JPH0863818A - 光学ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気光学効果により情報の記録、再生、消去
を行う光学ヘッドにおいて、光の利用効率が良く、十分
なＳＮの光磁気信号が得られ、高価なアンプを必要とし
ない小型の光学ヘッドを提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板３上に設けられた複数の受光領域
を有する受光素子１５，１６の上方にプリズム５を設
け、プリズム５の光１３が入射する斜面に、Ｐ偏光とＳ
偏光とで反射率および透過率の異なるビームスプリッタ
ー２０と、光１３を互いに直交する二つの偏光成分を有
する複数の光１３ａ，１３ｂ，１３ｃに分岐し、略同一
方向に出射する検光子１９とを一体に構成し、分岐光１
３ａ，１３ｂ，１３ｃを、それぞれ受光素子１５，１６
の分割された異なる領域（Ａ〜Ｊ）で受光する構成とす
ることで、光の利用効率が良く、良好なＳＮが得られ、
かつ高価なアンプを多数必要としない光学ヘッドを提供
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、音声および画像用ファ
イル、文書ファイル、およびコンピューター用外部メモ
リー装置などに用いられ、光ビームを用いて磁気光学効
果により情報の記録、再生、消去などを繰り返して行え
る光学式記録再生装置の光学ヘッドに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、光学式記録再生装置の中で、繰り
返し情報の記録、再生、消去が行える方式の一つである
光磁気記録再生装置が注目されている。光学ヘッドは、
この光磁気記録再生装置の基本的構成要素として、特
に、その小型化技術が重要視されている。

【０００３】小型化を図った従来の光学ヘッドとして、
例えば特開平５−２０５３３９号公報に開示のものがあ
るので、以下に図５の（ａ），（ｂ）を用いて説明す
る。

【０００４】図５の（ａ），（ｂ）において、１，２は
Ｓｉ基板３上に形成されたフォトダイオードであり、こ
れらの配列方向とは直角な方向に分割されている３個ず
つの部分Ａ〜ＣおよびＢ〜Ｄから成っている。４はＳｉ
基板３の上面全体に設けられた偏光膜であり、Ｐ偏光の
光のみを透過しＳ偏光の光は反射する。５は偏光膜４上
でフォトダイオード１，２の上方に設けられた断面台形
のプリズムであり、その斜面には、反射率が５０％であ
る無偏光膜６が形成されている。７はプリズム５の上面
に設けられた四分の一波長板であり、その上面には全反
射膜８が形成されている。９はＳｉ基板３上に設けられ
た別のＳｉ基板であり、プリズム５の斜面に対向する位
置に配置されている。１０はＳｉ基板９上に設けられた
レーザーダイオードであり、偏光面が無偏光膜６の入射
面に対して４５°だけ傾いた光を放射する。１１はＳｉ
基板９上に設けられた別のフォトダイオードであり、レ
ーザーダイオード１０の無偏光膜６へ向かう側とは反対
側の位置に配置されている。１２はプリズム５の斜面の
上方に配置された対物レンズである。

【０００５】上記のように構成された従来の光学ヘッド
の基本的な動作を説明すると、レーザーダイオード１０
から放射された光１３は、無偏光膜６へ入射し、そのう
ち５０％だけが上方へ反射される。無偏光膜６で反射さ
れた光１３は、対物レンズ１２によって光磁気記録媒体
１４上に集光され、光磁気記録媒体１４上に記録されて
いる磁気信号によって偏光面が回転される。光磁気記録
媒体１４で反射された光１３は、再び対物レンズ１２を
透過し無偏光膜６へ入射し、そのうち５０％だけが無偏
光膜６を透過する。無偏光膜６を透過した光１３は、プ
リズム５中を進行し、偏光膜４へ入射する。偏光膜４へ
入射した光１３のうち、Ｐ偏光成分のみがこの偏光膜４
を透過してフォトダイオード１へ入射し、Ｓ偏光成分は
偏光膜４で反射される。偏光膜４で反射された光１３
は、プリズム５中を進行し、四分の一波長板７を透過し
て全反射膜８へ入射し、この全反射膜８で反射されて再
び四分の一波長板７を透過する。すなわち光１３は、四
分の一波長板７中を往復するのでＳ偏光からＰ偏光に変
わる。全反射膜８で反射された光１３は、プリズム５中
を進行し偏光膜４へ入射するが、この光１３は上述のよ
うにＰ偏光になっているので、偏光膜４を透過してフォ
トダイオード２へ入射する。従って、 ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ） という差動検出によって、光磁気信号が得られることと
なる。

【０００６】また、光学ヘッドと光磁気記録媒体１４と
が合焦状態にあるときに、図５に示すように光１３は全
反射膜８上で焦点を結び、フォトダイオード１，２上で
の光スポットの径が同じになることから、 ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ） という差動検出によって、フォーカスエラー信号が得ら
れることとなる。

【０００７】一方、レーザーダイオード１０から無偏光
膜６へ向かう方向とは反対方向に放射された光１３は、
フォトダイオード１１へ入射し、フォトダイオード１１
で受光する光１３の受光量の変化を見ることで、レーザ
ーダイオード１０からの光１３の放射光量の変化を知る
ことができることとなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、レーザーダイオード１０から放射された
光１３を反射する作用、および光磁気記録媒体１４から
の反射光を透過する作用が、反射率および透過率が光の
偏光方向に関与しない無偏光膜６で行われるので、反射
率および透過率がいずれも５０％と低く、光の利用効率
が悪いばかりでなく、光磁気記録媒体１４上に記録され
ている磁気信号によって微小な角度だけ回転された偏光
成分、すなわち光磁気信号成分の透過率も悪いので、光
磁気信号の十分なＳＮを得ることができない。

【０００９】また、周波数帯域の異なる光磁気信号（Ｒ
Ｆ）とフォーカスエラー信号（ＦＥ）とを、同じフォト
ダイオード１，２で検出するので、光学ヘッドを使用す
る際に、それぞれの差動検出を行う際のアンプ（図示せ
ず）が、フォトダイオード１，２のすべての分割された
部分（Ａ〜Ｆ）に対して必要となり、多数のアンプを使
用することでノイズ成分が増大しＳＮが悪化するととも
に、ＤＣから高域までの幅広い周波数特性を有する極め
て製作が困難で高価なアンプが必要となる。

【００１０】本発明は、上記従来の課題を解決し、光の
利用効率が良く、良好なＳＮが得られ、かつ高価なアン
プを必要としない小型の光磁気記録再生装置の光学ヘッ
ドを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光学ヘッドは、発光素子と、光集光素子
と、半導体基板上に設けられ、複数の受光領域を有する
受光素子と、前記半導体基板の前記受光素子上に設けら
れたプリズムと、前記発光素子と前記プリズムの間に設
けられ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異な
る略平板状のビームスプリッターと、前記ビームスプリ
ッターと前記プリズムの間に設けられ、入射した光を少
なくとも互いに直交する二つの偏光成分を持つ複数の光
束に分岐し略同一方向に出射する検光子とを備えたもの
である。

【００１２】

【作用】この構成では、略平板上のビームスプリッター
において、発光素子からの放射光を反射させるときの反
射率を上げながら、光磁気記録媒体上で生じた光の偏光
面の微小な回転により発生した若干のＰ偏光成分の透過
率を上げるように、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透
過率を異ならせているので、光の利用効率が良く、ま
た、十分なＳＮの光磁気信号を得ることができる。

【００１３】さらに、光磁気記録媒体からの反射光を、
検光子において少なくとも互いに直交する二つの偏光成
分を持つ複数の光束に分岐し、略同一方向に出射された
この複数の光束を、光磁気信号（ＲＦ）とフォーカスエ
ラー信号（ＦＥ）とを検出するためのそれぞれ別の受光
領域で受光することで、光学ヘッドを使用する際に、す
べての受光領域ごとにアンプを接続する必要がなく、ま
た、用いるアンプも、光磁気信号（ＲＦ）とフォーカス
エラー信号（ＦＥ）とに分けて、それぞれの帯域に応じ
た安価なアンプを使用することが可能となる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の一実施例の光学ヘッドを、図
面を参照しながら説明する。なお、前記従来例と同一の
部材は、同一の符号で示すものとする。

【００１５】図１の（ａ）は、本発明の一実施例の光学
ヘッドの構成を示す側断面図であり、図１の（ｂ）は、
受光素子部分の拡大図である。

【００１６】図１において、１５，１６はＳｉ基板３上
に形成されたフォトダイオードであり、これらの配列方
向とは直角な方向に分割されている５個ずつの部分Ａ〜
ＣとＧ〜Ｈ、およびＤ〜ＦとＩ〜Ｊから成っている。１
７はＳｉ基板３の上面のうち受光素子１５の上部に設け
られた半透過膜であり、入射した光の５０％を透過し、
残りの５０％を反射する。Ｓｉ基板３上には断面台形の
プリズム５が設けられ、その上面には全反射膜１８が設
けられている。１９はプリズム５の斜面に設けられ、ニ
オブ酸リチウムで構成された検光子であり、入射した光
を互いに直交する偏光成分を持つ±１次光と、その二つ
の偏光成分が混合された０次光の３つの光に分岐するも
ので、この±１次光と０次光とは略１〜４°程度の角度
をもって、略同一方向へ出射される。２０は検光子１９
上に設けられた略平板状のビームスプリッターであり、
Ｓ偏光の反射率が略７０％、Ｓ偏光の透過率が略３０
％、Ｐ偏光の透過率が略１００％に設定されている。ま
た、Ｓｉ基板３上のプリズム５に対向する位置には、別
のＳｉ基板９が設けられており、その上にはＳ偏光の光
を放射するレーザーダイオード１０と、レーザーダイオ
ード１０のプリズム５へ向かう側とは反対側の位置に、
別のフォトダイオード１１が設けられている。１２はプ
リズム５の斜面の上方に配置された対物レンズである。

【００１７】なお、ビームスプリッター２０は、略平板
状のビームスプリッターではなく、検光子１９上に直接
設けた偏光膜としてもよい。

【００１８】また、別のＳｉ基板１１は、銅や鉄などの
金属製のステムとしてもよい。上記のように構成された
光学ヘッドの基本的な動作を説明すると、レーザーダイ
オード１０から放射されたＳ偏光の光１３は、ビームス
プリッター２０へ入射する。ビームスプリッター２０で
は、Ｓ偏光の反射率が略７０％に設定されているので、
レーザーダイオード１０から放射されてきた光１３のう
ち略７０％が上方へ反射される。ビームスプリッター２
０で反射された光１３は、対物レンズ１２によって光磁
気記録媒体１４上に集光され、光磁気記録媒体１４上に
記録されている磁気信号によって偏光面が略０．３〜
０．５°程度回転される。すなわち、光磁気記録媒体１
４で反射された光１３は、光磁気信号である若干のＰ偏
光成分を含んだＳ偏光の光となり、再び対物レンズ１２
を透過しビームスプリッター２０へ入射する。ビームス
プリッター２０では、Ｓ偏光の透過率が略３０％、Ｐ偏
光の透過率が略１００％に設定されているので、Ｓ偏光
成分の略３０％と光磁気信号であるＰ偏光成分の略１０
０％がビームスプリッター２０を透過する。ビームスプ
リッター２０を透過した光１３は、検光子１９に入射
し、Ｓ偏光とＰ偏光が混合した０次光１３ａと、Ｓ偏光
である＋１次光１３ｂと、Ｐ偏光である−１次光１３ｃ
の３つに分岐される。このとき、この３つの光１３ａ〜
１３ｃは、紙面に垂直な方向に略１〜４°程度の分岐角
で分岐され、検光子１９を透過する。検光子１９を透過
した光１３ａ〜１３ｃは、プリズム５中を進行し、半透
過膜１７へ入射する。半透過膜１７に入射した光１３ａ
〜１３ｃのそれぞれ５０％は、半透過膜１７を透過しフ
ォトダイオード１５へ入射し、残りの５０％は半透過膜
１７で反射される。光１３ａ〜１３ｃがフォトダイオー
ド１５へ入射するときは、フォトダイオード１５の部分
Ａ〜Ｃに０次光１３ａが、部分Ｇに＋１次光１３ｂが、
部分Ｈに−１次光１３ｃがそれぞれ入射される。半透過
膜１７で反射された光１３ａ〜１３ｃは、プリズム５中
を進行し、全反射膜１８へ入射し、ここで反射されてプ
リズム５中を進行し、フォトダイオード１６へ入射す
る。光１３ａ〜１３ｃがフォトダイオード１６へ入射す
るときは、フォトダイオード１６の部分Ｄ〜Ｆに０次光
１３ａが、部分Ｉに＋１次光１３ｂが、部分Ｊに−１次
光１３ｃがそれぞれ入射される。従って、フォトダイオ
ード１６の部分ＧとＩにはＳ偏光の光１３ｂが入射し、
部分ＨとＪにはＰ偏光の光１３ｃが入射することになる
ので、 ＲＦ＝（Ｇ＋Ｉ）−（Ｈ＋Ｊ） という差動検出によって、光磁気信号が得られることと
なる。

【００１９】また、光学ヘッドと光磁気記録媒体１４と
が合焦状態にあるときに、図１に示すように光１３は全
反射膜１８上で焦点を結び、フォトダイオード１５，１
６上での光スポットの径が同じになることから、 ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ） という差動検出によって、フォーカスエラー信号が得ら
れることとなる。

【００２０】なお、フォトダイオード１５，１６の配列
方向と光磁気記録媒体１４の情報トラックの方向を合わ
せるように光学ヘッドを配置すれば、光学ヘッドに対し
て情報トラックのずれが生じたときに、フォトダイオー
ド１５，１６上の光スポットが、情報トラックと直交す
る方向にそれぞれ逆方向に動くので、 ＴＥ＝（Ａ＋Ｆ）−（Ｃ＋Ｄ） という差動検出によって、トラッキングエラー信号を得
ることも可能である。

【００２１】一方、レーザーダイオード１０からビーム
スプリッター２０へ向かう方向とは反対方向に放射され
た光１３は、フォトダイオード１１へ入射し、フォトダ
イオード１１で受光する光１３の受光量の変化を見るこ
とで、レーザーダイオード１０からの光１３の放射光量
の変化を知ることができることとなる。

【００２２】上記のように本発明によれば、ビームスプ
リッター２０は、Ｓ偏光の反射率が略７０％、Ｓ偏光の
透過率が略３０％、Ｐ偏光の透過率が略１００％に設定
されているので、レーザーダイオード１０から放射され
ビームスプリッター２０で対物レンズ１２の方へ反射さ
れるＳ偏光の光１３の反射率が略７０％となり、光の利
用効率が向上するばかりでなく、光磁気記録媒体１４上
に記録されている磁気信号によって、偏光面が略０．３
〜０．５°程度回転された光磁気記録媒体１４からの反
射光に含まれる若干のＰ偏光成分、すなわち光磁気信号
成分は、再びビームスプリッター２０へ戻ってきた際
に、略１００％ビームスプリッター２０を透過し、検光
子１９およびプリズム５中を進行し、フォトダイオード
１５，１６へ入射するので、光磁気信号の十分なＳＮを
得ることができることとなる。

【００２３】また、光磁気記録媒体１４からの反射光１
３は、検光子１９にてＳ偏光とＰ偏光が混合した０次光
１３ａと、Ｓ偏光である＋１次光１３ｂと、Ｐ偏光であ
る−１次光１３ｃに紙面に垂直な方向に略１〜４°程度
の分岐角で分岐され、それぞれの光１３ａ，１３ｂ，１
３ｃは、フォトダイオード１５，１６の分割された部分
（Ａ〜Ｊ）のそれぞれ別の部分に入射するので、光磁気
信号（ＲＦ）とフォーカスエラー信号（ＦＥ）を、別の
受光素子の部分にて検出することになり、光学ヘッドを
使用する際に、フォトダイオード１５，１６の分割され
た部分を（Ａ＋Ｃ＋Ｅ），（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ），（Ｇ＋
Ｉ），（Ｈ＋Ｊ）と接続しておけば、差動検出を行う際
のアンプ（図示せず）は、この４つの接続された部分だ
けにあればよく、使用するアンプの数を削減すること
で、ノイズ成分の増大によるＳＮの悪化を防ぐことがで
き、また、それぞれの周波数帯域に応じた安価なアンプ
が使えることとなる。すなわち、光利用効率が良く、光
磁気信号の良好なＳＮが得られ、かつ安価なアンプを使
用できる光学ヘッドを提供することが可能となる。

【００２４】さらに、図２〜図４により、本発明の光学
ヘッドの別の実施例を説明する。なお、図１と同一の部
材は、同一の符号で示すものとする。

【００２５】図２は、本発明の光学ヘッドの第２の実施
例を示す側断面図であり、図１との違いは、フォトダイ
オード１１の代わりに別のフォトダイオード２１を、Ｓ
ｉ基板３上に設け、Ｓｉ基板９を、より小型のステム２
２に変えたことである。レーザーダイオード１０から光
１３が放射されてから、光磁気信号およびフォーカスエ
ラー信号を得るまでの動作は、第１の実施例と同じなの
で省略するが、レーザーダイオード１０から放射された
光１３の７０％は、ビームスプリッター２０で略７０％
が反射されるが、残りの略３０％の光１３ｄは、ビーム
スプリッター２０を透過し、検光子１９およびプリズム
５中を進行し、別のフォトダイオード２１に入射する。
従って、フォトダイオード２１で受光する光１３ｄの受
光量の変化を見ることで、レーザーダイオード１０から
放射される光１３の放射光量の変化を知ることができる
こととなる。

【００２６】上記のような構成により、第１の実施例と
同様に、光利用効率が良く、光磁気信号の良好なＳＮが
得られ、かつ安価なアンプが使用できるようになるばか
りでなく、レーザーダイオード１０から放射される光１
３の放射光量の変化を、実際に光磁気記録媒体１４へ照
射される光１３の一部を分岐した光１３ｄで検出するの
で、レーザーダイオード１０から反対側へ放射される光
１３で検出する場合より、高精度な光量変化の検出を行
うことができることとなる。また、レーザーダイオード
１０の反対側に受光素子が不要となり、レーザーダイオ
ード１０のみをより小型のステム２２上に設けることが
でき、光学ヘッドを小型にすることが可能となる。さら
に、フォトダイオード２１は、フォトダイオード１５，
１６と同様に同じＳｉ基板上に設けるので、フォトダイ
オード１５，１６，２１の作成プロセスを同時に行うこ
とができ、工数の少ない安価な光学ヘッドを提供するこ
とができることとなる。

【００２７】図３は、本発明の光学ヘッドの第３の実施
例を示す側断面図であり、図１の構成要素をすべて筐体
２３の中に構成し、筐体２３内にアルゴンガス２４を充
填し、対物レンズ１２で密封する構造としたことであ
る。

【００２８】光学ヘッドとしての基本的な動作は、第１
の実施例と同様なので省略するが、第１の実施例と同様
に、光の利用効率が良く、光磁気信号の良好なＳＮが得
られ、かつ安価なアンプが使用できるようになるばかり
でなく、アルゴンガス２４という不活性ガスで内部を充
填することで、レーザーダイオード１０やフォトダイオ
ード１１，１５，１６、および半透過膜１７や全反射膜
１８の酸化を防ぐことができ、各素子の性能劣化を抑
え、耐久性の高い光学ヘッドを提供することが可能とな
る。

【００２９】図４は、本発明の光学ヘッドの第４の実施
例を示す側断面図であり、図１との違いは、レーザーダ
イオード１０の代わりに面発光レーザーダイオード２５
をＳｉ基板３上に設け、この面発光レーザーダイオード
２５の上方に、面発光レーザーダイオード２５からの放
射光１３をビームスプリッター２０の方へ折りまげる平
板状または略三角形のミラー２６を設けたことである。
面発光レーザーダイオード２５は、Ｓｉ基板３の一部に
４５°の斜面を有する凹部を設け、その中に発光チップ
を搭載して、発光チップからの放射光が４５°の斜面に
あたり、反射して上方へ放射させるようにしたものであ
る。

【００３０】なお、ミラー２６の断面形状を台形あるい
は平行四辺形とし、ビームスプリッター２０と面発光レ
ーザーダイオード２５の両方あるいはいずれか一方と密
着させる構成としてもよい。

【００３１】光学ヘッドとしての基本的な動作は、第１
の実施例と同様なので省略するが、第１の実施例と同様
に、光利用効率が良く、光磁気信号の良好なＳＮが得ら
れ、かつ安価なアンプが使用できるようになるばかりで
なく、発光素子を面発光レーザーダイオード２５とした
ことで、発光素子を搭載するための別の基板が不要とな
り、またＳｉ基板３を小さくできるので、より小型で安
価な光学ヘッドを提供することが可能となるばかりでな
く、面発光レーザーダイオード２５と、フォトダイオー
ド１５，１６を同一のＳｉ基板３上に設けるので、これ
らの素子への電気的接続が、すべて同一のＳｉ基板３上
で行えるので、電気的配線が容易で組立工数の削減が可
能となり、かつ、外部からの不要なノイズに対しても強
くなるので、安価で高性能な光学ヘッドを提供すること
が可能となる。

【００３２】

【発明の効果】以上のように、本発明の光学ヘッドは、
発光素子からの放射光を光磁気記録媒体の方へ反射させ
る反射率を上げ、光磁気記録媒体からの反射光に含まれ
る光磁気信号成分を透過する透過率を上げるように、Ｐ
偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる略平板の
ビームスプリッターを用いたことで、光の利用効率を向
上させ、かつ、光磁気信号の十分なＳＮを得ることがで
きる。

【００３３】また、光磁気記録媒体からの反射光を、Ｓ
偏光とＰ偏光が混合した０次光と、Ｓ偏光である＋１次
光と、Ｐ偏光である−１次光に分岐し、略同一方向に出
射する検光子を用いたことで、分岐されたそれぞれの光
を複数の受光領域を有する受光素子のそれぞれ異なる領
域で受光することにより、光磁気信号（ＲＦ）とフォー
カスエラー信号（ＦＥ）を受光素子の異なる分割領域で
検出することになり、光学ヘッドを使用する際に、差動
検出を行うアンプの数が必要最小限に抑えられ、ノイズ
成分の増大によるＳＮの悪化を防ぐことができ、また、
それぞれの周波数帯域に応じた安価なアンプが使用で
き、光磁気信号の良好なＳＮが得られ、かつ、安価なア
ンプが使用できる小型の光学ヘッドを提供することがで
きることとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における光学ヘ
ッドの構成を示す側断面図 （ｂ）は第１の実施例における受光素子部分の拡大図

【図２】本発明の第２の実施例における光学ヘッドの構
成を示す側断面図

【図３】本発明の第３の実施例における光学ヘッドの構
成を示す側断面図

【図４】本発明の第４の実施例における光学ヘッドの構
成を示す側断面図

【図５】（ａ）は従来の光学ヘッドの構成を示す側断面
図 （ｂ）は従来の光学ヘッドにおける受光素子部分の拡大
図

【符号の説明】

５ プリズム １０ レーザーダイオード １２ 対物レンズ １５，１６ フォトダイオード １９ 検光子 ２０ ビームスプリッター

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子と、光集光素子と、半導体基板
   上に設けられ、複数の受光領域を有する受光素子と、前
   記半導体基板の前記受光素子上に設けられたプリズム
   と、前記発光素子と前記プリズムの間に設けられ、Ｐ偏
   光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる略平板状の
   ビームスプリッターと、前記ビームスプリッターと前記
   プリズムの間に設けられ、入射した光を少なくとも互い
   に直交する二つの偏光成分を持つ複数の光束に分岐し、
   略同一方向に出射する検光子とを備えた光学ヘッド。
2. 【請求項２】 プリズムの検光子に対向する面を受光素
   子に対向する面に対して傾斜させ、この面上に前記検光
   子を一体に設け、さらに前記検光子にビームスプリッタ
   ーを一体に設けた請求項１記載の光学ヘッド。
3. 【請求項３】 プリズムの受光素子に対向する面の一部
   に光の一部を透過する半透過膜を設け、この面の反対側
   の面に全反射膜を設けた請求項１記載の光学ヘッド。
4. 【請求項４】 検光子を、ニオブ酸リチウムで構成した
   請求項１記載の光学ヘッド。
5. 【請求項５】 ビームスプリッターを検光子の表面に設
   けた偏光膜とした請求項１記載の光学ヘッド。
6. 【請求項６】 半導体基板上に設けられた受光素子と略
   同一面上に、発光素子からの放射光の一部を受光する第
   ２の受光素子を設けた請求項１記載の光学ヘッド。
7. 【請求項７】 筐体と、発光素子と、光集光素子と、半
   導体基板上に設けられ、複数の受光領域を有する受光素
   子と、前記半導体基板の前記受光素子上に設けられたプ
   リズムと、前記発光素子と前記プリズムの間に設けら
   れ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる略
   平板状のビームスプリッターと、前記ビームスプリッタ
   ーと前記プリズムの間に設けられ、入射した光を少なく
   とも互いに直交する二つの偏光成分を持つ複数の光束に
   分岐し、略同一方向に出射する検光子とを備え、前記発
   光素子と前記受光素子と前記プリズムと前記ビームスプ
   リッターと前記検光子とを前記筐体の内部に構成すると
   ともに、前記筐体の内部に不活性ガスを封入し、前記光
   集光素子で前記筐体を密封する構造とした光学ヘッド。
8. 【請求項８】 発光素子を面発光レーザーダイオードと
   し、前記発光素子とビームスプリッターの間に光の向き
   を変えるミラーまたはプリズムを設けた請求項１記載の
   光学ヘッド。