JPH087344A - 光デイスク製造装置、光デイスク製造方法及び光デイスク - Google Patents
光デイスク製造装置、光デイスク製造方法及び光デイスクInfo
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- JPH087344A JPH087344A JP15814094A JP15814094A JPH087344A JP H087344 A JPH087344 A JP H087344A JP 15814094 A JP15814094 A JP 15814094A JP 15814094 A JP15814094 A JP 15814094A JP H087344 A JPH087344 A JP H087344A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光デイスク製造装置、光デイスク製
造方法及び光デイスクについて、再生光源に応じたトラ
ツクピツチ及びＤＣグルーブの幅、深さを制御する。 【構成】所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅
（Ｗ）の信号記録再生領域（４）を露光すると共に、当
該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグルーブ幅
（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）のグルーブを
有する現像モニタ領域（５）を露光した後、信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注ぐ
と共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域（５）
の現像が進んでグルーブが形成されて得られる一次回折
光を検出したタイミングに応じて、信号記録再生領域
（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止させる。
これにより所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅
（Ｗ）の信号記録再生領域（４）を形成することができ
る。
造方法及び光デイスクについて、再生光源に応じたトラ
ツクピツチ及びＤＣグルーブの幅、深さを制御する。 【構成】所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅
（Ｗ）の信号記録再生領域（４）を露光すると共に、当
該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグルーブ幅
（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）のグルーブを
有する現像モニタ領域（５）を露光した後、信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注ぐ
と共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域（５）
の現像が進んでグルーブが形成されて得られる一次回折
光を検出したタイミングに応じて、信号記録再生領域
（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止させる。
これにより所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅
（Ｗ）の信号記録再生領域（４）を形成することができ
る。
Description
【０００１】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１及び図４） 作用（図１及び図４） 実施例（図１〜図５） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光デイスク製造装置、光
デイスク製造方法及び光デイスクに関し、例えば再生光
源に応じたトラツクピツチ及びＤＣグルーブ幅、深さを
有する光デイスクを製造する際に適用し得る。
デイスク製造方法及び光デイスクに関し、例えば再生光
源に応じたトラツクピツチ及びＤＣグルーブ幅、深さを
有する光デイスクを製造する際に適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、光デイスクにおいては、デイスク
のグルーブ内及び又はグルーブ間に記録された信号を再
生する再生光源としてλ＝ 780〔nm〕の波長を有するＬ
Ｄ（laser diode ）が主に使用されており、このような
波長を有するＬＤに対応するため、デイスクのトラツク
ピツチは 1.5〔μｍ〕程度が中心であつた。
のグルーブ内及び又はグルーブ間に記録された信号を再
生する再生光源としてλ＝ 780〔nm〕の波長を有するＬ
Ｄ（laser diode ）が主に使用されており、このような
波長を有するＬＤに対応するため、デイスクのトラツク
ピツチは 1.5〔μｍ〕程度が中心であつた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のように
再生光源として使用されるＬＤの再生波長は 780〔nm〕
だけであり、またＤＣグルーブ及びランドの比率と信号
量との相関についてもほとんど研究されていなかつたの
で、トラツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に
制御する必要がながつた。
再生光源として使用されるＬＤの再生波長は 780〔nm〕
だけであり、またＤＣグルーブ及びランドの比率と信号
量との相関についてもほとんど研究されていなかつたの
で、トラツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に
制御する必要がながつた。
【０００５】ところが近年、記録密度の高密度化の流れ
の中で波長が 680〔nm〕のＬＤや、ＭＵＳＥ（multiple
sub-Nyquist sampling encoding）用として実用化され
ているトラツクピツチ＝ 1.1〔μｍ〕のデイスクのため
のＳＨＧ（second harmonicgeneration）のグリーンレ
ーザ（λ＝ 532〔nm〕又は 400〔nm〕台）のような、従
来のＬＤの再生波長に比して波長の短い短波調レーザが
開発されている。またＭＯ（magneto optical ）やアイ
リスタなどの記録材料を研究、開発する際には、再生波
長に応じたトラツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅が
要求される。
の中で波長が 680〔nm〕のＬＤや、ＭＵＳＥ（multiple
sub-Nyquist sampling encoding）用として実用化され
ているトラツクピツチ＝ 1.1〔μｍ〕のデイスクのため
のＳＨＧ（second harmonicgeneration）のグリーンレ
ーザ（λ＝ 532〔nm〕又は 400〔nm〕台）のような、従
来のＬＤの再生波長に比して波長の短い短波調レーザが
開発されている。またＭＯ（magneto optical ）やアイ
リスタなどの記録材料を研究、開発する際には、再生波
長に応じたトラツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅が
要求される。
【０００６】このように多様な再生光源に対応したトラ
ツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に制御する
ことが非常に重要になつてきており、また同一のシステ
ム（同じトラツクピツチ）でもランドとグルーブの比率
によつてノイズの影響が大きく変わるため、トラツクピ
ツチ及びＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に制御すること
が不可欠な状況になつている。
ツクピツチやＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に制御する
ことが非常に重要になつてきており、また同一のシステ
ム（同じトラツクピツチ）でもランドとグルーブの比率
によつてノイズの影響が大きく変わるため、トラツクピ
ツチ及びＤＣグルーブの深さ、幅を厳密に制御すること
が不可欠な状況になつている。
【０００７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、再生光源に応じたトラツクピツチ及びＤＣグルーブ
の深さ、幅を有する光デイスク製造する光デイスク製造
装置、光デイスク製造方法及び光デイスクを提案しよう
とするものである。
で、再生光源に応じたトラツクピツチ及びＤＣグルーブ
の深さ、幅を有する光デイスク製造する光デイスク製造
装置、光デイスク製造方法及び光デイスクを提案しよう
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、デイスク原盤（２）上に塗布され
たフオトレジスト（３）上に、所定のトラツクピツチ
（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルーブでなり、当該グ
ルーブ内及び又はグルーブ間に信号を記録し再生する信
号記録再生領域（４）を露光すると共に、当該信号記録
再生領域（４）の外周又は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２
倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等しいグルーブを有す
る現像モニタ領域（５）を露光する露光手段と、当該露
光後のデイスク原盤（２）を回転させて信号記録再生領
域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注いで、
当該信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）
を現像する現像手段（６、８、９、１０）と、現像モニ
タ領域（５）にレーザ光（Ｌ）を照射するレーザ光源
と、現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形
成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出して光電変
換する光検出手段（１１）と、一次回折光（Ｉ1 ）が検
出されたタイミングに応じて、現像液の供給を停止して
信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現
像を停止させる制御手段（７、１２、１３）とを設ける
ようにした。
め本発明においては、デイスク原盤（２）上に塗布され
たフオトレジスト（３）上に、所定のトラツクピツチ
（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルーブでなり、当該グ
ルーブ内及び又はグルーブ間に信号を記録し再生する信
号記録再生領域（４）を露光すると共に、当該信号記録
再生領域（４）の外周又は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２
倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等しいグルーブを有す
る現像モニタ領域（５）を露光する露光手段と、当該露
光後のデイスク原盤（２）を回転させて信号記録再生領
域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注いで、
当該信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）
を現像する現像手段（６、８、９、１０）と、現像モニ
タ領域（５）にレーザ光（Ｌ）を照射するレーザ光源
と、現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形
成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出して光電変
換する光検出手段（１１）と、一次回折光（Ｉ1 ）が検
出されたタイミングに応じて、現像液の供給を停止して
信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現
像を停止させる制御手段（７、１２、１３）とを設ける
ようにした。
【０００９】また本発明においては、デイスク原盤
（２）上に塗布されたフオトレジスト（３）上に、所定
のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域（４）を露光すると共
に、当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグル
ーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等し
いグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光し、当
該露光後のデイスク原盤（２）を回転させて信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注い
で、当該信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）を現像し、現像モニタ領域（５）にレーザ光
（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域（５）の現像が進んで
グルーブが形成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検
出して光電変換し、一次回折光（Ｉ1 ）が検出されたタ
イミングに応じて、現像液の供給を停止して信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止さ
せるようにした。
（２）上に塗布されたフオトレジスト（３）上に、所定
のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域（４）を露光すると共
に、当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグル
ーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等し
いグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光し、当
該露光後のデイスク原盤（２）を回転させて信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を注い
で、当該信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）を現像し、現像モニタ領域（５）にレーザ光
（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域（５）の現像が進んで
グルーブが形成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検
出して光電変換し、一次回折光（Ｉ1 ）が検出されたタ
イミングに応じて、現像液の供給を停止して信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止さ
せるようにした。
【００１０】また本発明においては、デイスク原盤
（２）上に塗布されたフオトレジスト（３）上に、所定
のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域（４）を露光すると共
に、当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグル
ーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等し
いグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光した
後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）
に現像液を注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モ
ニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形成されて得
られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタイミングに応じ
て、制御手段（７、１２、１３）によつて現像液の供給
を停止して信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）の現像を停止させることによつて、所定のトラツ
クピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる
信号記録再生領域（４）が形成される。
（２）上に塗布されたフオトレジスト（３）上に、所定
のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域（４）を露光すると共
に、当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周にグル
ーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）に等し
いグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光した
後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）
に現像液を注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モ
ニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形成されて得
られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタイミングに応じ
て、制御手段（７、１２、１３）によつて現像液の供給
を停止して信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）の現像を停止させることによつて、所定のトラツ
クピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる
信号記録再生領域（４）が形成される。
【００１１】
【作用】所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグルーブ幅
（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）を露光
すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周
にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）
に等しいグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光
した後、現像手段（６、８、９、１０）によつて信号記
録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を
注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域
（５）の現像が進んでグルーブが形成されて得られる一
次回折光（Ｉ1 ）を光検出手段（１１）で検出したタイ
ミングに応じて、制御手段（７、１２、１３）によつて
現像液の供給を停止して信号記録再生領域（４）及び現
像モニタ領域（５）の現像を停止させるようにしたこと
により、再生光源に応じたトラツクピツチ及びグルーブ
幅、深さを有する光デイスクを製造し得る光デイスク製
造装置を実現し得る。
（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）を露光
すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又は内周
にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅（Ｗ）
に等しいグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光
した後、現像手段（６、８、９、１０）によつて信号記
録再生領域（４）及び現像モニタ領域（５）に現像液を
注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、現像モニタ領域
（５）の現像が進んでグルーブが形成されて得られる一
次回折光（Ｉ1 ）を光検出手段（１１）で検出したタイ
ミングに応じて、制御手段（７、１２、１３）によつて
現像液の供給を停止して信号記録再生領域（４）及び現
像モニタ領域（５）の現像を停止させるようにしたこと
により、再生光源に応じたトラツクピツチ及びグルーブ
幅、深さを有する光デイスクを製造し得る光デイスク製
造装置を実現し得る。
【００１２】また所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグル
ーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）
を露光すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又
は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅
（Ｗ）に等しいグルーブを有する現像モニタ領域（５）
を露光した後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ
領域（５）に現像液を注ぐと共に共にレーザ光（Ｌ）を
照射し、現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブ
が形成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタ
イミングに応じて、現像液の供給を停止して信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止さ
せるようにしたことにより、再生光源に応じたトラツク
ピツチ及びグルーブ幅、深さを有する光デイスクを製造
し得る光デイスク製造方法を実現し得る。
ーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）
を露光すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又
は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅
（Ｗ）に等しいグルーブを有する現像モニタ領域（５）
を露光した後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ
領域（５）に現像液を注ぐと共に共にレーザ光（Ｌ）を
照射し、現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブ
が形成されて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタ
イミングに応じて、現像液の供給を停止して信号記録再
生領域（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止さ
せるようにしたことにより、再生光源に応じたトラツク
ピツチ及びグルーブ幅、深さを有する光デイスクを製造
し得る光デイスク製造方法を実現し得る。
【００１３】また所定のトラツクピツチ（Ｐ）及びグル
ーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）
を露光すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又
は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅
（Ｗ）のグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光
した後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）に現像液を注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、
現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形成さ
れて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタイミング
に応じて、現像液の供給を停止して信号記録再生領域
（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止させるこ
とによつて、再生光源に応じたトラツクピツチ及びグル
ーブ幅、深さを有する光デイスクを製造することができ
る。
ーブ幅（Ｗ）のグルーブでなる信号記録再生領域（４）
を露光すると共に当該信号記録再生領域（４）の外周又
は内周にグルーブ幅（Ｗ）の２倍のピツチでグルーブ幅
（Ｗ）のグルーブを有する現像モニタ領域（５）を露光
した後、信号記録再生領域（４）及び現像モニタ領域
（５）に現像液を注ぐと共にレーザ光（Ｌ）を照射し、
現像モニタ領域（５）の現像が進んでグルーブが形成さ
れて得られる一次回折光（Ｉ1 ）を検出したタイミング
に応じて、現像液の供給を停止して信号記録再生領域
（４）及び現像モニタ領域（５）の現像を停止させるこ
とによつて、再生光源に応じたトラツクピツチ及びグル
ーブ幅、深さを有する光デイスクを製造することができ
る。
【００１４】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１５】図１において、１は全体として本発明の実
施例による光デイスク製造装置を示し、所定のトラツク
ピツチ及びグルーブ幅のグルーブでなり、当該グルーブ
内及び又はグルーブ間に信号を記録し再生する信号エリ
アを露光すると共に、当該信号エリアの外周に信号エリ
アのグルーブ幅の２倍のピツチで信号エリアのグルーブ
幅に等しいグルーブを有する現像モニタ領域を露光し、
現像時に１次回折光の微分信号を検出して、当該微分信
号の立上がりのゼロクロスのタイミングに応じて信号エ
リア及び現像モニタ領域の現像を停止することにより、
所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグルーブでなる
信号エリアを形成し得るようになされている。
施例による光デイスク製造装置を示し、所定のトラツク
ピツチ及びグルーブ幅のグルーブでなり、当該グルーブ
内及び又はグルーブ間に信号を記録し再生する信号エリ
アを露光すると共に、当該信号エリアの外周に信号エリ
アのグルーブ幅の２倍のピツチで信号エリアのグルーブ
幅に等しいグルーブを有する現像モニタ領域を露光し、
現像時に１次回折光の微分信号を検出して、当該微分信
号の立上がりのゼロクロスのタイミングに応じて信号エ
リア及び現像モニタ領域の現像を停止することにより、
所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグルーブでなる
信号エリアを形成し得るようになされている。
【００１６】すなわち図１に示すように、ガラスでなる
デイスク原盤２上に塗布されたフオトレジスト３上に、
トラツクピツチＰ及びグルーブ幅Ｗの信号エリア４を露
光すると共に、当該信号エリア４の外周にグルーブ幅Ｗ
の２倍のピツチでグルーブ幅Ｗの現像モニタ領域５を露
光する。次にターンテーブル６によつて当該ターンテー
ブル６上に載置されたデイスク原盤２を回転させる共
に、コツク電磁弁７を開けて現像液タンク８からホース
９を介して現像液を流出させ、現像液ノズル１０より信
号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を噴霧状に吐
出する。
デイスク原盤２上に塗布されたフオトレジスト３上に、
トラツクピツチＰ及びグルーブ幅Ｗの信号エリア４を露
光すると共に、当該信号エリア４の外周にグルーブ幅Ｗ
の２倍のピツチでグルーブ幅Ｗの現像モニタ領域５を露
光する。次にターンテーブル６によつて当該ターンテー
ブル６上に載置されたデイスク原盤２を回転させる共
に、コツク電磁弁７を開けて現像液タンク８からホース
９を介して現像液を流出させ、現像液ノズル１０より信
号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を噴霧状に吐
出する。
【００１７】また信号エリア４及び現像モニタ領域５に
現像液を噴霧状に吐出しながら、現像モニタ領域５に現
像モニタ用のレーザ光源、例えばＨｅ−Ｎｅ（ヘリウム
−ネオン）レーザのレーザ光Ｌを照射し、その結果得ら
れる１次回折光Ｉ1 をフオトデイテクタ１１で検出して
光電変換する。この場合フオトデイテクタ１１は１次回
折光Ｉ1 を検出し得る位置に配置されている。
現像液を噴霧状に吐出しながら、現像モニタ領域５に現
像モニタ用のレーザ光源、例えばＨｅ−Ｎｅ（ヘリウム
−ネオン）レーザのレーザ光Ｌを照射し、その結果得ら
れる１次回折光Ｉ1 をフオトデイテクタ１１で検出して
光電変換する。この場合フオトデイテクタ１１は１次回
折光Ｉ1 を検出し得る位置に配置されている。
【００１８】ここで図２に示すように、フオトレジスト
３の厚さをｄ、グルーブ幅をＷ、トラツクピツチをＰ、
デイスク原盤２の屈折率をＮ0 、フオトレジスト３の屈
折率をＮ1 とすると、この回析格子に波長λの光が入射
して回析した光の１次回折光Ｉ1 は次式
３の厚さをｄ、グルーブ幅をＷ、トラツクピツチをＰ、
デイスク原盤２の屈折率をＮ0 、フオトレジスト３の屈
折率をＮ1 とすると、この回析格子に波長λの光が入射
して回析した光の１次回折光Ｉ1 は次式
【数１】 で表される。
【００１９】また現像プロセスにおいてグルーブ幅Ｗが
広がつて行く場合を考えて、グルーブ幅Ｗだけを変数と
すると、トラツクピツチＰ、波長λ、デイスク原盤２の
屈折率Ｎ0 、フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 、フオトレ
ジスト３の厚さｄは定数となり、次式
広がつて行く場合を考えて、グルーブ幅Ｗだけを変数と
すると、トラツクピツチＰ、波長λ、デイスク原盤２の
屈折率Ｎ0 、フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 、フオトレ
ジスト３の厚さｄは定数となり、次式
【数２】 とおくと、一次回折光Ｉ1 は次式
【数３】 で表すことができる。
【００２０】またグルーブ幅Ｗの変化幅ΔＷに対する１
次回折光Ｉ1 の変化幅ΔＩ1 の比率は次式
次回折光Ｉ1 の変化幅ΔＩ1 の比率は次式
【数４】 で表され、（４）式において、次式
【数５】 とおくと、（４）式は次式
【数６】 で表すことができる。以上のことをグラフに示すと図３
に示すようになり、Ｗ＝Ｐ／２で一次回折光Ｉ1 の微分
波形がゼロになることが分かる。
に示すようになり、Ｗ＝Ｐ／２で一次回折光Ｉ1 の微分
波形がゼロになることが分かる。
【００２１】以上のことより、一次回折光Ｉ1 は係数Ａ
及びＢ、すなわちトラツクピツチＰ、波長λ、デイスク
原盤２の屈折率Ｎ0 、フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 、
フオトレジストの厚さｄに依存しないことが分かる。本
発明はこのことを利用してグルーブ幅Ｗを制御してい
る。
及びＢ、すなわちトラツクピツチＰ、波長λ、デイスク
原盤２の屈折率Ｎ0 、フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 、
フオトレジストの厚さｄに依存しないことが分かる。本
発明はこのことを利用してグルーブ幅Ｗを制御してい
る。
【００２２】フオトデイテクタ１１の出力信号は微分回
路１２で微分されて微分信号として比較器１３に出力さ
れる。ここで微分回路１２はフオトデイテクタ１１で一
次回折光Ｉ1 を検出した時点で作動するようになされて
いる。比較器１３では、フオトデイテクタ１１で検出さ
れる一次回折光Ｉ1 のピークレベル、すなわち微分回路
１２で得られる微分信号の立下がりのゼロクロス（Ｗ＝
Ｐ／２）のタイミングを検出し、当該微分信号の立上が
りのゼロクロスのタイミングに応じてコツク電磁弁５が
閉じて現像液の流出を停止し、信号エリア４及び現像モ
ニタ領域５の現像を停止するようになされている。この
ようにして得られたデイスク原盤２の信号エリア４及び
現像モニタ領域５の断面図を図４に示す。
路１２で微分されて微分信号として比較器１３に出力さ
れる。ここで微分回路１２はフオトデイテクタ１１で一
次回折光Ｉ1 を検出した時点で作動するようになされて
いる。比較器１３では、フオトデイテクタ１１で検出さ
れる一次回折光Ｉ1 のピークレベル、すなわち微分回路
１２で得られる微分信号の立下がりのゼロクロス（Ｗ＝
Ｐ／２）のタイミングを検出し、当該微分信号の立上が
りのゼロクロスのタイミングに応じてコツク電磁弁５が
閉じて現像液の流出を停止し、信号エリア４及び現像モ
ニタ領域５の現像を停止するようになされている。この
ようにして得られたデイスク原盤２の信号エリア４及び
現像モニタ領域５の断面図を図４に示す。
【００２３】ここで現像モニタ領域５のトラツクピツチ
が変化するに従つて回折光の回折角が変わるので、現像
モニタ領域５にグルーブ幅Ｗのグルーブが形成されたと
きに得られる一次回折光Ｉ1 の回折角に応じた位置にフ
オトデイテクタ１１を配置する。例えば一次回折光の回
折角の変化に応じてフオトデイテクタ１１を移動し得る
ような構成にしたり、面積の広いフオトデイテクタ１１
をデイスク原盤２の近くに配置したり、また図５に示す
ように、次式
が変化するに従つて回折光の回折角が変わるので、現像
モニタ領域５にグルーブ幅Ｗのグルーブが形成されたと
きに得られる一次回折光Ｉ1 の回折角に応じた位置にフ
オトデイテクタ１１を配置する。例えば一次回折光の回
折角の変化に応じてフオトデイテクタ１１を移動し得る
ような構成にしたり、面積の広いフオトデイテクタ１１
をデイスク原盤２の近くに配置したり、また図５に示す
ように、次式
【数７】 の関係になるように、焦点距離ｆのレンズ１４をデイス
ク原盤２とフオトデイテクタ１１との間に配置すること
により、トラツクピツチの変化により一次回折光Ｉ1 の
回折角が変わつても、フオトデイテクタ１１で一次回折
光Ｉ1 を検出することができる。
ク原盤２とフオトデイテクタ１１との間に配置すること
により、トラツクピツチの変化により一次回折光Ｉ1 の
回折角が変わつても、フオトデイテクタ１１で一次回折
光Ｉ1 を検出することができる。
【００２４】以上の構成において、例えば、トラツクピ
ツチＰが 1.2〔μｍ〕でグルーブ幅Ｗが 0.7〔μｍ〕の
信号エリア４を得たいときは、グルーブ幅が 0.7〔μ
ｍ〕でピツチがグルーブ幅Ｗの２倍すなわち 1.4〔μ
ｍ〕の現像モニタ領域５を信号エリア４の外周に露光す
る。次にターンテーブル６によつてデイスク原盤２を回
転させ、信号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を
噴射状に吐出しながら現像モニタ領域５にレーザ光Ｌを
照射し、これにより得られる一次回析光Ｉ1 をフオトデ
イテクタ１１で検出して光電変換した後微分回路１２で
微分し、比較器１２で検出した微分信号の立上がりのゼ
ロクロスのタイミングに応じて、電磁弁７が閉じて信号
エリア４及び現像モニタ領域５の現像が停止される。こ
れにより、トラツクピツチＰが 1.2〔μｍ〕でグルーブ
幅が 0.7〔μｍ〕の信号エリア４を得ることができる。
ツチＰが 1.2〔μｍ〕でグルーブ幅Ｗが 0.7〔μｍ〕の
信号エリア４を得たいときは、グルーブ幅が 0.7〔μ
ｍ〕でピツチがグルーブ幅Ｗの２倍すなわち 1.4〔μ
ｍ〕の現像モニタ領域５を信号エリア４の外周に露光す
る。次にターンテーブル６によつてデイスク原盤２を回
転させ、信号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を
噴射状に吐出しながら現像モニタ領域５にレーザ光Ｌを
照射し、これにより得られる一次回析光Ｉ1 をフオトデ
イテクタ１１で検出して光電変換した後微分回路１２で
微分し、比較器１２で検出した微分信号の立上がりのゼ
ロクロスのタイミングに応じて、電磁弁７が閉じて信号
エリア４及び現像モニタ領域５の現像が停止される。こ
れにより、トラツクピツチＰが 1.2〔μｍ〕でグルーブ
幅が 0.7〔μｍ〕の信号エリア４を得ることができる。
【００２５】以上の構成によれば、トラツクピツチＰで
グルーブ幅Ｗの信号エリア４を露光すると共に当該信号
エリア４の外周にグルーブ幅Ｗの２倍のピツチでグルー
ブ幅Ｗのグルーブを有する現像モニタ領域５を露光し、
信号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を吐出して
当該現像モニタ領域５にレーザ光Ｌを照射して得られる
１次回折光Ｉ1 を微分した結果の微分信号の立下がりの
ゼロクロスのタイミングに応じて信号エリア４及び現像
モニタ領域５の現像を停止させるようにしたことによ
り、フオトレジスト３の膜厚ｄ、レーザ光Ｌの波長λ、
フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 及びデイスク原盤２の屈
折率Ｎ0 の差などの影響を受けずに、再生光源に応じた
トラツクピツチＰ及びグルーブ幅Ｗ、深さを簡易かつ精
度良く形成することができる。
グルーブ幅Ｗの信号エリア４を露光すると共に当該信号
エリア４の外周にグルーブ幅Ｗの２倍のピツチでグルー
ブ幅Ｗのグルーブを有する現像モニタ領域５を露光し、
信号エリア４及び現像モニタ領域５に現像液を吐出して
当該現像モニタ領域５にレーザ光Ｌを照射して得られる
１次回折光Ｉ1 を微分した結果の微分信号の立下がりの
ゼロクロスのタイミングに応じて信号エリア４及び現像
モニタ領域５の現像を停止させるようにしたことによ
り、フオトレジスト３の膜厚ｄ、レーザ光Ｌの波長λ、
フオトレジスト３の屈折率Ｎ1 及びデイスク原盤２の屈
折率Ｎ0 の差などの影響を受けずに、再生光源に応じた
トラツクピツチＰ及びグルーブ幅Ｗ、深さを簡易かつ精
度良く形成することができる。
【００２６】なお上述の実施例においては、現像モニタ
領域５に照射するレーザ光源としてＨｅ−Ｎｅレーザを
用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
フオトレジスト３に対して感光しない波長を有するレー
ザ光源であれば他のレーザ光源を使用してもよい。
領域５に照射するレーザ光源としてＨｅ−Ｎｅレーザを
用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
フオトレジスト３に対して感光しない波長を有するレー
ザ光源であれば他のレーザ光源を使用してもよい。
【００２７】また上述の実施例においては、現像液の流
出を制御する手段として、コツク電磁弁７を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、現像液の流
出を制御することができれば他の手段を用いてもよい。
出を制御する手段として、コツク電磁弁７を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、現像液の流
出を制御することができれば他の手段を用いてもよい。
【００２８】また上述の実施例においては、本発明をＤ
Ｃグルーブの形成に適用した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、グルーブ幅が一様であるグルーブ
を形成する場合にも適用し得る。
Ｃグルーブの形成に適用した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、グルーブ幅が一様であるグルーブ
を形成する場合にも適用し得る。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、現像時に
信号記録再生領域のグルーブ幅を厳密に制御することが
できる光デイスク製造装置及び光デイスク製造方法を実
現でき、かくして再生光源に応じたトラツクピツチやグ
ルーブ幅、深さを有する光デイスクを製造することがで
きる。
信号記録再生領域のグルーブ幅を厳密に制御することが
できる光デイスク製造装置及び光デイスク製造方法を実
現でき、かくして再生光源に応じたトラツクピツチやグ
ルーブ幅、深さを有する光デイスクを製造することがで
きる。
【図１】本発明の実施例による光デイスク製造装置の概
略構成を示す略線図である。
略構成を示す略線図である。
【図２】一次回折光の説明に供する略線図である。
【図３】１次回折光の微分波形の説明に供する波形図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例による信号エリア（Ａ）及び現
像モニタ領域（Ｂ）の断面図を示す。
像モニタ領域（Ｂ）の断面図を示す。
【図５】本発明の実施例による光デイスク製造装置にお
けるレンズの配設位置の説明に供する略線図である。
けるレンズの配設位置の説明に供する略線図である。
１……光デイスク装置、２……デイスク原盤、３……フ
オトレジスト、４……信号エリア、５……現像モニタ領
域、６……ターンテーブル、７……コツク電磁弁、８…
…現像液タンク、９……ホース、１０……現像液ノズ
ル、１１……フオトデイテクタ、１２……微分回路、１
３……比較器、１４……レンズ、Ｌ……レーザ光、Ｉ1
……一次回折光。
オトレジスト、４……信号エリア、５……現像モニタ領
域、６……ターンテーブル、７……コツク電磁弁、８…
…現像液タンク、９……ホース、１０……現像液ノズ
ル、１１……フオトデイテクタ、１２……微分回路、１
３……比較器、１４……レンズ、Ｌ……レーザ光、Ｉ1
……一次回折光。
Claims (7)
- 【請求項１】デイスク原盤上に塗布されたフオトレジス
ト上に、所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域を露光すると共に、当
該信号記録再生領域の外周又は内周に上記グルーブ幅の
２倍のピツチで上記グルーブ幅に等しいグルーブを有す
る現像モニタ領域を露光する露光手段と、 当該露光後の上記デイスク原盤を回転させて上記信号記
録再生領域及び現像モニタ領域に現像液を注いで、当該
信号記録再生領域及び現像モニタ領域を現像する現像手
段と、 上記現像モニタ領域にレーザ光を照射するレーザ光源
と、 上記現像モニタ領域の現像が進んで上記グルーブが形成
されて得られる一次回折光を検出して光電変換する光検
出手段と、 上記一次回折光が検出されたタイミングに応じて、上記
現像液の供給を停止して上記信号記録再生領域及び現像
モニタ領域の現像を停止させる制御手段とを具えること
を特徴とする光デイスク製造装置。 - 【請求項２】上記光検出手段は、上記所定のグルーブ幅
を有するグルーブが上記現像モニタ領域に形成されたと
きに得られる一次回折光の回折角に応じた位置に配置さ
れることを特徴とする請求項１に記載の光デイスク製造
装置。 - 【請求項３】上記制御手段は、 上記光検出手段で検出された検出信号を微分する微分回
路と、 上記微分回路より出力される微分信号の立下がりのゼロ
クロスのタイミングを検出する現像状態検出手段と、 上記微分信号の立下がりのゼロクロスのタイミングに応
じて上記信号記録再生領域及び現像モニタ領域の現像を
停止する現像制御手段とを具えることを特徴とする請求
項１に記載の光デイスク製造装置。 - 【請求項４】上記レーザ光はヘリウム−ネオン（Ｈｅ−
Ｎｅ）レーザ光でなることを特徴とする請求項１記載の
光デイスク製造装置。 - 【請求項５】デイスク原盤上に塗布されたフオトレジス
ト上に、所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域を露光すると共に、当
該信号記録再生領域の外周又は内周に上記グルーブ幅の
２倍のピツチで上記グルーブ幅に等しいグルーブを有す
る現像モニタ領域を露光し、 当該露光後の上記デイスク原盤を回転させて上記信号記
録再生領域及び現像モニタ領域に現像液を注いで、当該
信号記録再生領域及び現像モニタ領域を現像し、 上記現像モニタ領域にレーザ光を照射し、 上記現像モニタ領域の現像が進んで上記グルーブが形成
されて得られる一次回折光を検出して光電変換し、 上記一次回折光が検出されたタイミングに応じて、上記
現像液の供給を停止して上記信号記録再生領域及び現像
モニタ領域の現像を停止させるようにしたことを特徴と
する光デイスク製造方法。 - 【請求項６】上記信号記録再生領域及び現像モニタ領域
の現像は、上記検出した一次回折光を微分して得られる
微分信号の立下がりのゼロクロスのタイミングに応じて
停止させるようにしたことを特徴とする請求項５に記載
の光デイスク製造方法。 - 【請求項７】デイスク原盤上に塗布されたフオトレジス
ト上に、所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグルー
ブでなり、当該グルーブ内及び又はグルーブ間に信号を
記録し再生する信号記録再生領域を露光すると共に、当
該信号記録再生領域の外周又は内周に上記グルーブ幅の
２倍のピツチで上記グルーブ幅に等しいグルーブを有す
る現像モニタ領域を露光した後、上記信号記録再生領域
及び現像モニタ領域に現像液を注ぐと共にレーザ光を照
射し、上記現像モニタ領域の現像が進んで上記グルーブ
が形成されて得られる一次回折光を検出したタイミング
に応じて、上記現像液の供給を停止して上記信号記録再
生領域及び現像モニタ領域の現像を停止させることによ
つて、上記所定のトラツクピツチ及びグルーブ幅のグル
ーブでなる信号記録再生領域が形成されることを特徴と
する光デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15814094A JPH087344A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 光デイスク製造装置、光デイスク製造方法及び光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15814094A JPH087344A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 光デイスク製造装置、光デイスク製造方法及び光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087344A true JPH087344A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15665147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15814094A Pending JPH087344A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 光デイスク製造装置、光デイスク製造方法及び光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235358B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-05-22 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Package container and container closure |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP15814094A patent/JPH087344A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235358B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-05-22 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Package container and container closure |
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