JPH087585A - 不揮発性メモリ用計数終了検出装置 - Google Patents

不揮発性メモリ用計数終了検出装置

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Publication number
JPH087585A
JPH087585A JP33746494A JP33746494A JPH087585A JP H087585 A JPH087585 A JP H087585A JP 33746494 A JP33746494 A JP 33746494A JP 33746494 A JP33746494 A JP 33746494A JP H087585 A JPH087585 A JP H087585A
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detection device
transistor
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counting
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JP33746494A
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Marco Olivo
オリヴォ マルコ
Marco Maccarrone
マッカローネ マルコ
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SGS THOMSON MICROELECTRONICS
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
SGS Thomson Microelectronics SRL
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K21/00Details of pulse counters or frequency dividers
    • H03K21/38Starting, stopping or resetting the counter

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 不揮発性メモリ用の計数終了検出装置を開示
する。 【構成】 不揮発性メモリ用計数終了検出装置(1)
は、同じタイプの多数のトランジスタ(3)から成るワ
イヤードOR構造の形の復号器(2)を備えており、ト
ランジスタのゲート端子にはカウンタエレメント(6)
により発生し検出される所定の計数終了の値を有する計
数信号が加えられている。静的、擬似ダイナミック、ま
たはダイナミックである負荷(7)は復号器のトランジ
スタ(3)の共通ノード(4)と基準電位ライン
(VDD)の間に加えられている;共通ノードにより形成
される復号器の出力(4)は、ワイヤードOR構造によ
り符号化される計数終了の値が到達するか否かにより異
なるロジックレベルを取る。同じカウンタエレメントの
多数の計数終了の値を検出するため多数のワイヤードO
R構造がトランジスタの配列により平行して配置され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に不揮発性メモリ用
の計数終了検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】今まで知られているように、特にフラッ
シュEEPROMのような現在の不揮発性メモリには、
例えば消去用として状態マシーンにより実行され単一の
インタープリタに接続されるシークエンサにより行なわ
れる複雑な機能がある。実施される機能には種々の計数
操作が含まれるが、これらの操作は状態数の過度な増加
および状態マシーンの複雑さを避けるため、直接シーク
エンサにより実施されない。これを行なうため、各計数
機能の1つとしてシークエンサの外部にカウンタまたは
カウンタエレメントが加えられている。同様に復号器は
計数終了値を検出し状態マシーンに対する信号を発生す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在、復号器はシング
ルまたはマルチレベル静的CMOSロジックを使用して
形成されている。シングルレベルロジックによる方法に
は各nビットカウンタまたはカウンタエレメントに対し
N個の入力(NANDまたはNOR)の回路があること
が特徴であり、各回路に対しn個のNチャネルとn個の
Pチャネルのトランジスタが必要であるが、これには1
つのタイプのトランジスタに適した方法(例えば直列接
続)が他の方法には適さないという重大なレイアウトの
問題が発生する。更に、前述の方法はややこしく、しか
もレイアウトの問題が各回路の入力に必要な可能な限り
多数の電源ワイヤから成るバスにより発生する。更に、
前述の既知の方法の効率は各回路の数が増加することと
共に著しく悪化する。この問題を解決するため、マルチ
レベルロジックの方法により入力の数が少なく他の回路
に出力が接続された特徴のある回路が採用されている。
しかし、この種の方法にはシングルレベルが多数生じ、
サイズがかなり大きくなり、更に復号器が複雑である欠
点がある。
【0004】更に、各計数機能には操作シークエンサの
電流状態により左右される異なる計数終了の値がある。
例えば、メモリセルに加えられる多数の修正パルスに関
連した計数機能により、プログラムパルス(“バイト書
き込み”)と消去パルス(“セクタ消去”)に対し2つ
の異なる計数終了の値がある。各計数終了信号に対し、
状態マシーンは種々に展開する。計数機能の数と各計数
機能に対する計数終了の値が増加すると、特別な計数終
了信号を受けるため状態マシーンに入力数の増加が必要
となるが、これは勿論欠点である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は今まで知
られた方法に典型的に関連する欠点を解決するため設計
された計数終了検出装置を提示することである。
【0006】本発明によれば、請求項1に記載するよう
に、特に不揮発性メモリ用の計数終了検出装置がある。
【0007】
【実施例】図1の装置1は所定の計数機能の計数終了の
値を検出するために与えられており、同じタイプ(この
場合、Nチャネル)の多数のトランジスタ3のワイヤー
ドOR接続により形成された構造2を備えている。トラ
ンジスタ3(計数の終了の値が検出される計数機能のビ
ット数に等しい)には接地されたソース端子と、ノード
4に全てが接続されているドレイン端子と、あらゆる適
当な方法で形成されnビットカウンタまたはカウンタエ
レメント6を構成する個々のセル5の出力に接続された
ゲート端子とがある。トランジスタ3のゲート端子は計
数終了の値により各セルの直接のまたは反転した出力に
接続していることは明らかである。
【0008】信号0があるノード4は装置1の出力であ
り、抵抗または永久にオンであるトランジスタから構成
され、それ故静的な負荷を構成する負荷7を通り電源ラ
インVDDに接続されている。
【0009】装置1の出力信号はワイヤードOR構造2
により符号化される計数終了の構成を除いてカウンタエ
レメント6の全ての出力構成に対しローである。実際、
計数終了の値に到達するまで、セル5の少なくとも1つ
の(直接または反転)出力はハイであり、従って個々の
トランジスタ3はオンでありノード4は接地される。逆
に計数終了の値に達すると、セル5の全ての出力信号
(既に述べたように、これはセル5の内容の直接のまた
は反転した値に対応している)はローであり、従ってト
ランジスタ3は全てオフで、出力4は負荷7により電源
ラインVDDの電位に実質的に維持されている。
【0010】図1の装置は最も適当な配置を選択してい
るので、同一のタイプのチャネルの少ないトランジスタ
により、今まで知られた静的CMOSの方法の空間およ
びレイアウトの問題を解決している。更に、この装置は
セルに物理的に近くなるように形成されているので、1
つの出力4のみが所定の計数機能を満たす状態マシーン
に接続される。
【0011】一方、図1の方法は前述のように出力がロ
ーの時、すなわち計数終了の状態以外の全ての場合存在
する電流の流れにより、電力消費の面で不都合である。
実際、計数終了の値以外で、接地に向かう少なくとも1
つのパスが常にオンとなる1個または複数のトランジス
タを通して存在する。更に、あらゆるNMOSロジック
回路のように、0から1への遷移は必ずゆっくりであ
り、(プルアップ機能を有する)負荷はできる限り
“0”の値を良好にし電力消費を最小にするため十分抵
抗である必要がある。
【0012】他の良好な方法によれば、クロック信号に
より同期を取るシステムでは、図1の静的負荷は図2に
示すように擬似ダイナミック負荷(いわゆる“ドミノロ
ジック”法)に置き換えられるが、この図2で装置1′
は同一の計数機能に関連のある多数の計数終了の値を検
出するためにある。
【0013】図2で、再度6で示すカウンタエレメント
は多数のセル5i (i=0、1、2、…n)を備えてお
り、それぞれのセルにはセル5i の直接の値AXi と反
転した値ANi を与える2つの出力がある。
【0014】装置1′には図1のように多数のワイヤー
ドOR構造を含むOR平面から成る復号器10を備えて
いる。各構造2には多数のトランジスタを備えており、
それぞれのトランジスタは後述するようにしかも2つの
計数終了の値に関連のある図3に詳細を示すように各セ
ル5i の直接のまたは反転の出力に接続されている。
【0015】復号器10には多数の出力40 、41 、…
j (それぞれはワイヤードOR構造に関連がある)が
あり、それぞれは選択信号SELが加えられたセレクタ
またはマルチプレクサ装置12に接続されている。マル
チプレクサ12は選択信号SELの値により復号器10
の所定の出力に接続された出力4j がある。
【0016】マルチプレクサ12の出力13はPチャネ
ル負荷トランジスタ15のドレイン端子に接続され、そ
のソース端子は電源ラインVDDに接続され、更にゲート
端子にはプレチャージ信号Sがある。出力13もラッチ
エレメント16に接続されているが、このラッチエレメ
ントにはインバータ17の出力(装置1′の出力ノード
20)に接続されたゲート端子と、電源ラインVDDに接
続されたソース端子と、更にマルチプレクサ12の出力
13に接続されたドレイン端子とがある。
【0017】図2の装置1′の負荷は制限された時間の
間アクティブであるプレチャージの段階があるトランジ
スタ15により示されるが、この期間信号Sはローであ
り、更にトランジスタ15はオンとなりノード(出力)
13はほぼ電源電位にされる。プレチャージの段階の終
わりで(信号Sがハイに切り替わる時)、出力4j がマ
ルチプレクサ12の出力13に接続されているワイヤー
ドOR構造が評価される;出力13はセル5の全てのビ
ットが当該ワイヤードOR構造により定められる計数終
了の値に達するならばハイを保つ。逆に計数終了の値に
まだ到達しないと、出力13はローに切り替わり、トラ
ンジスタ15がオフであることにより静的な消費電力は
無い;更に出力13の値はインバータ17により反転
し、フィードバックトランジスタ18によりロックされ
る。
【0018】図2の回路のフィードバックトランジスタ
18は出力20の読み出しが正しい時間に読み出される
ことを確実にするためクロック信号により制御される完
全にダイナミックロジック回路を実施するため省略され
る場合がある。
【0019】図2の方法(前述の完全にダイナミックな
変化を有する場合)により電力消費の減少が大幅に行な
われ、更に計数終了の値が多数ある場合、カウンタエレ
メント6の当該セル5の近くにありしかも復号器10で
グループ化された全てのワイヤードOR構造により、レ
イアウトを最適にすることが行なわれる。
【0020】レイアウトの例を以下に記載する図3に示
す。
【0021】図3の配置は所定のカウンタエレメントに
対する2つの異なる計数終了の値の検出に関しており、
2つのワイヤードOR構造2′と2″を備えており、そ
れぞれは行と列に配置されたn+1個のNチャネルトラ
ンジスタ3から構成されるが、これは同じ行にあるトラ
ンジスタは所定のセル5i (これは異なる計数終了の値
に関連する)により発生する同一のカウンタビットを受
け、更に同じ列にあるトランジスタは同じ計数終了の値
に関連がありしかも構成される種々のビットを受ける為
である。各ワイヤードOR構造のトランジスタ3は接地
ライン25(ソースラインに接続されている)とドレイ
ン端子に接続された出力ライン(またはワイヤードOR
ライン)26′、26″の間に互いに平行に接続されて
いる。ライン25と26は互いに平行に配置され、接地
ライン25はライン25に直角な多数のソースラインと
トランジスタ3の隣接した行の間に接続されている。
【0022】直接のおよび反転した値の多数のデータラ
イン28と29はトランジスタ3の両方の上のソースラ
インに平行に伸びており、データアイテムまたはビット
に関連のあるライン28と29の各組はトランジスタ3
の行の両側にある。各トランジスタ3のゲート端子をそ
のデータライン28と29に選択的に接続することによ
り、あらゆる計数終了の構成に接続することができる。
【0023】図3には更にマルチプレクサ12の簡単な
配列を示しているが、この場合このマルチプレクサはラ
イン26′と26″の上にある2つの選択トランジスタ
32と33から構成されている。トランジスタ32には
デジタル選択信号SELが加えられたノード34に直接
接続されたゲート端子がある;一方、トランジスタ33
はインバータ35を通りノード34に接続されており、
従ってトランジスタ32と33は反対の位相のターンオ
ン信号を受ける。
【0024】ライン26′と26″に接続されないトラ
ンジスタ32と33の端子はいずれも図2のプレチャー
ジトランジスタ15とラッチ16を備えたドライバ38
の端子37に接続されている。良好な実施例を図4に示
すドライバ38には切り替え式の接地を与えるため接地
ライン25に接続された端子39と、接地されたセット
およびリセット入力40および41と、プレチャージ信
号PC(図2の信号Sと同じであるが位相が反対)用の
入力42と、計数終了信号ENDと反転された計数終了
信号ENDNをそれぞれ示す1組の出力43および44
がある。
【0025】図3の回路では、所定のレベルのプレチャ
ージ信号PCを受けるプレチャージの段階をイネーブル
にする。同時に、選択信号SELはトランジスタ32ま
たは33を選択的にオンにする所要の計数終了の値を選
択する。このステップでは、ライン25は接地されな
い。プレチャージの段階の終わりでは、選択された出力
ライン26′と26″はハイに切り替えられ、レジスタ
6(図1)の出力は信号AXi とANi により評価さ
れ、ライン25は接地される。選択された構造2′と
2″のトランジスタ3のゲート端子接続により、選択さ
れた構造2′と2″のトランジスタ3の一方のみがゲー
ト端子でハイレベルの信号を受けるならば、切り替えら
れる接地ライン25は出力ライン26′または26″に
接続され、これにより計数終了信号ENDを切り替え
る。逆に、計数終了の値に達すれば、選択構造2′、
2″のトランジスタのいずれもオンに成らず、更にEN
D出力は以前のレベルを保つ。
【0026】図4にはドライバ38の実施例を示してい
るが、このドライバにはプレチャージ信号PCとSET
信号(この場合、接地されている)が加えられたNOR
回路50がある。NOR回路50の出力は接地切り替え
トランジスタ51−この場合は、Nチャネルトランジス
タである−のゲート端子に接続されており、更にそのド
レイン端子はドライバ38の出力39を定め、切り替え
接地ライン25に接続されている(図3)。NOR回路
50の出力もPチャネルプレチャージトランジスタ52
のドレイン端子に接続されているが、このトランジスタ
には電源ラインVDDに接続されるソース端子と、ドライ
バ38の端子37に接続されるドレイン端子を有してい
る。端子37もドライバ38のリセット入力41に接続
されたゲート端子を有するNチャネルリセットトランジ
スタ53により接地されている(この場合、トランジス
タ53のオフを永久に保つため接地されている)。端子
37も出力ラッチ54に接続されているが、この出力ラ
ッチは端子37に入力が接続されたインバータ55と、
インバータ55の出力データを保つために反対のタイプ
の1組のトランジスタ56、57を備えている。より詳
細には、トランジスタ56はPタイプであり、インバー
タ55の出力ノード58に接続されたゲート端子と、電
源ラインVDDに接続されたソース端子と、端子37に接
続されたドレイン端子がある;一方、トランジスタ57
はNタイプであり、ノード58に接続されたゲート端子
と、端子37に接続されたドレイン端子と、接地された
ソース端子がある。
【0027】ノード58はインバータ59に接続され、
その出力によりEND信号を有するドライバ38の出力
43が定められる(図3);一方ノード58自体により
ENDN信号を有する出力44が定められる。
【0028】図4の回路において、プレチャージの段階
で、PC信号はトランジスタ51がオフであるのでハイ
である;トランジスタ52はオン、ノード37と出力4
3(END信号)はハイ、トランジスタ51はオフであ
り、選択構造2′、2″のトランジスタ3のソース端子
は接地されておらず、これによりこの段階の間静的な電
力消費が防止される。プレチャージの段階によりセル5
の出力AXi 、ANi(図2)がEND出力で間違い
(アリー(alee))を生ずることなく切り替わる
が、この出力はプレチャージの段階を通し安全に“1”
のままである。プレチャージの段階の終わりで、PC信
号はローに切り替わる;NOR回路50の出力はハイに
切り替わり、これによりプレチャージトランジスタ52
はオフになり、更にライン25とトランジスタ3の全て
のソース端子とに接続されたトランジスタ51はオンと
なる。選択された構造2′、2″はこのように評価さ
れ、更に信号AXi 、ANi が符号化された計数終了の
構成であれば、どれもが導電性でなく、端子37はハイ
を保ち、これによりEND信号のハイが維持される。逆
に、計数終了の値が到達されなければインバータ55と
59が切り替わり、END信号の切り替わりが続く。
【0029】トランジスタ56、57により端子37に
明確な信号がない場合インバータ55の出力(更にそれ
故END信号)が保たれる。特に、トランジスタ57に
より計数終了検出装置のパワーアップ段階の場合と同じ
く、プレチャージの段階および端子37の接地パスが無
い場合END信号がローに保たれる。
【0030】図4の回路ではトランジスタ56と57に
関する設計を多数準備する必要があるが、これらのトラ
ンジスタは抵抗が十分高く、プレチャージの段階(トラ
ンジスタ52がオンで端子37で“0”を越えることが
必要とされる時)と評価の段階(接地切り替えトランジ
スタ51の直列接続およびオンとなったトランジスタ3
がプレチャージトランジスタ52により発生しラッチト
ランジスタ56により保たれる端子37で“1”を越え
ることが必要とされる時)の両方でラッチ54に問題の
無いチャージングが行なわれる。
【0031】図3および図4のドライバ38にはSET
およびRES信号供給入力があり、これらの入力は図示
した実施例では使用されていないが、特別な応用例では
ドライバをセットまたはリセットするため有益である。
【0032】本発明による計数終了検出装置の利点は前
述の記載から明らかである。特に、復号器のワイヤード
OR構造の設計により計数機能ビットが多数の場合でも
前述の復号器のレイアウト、大きさ、更に効率の問題が
解決される。
【0033】更に、計数終了の値が多数の場合でも、
(図3に関連し記載したように)復号器のマルチプレク
スOR平面の設計により装置と関連状態マシーンとの間
の接続ライン(ワイヤ)が最小となり、これによりレイ
アウトに対しスペースが節約でき、多くの利点が可能と
なる。既に示した配置はデータまたは反転されたデータ
ラインとトランジスタのゲートラインとを適当に接続す
ることにより、それぞれに対し特別なレイアウトの行な
う必要を生ずることなく問題の無いあらゆる配置ができ
る。
【0034】最後に、復号器はカウンタまたはカウンタ
エレメントに物理的に近く構成できるが、これにより両
者の間の余分なワイヤまたはバス接続の必要が除去でき
る。
【0035】本発明の範囲から外れることなく、ここに
記載し図示した装置に多くの変更を与えることができる
ことは明らかである。特に、既に記載したように、本発
明によるワイヤードOR構造は、静的、擬似ダイナミッ
ク(ドミノロジック+出力ラッチ)、または完全ダイナ
ミック負荷で行なうことができる。更に、記載した内容
とは反対に、ワイヤードOR構造は2重の方法、すなわ
ちコンプリメントロジックPチャネルトランジスタによ
り構成できる(接地されたプレチャージ、およびターン
オントランジスタが1つある場合出力をハイに切り替え
る評価)。
【0036】同一の計数機能(同一のカウンタ)に対し
多数の計数終了の値を有する方法では、各時間に検出さ
れる計数終了の値は負荷またはプレチャージトランジス
タから下方でも選択でき、従ってそれぞれの復号化され
た計数終了の構成は負荷により与えられる。最後に、多
数の計数機能がある場合、復号器10はドライバ、出力
および選択回路、または適当なマルチプル分配回路を有
した多数の復号化機能を備えている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による単一の計数終了検出装置の構成
【図2】多数の計数終了検出装置のブロック図
【図3】図2の装置のコンポーネントのレイアウト
【図4】図3のコンポーネントの回路図
【符号の説明】
1 装置 2 構造 3 トランジスタ 4 ノード 5 セル 6 カウンタ 7 負荷 10 復号器 12 マルチプレクサ 13 出力 15 Pチャネル負荷トランジスタ 16 ラッチエレメント 17 インバータ 18 Pチャネルトランジスタ 20 出力ノード 25、26 ライン 27 ソースライン 28、29 データライン 32、33 選択トランジスタ 34 ノード 35 インバータ 37、39 端子 38 ドライバ 40 セット入力 41 リセット入力 42 入力 43、44 出力 50 NOR回路 52 Pチャネルプレチャージトランジスタ 53、56、57 トランジスタ 54 出力ラッチ 55、59 インバータ 58 出力ノード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルコ マッカローネ イタリー国, パレストロ 27030 ビア フォルネース, 8番地

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 計数信号(AXi 、ANi )の所定の構
    成を検出する時に計数終了信号(END)を発生するた
    め、前記計数信号が加えられた入力端子を有する復号化
    手段を備えており、前記復号化手段が前記所定の構成用
    にワイヤードOR構造(2;2′;2″)を備えている
    ことを特徴とする、特に不揮発性メモリ用の計数終了検
    出装置(1、1′)。
  2. 【請求項2】 前記ワイヤードOR構造(2、2′;
    2″)が一番目、二番目、および制御の端子を有する多
    数のトランジスタ(3)を備えており、前記一番目の端
    子が一番目の基準電位ライン(接地)に接続されてお
    り、前記二番目の端子が出力ノード(4、4j ;2
    6′;26″)に接続され、更に前記制御端子が個々の
    計数信号を受け、前記出力ノードが負荷エレメント
    (7;15;52)を通り二番目の基準電位ライン(V
    DD)に接続されていることを特徴とする請求項1に記載
    の検出装置。
  3. 【請求項3】 前記負荷がスイッチの無い抵抗エレメン
    トを含んだ静的負荷(7)であることを特徴とする請求
    項2に記載の検出装置。
  4. 【請求項4】 前記負荷がスイッチ性の負荷(15;5
    2)であることを特徴とする請求項2に記載の検出装
    置。
  5. 【請求項5】 前記スイッチ性負荷が、プレチャージの
    段階に前記二番目の基準電位ライン(VDD)を通り前記
    出力ノード(4j ;26′;26″)をチャージするた
    め、および前記計数信号の評価段階に前記二番目の基準
    電位ラインから前記出力ノードを切断するためにターン
    オン信号(S;PC)が加えられた制御端子を有するス
    イッチエレメント(15;52)を備えていることを特
    徴とする請求項4に記載の検出装置。
  6. 【請求項6】 前記出力ノード(4j ;26′;2
    6″)に接続されたストレージ装置(16;54)を備
    えていることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。
  7. 【請求項7】 異なる計数終了の構成を復号するため共
    通の入力端子を有する多数のワイヤードOR構造
    (2′;2″)を備えていることを特徴とする請求項2
    から6のいずれか1つに記載の検出装置。
  8. 【請求項8】 前記多数のワイヤードOR構造(2′;
    2″)が、一番目の方向に平行に整列された同一のワイ
    ヤードOR構造に関係するトランジスタ(3)と、前記
    一番目の方向にほぼ直角な二番目の方向に平行に整列さ
    れた同一の計数信号(AXi 、ANi )が加えられた異
    なるワイヤードOR構造に関係するトランジスタとを有
    する配列(10)に配置されていることを特徴とする請
    求項7に記載の検出装置。
  9. 【請求項9】 前記配列(10)が、前記計数信号(A
    i 、ANi )のそれぞれに対し一組のコンプリメント
    データライン(28、29)と多数のワイヤードORラ
    イン(26′;26″)を備え、各ワイヤードOR構造
    (2′;2″)に対するワイヤードORラインが前記ト
    ランジスタ(3)の前記二番目の端子に接続されてお
    り、前記データラインの組が前記二番目の方向に平行に
    伸びており、更に前記ワイヤードORラインが前記一番
    目の方向に平行に伸びていることを特徴とする請求項8
    に記載の検出装置。
  10. 【請求項10】 前記ワイヤードOR構造(2′;
    2″)の1つを前記出力端子に選択的に接続するため、
    前記多数のワイヤードOR構造(2′;2″)と前記検
    出装置(1′)の出力端子(20;43)の間に置かれ
    た選択装置(12)を備えることを特徴とする請求項7
    から9のいずれか1つに記載の検出装置。
  11. 【請求項11】 前記選択装置(12)が前記多数のワ
    イヤードOR構造(2′;2″)と前記負荷(15;5
    2)の間に置かれていることを特徴とする請求項10に
    記載の検出装置。
  12. 【請求項12】 前記トランジスタ(3)の前記一番目
    の端子と前記一番目の基準電位ラインとの間に置かれた
    制御スイッチ(51)を備えることを特徴とする請求項
    2から11のいずれか1つに記載の検出装置。
JP33746494A 1993-12-28 1994-12-28 不揮発性メモリ用計数終了検出装置 Pending JPH087585A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006106567A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha スイッチ回路
CN104333372A (zh) * 2014-09-29 2015-02-04 宁波大学 一种级联式三值低功耗多米诺可逆计数器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW367653B (en) * 1997-10-02 1999-08-21 Nat Science Council Division circuit of 4/5
CN103916113B (zh) * 2012-12-31 2017-06-16 意法半导体研发(深圳)有限公司 一种用于驱动功率晶体管的驱动电路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186827A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622987A (en) * 1969-05-05 1971-11-23 Us Army Count comparison circuit
FR2098921A5 (ja) * 1970-07-30 1972-03-10 Adret Electronique
US4315108A (en) * 1975-09-29 1982-02-09 Mostek Corporation Integrated circuit chip telephone communication system
EP0112062A3 (en) * 1982-12-07 1986-10-08 Stc Plc Semiconductor memories
JPS60100825A (ja) * 1983-11-08 1985-06-04 Toshiba Corp オ−ルゼロの検出回路
US4837748A (en) * 1986-11-13 1989-06-06 Vitelic Corporation Counting RAM
KR950000273B1 (ko) * 1992-02-21 1995-01-12 삼성전자 주식회사 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그 최적화 기입방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186827A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006106567A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha スイッチ回路
CN104333372A (zh) * 2014-09-29 2015-02-04 宁波大学 一种级联式三值低功耗多米诺可逆计数器
CN104333372B (zh) * 2014-09-29 2017-03-15 宁波大学 一种级联式三值低功耗多米诺可逆计数器

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