JPH0855558A - ヒューズ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 発熱抵抗体の抵抗値を極端に高く設定した
り、絶縁基板を極端に割れ易くすることなく、過電流が
流れた場合に、絶縁基板が短時間のうちに完全に砕裂し
て、過電流の通電を確実に遮断できるヒューズ抵抗器を
実現する。 【構成】 絶縁基板12の前面12ｃの中央部に、砕裂線
（イ）に沿って第１の前面側発熱抵抗体18を被着すると
共に、絶縁基板12の背面12ｄにおける砕裂線（イ）の両
側に、第１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱
抵抗体28を間隔30を隔てて被着することにより、前面12
ｃの中央部に加熱領域α1を形成すると共に、その両側
を非加熱領域β1，β2と成し、また、背面12ｄの中央部
を絶縁基板12を間に挟んで前面12ｃ側の加熱領域α1と
重複する非加熱領域β3と成すと共に、その両側に絶縁
基板12を間に挟んで前面12ｃ側の非加熱領域β1，β2と
重複する加熱領域α2，α3を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、絶縁基板の表面に被
着した発熱抵抗体の、過電流の通電による発熱作用によ
って上記絶縁基板を砕裂させ、以て通電路である発熱抵
抗体を切断することにより、過電流の通電を遮断するよ
う構成したヒューズ抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、過電流から電子回路素子等を保護
するための過電流遮断手段として、図１４に示すヒュー
ズ抵抗器が用いられている。このヒューズ抵抗器70は、
アルミナやフォルステライト等の絶縁基板72の一面に、
酸化ルテニウム等の発熱抵抗体74を被着形成し、該発熱
抵抗体74の両側辺に取り出し用の電極パターン76，76を
被着接続し、該電極パターン76，76の下端に外部端子7
8，78をハンダ80，80や導電性接着剤を介して接続して
成る。絶縁基板72の上辺72ａの中央部にはベース型の上
部切欠部84が、また絶縁基板の下辺72ｂの中央部には逆
ベース型の下部切欠部86がそれぞれ形成されている。さ
らに、上記発熱抵抗体74の表面には、沿面放電防止用の
クロスオーバガラス88が被覆されている。

【０００３】このヒューズ抵抗器70は、上記外部端子7
8，78を介して、電子回路や回路素子に接続される。例
えば、図示は省略するが、電子機器に通じる通信ライン
や電源ライン等の線路に直列接続され、或いは該線路間
に挿入接続されたガスアレスタ等に直列接続される。

【０００４】しかして、電子機器をその定格を上回る電
源へ誤接続した場合や、過電圧試験の実施等により、上
記線路に定格以上の過電圧が連続して印加された場合に
は、該過電圧の印加による過電流によって上記発熱抵抗
体74が発熱する。そして、この発熱作用によって絶縁基
板72は熱歪みを起こし、上部切欠部84の頂点84ａ及び下
部切欠部86の頂点86ａを結ぶ直線（イ）に沿って左右に
砕裂する。その結果、過電流の通路たる発熱抵抗体74自
身も切断されるため、連続過電流から上記電子機器或い
はガスアレスタ等が保護されるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、過電流か
ら上記電子機器等を確実に保護するためには、上記発熱
抵抗体74に過電流が流れた際に、上記絶縁基板72が短時
間のうちに完全に砕裂する必要がある。ここで、絶縁基
板72の砕裂特性を向上させるには、先ず上記発熱抵抗体
74の抵抗値を高く設定し、その発熱量を増加させること
が考えられるが、発熱抵抗体74の抵抗値をあまり高く設
定すると、ヒューズ抵抗器70を上記線路に直列接続した
場合には電送損失が大きくなり、また、上記線路間に挿
入接続されたガスアレスタ等に直列接続した場合には、
その分高い電圧が電子機器側に加わることとなる。この
ため、発熱抵抗体74の抵抗値を高く設定して発熱量を増
加させることには、一定の限界がある。

【０００６】つぎに、絶縁基板72の材質や厚さを調節し
たり、あるいは図１５及びそのＣ−Ｃ’拡大部分断面図
である図１６に示すように、絶縁基板72の表面（発熱抵
抗体74形成面）に直線（イ）に沿って延びる断面略Ｖ字
型の溝90を形成することにより、絶縁基板72自体を割れ
易くすることも考えられるが、その分製造時及び使用時
において破損し易くなるため、これにも一定の限界があ
る。

【０００７】本発明は、上記した従来例の問題点に鑑み
てなされたものであり、発熱抵抗体の抵抗値を極端に高
く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くすることな
く、過電流が流れた場合には絶縁基板が短時間のうちに
完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断することが
できるヒューズ抵抗器を実現することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るヒューズ抵抗器は、絶縁基板と、該絶
縁基板の表面に被着された発熱抵抗体とを備え、該発熱
抵抗体に過電流が流れた場合に、その発熱作用によって
上記絶縁基板が加熱されて砕裂し、以て上記発熱抵抗体
が切断されて過電流の通電を遮断するよう構成したヒュ
ーズ抵抗器において、上記発熱抵抗体を上記絶縁基板の
前面の一部及び背面の一部にそれぞれ被着して、該絶縁
基板の各面に発熱抵抗体に被覆された加熱領域と発熱抵
抗体の存在しない非加熱領域とを形成し、さらに、前面
側の加熱領域の少なくとも一部と背面側の非加熱領域の
少なくとも一部とが、絶縁基板を間に挟んで重複すると
共に、前面側の非加熱領域の少なくとも一部と背面側の
加熱領域の少なくとも一部とが、絶縁基板を間に挟んで
重複するように、各発熱抵抗体を配置したことを特徴と
する。

【０００９】例えば、上記絶縁基板の対向する二辺にそ
れぞれ切欠部を形成し、該絶縁基板の前面に、両切欠部
を結ぶ線に沿って一の発熱抵抗体を被着して加熱領域を
形成すると共に、該加熱領域の両側を非加熱領域と成
し、また、上記絶縁基板の背面における上記線の両側
に、一対の発熱抵抗体を所定の間隔をおいて被着して加
熱領域を形成すると共に、両加熱領域の間を非加熱領域
と成すよう構成される。あるいは、上記絶縁基板の対向
する二辺にそれぞれ切欠部を形成し、該絶縁基板の前面
における両切欠部を結ぶ線によって二分された一方の側
に、一の発熱抵抗体の少なくとも主要部を被着して加熱
領域を形成すると共に、他方の側の少なくとも一部を非
加熱領域と成し、また上記絶縁基板の背面における上記
線によって二分された中で、上記絶縁基板を間に挟んで
上記前面側の非加熱領域と対応する側に他の発熱抵抗体
の少なくとも主要部を被着して加熱領域を形成すると共
に、上記前面側の加熱領域と対応する側の少なくとも一
部を非加熱領域と成すよう構成してもよい。上記前面側
の発熱抵抗体と背面側の発熱抵抗体とは、それぞれ並列
接続してもよく、直列接続してもよい。

【００１０】

【作用】上記絶縁基板の両面に被着した各発熱抵抗体に
過電流が流れると、当該発熱抵抗体が発熱して絶縁基板
の表面が高温に加熱され、該絶縁基板が熱歪みを起こし
て砕裂する。この際、絶縁基板両面の加熱領域において
は、急激に極めて高温に加熱される一方、非加熱領域に
おいては温度変化がほとんど生ぜず、比較的低温を維持
することとなる。このため、絶縁基板の前面及び背面に
おいて、それぞれ温度分布の不均一性が生じ、絶縁基板
の熱歪みが促進される。しかも、前面側の加熱領域と背
面側の非加熱領域が絶縁基板を間に挟んで重複すると共
に、前面側の非加熱領域と背面側の加熱領域も絶縁基板
を間に挟んで重複するため、絶縁基板の異なった面同士
においても温度分布の不均一性が生じることとなり、絶
縁基板の熱歪みはさらに促進される。この結果、発熱抵
抗体の抵抗値を比較的低い値に抑えた場合であっても、
あるいは絶縁基板の機械的強度を比較的高く設定した場
合であっても、極めて短時間の中に絶縁基板を完全に砕
裂することが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る第１のヒューズ抵抗器10の
前面側を、また図２はその背面側を示すものである。こ
の第１のヒューズ抵抗器10は、アルミナ、フォルステラ
イト、ステアタイト等のセラミックによって形成された
絶縁基板12を備えている。この絶縁基板12は、縦１６m
m、横９．８６mmの長方形状を成しており、その板厚は
０．６３５mmに設定されている。該絶縁基板12の上辺12
ａの中央には、ベース型の上部切欠部14が、また下辺12
ｂの中央には逆ベース型の下部切欠部16がそれぞれ形成
されている。この上部切欠部14と下部切欠部16は、略同
一の形状及び寸法を備えている。

【００１２】該絶縁基板12の前面12ｃには、酸化ルテニ
ウム等より成る矩形状の第１の前面側発熱抵抗体18が被
着形成されている。この第１の前面側発熱抵抗体18の両
側辺には、Ａｇ・Ｐｄ系ペースト等より成る略Ｌ字型の
電極パターン20，20が被着接続され、該電極パターン2
0，20の下端部には、先端が二股に分岐した第１の外部
端子22，22の第１の分岐部22ａ，22ａが、ハンダ24，24
を介して接続されている。

【００１３】また、上記絶縁基板12の背面12ｄには、酸
化ルテニウム等より成る矩形状の第１の背面側発熱抵抗
体26及び第２の背面側発熱抵抗体28が、間隔30をおいて
被着形成されている。この第１の背面側発熱抵抗体26の
外側辺26ａ及び第２の背面側発熱抵抗体28の外側辺28ａ
には、それぞれＡｇ・Ｐｄ系ペースト等より成る略Ｌ字
型の電極パターン32，32が被着接続されると共に、第１
の背面側発熱抵抗体26の内側辺26ｂ及び第２の背面側発
熱抵抗体28の内側辺28ｂには、Ａｇ・Ｐｄ系ペースト等
より成る略Ｈ字型の接続パターン34の接続帯部34ａ，34
ｂが、それぞれ被着接続されている。この接続パターン
34の各接続帯部34ａ，34ｂは、連結帯部34ｃによって連
結されているため、第１の背面側発熱抵抗体26と第２の
背面側発熱抵抗体28とは、この接続パターン34を介して
直列接続されることとなる。上記電極パターン32，32の
下端部には、上記第１の外部端子22，22の第２の分岐部
22ｂ，22ｂが、ハンダ24，24を介して接続されている。

【００１４】上記第１の前面側発熱抵抗体18と、第１の
背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱抵抗体28は、
絶縁基板12の表面にルテニウム系ペーストを印刷等によ
って被着させ、所定の温度で加熱することで焼成され
る。これら発熱抵抗体の抵抗値は、一般に数Ω〜数十Ω
の範囲内に設定されるものであり、ここでは特に５Ωに
設定されている。また、第１の前面側発熱抵抗体18と、
第１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱抵抗体
28の表面には、それぞれ沿面放電防止用のクロスオーバ
ガラス36が被覆されている。

【００１５】上記第１の前面側発熱抵抗体18は、絶縁基
板の前面12ｃ全域に被着形成されているものではなく、
上部切欠部14の頂点14ａと下部切欠部16の頂点16ａを結
ぶ直線（以下「砕裂線（イ）」と称する）に沿って、絶
縁基板前面12ｃの中央部分を占めているに過ぎない。こ
のため、第１の前面側発熱抵抗体18の両脇には、発熱抵
抗体の存在しない領域が生じている。また、絶縁基板の
背面12ｄにおいても、その全域に発熱抵抗体が被着され
ているものではなく、第１の背面側発熱抵抗体26と第２
の背面側発熱抵抗体28との間隔30部分には、上記砕裂線
（イ）に沿って発熱抵抗体の存在しない領域が生じてい
る。

【００１６】この結果、図１のＡ−Ａ’拡大断面図であ
る図３に示すように、絶縁基板の前面12ｃにおいては、
第１の前面側発熱抵抗体18に被覆された加熱領域α1の
両側に、発熱抵抗体の存在しない非加熱領域β1，β2が
現れると共に、絶縁基板の背面12ｄにおいては、発熱抵
抗体の存在しない非加熱領域β3の両側に、第１の背面
側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱抵抗体28に被覆さ
れた加熱領域α2，α3が現れ、前面12ｃ側の加熱領域α
1と背面12ｄ側の非加熱領域β3とが絶縁基板12を間に挟
んで重複し、前面12ｃ側の非加熱領域β1，β2と背面12
ｄ側の加熱領域α2，α3とが絶縁基板12を間に挟んで重
複することとなる。なお、図３においては、図示の便宜
上、上記クロスオーバガラス36の記載を省略した。後述
の図４、図５、図９乃至図１１においても同様である。

【００１７】この第１のヒューズ抵抗器10は、図示は省
略するが、上記第１の外部端子22，22を介して、被保護
素子や被保護回路に接続される。そして、第１の外部端
子22，22間に過電流が流れると、第１の前面側発熱抵抗
体18、第１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱
抵抗体28が発熱し、絶縁基板12の前面12ｃ及び背面12ｄ
が同時に加熱される。この結果、絶縁基板12は熱歪みを
起こし、上記砕裂線（イ）に沿って左右に砕裂される。

【００１８】この際、絶縁基板の前面12ｃにおいては、
中央付近の加熱領域α1部分のみが高温に加熱され、そ
の両側の非加熱領域β1，β2には温度変化がほとんど生
じない。反対に、絶縁基板の背面12ｄにおいては、中央
付近の非加熱領域β3部分にはほとんど温度変化が生じ
ないのに対し、その両側の加熱領域α2，α3部分は極め
て高温に加熱されることとなる。このように、絶縁基板
12の同一面においてそれぞれ温度分布の不均一性が現出
するのみならず、絶縁基板の前面12ｃ及び背面12ｄ間に
おいても、加熱領域と非加熱領域とが絶縁基板12を間に
挟んで互い違いに配置され、一方面が高温で他方面が低
温という温度分布の不均一性が生じるため、絶縁基板12
の表面の略全域に発熱抵抗体を漫然と被着形成し、基板
全体を加熱する場合に比べて、絶縁基板12の熱歪みが助
長されることとなる。この結果、該絶縁基板12を、短時
間の中に完全に砕裂することが可能となる。

【００１９】図３においては、第１の前面側発熱抵抗体
18と第１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱抵
抗体28とが、絶縁基板12を間に挟んで重複する部分がな
く、第１の前面側発熱抵抗体18の右側辺18ａと第１の背
面側発熱抵抗体26の内側辺26ｂとが直線（ロ）上に並ぶ
と共に、第１の前面側発熱抵抗体18の左側辺18ｂと第２
の背面側発熱抵抗体28の内側辺28ｂとが直線（ハ）上に
並ぶように、各発熱抵抗体が配置されている。この結
果、絶縁基板前面12ｃ側の加熱領域α1と背面12ｄ側の
加熱領域α2，α3とが、絶縁基板12を挟んで重複するこ
とがなく、また前面12ｃ側の非加熱領域β1，β2と背面
12ｄ側の非加熱領域β3とが重複することもなく、絶縁
基板12両面の加熱領域と非加熱領域が完全に互い違いに
現れており、絶縁基板12の熱歪みを促進するには最も理
想的な形となっている。しかしながら、本発明の効果を
奏するには、このように一方面の加熱領域と他方面の非
加熱領域とが、絶縁基板12を間に挟んで厳密に互い違い
となる必要はなく、多少のズレは許容されるものであ
る。

【００２０】図４はその一例を示すものであり、第１の
前面側発熱抵抗体18の右側辺18ａと第１の背面側発熱抵
抗体26の内側辺26ｂとが、絶縁基板12を間に挟んで所定
の幅Ｗ1だけ重複すると共に、第１の前面側発熱抵抗体1
8の左側辺18ｂと第２の背面側発熱抵抗体28の内側辺28
ｂとが、絶縁基板12を間に挟んで同じ幅Ｗ2だけ重複し
ているものである。したがって、前面12ｃ側の加熱領域
α1と、背面12ｄ側の加熱領域α2，α3との間には、上
記幅Ｗ1，Ｗ2に対応した重複部分γ1，γ2が生じてい
る。

【００２１】あるいは、図５に示すように、第１の前面
側発熱抵抗体18の両側辺18ａ，18ｂと、第１の背面側発
熱抵抗体26の内側辺26ｂ及び第２の背面側発熱抵抗体28
の内側辺28ｂとの間に、絶縁基板12を間に挟んで所定の
間隔Ｉ1，Ｉ2を設けてもよい。この結果、前面12ｃ側の
非加熱領域β1，β2と背面12ｄ側の非加熱領域β3との
間には、上記間隔Ｉ1，Ｉ2に対応した重複部分δ1，δ2
が生じることとなる。

【００２２】上記第１のヒューズ抵抗器10においては、
第１の前面側発熱抵抗体18と、第１の背面側発熱抵抗体
26及び第２の背面側発熱抵抗体28とを、先端が二股に分
岐した第１の外部端子22，22を介して並列接続して成る
が、絶縁基板12両面の各発熱抵抗体を直列接続しても同
様の効果が得られることはいうまでもない。図６及び図
７はその一例を示すものであり、この第２のヒューズ抵
抗器40は、絶縁基板前面12ｃの中央部分に、砕裂線
（イ）に沿って第１の前面側発熱抵抗体18を被着形成す
ると共に、該第１の前面側発熱抵抗体18の左側辺18ｂに
略Ｌ字型の電極パターン20を被着接続し、該電極パター
ン20の下端部にハンダ24を介して第２の外部端子42を接
続すると共に、第１の前面側発熱抵抗体18の右側辺18ａ
には連結パターン44の第１の帯部44ａが被着接続されて
いる（図６）。

【００２３】また、絶縁基板背面12ｄにおける砕裂線
（イ）の両側には、略Ｈ字型の接続パターン34によって
各々直列接続された第１の背面側発熱抵抗体26と第２の
背面側発熱抵抗体28とが被着形成されており、第１の背
面側発熱抵抗体26の外側辺26ａには略Ｌ字型の電極パタ
ーン32が被着接続されると共に、該電極パターン32の下
端部にはハンダ24を介して第２の外部端子42が接続さ
れ、さらに第２の背面側発熱抵抗体28の外側辺28ａに
は、上記連結パターン44の第２の帯部44ｂが被着接続さ
れている。この連結パターン44の第１の帯部44ａと第２
の帯部44ｂとは、絶縁基板12の側面12ｅから背面12ｄ上
部を横切るように引き回された連結帯44ｃを介して接続
されている。この結果、第１の前面側発熱抵抗体18と第
１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背面側発熱抵抗体28
とは、この連結パターン44を介して直列接続されること
となる。なお、各発熱抵抗体の表面には、沿面放電防止
用のクロスオーバガラス36が被覆されている。

【００２４】この第２のヒューズ抵抗器40にあっても、
第１の前面側発熱抵抗体18と第１の背面側発熱抵抗体26
及び第２の背面側発熱抵抗体28との、絶縁基板12を間に
挟んでの位置関係に関しては、上記第１のヒューズ抵抗
器10と同様である。すなわち、図３に示したように、第
１の前面側発熱抵抗体18と第１の背面側発熱抵抗体26及
び第２の背面側発熱抵抗体28とが、絶縁基板12を間に挟
んで一切重複しないよう各発熱抵抗体を配置してもよ
く、あるいは図４に示したように、第１の前面側発熱抵
抗体18の一部と第１の背面側発熱抵抗体26及び第２の背
面側発熱抵抗体28の一部とが、絶縁基板12を間に挟んで
幅Ｗ1，Ｗ2分重複したり、図５に示したように、第１の
前面側発熱抵抗体18の両側辺と、第１の背面側発熱抵抗
体26の内側辺26ｂ及び第２の背面側発熱抵抗体28の内側
辺28ｂとの間に、絶縁基板12を間に挟んで間隔Ｉ1，Ｉ2
を設けてもよい。

【００２５】図８は、この発明に係る第３のヒューズ抵
抗器50を示すものである。この第３のヒューズ抵抗器50
は、絶縁基板の前面12ｃにおける砕裂線（イ）の右寄り
に第２の前面側発熱抵抗体52を被着形成すると共に、該
第２の前面側発熱抵抗体52の内側辺52ａには、略ロ字型
に回り込んで右下部分が切除された形の電極パターン54
が被着接続されると共に、該電極パターン54の下端部に
はハンダ24を介して第１の外部端子22の第１の分岐部22
ａが接続される。また、第２の前面側発熱抵抗体52の外
側辺52ｂには、略Ｌ字型の電極パターン32が被着接続さ
れ、その下端部にはハンダ24を介して第１の外部端子22
の第１の分岐部22ａが接続されている。さらに、第２の
前面側発熱抵抗体52の表面には、沿面放電防止用のクロ
スオーバガラス36が被覆されている。この第２の前面側
発熱抵抗体52の被着箇所をより正確に特定すれば、まず
絶縁基板前面12ｃにおける砕裂線（イ）の右側にその主
要部が位置し、その内側辺52ａが僅かに砕裂線（イ）よ
りも左側にはみ出し、丁度上部切欠部14の左辺14ｂ及び
下部切欠部16の左辺16ｂを結ぶ線（ニ）と接するよう配
置されている。

【００２６】上記絶縁基板の背面12ｄ側の構成は、上記
前面12ｃ側の構成と同一のため、同じく図８に基づいて
説明すると、上記絶縁基板12の背面12ｄにおける、上記
第２の前面側発熱抵抗体52を形成した側と反対寄り（図
中右寄り）に第３の背面側発熱抵抗体56が被着形成さ
れ、該第３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56ａには略ロ
字型の電極パターン54が被着接続され、該電極パターン
54の下端部にはハンダ24を介して第１の外部端子22の第
２の分岐部22ｂが接続されると共に、該第３の背面側発
熱抵抗体56の外側辺には略Ｌ字型の電極パターン32が被
着接続され、その下端部にはハンダ24を介して第１の外
部端子22の第２の分岐部22ｂが接続されており、該第３
の背面側発熱抵抗体56の表面には、沿面放電防止用のク
ロスオーバガラス36が被覆されている。

【００２７】この結果、図８のＢ−Ｂ’拡大断面図であ
る図９に示すように、第２の前面側発熱抵抗体52と、第
３の背面側発熱抵抗体56とは、絶縁基板12を間に挟んで
右左にその主要部が配置され、絶縁基板前面12ｃの右側
には第２の前面側発熱抵抗体52によって被覆された加熱
領域α4が、左側には該加熱領域α4よりも若干狭い非加
熱領域β4が現れると共に、絶縁基板背面12ｄの左側に
は第３の背面側発熱抵抗体56によって被覆された加熱領
域α5が、右側には該加熱領域α5よりも若干狭い非加熱
領域β5が現れる。

【００２８】この第３のヒューズ抵抗器50に、上記第１
の外部端子22，22を介して過電流が流れると、第２の前
面側発熱抵抗体52及び第３の背面側発熱抵抗体56が発熱
し、絶縁基板12の前面12ｃ及び背面12ｄが同時に加熱さ
れる。この結果、絶縁基板12は熱歪みを起こし、上記砕
裂線（イ）に沿って左右に砕裂される。この際、絶縁基
板の前面12ｃにおいては、中央付近から右側に広がる加
熱領域α4のみが高温に加熱され、その左側の非加熱領
域β4には温度変化がほとんど生じない。反対に、絶縁
基板の背面12ｄにおいては、中央付近よりも右側に位置
する非加熱領域β5部分はほとんど温度変化が生じない
のに対し、その左側に広がる加熱領域α5部分は極めて
高温に加熱されることとなる。このように、絶縁基板12
の同一面においてそれぞれ温度分布の不均一性が現出す
るのみならず、絶縁基板の前面12ｃ及び背面12ｄ間にお
いても、加熱領域と非加熱領域とが絶縁基板12を間に挟
んで互い違いに配置され、一方面が高温で他方面が低温
という温度分布の不均一性が生じるため、絶縁基板12の
熱歪みが促進され、これを短時間の中に完全に砕裂する
ことが可能となる。

【００２９】図９においては、第２の前面側発熱抵抗体
52の内側辺52ａと第３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56
ａとが、絶縁基板12を間に挟んで所定の幅Ｗ3だけ重複
し、したがって両面の加熱領域α4，α5が一部重複する
例を示したが、両発熱抵抗体の配置パターンはこれに限
定されるものではない。例えば、図１０に示すように、
第２の前面側発熱抵抗体52の内側辺52ａと第３の背面側
発熱抵抗体56の内側辺56ａとが、絶縁基板12の中心線
（ホ）に並ぶように配置してもよい。この結果、絶縁基
板12の両面における加熱領域α4，α5同士及び非加熱領
域β4，β5同士は、絶縁基板12を間に挟んで一切重複す
ることがなくなり、絶縁基板12の熱歪み促進という点で
最も効率的となる。あるいは、図１１に示すように、第
２の前面側発熱抵抗体52の内側辺52ａと第３の背面側発
熱抵抗体56の内側辺56ａとの間に、間隔Ｉ3が形成され
るように両発熱抵抗体を配置してもよい。この場合、前
面12ｃ側の非加熱領域β4の一部と背面12ｄ側の非加熱
領域β5の一部が、上記間隔Ｉ3の分だけ重複することと
なるが、その重複度合いが比較的小さい範囲に止まる限
り、絶縁基板12の砕裂特性に悪影響は与えないものであ
る。

【００３０】上記第３のヒューズ抵抗器50は、上記第１
のヒューズ抵抗器10と同様、第２の前面側発熱抵抗体52
と第３の背面側発熱抵抗体56とを、先端が二股に分岐し
た第１の外部端子22，22を介して並列接続して成るが、
両発熱抵抗体を直列接続しても同様の効果を発揮し得る
ものである。図１２及び図１３はその一例を示すもので
あり、この第４のヒューズ抵抗器60は、絶縁基板の前面
12ｃにおける砕裂線（イ）の右寄りに第２の前面側発熱
抵抗体52を被着形成すると共に、該第２の前面側発熱抵
抗体52の内側辺52ａには、略ロ字型の電極パターン54が
被着接続されると共に、該電極パターン54の下端部には
ハンダ24を介して第２の外部端子42が接続される。ま
た、第２の前面側発熱抵抗体52の外側辺52ｂには、連結
パターン44の第１の帯部44ａが被着接続されている。

【００３１】また、絶縁基板の背面12ｄにおける砕裂線
（イ）の右側（上記第２の前面側発熱抵抗体52の反対
側）寄りには、第３の背面側発熱抵抗体56が被着形成さ
れ、該第３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56ａには略ロ
字型の電極パターン54が被着接続され、該電極パターン
54の下端部にはハンダ24を介して第２の外部端子42が接
続されると共に、外側辺56ｂには上記連結パターン44の
第２の帯部44ｂが被着接続されている。この連結パター
ン44の第１の帯部44ａと第２の帯部44ｂとは、絶縁基板
の側面12ｅから背面12ｄ上部を横切るように引き回され
た連結帯44ｃを介して接続されている。この結果、第２
の前面側発熱抵抗体52と第３の背面側発熱抵抗体56と
は、この連結パターン44を介して直列接続されることと
なる。なお、各発熱抵抗体の表面には、沿面放電防止用
のクロスオーバガラス36が被覆されている。

【００３２】この第４のヒューズ抵抗器60にあっても、
第２の前面側発熱抵抗体52と第３の背面側発熱抵抗体56
との、絶縁基板12を間に挟んでの位置関係に関しては、
上記第３のヒューズ抵抗器50と同様である。すなわち、
図９に示したように、第２の前面側発熱抵抗体52の内側
辺52ａと第３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56ａとが、
絶縁基板12を間に挟んで所定の幅Ｗ3だけ重複するよう
両発熱抵抗体を配置してもよく、あるいは図１０に示し
たように、第２の前面側発熱抵抗体52の内側辺52ａと第
３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56ａとが、絶縁基板12
の中心線（ホ）に並ぶように配置したり、図１１に示し
たように、第２の前面側発熱抵抗体52の内側辺52ａと第
３の背面側発熱抵抗体56の内側辺56ａとの間に、間隔Ｉ
3が形成されるように両発熱抵抗体を配置してもよい。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係るヒューズ抵抗器にあって
は、絶縁基板の前面及び背面のそれぞれに、発熱抵抗体
で被覆された加熱領域と、発熱抵抗体の存在しない非加
熱領域とを設けると共に、前面側の加熱領域と背面側の
非加熱領域、及び前面側の非加熱領域と背面側の加熱領
域とが、絶縁基板を間に挟んで重複するよう構成したた
め、過電流の通電時には、絶縁基板の各面において高温
に加熱される部分と低温を維持する部分とが生じるのみ
ならず、異なった面同士においても高温に加熱される部
分と低温を維持する部分とが重複することとなり、この
温度分布の不均一性によって、絶縁基板の熱歪みが著し
く助長される。このため、発熱抵抗体の抵抗値を極端に
高く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くすることな
く、極めて短時間のうちに絶縁基板を完全に砕裂するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１のヒューズ抵抗器の前面側を
示す斜視図である。

【図２】第１のヒューズ抵抗器の背面側を示す斜視図で
ある。

【図３】図１のＡ−Ａ’拡大断面図である。

【図４】第１のヒューズ抵抗器の変更例を示す拡大断面
図である。

【図５】第１のヒューズ抵抗器の他の変更例を示す拡大
断面図である。

【図６】第２のヒューズ抵抗器の前面側を示す斜視図で
ある。

【図７】第２のヒューズ抵抗器の背面側を示す斜視図で
ある。

【図８】第３のヒューズ抵抗器を示す斜視図である。

【図９】図８のＢ−Ｂ’拡大断面図である。

【図１０】第３のヒューズ抵抗器の変更例を示す拡大断
面図である。

【図１１】第３のヒューズ抵抗器の他の変更例を示す拡
大断面図である。

【図１２】第４のヒューズ抵抗器の前面側を示す斜視図
である。

【図１３】第４のヒューズ抵抗器の背面側を示す斜視図
である。

【図１４】従来のヒューズ抵抗器を示す斜視図である。

【図１５】従来のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視
図である。

【図１６】図１５のＣ−Ｃ’拡大部分断面図である。

【符号の説明】

10 第１のヒューズ抵抗器 12 絶縁基板 12ｃ 絶縁基板の前面 12ｄ 絶縁基板の背面 14 上部切欠部 14ａ 上部切欠部の頂点 16 下部切欠部 16ａ 下部切欠部の頂点 18 第１の前面側発熱抵抗体 26 第１の背面側発熱抵抗体 28 第２の背面側発熱抵抗体 30 間隔 40 第２のヒューズ抵抗器 50 第３のヒューズ抵抗器 52 第２の前面側発熱抵抗体 56 第３の背面側発熱抵抗体 60 第４のヒューズ抵抗器 （イ） 砕裂線 α1〜α5 加熱領域 β1〜β5 非加熱領域

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着さ
   れた発熱抵抗体とを備え、該発熱抵抗体に過電流が流れ
   た場合に、その発熱作用によって上記絶縁基板が加熱さ
   れて砕裂し、以て上記発熱抵抗体が切断されて過電流の
   通電を遮断するよう構成したヒューズ抵抗器において、
   上記発熱抵抗体を上記絶縁基板の前面の一部及び背面の
   一部にそれぞれ被着して、該絶縁基板の各面に発熱抵抗
   体に被覆された加熱領域と発熱抵抗体の存在しない非加
   熱領域とを形成し、さらに、前面側の加熱領域の少なく
   とも一部と背面側の非加熱領域の少なくとも一部とが、
   絶縁基板を間に挟んで重複すると共に、前面側の非加熱
   領域の少なくとも一部と背面側の加熱領域の少なくとも
   一部とが、絶縁基板を間に挟んで重複するように、各発
   熱抵抗体を配置したことを特徴とするヒューズ抵抗器。
2. 【請求項２】 上記絶縁基板の対向する二辺にそれぞれ
   切欠部を形成し、該絶縁基板の前面に、両切欠部を結ぶ
   線に沿って一の発熱抵抗体を被着して加熱領域を形成す
   ると共に、該加熱領域の両側を非加熱領域と成し、ま
   た、上記絶縁基板の背面における上記線の両側に、一対
   の発熱抵抗体を所定の間隔をおいて被着して加熱領域を
   形成すると共に、両加熱領域の間を非加熱領域と成した
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
3. 【請求項３】 上記絶縁基板の対向する二辺にそれぞれ
   切欠部を形成し、該絶縁基板の前面における両切欠部を
   結ぶ線によって二分された一方の側に、一の発熱抵抗体
   の少なくとも主要部を被着して加熱領域を形成すると共
   に、他方の側の少なくとも一部を非加熱領域と成し、ま
   た上記絶縁基板の背面における上記線によって二分され
   た中で、上記絶縁基板を間に挟んで上記前面側の非加熱
   領域と対応する側に他の発熱抵抗体の少なくとも主要部
   を被着して加熱領域を形成すると共に、上記前面側の加
   熱領域と対応する側の少なくとも一部を非加熱領域と成
   したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗
   器。
4. 【請求項４】 上記前面側の発熱抵抗体と背面側の発熱
   抵抗体とが、それぞれ並列接続されていることを特徴と
   する請求項１乃至３の何れかに記載のヒューズ抵抗器。
5. 【請求項５】 上記前面側の発熱抵抗体と背面側の発熱
   抵抗体とが、それぞれ直列接続されていることを特徴と
   する請求項１乃至３の何れかに記載のヒューズ抵抗器。