JPH0883755A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH0883755A JPH0883755A JP21874294A JP21874294A JPH0883755A JP H0883755 A JPH0883755 A JP H0883755A JP 21874294 A JP21874294 A JP 21874294A JP 21874294 A JP21874294 A JP 21874294A JP H0883755 A JPH0883755 A JP H0883755A
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- Japan
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- resist pattern
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストパターンのくびれをなくし、しかも
微細なパターンを形成することができるレジストパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反射に
よりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの形成
方法において、被加工基板１１の凹所１２にレジストパ
ターン１４を形成するとともに、このレジストパターン
１４の近傍に、このレジストパターン１４への前記被加
工基板１１の凹所１２の段差部１３からの光の反射を遮
るダミーパターン１５を配置する。
微細なパターンを形成することができるレジストパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反射に
よりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの形成
方法において、被加工基板１１の凹所１２にレジストパ
ターン１４を形成するとともに、このレジストパターン
１４の近傍に、このレジストパターン１４への前記被加
工基板１１の凹所１２の段差部１３からの光の反射を遮
るダミーパターン１５を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストパターンの形
成方法に係り、特に、半導体基板上へのレジストパター
ンの形成に関するものである。
成方法に係り、特に、半導体基板上へのレジストパター
ンの形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図２はかかる
従来のレジストパターンの形成状態を示す図であり、図
２（ａ）はその平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−
Ｂ線断面図である。なお、図２（ａ）におけるハッチの
部分は断面を示すのではなく、特定の平面部分を示すた
めに表示したものである。
例えば、以下に示すようなものがあった。図２はかかる
従来のレジストパターンの形成状態を示す図であり、図
２（ａ）はその平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−
Ｂ線断面図である。なお、図２（ａ）におけるハッチの
部分は断面を示すのではなく、特定の平面部分を示すた
めに表示したものである。
【０００３】半導体装置の製造において、凹所が形成さ
れ、段差の大きな高反射基板（被加工基板）、例えば、
Ａｌ基板で微細なパターンをポジ型レジストを使用して
形成する場合、図２に示すように、Ａｌ基板１の凹所２
の段差部３よりの光の反射により、レジストが感光し、
現像後にレジスト４が消失するパターンのくびれ５が発
生する。その対策として、一般に、ダイ入りレジストと
呼ばれる吸光剤を添加したレジストが用いられていた。
れ、段差の大きな高反射基板（被加工基板）、例えば、
Ａｌ基板で微細なパターンをポジ型レジストを使用して
形成する場合、図２に示すように、Ａｌ基板１の凹所２
の段差部３よりの光の反射により、レジストが感光し、
現像後にレジスト４が消失するパターンのくびれ５が発
生する。その対策として、一般に、ダイ入りレジストと
呼ばれる吸光剤を添加したレジストが用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイ入
りレジストを使用しても、レジストパターンのくびれを
完全に防止することはできず、また、吸光剤が添加され
ているために、微細なパターンを形成することが難し
く、技術的に満足できるものではなかった。本発明は、
上記問題点を除去し、レジストパターンのくびれをなく
し、しかも微細なパターンを形成することができるレジ
ストパターンの形成方法を提供することを目的とする。
りレジストを使用しても、レジストパターンのくびれを
完全に防止することはできず、また、吸光剤が添加され
ているために、微細なパターンを形成することが難し
く、技術的に満足できるものではなかった。本発明は、
上記問題点を除去し、レジストパターンのくびれをなく
し、しかも微細なパターンを形成することができるレジ
ストパターンの形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、 （１）図１に示すように、被加工基板（１１）の凹所
（１２）にレジストパターン（１４）を形成するととも
に、このレジストパターン（１４）の近傍に、このレジ
ストパターン（１４）への前記被加工基板（１１）の凹
所（１２）の段差部（１３）からの光の反射を遮るダミ
ーパターン（１５）を配置するようにしたものである。
成するために、被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、 （１）図１に示すように、被加工基板（１１）の凹所
（１２）にレジストパターン（１４）を形成するととも
に、このレジストパターン（１４）の近傍に、このレジ
ストパターン（１４）への前記被加工基板（１１）の凹
所（１２）の段差部（１３）からの光の反射を遮るダミ
ーパターン（１５）を配置するようにしたものである。
【０００６】（２）図３に示すように、被加工基板（２
１）の凹所（２２）にレジストパターン（２４）を形成
するとともに、前記被加工基板（２１）の凹所（２２）
の段差部（２３）にダミーパターン（２５）を形成し、
前記被加工基板（２１）の凹所（２２）の段差部（２
３）からの光の反射をなくすようにしたものである。 （３）図４に示すように、被加工基板（３１）の凹所
（３２）にレジストパターン（３５）を形成するととも
に、このレジストパターン（３５）の近傍に、このレジ
ストパターン（３５）への前記被加工基板（３１）の凹
所（３２）の段差部（３３）からの光の反射を遮るダミ
ーパターン（３６）を配置する工程と、前記ダミーパタ
ーン（３６）のみに光が照射されるマスク（４２）を使
用し、露光を行い、その後、現像を行うことにより、前
記ダミーパターン（３６）を除去する工程とを施すよう
にしたものである。
１）の凹所（２２）にレジストパターン（２４）を形成
するとともに、前記被加工基板（２１）の凹所（２２）
の段差部（２３）にダミーパターン（２５）を形成し、
前記被加工基板（２１）の凹所（２２）の段差部（２
３）からの光の反射をなくすようにしたものである。 （３）図４に示すように、被加工基板（３１）の凹所
（３２）にレジストパターン（３５）を形成するととも
に、このレジストパターン（３５）の近傍に、このレジ
ストパターン（３５）への前記被加工基板（３１）の凹
所（３２）の段差部（３３）からの光の反射を遮るダミ
ーパターン（３６）を配置する工程と、前記ダミーパタ
ーン（３６）のみに光が照射されるマスク（４２）を使
用し、露光を行い、その後、現像を行うことにより、前
記ダミーパターン（３６）を除去する工程とを施すよう
にしたものである。
【０００７】（４）図５に示すように、被加工基板（５
１）の凹所（５２）にレジストパターン（５５）を形成
するとともに、前記被加工基板（５１）の凹所（５２）
の段差部（５３）にダミーパターン（５６）を形成する
工程と、前記ダミーパターン（５６）のみに光が照射さ
れるマスク（６２）を使用し、露光を行い、その後、現
像を行うことにより、前記ダミーパターン（５６）を除
去する工程とを施すようにしたものである。
１）の凹所（５２）にレジストパターン（５５）を形成
するとともに、前記被加工基板（５１）の凹所（５２）
の段差部（５３）にダミーパターン（５６）を形成する
工程と、前記ダミーパターン（５６）のみに光が照射さ
れるマスク（６２）を使用し、露光を行い、その後、現
像を行うことにより、前記ダミーパターン（５６）を除
去する工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記のように構成したので、 （１）被加工基板の凹所の段差部からの光の反射を遮る
ダミーパターンを配置するようにしたので、そのダミー
パターンにより、レジストパターンにはくびれが発生せ
ず、パターンの品質の向上を図ることができる。
ダミーパターンを配置するようにしたので、そのダミー
パターンにより、レジストパターンにはくびれが発生せ
ず、パターンの品質の向上を図ることができる。
【０００９】（２）被加工基板の凹所の段差部上にダミ
ーパターンを配置するようにしたので、従来発生する被
加工基板の凹所の段差部からの光の反射をなくすことが
でき、レジストパターンにはくびれが発生せず、パター
ンの品質の向上を図ることができる。
ーパターンを配置するようにしたので、従来発生する被
加工基板の凹所の段差部からの光の反射をなくすことが
でき、レジストパターンにはくびれが発生せず、パター
ンの品質の向上を図ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第１実施例を示すレジストパ
ターンの形成状態を示す図であり、図１（ａ）はその平
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。なお、図１（ａ）におけるハッチの部分は断面を示
すのではなく、特定の平面部分を示すために表示したも
のである。
説明する。図１は本発明の第１実施例を示すレジストパ
ターンの形成状態を示す図であり、図１（ａ）はその平
面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。なお、図１（ａ）におけるハッチの部分は断面を示
すのではなく、特定の平面部分を示すために表示したも
のである。
【００１１】これらの図に示すように、被加工基板１１
には、凹所１２に段差部１３が形成されており、その凹
所１２にはレジストパターン１４が形成され、更に、そ
のレジストパターン１４の近傍の両側にダミーパターン
１５を配置する。図１（ｂ）に示すように、露光時に段
差部１３より反射した光は、ダミーパターン１５にくび
れを発生させるが、レジストパターン１４にくびれを発
生させることはない。当然ながら、このダミーパターン
１５は、もし、ダミーパターン１５が形成されていなけ
れば、レジストパターン１４にくびれが発生するような
箇所に限って配置する。なお、１６は段差部１３より反
射した光により、ダミーパターン１５に発生したくびれ
である。
には、凹所１２に段差部１３が形成されており、その凹
所１２にはレジストパターン１４が形成され、更に、そ
のレジストパターン１４の近傍の両側にダミーパターン
１５を配置する。図１（ｂ）に示すように、露光時に段
差部１３より反射した光は、ダミーパターン１５にくび
れを発生させるが、レジストパターン１４にくびれを発
生させることはない。当然ながら、このダミーパターン
１５は、もし、ダミーパターン１５が形成されていなけ
れば、レジストパターン１４にくびれが発生するような
箇所に限って配置する。なお、１６は段差部１３より反
射した光により、ダミーパターン１５に発生したくびれ
である。
【００１２】このように、この実施例によれば、ダミー
パターン１５が形成されることにより、レジストパター
ン１４にはくびれが発生せず、パターン品質の向上を図
ることができる。図３は本発明の第２実施例を示すレジ
ストパターンの形成状態を示す図であり、図３（ａ）は
その平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図
である。
パターン１５が形成されることにより、レジストパター
ン１４にはくびれが発生せず、パターン品質の向上を図
ることができる。図３は本発明の第２実施例を示すレジ
ストパターンの形成状態を示す図であり、図３（ａ）は
その平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図
である。
【００１３】これらの図に示すように、被加工基板２１
には、凹所２２に段差部２３が形成されており、その凹
所２２にはレジストパターン２４が形成され、更に、ダ
ミーパターン２５を段差部２３上に配置する。したがっ
て、ポジ型レジストにおいては、パターンが形成される
部分は光が照射されないため、被加工基板２１の段差部
２３よりの光の反射が防止できる。
には、凹所２２に段差部２３が形成されており、その凹
所２２にはレジストパターン２４が形成され、更に、ダ
ミーパターン２５を段差部２３上に配置する。したがっ
て、ポジ型レジストにおいては、パターンが形成される
部分は光が照射されないため、被加工基板２１の段差部
２３よりの光の反射が防止できる。
【００１４】また、この実施例によれば、ダミーパター
ン２５を段差部２３上に配置しているため、パターンが
密な場合でもダミーパターンを配置することができる。
また、段差部２３はパターン設計の段階で予測できるた
め、確実な効果が得られる。このように、この実施例に
よれば、ダミーパターン２５が段差部２３上に配置され
ることにより、段差部２３からのレジストパターン２４
への光の反射がなくなるため、レジストパターン２４に
はくびれが発生せず、パターン品質の向上を図ることが
できる。
ン２５を段差部２３上に配置しているため、パターンが
密な場合でもダミーパターンを配置することができる。
また、段差部２３はパターン設計の段階で予測できるた
め、確実な効果が得られる。このように、この実施例に
よれば、ダミーパターン２５が段差部２３上に配置され
ることにより、段差部２３からのレジストパターン２４
への光の反射がなくなるため、レジストパターン２４に
はくびれが発生せず、パターン品質の向上を図ることが
できる。
【００１５】図４は本発明の第３実施例を示すレジスト
パターンの形成工程断面図である。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、被加工基板３１
上の凹所３２には段差部３３が形成されている。この凹
所３２に、第１実施例で示したように、レジストパター
ン３５を形成し、更に、レジストパターン３５の近傍の
両側に、ダミーパターン３６を配置するために、ダミー
パターン３６が形成できるマスク４１を使用し、レジス
ト３４の露光を行う。
パターンの形成工程断面図である。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、被加工基板３１
上の凹所３２には段差部３３が形成されている。この凹
所３２に、第１実施例で示したように、レジストパター
ン３５を形成し、更に、レジストパターン３５の近傍の
両側に、ダミーパターン３６を配置するために、ダミー
パターン３６が形成できるマスク４１を使用し、レジス
ト３４の露光を行う。
【００１６】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、レ
ジスト３４はそのままにしておき、ダミーパターン３６
のみに、光が照射されるマスク４２を使用し、露光を行
う。引き続き、現像を行うことによりパターンのくびれ
が発生したダミーパターン３６を除去する。 （３）したがって、図４（ｃ）に示すように、くびれが
発生しないレジストパターン３５のみを形成することが
できる。
ジスト３４はそのままにしておき、ダミーパターン３６
のみに、光が照射されるマスク４２を使用し、露光を行
う。引き続き、現像を行うことによりパターンのくびれ
が発生したダミーパターン３６を除去する。 （３）したがって、図４（ｃ）に示すように、くびれが
発生しないレジストパターン３５のみを形成することが
できる。
【００１７】この実施例によれば、エッチング後はダミ
ーパターン３６が存在しなくなるために、最終的には、
ダミーパターン３６が存在すると不具合が発生する場所
にも、途中では、ダミーパターン３６を配置することが
できる。図５は本発明の第４実施例を示すレジストパタ
ーンの形成工程断面図である。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、被加工基板５１
上の凹所５２には段差部５３が形成されている。その凹
所５２にはレジストパターン５５が形成され、更に、ダ
ミーパターン５６を段差部５３上に形成できるマスク６
１を使用し、レジスト５４の露光を行う。
ーパターン３６が存在しなくなるために、最終的には、
ダミーパターン３６が存在すると不具合が発生する場所
にも、途中では、ダミーパターン３６を配置することが
できる。図５は本発明の第４実施例を示すレジストパタ
ーンの形成工程断面図である。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、被加工基板５１
上の凹所５２には段差部５３が形成されている。その凹
所５２にはレジストパターン５５が形成され、更に、ダ
ミーパターン５６を段差部５３上に形成できるマスク６
１を使用し、レジスト５４の露光を行う。
【００１８】（２）次に、図５（ｂ）に示すように、レ
ジスト５４はそのままにしておき、ダミーパターン５６
のみに、光が照射されるマスク６２を使用し、露光を行
う。引き続き、現像を行うことにより、ダミーパターン
５６は除去する。 （３）したがって、図５（ｃ）に示すように、くびれが
発生しないレジストパターン５５のみを形成することが
できる。
ジスト５４はそのままにしておき、ダミーパターン５６
のみに、光が照射されるマスク６２を使用し、露光を行
う。引き続き、現像を行うことにより、ダミーパターン
５６は除去する。 （３）したがって、図５（ｃ）に示すように、くびれが
発生しないレジストパターン５５のみを形成することが
できる。
【００１９】この実施例によれば、エッチング後は段差
部５３上に形成されたダミーパターン５６が存在しなく
なるために、最終的には、ダミーパターン５６が存在す
ると不具合が発生する場所にも、途中では、ダミーパタ
ーン５６を配置することができる。なお、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
いて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
部５３上に形成されたダミーパターン５６が存在しなく
なるために、最終的には、ダミーパターン５６が存在す
ると不具合が発生する場所にも、途中では、ダミーパタ
ーン５６を配置することができる。なお、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
いて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、被加工基板の凹所
の段差部からの光の反射を遮るダミーパターンを配置す
るようにしたので、そのダミーパターンにより、レジス
トパターンにはくびれが発生せず、パターンの品質の向
上を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、被加工基板の凹所
の段差部からの光の反射を遮るダミーパターンを配置す
るようにしたので、そのダミーパターンにより、レジス
トパターンにはくびれが発生せず、パターンの品質の向
上を図ることができる。
【００２１】（２）請求項２記載の発明によれば、ダミ
ーパターンを被加工基板の凹所の段差部上に配置するよ
うにしたので、従来発生する被加工基板の凹所の段差部
からの光の反射をなくすことができるので、レジストパ
ターンにはくびれが発生せず、パターンの品質の向上を
図ることができる。また、パターンが密な場合でもダミ
ーパターン配置することができる。しかも、被加工基板
の凹所の段差部はパターン設計の段階で予測できるた
め、確実な効果が得られる。
ーパターンを被加工基板の凹所の段差部上に配置するよ
うにしたので、従来発生する被加工基板の凹所の段差部
からの光の反射をなくすことができるので、レジストパ
ターンにはくびれが発生せず、パターンの品質の向上を
図ることができる。また、パターンが密な場合でもダミ
ーパターン配置することができる。しかも、被加工基板
の凹所の段差部はパターン設計の段階で予測できるた
め、確実な効果が得られる。
【００２２】（３）請求項３記載の発明によれば、一旦
被加工基板の凹所の段差部からの光の反射を遮る箇所に
形成されたダミーパターンは、エッチング後は存在しな
くなるために、最終的には、ダミーパターンが存在する
と不具合が発生する場所にも、途中では、ダミーパター
ンを配置することができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、一旦被加工基板の
凹所の段差部に形成されたダミーパターンはエッチング
後は存在しなくなるために、最終的には、ダミーパター
ンが存在すると不具合が発生する場所にも、途中では、
ダミーパターンを配置することができる。
被加工基板の凹所の段差部からの光の反射を遮る箇所に
形成されたダミーパターンは、エッチング後は存在しな
くなるために、最終的には、ダミーパターンが存在する
と不具合が発生する場所にも、途中では、ダミーパター
ンを配置することができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、一旦被加工基板の
凹所の段差部に形成されたダミーパターンはエッチング
後は存在しなくなるために、最終的には、ダミーパター
ンが存在すると不具合が発生する場所にも、途中では、
ダミーパターンを配置することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すレジストパターンの
形成状態を示す図である。
形成状態を示す図である。
【図２】従来のレジストパターンの形成状態を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２実施例を示すレジストパターンの
形成状態を示す図である。
形成状態を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例を示すレジストパターンの
形成工程断面図である。
形成工程断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示すレジストパターンの
形成工程断面図である。
形成工程断面図である。
１１，２１，３１，５１ 被加工基板 １２，２２，３２，５２ 凹所 １３，２３，３３，５３ 段差部 １４，２４，３５，５５ レジストパターン １５，２５，３６，５６ ダミーパターン １６，３７ パターンのくびれ ３４，５４ レジスト ４１，４２，６１，６２ マスク
Claims (4)
- 【請求項１】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、 被加工基板の凹所にレジストパターンを形成するととも
に、該レジストパターンの近傍に、該レジストパターン
への前記被加工基板の凹所の段差部からの光の反射を遮
るダミーパターンを配置することを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。 - 【請求項２】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、 被加工基板の凹所にレジストパターンを形成するととも
に、前記被加工基板の凹所の段差部にダミーパターンを
形成し、前記被加工基板の凹所の段差部からの光の反射
をなくすようにしたことを特徴とするレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項３】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、（ａ）被加工基板の凹所にレジスト
パターンを形成するとともに、該レジストパターンの近
傍に、該レジストパターンへの前記被加工基板の凹所の
段差部からの光の反射を遮るダミーパターンを配置する
工程と、（ｂ）前記ダミーパターンのみに光が照射され
るマスクを使用し、露光を行い、その後、現像を行うこ
とにより、前記ダミーパターンを除去する工程とを施す
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項４】 被加工基板の凹所の段差部からの光の反
射によりくびれが発生する箇所へのレジストパターンの
形成方法において、（ａ）被加工基板の凹所にレジスト
パターンを形成するとともに、前記被加工基板の凹所の
段差部にダミーパターンを形成する工程と、（ｂ）前記
ダミーパターンのみに光が照射されるマスクを使用し、
露光を行い、その後、現像を行うことにより、前記ダミ
ーパターンを除去する工程とを施すことを特徴とするレ
ジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21874294A JPH0883755A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21874294A JPH0883755A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883755A true JPH0883755A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16724717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21874294A Withdrawn JPH0883755A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787867B2 (en) | 2002-04-23 | 2004-09-07 | Fujitsu Limited | Planar lightwave circuit device and manufacturing method therefor |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP21874294A patent/JPH0883755A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787867B2 (en) | 2002-04-23 | 2004-09-07 | Fujitsu Limited | Planar lightwave circuit device and manufacturing method therefor |
| US6961503B2 (en) | 2002-04-23 | 2005-11-01 | Fujitsu Limited | Planar lightwave circuit device and manufacturing method therefor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |