JPH0868660A - 位置センサ - Google Patents
位置センサInfo
- Publication number
- JPH0868660A JPH0868660A JP6206700A JP20670094A JPH0868660A JP H0868660 A JPH0868660 A JP H0868660A JP 6206700 A JP6206700 A JP 6206700A JP 20670094 A JP20670094 A JP 20670094A JP H0868660 A JPH0868660 A JP H0868660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- output
- wiring
- position sensor
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感磁部であるＭＲセンサに影響を与えて出力
低下を引き起こすことなく各出力端子からの出力をほぼ
完全に同等とする。 【構成】 センス電流を供給するための配線部である電
源部５及びＭＲセンサ２を接地するための配線部である
接地部６のＭＲセンサ２との接続箇所近傍に折り畳み形
状の延長部２１を設ける。
低下を引き起こすことなく各出力端子からの出力をほぼ
完全に同等とする。 【構成】 センス電流を供給するための配線部である電
源部５及びＭＲセンサ２を接地するための配線部である
接地部６のＭＲセンサ２との接続箇所近傍に折り畳み形
状の延長部２１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子を用
いた位置センサに関するものであり、特にその出力補正
を図った新規な位置センサに関するものである。
いた位置センサに関するものであり、特にその出力補正
を図った新規な位置センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、位置検出の精度として１μｍ程
度以下が要求されるような場合、具体的には、例えばい
わゆるマグネスケール等に用いる場合に適した位置セン
サとしては、近時における小型化の要請から、薄膜形成
技術（スパッタ法、蒸着法等）により作製されたものが
案出されている。ここで、外部磁界の感磁部として磁気
抵抗効果素子（ＭＲセンサ）を用いた位置センサが考え
られており、正確な位置検出に有効である。
度以下が要求されるような場合、具体的には、例えばい
わゆるマグネスケール等に用いる場合に適した位置セン
サとしては、近時における小型化の要請から、薄膜形成
技術（スパッタ法、蒸着法等）により作製されたものが
案出されている。ここで、外部磁界の感磁部として磁気
抵抗効果素子（ＭＲセンサ）を用いた位置センサが考え
られており、正確な位置検出に有効である。
【０００３】ＭＲセンサを用いた位置センサの主要部の
一例を図４に示す。当該位置センサは、基板１０１上
に、薄膜形成技術により、ＭＲセンサ１０２と、このＭ
Ｒセンサ１０２と電気的に接続されている配線部が成膜
されて構成されている。
一例を図４に示す。当該位置センサは、基板１０１上
に、薄膜形成技術により、ＭＲセンサ１０２と、このＭ
Ｒセンサ１０２と電気的に接続されている配線部が成膜
されて構成されている。
【０００４】上記配線部は、一端部が出力端子Ａ，Ｂと
されてなる端子部１０３，１０４と、ＭＲセンサ１０２
にセンス電流を供給するための定電位電源ＶCCが接続さ
れる電源部１０５と、一端部がＭＲセンサ１０２を接地
するためのアース端子Ｇ１とされてなる接地部１０６と
から構成されている。
されてなる端子部１０３，１０４と、ＭＲセンサ１０２
にセンス電流を供給するための定電位電源ＶCCが接続さ
れる電源部１０５と、一端部がＭＲセンサ１０２を接地
するためのアース端子Ｇ１とされてなる接地部１０６と
から構成されている。
【０００５】上記ＭＲセンサ１０２は、外部磁界の方向
Ｍと略々直交するように配されており、電源部１０５に
センス電流を供給することにより、外部磁界の変化に応
じて抵抗値が変わり、それに伴う電圧変化が端子部１０
３，１０４の出力端子Ａ，Ｂから出力される。
Ｍと略々直交するように配されており、電源部１０５に
センス電流を供給することにより、外部磁界の変化に応
じて抵抗値が変わり、それに伴う電圧変化が端子部１０
３，１０４の出力端子Ａ，Ｂから出力される。
【０００６】また、上記位置センサには、出力を安定化
させるための温度特性（中点電位等）補正用のＭＲ素子
１０７が設けられており、このＭＲ素子１０７には当該
ＭＲ素子１０７を接地するためのアース端子Ｇ２とされ
てなる接地部１０８が電気的に接続されている。上記Ｍ
Ｒ素子１０７は、上記ＭＲセンサ１０２と略々直交する
向き、すなわち外部磁界の方向Ｍと平行な向きに設けら
れている。
させるための温度特性（中点電位等）補正用のＭＲ素子
１０７が設けられており、このＭＲ素子１０７には当該
ＭＲ素子１０７を接地するためのアース端子Ｇ２とされ
てなる接地部１０８が電気的に接続されている。上記Ｍ
Ｒ素子１０７は、上記ＭＲセンサ１０２と略々直交する
向き、すなわち外部磁界の方向Ｍと平行な向きに設けら
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図４に
示すように、上記配線部のパターンの制約上、必然的に
電源部１０５−端子部１０３間と電源部１０５−端子部
１０４間、及び接地部１０６−端子部１０３間と接地部
１０６−端子部１０４間（以下、それぞれＶcc−Ａ間，
Ｖcc−Ｂ間、及びＧ１−Ａ間，Ｇ１−Ｂ間と記す。）の
面積に大きな相違が生じる。すなわち、Ｖcc−Ａ間及び
Ｇ１−Ａ間の面積に比して、Ｖcc−Ｂ間及びＧ１−Ｂ間
の方が電源部１０５，接地部１０６の部分１０５ａ，１
０６ｂ（図中、２重斜線で示す）だけ面積が大きくな
る。そのため、Ｖcc−Ａ間とＶcc−Ｂ間、及びＧ１−Ａ
間とＧ１−Ｂ間には大きな電気抵抗値の差異が生じ、出
力端子Ａ，Ｂの間に大きな出力差が生じることになる。
示すように、上記配線部のパターンの制約上、必然的に
電源部１０５−端子部１０３間と電源部１０５−端子部
１０４間、及び接地部１０６−端子部１０３間と接地部
１０６−端子部１０４間（以下、それぞれＶcc−Ａ間，
Ｖcc−Ｂ間、及びＧ１−Ａ間，Ｇ１−Ｂ間と記す。）の
面積に大きな相違が生じる。すなわち、Ｖcc−Ａ間及び
Ｇ１−Ａ間の面積に比して、Ｖcc−Ｂ間及びＧ１−Ｂ間
の方が電源部１０５，接地部１０６の部分１０５ａ，１
０６ｂ（図中、２重斜線で示す）だけ面積が大きくな
る。そのため、Ｖcc−Ａ間とＶcc−Ｂ間、及びＧ１−Ａ
間とＧ１−Ｂ間には大きな電気抵抗値の差異が生じ、出
力端子Ａ，Ｂの間に大きな出力差が生じることになる。
【０００８】上記の如き不都合を解消するために、従来
では、電源部１０５及び接地部１０６の幅を広げること
によりＶcc−Ｂ間及びＧ１−Ｂ間の電気抵抗値を低減さ
せることで対処している。しかしながら、このように電
源部１０５及び接地部１０６の幅を変更させることによ
り、上記配線部全体の抵抗バランスの乱れが生じ易く、
このような方法が有効であるのは、抵抗補正値が小さい
場合に限られており、この抵抗補正値が大きい場合には
対処が極めて困難である。
では、電源部１０５及び接地部１０６の幅を広げること
によりＶcc−Ｂ間及びＧ１−Ｂ間の電気抵抗値を低減さ
せることで対処している。しかしながら、このように電
源部１０５及び接地部１０６の幅を変更させることによ
り、上記配線部全体の抵抗バランスの乱れが生じ易く、
このような方法が有効であるのは、抵抗補正値が小さい
場合に限られており、この抵抗補正値が大きい場合には
対処が極めて困難である。
【０００９】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたもので、感磁部であるＭＲセンサに影響を
与えて出力低下を引き起こすことなく各出力端子からの
出力をほぼ完全に同等とすることを可能とする位置セン
サを提供することを目的とする。
て提案されたもので、感磁部であるＭＲセンサに影響を
与えて出力低下を引き起こすことなく各出力端子からの
出力をほぼ完全に同等とすることを可能とする位置セン
サを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、基板上に、磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲセン
サと記す。）と、当該ＭＲセンサと電気的に接続された
配線部とが、薄膜形成技術によりそれぞれ所定のパター
ンに形成され、前記配線部にその一端部が出力端子とさ
れた端子部が設けられてなる位置センサである。
は、基板上に、磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲセン
サと記す。）と、当該ＭＲセンサと電気的に接続された
配線部とが、薄膜形成技術によりそれぞれ所定のパター
ンに形成され、前記配線部にその一端部が出力端子とさ
れた端子部が設けられてなる位置センサである。
【００１１】本発明の位置センサは、上記配線部のＭＲ
センサとの接続箇所近傍に蛇行する延長部が設けられて
なることを特徴とするものである。ここで、前記延長部
は、他の出力端子が設けられた配線部における出力と比
較して出力の小さい出力端子を有する配線部と直接接続
されている配線部、例えばセンス電流を供給するための
配線部やＭＲセンサを接地するための配線部等に設けら
れる。
センサとの接続箇所近傍に蛇行する延長部が設けられて
なることを特徴とするものである。ここで、前記延長部
は、他の出力端子が設けられた配線部における出力と比
較して出力の小さい出力端子を有する配線部と直接接続
されている配線部、例えばセンス電流を供給するための
配線部やＭＲセンサを接地するための配線部等に設けら
れる。
【００１２】また具体的には、上記延長部を、矩形状に
蛇行するパターンに形成し、上記ＭＲセンサに印加され
る磁界の方向と平行な線形部分を有するようにすること
が望ましい。すなわち、当該ＭＲセンサは磁界の方向と
略々直交する向きに配する必要があるが、このＭＲセン
サの配された方向と直交する向きに上記線形部分が成膜
されていることになる。
蛇行するパターンに形成し、上記ＭＲセンサに印加され
る磁界の方向と平行な線形部分を有するようにすること
が望ましい。すなわち、当該ＭＲセンサは磁界の方向と
略々直交する向きに配する必要があるが、このＭＲセン
サの配された方向と直交する向きに上記線形部分が成膜
されていることになる。
【００１３】
【作用】本発明の位置センサにおいては、配線部のＭＲ
センサとの接続箇所近傍に蛇行する延長部が設けられて
いる。この延長部は、数層に蛇行しているため非常に狭
い占有面積を有するが、全体としては相当の長さとな
り、当該延長部の層数、すなわち長さを調節して成膜す
ることにより所望の電気抵抗値をこの延長部が設けられ
た当該配線部に付加することが可能となる。
センサとの接続箇所近傍に蛇行する延長部が設けられて
いる。この延長部は、数層に蛇行しているため非常に狭
い占有面積を有するが、全体としては相当の長さとな
り、当該延長部の層数、すなわち長さを調節して成膜す
ることにより所望の電気抵抗値をこの延長部が設けられ
た当該配線部に付加することが可能となる。
【００１４】したがって、上記延長部の長さを調節する
ことにより他の配線部に影響を及ぼさずに目的のＭＲセ
ンサのみに電気抵抗が付加されることになり、配線部全
体のパターンを乱すことなく、各出力端子の出力値を同
等に調節することができる。
ことにより他の配線部に影響を及ぼさずに目的のＭＲセ
ンサのみに電気抵抗が付加されることになり、配線部全
体のパターンを乱すことなく、各出力端子の出力値を同
等に調節することができる。
【００１５】さらに、上記位置センサにおいては、上記
延長部が矩形状に蛇行するパターンに形成されてＭＲセ
ンサに印加される磁界の方向と平行な線形部分が設けら
れているので、この線形部分は外部磁界の変化に対する
影響を殆ど受けることがなく、上記線形部分をＭＲセン
サと同じ幅に形成してもＭＲ特性に影響が及ぼされるこ
とはない。したがって、上記延長部を形成しても、上記
配線部全体の抵抗バランスを保った状態で出力の補正が
行われることになる。
延長部が矩形状に蛇行するパターンに形成されてＭＲセ
ンサに印加される磁界の方向と平行な線形部分が設けら
れているので、この線形部分は外部磁界の変化に対する
影響を殆ど受けることがなく、上記線形部分をＭＲセン
サと同じ幅に形成してもＭＲ特性に影響が及ぼされるこ
とはない。したがって、上記延長部を形成しても、上記
配線部全体の抵抗バランスを保った状態で出力の補正が
行われることになる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明を適用した位置センサの主
要部の基本構造の一例を示すものである。本実施例の位
置センサは、基板１上に、薄膜形成技術（スパッタ法、
蒸着法等）により、ＭＲセンサ２と、このＭＲセンサ２
と電気的に接続されている配線部が成膜されて構成され
ている。
要部の基本構造の一例を示すものである。本実施例の位
置センサは、基板１上に、薄膜形成技術（スパッタ法、
蒸着法等）により、ＭＲセンサ２と、このＭＲセンサ２
と電気的に接続されている配線部が成膜されて構成され
ている。
【００１８】ここでは、上記位置センサとしては２つの
出力端子を有する場合について示しており、上記配線部
は、端部が出力端子Ａ，Ｂとされてなる端子部３，４
と、ＭＲセンサ２にセンス電流を供給するための定電位
電源ＶCCが接続される電源部５と、端部がＭＲセンサ２
を接地するためのアース端子Ｇ１とされてなる接地部６
とから構成されている。
出力端子を有する場合について示しており、上記配線部
は、端部が出力端子Ａ，Ｂとされてなる端子部３，４
と、ＭＲセンサ２にセンス電流を供給するための定電位
電源ＶCCが接続される電源部５と、端部がＭＲセンサ２
を接地するためのアース端子Ｇ１とされてなる接地部６
とから構成されている。
【００１９】上記ＭＲ素子２は、外部磁界の方向Ｍと略
々直交するように配されており、電源部５にセンス電流
を供給することにより、外部磁界の変化に応じて抵抗値
が変わり、それに伴う電圧変化が端子部３，４の出力端
子Ａ，Ｂから出力される。上記位置センサにおいては、
出力信号がディジタル処理されたものであればよく、し
たがってＭＲ素子２にバイアス磁界を印加してＭＲ特性
の線形性に優れた部分で使用する必要はない。すなわ
ち、ＭＲ素子２にバイアス磁界を印加することなくＭＲ
特性の極大部分にて使用すればよい。
々直交するように配されており、電源部５にセンス電流
を供給することにより、外部磁界の変化に応じて抵抗値
が変わり、それに伴う電圧変化が端子部３，４の出力端
子Ａ，Ｂから出力される。上記位置センサにおいては、
出力信号がディジタル処理されたものであればよく、し
たがってＭＲ素子２にバイアス磁界を印加してＭＲ特性
の線形性に優れた部分で使用する必要はない。すなわ
ち、ＭＲ素子２にバイアス磁界を印加することなくＭＲ
特性の極大部分にて使用すればよい。
【００２０】そして特に、上記位置センサにおいては、
上記配線部のＭＲセンサ２との接続箇所近傍に蛇行する
延長部２１が設けられている。本実施例の位置センサに
おいては、前記延長部２１を、上記端子部３の出力端子
Ａにおける出力と比較して出力の小さい出力端子Ｂを有
する端子部４と直接接続されている配線部、すなわちセ
ンス電流を供給するための配線部である電源部５及びＭ
Ｒセンサ２を接地するための配線部である接地部６に設
ける。
上記配線部のＭＲセンサ２との接続箇所近傍に蛇行する
延長部２１が設けられている。本実施例の位置センサに
おいては、前記延長部２１を、上記端子部３の出力端子
Ａにおける出力と比較して出力の小さい出力端子Ｂを有
する端子部４と直接接続されている配線部、すなわちセ
ンス電流を供給するための配線部である電源部５及びＭ
Ｒセンサ２を接地するための配線部である接地部６に設
ける。
【００２１】上記延長部２１は、具体的には図２に示す
ように、矩形状に蛇行するパターンに形成され、上記Ｍ
Ｒセンサ２に印加される磁界の方向Ｍと平行な線形部分
２２を有するようにすることが望ましい。すなわち、当
該ＭＲセンサは磁界の方向Ｍと略々直交する向きに配す
る必要があるが、このＭＲセンサ２の配された方向と直
交する向きに上記線形部分２２が成膜されていることに
なる。
ように、矩形状に蛇行するパターンに形成され、上記Ｍ
Ｒセンサ２に印加される磁界の方向Ｍと平行な線形部分
２２を有するようにすることが望ましい。すなわち、当
該ＭＲセンサは磁界の方向Ｍと略々直交する向きに配す
る必要があるが、このＭＲセンサ２の配された方向と直
交する向きに上記線形部分２２が成膜されていることに
なる。
【００２２】なお、図１においては単層（１層）に形成
された延長部２１の一例を、図２においては電源部５に
て２層に形成された延長部２１の一例をそれぞれ示し
た。
された延長部２１の一例を、図２においては電源部５に
て２層に形成された延長部２１の一例をそれぞれ示し
た。
【００２３】また、上記位置センサには、出力を安定化
させるための温度特性（中点電位等）補正用のＭＲ素子
７が設けられており、このＭＲ素子７には当該ＭＲ素子
７を接地するためのアース端子Ｇ２とされてなる接地部
８が電気的に接続されている。上記ＭＲ素子７は、上記
ＭＲセンサ２と略々直交する向き、すなわち外部磁界の
方向Ｍと平行な向きに設けられている。
させるための温度特性（中点電位等）補正用のＭＲ素子
７が設けられており、このＭＲ素子７には当該ＭＲ素子
７を接地するためのアース端子Ｇ２とされてなる接地部
８が電気的に接続されている。上記ＭＲ素子７は、上記
ＭＲセンサ２と略々直交する向き、すなわち外部磁界の
方向Ｍと平行な向きに設けられている。
【００２４】ここで、上記位置センサの等価回路を図３
に示す（ここで、電気抵抗はＭＲセンサ２のもののみ表
示する）。このように、上記端子部３，４の出力端子
Ａ，Ｂは、それぞれＭＲセンサ２を構成するＭＲ素子１
１，１２及びＭＲ素子１３，１４の中間点に位置してい
る。
に示す（ここで、電気抵抗はＭＲセンサ２のもののみ表
示する）。このように、上記端子部３，４の出力端子
Ａ，Ｂは、それぞれＭＲセンサ２を構成するＭＲ素子１
１，１２及びＭＲ素子１３，１４の中間点に位置してい
る。
【００２５】したがって、ＭＲ素子１４の下部に接続部
３の大きな面積による電気抵抗が付加されることにな
り、この電気抵抗と接続部４の電気抵抗との均衡を図る
ために、電源部５と接地部６の２箇所に上記延長部を配
することにより所定の電気抵抗を付加して各出力端子
Ａ，Ｂの出力が等しくなるように調節する。
３の大きな面積による電気抵抗が付加されることにな
り、この電気抵抗と接続部４の電気抵抗との均衡を図る
ために、電源部５と接地部６の２箇所に上記延長部を配
することにより所定の電気抵抗を付加して各出力端子
Ａ，Ｂの出力が等しくなるように調節する。
【００２６】このように、上記位置センサにおいて、上
記延長部２１は、数層に蛇行しているために非常に狭い
占有面積を有するが、全体としては相当の長さとなり、
当該延長部２１の層数、すなわち長さを調節して成膜す
ることにより所望の電気抵抗値をこの延長部２１が設け
られた当該配線部、ここでは電源部５及び接地部６に付
加することが可能となる。
記延長部２１は、数層に蛇行しているために非常に狭い
占有面積を有するが、全体としては相当の長さとなり、
当該延長部２１の層数、すなわち長さを調節して成膜す
ることにより所望の電気抵抗値をこの延長部２１が設け
られた当該配線部、ここでは電源部５及び接地部６に付
加することが可能となる。
【００２７】したがって、上記延長部２１の長さを調節
することにより他の配線部に影響を及ぼさずに目的のＭ
Ｒセンサ２のみに電気抵抗が付加されることになり、配
線部全体のパターンを乱すことなく、各出力端子Ａ，Ｂ
の出力値を同等に調節することができる。
することにより他の配線部に影響を及ぼさずに目的のＭ
Ｒセンサ２のみに電気抵抗が付加されることになり、配
線部全体のパターンを乱すことなく、各出力端子Ａ，Ｂ
の出力値を同等に調節することができる。
【００２８】さらに、上記位置センサにおいては、上記
延長部２１が矩形状に蛇行するパターンに形成されてＭ
Ｒセンサに印加される磁界の方向と平行な線形部分２２
が設けられているので、この線形部分２２は外部磁界の
変化に対する影響を殆ど受けることがなく、上記線形部
分２２をＭＲセンサ２と同じ幅に形成してもＭＲ特性に
影響が及ぼされることはない。したがって、上記延長部
２１を形成しても、上記配線部全体の抵抗バランスを保
った状態で出力端子Ａ，Ｂにおける出力の補正が行われ
ることになる。
延長部２１が矩形状に蛇行するパターンに形成されてＭ
Ｒセンサに印加される磁界の方向と平行な線形部分２２
が設けられているので、この線形部分２２は外部磁界の
変化に対する影響を殆ど受けることがなく、上記線形部
分２２をＭＲセンサ２と同じ幅に形成してもＭＲ特性に
影響が及ぼされることはない。したがって、上記延長部
２１を形成しても、上記配線部全体の抵抗バランスを保
った状態で出力端子Ａ，Ｂにおける出力の補正が行われ
ることになる。
【００２９】なお、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこの実施例に限定されるわけで
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、寸法
等、任意に変更することが可能である。
明してきたが、本発明がこの実施例に限定されるわけで
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、寸法
等、任意に変更することが可能である。
【００３０】また、本実施例においては、位置センサが
複数の出力端子を有する場合の出力補正について説明し
たが、その他のパターン補正、例えば中点電位補正等に
応用することも可能である。
複数の出力端子を有する場合の出力補正について説明し
たが、その他のパターン補正、例えば中点電位補正等に
応用することも可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明からも明かなように、本発明
に係る位置センサによれば、感磁部であるＭＲセンサに
影響を与えて出力低下を引き起こすことなく各出力端子
からの出力をほぼ完全に同等とすることが可能となる。
に係る位置センサによれば、感磁部であるＭＲセンサに
影響を与えて出力低下を引き起こすことなく各出力端子
からの出力をほぼ完全に同等とすることが可能となる。
【図１】本実施例に係る位置センサの主要部を模式的に
示す配線図である。
示す配線図である。
【図２】上記位置センサの延長部を拡大して模式的に示
す配線図である。
す配線図である。
【図３】図１に示す位置センサの等価回路図である。
【図４】従来の位置センサの主要部を模式的に示す配線
図である。
図である。
１ 基板 ２ ＭＲセンサ ３，４ 接続部 ５ 電源部 ６，８ 接地部 ７ 温度特性補償用のＭＲ素子 １１〜１４ ＭＲ素子 ２１ 延長部 ２２ 線形部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 憲男 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 遠藤 哲雄 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、磁気抵抗効果素子と、当該磁
気抵抗効果素子と電気的に接続された配線部とが、薄膜
形成技術によりそれぞれ所定のパターンに形成されてな
る位置センサにおいて、 上記配線部の磁気抵抗効果素子との接続箇所近傍に蛇行
する延長部が設けられてなることを特徴とする位置セン
サ。 - 【請求項２】 延長部は、矩形状に蛇行するパターンに
形成され、磁気抵抗効果素子に印加される磁界の方向と
平行な線形部分を有することを特徴とする請求項１記載
の位置センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206700A JPH0868660A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 位置センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206700A JPH0868660A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 位置センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868660A true JPH0868660A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16527675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6206700A Withdrawn JPH0868660A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 位置センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0868660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019163989A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Tdk株式会社 | 磁気検出装置 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6206700A patent/JPH0868660A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019163989A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Tdk株式会社 | 磁気検出装置 |
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