JPH0855947A - 半導体装置とリードフレーム及びこれを用いたリード接合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッドピッチの縮小化に対応でき、しかも放
熱性に優れた半導体装置を提供する。 【構成】 外部引き出し用リードとなるアウターリード
２よりも薄く形成され且つアウターリード２の基端部に
エッチングストップ層３を介して基端部が接合されたイ
ンナーリード４と、インナーリード４の先端部にバンプ
５を介して接続された半導体チップ６と、これらを一体
的に封止する封止樹脂９とを備えた半導体装置１であ
り、インナーリード４には絶縁層７を介して放熱板８が
接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを封止樹
脂にて封止してなる半導体装置とその製造に用いられる
リードフレーム、及びこれを用いたリード接合方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、樹脂封止型の半導体装置として
は、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭
載し、半導体チップの電極部とこれに対応するインナー
リードとをワイヤにて接続して、これらを封止樹脂にて
一体的に封止した構造が広く知られている。また、これ
以外にも、樹脂フィルムに銅箔をラミネートして、エッ
チングにより配線パターンを形成し、これをバンプを介
して半導体チップの電極部に接合して、一体的に樹脂封
止したＴＡＢ構造の半導体装置も知られている。

【０００３】しかし、前者の半導体装置では、パッドピ
ッチの縮小化に限界があり、また多ピンでの組み立てコ
ストが高いという問題があった。また、後者の半導体装
置では、パッドピッチの縮小化には対応できるものの、
製造プロセスが複雑でコストが高くなるうえ、半導体チ
ップで発生した熱が細いリードパターンを介して放熱さ
れるようになっているため、放熱性が悪いという問題が
あった。

【０００４】さらに最近では、上述した前者と後者の半
導体装置構造を巧みに組み合わせたものが、特願平３−
２７４８４３号明細書や特願平５−１４５６２５号明細
書にて開示されている。図１１は上記先願のうち、特願
平５−１４５６２５号明細書中に開示されている半導体
装置を説明する半断面図である。図示した従来の半導体
装置３０において、３１はリードフレーム、３２はアウ
ターリード、３３はエッチングストップ層、３４はイン
ナーリード、３５はバンプ、３６は半導体チップ、３７
は絶縁性の補強テープ、３８は封止樹脂である。バンプ
３５はアルミニウムの部分蒸着によってインナーリード
３４の先端部に形成されており、このバンプ３５を介し
てインナーリード３４の先端部が半導体チップ３６の電
極部３６ａに接合されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図示した
従来の半導体装置３０においても、上記ＴＡＢ構造と同
様にパッドピッチの縮小化には対応できるものの、半導
体チップ３６で発生した熱が細いインナーリード２４を
介して放熱されるようになっているため、放熱性が悪い
という問題を抱えていた。

【０００６】また、リード先端部のバンプ形成（アルミ
ニウムの蒸着）に多大な設備コストと時間がかかり、ト
ータル的な製造コストが高くなるという問題もあった。
そこで、抜本的な解決策としては、リード先端部へのバ
ンプ形成を無くしてしまうことも考えられるが、そうし
た場合には、リード接合時にインナーリード３４の硬さ
が原因で半導体チップ３６の電極部３６ａがダメージを
受けるという別の問題が発生する。

【０００７】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、第１の目的は、パッドピッチの縮小化に対
応でき、しかも放熱性に優れた半導体装置を提供するこ
とにあり、第２の目的は、リード接合時における半導体
チップの電極ダメージを軽減できるリードフレームを提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、外部引き出し用リードと
なるアウターリードよりも薄く形成され且つアウターリ
ードの基端部にエッチングストップ層を介して基端部が
接合されたインナーリードと、このインナーリードの先
端部にバンプを介して接続された半導体チップと、これ
らを一体的に封止する封止樹脂とを備えた半導体装置に
おいて、インナーリードに絶縁層を介して放熱板が接合
された構成となっている。

【０００９】また本発明は、外部引き出し用リードとな
るアウターリードと、アウターリードよりも薄く形成さ
れ且つアウターリードの基端部にエッチングストップ層
を介して基端部が接合されたインナーリードを備え、そ
のインナーリードの先端部がシングルポイントボンディ
ング法にて半導体チップの電極部に接合されるリードフ
レームであって、インナーリードは、半導体チップの電
極部に対して接合層となる第１の金属層とこの第１の金
属層よりも硬度の高い第２の金属層とによって一体的に
形成された構成となっている。

【００１０】

【作用】本発明の半導体装置においては、インナーリー
ドに絶縁層を介して放熱板が接合されているため、半導
体チップで発生した熱がインナーリードを介して放熱板
に伝熱され、そこから大気中やプリント基板に放散され
るようになる。

【００１１】また本発明のリードフレームにおいては、
インナーリードの先端部を半導体チップの電極部に接合
した際、第２の金属層と電極部との間に介在する第１の
金属層がクッション効果を発揮し、これによって電極部
のダメージが軽減される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わる半導体装
置の第１実施例を説明する側断面図である。図示した半
導体装置１において、２は外部引き出し用リードとなる
アウターリードであり、このアウターリード２は図例の
ごとくクランク状（ガルウイング形状）に成形されてい
る。アウターリード２の基端部には例えばアルミニウム
／銅からなるエッチングストップ層３を介してインナー
リード４の基端部が接合されている。インナーリード４
はアウターリード２よりも薄い銅材によって形成されて
おり、その先端部には例えばアルミニウムからなるバン
プ５が形成されている。そして、インナーリード４の先
端部はバンプ５を介して半導体チップ６の電極部（電極
パッド）に接合されている。

【００１３】一方、インナーリード４の上面、つまりバ
ンプ５が形成されている面と反対側の面には、例えばポ
リイミドフィルム等の絶縁層７を介して放熱板８が接合
されている。この放熱板８は、熱伝導率（放熱性）の高
い材料、例えば銅板からなるもので、インナーリード４
との間に介装された絶縁層７を接着層としてインナーリ
ード４間を連結する状態に接合されている。そして、ア
ウターリード２の基端部よりも内側に配置されたエッチ
ングストップ層３、インナーリード４及び半導体チップ
６は、上記絶縁層７や放熱板８とともに封止樹脂９によ
って一体的に封止されている。

【００１４】このように本第１実施例の半導体装置１に
おいては、インナーリード４の表面に絶縁層７を介して
放熱板８が接合されているため、半導体チップ６で発生
した熱がインナーリード４を介して放熱板８に伝熱さ
れ、そこから大気中に放散されるようになる。したがっ
て、従来よりもパッケージ内の熱容量が増加するととも
に、半導体チップ６の熱が大気中に放散されるまでの放
熱経路が短くなるため（熱抵抗が小さくなるため）、半
導体装置としての熱放散性を格段に高めることができ
る。

【００１５】なお、放熱板８は熱放散性を向上させる以
外にも、細線パターンからなるインナーリード４の曲が
りやインナーリード４間の位置ずれを防止すべく、イン
ナーリード４を補強する役目も兼ねている。

【００１６】続いて、本第１実施例における半導体装置
１の製造プロセスについて図２及び図３を用いて説明す
る。先ず、図２（ａ）に示すように、リードフレームの
ベース材となる銅合金やニッケル合金、あるいは４２ア
ロイ等の金属ベース１０の表面に、例えばアルミニウム
３μｍ、銅０．５μｍを順に部分蒸着してエッチングス
トップ層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すよう
に、金属ベース１０の表面に、形成すべきインナーリー
ドのパターン形状に対応して、電着メッキによるレジス
ト膜１１を形成する。続いて、図２（ｃ）に示すよう
に、例えば２０μｍの厚みでエッチングストップ層３の
表面に銅メッキを施し、その後、レジスト膜１１を剥離
することによりエッチングストップ層３上にインナーリ
ード４を形成する。なお、インナーリード４の形成にあ
たっては、上述した銅メッキに限らず、例えばニッケル
メッキにより形成することも考えられる。

【００１７】次に、図３（ａ）に示すように、あらかじ
め別個のプロセスで製造されたポリイミドフィルム等の
絶縁層７と銅板等の放熱板８とを貼り合わせた板材を、
例えば熱圧着によりインナーリード４の表面に接合す
る。ちなみに本実施例では、熱圧着の条件として、加熱
温度２５０℃、加圧力５０Ｋｇ／ｃｍ² 、圧着時間１０
〜３０秒にてインナーリード４の表面に絶縁層７を介し
て放熱板８を接合するようにした。

【００１８】次いで、金属ベース１０のアウターリード
形成領域に所定のパターンでレジスト膜を形成したの
ち、このレジスト膜をマスクとして金属ベース１０を部
分的にエッチングすることにより、図３（ｂ）に示すよ
うに、上記アウターリード形成領域にアウターリード２
を形成する。さらに、金属ベース１０の片面（図例では
下面）にレジスト膜１２を形成し、このレジスト膜１２
をマスクとしてエッチングストップ層３の表面に被着し
ている金属ベース１０部分を選択エッチングにより完全
に除去する。この選択エッチングは、例えば１０〜２０
％のＨ₂ Ｏ₂ 溶液と１０〜１８％のＨ₂ ＳＯ₄ 溶液との
混合溶液をエッチング液として使用し、４５℃に加熱し
てスプレーすることにより行う。このエッチングによっ
て、図示のごとくアルミニウム／銅の積層体からなるエ
ッチングストップ層３が表面に露出する状態となる。

【００１９】次に、図３（ｃ）に示すように、エッチン
グストップ層３に対してインナーリード４及びアウター
リード２をマスクとしてエッチングし、エッチングスト
ップ層３の不要部分を除去する。このエッチングはアル
ミニウム／銅のエッチングストップ層３だけを溶解し、
アウターリード２及びインナーリード４を溶解しないよ
うに行う必要があり、ウェットエッチングで行う場合は
リン酸系のエッチング液を用いる。一方、ドライエッチ
ングで行う場合は、エッチングガスとしてＢＣｌ₃ （４
０ＳＣＣＭ）＋Ｃｌ₂ （１００ＳＣＣＭ）＋Ｈｅ又はＮ
₂ （１５００ＳＣＣＭ）を用い、ＲＦパワーが２２０
Ｗ、圧力１３０Ｐａ、テーブル温度５℃、時間７μｍ／
２４０ｓｅｃなどの条件のＲＥＩにより行う。

【００２０】その後、図３（ｄ）に示すように、インナ
ーリード４の表面に例えば図示せぬ蒸着マスクを被せ、
この蒸着マスクを介してインナーリード４の先端部に３
μｍの厚みをもってアルミニウムを部分蒸着することに
よりバンプ５を形成する。この段階でリードフレーム単
体での製造プロセスが完了することになる。

【００２１】続いて、図３（ｅ）に示すように、インナ
ーリード４の先端部に形成されたバンプ５と半導体チッ
プ６の電極部（不図示）とをインナーリードボンディン
グ装置（ＩＬＢ装置）にて接合する。最後は、図示せぬ
成形金型を用いて、エッチングストップ層３、インナー
リード４及び半導体チップ６を、絶縁層７や放熱板８と
ともに封止樹脂９（図１参照）によって一体的に封止し
たのち、封止樹脂９から延出したアウターリード２（図
１参照）をリード加工機によって所定の形状（例えばガ
ルウイング形状）に成形することにより、図１に示す半
導体装置１が得られる。

【００２２】なお、図１に示す半導体装置１の場合は、
インナーリード４を境にして放熱板８の反対側に半導体
チップ６が接続された構造になっているが、これ以外に
も以下の場合が考えられる。すなわち、リードフレーム
の製造プロセスにおいて、図４（ａ）に示すように、イ
ンナーリード４の先端部にバンプ５を形成する際、放熱
板８の表面に蒸着マスクを被せてアルミニウムを部分蒸
着し、放熱板８側に突出するようにバンプ５を形成す
る。そして、インナーリード４と半導体チップ６とを接
続する際には、図４（ｂ）に示すように、リードフレー
ムを表裏反転させた状態でリード先端部のバンプ５を半
導体チップ６の電極部（不図示）に接合し、その後、樹
脂封止及びリード加工を経て半導体装置１を完成させ
る。

【００２３】この図４に示す半導体装置１においては、
放熱板８が封止樹脂９の下面側に配置されるため、これ
をプリント基板上に実装した場合、半導体チップ６で発
生した熱がインナーリード４から放熱板８に伝熱され、
そこからプリント基板に放散されるようになる。したが
って、上記実施例と同様に従来よりもパッケージ内の熱
容量が増加するとともに、半導体チップ６の熱がプリン
ト基板に放散されるまでの放熱経路が短くなるため（熱
抵抗が小さくなるため）、半導体装置としての熱放散性
を格段に高めることができる。

【００２４】図５は本発明に係わる半導体装置の第２実
施例を説明する要部平面図である。本第２実施例の半導
体装置１においては、上記第１実施例との比較におい
て、インナーリード４のパターン形状に特徴がある。す
なわち本第２実施例では、絶縁層７及び放熱板８からな
る放熱シートの開孔部からそれぞれ内側に延出したイン
ナーリード４のパターン幅が、特にスペース面で余裕の
あるコーナー部で部分的に太く形成されており、その先
端部がバンプを介して半導体チップ６の電極部に接合さ
れている。

【００２５】上記構成からなる本第２実施例の半導体装
置１においては、インナーリード４が部分的に太く形成
されているため、その分だけ熱抵抗が小さくなってイン
ナーリード４部分における熱の伝播速度が速くなり、半
導体チップ６で発生した熱を効率良く放熱板８に放散さ
せることができる。

【００２６】図６は本発明に係わる半導体装置の第３実
施例を説明する側断面図である。本第３実施例の半導体
装置１においては、上記第１及び第２実施例との比較に
おいて、放熱板８の形状に特徴がある。すなわち本第３
実施例では、インナーリード４に絶縁層７を介して接合
された放熱板８の表面に凹凸が形成されている。放熱板
８に対する凹凸の形成手段としては、例えば図例のごと
く放熱板８の表面に複数本の細溝を形成したり、図示は
しないが放熱板８の表面に複数個の孔を穿設したり、あ
るいは放熱板８の表面をウェーブ形状にするなど、種々
の手段が考えられる。

【００２７】上記構成からなる本第３実施例の半導体装
置１においては、放熱板８の表面に凹凸が形成されたこ
とによって放熱板８全体の放熱面積が大きくなるため、
その分だけ放熱板８の熱放散性を高めることができる。
また、半導体チップ６を樹脂封止した際には放熱板８の
表面に形成した凹凸に封止樹脂９が入り込むようになる
ため、放熱板８と封止樹脂９との密着性を高めることも
できる。

【００２８】図７は本発明に係わる半導体装置の第４実
施例を説明する側断面図である。本第４実施例の半導体
装置１においては、上記第１、第２及び第３実施例との
比較において、樹脂封止後における放熱板８の配置状態
に特徴がある。すなわち本第４実施例では、インナーリ
ード４に絶縁層７を介して接合された放熱板８が封止樹
脂９の表面に露出した状態で配置されている。

【００２９】上記構成からなる本第４実施例の半導体装
置１においては、封止樹脂９の表面に放熱板８が露出し
ていることから、インナーリード４を介して放熱板８に
伝熱された半導体チップ６の熱が封止樹脂９を経由する
ことなく直に放熱板８から大気中に放散されるようにな
るため、半導体装置１の放熱性を一段と高めることがで
きる。

【００３０】図８は本発明に係わるリードフレームの実
施例を説明する要部断面図である。図示したリードフレ
ーム２０において、２１はリードフレームのベース材で
ある金属ベース２２に一体的に形成されたアウターリー
ドであり、このアウターリード２１が半導体装置を構成
する際の外部引き出し用リードとなる。アウターリード
２１の基端部には例えばアルミニウムからなるエッチン
グストップ層２３を介してインナーリード２４の基端部
が接合されている。また、インナーリード２４の表面に
はインナーリード２４の曲がりやインナーリード２４間
の位置ずれを防止するため、ポリイミドテープ等の補強
テープ２５が接着されている。

【００３１】ここで本実施例のリードフレーム２０にお
いては、インナーリード２４が、硬度の異なる２層構造
の金属材料によってアウターリード２１よりも薄く形成
されている。すなわち、インナーリード２４は、図示せ
ぬ半導体チップの電極部に対して接合層となる第１の金
属層２４ａとその上に積層された第２の金属層２４ａと
によって一体的に形成されている。第１の金属層２４ａ
は例えば銅材からなるものであり、その硬度はビッカー
ス硬さで５５〜６０Ｈｖとなっている。これに対して第
２の金属層２４ａは例えば上記同様に銅材からなるもの
であるが、その硬度は第１の金属層２４ａよりも高く、
ビッカース硬さで１００〜１５０Ｈｖとなっている。

【００３２】続いて、本実施例におけるリードフレーム
２０の製造プロセスについて図９を参照しつつ説明す
る。先ず、図９（ａ）に示すように、リードフレームの
ベース材となる金属ベース２２の表面に例えばアルミニ
ウムからなるエッチングストップ層２３を部分蒸着によ
り形成したのち、電着メッキによってレジスト膜２６を
形成する。次いで、図９（ｂ）に示すように、２回の銅
メッキによって第１の金属層２４ａと第２の金属層２４
ｂとを順に積層し、エッチングストップ層２３上にイン
ナーリード２４を形成したのち、レジスト膜２６を除去
する。

【００３３】その際、１回目の銅メッキでは、例えばＣ
ｕＳＯ₄ （硫酸銅）１００ｇ／ｌとＨ₂ ＳＯ₄ （硫酸）
１５０ｇ／ｌとを混合した硫酸銅メッキ浴を用いて、浴
温２５〜３０℃、陰極電流密度４Ａ／ｄｍ² （陽極電流
密度は陰極電流密度の１／２の値）の作業条件にて、上
述のごとくビッカース硬さ５５〜６０Ｈｖの銅メッキ被
膜を１０μｍの厚みで形成した。これに対して、２回目
の銅メッキでは、例えばＣｕＳＯ₄ （硫酸銅）１００ｇ
／ｌとＨ₂ ＳＯ₄ （硫酸）１５０ｇ／ｌとに光沢剤５ｃ
ｃ／ｌを添加した硫酸銅メッキ浴を用いて、浴温２５〜
３０℃、陰極電流密度６Ａ／ｄｍ² （陽極電流密度は陰
極電流密度の１／２の値）の作業条件にて、上述のごと
くビッカース硬さ１００〜１５０Ｈｖの銅メッキ被膜を
１０μｍの厚みで形成した。

【００３４】続いて、図９（ｃ）に示すように、インナ
ーリード２４の表面に熱圧着によってポリイミドテープ
等の補強テープ２５を接着し、さらに図９（ｄ）に示す
ように、エッチングによって金属ベース２２と一体にア
ウターリード２１を形成したのち、エッチングストップ
層３の表面に被着している金属ベース２２部分を選択エ
ッチングにより完全に除去する。最後は、エッチングス
トップ層２３に対してインナーリード４及びアウターリ
ード２をマスクとしてエッチングし、エッチングストッ
プ層２３の不要部分を除去することにより、図８に示す
リードフレーム２０が得られる。

【００３５】以下に、上記リードフレーム２０を用いた
インナーリードの接合手順について図１０を参照しつつ
説明する。図示したリード接合方式はシングルポイント
ボンディングと呼ばれるものであり、この方式では図１
０（ａ）に示すように、図示せぬヒータによって加熱さ
れたボンディングステージ２７上で半導体チップ２８を
加熱する。そしてボンディングツール２９に超音波と荷
重を加えて、図１０（ｂ）に示すように、インナーリー
ド２４の先端部と半導体チップ２８の電極部（アルミ電
極）２８ａとを一点ずつ熱圧着により接合する。ちなみ
に本実施例では、ＵＳ超音波強度２５、ツール荷重３０
ｇ、ボンディング時間２５ｍｓｅｃの条件にてインナー
リード２４を接合した。

【００３６】このシングルポイントボンディングでは、
インナーリード２４の先端部が第１の金属層２４ａを接
合層として半導体チップ２８の電極部２８ａに押し付け
られるため、第２の金属層２４ｂと電極部２８ａとの間
には第２の金属層２４ｂよりも硬度の低い第１の金属層
２４ａが介在することになる。これにより、ボンディン
グツール２９にてインナーリード２４の先端部を加圧し
た際には、第２の金属層２４ｂと電極部２８ａとの間に
介在する第１の金属層２４ａがクッション（緩衝）効果
を発揮するようになるため、硬度の高い第２の金属層２
４ｂによってインナーリード２４の強度を確保しつつ、
半導体チップ２８の電極部２８ａやその下層へのダメー
ジを軽減することができる。

【００３７】ところで、上記二層構造からなるインナー
リード２４を有するリードフレーム２０においては、半
導体チップ２８の電極部２８ａに対して接合層となる第
１の金属層２４ａが銅材によって形成されているため、
その表面に酸化膜が形成されることによってインナーリ
ード２４の先端部と半導体チップ２８の電極部２８ａと
の接合性が低下してしまう懸念がある。

【００３８】そこで本実施例では、リード接合方法の一
例として、リードボンディングの前に例えばアルゴンガ
ス（５８ＳＣＣＭ）を用いて、ＲＦパワーが２００Ｗ、
圧力０．８Ｐａ、処理時間５ｍｉｎなどの条件でスパッ
タエッチングを行い、インナーリード２４の表面酸化膜
を除去する。その後、窒素（Ｎ₂ ）雰囲気中で上記図１
０に示すようにインナーリード２４の先端部と半導体チ
ップ２８の電極部２８ａとをシングルポイントボンディ
ング法にて接合する。

【００３９】上記リード接合方法においては、インナー
リード２４の表面に酸化膜が形成されていない状態でイ
ンナーリード２４の接合が行われるようになるため、上
述のようにリード表面の酸化膜によって両者間の接合性
が阻害されることがなく、インナーリード２４の先端部
と半導体チップ２８の電極部２８ａとを容易に接合させ
ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置によれば、インナーリードに絶縁層を介して放熱板を
接合することにより、半導体チップで発生した熱がイン
ナーリードを介して放熱板に伝熱され、そこから大気中
に放散されるようになる。これによって従来よりもパッ
ケージ内の熱容量が増加するとともに、放熱経路が極端
に短くなるため、半導体装置としての熱放散性を格段に
高めることができる。その結果、例えば放熱フィンやヒ
ートシンクの取り付けなど、他の放熱手段のためのコス
トアップを招くことなく、パッドピッチの縮小化に対応
でき、しかも放熱性に優れた半導体装置を提供すること
が可能となる。

【００４１】また本発明のリードフレームによれば、半
導体チップの電極部に対して接合層となる第１の金属層
とこの第１の金属層よりも硬度の高い第２の金属層によ
ってインナーリードを一体的に形成したので、インナー
リードの先端部を半導体チップの電極部に接合する際に
は、第２の金属層と電極部との間に介在する第１の金属
層がクッション効果を発揮することによって半導体チッ
プの電極ダメージが軽減される。その結果、従来のよう
にインナーリードの先端部にバンプを形成しなくても、
半導体チップの電極部にダメージを与えることなくイン
ナーリードを接合できるようになるため、バンプ形成の
ための設備コストや処理時間が削減されることによって
トータル的なコストダウンが図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる半導体装置の第１実施例を説明
する側断面図である。

【図２】実施例における半導体装置の製造プロセスを説
明する図（その１）である。

【図３】実施例における半導体装置の製造プロセスを説
明する図（その２）である。

【図４】第１実施例の半導体装置の他の実施態様を説明
する図である。

【図５】本発明に係わる半導体装置の第２実施例を説明
する要部平面図である。

【図６】本発明に係わる半導体装置の第３実施例を説明
する側断面図である。

【図７】本発明に係わる半導体装置の第４実施例を説明
する側断面図である。

【図８】本発明に係わるリードフレームの実施例を説明
する要部断面図である。

【図９】実施例におけるリードフレームの製造プロセス
を説明する図である。

【図１０】実施例におけるリード接合手順を説明する図
である。

【図１１】従来例を説明する図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ アウ
ターリード ３ エッチングストップ層 ４ イン
ナーリード ５ バンプ ６ 半導
体チップ ７ 絶縁層 ８ 放熱
板 ９ 封止樹脂 ２０ リ
ードフレーム ２１ アウターリード ２３ エ
ッチングストップ層 ２４ インナーリード ２４ａ
第１の金属層 ２４ｂ 第２の金属層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部引き出し用リードとなるアウターリ
   ードよりも薄く形成され且つ該アウターリードの基端部
   にエッチングストップ層を介して基端部が接合されたイ
   ンナーリードと、前記インナーリードの先端部にバンプ
   を介して接続された半導体チップと、これらを一体的に
   封止する封止樹脂とを備えた半導体装置において、 前記インナーリードに絶縁層を介して放熱板が接合され
   ていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記インナーリードのパターン幅が部分
   的に太く形成されていることを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記放熱板の表面に凹凸が形成されてい
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記放熱板が前記封止樹脂の表面に露出
   していることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半
   導体装置。
5. 【請求項５】 外部引き出し用リードとなるアウターリ
   ードと、前記アウターリードよりも薄く形成され且つ該
   アウターリードの基端部にエッチングストップ層を介し
   て基端部が接合されたインナーリードを備え、前記イン
   ナーリードの先端部がシングルポイントボンディング法
   にて半導体チップの電極部に接合されるリードフレーム
   であって、 前記インナーリードは、前記半導体チップの電極部に対
   して接合層となる第１の金属層と該第１の金属層よりも
   硬度の高い第２の金属層とによって一体的に形成されて
   いることを特徴とするリードフレーム。
6. 【請求項６】 請求項５記載のリードフレームを用いて
   前記インナーリードの先端部を前記半導体チップの電極
   部に接合するリード接合方法であって、 前記インナーリードの表面酸化膜を除去したのち、窒素
   雰囲気中で前記インナーリードの先端部と前記半導体チ
   ップの電極部とをシングルポイントボンディング法にて
   接合することを特徴とするリード接合方法。