JPH0855695A - Ｘ線診断装置 - Google Patents
Ｘ線診断装置Info
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- JPH0855695A JPH0855695A JP7189347A JP18934795A JPH0855695A JP H0855695 A JPH0855695 A JP H0855695A JP 7189347 A JP7189347 A JP 7189347A JP 18934795 A JP18934795 A JP 18934795A JP H0855695 A JPH0855695 A JP H0855695A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
- H05G1/38—Exposure time
- H05G1/42—Exposure time using arrangements for switching when a predetermined dose of radiation has been applied, e.g. in which the switching instant is determined by measuring the electrical energy supplied to the tube
- H05G1/44—Exposure time using arrangements for switching when a predetermined dose of radiation has been applied, e.g. in which the switching instant is determined by measuring the electrical energy supplied to the tube in which the switching instant is determined by measuring the amount of radiation directly
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20187—Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
-
- H—ELECTRICITY
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線診断装置において、簡単で迅速かつ正確
なＸ線線量の測定が付加的な構成素子なしで可能となる
ように改善を行うこと。 【解決手段】 固体画像変換器は、マトリックスに配設
された、感光性の画素を有する半導体層と、前記半導体
層に被着された非導電層とを有し、前記非導電層には検
出器として電極層が被着され、前記電極層は、前記画素
と共にコンデンサを形成し、該コンデンサには露光によ
って電荷が供給され、さらに前記電極層は、Ｘ線線量に
相応する前記電荷を測定するための測定変換器に接続さ
せる。
なＸ線線量の測定が付加的な構成素子なしで可能となる
ように改善を行うこと。 【解決手段】 固体画像変換器は、マトリックスに配設
された、感光性の画素を有する半導体層と、前記半導体
層に被着された非導電層とを有し、前記非導電層には検
出器として電極層が被着され、前記電極層は、前記画素
と共にコンデンサを形成し、該コンデンサには露光によ
って電荷が供給され、さらに前記電極層は、Ｘ線線量に
相応する前記電荷を測定するための測定変換器に接続さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線束を発生する
ためのＸ線管用の高電圧発生器と、Ｘ線量を検出するた
めＸ線束の中に配置された検出器と、前記高電圧発生器
を制御するため前記検出器に接続された測定変換器と画
像変換器とを備えたＸ線診断装置に関する
ためのＸ線管用の高電圧発生器と、Ｘ線量を検出するた
めＸ線束の中に配置された検出器と、前記高電圧発生器
を制御するため前記検出器に接続された測定変換器と画
像変換器とを備えたＸ線診断装置に関する
【０００２】。
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許第２１３５２０５
号明細書には自動露光装置を備えたＸ線診断装置が記載
されている。この装置ではＸ線照射期間中に照射された
Ｘ線線量に対する尺度が得られる。そのため入射Ｘ線ビ
ームが所定値に達したあとで遮断される。
号明細書には自動露光装置を備えたＸ線診断装置が記載
されている。この装置ではＸ線照射期間中に照射された
Ｘ線線量に対する尺度が得られる。そのため入射Ｘ線ビ
ームが所定値に達したあとで遮断される。
【０００３】画像変換器としてＸ線画像増幅器を有する
この種のＸ線診断装置では、気体で満たされたイオンチ
ャンバが付加的構成素子としてＸ線画像増幅器の前に配
置されることは公知である。電圧が印加された２つの電
極板の間の僅かな電流は、入射イオン化ビームの線量出
力に直接比例する。積分によってこの線量は検出され
る。しかしながら照射Ｘ線量に対し測定精度は過度に低
い。
この種のＸ線診断装置では、気体で満たされたイオンチ
ャンバが付加的構成素子としてＸ線画像増幅器の前に配
置されることは公知である。電圧が印加された２つの電
極板の間の僅かな電流は、入射イオン化ビームの線量出
力に直接比例する。積分によってこの線量は検出され
る。しかしながら照射Ｘ線量に対し測定精度は過度に低
い。
【０００４】例えば非晶質珪素−Ｘ線画像検出器等のＸ
線画像変換器では、Ｘ線パルスの終了後しばらくしてか
ら初めて画像情報が得られる。なぜなら画像検出器は基
本的に蓄積モードで作動するからである。そのため線量
測定は、実際のＸ線パルス期間中にではなく、Ｘ線パル
スの終了後しばらくしてから初めて可能となる。
線画像変換器では、Ｘ線パルスの終了後しばらくしてか
ら初めて画像情報が得られる。なぜなら画像検出器は基
本的に蓄積モードで作動するからである。そのため線量
測定は、実際のＸ線パルス期間中にではなく、Ｘ線パル
スの終了後しばらくしてから初めて可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べたような形式のＸ線診断装置において、簡単で迅
速かつ正確なＸ線線量の測定が付加的な構成素子なしで
可能となるように改善を行うことである。
に述べたような形式のＸ線診断装置において、簡単で迅
速かつ正確なＸ線線量の測定が付加的な構成素子なしで
可能となるように改善を行うことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば上記課題
は、固体画像変換器は、マトリックスに配設された、感
光性の画素を有する半導体層と、前記半導体層に被着さ
れた非導電層とを有し、前記非導電層には検出器として
電極層が被着され、前記電極層は、前記画素と共にコン
デンサを形成し、該コンデンサには露光によって電荷が
供給され、さらに前記電極層は、Ｘ線線量に相応する前
記電荷を測定するための測定変換器に接続されるように
構成されて解決される。
は、固体画像変換器は、マトリックスに配設された、感
光性の画素を有する半導体層と、前記半導体層に被着さ
れた非導電層とを有し、前記非導電層には検出器として
電極層が被着され、前記電極層は、前記画素と共にコン
デンサを形成し、該コンデンサには露光によって電荷が
供給され、さらに前記電極層は、Ｘ線線量に相応する前
記電荷を測定するための測定変換器に接続されるように
構成されて解決される。
【０００７】本発明によれば有利には固体画像変換器が
非晶質珪素−検出器を有する。電極の配置構成に応じ
て、非導電層はシンチレータ材料又はガラスからなる。
非晶質珪素−検出器を有する。電極の配置構成に応じ
て、非導電層はシンチレータ材料又はガラスからなる。
【０００８】本発明によれば有利には電極層が複数の個
別電極からなる。この個別電極はそれぞれ複数の画素を
覆っている。個別電極と測定変換器の測定増幅器とを接
続させるスイッチが設けられている場合には任意の支配
領域面を選択することが可能となる。有利には電極層は
銅又は軽金属からなり得る。個別電極が所望の可能な支
配領域の形態である場合には、支配領域面の簡単な接続
及び選択ができる。有利には測定変換器が電荷変位電流
を測定し積分する。
別電極からなる。この個別電極はそれぞれ複数の画素を
覆っている。個別電極と測定変換器の測定増幅器とを接
続させるスイッチが設けられている場合には任意の支配
領域面を選択することが可能となる。有利には電極層は
銅又は軽金属からなり得る。個別電極が所望の可能な支
配領域の形態である場合には、支配領域面の簡単な接続
及び選択ができる。有利には測定変換器が電荷変位電流
を測定し積分する。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
【００１０】図１にはＸ線管１を備えた公知のＸ線診断
装置が示されている。このＸ線管１は高電圧発生器２に
よって動作される。Ｘ線管１はＸ線ビーム束３を照射す
る。このＸ線ビーム束３は患者４を透過し、患者４の身
体の透過に応じて減衰されてＸ線画像としてＸ線画像変
換器５に達する。Ｘ線画像変換器５は再生装置と接続さ
れている。この再生装置は処理回路６と、それに接続さ
れたＸ線画像再生のためのモニタ７からなる。処理回路
６は公知形式の計算回路とフィルタ回路と画像メモリと
変換器を有している。これらは図には示されていない。
装置が示されている。このＸ線管１は高電圧発生器２に
よって動作される。Ｘ線管１はＸ線ビーム束３を照射す
る。このＸ線ビーム束３は患者４を透過し、患者４の身
体の透過に応じて減衰されてＸ線画像としてＸ線画像変
換器５に達する。Ｘ線画像変換器５は再生装置と接続さ
れている。この再生装置は処理回路６と、それに接続さ
れたＸ線画像再生のためのモニタ７からなる。処理回路
６は公知形式の計算回路とフィルタ回路と画像メモリと
変換器を有している。これらは図には示されていない。
【００１１】Ｘ線変換器５には測定変換器８が接続され
ている。この測定変換器はＸ線量の制御のために高電圧
発生器２に接続されている。
ている。この測定変換器はＸ線量の制御のために高電圧
発生器２に接続されている。
【００１２】図２にはＸ線画像変換器５の断面図が示さ
れている。このＸ線画像変換器は半導体層９を有してい
る。この半導体層９の上にはシンチレータ層１０が被着
されている。半導体層９は端子１１を備えている。シン
チレータ層１０の上には、ここでは図示されていない下
方に向かって絶縁されたアルミニウム層の代わりに又は
アルミニウム層の下側に電極層１２が配設されている。
この電極層１２は半導体層９と対向している。端子１１
と電極層１２はＸ線検出器として用いられる。このＸ線
画像変換器では電極層１２は、半導体層９の上方に配設
されている。
れている。このＸ線画像変換器は半導体層９を有してい
る。この半導体層９の上にはシンチレータ層１０が被着
されている。半導体層９は端子１１を備えている。シン
チレータ層１０の上には、ここでは図示されていない下
方に向かって絶縁されたアルミニウム層の代わりに又は
アルミニウム層の下側に電極層１２が配設されている。
この電極層１２は半導体層９と対向している。端子１１
と電極層１２はＸ線検出器として用いられる。このＸ線
画像変換器では電極層１２は、半導体層９の上方に配設
されている。
【００１３】図３には本発明によるＸ線画像変換器５の
別の実施例が示されている。この実施例では電極層１２
が半導体層９の下方に位置している。ガラス基板１３の
上には半導体層９が被着されている。この場合個々の画
素のホトダイオードの感応電極はガラス基板１３上に位
置している。ガラス基板１３の裏側（半導体層９とは反
対側）には３光透過性の電極層１２が被着されている。
半導体層９上には端子１１が存在する。この端子１１は
シンチレータ層１０によって覆われている。半導体層９
とガラス基板１３との間に生じる電荷は、端子１１と電
極層１２を介して検出される。
別の実施例が示されている。この実施例では電極層１２
が半導体層９の下方に位置している。ガラス基板１３の
上には半導体層９が被着されている。この場合個々の画
素のホトダイオードの感応電極はガラス基板１３上に位
置している。ガラス基板１３の裏側（半導体層９とは反
対側）には３光透過性の電極層１２が被着されている。
半導体層９上には端子１１が存在する。この端子１１は
シンチレータ層１０によって覆われている。半導体層９
とガラス基板１３との間に生じる電荷は、端子１１と電
極層１２を介して検出される。
【００１４】線量測定の基本的な思想はここでも使用す
ることができる。
ることができる。
【００１５】電極層１２は非導電層の上に被着されてお
り、いわゆる“ホット”電極に向いている。それにより
画素構造に応じて電極層１２の配置が基板１３上か又は
シンチレータ層１０上に生じる。
り、いわゆる“ホット”電極に向いている。それにより
画素構造に応じて電極層１２の配置が基板１３上か又は
シンチレータ層１０上に生じる。
【００１６】半導体層９は、水素でドーピングされた非
晶質珪素（アモルファスシリコン）から形成することが
できる。半導体層９は多数の個々のピクセルないし画素
（これらはホトダイオードを形成し得る）からなる。
晶質珪素（アモルファスシリコン）から形成することが
できる。半導体層９は多数の個々のピクセルないし画素
（これらはホトダイオードを形成し得る）からなる。
【００１７】Ｘ線パルス期間中画素のホトダイオードの
電荷は非常に高速に変化する。多数のホトダイオードを
有する比較的広い面においてマクロ的変化を検出するた
めに、容量結合によりこの面上の受光ビームの測定が達
成される。
電荷は非常に高速に変化する。多数のホトダイオードを
有する比較的広い面においてマクロ的変化を検出するた
めに、容量結合によりこの面上の受光ビームの測定が達
成される。
【００１８】このことは図４に示された解決手段によっ
て達成される。ｍ＊ｍ個の画素１４を有する半導体層９
の上に配設されたシンチレータ層１０の上には、ｎ＊ｎ
個の個別電極１５からなる電極層１２が被着されてい
る。この場合個別電極１５は複数の画素１４を覆ってい
る。縁部領域は図示のように露出している。なぜならこ
の領域では検出されるべき重要な照射ビームは存在しな
いからである。図４にはわかりやすくするために、個別
電極１５が９つだけ示されている。この電極１５はそれ
ぞれ９つの画素１４を覆っている。個別電極１５及び画
素１４の総数や、個別電極１５によって覆われる画素１
４の数の実際の数はずっと大きい。
て達成される。ｍ＊ｍ個の画素１４を有する半導体層９
の上に配設されたシンチレータ層１０の上には、ｎ＊ｎ
個の個別電極１５からなる電極層１２が被着されてい
る。この場合個別電極１５は複数の画素１４を覆ってい
る。縁部領域は図示のように露出している。なぜならこ
の領域では検出されるべき重要な照射ビームは存在しな
いからである。図４にはわかりやすくするために、個別
電極１５が９つだけ示されている。この電極１５はそれ
ぞれ９つの画素１４を覆っている。個別電極１５及び画
素１４の総数や、個別電極１５によって覆われる画素１
４の数の実際の数はずっと大きい。
【００１９】個別電極１５は、例えば２×２ｃｍの面を
被覆する。この個別電極は、ホトダイオードの感光電極
に対し層キャパシタンスを形成する。Ｘ線パルス期間中
は活性電極の電圧がホトダイオードのゼロ電荷までシン
チレータ層１０から照射される光の輝度に依存して低下
する。この電圧降下がセンサ容量の電荷と共に変化し電
極層１２において種々の方法で測定される。
被覆する。この個別電極は、ホトダイオードの感光電極
に対し層キャパシタンスを形成する。Ｘ線パルス期間中
は活性電極の電圧がホトダイオードのゼロ電荷までシン
チレータ層１０から照射される光の輝度に依存して低下
する。この電圧降下がセンサ容量の電荷と共に変化し電
極層１２において種々の方法で測定される。
【００２０】薄い電極層１２（これは銅又は軽金属から
なる）は僅かな吸収度しか有していない。これにより何
等線量の変化は生じないが、場合によってはパターンと
してＸ線画像内で可視できる。増幅補正の後では、個別
電極の輪郭像が除去される。障害を避けるために、測定
はＸ線窓で制限されるようにすべきである。
なる）は僅かな吸収度しか有していない。これにより何
等線量の変化は生じないが、場合によってはパターンと
してＸ線画像内で可視できる。増幅補正の後では、個別
電極の輪郭像が除去される。障害を避けるために、測定
はＸ線窓で制限されるようにすべきである。
【００２１】所望の優勢領域を得るために、複数の個別
電極を一緒に接続してもよい。この接続は以下で説明す
るように荷電測定の前後で達成される。
電極を一緒に接続してもよい。この接続は以下で説明す
るように荷電測定の前後で達成される。
【００２２】図５には測定をわかりやすく説明するため
の回路図が示されている。画素１４のホトダイオードは
画素キャパシタンス１６を有している。この容量１６は
個別電極１５の層キャパシタンス１７と直列に接続され
ている。加えられた線量は抵抗１８によって検出され得
る。この抵抗１８は層キャパシタンス１７の充電電流を
電圧に変換する。この電圧は増幅器１９によって測定さ
れる。抵抗１８は一方の側がアース２０に接続されてい
る。増幅器１９の出力側からはアース２０に対しＸ線線
量に相応する測定電圧が取り出される。この測定電圧の
増加から高電圧発生器２の制御のための信号が導出され
る。
の回路図が示されている。画素１４のホトダイオードは
画素キャパシタンス１６を有している。この容量１６は
個別電極１５の層キャパシタンス１７と直列に接続され
ている。加えられた線量は抵抗１８によって検出され得
る。この抵抗１８は層キャパシタンス１７の充電電流を
電圧に変換する。この電圧は増幅器１９によって測定さ
れる。抵抗１８は一方の側がアース２０に接続されてい
る。増幅器１９の出力側からはアース２０に対しＸ線線
量に相応する測定電圧が取り出される。この測定電圧の
増加から高電圧発生器２の制御のための信号が導出され
る。
【００２３】ダイオード電圧は電荷増幅器によっても測
定可能である。これは図６に基づいて説明する。層キャ
パシタンス１７による電荷の変化はコンデンサ２２を介
して電圧降下に変換される。このコンデンサ２２は、演
算増幅器２１の容量性の帰還結合を生ぜしめる。スイッ
チ２３は、場合によっては必要なコンデンサ２２のリセ
ットに用いられ、Ｘ線窓内の測定を可能にする。この測
定法は２つの利点を有する。すなわちセンサ電極によっ
て引き起こされる画素間の僅かな結合は、演算増幅器２
１を用いたアース２０へのクランプによってさらに低減
される。さらに電極層１２のできるだけ上方に配設され
アースされた層の容量は検出器の感度を低減させない。
定可能である。これは図６に基づいて説明する。層キャ
パシタンス１７による電荷の変化はコンデンサ２２を介
して電圧降下に変換される。このコンデンサ２２は、演
算増幅器２１の容量性の帰還結合を生ぜしめる。スイッ
チ２３は、場合によっては必要なコンデンサ２２のリセ
ットに用いられ、Ｘ線窓内の測定を可能にする。この測
定法は２つの利点を有する。すなわちセンサ電極によっ
て引き起こされる画素間の僅かな結合は、演算増幅器２
１を用いたアース２０へのクランプによってさらに低減
される。さらに電極層１２のできるだけ上方に配設され
アースされた層の容量は検出器の感度を低減させない。
【００２４】本発明の基本的な思想は、検出器の全ての
ホトダイオードは数ミリ秒から数秒の期間のＸ線パルス
期間中に例えば２Ｖの充電電圧から線量に応じて多かれ
少なかれ完全に放電されることである。これらのダイオ
ードのうちの１つは仮想アース電位につなっがっている
ため、それぞれその他の、いわゆる“ホット”電極の電
位は共に引っ張られる。それ自体変化する電位を有する
全てのダイオード又は一部のダイオードに、絶縁された
センサ電極をコンデンサプレートとして対抗させれば、
電荷移送に基づいてセンサ電極におけるホトダイオード
の電位変化が取り出される。ホトダイオードにおける電
圧変化はそれにより、加えられたＸ線線量に対する直接
的な尺度である。この情報はセンサプレートにおける電
圧変化として取り出される。従ってダイオードに対する
センサプレートのキャパシタンスは、ピックアップ電子
装置の入力抵抗と共に時間信号の最低周波数成分をさら
に通過させる高域フィルタを形成しなければならない。
ホトダイオードは数ミリ秒から数秒の期間のＸ線パルス
期間中に例えば２Ｖの充電電圧から線量に応じて多かれ
少なかれ完全に放電されることである。これらのダイオ
ードのうちの１つは仮想アース電位につなっがっている
ため、それぞれその他の、いわゆる“ホット”電極の電
位は共に引っ張られる。それ自体変化する電位を有する
全てのダイオード又は一部のダイオードに、絶縁された
センサ電極をコンデンサプレートとして対抗させれば、
電荷移送に基づいてセンサ電極におけるホトダイオード
の電位変化が取り出される。ホトダイオードにおける電
圧変化はそれにより、加えられたＸ線線量に対する直接
的な尺度である。この情報はセンサプレートにおける電
圧変化として取り出される。従ってダイオードに対する
センサプレートのキャパシタンスは、ピックアップ電子
装置の入力抵抗と共に時間信号の最低周波数成分をさら
に通過させる高域フィルタを形成しなければならない。
【００２５】前記高域フィルタの非常に高いカットオフ
周波数により電荷移送も電流として入力抵抗にて測定さ
れ、線量出力に対する尺度が得られるため、引続き積分
するだけでよい。測定はＸ線パルス期間中のみである。
周波数により電荷移送も電流として入力抵抗にて測定さ
れ、線量出力に対する尺度が得られるため、引続き積分
するだけでよい。測定はＸ線パルス期間中のみである。
【００２６】センサ電極はダイオード電極から比較的大
きな間隔をあけて例えばシンチレータ層（０．４ｍｍ）
上に配置することができるため、個別電極１５と画素１
４の上下間での目だった結合は何も生じない。
きな間隔をあけて例えばシンチレータ層（０．４ｍｍ）
上に配置することができるため、個別電極１５と画素１
４の上下間での目だった結合は何も生じない。
【００２７】電極層１２は種々に細分化されるので、ス
イッチによる部分面の種々の選択によって測定領域、い
わゆる支配領域が近似に形成される。電極面がプレート
間隔（シンチレータ層０．４ｍｍ）よりも大きいなら
ば、電気力線は比較的僅かに側方にはみ出す。２つのレ
ベル平面を利用できる場合には、リード線は、例えば部
分電極間の金属化面においてのみ延在されるべきか又は
それに依存せずに配線できる。
イッチによる部分面の種々の選択によって測定領域、い
わゆる支配領域が近似に形成される。電極面がプレート
間隔（シンチレータ層０．４ｍｍ）よりも大きいなら
ば、電気力線は比較的僅かに側方にはみ出す。２つのレ
ベル平面を利用できる場合には、リード線は、例えば部
分電極間の金属化面においてのみ延在されるべきか又は
それに依存せずに配線できる。
【００２８】図７には前記測定法による回路装置が示さ
れている。この装置では多数の測定領域が個別にか又は
組み合わされて選択的に検出することができる。図４の
個別電極１５の下方にある画素１４は、画素キャパシタ
ンス２４〜２６を有している。わかりやすくするため
に、個別電極１５の下方にある個々の画素１４の個別キ
ャパシタンスは、それぞれ画素キャパシタンス２４，２
５，２６にまとめられている。
れている。この装置では多数の測定領域が個別にか又は
組み合わされて選択的に検出することができる。図４の
個別電極１５の下方にある画素１４は、画素キャパシタ
ンス２４〜２６を有している。わかりやすくするため
に、個別電極１５の下方にある個々の画素１４の個別キ
ャパシタンスは、それぞれ画素キャパシタンス２４，２
５，２６にまとめられている。
【００２９】これらの画素キャパシタンス２４〜２６
は、層キャパシタンス２７〜２９と直列に接続されてい
る。図４に示されている構造では９つの相応の分岐回路
が設けられるべきではあるが、簡単化のために図７では
３つの個別電極１５に相応する３つの分岐回路のみが示
されている。
は、層キャパシタンス２７〜２９と直列に接続されてい
る。図４に示されている構造では９つの相応の分岐回路
が設けられるべきではあるが、簡単化のために図７では
３つの個別電極１５に相応する３つの分岐回路のみが示
されている。
【００３０】選択スイッチ３０〜３２を介してそのつど
の所望の所要個別電極１５が選択でき、演算増幅器２１
に接続される。それにより任意の支配領域を選択でき
る。このようにして例えば図４に示されている構造の場
合、真中の個別電極１５、個別電極１５の中間の行又は
列、個別電極１５の中間の行又は列の交差領域、又は対
角線の１つをまとめるか又は全ての個別電極１５を読出
すことができる。個別電極の形態は任意であり、矩形又
は方形に限定されるものではない。
の所望の所要個別電極１５が選択でき、演算増幅器２１
に接続される。それにより任意の支配領域を選択でき
る。このようにして例えば図４に示されている構造の場
合、真中の個別電極１５、個別電極１５の中間の行又は
列、個別電極１５の中間の行又は列の交差領域、又は対
角線の１つをまとめるか又は全ての個別電極１５を読出
すことができる。個別電極の形態は任意であり、矩形又
は方形に限定されるものではない。
【００３１】このような本発明による構成と測定装置に
よっては、次のようなＸ線画像変換器を有するＸ線診断
装置が得られる。すなわちＸ線画像変換器の前に配設さ
れる付加的な構成素子による線量損失がなく、Ｘ線線量
の簡単で迅速な検出が可能である、Ｘ線画像変換器を有
するＸ線診断装置が得られる。それにより任意に設定す
べきで線量値が高電圧発生器２を確実に遮断することが
できる。
よっては、次のようなＸ線画像変換器を有するＸ線診断
装置が得られる。すなわちＸ線画像変換器の前に配設さ
れる付加的な構成素子による線量損失がなく、Ｘ線線量
の簡単で迅速な検出が可能である、Ｘ線画像変換器を有
するＸ線診断装置が得られる。それにより任意に設定す
べきで線量値が高電圧発生器２を確実に遮断することが
できる。
【図１】本発明によるＸ線診断装置の概略を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明によるＸ線画像変換器の構造を示した断
面図である。
面図である。
【図３】本発明による別のＸ画像変換器の構造を示した
断面図である。
断面図である。
【図４】Ｘ線画像変換器上の個々の電極の配置構成図で
ある。
ある。
【図５】本発明によるＸ線画像変換器の電荷測定値検出
のための回路装置を示した図である。
のための回路装置を示した図である。
【図６】本発明によるＸ線画像変換器の電荷測定値検出
のための回路装置を示した図である。
のための回路装置を示した図である。
【図７】本発明によるＸ線画像変換器の電荷測定値検出
のための回路装置を示した図である。
のための回路装置を示した図である。
１ Ｘ線管 ２ 高電圧発生器 ３ Ｘ線ビーム束 ４ 患者 ５ Ｘ線画像変換器 ６ 処理回路 ７ モニタ ８ 測定変換器 ９ 半導体層 １０ 絶縁層 １１ 端子 １２ 電極層 １３ 絶縁層 １４ 画素 １５ 個別電極
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｘ線ビーム束（３）の生成のためのＸ線
管（１）に対する高電圧発生器（２）と、 Ｘ線ビーム束（３）内に配設される、Ｘ線線量検出のた
めの検出器（１２，１５，１７，２７〜２９）と、 前記検出器に接続される、前記高電圧発生器（２）の制
御のための測定変換器（８）と、 固体画像変換器としての非晶質珪素（ａＳｉ：Ｈ）−検
出器（５）とを有し、 前記非晶質珪素−検出器（５）は、マトリックスに配設
された感光性の画素（１４）を有する半導体層（９）
と、前記半導体層（９）に被着される非導電層（１０，
１３）とを有し、前記非導電層（１０，１３）には検出
器として電極層（１２）が被着され、前記電極層（１
２）は、前記画素（１４）と共にコンデンサ（１６，２
４〜２６）を形成し、該コンデンサには露光によって電
荷が供給され、 さらに前記電極層（１２）は、Ｘ線線量に相応する前記
電荷を測定するための測定変換器（８）に接続されてい
ることを特徴とする、Ｘ線診断装置。 - 【請求項２】 前記絶縁層（１０）は、シンチレータ材
料からなる、請求項１記載のＸ線診断装置。 - 【請求項３】 前記絶縁層（１３）は、ガラスからな
る、請求項１又は２記載のＸ線診断装置。 - 【請求項４】 前記電極層（１２）は、複数の個別電極
（１５）からなり、該個別電極（１５）はそれぞれ複数
の画素（１４）を覆っている、請求項１又は２記載のＸ
線診断装置。 - 【請求項５】 前記個別電極（１５）を測定変換器
（８）の測定増幅器（１９，２１）に接続させ得るスイ
ッチ（３０〜３１）が設けられている、請求項１〜４い
ずれか１項記載のＸ線診断装置。 - 【請求項６】 前記電極層（１２）は銅からなる、請求
項１〜５いずれか１項記載のＸ線診断装置。 - 【請求項７】 前記電極層（１２）は軽金属からなる、
請求項１〜６いずれか１項記載のＸ線診断装置。 - 【請求項８】 前記個別電極（１５）は、所望の可能な
支配領域の形態を有している、請求項１〜６いずれか１
項記載のＸ線診断装置。 - 【請求項９】 前記測定変換器（８）は、電荷移送電流
を検出し積分する、請求項１〜８いずれか１項記載のＸ
線診断装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4426451A DE4426451C2 (de) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Röntgendiagnostikeinrichtungen mit einem Festkörperbildwandler |
| DE4426451.8 | 1994-07-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855695A true JPH0855695A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=6524178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7189347A Withdrawn JPH0855695A (ja) | 1994-07-26 | 1995-07-25 | Ｘ線診断装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5574765A (ja) |
| JP (1) | JPH0855695A (ja) |
| DE (1) | DE4426451C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529425A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マトリックス・アドレス式イメージング・パネル内の局所容量性結合を使用した自動照射制御のための方法及び装置 |
| US6938672B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-06 | Chun Pyo Hong | Rheoforming apparatus |
| US6942009B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-13 | Chun Pyo Hong | Apparatus for manufacturing billet for thixocasting |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19606873C2 (de) * | 1996-02-23 | 2000-10-12 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem Festkörperbildwandler |
| FR2750821B1 (fr) * | 1996-07-05 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif pour la prise d'images numeriques avec controle et optimisation du temps d'exposition de l'objet a des rayonnements x ou y |
| US5949848A (en) * | 1996-07-19 | 1999-09-07 | Varian Assocaites, Inc. | X-ray imaging apparatus and method using a flat amorphous silicon imaging panel |
| JP4241942B2 (ja) * | 1997-06-18 | 2009-03-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 撮像線量の測定方法および放射線像の撮像装置 |
| FR2771513B1 (fr) * | 1997-11-25 | 2000-05-26 | Trixell Sas | Dispositif photosensible equipe d'un dispositif de mesure d'eclairement |
| DE19825450A1 (de) * | 1998-06-06 | 1999-12-09 | Philips Patentverwaltung | Röntgenbildsensor |
| JP2002526989A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-20 | スリーディーヴィー システムズ リミテッド | カメラを用いた距離測定 |
| JP2000139890A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-23 | General Electric Co <Ge> | イメ―ジング・システム及びその動作方法 |
| JP2001056382A (ja) * | 1999-06-07 | 2001-02-27 | Toshiba Corp | 放射線検出器及び放射線診断装置 |
| JP2004504611A (ja) * | 2000-03-31 | 2004-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 線量を検出するｆｄｘｄ検出器 |
| WO2005124866A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | X-ray image detector |
| EP1915094A2 (en) * | 2005-08-09 | 2008-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | System and method for dual energy dynamic x-ray imaging |
| US9370330B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-06-21 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Radiation field and dose control |
| US20200245957A1 (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Yonglin Biotech Corp. | Radiation measurement penal, device and system |
| CN110031883B (zh) * | 2019-03-05 | 2022-06-07 | 中国辐射防护研究院 | 一种基于无线电容式高电离辐射剂量传感器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2135205C3 (de) * | 1971-07-14 | 1980-07-17 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Röntgendiagnostikapparat mit einem auch zur Dosisleistungsmessung dienenden Belichtungsautomaten, der ein Einstellglied für die Röntgenröhrenspannung steuert |
| DE4036163A1 (de) * | 1990-11-14 | 1992-05-21 | Philips Patentverwaltung | Roentgenuntersuchungsgeraet |
| US5331166A (en) * | 1991-10-25 | 1994-07-19 | Kabushiki Kaisha Morita Seisakusho | Dental X-ray image detecting device with an automatic exposure function |
| DE4227096A1 (de) * | 1992-08-17 | 1994-02-24 | Philips Patentverwaltung | Röntgenbilddetektor |
| JPH06154198A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-03 | Toshiba Corp | Ｘ線診断装置 |
| US5331165A (en) * | 1992-12-01 | 1994-07-19 | Ball Corporation | Split event reduced x-ray imager |
-
1994
- 1994-07-26 DE DE4426451A patent/DE4426451C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-25 US US08/506,870 patent/US5574765A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-25 JP JP7189347A patent/JPH0855695A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| JP2003529425A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マトリックス・アドレス式イメージング・パネル内の局所容量性結合を使用した自動照射制御のための方法及び装置 |
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| US6942009B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-13 | Chun Pyo Hong | Apparatus for manufacturing billet for thixocasting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5574765A (en) | 1996-11-12 |
| DE4426451A1 (de) | 1996-02-01 |
| DE4426451C2 (de) | 1998-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |