JP2000182493A - 回路用保護素子 - Google Patents
回路用保護素子Info
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Abstract
作動特性の向上を図る。 【解決手段】抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3と
溶融したエレメント6,6との濡れ面積をヒュ−ズエレ
メント用電極2,2と前記溶融エレメントとの濡れ面積
よりも大きくするようにした。
Description
し、特にリチウムイオン二次電池の保護に有用なもので
ある。
を用いた温度ヒュ−ズとして、絶縁基板上に一対の電極
を設け、この電極間に低融点可溶合金片を接続し、該低
融点可溶合金片にフラックスを塗布し、該フラックス塗
布低融点可溶合金片を樹脂等で封止した、所謂基板型温
度ヒュ−ズが汎用されており、機器の異常発熱により低
融点可溶合金片が溶融され、溶融フラックスとの共存下
溶融合金が電極への濡れによる引張りで分断されて機器
への通電が遮断され、機器の致命的破壊が未然に防止さ
れる。
ュ−ズに抵抗体を付設した抵抗体付き温度ヒュ−ズを用
い、上記機器の異常発熱に対する保護の外、この異常発
熱とは異なる機器の異常を検出して抵抗体を通電発熱さ
せ、この発熱でも低融点可溶合金片を溶断させる、機器
の保護方法を既に提案した(特許第2715297
号)。
保護方法をリチウムイオン二次電池の過充電や過放電に
対する保護に利用することが提案されている。すなわ
ち、リチウムイオン二次電池では、過充電により溶媒分
解が発生し、また過放電により負極集電体が溶解するの
で、過電圧や最低電圧を検出し、この検出により上記抵
抗体付き温度ヒュ−ズの抵抗体を通電発熱させ、その発
熱で低融点可溶合金片を溶断させてリチウムイオン二次
電池を負荷回路や充電回路から遮断することが提案され
ている。
用される保護素子としての抵抗体付き温度ヒュ−ズの一
例を示し、絶縁基板1’上に抵抗体用電極4’とヒュ−
ズエレメント用電極2’,2’と抵抗体用兼ヒュ−ズエ
レメント用電極3’が設けられ、抵抗体用電極4’と抵
抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3’との間に膜抵抗
5が設けられ、ヒュ−ズエレメント用電極2’,2’と
抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3’との間に低融
点ヒュ−ズエレメント6,6が設けられ、低融点ヒュ−
ズエレメント6’にフラックス7’が塗布され、抵抗体
やフラックス塗布低融点可溶合金片がエポキシ樹脂等の
封止材9’で封止されている。
たリチウムイオン二次電池を電源とする機器回路を示
し、回路に異常電圧が発生すると、この異常電圧が異常
電圧検出IC回路Dで検出され、この検出作動でトランジ
スタTrが導通状態にされ(異常電圧が異常電圧検出IC
回路Dに加わると、トランジスタTrにベ−ス電流が流
れ、これに伴いコレクタ電流が流れる)、抵抗体付き温
度ヒュ−ズの抵抗体5が通電発熱され、この発熱により
低融点ヒュ−ズエレメント6,6が溶断されてリチウム
イオン二次電池が負荷回路や充電回路から遮断されると
共に抵抗体5の通電が遮断される。
化に伴い付帯機器の小型化が進められ、上記二次電池と
抵抗体付き温度ヒュ−ズや異常電圧検出回路やトランジ
スタ等とをまとめて密閉ケ−ス内に収納すること、また
は樹脂モ−ルドにより包み込むこと、すなわち電池パッ
クとすることが検討され、抵抗体付き温度ヒュ−ズの超
小型化が要求されている。
点可溶合金片の溶断過程は、(1)抵抗体の通電発熱に
よるフラックス及び低融点可溶合金片の溶融、(2)溶
融合金の電極への濡れで発生する引張り力による溶融合
金の分断、(3)分断された各溶融合金の各電極への濡
れ進行による分断間距離の増加、(4)分断間距離が所
定の絶縁距離に達することによる絶縁保証等を経るもの
と考えられる。この場合、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメン
ト用電極が絶縁基板に較べ良熱伝導性であるために抵抗
体の発生熱が主に抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極
を経て低融点ヒュ−ズエレメントに伝達されて抵抗体用
兼ヒュ−ズエレメント用電極上の低融点ヒュ−ズエレメ
ントが早く溶融され、上記(2)や(3)の作用がヒュ
−ズエレメント用電極よりも抵抗体用兼ヒュ−ズエレメ
ント用電極側で優先的に行われると推定される。
−ズの抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極がそのヒュ
−ズ作動時に果たす作用に注目して抵抗体付き温度ヒュ
−ズの小型化乃至は作動特性の向上を図ることにある。
素子は、絶縁基板上に抵抗体用電極とヒュ−ズエレメン
ト用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極が設け
られ、抵抗体用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用
電極との間に抵抗体が設けられ、ヒュ−ズエレメント用
電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極との間に低
融点ヒュ−ズエレメントが設けられ、回路の異常検出に
より抵抗体が通電発熱され、その発熱で低融点ヒュ−ズ
エレメントが溶融され、この溶融エレメントと抵抗体用
兼ヒュ−ズエレメント用電極及びヒュ−ズエレメント用
電極との濡れにより溶融エレメントが分断される保護素
子において、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極と溶
融エレメントとの濡れ面積をヒュ−ズエレメント用電極
と溶融エレメントとの濡れ面積よりも大きくするように
抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極及びヒュ−ズエレ
メント用電極の平面寸法が設定されていることを特徴と
する構成であり、ヒュ−ズエレメント用電極を2個とし
各ヒュ−ズエレメント用電極と1箇の抵抗体用兼ヒュ−
ズエレメント用電極との間に低融点ヒュ−ズエレメント
を設けること、更に1個の抵抗体用兼ヒュ−ズエレメン
ト用電極を挾んでヒュ−ズエレメント用電極を設けるこ
と、更に1個の抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極を
挾んでヒュ−ズエレメント用電極を対称に設けこれらの
ヒュ−ズエレメント用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメ
ント用電極とにわたり直線状低融点ヒュ−ズエレメント
を接続し、この直線状低融点ヒュ−ズエレメントにフラ
ックスを塗布すること、更に全体を直線状低融点ヒュ−
ズエレメントの長さ方向に直交する抵抗体用兼ヒュ−ズ
エレメント用電極中央線に対し対称とすることもでき
る。
実施の形態について説明する。図1の(イ)は本発明に
係る回路用保護素子の一実施例を示す図面、図1の
(ロ)は図1の(イ)におけるロ−ロ断面図である。図
1の(イ)及び図1の(ロ)において、1は耐熱性の絶
縁基板である。2,2は絶縁基板1上に設けた一対のヒ
ュ−ズエレメント用電極であり、低融点ヒュ−ズエレメ
ントが接合されるランド部21とリ−ド線が接合される
リ−ド部22を備えている。3はヒュ−ズエレメント用
電極2,2の中央に設けた抵抗体用兼ヒュ−ズエレメン
ト用電極であり、この抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用
電極3の後述する溶融ヒュ−ズエレメントに対する濡れ
面積をヒュ−ズエレメント用電極2の溶融ヒュ−ズエレ
メントに対する濡れ面積よりも大きくするように抵抗体
用兼ヒュ−ズエレメント用電極3の巾aをヒュ−ズエレ
メント用電極2のランド部21の巾bよりも広くしてあ
る。4は絶縁基板1上に設けた抵抗体用電極であり、抵
抗体が接合されるランド部41とリ−ド線が接合される
リ−ド部42を備えている。
3と抵抗体用電極4との間に設けた抵抗体である。6,
6は両ヒュ−ズエレメント用電極2,2のランド部2
1,21と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3にま
たがり配設してこれらの各電極に溶接した線状の低融点
ヒュ−ズエレメント、7は低融点ヒュ−ズエレメント上
に塗布したフラックスである。8,…はヒュ−ズエレメ
ント用電極2のリ−ド部22及び抵抗体用電極4のリ−
ド部42に接合したリ−ド線である。91は抵抗体5及
びフラックス塗布低融点ヒュ−ズエレメント6,6を封
止した樹脂封止材、例えばエポキシ樹脂である。92は
樹脂封止層を機械的に補強するための補強板であり、省
略することもできる。
6,6を同等に溶断させるように抵抗体用兼ヒュ−ズエ
レメント用電極3の中央線を基準線として抵抗体用兼ヒ
ュ−ズエレメント用電極3、低融点ヒュ−ズエレメント
6,6及びヒュ−ズエレメント用電極2,2の形状、配
置を左右対称としてある。
イオン二次電池等の二次電池を電源とする携帯用機器、
例えばノ−ト型パ−ソナルコンピュ−タのプロテクタ−
として使用できる。図2は上記した実施例に係る回路用
保護素子の使用状態を示す回路図である。図2におい
て、Aは上記実施例の回路用保護素子を、6,6はその
低融点ヒュ−ズエレメントを、5は抵抗体をそれぞれ示
している。Eはリチウムイオン二次電池を、Bは負荷回
路を、Cは充電回路を、Dは異常電圧検出器(例えば、
ツエナダイオ−ドやFET)を、Trはトランジスタ−をそ
れぞれ示している。図2において、異常電圧が作用する
と、この異常電圧が異常電圧検出器Dで検出されてトラ
ンジスタ−Trが導通状態にされ、抵抗体5が通電され
て発熱し、この発生熱で低融点ヒュ−ズエレメント6,
6が溶断され、電池Eが負荷回路または充電回路Cから
遮断されると共に抵抗5の通電が遮断される。
−ズエレメントが溶融されたフラックスのフラックス作
用を受けつつ電極との濡れによって発生する引張り力で
分断され、(2)この分断された溶融ヒュ−ズエレメン
ト間の分断間隔が分断溶融ヒュ−ズエレメントの各電極
への濡れによって拡大されて所定の絶縁距離に達した際
に通電が遮断される、過程を経る。この際、抵抗体5に
熱的に直結されている抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用
電極3の方がヒュ−ズエレメント用電極2,2より優位
に上記(1)の作用による溶融ヒユ−ズエレメント6,
6の分断に関与する。
いては、溶融ヒユ−ズエレメント6,6の分断に優位に
関与する抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3の溶融
ヒュ−ズエレメントに対する濡れ面積をヒュ−ズエレメ
ント用電極2,2の溶融ヒュ−ズエレメントに対する濡
れ面積よりも大きくするように抵抗体用兼ヒュ−ズエレ
メント用電極3とヒュ−ズエレメント用電極2のランド
部21の寸法を設定してあるから、上記(1)の作用を
効果的に行わせることができ、電流遮断の確実性を増大
できる。従って、後述の実施例と比較例との対比からも
明らかなように、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極
の巾とヒュ−ズエレメント用電極のランド部が等しい場
合に対し、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極の巾を
Δxだけ増加しヒュ−ズエレメント用電極のランド部の
巾をΔyだけ減少し(2Δy>Δxとする)全体として
寸法を(2Δy−Δx)減少させるにもかかわらず、1
00%の遮断成功率を保持でき、回路用保護素子の作動
性能を充分に保持して寸法縮小を図ることが可能にな
る。
電極2,2に対する低融点ヒュ−ズエレメント6,6を
共通の一本ものにしてあるが、個別的にすることも可能
である。
すように、低融点ヒュ−ズエレメント6を単一とし、抵
抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3にリ−ド部32を
設けこのリ−ド部32にリ−ド線8を接合する形態で実
施することもできる。
子の別実施例の一部平面水平断面図を、図4の(ロ)は
同じく底面図を、図4の(ハ)は図4の(イ)における
ハ−ハ断面図をそれぞれ示し、回路板にフエィス−フエ
ィス方式で実装されるチップタイプであり、ヒュ−ズエ
レメント用電極2,2のリ−ド部22,22及び抵抗体
用電極4のリ−ド部42を絶縁基板1の裏面側に回り込
ませてあり、この裏面側電極部分が回路板の導体にはん
だ付けされる。この実施例が抵抗体用兼ヒュ−ズエレメ
ント用電極の中央線に対し完全に左右対称とされている
点、チップタイプである点以外は、図1に示した実施例
と実質的に同じ構成とされている。
図1と実質的に同一の構成要素を示し、図3及び図4に
おいて、1は耐熱性の絶縁基板、2はヒュ−ズエレメン
ト用電極、3は抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極、
6は低融点ヒュ−ズエレメント、7は低融点ヒュ−ズエ
レメント上に塗布したフラックス、91は抵抗体及びフ
ラックス塗布低融点ヒュ−ズエレメントを封止した樹脂
封止材、例えばエポキシ樹脂、92は樹脂封止層を機械
的に補強するための補強板である。
融点ヒュ−ズエレメント6の融点が裏面側電極部分2
2,22,42と回路板導体とのはんだ付け温度よりも
高く設定される。図1及び図3に示す実施例では、低融
点ヒュ−ズエレメント6の融点(T)をリ−ド線8と回
路板導体とのはんだ付け温度よりも低くでき、この場
合、前記の温度Tを機器の許容温度に設定して機器を異
常発熱から未然に保護することもできる。
ラミック基板、ガラスセラミック基板、ガラス板、ガラ
スエポキシ基板、窒化アルミニウム基板等の無機質基
板、ガラスエポキシ基板、ポリエチレンテレフタレ−ト
板、ポリイミド板、紙フェノ−ル基板等の合成樹脂板、
樹脂コ−ト金属板等を使用できる。特に、低融点ヒュ−
ズエレメントの融点(T)を機器の許容温度に設定して
機器を異常発熱から未然に保護する場合は、機器の異常
発熱が絶縁基板を経て低融点ヒュ−ズエレメントに効率
良く伝達されるように、絶縁基板にはセラミック基板、
ガラスセラミック基板、窒化アルミニウム基板等の熱良
伝導性基板を用いることが好ましい。
より形成でき、導電ペ−ストには金属粉末とガラスと金
属混合物に有機質バインダ(ビヒクル)を加えたものを
使用でき、例えば金属粉末がAg、Ag−Pd、Ag−
Ptの銀系ぺ−スト、Auの金系ペ−スト、Niのニッ
ケル系ペ−スト、Cuの銅系ペ−スト等を使用できる。
さらに、電極と低融点ヒュ−ズエレメントとの溶接性を
向上するために、Niべ−ス膜の表面に金めっきを施し
たもの、Cuベ−ス膜の表面に錫めっきを施したもの等
を使用することもできる。更に導電ペ−ストの印刷焼付
けに代え、めっき法、金属泊積層絶縁板の金属泊のエッ
チング法の使用も可能である。
により形成でき、抵抗ペ−ストには酸化金属粉末とガラ
スと金属混合物に有機質バインダ(ビヒクル)を加えた
ものを使用でき、例えば酸化金属粉末に酸化ルテニウム
を使用したルテニウム系を使用できる。その外、Ag−
Pd、Ag−Pt等の配合調整により所定の固有抵抗値
に調整した銀系ぺ−スト、抵抗粉末に炭素を用いた炭素
系ペ−スト、樹脂に金属粉末を混合した樹脂系等も使用
できる。抵抗値の調整を必要とする場合は、レ−ザトリ
ミング法、サンドブラスト法、抵抗体加熱法等により抵
抗値調整を行い、この場合、トリミング前に必要に応じ
酸化鉛系等の保護皮膜を形成することができる。更に、
膜抵抗上に保護膜を被覆することもでき、この保護膜材
としては、酸化鉛系、アミノケイ酸系、ほうけい酸塩系
のガラス絶縁体、エポキシ樹脂、ポリイミド、フェノ−
ル樹脂等の樹脂系絶縁体を使用できる。
n,Pb,In,Bi,Cd,Cu,Ag,Au,P
t,Zn,Ni等の金属を所定の比率で配合した所定の
融点を有する低融点可溶合金の丸線、帯状体等を使用で
き、本発明に係る回路用保護素子を前記リチウムイオン
二次電池の保護に使用する場合は低融点ヒュ−ズエレメ
ントに融点140℃程度の低融点可溶合金を使用すれ
ば、リチウムイオン二次電池を前記異常電圧及び異常発
熱の双方に対して保護できる。また、フラックスにはロ
ジン系フラックス、水溶性フラックス、活性剤を添加し
たロジン系フラックス等を使用できる。
易なニッケル線、リ−ド線の回路基板へのはんだ付け時
に熱が温度ヒュ−ズエレメントに伝わるのを防止するの
に有利な低熱伝導線例えば鉄線や銅めっき鉄線を使用で
きる。また、はんだ付けを容易にするためにこれらのリ
−ド線に錫、はんだ、銀、金等をめっきすることもでき
る。
低融点ヒュ−ズエレメントの封止には、前記したエポキ
シ樹脂の外、フェノ−ル樹脂、シリコン樹脂等も使用で
きる。補強板にはアルミナセラミック、グリ−ンシ−
ト、ガラス、ガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙フ
ェノ−ル、窒化アルミニウム、ポリイミド、ポリエチレ
ンテレフタレ−ト等のシ−トを使用できる。更に図に示
すように絶縁基板上にケ−スを載置し、ケ−スと絶縁基
板との間をエポキシ樹脂等の接着剤で封止するケ−スパ
ッケ−ジ方式を用いることもでき、このケ−スには樹脂
製ケ−ス例えばナイロン、ポリエチレンテレフタレ−
ト、エポキシ樹脂、フェノ−ル製等のケ−ス、絶縁被覆
金属ケ−ス等を使用できる。また、アルミニウムや鉄等
の金属ケ−スを使用し、このケ−スとリ−ド線との間を
絶縁物で絶縁すること、例えばエポキシ樹脂塗料をリ−
ド線側に塗布することも可能である。封止ケ−ス内には
封止剤、例えばエポキシ樹脂を充填することもできる。
ては、未焼成のセラミックスシ−ト(グリ−ンシ−ト)
に導電ペ−ストを電極パタ−ンで印刷し、抵抗ぺ−スト
を所定の電極パタ−ン間に所定のパタ−ンで印刷し、セ
ラミックスシ−トの焼成と同時に電極や抵抗体を焼成す
ることもできる。
1において外郭の巾wが通常2〜10mm、高さhが
0.3〜3.0mm、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント
用電極3の巾aが0.8〜2.5mm、ヒュ−ズエレメ
ント用電極2のランド巾bが0.4〜0.7mmとされ
る。抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極3とヒュ−ズ
エレメント用電極間2の間隔cは使用電圧及び低融点ヒ
ュ−ズエレメントの径に応じ設定され、低融点ヒュ−ズ
エレメントの外径が0.4mmの場合、0.6mmとさ
れる。ヒュ−ズエレメント用電極と絶縁基板縁端との間
隔dは溶融ヒュ−ズエレメント及び溶融フラックスの流
出を防止するに足る距離とされ、通常0.3〜1.0m
mとされる。
次の実施例と比較例との対比からも明らかな通り抵抗体
と低融点ヒュ−ズエレメントを平面的に配設するにもか
かわらず、充分なサイズの縮小化を図ることができる。
したがって、この種回路用保護素子を、抵抗体と低融点
ヒュ−ズエレメントとの立体配置(積層配置)によらな
くても充分に小型化でき、回路用保護素子を少ない工程
で製造でき、製造の簡易化やコスト低減を保証できる。
であり、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極(中央電
極)の巾a’及びヒュ−ズエレメント用電極(サイド電
極)のランド巾b’を等しくし、低融点ヒュ−ズエレメ
ントには融点140℃、直径0.4mmの低融点可溶合
金線を使用し、中央電極とサイド電極との間隔を0.6
mmとした。比較例1では中央電極の巾及びサイド電極
のランド巾を0.7mm(従って、両サイド電極の最両
端間の距離は3.3mm)、比較例2では中央電極の巾
及びサイド電極のランド巾を0.8mm(従って、両サ
イド電極の最両端間の距離は3.6mm)、比較例3で
は中央電極の巾及びサイド電極のランド巾を0.9mm
(従って、両サイド電極の最両端間の距離は3.9m
m)とした。抵抗体は酸化ルテニウムの塗布焼付けによ
り形成した。
子であり、両サイド電極のランド巾bを比較例1〜3の
何れよりも小さい0.6mmとし、比較例1〜3と同様
に低融点ヒュ−ズエレメントには融点140℃、直径
0.4mmの低融点可溶合金線を使用し、中央電極とサ
イド電極との間隔cを0.6mmとした。実施例1では
中央電極の巾aを0.8mm(従って、両サイド電極の
最両端間の距離は3.2mm)、実施例2では中央電極
の巾aを0.9mm(従って、両サイド電極の最両端間
の距離は3.3mm)、実施例3では中央電極の巾aを
1.0mm(従って、両サイド電極の最両端間の距離は
3.4mm)とした。抵抗体は比較例1〜3と同様に酸
化ルテニウムの塗布焼付けにより形成した。
につき各試料数を30箇とし抵抗体を通電発熱させて低
融点可溶合金線を溶断させる試験を行った。溶断不良は
試験後での両サイド電極間の絶縁抵抗を測定して判断し
た。
通り、本発明に係る回路用保護素子によれば溶断不良箇
数0、すなわち遮断成功率100%を充分に小サイズで
達成できる。また、実施例1〜3と比較例1との対比か
ら明らかなように、従来技術では溶断不良で使用できな
いサイズのものを本発明によればそのサイズのもとで充
分に良好な溶断特性を保証でき、定格アップによく対処
できる。
電極とヒュ−ズエレメント用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズ
エレメント用電極が設けられ、抵抗体用電極と抵抗体用
兼ヒュ−ズエレメント用電極との間に抵抗体が設けら
れ、ヒュ−ズエレメント用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエ
レメント用電極との間に低融点ヒュ−ズエレメントが設
けられ、回路の異常検出により抵抗体が通電発熱され、
その発熱で低融点ヒュ−ズエレメントが溶融され、この
溶融エレメントと抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極
及びヒュ−ズエレメント用電極との濡れにより溶融エレ
メントが溶断される保護素子の小サイズ化を図ることが
でき、二次電池の保護のために電池パック内に組み込ま
れる回路用保護素子として極めて有用である。
である。
路図である。
である。
を示す図面である。
Claims (4)
- 【請求項1】絶縁基板上に抵抗体用電極とヒュ−ズエレ
メント用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極が
設けられ、抵抗体用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメン
ト用電極との間に抵抗体が設けられ、ヒュ−ズエレメン
ト用電極と抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極との間
に低融点ヒュ−ズエレメントが設けられ、回路の異常検
出により抵抗体が通電発熱され、その発熱で低融点ヒュ
−ズエレメントが溶融され、この溶融エレメントと抵抗
体用兼ヒュ−ズエレメント用電極及びヒュ−ズエレメン
ト用電極との濡れにより溶融エレメントが溶断される保
護素子において、抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極
と溶融エレメントとの濡れ面積をヒュ−ズエレメント用
電極と溶融エレメントとの濡れ面積よりも大きくするよ
うに抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極及びヒュ−ズ
エレメント用電極の平面寸法が設定されていることを特
徴とする回路用保護素子。 - 【請求項2】ヒュ−ズエレメント用電極が2個とされ、
各ヒュ−ズエレメント用電極と1箇の抵抗体用兼ヒュ−
ズエレメント用電極との間に低融点ヒュ−ズエレメント
が設けられている請求項1記載の回路用保護素子。 - 【請求項3】1個の抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電
極を挾んでヒュ−ズエレメント用電極が対称に設けら
れ、これらのヒュ−ズエレメント用電極と抵抗体用兼ヒ
ュ−ズエレメント用電極とにわたり直線状低融点ヒュ−
ズエレメントが接続され、この直線状低融点ヒュ−ズエ
レメントにフラックスが塗布されている請求項2記載の
回路用保護素子。 - 【請求項4】直線状低融点ヒュ−ズエレメントの長さ方
向に直交する抵抗体用兼ヒュ−ズエレメント用電極中央
線に対し対称とされている請求項3記載の回路用保護素
子。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|
JP (1) | JP2000182493A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087783A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付きヒューズ |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10352002A patent/JP2000182493A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087783A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付きヒューズ |
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