JPH0867669A - 硫黄化合物 - Google Patents
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- JPH0867669A JPH0867669A JP7097288A JP9728895A JPH0867669A JP H0867669 A JPH0867669 A JP H0867669A JP 7097288 A JP7097288 A JP 7097288A JP 9728895 A JP9728895 A JP 9728895A JP H0867669 A JPH0867669 A JP H0867669A
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- C07D209/44—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles
- C07D209/48—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles with oxygen atoms in positions 1 and 3, e.g. phthalimide
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- C07D217/24—Oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09B62/00—Reactive dyes, i.e. dyes which form covalent bonds with the substrates or which polymerise with themselves
- C09B62/44—Reactive dyes, i.e. dyes which form covalent bonds with the substrates or which polymerise with themselves with the reactive group not directly attached to a heterocyclic ring
- C09B62/503—Reactive dyes, i.e. dyes which form covalent bonds with the substrates or which polymerise with themselves with the reactive group not directly attached to a heterocyclic ring the reactive group being an esterified or non-esterified hydroxyalkyl sulfonyl or mercaptoalkyl sulfonyl group, a quaternised or non-quaternised aminoalkyl sulfonyl group, a heterylmercapto alkyl sulfonyl group, a vinyl sulfonyl or a substituted vinyl sulfonyl group, or a thiophene-dioxide group
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式
【化１】
［式中ｎ；０または２、Ｒ1およびＲ2；水素、Ｃ1〜Ｃ6
アルキシ、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、ア
ミノ、ヒドロキシスルホニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカル
ボニルまたは場合により置換されたカルバモイル、Ａ；
メチレン、カルボニル、スルホニルまたは式 ＣＨ2−Ｃ
ＯまたはＣＨ2−ＳＯ2の基、Ｘ；単結合または場合によ
り置換されたＣ1〜Ｃ8アルキレンおよびＹ；ビニルまた
は式Ｃ2Ｈ4Ｑの基（Ｑはヒドロキシまたはアルカリ性反
応条件下で脱離可能な基を表わす）］で示される硫黄化
合物。 【効果】 この化合物は反応染料製造の有用な中間生成
物である。
アルキシ、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、ア
ミノ、ヒドロキシスルホニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカル
ボニルまたは場合により置換されたカルバモイル、Ａ；
メチレン、カルボニル、スルホニルまたは式 ＣＨ2−Ｃ
ＯまたはＣＨ2−ＳＯ2の基、Ｘ；単結合または場合によ
り置換されたＣ1〜Ｃ8アルキレンおよびＹ；ビニルまた
は式Ｃ2Ｈ4Ｑの基（Ｑはヒドロキシまたはアルカリ性反
応条件下で脱離可能な基を表わす）］で示される硫黄化
合物。 【効果】 この化合物は反応染料製造の有用な中間生成
物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規硫黄化合物ならび
にその製造方法に関する。
にその製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ベン
ズアミド構造部分を有する新規硫黄化合物を提供するこ
とである。新規物質は、有利には染料の製造のために適
しているべきである。
ズアミド構造部分を有する新規硫黄化合物を提供するこ
とである。新規物質は、有利には染料の製造のために適
しているべきである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば式Ｉ
ば式Ｉ
【０００４】
【化２】
【０００５】［式中ｎは０または２を表わし、Ｒ1およ
びＲ2 は互いに独立にそれぞれ水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキ
ル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミノ、
ヒドロキシスルホニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカルボニ
ル、カルバモイル、またはＣ1〜Ｃ6モノ−またはジアル
キルカルバモイルを表わし、Ａはメチル、カルボニル、
スルホニルまたは式 ＣＨ2−ＣＯまたはＣＨ2−ＳＯ2の
基を表わし、その際メチル基はそのつどベンゾール環に
結合しており、Ｘは単結合、場合によりエーテル官能基
の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミノ基または１〜
３個のＣ1〜Ｃ4アルキルイミノ基によって中断されてい
るＣ1〜Ｃ8アルキレンを表わすかまたは式Ｌ1−ＣＯ−
ＮＲ3−Ｌ2（ここでＬ1およびＬ2は互いに独立にそれぞ
れＣ1〜Ｃ4アルキレンを表わし、Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ4
アルキルまたはフェニルを表わす）の基を表わし、Ｙは
ビニルまたは式Ｃ2Ｈ4Ｑ（ここでＱはヒドロキシまたは
アルカリ性反応条件下で脱離可能の基を表わす）を表わ
す］で示される新規硫黄化合物によって達成された。
びＲ2 は互いに独立にそれぞれ水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキ
ル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミノ、
ヒドロキシスルホニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカルボニ
ル、カルバモイル、またはＣ1〜Ｃ6モノ−またはジアル
キルカルバモイルを表わし、Ａはメチル、カルボニル、
スルホニルまたは式 ＣＨ2−ＣＯまたはＣＨ2−ＳＯ2の
基を表わし、その際メチル基はそのつどベンゾール環に
結合しており、Ｘは単結合、場合によりエーテル官能基
の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミノ基または１〜
３個のＣ1〜Ｃ4アルキルイミノ基によって中断されてい
るＣ1〜Ｃ8アルキレンを表わすかまたは式Ｌ1−ＣＯ−
ＮＲ3−Ｌ2（ここでＬ1およびＬ2は互いに独立にそれぞ
れＣ1〜Ｃ4アルキレンを表わし、Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ4
アルキルまたはフェニルを表わす）の基を表わし、Ｙは
ビニルまたは式Ｃ2Ｈ4Ｑ（ここでＱはヒドロキシまたは
アルカリ性反応条件下で脱離可能の基を表わす）を表わ
す］で示される新規硫黄化合物によって達成された。
【０００６】上記式中に出現するすべてのアルキル基お
よびアルキレン基は直鎖であっても枝分れであってもよ
い。
よびアルキレン基は直鎖であっても枝分れであってもよ
い。
【０００７】基 Ｒ1，Ｒ2およびＲ3はたとえばメチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。
【０００８】さらに、基 Ｒ1およびＲ2はたとえばペン
チル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチ
ル、ヘキシル、２−メチルペンチル、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブト
キシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、
ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、２−メチ
ルペンチルオキシ、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニ
ル、イソペンチルオキシカルボニル、ネオペンチルオキ
シカルボニル、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル、
ヘキシルオキシカルボニル、モノ−またはジメチルカル
バモイル、モノ−またはジエチルカルバモイル、モノ−
またはジプロピルカルバモイル、モノ−またはジイソプ
ロピルカルバモイル、モノ−またはジブチルカルバモイ
ル、モノ−またはジペンチルカルバモイル、モノ−また
はジヘキシルカルバモイルまたはＮ−メチル−Ｎ−エチ
ルカルバモイルである。
チル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチ
ル、ヘキシル、２−メチルペンチル、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブト
キシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、
ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、２−メチ
ルペンチルオキシ、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニ
ル、イソペンチルオキシカルボニル、ネオペンチルオキ
シカルボニル、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル、
ヘキシルオキシカルボニル、モノ−またはジメチルカル
バモイル、モノ−またはジエチルカルバモイル、モノ−
またはジプロピルカルバモイル、モノ−またはジイソプ
ロピルカルバモイル、モノ−またはジブチルカルバモイ
ル、モノ−またはジペンチルカルバモイル、モノ−また
はジヘキシルカルバモイルまたはＮ−メチル−Ｎ−エチ
ルカルバモイルである。
【０００９】基Ｘ，Ｌ1およびＬ2はたとえばＣＨ2，
（ＣＨ2）2，（ＣＨ2）3，（ＣＨ2）4，ＣＨ（ＣＨ3）
ＣＨ2またはＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ（ＣＨ3）である。
（ＣＨ2）2，（ＣＨ2）3，（ＣＨ2）4，ＣＨ（ＣＨ3）
ＣＨ2またはＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ（ＣＨ3）である。
【００１０】さらに、基Ｘはたとえば、（ＣＨ2）5，
（ＣＨ2）6，（ＣＨ2）7，（ＣＨ2）8，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ
2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−
Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ
Ｈ−Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2
Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｎ
（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4
−Ｏ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4−
ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4−Ｎ（Ｃ
Ｈ3）−Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−
ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，
Ｃ3Ｈ6−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ
3Ｈ6，Ｃ3Ｈ6−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ3Ｈ6 ｏｄｅｒ Ｃ3Ｈ6
−ＣＯ−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ3Ｈ6である。
（ＣＨ2）6，（ＣＨ2）7，（ＣＨ2）8，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ
2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−
Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ
Ｈ−Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2
Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｎ
（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4−Ｏ−Ｃ2Ｈ4
−Ｏ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4−
ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4−Ｎ（Ｃ
Ｈ3）−Ｃ2Ｈ4−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−
ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ2Ｈ4，
Ｃ3Ｈ6−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ2Ｈ4，Ｃ2Ｈ4−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ
3Ｈ6，Ｃ3Ｈ6−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ3Ｈ6 ｏｄｅｒ Ｃ3Ｈ6
−ＣＯ−Ｎ（ＣＨ3）−Ｃ3Ｈ6である。
【００１１】基Ｑはヒドロキシまたはアルカリ性反応条
件下で脱離可能の基を表わす。かかる基は、たとえば塩
素、臭素、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル、フェニルスル
ホニル、ＯＳＯ3Ｈ、ＳＳＯ3Ｈ、ＯＰ（Ｏ）(ＯＨ）2、
Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニ
ルオキシ、Ｃ1〜Ｃ4アルカノイルオキシ、Ｃ1〜Ｃ4ジア
ルキルアミノまたは式
件下で脱離可能の基を表わす。かかる基は、たとえば塩
素、臭素、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル、フェニルスル
ホニル、ＯＳＯ3Ｈ、ＳＳＯ3Ｈ、ＯＰ（Ｏ）(ＯＨ）2、
Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニ
ルオキシ、Ｃ1〜Ｃ4アルカノイルオキシ、Ｃ1〜Ｃ4ジア
ルキルアミノまたは式
【００１２】
【化３】
【００１３】
【外１】
【００１４】Ａがメチレン、カルボニルまたは式 ＣＨ2
−ＣＯの基を表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望まし
い。
−ＣＯの基を表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望まし
い。
【００１５】さらに、Ｘが場合によりエーテル官能基の
１〜３個の酸素原子によって中断されているＣ1〜Ｃ8ア
ルキレンを表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望まし
い。
１〜３個の酸素原子によって中断されているＣ1〜Ｃ8ア
ルキレンを表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望まし
い。
【００１６】さらに、Ｒ1が水素またはアミノを表わ
し、Ｒ2が水素を表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望
ましい。
し、Ｒ2が水素を表わす式Ｉで示される硫黄化合物が望
ましい。
【００１７】さらに、ｎが２を表わす式Ｉで示される硫
黄化合物が望ましい。
黄化合物が望ましい。
【００１８】Ａがメチレンを表わす式Ｉで示される硫黄
化合物がとくに望ましい。
化合物がとくに望ましい。
【００１９】さらに、Ｒ1がアミノを表わし、Ｒ2が水素
を表わす式Ｉで示される硫黄化合物がとくに望ましい。
を表わす式Ｉで示される硫黄化合物がとくに望ましい。
【００２０】式Ｉで示される新規硫黄化合物は自体公知
の方法で得ることができる。たとえば、式ＩＩ
の方法で得ることができる。たとえば、式ＩＩ
【００２１】
【化４】
【００２２】［式中Ｒ1，Ｒ2およびＡは上記のものを表
わす］で示されるベンゾール誘導体を式ＩＩＩ Ｈ2Ｎ−Ｘ−Ｓ（Ｏ）n−Ｙ （ＩＩＩ） ［式中ｎ，ＸおよびＹは上記のものを表わす］で示され
るアミンと反応させることができる。
わす］で示されるベンゾール誘導体を式ＩＩＩ Ｈ2Ｎ−Ｘ−Ｓ（Ｏ）n−Ｙ （ＩＩＩ） ［式中ｎ，ＸおよびＹは上記のものを表わす］で示され
るアミンと反応させることができる。
【００２３】有利には、式ＩＩで示されるベンゾール誘
導体を、式ＩＩＩａ
導体を、式ＩＩＩａ
【００２４】
【化５】
【００２５】［式中ＸおよびＹそれぞれ上記のものを表
わす］で示されるチオエーテルと反応させ、引き続きス
ルフィドをたとえば過酸化水素を用いてスルホニル基に
酸化する。
わす］で示されるチオエーテルと反応させ、引き続きス
ルフィドをたとえば過酸化水素を用いてスルホニル基に
酸化する。
【００２６】基Ｒ1およびＲ2は、水素と異なる限り、公
知方法であとでベンゾール環に導入することができる。
殊にヒドロキシスルホニル基または引き続きアミノ基に
還元することのできるニトロ基を導入する場合には、こ
の方法が望ましい。
知方法であとでベンゾール環に導入することができる。
殊にヒドロキシスルホニル基または引き続きアミノ基に
還元することのできるニトロ基を導入する場合には、こ
の方法が望ましい。
【００２７】式Ｉで示される新規硫黄化合物は染料、殊
に反応染料製造の有用な中間生成物である。
に反応染料製造の有用な中間生成物である。
【００２８】
【実施例】次例につき本発明を詳説する。
【００２９】例 １ ２−アミノエチル−２′−ヒドロキシエチルスルフィド
３０２ｇとフタラミド２６８ｇからなる混合物を、３ｈ
＜２２０〜２２５℃に加熱した。冷却した後、水２５０
ｍｌに加え、ｐＨ値２を硫酸で６．５に調節した。タン
グステン酸１ｇの添加後、６５〜８０℃で、３０重量％
の過酸化水素水溶液６８０ｇを１ｈに滴加した。冷却し
た後、沈殿物を吸引濾過し、乾燥した。次式で示される
化合物４０７ｇを単離した。
３０２ｇとフタラミド２６８ｇからなる混合物を、３ｈ
＜２２０〜２２５℃に加熱した。冷却した後、水２５０
ｍｌに加え、ｐＨ値２を硫酸で６．５に調節した。タン
グステン酸１ｇの添加後、６５〜８０℃で、３０重量％
の過酸化水素水溶液６８０ｇを１ｈに滴加した。冷却し
た後、沈殿物を吸引濾過し、乾燥した。次式で示される
化合物４０７ｇを単離した。
【００３０】
【化６】
【００３１】融点：１７２〜１７４℃ ＮＭＲ（Ｄ6−ＤＭＳＯ）：３．３１（ｍ，２），３．
５２（ｍ，２），３，８１（ｍ，２），４．００（ｍ，
２），４．５５（ｓ，２），５．２０（ｔ，１），７．
５−７．７（ｍ，４）． 例 ２ 冷却下に、例１からの化合物１７４ｇを９６重量％の硫
酸６００ｇ中へ注入し、室温で８ｈ撹拌した。０〜５℃
に冷却した後３ｈに１００重量％の硝酸３４．７ｇを９
６重量％の硫酸７０ｇに添加した。さらに３ｈ後、氷で
希釈し、ｐＨ値を固体の炭酸水素ナトリウムで０．２〜
０．３に調節し、吸引濾過した。次式の化合物２４０ｇ
５２（ｍ，２），３，８１（ｍ，２），４．００（ｍ，
２），４．５５（ｓ，２），５．２０（ｔ，１），７．
５−７．７（ｍ，４）． 例 ２ 冷却下に、例１からの化合物１７４ｇを９６重量％の硫
酸６００ｇ中へ注入し、室温で８ｈ撹拌した。０〜５℃
に冷却した後３ｈに１００重量％の硝酸３４．７ｇを９
６重量％の硫酸７０ｇに添加した。さらに３ｈ後、氷で
希釈し、ｐＨ値を固体の炭酸水素ナトリウムで０．２〜
０．３に調節し、吸引濾過した。次式の化合物２４０ｇ
【００３２】
【化７】
【００３３】を湿ったプレスケークの形で単離した。
【００３４】融点：１５４〜１５７℃（ブタノールか
ら）。
ら）。
【００３５】例 ３ 例２からの湿ったプレスケーク２４０ｇを水７００ｍｌ
に溶かし、ｐＨ値を酢酸ナトリウムで４．５に調節し、
パラジウム触媒５ｇの存在で５０〜５５°℃で水素を導
入した。水素の吸収が終った後、触媒を濾別し、濾液を
減圧下に濃縮した。乾燥後、次式の化合物１７７ｇを単
離した。
に溶かし、ｐＨ値を酢酸ナトリウムで４．５に調節し、
パラジウム触媒５ｇの存在で５０〜５５°℃で水素を導
入した。水素の吸収が終った後、触媒を濾別し、濾液を
減圧下に濃縮した。乾燥後、次式の化合物１７７ｇを単
離した。
【００３６】
【化８】
【００３７】ジアゾ滴定による含量決定：６９％ ＮＭＲ（Ｄ6−ＤＭＳＯ）：３．５０（ｍ，４），３．
９２（ｍ，２），４．１２（ｍ，２），４．３８（ｓ，
２），５．３０（ｓ，２），６．８（ｍ，２），７．２
（ｄ，１） 例 ４ 水５００ｍｌ中の例３からの化合物６９ｇの溶液を、２
５〜３０℃で炭酸ナトリウムでｐＨ値１０に調節した。
油状物が分離し、このものは徐々に結晶した。吸引濾過
し、乾燥した後次式の化合物４２ｇを単離した。
９２（ｍ，２），４．１２（ｍ，２），４．３８（ｓ，
２），５．３０（ｓ，２），６．８（ｍ，２），７．２
（ｄ，１） 例 ４ 水５００ｍｌ中の例３からの化合物６９ｇの溶液を、２
５〜３０℃で炭酸ナトリウムでｐＨ値１０に調節した。
油状物が分離し、このものは徐々に結晶した。吸引濾過
し、乾燥した後次式の化合物４２ｇを単離した。
【００３８】
【化９】
【００３９】融点：１４４〜１４８℃。
【００４０】ＮＭＲ（Ｄ6−ＤＭＳＯ）：３．５５
（ｍ，２）），３．８８（ｍ，２），４．３５（ｓ，
２），５．３８（ｓ，２），６．３（ｍ，２），６，８
５（ｍ，２），７．０２（ｍ，１），７．２１（ｄ，
１） 例 ５ 例１からの化合物１３５ｇをキシロ−ル５００ｇ中で撹
拌し、６５〜６８℃で徐々に塩化チオニル１１９ｇを加
えた。６５〜６８℃でさらに３ｈ後に冷却し、吸引濾過
した。乾燥した後、次式の化合物１４４ｇを単離した。
（ｍ，２）），３．８８（ｍ，２），４．３５（ｓ，
２），５．３８（ｓ，２），６．３（ｍ，２），６，８
５（ｍ，２），７．０２（ｍ，１），７．２１（ｄ，
１） 例 ５ 例１からの化合物１３５ｇをキシロ−ル５００ｇ中で撹
拌し、６５〜６８℃で徐々に塩化チオニル１１９ｇを加
えた。６５〜６８℃でさらに３ｈ後に冷却し、吸引濾過
した。乾燥した後、次式の化合物１４４ｇを単離した。
【００４１】
【化１０】
【００４２】融点：１６２〜１６４℃。
【００４３】次いで、さらに例２および例３に記載した
ように実施し、次式の化合物を得た。
ように実施し、次式の化合物を得た。
【００４４】
【化１１】
【００４５】融点：１６９〜１７１℃。
【００４６】例 ６ 例１に記載したように実施したが、フタラミドをフタル
酸無水物２９６ｇに代えた。次式の化合物４１０ｇを得
た。
酸無水物２９６ｇに代えた。次式の化合物４１０ｇを得
た。
【００４７】
【化１２】
【００４８】融点：１２６〜１３０℃。
【００４９】次いで、例２および例３に記載したように
実施し、次式の化合物を得た。
実施し、次式の化合物を得た。
【００５０】
【化１３】
【００５１】ＮＭＲ（Ｄ6−ＤＭＳＯ）：３．４５
（ｍ，４），３．９５（ｔ，２），４，１０（ｔ，
２），６．５（ｓ，２），６．８０（ｄｄ，１），６．
９５（ｓ，１），７．５０（ｄ，１） 例 ７ 例６からの化合物を例４類似に反応させた。次式の化合
物を得た。
（ｍ，４），３．９５（ｔ，２），４，１０（ｔ，
２），６．５（ｓ，２），６．８０（ｄｄ，１），６．
９５（ｓ，１），７．５０（ｄ，１） 例 ７ 例６からの化合物を例４類似に反応させた。次式の化合
物を得た。
【００５２】
【化１４】
【００５３】融点：１４３〜１４５℃。
【００５４】例 ８ ホモフタル酸無水物を、例１に記載したように２−アミ
ノエチル−２′−ヒドロキシエチルスルフィドと反応さ
せ、得られた油状物を３０重量％の過酸化水素水溶液で
酸化した。こうして次式の化合物を単離した。
ノエチル−２′−ヒドロキシエチルスルフィドと反応さ
せ、得られた油状物を３０重量％の過酸化水素水溶液で
酸化した。こうして次式の化合物を単離した。
【００５５】
【化１５】
【００５６】融点：１４６〜１４９℃。
【００５７】ＮＭＲ（Ｄ6−ＤＭＳＯ）：３．４（ｍ，
４），３．８０（ｍ，２），４．１５（ｓ，２），４．
３０（ｍ，２），５．２１（ｔ，１），７．４１（ｍ，
１），７．５０（ｍ，１），７．６８（ｍ，１），８．
０８（ｍ，１）
４），３．８０（ｍ，２），４．１５（ｓ，２），４．
３０（ｍ，２），５．２１（ｔ，１），７．４１（ｍ，
１），７．５０（ｍ，１），７．６８（ｍ，１），８．
０８（ｍ，１）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年５月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【化１】 ［式中ｎは０または２を表わし、Ｒ１およびＲ２は互い
に独立にそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ
６アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミノ、ヒドロキシ
スルホニル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシカルボニル、カルバ
モイル、またはＣ１〜Ｃ６モノーまたはジアルキルカル
バモイルを表わし、Ａはメチレン、カルボニル、スルホ
ニルまたは式ＣＨ２−ＣＯまたはＣＨ２−ＳＯ２の基を
表わし、その際メチレン基はそのつどベンゾール環に結
合しており、Ｘは直接結合、場合によりエーテル官能基
の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミノ基または１〜
３個のＣ１〜Ｃ４アルキルイミノ基によって中断されて
いるＣ１〜Ｃ８アルキレンを表わすかまたは式Ｌ１−Ｃ
Ｏ−ＮＲ３−Ｌ２（ここでＬ１およびＬ２は互いに独立
にそれぞれＣ１〜Ｃ４アルキレンを表わし、Ｒ３は水
素、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはフェニルを表わす）の基
を表わし、Ｙはビニルまたは式Ｃ２Ｈ４Ｑ（ここでＱは
ヒドロキシまたはアルカリ性反応条件下で脱離可能の基
を表わす）を表わす］で示される新規硫黄化合物。
に独立にそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ
６アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミノ、ヒドロキシ
スルホニル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシカルボニル、カルバ
モイル、またはＣ１〜Ｃ６モノーまたはジアルキルカル
バモイルを表わし、Ａはメチレン、カルボニル、スルホ
ニルまたは式ＣＨ２−ＣＯまたはＣＨ２−ＳＯ２の基を
表わし、その際メチレン基はそのつどベンゾール環に結
合しており、Ｘは直接結合、場合によりエーテル官能基
の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミノ基または１〜
３個のＣ１〜Ｃ４アルキルイミノ基によって中断されて
いるＣ１〜Ｃ８アルキレンを表わすかまたは式Ｌ１−Ｃ
Ｏ−ＮＲ３−Ｌ２（ここでＬ１およびＬ２は互いに独立
にそれぞれＣ１〜Ｃ４アルキレンを表わし、Ｒ３は水
素、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはフェニルを表わす）の基
を表わし、Ｙはビニルまたは式Ｃ２Ｈ４Ｑ（ここでＱは
ヒドロキシまたはアルカリ性反応条件下で脱離可能の基
を表わす）を表わす］で示される新規硫黄化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】［式中ｎは０または２を表わし、Ｒ１およ
びＲ２は互いに独立にそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキ
ル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミ
ノ、ヒドロキシスルホニル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、またはＣ１〜Ｃ６モノーまたは
ジアルキルカルバモイルを表わし、Ａはメチレン、カル
ボニル、スルホニルまたは式ＣＨ２−ＣＯまたはＣＨ２
−ＳＯ２の基を表わし、その際メチレン基はそのつどベ
ンゾール環に結合しており、Ｘは直接結合、場合により
エーテル官能基の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミ
ノ基または１〜３個のＣ１〜Ｃ４アルキルイミノ基によ
って中断されているＣ１〜Ｃ８アルキレンを表わすかま
たは式Ｌ１−ＣＯ−ＮＲ３−Ｌ２（ここでＬ１およびＬ
２は互いに独立にそれぞれＣ１〜Ｃ４アルキレンを表わ
し、Ｒ３は水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはフェニルを
表わす）の基を表わし、Ｙはビニルまたは式Ｃ２Ｈ４Ｑ
（ここでＱはヒドロキシまたはアルカリ性反応条件下で
脱離可能の基を表わす）を表わす］で示される新規硫黄
化合物によって達成された。
びＲ２は互いに独立にそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキ
ル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミ
ノ、ヒドロキシスルホニル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、またはＣ１〜Ｃ６モノーまたは
ジアルキルカルバモイルを表わし、Ａはメチレン、カル
ボニル、スルホニルまたは式ＣＨ２−ＣＯまたはＣＨ２
−ＳＯ２の基を表わし、その際メチレン基はそのつどベ
ンゾール環に結合しており、Ｘは直接結合、場合により
エーテル官能基の１〜３個の酸素原子、１〜３個のイミ
ノ基または１〜３個のＣ１〜Ｃ４アルキルイミノ基によ
って中断されているＣ１〜Ｃ８アルキレンを表わすかま
たは式Ｌ１−ＣＯ−ＮＲ３−Ｌ２（ここでＬ１およびＬ
２は互いに独立にそれぞれＣ１〜Ｃ４アルキレンを表わ
し、Ｒ３は水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはフェニルを
表わす）の基を表わし、Ｙはビニルまたは式Ｃ２Ｈ４Ｑ
（ここでＱはヒドロキシまたはアルカリ性反応条件下で
脱離可能の基を表わす）を表わす］で示される新規硫黄
化合物によって達成された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 279/02 // Ｃ０９Ｂ 62/51 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 式Ｉ 【化１】 ［式中ｎは０または２を表わし、Ｒ1およびＲ2 は互い
に独立にそれぞれ水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ア
ルコキシ、ハロゲン、ニトロ、アミノ、ヒドロキシスル
ホニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシカルボニル、カルバモイ
ル、またはＣ1〜Ｃ6モノ−またはジアルキルカルバモイ
ルを表わし、Ａはメチル、カルボニル、スルホニルまた
は式 ＣＨ2−ＣＯまたはＣＨ2−ＳＯ2の基を表わし、そ
の際メチレン基はそのつどベンゾール環に結合してお
り、Ｘは単結合、場合によりエーテル官能基の１〜３個
の酸素原子、１〜３個のイミノ基または１〜３個のＣ1
〜Ｃ4アルキルイミノ基によって中断されているＣ1〜Ｃ
8アルキレンを表わすかまたは式Ｌ1−ＣＯ−ＮＲ3−Ｌ2
（ここでＬ1およびＬ2は互いに独立にそれぞれＣ1〜Ｃ4
アルキレンを表わし、Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ4 アルキルま
たはフェニルを表わす）の基を表わし、Ｙはビニルまた
は式Ｃ2Ｈ4Ｑ（ここでＱはヒドロキシまたはアルカリ性
反応条件下で脱離可能の基を表わす）を表わす］で示さ
れる新規硫黄化合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4414880.1 | 1994-04-28 | ||
| DE4414880A DE4414880A1 (de) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Schwefelverbindungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867669A true JPH0867669A (ja) | 1996-03-12 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7097288A Withdrawn JPH0867669A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-21 | 硫黄化合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0680951A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0867669A (ja) |
| KR (1) | KR950031024A (ja) |
| CN (1) | CN1114649A (ja) |
| DE (1) | DE4414880A1 (ja) |
| TW (1) | TW299321B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| ES2185009T3 (es) * | 1996-04-10 | 2003-04-16 | Merck & Co Inc | Antagonistas de alfa y beta 3'. |
| US5925655A (en) * | 1996-04-10 | 1999-07-20 | Merck & Co., Inc. | αv β3 antagonists |
| KR100667967B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2007-01-11 | 주식회사 잉크테크 | 신규한 β-술폰 이미드 화합물 및 이의 제조방법 |
| DE102017124041B4 (de) * | 2017-10-16 | 2022-12-15 | Joanneum Research Forschungsgesellschaft Mbh | Kopplung an Imidfarbstoffe und Verfahren zu deren Herstellung |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3394121A (en) * | 1965-10-22 | 1968-07-23 | Eastman Kodak Co | Azo dyes containing an imidoethylsulfonylethyl group |
| DE1670705A1 (de) * | 1966-05-31 | 1970-11-12 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von N-substituierten Phthalimiden |
| US3515714A (en) * | 1966-07-22 | 1970-06-02 | Eastman Kodak Co | Thiazolyl monoazo dyes containing the imidoethylsulfonylethyl group |
| US3489766A (en) * | 1968-01-29 | 1970-01-13 | Hooker Chemical Corp | N-trihalovinylmercaptotetrahydrophthalimides |
| EP0509523B1 (en) * | 1991-04-19 | 1996-03-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Direct-image type lithographic printing plate precursor |
-
1994
- 1994-04-28 DE DE4414880A patent/DE4414880A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-04-18 US US08/423,849 patent/US5491232A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-19 TW TW084103859A patent/TW299321B/zh active
- 1995-04-19 EP EP95105853A patent/EP0680951A3/de not_active Withdrawn
- 1995-04-21 JP JP7097288A patent/JPH0867669A/ja not_active Withdrawn
- 1995-04-28 KR KR1019950010296A patent/KR950031024A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-04-28 CN CN95105734A patent/CN1114649A/zh active Pending
-
1996
- 1996-02-06 US US08/597,159 patent/US5637702A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1114649A (zh) | 1996-01-10 |
| US5637702A (en) | 1997-06-10 |
| DE4414880A1 (de) | 1995-11-02 |
| US5491232A (en) | 1996-02-13 |
| EP0680951A2 (de) | 1995-11-08 |
| EP0680951A3 (de) | 1996-03-06 |
| KR950031024A (ko) | 1995-12-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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