JPH0864642A - 自動リペア装置およびそのリペア方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェハ上の樹脂塗布作業を自動化し、人為的な
ミスを防止し、塗布量の定量化を行い、良品率を向上さ
せ、また、機種変更に対しリペア作業が容易な自動リペ
ア装置およびそのリペア方法を提供する。 【構成】ウェハ１を装着するテーブルチャック21とウェ
ハ１上の測定箇所を触針するプローブニードル22とを備
えウェハ１の位置制御するプローバ２と、プローバ２の
位置制御によりウェハ１上のセルを選択しこの選択され
たセルの特性を試験するテスタ３と、プローバ２の位置
制御によりセル上の特定箇所を選択し一定量の樹脂を吐
出するディスペンサ装置４と、プローバ２の位置制御と
テスタ３によるセルの特性試験データ管理とディスペン
サ装置４の吐出制御とを司る制御コンピュータ５と、を
備え、セルの特性試験データによりプローバ２の位置制
御を行い、セル上の特定箇所に選択的に樹脂を定量塗布
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体のシリコンウェ
ハープロセス（工程）において、ウェハ上のチップの試
験を行う際に、チップ上のセル試験ポイントがセルによ
って異なり、プローバのテーブルチャックを統一間隔で
移動できないときのプローバの制御システムおよびウェ
ハ上への絶縁材（ポリイミド）の自動塗布に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術によるウェハ上のチップの試
験装置の構成と、この試験結果に基づくリペア作業を図
10、図11に示す。図10において、１は複数のセルが並列
に接続されてなるチップが複数個配置された半導体ウェ
ハ、２はこの半導体ウェハ１を装着するテーブルチャッ
ク21と半導体ウェハ１上の測定箇所を触針するプローブ
ニードル22とを備え、半導体ウェハ１を上下およびＸＹ
軸方向に位置制御するプローバ、３はプローブニードル
22にテスタ配線ケーブル31を介して接続し、プローバ２
の位置制御により半導体ウェハ１上のセルを選択し、こ
の選択されたセルの特性を試験するテスタ、５はプロー
バ２の位置制御と、テスタ３によるセルの特性試験デー
タ管理とを司る制御コンピュータである。制御コンピュ
ータ５は、中央処理装置51と、モニタ52と、キーボード
53と、ハードディスク54と、プリンタ55と、伝送インタ
フェースの一種であるGPIBボード57と、プローバ２やテ
スタ３と接続するGPIBケーブル58と、から構成される。

【０００３】本発明が対象とする半導体チップは、同一
チップ上に複数のセルが並列に接続された、例えば、電
力用半導体ICやメモリICなどであり、このチップ中に何
らかの事情により少数の不良セルが混入したとき、この
チップ全体を廃却するのではなく、この不良セルを機能
的に並列接続された回路から切り離し、再利用を図るも
のであり、この様な切り離し処理をリペア処理と呼んで
いる。

【０００４】この様なリペア処理方法は、例えば、不良
セルの制御入力点を制御線回路から絶縁・非接続とし、
尚かつ、この制御入力点と他の制御入力点とを短絡処理
を行う。例えば、セルの入力段がMOS-ICで構成されてい
るときはゲート・ソース間を短絡し、また、セルの入力
段がバイポーラトランジスタで構成されているときはベ
ース・エミッタ間を短絡する。かかる処理によって、不
良セルの入力回路が低インピーダンス化され、電位動揺
にも強い状態で不良セルを常時遮断状態とし、機能的に
並列接続された回路から切り離すことができる。

【０００５】従来のリペアの処理工程では、プローバ２
のテーブルチャック21上に１枚ごと半導体ウェハ１を人
手で乗せていた。次に、予め制御コンピュータ５に入力
されたプログラムに従い、中央処理装置51はプローバ２
に位置制御を命令し、プローバ２はウェハ１の被測定チ
ップ上の各セルの測定箇所にプローブニードル22を触針
し、テスタ３により各セル特性を試験し、この試験結果
をGPIBケーブル58、GPIB伝送インタフェース57を経由し
て、中央処理装置51の制御によってハードディスク54上
に保存し、試験終了後プリンタ55より試験結果56を出力
する。

【０００６】従来は、半導体ウェハ１上の配列パターン
が異なる場合、そのパターンが異なる機種ごとに制御プ
ログラムを作成して試験を行っていた。また、リペア作
業は、図11に示される様に、作業者61が試験終了後プリ
ンタ55より出力された試験結果56を見て、各チップの該
当する場所に筆62を使ってポリイミド溶液63を塗布して
いた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来技術のリペア方法
における第１の課題は、人手による樹脂の塗布作業をし
ているため、誤って違う場所に塗布したり、塗布量が少
なく絶縁不良を起こしたり、あるいは、塗布量が多く他
の場所まで塗布したりする人為的なミスにより、不良品
が多く発生することがある。

【０００８】また、従来技術における第２の課題は、半
導体ウェハ上のチップ配列や個数の違うものに対して、
異なる機種毎に制御コンピュータの制御プログラムを作
成し、デバックしなければならないため、新機種への対
応が煩雑な作業となる。本発明は上記の点にかんがみて
なされたものであり、その目的は前記した課題を解決し
て、樹脂塗布作業の人為的なミスによる不良を防止し、
これらの作業を自動化し、塗布位置誤りの解消、塗布量
の定量化を行い、良品率を向上させ、また、大きさの異
なる半導体ウェハや半導体ウェハ上のチップの配列個数
が変わっても、容易にその機種のリペア作業ができる新
機種への対応容易な自動リペア装置およびそのリペア方
法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の手段によれば、複数のセルが並列に
接続されてなるチップが複数個配置される半導体ウェハ
を装着するテーブルチャックと半導体ウェハ上の測定箇
所に触針するプローブニードルとを備え半導体ウェハの
位置制御を行うプローバと、プローブニードルに接続し
プローバの位置制御により半導体ウェハ上のセルを選択
し、この選択されたセルの特性を試験するテスタと、プ
ローバの位置制御によりセル上の特定箇所を選択し一定
量の樹脂を吐出するディスペンサ装置と、プローバの位
置制御とテスタによるセルの特性試験データの管理とデ
ィスペンサの吐出制御とを司る制御コンピュータと、を
備え、セルの特性試験データにより、プローバの位置制
御を行い、セル上の特定箇所に選択的に樹脂を塗布する
ものとする。

【００１０】また、本発明の第２の手段によれば、複数
のセルが並列に接続されてなるチップが複数個配置され
る半導体ウェハの位置制御するプローバと、このプロー
バの位置制御によりウェハ上のセルを選択し、この選択
されたセルの特性を試験するテスタと、プローバの位置
制御によりセル上の特定箇所に選択的に一定量の樹脂を
吐出するディスペンサ装置と、プローバの位置制御とテ
スタによるセルの特性試験データの管理とディスペンサ
の吐出制御とを司る制御コンピュータと、を備え、各セ
ルには、半導体ウェハ上に配置される基準位置とこの基
準位置に対しセル上のズレ位置を示し選択的に樹脂が塗
布されるセルパターンとが割り付けられ、制御コンピュ
ータは、半導体ウェハの設計データに従い半導体ウェハ
上に配置される各セルの基準位置データと選択的に樹脂
が塗布されるセルパターンデータとを有し、テスタがセ
ルの特性試験をするときは、セル基準位置データに基づ
きプローバの位置制御を行い、各セルの特性測定箇所に
プローブニードルを触針させてテスタによってセル特性
を試験し、ディスペンサ装置が樹脂を塗布するときは、
セル基準位置データとセルパターンデータとセルの特性
試験結果データとに基づき、樹脂を塗布する位置にプロ
ーバの位置制御を行い、ディスペンサ装置を制御して樹
脂を塗布するものとする。

【００１１】また、本発明の第３の手段によれば、制御
コンピュータに入力された各セルの基準位置データとセ
ルパターンデータとに基づき、基準位置またはセルパタ
ーン位置のいずれかの位置をディスプレイ上に表示する
ものとする。また、本発明の第４の手段によれば、基準
位置にセルの特性試験結果データを表示するものとす
る。

【００１２】

【作用】上記構成により、本発明の第１の手段によれ
ば、制御コンピュータは、セルの特性試験データにより
プローバの位置制御を行い、セル上の特定箇所に選択的
に樹脂を定量塗布する。また、本発明の第２の手段によ
れば、半導体ウェハ上に配置される各セルには、基準位
置と、この基準位置に対しセル上のズレ位置を示し選択
的に樹脂が塗布されるセルパターンと、が割り付けら
れ、制御コンピュータの制御プログラムは、半導体ウェ
ハの設計データに従い、半導体ウェハ上に配置されるチ
ップの配置データ（マップ設定）と、チップ上に配置さ
れる各セルの基準位置データと選択的に樹脂を塗布する
セルパターンデータ（セル座標設定）と、を入力するこ
とにより、対応機種毎に制御プログラムの作成およびデ
バッグを容易にする。

【００１３】また、本発明の第３の手段によれば、第２
の手段で作成した制御プログラムに基づき、基準位置ま
たはセルパターン位置のいずれかの位置をディスプレイ
上に表示（可視化）することにより、プログラム作成時
のデータ入力ミスの発見を容易にし、デバッグ作業を容
易にする。また、本発明の第４の手段によれば、セル特
性試験結果のデータが基準位置に○×印で表示すること
により、不良セルの混入の割合が一目で判る。

【００１４】

【実施例】図１は本発明による自動リペア装置の構成
図、図２は自動リペア装置のプログラム構成を説明する
フローチャート、図３はリペア処理を説明するフローチ
ャート、図４は機種設定処理を説明するフローチャー
ト、図５は良否マップ表示処理を説明するフローチャー
ト、図６は機種設定処理の表示画面、図７はマップ設定
の表示画面、図８はセル座標設定の表示画面、図９は座
標設定マップの表示画面であり、図10、図11に対応する
同一部材には同じ符号が付してある。

【００１５】図１において、１は複数のセルが並列に接
続されてなるチップが複数個配置された半導体ウェハ、
２はこの半導体ウェハ１を装着するテーブルチャック21
と半導体ウェハ１上の測定箇所に触針するプローブニー
ドル22とを備え、半導体ウェハ１を上下およびＸＹ軸方
向に位置制御するプローバ、３はプローブニードル22に
テスタ配線ケーブル31を介して接続し、プローバ２の位
置制御により半導体ウェハ１上のセルを選択し、この選
択されたセルの特性を試験するテスタ、４はプローバ２
の位置制御によりセル上の特定箇所を選択し樹脂塗布を
制御するディスペンサ装置、５はプローバ２の位置制御
と、テスタ３によるセルの特性試験データの管理と、デ
ィスペンサの塗布制御と、を司る制御コンピュータであ
る。

【００１６】ディスペンサ装置４は、一定の吐出量を保
つディスペンサ41と、このディスペンサ41にエアホース
42を介して一定の空気圧を一定時間パルス状に供給する
コントローラ43と、プローバ２とコントローラ43との間
で一定のタイミング関係を維持する通信ケーブル44と、
から構成される。ディスペンサ41の先端部が絞り込まれ
ているので、コントローラ43から一定の空気圧を一定時
間供給することにより、ディスペンサ41から一定量の樹
脂を吐出することができる。

【００１７】制御コンピュータ５は、中央処理装置51
と、モニタ（ディスプレイ装置）52と、キーボード53
と、ハードディスク54と、プリンタ55と、伝送インタフ
ェースの一種であるGPIBボード57と、プローバ２やテス
タ３と接続するGPIBケーブル58と、から構成される。上
記構成において、制御コンピュータ５は、予め搭載され
た制御プログラムに従って、テスタ３がセルの特性試験
をするときは、プローバ２とテスタ３に制御命令を出力
し、セル基準位置データに基づきプローバ２の位置制御
を行い、各セルの特性測定箇所にプローブニードル22を
触針させ、テスタ３によってセル特性を試験し、試験結
果を制御コンピュータ５の記憶装置であるハードデスク
54に格納する。

【００１８】ディスペンサ装置４が樹脂を塗布するとき
は、セル基準位置データとセルパターンデータと、上記
のセルの特性試験結果データとに基づき、樹脂を塗布す
る位置にプローバ２の位置制御を行い、ディスペンサ装
置４を制御して樹脂を一定量吐出し、セルの該当箇所に
定量塗布する。次に、図９の(B) によって、セルの特性
試験結果データに基づき、セル上の特定箇所に選択的に
樹脂を塗布する場所を説明する。図９の(A) は、一実施
例の半導体ウェハ１上のセル配置例であり、各機種ごと
に作成され、半導体ウェハ１上に配置されるチップの配
置（マップ設定）とチップ上に配置される各セルのセル
パターン（セル座標設定）とを可視化した座標設定マッ
プの一部を表示したものであり、制御プログラム作成時
に上記データが正しく入力されたときは、整然と配置さ
れる。また、一部のデータに入力ミスがあれば、部分的
に間隔が変わり、入力ミス箇所が容易に発見できる。

【００１９】図９の(B) は、チップ上の各セルとセルパ
ターンの一部を部分抽出し、拡大図示したものである。
この実施例では、各セル毎に、入力段がMOS-ICで、出力
段がバイポーラトランジスタで構成された電力用のトラ
ンジスタ回路を例示したものである。この電力用トラン
ジスタ回路の出力段は、コレクタ回路およびエッミタ回
路がチップレベルで並列に接続され、制御入力回路がMO
S-ICのゲートＧおよび共通配線されるソースＳ間で制御
される。

【００２０】図９の(B) において、セルC1〜C4とセルC5
〜C8は、ソースライナ11を挟んで対向配置され、各セル
C1〜C8に対応した丸印の符号A1〜A8で示される点が、MO
S-ICの制御入力点であるゲート端子Ｇに相当し、セル特
性を試験した結果、正常なセルのとき、この制御入力点
をゲート回路の配線であるゲートライナ12（一点鎖線で
示す）に配線し、電力用トランジスタ回路を制御する。
また、各セルC1〜C8に対応して、角印の符号B1〜B8で示
される点が、MOS-ICの制御入力を短絡するゲート端子Ｇ
とソース端子Ｓが接近配置され、セル特性を試験した結
果、不良セルのとき、この角印で示される該当符号 (B1
〜B8) 箇所を短絡し、実質的に並列に接続されている該
当トランジスタを常時遮断状態とし、残りの正常なトラ
ンジスタセルで電力用トランジスタ回路を制御する。

【００２１】即ち、正常なトランジスタセルは、角印符
号 (B1〜B8) で示される点にポリイミド樹脂が塗布され
絶縁される。また、不良トランジスタセルは、丸印符号
(A1〜A8の内の該当箇所) で示される点にポリイミド樹
脂が塗布され絶縁される。この絶縁処理後、アルミニュ
ウムによる配線処理を行うことにより、不良セルを機能
的に回路から切り離したと等価回路（遮断状態）とし、
良品セルのみで電力用トランジスタ回路を構成すること
ができる。

【００２２】本発明の実施例では、丸印符号 (A1〜A8)
で図示される点が、各セルC1〜C8の基準位置を示し、半
導体ウェハ１上のＸＹ座標で該当セルの配置位置が設定
される。また、角印符号 (B1〜B8) で示される点が、上
記基準位置に対しセル上のズレ位置を示し、選択的に
（セルが正常なとき）樹脂を塗布するセルパターン位置
に相当する。このセルパターンは図示例では４種類ある
が、この種類はもっと多くのセルパターンがあっても良
い。

【００２３】図２は本自動リペア装置の制御プログラム
構成を説明するフローチャートであり、制御コンピュー
タ５を稼働させると、ステップS1でメニュー画面を表示
する。オペレータはステップS2で必要とする作業をプロ
グラムファンクションキー（以下、PFキーと略称する）
により選択する。即ち、リペア処理を選択すれば、ステ
ップS3のリペア処理に移行し、半導体ウェハ１の試験と
リペア処理を実行する。この具体的な詳細処理内容は図
３のフローチャートに図示される。また、ステップS2で
PFキーにより機種設定処理を選択すれば、ステップS5の
機種設定処理に移行し、半導体ウェハ上のチップ配列や
個数の違うものについては、その異なる機種毎の制御プ
ログラムの作成・デバッグ作業に移行し、これを実行す
る。この具体的な詳細処理内容は図４に図示される。ま
た、ステップS2でPFキーにより良否マップ表示処理を選
択すれば、ステップS7の良否マップ表示処理に移行し、
上記のステップS3のリペア処理で半導体ウェハ１の各セ
ルの特性試験結果の良否データが、各セル配置箇所に○
×印でディスプレイ装置上に表示できる。この具体的な
詳細処理内容は図５に図示される。全てのリペア処理作
業が終了すると、ステップS9で制御コンピュータ５の作
業は終了し、待機状態乃至は制御コンピュータ５を停止
することができる。

【００２４】図３において、図２のステップS2でPFキー
によりリペア処理を選択することにより、制御コンピュ
ータ５は、ステップS31 に移行し、自動リペア処理画面
を表示する。オペレータはステップS32 で必要とする作
業をPFキーにより選択する。例えば、既に制御プログラ
ムが作成済であり、このプログラムの内から該当するリ
ペア処理を行う機種を選択するとき、ステップS33 でリ
ペア機種を選択し、ステップS32 に戻る。

【００２５】次に、この選択されたリペア機種のリペア
処理作業に移行する。ステップS34に移行し、制御コン
ピュータ５からプローバ２にウェハ１のロード命令を伝
送インタフェースであるGPIBボード57およびGPIBケーブ
ル58を介して送信する。次に、ステップS35 に移行し、
測定対象のウェハ１が全て終了したか否かを調べ、未終
了であれば、ステップS36 に移行し、ウェハ１がプロー
バ２に搭載されるのを待ち、ステップS37 でテスタ３に
よる測定ポイントの初期化、例えば、第１チップの第１
セルから測定を実施するようにプローバ２に命令を与え
る。ウェハ１がプローバ２に搭載され、所定のセル測定
ポイントに位置制御されると、ステップS38 で、チップ
上の該当セル特性がテスタ３によって測定され、この測
定データはGPIB伝送インタフェース57、58を介して、ハ
ードディスク54に格納される。次に、ステップS39 に移
行し、ウェハ１上の全セルの測定が終了したか否かを調
べ、未終了であれば、ステップS40 に移行し、測定ポイ
ントを次のセルに移動し、ステップS38 、ステップS39
を繰り返し実行する。ウェハ１上の全測定ポイントの測
定が終了すると、ステップS41 に移行する。以上のステ
ップS34 からステップS40 までがセル特性の測定・試験
である。

【００２６】次に、ステップS41 からステップS46 まで
がリペア作業である。ステップS41でディスペンサ装置
４によるポリイミド樹脂63の塗布作業工程に入り、リペ
アポイントの初期化、例えば、第１チップの第１セルか
ら樹脂塗布作業を実施するようにプローバ２およびディ
スペンサ装置４に命令を与える。上記ステップS38 の該
当セルの測定結果に基づき、ステップS42 ではリペアポ
イント（セル特性）の良否判定をし、セル特性が良のと
きはステップS43 に移行し、図９の(B) に角印の符号
（B1〜Bn）の該当箇所にポリイミド樹脂63を定量塗布す
る。また、セル特性が不良のときはステップS44 に移行
し、図９の(B) に丸印の符号 (A1〜An) の該当箇所にポ
リイミド樹脂63を定量塗布する。次に、ステップS45 に
移行し、ウェハ１上の全セルのリペア作業が全て終了し
たか否かを調べ、未終了であれば、ステップS46 に移行
し、次のセルのリペアポイントに移動し、ステップS42
からステップS45 を繰り返し実行する。ウェハ１上の全
セルのリペア作業が終了すると、ステップS34 に戻る。
ステップS34 からステップS46 までが１枚のウェハ１当
たりの全セルのセル特性の測定・試験およびリペア作業
である。

【００２７】ステップS34 では、制御コンピュータ５は
プローバ２に次のウェハ１のロード命令を伝送し、ステ
ップS35 で測定対象のウェハ１が全て終了したか否かを
調べ、全ウェハの測定・試験およびリペア作業が終了で
あれば、ステップS32 に戻り、待機状態に入り、PFキー
で終了を選択することにより、ステップS47 でリペア処
理作業が終了する。

【００２８】次に、図４で機種固有の制御プログラムの
作成方法を説明する。図４において、図２のステップS2
でPFキーにより機種設定処理を選択すれことにより、制
御コンピュータ５は、ステップS51 の機種設定処理画面
を表示する。以下、図４の説明では、図６〜図８の表示
画面と密接な関係があるのでこれらの表示画面を併用し
ながら説明を行う。

【００２９】オペレータはステップS52 で必要とする作
業をPFキーにより選択する。例えば、これから新規作成
する機種、あるいは、修正すべき機種の制御プログラム
があるとき、ステップS53 でその指定機種名の読み込み
と表示を行い、機種名の登録を行ってステップS52 に戻
る。図６はこのときの機種設定処理画面の一例である。
図６において、機種設定処理画面が呼び出されると、
１．機種名の登録（または確認）、２．テスタ３による
測定値に対する規格値（上下限値）の設定、３．ウェハ
に関する情報の設定（径、厚み）、４．テスタ３の測定
条件の設定（印加電圧、制限電流値）、５．プローバ２
に対する各種の設定条件が表示され、画面の下部にオペ
レータへの操作案内が表示されている。上記１〜５項に
関する必要事項を設定あるいは修正し、ファンクション
キーf5を押すことにより設定を行うことができる。

【００３０】次に、図４に戻り、オペレータがステップ
S52 でマップ設定を選択すると、ステップS55 に移行
し、先に作成された機種設定処理画面のデータをメモリ
に格納し、データの保存を行い、ステップS56 に移行
し、マップ設定画面を表示する。図７はこのときのマッ
プ設定画面の一例である。図７において、マップ設定画
面が呼び出されると、画面上部には、先に機種設定処理
画面で設定された機種名、ウェハ情報、プローバ設定条
件などの主なものが表示される。中央部には、１．ウェ
ハ当たりの全セル数、２．横チップ境界線位置、３．縦
チップ境界線位置、４．セルパターン毎によるセル基準
位置からのズレ位置を示し、選択的に樹脂塗布位置に対
応する良否マーキング座標ズレ量（図９の(B) に角印の
符号B1〜Bnに相当するズレ量) 、が表示され、これらの
数値がこの画面で設定できる。

【００３１】横チップ境界線と縦チップ境界線で囲まれ
た枠内に、各チップが配置され、後述の座標設定マップ
でセルデータの入力ミスなどの発見に有用である。ま
た、４．良否マーキング座標ズレ量で各セルパターン毎
のセル基準位置からのズレ位置を統一的に規格化でき
る。図示例では８種類のセルパターンが登録できる。次
に、図４に戻り、ステップS57 でPFキーにより終了を選
択することにより、ステップS58 に移行し、マップ設定
画面のデータをメモリに格納して、ステップS52 に戻
る。また、ステップS57 でPFキーにより中止を選択すれ
ば、ステップS55 でメモリに格納されたデータを変更す
ることなく、そのままステップS52 に戻る。

【００３２】ステップS57 でPFキーによりセル座標設定
画面を選択することにより、ステップS59 に移行し、表
示画面を第１画面に設定し、ステップS60 のセル座標設
定画面に第１画面を表示する。図８はこのときのセル座
標設定画面の一例である。図８において、セル座標設定
画面が呼び出されると、画面上部には、先に機種設定処
理画面で設定された機種名、ウェハ１上の全セル数、お
よび、ウェハ情報、プローバ設定条件などの主なものが
表示される。中央部に、ウェハ上に配置される全セルの
測定座標位置（基準位置）のＸ，Ｙ軸のデータと、その
セルに割り付けられたセルパターン、即ち、良否マーキ
ング座標ズレ量のＸ，Ｙ軸のデータと、が設定される。
このセル座標設定画面はウェハ１上の全セル数により複
数画面にわたることがある。

【００３３】図４に戻り、ステップS61 の確認を選択す
ると、ステップS62 の座標確認マップ画面を表示する。
この画面は図９に図示される座標設定マップと同じであ
り、ステップS60 のセル座標設定画面で設定された全セ
ルの座標データを平面配置画面に表示し、可視化するこ
とにより、セルデータの入力ミスが発見し易い。特に、
ステップS56 のマップ設定画面で設定された横チップ境
界線と縦チップ境界線の枠で、各チップが配置される場
所を一緒に表示することにより、この確認作業が一段と
容易になる。この確認作業が行われると、ステップS60
のセル座標設定画面表示に戻り、ステップS61 で確定を
選択し、ステップS63 に移行して表示中のセル座標設定
画面で設定されたデータを保存し、ステップS64 に移行
し、全セル座標設定が終了したか否かを調べ、未終了の
ときはステップS65 に移行し表示画面を次の画面に設定
し、ステップS60 からステップS65 を繰り返し実行す
る。

【００３４】ステップS64 で全セル座標設定が終了、あ
るいは、ステップS61 で中止を選択したときは、ステッ
プS52 に戻り、待機状態に入る。ステップS52 で終了を
選択すれば、メモリのデータを書き換え、機種設定画面
のデータ保存処理を行い、また、ステップS52 で中止を
選択すれば、メモリのデータ書換えを行うことなく、そ
のままステップS66 に移行し、機種設定処理作業が終了
する。

【００３５】次に、図５で良否マップ表示処理を説明す
る。図５において、図２のステップS2でPFキーにより良
否マップ表示処理を選択すれことにより、制御コンピュ
ータ５は、ステップS71 の良否マップ表示処理画面を表
示する。ステップS72 で、PFキーにより読込みを選択す
ることにより、ステップS73 に移行し、先に測定・試験
されたセルデータを読込み、ステップS74 でこのデータ
を表示し、ステップS75 でマップキー操作案内を表示
し、ステップS71 に戻る。ステップS72 のPFキーで、マ
ップを選択することにより、ステップS76 に移行し、良
否マップ画面を表示する。この良否マップ画面は、図９
に表示される座標設定マップと同様な画面であり、セル
特性が良品の箇所は○印で表示され、セル特性が不良品
の箇所は×印で表示され、セルの良否が一目に判るよう
にしてある。

【００３６】これらので良否マップは、ステップS77 で
前頁を指定すれば、今表示しているウェハの１枚前のウ
ェハのデータをステップS78 で読み込み、良否マップ画
面を表示する。また、ステップS77 で次頁を指定すれ
ば、今表示しているウェハの次のウェハのデータをステ
ップS79 で読み込み、良否マップ画面を表示する。ま
た、データコピーを指定すれば、ステップS80 で、表示
マップの測定データを印刷し、マップコピーを指定すれ
ば、ステップS81 で、表示マップのハードコピーを行
う。ステップS77 で、中止を選択するとステップS71 に
戻り、ステップS72 で、中止を選択するとステップS82
で終了する。

【００３７】上述の構成および手段をとることにより、
従来、作業者61によって行われていたリペア作業、特
に、ポリイミド溶液63の絶縁樹脂の塗布が人手を介さず
に自動で行うことができる。また、従来の人手による樹
脂塗布では、塗布量が一定せず、絶縁不良を起こしたり
していたが、塗布用に一定の吐出量を保つディスペンサ
４を利用することにより、常に一定量の絶縁樹脂を目的
とする場所に塗布することが可能となった。また、絶縁
樹脂の塗布については、将来、半導体ウェハ１のマスク
パターンなどの変更により、塗布する広さ（面積）が変
わっても、ディスペンサ４の吐出量を調整することによ
り容易に対応することができる。

【００３８】プローバ２の制御は、半導体ウェハ１の製
品機種ごとに、制御プログラムを作成するのではなく、
ウェハ１の直径、チップとチップの境界、プローブニー
ドルを接触させて測定するセルの位置座標を入力し、機
種情報としてデータをハードディスクに保存するように
した。この結果、従来技術のように、制御プログラムを
機種毎に作成することなく、データ入力だけで済むため
制御プログラム作成の煩雑さを避けることができる。

【００３９】ポリイミドの樹脂を塗布する位置について
は、テスタ３で測定した結果に基づきプローブニードル
22が接触する基準位置か、又はその基準位置とは異なる
セルパターン位置となる。このセルパターン位置は、各
測定するセルごとに、幾つかのパターンが存在するた
め、そのパターン各の座標も機種情報としてデータを保
存し、測定結果に従ってポリイミドを塗布できるように
した。

【００４０】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、リペ
ア作業工程で介在していた人手が、半導体ウェハの入っ
たカセットを機械にセットするだけで、自動的に測定か
ら樹脂塗布までの作業が自動的に行えるようになり、人
手が削減できる。また、樹脂の塗布量が一定となり、塗
布位置も正確に制御できるため、従来の人手によって行
っていた際の絶縁不良がなくなり、良品率が向上でき
る。

【００４１】また、ウェハの機種ごとに作成していたプ
ログラムが不要となり、ウェハの座標などのデータのみ
をハードディスク上に保存すれば良いようになったの
で、ハードディスクの容量が削減できる。さらに、新し
い機種のウェハに対応するデータを入力作成する場合で
も、制御コンピュータの画面上で基準プロープニードル
のあたる位置が確認できるため、新機種へのリペア工程
の対応が短期間で行えるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による一実施例の自動リペア装置の構成
図

【図２】自動リペア装置のプログラム構成を説明するフ
ローチャート

【図３】リペア処理を説明するフローチャート

【図４】機種設定処理を説明するフローチャート

【図５】良否マップ表示処理を説明するフローチャート

【図６】機種設定処理の表示画面を説明する説明図

【図７】マップ設定の表示画面を説明する説明図

【図８】セル座標設定の表示画面を説明する説明図

【図９】座標設定マップの表示画面を説明する説明図

【図１０】従来技術におけるウェハ上のチップの試験装
置の構成構成図

【図１１】従来技術におけるリペア作業を説明する説明
図

【符号の説明】

１ ウェハ 11 ソースライナ 12 ゲートライナ ２ プローバ 21 テーブルチャック 22 プローブニードル ３ テスタ 31 テスタ配線ケーブル ４ ディスペンサ装置 41 ディスペンサ 42 エアホース 43 コントローラ 44 通信ケーブル ５ 制御コンピュータ 51 中央処理装置 52 モニタ 53 キーボード 54 ハードディスク 55 プリンタ 56 試験結果 57 GPIBボード 58 GPIBケーブル 61 作業者 62 筆 63 ポリイミド溶液 A1〜A8 基準位置 B1〜B8 セルパターン C1〜C8 セル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のセルが並列に接続されてなるチップ
   が複数個配置される半導体ウェハを装着するテーブルチ
   ャックと、前記半導体ウェハ上の測定箇所に触針するプ
   ローブニードルと、を備え、前記半導体ウェハの位置制
   御を行うプローバと、 前記プローブニードルに接続し、前記プローバの位置制
   御により前記半導体ウェハ上のセルを選択し、この選択
   されたセルの特性を試験するテスタと、 前記プローバの位置制御により前記セル上の特定箇所を
   選択し、一定量の樹脂を吐出するディスペンサ装置と、 前記プローバの位置制御と、前記テスタによるセルの特
   性試験データの管理と、前記ディスペンサの吐出制御
   と、を司る制御コンピュータと、を備え、 前記セルの特性試験データにより、前記プローバの位置
   制御を行い、前記セル上の特定箇所に選択的に樹脂を塗
   布する、 ことを特徴とする自動リペア装置。
2. 【請求項２】複数のセルが並列に接続されてなるチップ
   が複数個配置される半導体ウェハの位置制御するプロー
   バと、このプローバの位置制御により前記ウェハ上のセ
   ルを選択しこの選択されたセルの特性を試験するテスタ
   と、前記プローバの位置制御により前記セル上の特定箇
   所に選択的に一定量の樹脂を吐出するディスペンサ装置
   と、前記プローバの位置制御と前記テスタによるセルの
   特性試験データの管理と前記ディスペンサの吐出制御と
   を司る制御コンピュータと、を備え、 前記各セルには、半導体ウェハ上に配置される基準位置
   と、この基準位置に対しセル上のズレ位置を示し選択的
   に樹脂が塗布されるセルパターンと、が割り付けられ、 制御コンピュータは、 半導体ウェハの設計データに従い、前記半導体ウェハ上
   に配置される各セルの前記基準位置データと、選択的に
   樹脂が塗布される前記セルパターンデータと、を有し、 前記テスタがセルの特性試験をするときは、前記セル基
   準位置データに基づき前記プローバの位置制御を行い、
   各セルの特性測定箇所に前記プローブニードルを触針さ
   せて、前記テスタによってセル特性を試験し、 前記ディスペンサ装置が樹脂を塗布するときは、前記セ
   ル基準位置データと前記セルパターンデータと、前記セ
   ルの特性試験結果データと、に基づき、樹脂を塗布する
   位置に前記プローバの位置制御を行い、前記ディスペン
   サ装置を制御して樹脂を塗布する、 ことを特徴とする自動リペア装置のリペア方法。
3. 【請求項３】請求項２に記載の自動リペア装置のリペア
   方法において、制御コンピュータに入力された各セルの
   基準位置データと、セルパターンデータと、に基づき、
   基準位置またはセルパターン位置のいずれかの位置をデ
   ィスプレイ上に表示する、ことを特徴とする自動リペア
   装置のリペア方法。
4. 【請求項４】請求項２に記載の自動リペア装置のリペア
   方法において、基準位置にセルの特性試験結果データを
   表示する、ことを特徴とする自動リペア装置のリペア方
   法。