JPH0858093A - インクジェット式記録ヘッド - Google Patents

インクジェット式記録ヘッド

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JPH0858093A
JPH0858093A JP20339394A JP20339394A JPH0858093A JP H0858093 A JPH0858093 A JP H0858093A JP 20339394 A JP20339394 A JP 20339394A JP 20339394 A JP20339394 A JP 20339394A JP H0858093 A JPH0858093 A JP H0858093A
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JP
Japan
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wiring
recording head
substrate
etching groove
ink jet
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JP20339394A
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Takashi Yagi
孝 八木
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 発熱抵抗体へ通電条件を維持しつつ各配線の
幅を狭くし、これによって配線面積を有効に縮小すると
共に記録ヘッドの小型化を図ったインクジェット式記録
ヘッドを提供すること。 【構成】 記録ヘッドを形成するシリコン基板1を有
し、この基板1上に設定された複数の発熱抵抗体2に対
する加熱制御により熱エネルギを発生させ、この熱エネ
ルギを液体に作用させて該液体の微小水滴を飛翔させる
インクジェット記録ヘッドにおいて、基板1上の熱酸化
膜層4に配線形状のエッチング溝4Aを設け、この配線
形状のエッチング溝部分に配線材料を埋設するようによ
うにして成膜して成ることを特徴としたインクジェット
式記録ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェット式記録
ヘッドに係り、特にサーマル式のインクジェット式記録
ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のサーマル式のインクジェット式記
録ヘッドでは、各発熱抵抗体につながる端子から共通端
子までの間の配線抵抗を、全ての発熱抵抗体について等
価とする必要があり、このため各配線幅の太さを場所に
より調整した構成となっていることから、ヘッド内にお
ける配線の占める面積が大きかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のサーマル式イン
クジェットプリンタ記録ヘッドでは、図6のように端子
513 から個別配線52,発熱抵抗体53,共通配線5
4を経て共通端子515までの記録抵抗値と、同様に端
子514 から共通端子515 までの配線抵抗値とを等価
とし、これによって各発熱抵抗体53への通電電流を同
一値に設定するようになっていた。
【0004】このため、ヘッド内の発熱抵抗体の位置に
よって配線の全長と幅とを調整しなければならず、この
調整に要する面積が大きかった。例えば、配線の全長の
長い端子513 から共通端子515 までの配線のうち、
端子513 につながる個別配線52の幅を端子514
つながる個別配線57の幅より太くする必要があり、結
果としてヘッド内の配線の占める面積が非常に大きくな
るという不都合が生じていた。
【0005】更に、記録ヘッドの集積化,特にカラー用
記録ヘッドとして、1記録ヘッド内に三色(イエロー,
マゼンダ,シアン)或いは四色(3色+ブラック)分の
ヘッドを形成する場合には、配線面積が大きいことから
記録ヘッドが大きくなり、このようなカラー化対応と配
線面積の縮小化とを両立しながら配線抵抗を等価とする
のに多くの時間と労力を要するという不都合があった。
【0006】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに発熱抵抗体へ通電条件を維持しつつ各
配線の幅を狭くし、これによって配線面積を有効に縮小
すると共に記録ヘッドの小型化を図ったインクジェット
式記録ヘッドを提供することを、その目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では、記録ヘッド
を形成する基板を有し、この基板上に設定された複数の
発熱抵抗体に対する加熱制御により熱エネルギを発生さ
せ、この熱エネルギを液体に作用させて該液体の微小水
滴を飛翔させるインクジェット記録ヘッドにおいて、基
板の熱酸化膜層に配線形状のエッチング溝が施され、こ
の配線形状のエッチング溝部分に配線材料を埋め込むよ
うにして成膜する、という構成を採っている。これによ
って前述した目的を達成しようとするものである。
【0008】
【作 用】従来技術において配線幅を太くして配線抵抗
を調整した分を、熱酸化膜層のエッチング溝4Aに埋め
込む形で配線層6を形成することにより、エッチング溝
4Aの深さ分の配線層6の厚さで吸収することができ、
配線抵抗調整の必要性は或るものの配線幅増加を半減す
ることができるようになった。
【0009】例えば、従来、配線幅は最小40〔μm〕
〜最大120〔μm〕、また、配線厚は0.5〔μm〕
で作製していたが、本実施例では熱酸化膜層に形成した
1〔μm〕のエッチング溝4Aに配線層6を形成したこ
とにより、配線幅は従来の半分の20〜60〔μm〕程
度にすることができた。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図3に基
づいて説明する。
【0011】この図1乃至図3に示す実施例では、記録
ヘッドを形成する基板としてのシリコン基板1を有し、
このシリコン基板1上に設定された複数の発熱抵抗体2
に対する加熱制御により熱エネルギを発生させ、この熱
エネルギを液体に作用させて該液体の微小水滴を飛翔さ
せるようになっている。
【0012】シリコン基板1には熱酸化膜層4が設けら
れ、この熱酸化膜層4に配線形状のエッチング溝4Aが
施され、この配線形状のエッチング溝4A部分に配線材
料が埋め込まれるようにして成膜され、これによって配
線回路が形成されている。
【0013】また、複数の各発熱抵抗体2は、図1に示
すように、その外面発熱面部分が一様に露出した状態に
設定されている。更に、この複数の各発熱抵抗体2は、
その外面発熱面部分が周囲の配線面より外面に幾分突設
されている。また、この図1において、符号5は発熱抵
抗体層を示し、符号6は配線層を示す。この配線層6の
前述した各発熱抵抗体2がそれぞれ露出した状態に設定
されている。
【0014】これを更に詳述すると、シリコン基板1と
してシリコンウエハが用いられ、この両面に熱酸化によ
り熱酸化膜層4を形成した。なお、ここでは一般に用い
られているシリコン基板を用いたが、これに限定される
ものではなく、配線形状に溝を形成できる基板であれば
何でもよい。
【0015】次に、図2乃至図3に示すように、熱酸化
膜層4を所望の配線パターンにフォトリソ技術によりエ
ッチングを行いエッチング溝4Aを形成した。エッチン
グ深さは1〔μm〕とした。この場合、発熱抵抗体2部
分はエッチング溝4Aを形成しない。
【0016】次に、発熱抵抗体層5,配線層6を連続し
て形成する。発熱抵抗体層5はTa,Ta −Al ,Ta2
N,Ti 等をスパッタリング法を用いて、0.2〔μ
m〕の厚さで形成し、配線層6にはAl ,Al −Cu ,
Cu を用い、形成方法はスパッタリング法やCVD法を
用いた。膜厚は1〔μm〕とした。その後、図1に示す
ように熱酸化膜層4のエッチング溝4Aに埋め込まれた
発熱抵抗体層5および配線層6を残すようにエッチング
を行い、上述した発熱抵抗体層5及び配線層6の各パタ
ーンを形成した。
【0017】以上のように、従来技術において配線幅を
太くして配線抵抗を調整した分を、熱酸化膜層4のエッ
チング溝4Aに埋め込む形で配線層6を形成することに
より、エッチング溝4Aの深さ分の配線層6の厚さで吸
収することができ、配線抵抗調整の必要性は残るが、配
線幅増加を軽減することができるようになった。
【0018】例えば、従来、配線幅は最小40〔μm〕
〜最大120〔μm〕、また、配線厚は0.5〔μm〕
で作製していたが、本実施例では熱酸化膜層4に形成し
た1〔μm〕のエッチング溝4Aに配線層6を形成した
ことにより、配線幅は従来の半分の20〜60〔μm〕
程度にすることができた。
【0019】図4乃至図5に他の実施例を示す。この図
4乃至図5に示す他の実施例2では、配線形状にエッチ
ング溝(第1エッチング溝)14を形成し、更に発熱抵
抗体部に該当する部分のエッチング溝(第2エッチング
溝)15を深くする構成にする。本実施例では、それぞ
れ、0.5〔μm〕,0.3〔μm〕の深さとなるよう
にエッチングを行った(図5参照)。
【0020】次に、発熱抵抗体層をスパッタリング法や
CVD法により形成し、第2エッチング溝部15の発熱
抵抗体層だけを残すようにエッチングを行い、第2エッ
チング溝部15に発熱抵抗体13を形成した。ここで、
この発熱抵抗体13の厚さを0.2〔μm〕とした。
【0021】次に、配線層12をスパッタリング法やC
VD法により形成し、発熱抵抗体13上部の配線層12
をエッチングにより除去した(図4参照)。
【0022】このようにしても、前述した図1の実施例
と同様に、例えば従来の配線幅40〜120〔μm〕を
20〜60〔μm〕もしくはそれ以下の値にすることが
でき、又、熱酸化膜層のエッチング溝に配線層12を形
成したことにより、配線幅を小さく、膜厚を厚くでき、
ヘッド内の配線の占める面積を従来の半分程度に小さく
することが可能となった。
【0023】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、熱酸化膜層のエッチング溝に配線
層を形成するようにしたので、配線幅を小さくし且つ膜
厚を厚くすることが可能となり、ヘッド内の配線の占め
る面積を従来の半分程度に小さくすることが可能となる
という従来にない優れたインクジェット式記録ヘッドを
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1に示す実施例の配線部分のエッチング溝形
状を示す平面図である。
【図3】図2のAーA線に沿った断面図である。
【図4】他の実施例を示す断面図である。
【図5】図4に示す実施例の配線部分のエッチング溝形
状を示す断面図である。
【図6】従来例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板 2,13 発熱抵抗体 4 熱酸化膜層 4A エッチング溝 5 発熱抵抗体層 6,12 配線層 14 第1エッチング溝 15 第2エッチング溝

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録ヘッドを形成する基板を有し、この
    基板上に設定された複数の発熱抵抗体に対する加熱制御
    により熱エネルギを発生させ、この熱エネルギを液体に
    作用させて該液体の微小水滴を飛翔させるインクジェッ
    ト式記録ヘッドにおいて、 前記基板上の熱酸化膜層に配線形状のエッチング溝を設
    け、この配線形状のエッチング溝部分に配線材料を埋設
    するようにようにして成膜して成ることを特徴としたイ
    ンクジェット式記録ヘッド。
  2. 【請求項2】 前記複数の各発熱抵抗体は、その外面発
    熱面部分が一様に露出した状態に設定されていることを
    特徴とした請求項1記載のインクジェット式記録ヘッ
    ド。
  3. 【請求項3】 前記複数の各発熱抵抗体は、その外面発
    熱面部分が周囲の配線面より外面に幾分突設されている
    ことを特徴とした請求項1記載のインクジェット式記録
    ヘッド。
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