導波路２２の入力ポートに入る信号も、同じように、導
波路−マイクロストリップ−導波路変換部２０を経て導
波路２１の入力ポートに伝搬される。
波路−マイクロストリップ−導波路変換部２０を経て導
波路２１の入力ポートに伝搬される。
第５図の構成につき注目すべき点は、導波路−マイクロ
ストリップ−導波路変換部が基板１１の導波路２１の入
力ポートに面した片面上に配置されていることである。
ストリップ−導波路変換部が基板１１の導波路２１の入
力ポートに面した片面上に配置されていることである。
第３図の構成で注目すべき点は、上部変換部１２ は２
Ｗ の幅を持ち、下ａ ａ 部変換部１２ は２Ｗｂの幅を持つことである。
Ｗ の幅を持ち、下ａ ａ 部変換部１２ は２Ｗｂの幅を持つことである。
第３図の変換部が第５図の構成に用いられるときは、可
動短絡器１７．１７．の位置の差を補償するため、変換
部１２ の幅は変換部１２．の幅より広くされる。更に
詳細には、Ｔ型変換部１２ａは関連する可動短絡器１７
ａに対して基板１１の反対側に配置され、一方、Ｔ型変
換部１２゜はそれに関連する可動短絡器１７．に而して
配置されている。
動短絡器１７．１７．の位置の差を補償するため、変換
部１２ の幅は変換部１２．の幅より広くされる。更に
詳細には、Ｔ型変換部１２ａは関連する可動短絡器１７
ａに対して基板１１の反対側に配置され、一方、Ｔ型変
換部１２゜はそれに関連する可動短絡器１７．に而して
配置されている。
第１図は、方形の低減高さ導波路の内部に配置された本
発明に従うマイクロストリップの主要面に配置されたＴ
型変換部の典型的構造の正面図；第２図は、第１図の典
型的構造の側面図；第３図は、本発明に従う導波路−マ
イクロストリップ−導波路変換部のための典型的マイク
ロストリップ金属化基板の正面図； 第４図は、第３図の典型的変換部のための典型的マイク
ロストリップ接地面金属化基板の背面図；第５図は、２
つの低減高さ導波路セクションの間に配置された第３図
の導波路−マイクロストリップ−導波路変換部の側面図
； 第６図は、変換部が特定寸法の低減高さ導波路の内部に
配置されたときの、第１図の特定寸法のＴ型変換部につ
いての放射抵抗対周波数のグラフである。
発明に従うマイクロストリップの主要面に配置されたＴ
型変換部の典型的構造の正面図；第２図は、第１図の典
型的構造の側面図；第３図は、本発明に従う導波路−マ
イクロストリップ−導波路変換部のための典型的マイク
ロストリップ金属化基板の正面図； 第４図は、第３図の典型的変換部のための典型的マイク
ロストリップ接地面金属化基板の背面図；第５図は、２
つの低減高さ導波路セクションの間に配置された第３図
の導波路−マイクロストリップ−導波路変換部の側面図
； 第６図は、変換部が特定寸法の低減高さ導波路の内部に
配置されたときの、第１図の特定寸法のＴ型変換部につ
いての放射抵抗対周波数のグラフである。
Claims (9)
- （１）少なくとも１つの所定の周波数帯域で、導波路セ
クションへ、又は導波路セクションから、電磁信号を送
信又は受信するために、導波路セクションに挿入するマ
イクロストリップ変換部に於て： そのマイクロストリップは第１と第２の対抗主要面を有
する非導電性材料からなる基板を含み；その変換部は更
に： 基板の第１主要面上に形成され、その第１主要面の一端
の近くに、但しその一端とは触れないで配置されたＴ型
形状部を含み、このＴ型形状部が導波路セクションに挿
入された時、導波路−マイクロストリップ変換部を形成
する導電層；及び基板の第２主要面上に少なくともＴ型
変換部（Ｔ型形状部）に対抗する領域を除いて形成され
た接地導電層； を含むことを特徴とするマイクロストリップ変換部。 - （２）Ｔ型形状部は、変換部による導波路セクションへ
発信又は導波路セクションから受信する信号の１／４波
長に近い幅と高さを有することを特徴とする請求項１に
記載のマイクロストリップ変換部。 - （３）Ｔ型形状部の幅と高さは、そのＴ型形状部が導波
路セクションに挿入される際に、所定の周波数帯域につ
いての所定の放射抵抗を与えるように調整されることを
特徴とする請求項２に記載のマイクロストリップ変換部
。 - （４）Ｔ型形状部は、それが導波路セクションの開口部
を通って挿入される際に、導波路セクションの壁に接触
しないように、基板の第１主要面上に配置されているこ
と、及び 導電性接地面は、Ｔ型形状部が導波路セクションの開口
部を通って挿入される際に、導波路の少なくとも１つの
壁に接触するように、基板の第２主要面上に配置されて
いることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかにに
記載のマイクロストリップ変換部。 - （５）導波路セクションは低減高さ（ｒｅｄｕｃｅｄ−
ｈｅｉｇｈｔ）の導波路セクションであることを特徴と
する請求項１、２、３のいずれかに記載のマイクロスト
リップ変換部。 - （６）基板第１主要面に形成され、第１主要面の第２の
端部の近くに、但しその端部とは接触しないで、配置さ
れている第２のＴ型形状部を含み、このＴ型形状部が第
２の導波路セクションの開口部を通って挿入されるとき
に、第２の導波路−マイクロストリップ変換部を形成す
る導電層を有することを特徴とする請求項１、２、３の
いずれかに記載のマイクロストリップ変換部。 - （７）第１と第２の導波路セクションの内、少なくとも
１つは低減高さの導波路セクションであることを特徴と
する請求項６に記載のマイクロストリップ変換部。 - （８）第１と第２の変換部の高さ及び／又は幅が異なる
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロストリップ
変換部。 - （９）第１と第２のマイクロストリップ変換部の各々は
、所定の周波数帯域で所定の放射抵抗を与える幅と高さ
を有することを特徴とする請求項８に記載のマイクロス
トリップ変換部。
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