JP2009070803A - 抵抗付き温度ヒューズ及び電池保護回路板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基板片面上の両側膜電極a、bと中間膜電極2にわたってヒューズエレメント3が設けられ、各膜電極a、bに帯状リード導体A、Bの先端が接合され、前記基板の片面が絶縁封止物5で覆われ、基板他面上の前後膜電極41、42にまたがって膜抵抗rが設けられ、一方膜電極42が前記中間膜電極2に電気的に結線され、他方膜電極41のサイド部cに帯状リード導体Cの先端部が面接触のもとで接合されてなり、帯状リード導体A、Bの前記基板の縁端に近接する箇所に基板他面側に上がる段差eが形成され、その段差の上側面と基板他面との高さの差が帯状リード導体Cの厚みにほぼ等しくされている。
【選択図】図1
Description
図4は、二次電池に対する保護回路の一例を示し、過充電防止スイッチ用FET(N)と過放電防止スイッチ用FET(M)との間に抵抗付き温度ヒューズA0を接続している。
この抵抗付き温度ヒューズにおいては、直列の2つのヒューズエレメント部分n、mに対し抵抗r例えば膜抵抗を該抵抗の通電発熱で両ヒューズエレメント部分を溶断させ得るように熱的に結合して設け、この抵抗を両ヒューズエレメント部分に対し電気的に並列に接続してある。SはIC制御部であり、充電時、過充電を検出し過充電防止信号を発生して過充電防止用FETをスイッチオフさせ、放電時、過放電を検出し過放電防止信号を発生して過放電防止用FETをスイッチオフさせている。これらFETでは対処できないときには、IC回路SからトランジスタTrにオン信号が発せられ、トランジスタTrの導通により抵抗付き温度ヒューズA0の抵抗rを二次電池を電源として通電発熱させ、その発生熱でヒューズエレメントを溶断させて二次電池と負荷(充電時は充電源)との間を遮断している。
而るに、従来の抵抗付き温度ヒューズでは、動作可能な運転電力の下限が相当に高く、またヒューズエレメントの溶断可能な運転電力の上限が相当に低く、全体として運転電力範囲が狭いという不都合もある。
更に、抵抗付き温度ヒューズの使用可能な運転電力範囲を拡大することにある。
本願の請求項2に係る抵抗付き温度ヒューズは、基板の片面上に両側膜電極a、bと中間膜電極とを有し、これらの膜電極にわたってヒューズエレメントが設けられ、両側の各膜電極a、bに基板他面に通じる孔が設けられ、先端がかぎ状に曲げられ先端近傍部が基板他面に面接触された状態でのかぎ状先端部の基板他面側からの前記孔への収容と各孔へのはんだ充填によって前記帯状リード導体A、Bが前記膜電極a、bに接続され、基板の他面上に前後の膜電極が設けられ、これら前後の膜電極にまたがって膜抵抗が設けられ、両膜電極のうちの一方が前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極に電気的に結線され、同両膜電極のうちの他方の膜電極にサイド部cが設けられ、このサイド部cに帯状リード導体Cの先端部が面接触のもとで接合され、前記基板の片面が絶縁封止物で覆われていることを特徴とする。
本願の請求項3に係る抵抗付き温度ヒューズは、基板の片面上に両側膜電極a、bと中間膜電極とサイド膜電極とを有し、両側膜電極a、bと中間膜電極にわたってヒューズエレメントが設けられ、基板他面に前記膜電極a、bにスルーホールにより導通された補助膜電極a”、b”が設けられ、各補助膜電極a”、b”に帯状リード導体A、Bが面接触で接合され、基板の他面上に前後の膜電極が設けられ、これら前後の膜電極にまたがって膜抵抗が設けられ、前後の両膜電極のうちの一方が前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極にスルーホールにより電気的に結線され、前後の両膜電極のうちの他方が前記基板片面のサイド膜電極に電気的に結線され、サイド膜電極に帯状リード導体Cの先端が接合され、その接合箇所に臨む基板切欠部を経て基板の他面側に上がる段差が帯状リード導体Cに形成され、前記基板の片面が絶縁封止物で覆われていることを特徴とする。
本願の請求項4に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜3何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、前後の両膜電極のうちの一方の前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極への電気的結線がスルーホールにより行われていることを特徴とする。
本願の請求項5に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜4何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、帯状リード導体A、B、Cの厚みが等しくされていることを特徴とする。
本願の請求項6に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜5何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、ヒューズエレメントが複数本の並列素線からなることを特徴とする。
本願の請求項7に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜6何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、基板の厚みが450〜250μmであり、帯状リード導体A、BまたはCと膜電極との接合がはんだ付けにより行われていることを特徴とする。
本願の請求項8に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項7の抵抗付き温度ヒューズにおいて、はんだの融点がヒューズエレメントの融点よりも高くされていることを特徴とする。
本願の請求項9に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項7または8の抵抗付き温度ヒューズにおいて、膜電極aまたはbに、帯状リード導体AまたはBと膜電極aまたはbとのはんだ付け箇所から膜電極aまたはbとヒューズエレメントとの接合箇所に至る間にはんだ拡がり防止バリアが設けられていることを特徴とする。
本願の請求項10に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜9何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、膜電極aと中間電極との間のヒューズエレメント部分と膜電極bと中間電極との間のヒューズエレメント部分とを所定の優先順位で溶断させるように、膜電極aと中間電極との間隔と膜電極bと中間電極との間隔または両ヒューズエレメント部分に対する中間電極の縁端形状が異ならされていることを特徴とする。
本願の請求項11に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜10何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、ヒューズエレメントがフラックスで覆われていることを特徴とする。
本願の請求項12に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜11何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、基板の片面上にフラックスと接触して所定の高さで配された保護シートと、該シートと基板片面との間にフラックスを囲んで配された硬化樹脂とから絶縁封止物が構成されていることを特徴とする。
本願の請求項13に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜12何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、ヒューズエレメントがFETの許容温度で溶断されるようにヒューズエレメントの融点が設定されていることを特徴とする。
本願の請求項14に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項1〜13何れかの抵抗付き温度ヒューズにおいて、帯状リード導体Cの長手方向熱抵抗が帯状リード導体AまたはBの長手方向熱抵抗よりも高くされていることを特徴とする。
本願の請求項15に係る抵抗付き温度ヒューズは、請求項14の抵抗付き温度ヒューズにおいて、帯状リード導体Cの材質が鉄系とされ、帯状リード導体A及びBの材質が銅系とされていることを特徴とする。
本願の請求項16に係る電池保護用回路板は、配線板上に順方向が互いに逆のFETを間隔を隔てて実装し、請求項1〜15何れかの抵抗付き温度ヒューズの基板部の絶縁封止物側を配線板側に向けてFET間の空間に収容し、帯状リード導体A、Bを一方のFET上に当接し、帯状リード導体Cを他方のFET上面に当接し、帯状リード導体A、B、Cを配線板の配線パターンの所定位置に接合したことを特徴とする。
(2)基板他面の膜抵抗を、基板片面における中間膜電極両側の各ヒューズエレメント部分に対し、遠近の距離を隔てるようにして設けることができ、一方のヒューズエレメント部分を他方のヒューズエレメント部分より確実に早く溶断させることができる。
(3)図6に示すように、間隔を隔てて実装したFETの間に、抵抗付き温度ヒューズの絶縁封止物5を収容し、各帯状リード導体(A,B)、Cを各FETの(M)、Nの上面に乗載する場合、帯状リード導体の上面レベルより上側に突出する部分がなく、実装に必要なスペースが〔(FETの実装高さ)+(帯状リード導体の厚み)〕となり、充分に薄い二次電池保護用回路板を提供できる。
(4)膜抵抗rのリード導体である帯状リード導体Cの長手方向熱抵抗が高くされているから、膜抵抗発生熱をそのリード導体Cより漏出するのをよく防止してヒューズエレメントに効率良く伝達させることができるから、膜抵抗の発熱に費やされる電力が低くてもヒューズエレメントを良好に溶断作動させ得る。また、ヒューズエレメントの溶断性を高めヒューズエレメント不溶断の危険性を低減でき、高い運転電力のもとでも、ヒューズエレメントの不溶断を排除して膜抵抗の爆裂破断をよく回避できる。従って、抵抗付き温度ヒューズを使用できる運転電力範囲を拡張できる。
図1は請求項1に係る実施例を示し、図1の(イ)は絶縁封止物を省略して図示した上面図、図1の(ロ)は裏面図、図1の(ハ)は図1の(イ)におけるハ−ハ断面図である。
図1の(イ)において、1は耐熱性、熱良伝導性の絶縁基板例えばセラミックス板である。a及びbは絶縁基版の片面の両側に形成した膜電極、2は中間電極であり、導体ペースト例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより形成してある。3はヒューズエレメントであり、両側膜電極a、b及び中間膜電極2にまたがって配設し、膜電極a、b、2の交差箇所を溶接してある。ヒューズエレメント3は中間膜電極2を挾む部分n及びmに区分されている。ヒューズエレメント3にはフラックスが塗布されているが、その図示は省略されている。A、Bは両側膜電極a、bのそれぞれに接合された帯状リード導体であり、基板1の手前側の両隅が切欠けられ、各帯状リード導体A、Bに図1の(ハ)に示すように、切欠縁端に近接した位置において基板の他面側に上る段差eが形成され、段差eの上側の面α(β)が基板他面10に対し、帯状リード導体A、Bの厚みだけ上側に位置されている。
図1の(ロ)において、41、42は基板他面10上に設けられた前後の膜電極であり、前記基板片面の膜電極a、bと同様に導体ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。rは前後の膜電極41、42間に設けられた膜抵抗であり、抵抗ペースト例えば酸化ルテニウム粉末ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。膜抵抗r上には、保護膜例えばガラス焼付け膜gが設けられている。前後の膜電極41、42の一方42は、基板片面の中間膜電極2にスルーホール24により結線されている。cは前後膜電極41、42の他方41に付設されたサイド部、Cは帯状リード導体であり、先端部が前記サイド部cに面接合で接合されている。5は基板片面101を覆う絶縁封止物であり、例えば図1の(ハ)に示すように、基板片面上にフラックスと接触して配された保護シート例えばセラミックスシート、ガラスクロスシートと該保護シート51と基板片面101との間にフラックスを囲んで固まった硬化性樹脂例えばエポキシ樹脂52とから構成されている。
前記帯状リード導体A、B及び帯状リード導体Cとは共に厚みが等しく、図1の(ハ)に示すように、基板他面よりその厚みだけ高いレベルで同一面内で延びている。
図2の(イ)において、1は耐熱性、熱良伝導性の絶縁基板例えばセラミックス板である。a、bは絶縁基版1の片面101の両側に形成した膜電極、2は中間電極であり、導体ペースト例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより形成してある。3はヒューズエレメントであり、両側膜電極a、b及び中間膜電極2にまたがって配設し、膜電極a、b、2との交差箇所を溶接してある。ヒューズエレメント3は中間膜電極2を挾む部分n及びmに区分されている。ヒューズエレメント3にはフラックスが塗布されているが、その図示は省略されている。a’、b’は前記各膜電極a、bに設けられたリード導体接合用孔、A、Bは帯状リード導体であり、図2の(ハ)に示すように、先端がかぎ状に曲げられ、このかぎ部が前記の孔a’、b’に基板他面10側から収容され孔a’、b’へのはんだの充填により先端部が基板他面10に面接触された状態で前記の各膜電極a、bに接合されている。
図2の(ロ)において、41、42は基板他面10上に設けられた前後の膜電極であり、前記基板片面101の膜電極a、bと同様に導体ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。rは前後の膜電極41、42間に設けられた膜抵抗であり、抵抗ペースト例えば酸化ルテニウム粉末ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。膜抵抗上には、保護膜例えばガラス焼付け膜gが設けられている。前後の膜電極41、42の一方42は、基板片面101の中間膜電極2にスルーホール24により結線されている。cは前後膜電極41、42の他方41に付設されたサイド部、Cは帯状リード導体であり、先端部が前記サイド部cに面接触で接合されている。5は基板片面101を覆う絶縁封止物であり、例えば図2の(ハ)に示すように、基板片面101上にフラックスと接触して配された保護シート51例えばセラミックスシート、ガラスクロスシートと該保護シート51と基板片面101との間にフラックスを囲んで固まった硬化性樹脂52例えばエポキシ樹脂とから構成されている。
前記帯状リード導体A、B及び帯状リード導体Cとは共に厚みが等しく、図2の(ハ)に示すように、基板他面10よりそのリード導体厚みだけ高いレベルで同一面内で延びている。
図3の(イ)において、1は耐熱性、熱良伝導性の絶縁基板例えばセラミックス板である。a、bは絶縁基版1の片面101の両側に形成した膜電極、2は中間電極であり、導体ペースト例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより形成してある。3はヒューズエレメントであり、両側膜電極a、b及び中間膜電極2にまたがって配設し、膜電極a、b、2との交差箇所を溶接してある。ヒューズエレメント3は中間膜電極2を挾む部分n及びmに区分されている。ヒューズエレメント3にはフラックスが塗布されているが、その図示は省略されている。a”、b”は基板他面10に設けられた補助膜電極であり、前記膜電極a、bにスールホールa’、b’により導通されている。A、Bは補助膜電極a”、b”のそれぞれに面接触で接合された帯状リード導体でる。
図3の(ロ)において、41、42は基板他面10上に設けられた前後の膜電極であり、前記基板片面101の膜電極a、bと同様に導体ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。rは前後の膜電極41、42間に設けられた膜抵抗であり、抵抗ペースト例えば酸化ルテニウム粉末ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。膜抵抗上には、保護膜例えばガラス焼付け膜gが設けられている。
前後の膜電極41、42の一方42は、基板片面101の中間膜電極2にスルーホール24により結線されている。
図3の(イ)において、cは基板片面101に設けられたサイド膜電極であり、基板他面10の前記した前後膜電極41、42の他方41にスルホール240により結線されている。Cは基板片面101のサイド膜電極cに接合された帯状リード導体であり、基板縁端にサイド膜電極cに臨んで形成された凹溝〔図3の(ロ)(ハ)においてc”で示されている〕を経て図3の(ハ)に示すように基板他面側に上がる段差eが形成され、帯状リード導体Cの先端が基板片面101のサイド膜電極cに接合され、図3の(ハ)に示すように前記段差eのために基板他面10側に上がって基板他面10と同一面内で延在している。
5は基板片面101を覆う絶縁封止物であり、例えば図3の(ハ)に示すように、基板片面101上にフラックスと接触して配された保護シート51例えばセラミックスシート、ガラスクロスシートと該保護シート51と基板片面101との間にフラックスを囲んで固まった硬化性樹脂52例えばエポキシ樹脂とから構成されている。
前記帯状リード導体A、B及び帯状リード導体Cとは共に厚みが等しく、基板他面よりその厚みだけ高いレベルで同一面内で延びている。
本発明に係る抵抗付き温度ヒューズにおいては、基板他面10のほぼ全面を膜抵抗r及びその端子用膜電極41、42の形成に使用しており、膜抵抗の形成に必要な上記スペースを基板の他面に確保でき、小型性を担保できる。
この充電時、充電源D側のヒューズエレメント部分nを二次電池E側のヒューズエレメント部分mよりも先に溶断させることが、パワーの大きい充電源Dを先に切り離すことになり安全である。
而るに、本発明に係る抵抗付き温度ヒューズにおいては、基板他面の膜抵抗rを基板片面のヒューズエレメント3の中心に対し偏在させ、ヒューズエレメント部分nは膜抵抗rに近く、ヒューズエレメント部分mは遠くしてあるから、ヒューズエレメント部分nをヒューズエレメント部分mよりも先に溶断させることができる。
膜電極aと中間電極2との間のヒューズエレメント部分mと膜電極bと中間電極2との間のヒューズエレメント部分nとを所定の優先順位で溶断させるように、膜電極aと中間電極2との間隔と膜電極bと中間電極2との間隔を異ならしめること、または図5−1または図5−2に示すように両ヒューズエレメント部分n、mに対する中間電極2の縁端形状を異ならしめることもできる。
この二次電池保護用回路板においては、抵抗付き温度ヒューズの基板他面10が帯状リード導体A、B、Cの上面よりも低い位置にあり、抵抗付き温度ヒューズの本体部がリード導体の上面に対して出張っておらず、最大実装厚みHをFETの実装高さhに帯状リード導体A、B、Cの厚みを足したものにとどめることができ、二次電池保護用回路板の最大厚みHmaxを2000μm程度に抑え得て電池パック内への収容を容易に行うことができる。
従って、膜電極と帯状リード導体との接合ははんだ付けにより行うことが好ましい。
10 基板他面
101 基板片面
a、b 両側膜電極
2 中間膜電極
3 ヒューズエレメント
n、m ヒューズエレメント部分
41、42 前後膜電極
c 前膜電極のサイド部
r 膜抵抗
A、B、C 帯状リード導体
5 絶縁封止物
Claims (16)
- 基板の片面上に両側膜電極a、bと中間膜電極を有し、これらの膜電極にわたってヒューズエレメントが設けられ、両側の各膜電極に帯状リード導体A、Bの先端が接合され、前記基板の片面が絶縁封止物で覆われ、基板の他面上に前後の膜電極が設けられ、これら前後の膜電極にまたがって膜抵抗が設けられ、前後の両膜電極のうちの一方が前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極に電気的に結線され、同両膜電極のうちの他方の膜電極にサイド部cが設けられ、このサイド部cに帯状リード導体Cの先端部が面接触のもとで接合されてなり、帯状リード導体A、Bの前記基板の縁端に近接する箇所に基板他面側に上がる段差が形成され、その段差の上側面と基板他面との高さの差が帯状リード導体Cの厚みにほぼ等しくされていることを特徴とする抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の片面上に両側膜電極a、bと中間膜電極とを有し、これらの膜電極にわたってヒューズエレメントが設けられ、両側の各膜電極a、bに基板他面に通じる孔a’、b’が設けられ、リード導体先端がかぎ状に曲げられ先端近傍部が基板他面に面接触された状態でのかぎ状先端部の基板他面側からの前記孔への収容と各孔へのはんだ充填によって前記帯状リード導体A、Bが前記膜電極a、bに接続され、基板の他面上に前後の膜電極が設けられ、これら前後の膜電極にまたがって膜抵抗が設けられ、前後の両膜電極のうちの一方が前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極に電気的に結線され、同両膜電極のうちの他方の膜電極にサイド部cが設けられ、このサイド部cに帯状リード導体Cの先端部が面接触のもとで接合され、前記基板の片面が絶縁封止物で覆われていることを特徴とする抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の片面上に両側膜電極a、bと中間膜電極とサイド膜電極とを有し、両側膜電極a、bと中間膜電極にわたってヒューズエレメントが設けられ、基板他面に前記膜電極a、bにスルーホールにより導通された補助膜電極a”、b”が設けられ、各補助膜電極a”、b”に帯状リード導体A、Bが面接触で接合され、基板の他面上に前後の膜電極が設けられ、これら前後の膜電極にまたがって膜抵抗が設けられ、前後の両膜電極のうちの一方が前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極に電気的に結線され、前後の両膜電極のうちの他方が前記基板片面のサイド膜電極に電気的に結線され、サイド膜電極に帯状リード導体Cの先端が接合され、その接合箇所に臨む基板切欠部を経て基板の他面側に上がる段差が帯状リード導体Cに形成され、前記基板の片面が絶縁封止物で覆われていることを特徴とする抵抗付き温度ヒューズ。
- 前後の両膜電極のうちの一方の前記ヒューズエレメントに対する前記中間膜電極への電気的結線がスルーホールにより行われていることを特徴とする請求項1〜3何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 帯状リード導体A、B、Cの厚みが等しくされていることを特徴とする請求項1〜4何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- ヒューズエレメントが複数本の並列素線からなることを特徴とする請求項1〜5何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の厚みが450〜250μmであり、帯状リード導体A、BまたはCと膜電極との接合がはんだ付けにより行われていることを特徴とする請求項1〜6何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- リード導体接合はんだの融点がヒューズエレメントの融点よりも高くされていることを特徴とする請求項7記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 膜電極aまたはbに、帯状リード導体AまたはBと膜電極aまたはbとの接合箇所から膜電極aまたはbとヒューズエレメントとの接合箇所に至る間にはんだ拡がり防止バリアが設けられていることを特徴とする請求項7または8記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 膜電極aと中間電極との間のヒューズエレメント部分と膜電極bと中間電極との間のヒューズエレメント部分とを所定の優先順位で溶断させるように、膜電極aと中間電極との間隔と膜電極bと中間電極との間隔または両ヒューズエレメント部分に対する中間電極の縁端形状が異ならされていることを特徴とする請求項1〜9何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- ヒューズエレメントがフラックスで覆われていることを特徴とする請求項1〜10何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 基板の片面上にフラックスと接触して所定の高さで配された保護シートと、該シートと基板片面との間にフラックスを囲んで配された硬化樹脂とから絶縁封止物が構成されていることを特徴とする請求項1〜11何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- ヒューズエレメントがFETの許容温度で溶断されるようにヒューズエレメントの融点が設定されていることを特徴とする請求項1〜12何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 帯状リード導体Cの長手方向熱抵抗が帯状リード導体AまたはBの長手方向熱抵抗よりも高くされていることを特徴とする請求項1〜13何れか記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 帯状リード導体Cの材質が鉄系とされ、帯状リード導体A及びBの材質が銅系とされていることを特徴とする請求項14記載の抵抗付き温度ヒューズ。
- 配線板上に順方向が互いに逆のFETを間隔を隔てて実装し、請求項1〜15何れか記載の抵抗付き温度ヒューズの基板部の絶縁封止物側を配線板側に向けてFET間の空間に収容し、帯状リード導体A、Bを一方のFET上に当接し、帯状リード導体Cを他方のFET上面に当接し、帯状リード導体A、B、Cを配線板の配線パターンの所定位置に接合したことを特徴とする電池保護用回路板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008158791A JP4663758B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-06-18 | 抵抗付き温度ヒューズ及び電池保護回路板 |
KR1020080080091A KR20090019697A (ko) | 2007-08-20 | 2008-08-14 | 저항부착 온도퓨즈 및 전지보호 회로판 |
TW097131569A TW200933683A (en) | 2007-08-20 | 2008-08-19 | Temperature fuse with resistor and battery protection circuit board |
CN2008102110443A CN101373682B (zh) | 2007-08-20 | 2008-08-20 | 带电阻温度保险丝以及电池保护电路板 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007213316 | 2007-08-20 | ||
JP2008158791A JP4663758B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-06-18 | 抵抗付き温度ヒューズ及び電池保護回路板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009070803A true JP2009070803A (ja) | 2009-04-02 |
JP4663758B2 JP4663758B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=40447778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008158791A Active JP4663758B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-06-18 | 抵抗付き温度ヒューズ及び電池保護回路板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4663758B2 (ja) |
KR (1) | KR20090019697A (ja) |
CN (1) | CN101373682B (ja) |
TW (1) | TW200933683A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016039208A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子及び実装体 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010133176A1 (en) | 2009-05-21 | 2010-11-25 | Byd Company Limited | Current fuse device and battery assembly comprising the same |
CN102117720A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种温度保护装置 |
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JPS6298134U (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-23 | ||
JPS63139739U (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-14 | ||
JPH0180742U (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-30 | ||
JPH0877899A (ja) * | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒュ−ズ |
JP2003217416A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Nec Schott Components Corp | 温度ヒュ−ズおよびこれを装着した保護装置 |
JP2004214032A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Sony Chem Corp | 保護素子 |
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2008158791A patent/JP4663758B2/ja active Active
- 2008-08-14 KR KR1020080080091A patent/KR20090019697A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-08-19 TW TW097131569A patent/TW200933683A/zh unknown
- 2008-08-20 CN CN2008102110443A patent/CN101373682B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016062649A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子及び実装体 |
KR20170055447A (ko) * | 2014-09-12 | 2017-05-19 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 보호 소자 및 실장체 |
CN106796857A (zh) * | 2014-09-12 | 2017-05-31 | 迪睿合株式会社 | 保护元件及安装体 |
TWI676199B (zh) * | 2014-09-12 | 2019-11-01 | 日商迪睿合股份有限公司 | 保護元件及構裝體 |
KR102523229B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2023-04-18 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 보호 소자 및 실장체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101373682B (zh) | 2013-01-09 |
JP4663758B2 (ja) | 2011-04-06 |
CN101373682A (zh) | 2009-02-25 |
KR20090019697A (ko) | 2009-02-25 |
TW200933683A (en) | 2009-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A975 | Report on accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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