JPH0873261A - ガラス−セラミックス複合体とその製造方法 - Google Patents
ガラス−セラミックス複合体とその製造方法Info
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- JPH0873261A JPH0873261A JP6234124A JP23412494A JPH0873261A JP H0873261 A JPH0873261 A JP H0873261A JP 6234124 A JP6234124 A JP 6234124A JP 23412494 A JP23412494 A JP 23412494A JP H0873261 A JPH0873261 A JP H0873261A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高電気絶縁性、高強度、高緻密性を備えてい
るほか、均質な着色状態であり遮光特性にも優れた、焼
結体に反りの無いガラス−セラミックス複合体、およ
び、その製造方法を提供すること。 【構成】 ガラス相の組成が、SiO2 :40〜52重
量部,Al203:27〜37重量部,MgO:11〜1
3重量部,B2O3:2〜8重量部,CaO:2〜8重量
部,ZrO2 :0.1〜3重量部の範囲にあり、セラミ
ックス相がアルミナで20〜60重量部の範囲にあり、
0.1〜10重量部の2種類以上の遷移金属を含む遷移
金属複化合物とからなることを特徴とするガラス−セラ
ミックス複合体。
るほか、均質な着色状態であり遮光特性にも優れた、焼
結体に反りの無いガラス−セラミックス複合体、およ
び、その製造方法を提供すること。 【構成】 ガラス相の組成が、SiO2 :40〜52重
量部,Al203:27〜37重量部,MgO:11〜1
3重量部,B2O3:2〜8重量部,CaO:2〜8重量
部,ZrO2 :0.1〜3重量部の範囲にあり、セラミ
ックス相がアルミナで20〜60重量部の範囲にあり、
0.1〜10重量部の2種類以上の遷移金属を含む遷移
金属複化合物とからなることを特徴とするガラス−セラ
ミックス複合体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波絶縁材料,半導
体パッケージ,又は、多層回路基板等に用いられる電気
絶縁材料として優れた物性を有するガラス−セラミック
ス複合体およびその製造方法に関するものである。
体パッケージ,又は、多層回路基板等に用いられる電気
絶縁材料として優れた物性を有するガラス−セラミック
ス複合体およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、多層回路基板や半導体(IC)パ
ッケージ材料として好適な電気絶縁性材料としてはアル
ミナセラミックスが主として用いられてきた。しかし、
アルミナは誘電率が大きいために信号の伝播遅延を引き
起こし、また熱膨張係数も大きいために半導体チップに
応力歪みを生じさせることなどが問題となってきた。更
に、アルミナセラミックスは焼成温度が高いために、内
部配線用の信号導体(配線材料)として融点の高いタン
グステン(W)やモリブデン(Mo)を用いる必要があ
るが、これらの金属材料は比較的抵抗値が高く、導電性
が良くないという問題も生じていた。そして、このよう
な技術的背景にあって、タングステンやモリブデンに代
わる低抵抗導体として金(Au),銀(Ag),銅(C
u)などが使用できないか、との要請があり、これに応
えるべくアルミナセラミックス材料に代わる各種の低温
焼成材料が開発され、実用化されるに至っている。この
低温焼成材料には、大きく分けて結晶化ガラス系とガラ
ス−セラミックス複合体系とがある。
ッケージ材料として好適な電気絶縁性材料としてはアル
ミナセラミックスが主として用いられてきた。しかし、
アルミナは誘電率が大きいために信号の伝播遅延を引き
起こし、また熱膨張係数も大きいために半導体チップに
応力歪みを生じさせることなどが問題となってきた。更
に、アルミナセラミックスは焼成温度が高いために、内
部配線用の信号導体(配線材料)として融点の高いタン
グステン(W)やモリブデン(Mo)を用いる必要があ
るが、これらの金属材料は比較的抵抗値が高く、導電性
が良くないという問題も生じていた。そして、このよう
な技術的背景にあって、タングステンやモリブデンに代
わる低抵抗導体として金(Au),銀(Ag),銅(C
u)などが使用できないか、との要請があり、これに応
えるべくアルミナセラミックス材料に代わる各種の低温
焼成材料が開発され、実用化されるに至っている。この
低温焼成材料には、大きく分けて結晶化ガラス系とガラ
ス−セラミックス複合体系とがある。
【0003】結晶化ガラス系では、コージェライト系結
晶化ガラスをはじめとし、特開昭59−92943号公
報、特開昭59−92957号公報、あるいは特開昭5
9−137341号公報等に見られるような各種の低誘
電率、低熱膨張係数、低温度焼成の結晶化ガラスがすで
に提示されている。またガラス−セラミックス複合体系
では、特公昭63−6503号公報、特開平4−275
975号公報等に開示されているものがすでに知られて
いる。さらに結晶化ガラス−ガラス複合体として特開平
5−186243号公報に示されるようなものも含まれ
る。
晶化ガラスをはじめとし、特開昭59−92943号公
報、特開昭59−92957号公報、あるいは特開昭5
9−137341号公報等に見られるような各種の低誘
電率、低熱膨張係数、低温度焼成の結晶化ガラスがすで
に提示されている。またガラス−セラミックス複合体系
では、特公昭63−6503号公報、特開平4−275
975号公報等に開示されているものがすでに知られて
いる。さらに結晶化ガラス−ガラス複合体として特開平
5−186243号公報に示されるようなものも含まれ
る。
【0004】これらの各種の低温焼成材料は、一般に白
色〜半透明色であることから、これらの焼成材料からな
るセラミックス基板に半導体(IC)素子を搭載する
と、セラミックス基板を透過してきた光が半導体(I
C)素子に誤作動を生ぜしめるという問題がある。そこ
で、この問題を解消するために、この焼成材料中に着色
剤を配合することが考えられている。例えば特開平2−
44043号公報には、コージェライト系結晶化ガラス
をフリット化したものに、遷移金属の酸化物である酸化
鉄(Fe2O3),酸化コバルト(CoO)などの粉末を
混合し焼成した着色結晶化ガラス体およびその製造方法
が開示されている。
色〜半透明色であることから、これらの焼成材料からな
るセラミックス基板に半導体(IC)素子を搭載する
と、セラミックス基板を透過してきた光が半導体(I
C)素子に誤作動を生ぜしめるという問題がある。そこ
で、この問題を解消するために、この焼成材料中に着色
剤を配合することが考えられている。例えば特開平2−
44043号公報には、コージェライト系結晶化ガラス
をフリット化したものに、遷移金属の酸化物である酸化
鉄(Fe2O3),酸化コバルト(CoO)などの粉末を
混合し焼成した着色結晶化ガラス体およびその製造方法
が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな例えば特開平2−44043号公報に示されている
もののように、着色のために、着色剤として遷移金属の
酸化物を用いると、ガラス系の材料では、その着色成分
がガラス結晶粒内に入り込み、溶け込むために、従来か
らのアルミナセラミックス材料に比べて着色が薄くな
る。すなわち、半導体(IC)素子を光から保護すると
いう遮光特性に若干の問題があった。
うな例えば特開平2−44043号公報に示されている
もののように、着色のために、着色剤として遷移金属の
酸化物を用いると、ガラス系の材料では、その着色成分
がガラス結晶粒内に入り込み、溶け込むために、従来か
らのアルミナセラミックス材料に比べて着色が薄くな
る。すなわち、半導体(IC)素子を光から保護すると
いう遮光特性に若干の問題があった。
【0006】そして、更に、遮光特性を高めるために着
色を濃くしようとして、着色剤として遷移金属の酸化物
を多量に添加すると、焼結性が著しく阻害され、気泡が
存在するようになるために、焼結体の強度および電気特
性が低下するという問題もあった。
色を濃くしようとして、着色剤として遷移金属の酸化物
を多量に添加すると、焼結性が著しく阻害され、気泡が
存在するようになるために、焼結体の強度および電気特
性が低下するという問題もあった。
【0007】更にまた、この公報のものは、着色のため
に、着色剤として遷移金属の酸化物を用いると、その着
色成分は、ガラス相との濡れ性が良くないために、焼結
体の緻密化が阻害される。その結果、寸法精度が悪くな
り、焼結体に反りが発生しやすいという問題等もあっ
た。また、遷移金属の酸化物中の着色成分が、焼成中に
ガラス相と化学反応をひきおこし、ガラス相が核を形成
し、結晶化するために、焼結体の緻密化が阻害される。
その結果、寸法精度が悪くなり、焼結体に反りが発生し
やすいという問題等もあった。
に、着色剤として遷移金属の酸化物を用いると、その着
色成分は、ガラス相との濡れ性が良くないために、焼結
体の緻密化が阻害される。その結果、寸法精度が悪くな
り、焼結体に反りが発生しやすいという問題等もあっ
た。また、遷移金属の酸化物中の着色成分が、焼成中に
ガラス相と化学反応をひきおこし、ガラス相が核を形成
し、結晶化するために、焼結体の緻密化が阻害される。
その結果、寸法精度が悪くなり、焼結体に反りが発生し
やすいという問題等もあった。
【0008】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、高
電気絶縁性,高強度,高緻密性を備えていることはもと
より、均質な着色状態であり遮光特性にも優れた、焼結
体に反りの無いガラス−セラミックス複合体を提供する
ことにある。また本発明は、このような均質な着色状態
にあるガラス−セラミックス複合体を製造する方法を提
供することをも目的とするものである。
めになされたものであり、その目的とするところは、高
電気絶縁性,高強度,高緻密性を備えていることはもと
より、均質な着色状態であり遮光特性にも優れた、焼結
体に反りの無いガラス−セラミックス複合体を提供する
ことにある。また本発明は、このような均質な着色状態
にあるガラス−セラミックス複合体を製造する方法を提
供することをも目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この上記目的を達成する
ために本発明のガラス−セラミックス複合体は、ガラス
相とセラミックス相からなる材料中に、2種類以上の遷
移金属を含む遷移金属複化合物が含有されていることを
要旨とするものである。
ために本発明のガラス−セラミックス複合体は、ガラス
相とセラミックス相からなる材料中に、2種類以上の遷
移金属を含む遷移金属複化合物が含有されていることを
要旨とするものである。
【0010】「ガラス−セラミックス複合体」として
は、SiO2,Al2O3, MgOを主成分とし、これに
ZnO,CaO,Y2O3,B2O3,P2O5,またはZr
O2 の中から選択された一種又は二種以上の成分が必要
に応じて含まれるガラス相にアルミナのセラミックス相
が所定量、好ましくは20〜60重量部配合されたもの
であることが好ましい。
は、SiO2,Al2O3, MgOを主成分とし、これに
ZnO,CaO,Y2O3,B2O3,P2O5,またはZr
O2 の中から選択された一種又は二種以上の成分が必要
に応じて含まれるガラス相にアルミナのセラミックス相
が所定量、好ましくは20〜60重量部配合されたもの
であることが好ましい。
【0011】ここで、「セラミックス相」の混合比率が
20重量部未満であると、遷移金属複化合物を添加した
場合に強度が低下する。一方、60重量部以上である
と、緻密化が困難で強度が低下し、色調が薄くなる。ま
た、本発明のガラス−セラミックス複合体においては、
上述したようなガラス相の組成が用いられる場合は、セ
ラミック相の混合比率は、30〜40重量部であること
が特に好ましい。
20重量部未満であると、遷移金属複化合物を添加した
場合に強度が低下する。一方、60重量部以上である
と、緻密化が困難で強度が低下し、色調が薄くなる。ま
た、本発明のガラス−セラミックス複合体においては、
上述したようなガラス相の組成が用いられる場合は、セ
ラミック相の混合比率は、30〜40重量部であること
が特に好ましい。
【0012】さらに「遷移金属複化合物」としては、T
i,V,Cu,Mnの他に、Fe,Co,Ni等の第8
族、および、Cr,Mo等の第6族などの各種の遷移金
属元素から適宜選択された二種類以上の元素の複化合物
を用いるのが好ましい。そして、これらの遷移金属複化
合物のうち、特に、NiFe2O4,CoFe2O4,Fe
Cr2O4等の鉄(Fe)を含む複化合物を添加すれば、
着色効果が大きく、焼結性が良好で、反りの無い高強度
の焼結体が得られるので好ましい。
i,V,Cu,Mnの他に、Fe,Co,Ni等の第8
族、および、Cr,Mo等の第6族などの各種の遷移金
属元素から適宜選択された二種類以上の元素の複化合物
を用いるのが好ましい。そして、これらの遷移金属複化
合物のうち、特に、NiFe2O4,CoFe2O4,Fe
Cr2O4等の鉄(Fe)を含む複化合物を添加すれば、
着色効果が大きく、焼結性が良好で、反りの無い高強度
の焼結体が得られるので好ましい。
【0013】遷移金属複化合物は、上述したように、各
種の遷移金属元素から適宜選択された二種類以上の元素
の複化合物を用いるのが好ましく、CoMnCrO4 ,
NiCrMnO4,MnNiVO4,FeCoCrO4,
FeVMoO7等の三種類以上の遷移金属を含む複化合
物も他の例として挙げられる。複化合物は、主として複
酸化物であり、この複酸化物を仮焼により生成する場合
の一般的な仮焼条件としては、大気中または酸素雰囲気
中で900〜1500℃の温度で仮焼することである。
そして、生成された複化合物の結晶の構造を調べる方法
としては、X線回折法による。
種の遷移金属元素から適宜選択された二種類以上の元素
の複化合物を用いるのが好ましく、CoMnCrO4 ,
NiCrMnO4,MnNiVO4,FeCoCrO4,
FeVMoO7等の三種類以上の遷移金属を含む複化合
物も他の例として挙げられる。複化合物は、主として複
酸化物であり、この複酸化物を仮焼により生成する場合
の一般的な仮焼条件としては、大気中または酸素雰囲気
中で900〜1500℃の温度で仮焼することである。
そして、生成された複化合物の結晶の構造を調べる方法
としては、X線回折法による。
【0014】遷移金属複化合物の含有量が0.1重量部
以下であると、呈色度が低くて十分な着色効果が無く、
遮光性が得られない。また、10重量部以上添加して
も、遮光性の面で意味をなさず、却って、ガラス−セラ
ミックス複合体の強度および電気絶縁性を劣下させる。
特に好ましくは、遷移金属複化合物の含有量が、0.5
〜3重量部であり、その添加量で十分な着色が可能であ
り、焼結体の反りも小さくなる。
以下であると、呈色度が低くて十分な着色効果が無く、
遮光性が得られない。また、10重量部以上添加して
も、遮光性の面で意味をなさず、却って、ガラス−セラ
ミックス複合体の強度および電気絶縁性を劣下させる。
特に好ましくは、遷移金属複化合物の含有量が、0.5
〜3重量部であり、その添加量で十分な着色が可能であ
り、焼結体の反りも小さくなる。
【0015】遷移金属複化合物の粒度が、0.5μm以
下であると、焼結性が阻害されるために、焼結体に焼結
ムラが発生する。また、5μm以上であると、焼結体に
色ムラおよび反りが発生し、焼結体の強度が低下する。
それゆえに、遷移金属複化合物の粒度は、平均粒径が
0.5〜5μmであれば、良好である。
下であると、焼結性が阻害されるために、焼結体に焼結
ムラが発生する。また、5μm以上であると、焼結体に
色ムラおよび反りが発生し、焼結体の強度が低下する。
それゆえに、遷移金属複化合物の粒度は、平均粒径が
0.5〜5μmであれば、良好である。
【0016】ところで、本発明のガラス−セラミックス
複合体において、上述したように、ガラス相の組成が限
定されているが、これは、次の理由によるものである。
SiO2 は、40重量部未満の添加量であると、ガラス
になり難くなり、52重量部以上の添加量であると、結
晶化し難くなる。Al2O3は、27重量部未満の添加量
であると、結晶化後の残存ガラス量が多くなり、強度、
誘電損失が劣るようになる。一方、37重量部以上の添
加量であると、溶融し難くなり、緻密体となり難くな
る。MgOは、11重量部未満の添加量であると、溶融
し難くなり、13重量部以上の添加量であると、緻密な
結晶化ガラスが得られ難くなる。B2O3は、2重量部未
満の添加量であると、吸水率が零となり難くなり、8重
量部以上の添加量であると、結晶化し難くなる。CaO
は、2重量部未満の添加量であると、吸水率が零となり
難くなり、8重量部以上の添加量であると、熱膨張係数
が大きくなる。ZrO2 は、0.1重量部未満の添加量
であると、結晶化し難くなり、3重量部以上の添加量で
あっても、効果はほとんど無く、均質な溶解がし難くな
る。そして、また、上記組成範囲のガラス相は、軟化点
が800〜950℃の温度であることも挙げられる。
複合体において、上述したように、ガラス相の組成が限
定されているが、これは、次の理由によるものである。
SiO2 は、40重量部未満の添加量であると、ガラス
になり難くなり、52重量部以上の添加量であると、結
晶化し難くなる。Al2O3は、27重量部未満の添加量
であると、結晶化後の残存ガラス量が多くなり、強度、
誘電損失が劣るようになる。一方、37重量部以上の添
加量であると、溶融し難くなり、緻密体となり難くな
る。MgOは、11重量部未満の添加量であると、溶融
し難くなり、13重量部以上の添加量であると、緻密な
結晶化ガラスが得られ難くなる。B2O3は、2重量部未
満の添加量であると、吸水率が零となり難くなり、8重
量部以上の添加量であると、結晶化し難くなる。CaO
は、2重量部未満の添加量であると、吸水率が零となり
難くなり、8重量部以上の添加量であると、熱膨張係数
が大きくなる。ZrO2 は、0.1重量部未満の添加量
であると、結晶化し難くなり、3重量部以上の添加量で
あっても、効果はほとんど無く、均質な溶解がし難くな
る。そして、また、上記組成範囲のガラス相は、軟化点
が800〜950℃の温度であることも挙げられる。
【0017】本発明のガラス−セラミックス複合体にお
いては、ガラスとセラミックスの混合物に遷移金属複化
合物を所定量添加してあることにより、電気絶縁性およ
び強度が向上し,焼結体に反りが無くなり、吸水率が零
になる。このガラス−セラミックス複合体における、こ
のような材質改善の因子としては、遷移金属複化合物と
ガラス相との濡れ性が良好となり、反応性が改善された
ためであると考えられる。
いては、ガラスとセラミックスの混合物に遷移金属複化
合物を所定量添加してあることにより、電気絶縁性およ
び強度が向上し,焼結体に反りが無くなり、吸水率が零
になる。このガラス−セラミックス複合体における、こ
のような材質改善の因子としては、遷移金属複化合物と
ガラス相との濡れ性が良好となり、反応性が改善された
ためであると考えられる。
【0018】本発明で使用した遷移金属複化合物を生成
した遷移金属酸化物を単独で添加した場合において、F
e2O3は赤褐色を呈色する。CoOは青色を呈色する。
NiOは褐色を呈色する。Cr2O3は緑色を呈色する。
これらの遷移金属酸化物の混合物を例えば1200℃の
温度で2時間仮焼して、遷移金属複化合物を生成し、そ
の遷移金属複化合物をガラス粉末およびアルミナ粉末に
添加配合し、成形して焼成すると、暗灰色〜黒色のガラ
ス−セラミックス複合体が得られる。
した遷移金属酸化物を単独で添加した場合において、F
e2O3は赤褐色を呈色する。CoOは青色を呈色する。
NiOは褐色を呈色する。Cr2O3は緑色を呈色する。
これらの遷移金属酸化物の混合物を例えば1200℃の
温度で2時間仮焼して、遷移金属複化合物を生成し、そ
の遷移金属複化合物をガラス粉末およびアルミナ粉末に
添加配合し、成形して焼成すると、暗灰色〜黒色のガラ
ス−セラミックス複合体が得られる。
【0019】
【実施例】以下に、本発明によるガラス−セラミックス
複合体の具体的実施例について、その製造方法および性
能試験の結果を詳細に説明する。ガラス相の組成が、S
iO2 :41重量部,Al203:35重量部,MgO:
11重量部,B2O3:6重量部,CaO:6重量部,Z
rO2 :2重量部となるように、原料粉末であるCaC
O3 ,Al(OH)3 ,SiO2 ,MgCO3 ,H3B
O3,ZrO2 を秤量し、それらを調合した。その後、
この混合物を白金ルツボにて、1400〜1500℃の
温度で溶融した。次に、この溶融物を水中に投下してフ
リットを形成し、このフリットをアルミナ製ボールミル
で粉砕し、平均粒径3μm以下,比表面積4m2 /g以
上のガラス粉末を製造した。そして、このガラス粉末に
純度99.9%以上,平均粒径3μmのアルミナ粉末を
所定の割合で添加し、混合した。
複合体の具体的実施例について、その製造方法および性
能試験の結果を詳細に説明する。ガラス相の組成が、S
iO2 :41重量部,Al203:35重量部,MgO:
11重量部,B2O3:6重量部,CaO:6重量部,Z
rO2 :2重量部となるように、原料粉末であるCaC
O3 ,Al(OH)3 ,SiO2 ,MgCO3 ,H3B
O3,ZrO2 を秤量し、それらを調合した。その後、
この混合物を白金ルツボにて、1400〜1500℃の
温度で溶融した。次に、この溶融物を水中に投下してフ
リットを形成し、このフリットをアルミナ製ボールミル
で粉砕し、平均粒径3μm以下,比表面積4m2 /g以
上のガラス粉末を製造した。そして、このガラス粉末に
純度99.9%以上,平均粒径3μmのアルミナ粉末を
所定の割合で添加し、混合した。
【0020】一方、次の表1は、本発明において使用し
た各種の遷移金属の酸化物の配合割合を示したものであ
る。
た各種の遷移金属の酸化物の配合割合を示したものであ
る。
【0021】
【表1】
【0022】この表1に示した配合割合で各種の遷移金
属の酸化物を十分に混合した後、アルミナルツボ中で1
200℃の温度で2時間仮焼した。そして、この仮焼物
をアルミナポット中で粉砕して、平均粒径2μmの遷移
金属複化合物を得た。
属の酸化物を十分に混合した後、アルミナルツボ中で1
200℃の温度で2時間仮焼した。そして、この仮焼物
をアルミナポット中で粉砕して、平均粒径2μmの遷移
金属複化合物を得た。
【0023】次の表2は、本発明において使用した各種
の遷移金属複化合物(表1に組成を示す)およびガラス
およびアルミナの配合割合および得られたガラス−セラ
ミックス複合体の性能試験の結果を示したものである。
尚、この表2には、比較例(焼成品No.16〜23)
の性能試験の結果も併せて記載した。
の遷移金属複化合物(表1に組成を示す)およびガラス
およびアルミナの配合割合および得られたガラス−セラ
ミックス複合体の性能試験の結果を示したものである。
尚、この表2には、比較例(焼成品No.16〜23)
の性能試験の結果も併せて記載した。
【0024】
【表2】
【0025】この表2に示したガラスとアルミナとの合
量100重量部に対して、遷移金属複化合物を所定量添
加して、樹脂と溶剤とともに混合して、ドクターブレー
ドにより、シート状に成形した。そして、得られたシー
トを金型で所定の大きさに切断して、850〜1000
℃の温度で15分間焼成し、焼結体を得た。
量100重量部に対して、遷移金属複化合物を所定量添
加して、樹脂と溶剤とともに混合して、ドクターブレー
ドにより、シート状に成形した。そして、得られたシー
トを金型で所定の大きさに切断して、850〜1000
℃の温度で15分間焼成し、焼結体を得た。
【0026】次に、本発明で得られたガラス−セラミッ
クス複合体の各種性能試験の結果について説明する。実
施例(No.1〜15)と比較例(No.16〜23)
との焼結体の特性(色調,反り,吸水率,抗折強度等)
の比較データは、既述の表2に示したとおりである。こ
こで、焼結体の反りの判定方法としては、100×10
0×2(mm)の寸法の焼結体の基板において、対角線
方向の最大反り量を測定することにより、判定される。
判定の基準となる最大反り量は、150μmであり、1
50μm未満を○で示し、150μm以上を×で示して
ある。抗折強度は、JIS規格の3点曲げ試験によって
得られた強度である。
クス複合体の各種性能試験の結果について説明する。実
施例(No.1〜15)と比較例(No.16〜23)
との焼結体の特性(色調,反り,吸水率,抗折強度等)
の比較データは、既述の表2に示したとおりである。こ
こで、焼結体の反りの判定方法としては、100×10
0×2(mm)の寸法の焼結体の基板において、対角線
方向の最大反り量を測定することにより、判定される。
判定の基準となる最大反り量は、150μmであり、1
50μm未満を○で示し、150μm以上を×で示して
ある。抗折強度は、JIS規格の3点曲げ試験によって
得られた強度である。
【0027】この表2からわかるように、実施例として
示した本発明のガラス−セラミックス複合体は、寸法精
度が高く、吸水率が零の極めて優れた緻密体である。ま
た、黒灰色および黒色を呈色しており、焼結体の反り
は、観察されない。更に、抗折強度は、すべて2500
Kg/cm2であり、高強度である。この表2には、示
されてはいないが、本発明のガラス−セラミックス複合
体に100Vを印加した際の表面抵抗値は、1014Ω以
上であり、高電気絶縁性である。
示した本発明のガラス−セラミックス複合体は、寸法精
度が高く、吸水率が零の極めて優れた緻密体である。ま
た、黒灰色および黒色を呈色しており、焼結体の反り
は、観察されない。更に、抗折強度は、すべて2500
Kg/cm2であり、高強度である。この表2には、示
されてはいないが、本発明のガラス−セラミックス複合
体に100Vを印加した際の表面抵抗値は、1014Ω以
上であり、高電気絶縁性である。
【0028】次に、比較例は、遷移金属複化合物の添加
量が0重量部のもの、及び、遷移金属複化合物の添加量
を増加して、3および15重量部としたものである。こ
れらの焼結体は、白色、灰色、黒灰色および黒色を呈色
している。遷移金属複化合物の添加量が0および3重量
部の焼結体においては、焼結体に反りは観察されない
が、遷移金属複化合物の添加量が15重量部の焼結体に
おいては、焼結体に反りが観察される。更に、吸水率に
関しては、焼成品No.16,17以外の焼結体は、吸
水率が零ではなくて、吸水性がある。すなわち、アルミ
ナの混合比率が高すぎるもの又は遷移金属複化合物の含
有量が多いものは、焼結性が悪くて緻密性が不十分であ
るために、実用性が無い。また、抗折強度に関しても、
焼成品No.16以外の焼結体は抗折強度がすべて15
00Kg/cm2 以下であり、実用性が無い。この表2
には、示されてはいないが、遷移金属複化合物の添加量
が10重量部以上の焼結体に100Vを印加した際の表
面抵抗値は、1012Ω以下であり、電気絶縁性が低い。
量が0重量部のもの、及び、遷移金属複化合物の添加量
を増加して、3および15重量部としたものである。こ
れらの焼結体は、白色、灰色、黒灰色および黒色を呈色
している。遷移金属複化合物の添加量が0および3重量
部の焼結体においては、焼結体に反りは観察されない
が、遷移金属複化合物の添加量が15重量部の焼結体に
おいては、焼結体に反りが観察される。更に、吸水率に
関しては、焼成品No.16,17以外の焼結体は、吸
水率が零ではなくて、吸水性がある。すなわち、アルミ
ナの混合比率が高すぎるもの又は遷移金属複化合物の含
有量が多いものは、焼結性が悪くて緻密性が不十分であ
るために、実用性が無い。また、抗折強度に関しても、
焼成品No.16以外の焼結体は抗折強度がすべて15
00Kg/cm2 以下であり、実用性が無い。この表2
には、示されてはいないが、遷移金属複化合物の添加量
が10重量部以上の焼結体に100Vを印加した際の表
面抵抗値は、1012Ω以下であり、電気絶縁性が低い。
【0029】したがって、この本発明のガラス−セラミ
ックス複合体の光透過率(遮光率)は特に測定していな
いが、従来からの材料に比べて高い遮光性が得られるも
のと考えられる。そして、この本発明のガラス−セラミ
ックス複合体から製造された半導体パッケージに半導体
チップを搭載した場合、半導体チップが光透過による誤
動作を生じる恐れを低減することが期待される。
ックス複合体の光透過率(遮光率)は特に測定していな
いが、従来からの材料に比べて高い遮光性が得られるも
のと考えられる。そして、この本発明のガラス−セラミ
ックス複合体から製造された半導体パッケージに半導体
チップを搭載した場合、半導体チップが光透過による誤
動作を生じる恐れを低減することが期待される。
【0030】また、この本発明のガラス−セラミックス
複合体の吸水率が零であるということは、焼結性が良好
で緻密性が十分であるということである。すなわち、焼
結体の強度が改善され、向上している。このことは、本
発明のガラス−セラミックス複合体を多層回路基板や半
導体パッケージとして適用した場合に、材料の強度が高
められていることから、これら製品が、製造工程での取
扱い中に破損したりすることがなくなり、また基板材料
としての薄型化が達成される等の二次的効果が得られ
る。
複合体の吸水率が零であるということは、焼結性が良好
で緻密性が十分であるということである。すなわち、焼
結体の強度が改善され、向上している。このことは、本
発明のガラス−セラミックス複合体を多層回路基板や半
導体パッケージとして適用した場合に、材料の強度が高
められていることから、これら製品が、製造工程での取
扱い中に破損したりすることがなくなり、また基板材料
としての薄型化が達成される等の二次的効果が得られ
る。
【0031】以上各種実施例について説明したが、本発
明はこの実施例に何ら限定されるものではなく、本発明
の趣旨を逸脱しない範囲で各種の実施例の変更が可能で
あることは言うまでもないことである。例えば、上記実
施例では、ガラス−セラミックス複合体の材料の組成を
示したが、これに限られるものではなく、各種ガラス粉
末材料の配合、あるいは、ガラス−セラミックス複合体
にあっては、配合されるセラミックス粉末としてアルミ
ナ以外の、例えば、ムライト,シリカ,フォルステライ
ト等の各種セラミックス粉末の配合も勿論可能である。
明はこの実施例に何ら限定されるものではなく、本発明
の趣旨を逸脱しない範囲で各種の実施例の変更が可能で
あることは言うまでもないことである。例えば、上記実
施例では、ガラス−セラミックス複合体の材料の組成を
示したが、これに限られるものではなく、各種ガラス粉
末材料の配合、あるいは、ガラス−セラミックス複合体
にあっては、配合されるセラミックス粉末としてアルミ
ナ以外の、例えば、ムライト,シリカ,フォルステライ
ト等の各種セラミックス粉末の配合も勿論可能である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明のガラス−セラミックス複合体によれば、遷移金属
複化合物が含有されているために、高電気絶縁性,高強
度,高緻密性を備えるのみならず、遮光特性にも優れて
いるものであるから、多層回路基板や半導体パッケージ
材料等の電子材料に用いられることによって、光透過に
よる半導体チップの誤作動等の問題は解消されるもので
ある。また、これらの電子材料部品の製造工程にあって
も、光を利用した位置検出時の精度の確保の点でも有利
であると共に、遷移金属複化合物の含有により機械的強
度が高くなり、製造工程中のハンドリングが容易とな
る。それゆえに、製造工程中での破損も少なくなり、製
品歩留の向上および回路基板の薄型化も達成されること
等による経済的効果も大きい。したがって、本発明のガ
ラス−セラミックス複合体をこれらの電子材料部品とし
て適用することは、産業上きわめて有益なものである。
発明のガラス−セラミックス複合体によれば、遷移金属
複化合物が含有されているために、高電気絶縁性,高強
度,高緻密性を備えるのみならず、遮光特性にも優れて
いるものであるから、多層回路基板や半導体パッケージ
材料等の電子材料に用いられることによって、光透過に
よる半導体チップの誤作動等の問題は解消されるもので
ある。また、これらの電子材料部品の製造工程にあって
も、光を利用した位置検出時の精度の確保の点でも有利
であると共に、遷移金属複化合物の含有により機械的強
度が高くなり、製造工程中のハンドリングが容易とな
る。それゆえに、製造工程中での破損も少なくなり、製
品歩留の向上および回路基板の薄型化も達成されること
等による経済的効果も大きい。したがって、本発明のガ
ラス−セラミックス複合体をこれらの電子材料部品とし
て適用することは、産業上きわめて有益なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 一則 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 20〜60重量部のセラミックス相と、
残部ガラス相とからなるガラス−セラミックス複合体1
00重量部に対し、0.1〜10重量部の2種類以上の
遷移金属を含む遷移金属複化合物を含有することを特徴
とするガラス−セラミックス複合体。 - 【請求項2】 前記遷移金属複化合物が、遷移金属と酸
化鉄との化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載
のガラス−セラミックス複合体。 - 【請求項3】 前記遷移金属複化合物が、主としてNi
Fe2O4,CoFe2O4のうちの少なくとも一種からな
ることを特徴とする請求項2に記載のガラス−セラミッ
クス複合体。 - 【請求項4】 前記遷移金属複化合物が、主としてNi
Cr2O4,CoCr2O4,FeCr2O4のうちの少なく
とも一種からなることを特徴とする請求項1に記載のガ
ラス−セラミックス複合体。 - 【請求項5】 前記ガラス相の組成が、SiO2:40
〜52重量部,Al203 :27〜37重量部,Mg
O:11〜13重量部,B2O3:2〜8重量部,Ca
O:2〜8重量部,ZrO2 :0.1〜3重量部の範囲
にあり、セラミックス相がアルミナであることを特徴と
する請求項1に記載のガラス−セラミックス複合体。 - 【請求項6】 2種類以上の遷移金属化合物を混合し仮
焼した後、平均粒径が0.5〜5μmとなるように粉砕
して遷移金属複化合物を調整し、これをガラスとアルミ
ナの混合物に添加し、成形して焼成することを特徴とす
るガラス−セラミックス複合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6234124A JPH0873261A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ガラス−セラミックス複合体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6234124A JPH0873261A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ガラス−セラミックス複合体とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0873261A true JPH0873261A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=16966017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6234124A Pending JPH0873261A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ガラス−セラミックス複合体とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0873261A (ja) |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP6234124A patent/JPH0873261A/ja active Pending
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