JPH0851072A - レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法Info
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- JPH0851072A JPH0851072A JP7169092A JP16909295A JPH0851072A JP H0851072 A JPH0851072 A JP H0851072A JP 7169092 A JP7169092 A JP 7169092A JP 16909295 A JP16909295 A JP 16909295A JP H0851072 A JPH0851072 A JP H0851072A
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Abstract
の下地基板上にレジストパターンを形成する際に、その
レジストパターンが微細なものであっても、良好に、安
定したレジストパターンを形成するためのレジストパタ
ーン形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供する
こと。 【構成】 下地基板S上に、直接またはその他の層を介
して、シリコンカーバイト系膜(Six Cy )で構成さ
れる反射防止膜ARLを成膜する。反射防止膜ARLの
上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストP
Rを形成する。フォトレジストPRに露光を行い、マス
クパターンを転写する。反射防止膜としては、露光波長
が150〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2
以上3.4以下であり、吸収屈折率kが0.16以上
0.72以下であり、膜厚が10nm以上100nm以
下の反射防止膜を成膜することが好ましい。
Description
いたレジストパターン形成方法、および反射防止膜形成
方法に関する。特に、本発明は、下地基板上に形成した
反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光し
てレジストパターンを形成する際の前記反射防止膜の膜
厚、および反射屈折率、吸収屈折率等などの光学条件の
最適化を図るために適した新規な反射防止膜を用い、フ
ォトレジストでの定在波効果を最小限にして、微細なレ
ジストパターンを良好に形成することができるレジスト
パターン形成方法および反射防止膜形成方法に関する。
本発明は、例えば、電子材料(半導体装置等)を製造す
る際の微細パターンを形成する方法として利用すること
ができる。
いて、現在、最先端のステッパー(投影露光機)は、K
rFエキシマレーザー光(248nm)を光源に用い、
0.37〜0.42程度のNAのレンズを搭載している
(例えば、ニコンNSR1505EX1、キャノンFP
A4500)。これらステッパーを用いて、サブハーフ
ミクロン(0.5μm以下)領域のデザインルールデバ
イスの研究開発が研究されている。
用いている。単一波長で露光を行う場合には、定在波効
果と呼ばれる現象が発生することが広く知られている。
定在波が発生する原因は、レジスト膜内で光干渉が起こ
ることによる。すなわち、図1に示すように、入射光P
と、レジストPRと基板Sとの界面から反射光Rとが、
レジストRPの膜内で干渉を起こすことによる。
ストに吸収される光量(縦軸)が、レジスト膜厚(横
軸)に依存して変化する。なお本明細書中、レジストに
吸収される光量とは、表面反射や、金属が存在する場合
該金属での吸収や、レジストから出射した光の量などを
除いた、レジスト自体に吸収される光の量をいう。かか
る吸収光量が、レジストを光反射させるエネルギーとな
るものである。
ト膜(XP8843)を成膜し、レジスト膜の膜厚によ
る吸収光量の変化を調べた結果である。露光用光として
は、λ=248nmのKrFを仮定した。また、その吸
収光量変化の度合いは、図3と図4との比較からも理解
されるように、下地基板の種類により異なる。図2,
3,4において、レジストはいずれもXP8843(シ
プレー社)を用いているが、下地基板は各々Si、Al
−Si、W−Siである。すなわち、下地基板の光学定
数(n,k)およびレジストの光学定数(n,k)によ
り定まる多重干渉を考慮した複素振幅反射率(R)によ
り、吸収光量の変化の度合いは定まる。((R)は実数
部と虚数部とをもつベクトル量であることを示す)。
すように、基板面には必ず凹凸が存在する。例えば、ポ
リシリコン等の凸部Inが存在する。このため、レジス
ト膜RPを塗布した際、レジスト膜の厚さは、段差の上
部と下部とで異なることになる。つまり、凸部In上の
レジスト膜厚dPR2 は、それ以外の部分のレジスト膜厚
dPR1 よりも薄くなる。
ことは、前記説明したとうりであり、このため、定在波
効果の影響を受けることによるレジストに吸収される光
量の変化も、各々変わってくる。この結果、露光、現象
後に得られるレジストパターンの寸法が、段差の上部と
下部とで異なってしまう。定在波効果のパターン寸法に
及ぼす影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用
いた場合、パターンが細かければ細かいほど顕著化し、
どの種のレジストについても、共通に見られる現象であ
る。
影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用いた場
合、パターンが細かければ細かいほど顕著化する。図6
〜8に、ステッパーとしてニコンNSR1505EX1
(使用露光光:λ=248nm、KrFエキシマ、NA
=0.42)を用い、レジストとしてXP8843(シ
ップレーマイクロエレクトロニクス(株)の化学増幅型
レジスト;光酸発生剤を含むポリビニルフェノール系レ
ジスト)を用いた場合の、定在波効果の影響をパターン
サイズ毎に示す。明らかにパターンが微細化すればする
ほど、定在波効果が顕著になっている(図中に○で示す
0.5μm、0.4μm、0.35μmラインアンドス
ペースパターンのクリティカルディメンジョンシフトC
D−Shiftのばらつきも参照)。なお、図6は0.
5μmの間隔のラインアンドスペースパターンの場合で
あり、図7は0.4μmの間隔のラインアンドスペース
パターンの場合であり、図8は0.35μmの間隔のラ
インアンドスペースパターンの場合であり、微細化する
ほど、定在波効果が顕著になっている。
も、共通に見られる現象である。半導体装置等のデバイ
ス作製時のフォトリソグラフィー工程におけるレジスト
パターンの寸法精度は、一般に±5%である。トータル
では±5%よりも暖くても実用可とは考えられるが、フ
ォーカスその他の、他の要因によるバラツキも生ずるこ
とを考え合わせれば、レジスト露光時におけるパターン
精度は、この±5%以内に収めることが望まれる。この
±5%の寸法精度を達成するためには、定在波効果の低
減が必須である。
(横軸)に対する、レジストパターンの寸法変動(縦
軸)を示す。図9より、例えば0.35μmルールデバ
イスの作製を行うには、レジスト膜の吸収光量の変動
は、レンジ6%以下であることが要求されることがわか
る。
べく、現在各方面で反射防止技術の検討が精力的に行わ
れている。しかしながら、下地基板の材料や、使用する
レジストが決まっていても、その場合に適正な反射防止
効果が得られる反射防止膜の条件はどのようなものであ
るかを決定するのは、必ずしも容易ではない。
いるゲート構造上(例えばタングステンシリサイド(W
−Si)膜上)のパターン形成において、レジスト膜の
吸収光量の変動を、例えばレンジ6%以下とする反射防
止膜は、どのような条件のものであるかは、決定されて
いない。当然、そのようなW−Si上に有効な反射防止
膜材料は、未だ見い出されていない。
いては、現在、多層レジスト法もしくはダイ入りレジス
ト等により、パターン形成を行っている。よって、早急
に、W−Si上での反射防止技術を確立することが必要
不可欠と考えられる。このような場合に、任意の単一波
長を露光光源として、任意の下地基板上に安定した微細
パターン形成を行うための反射防止膜に関する包括的な
条件、および具体的条件を決定し得る手段があれば、例
えば上記のようにW−Si上にいかなる条件の反射防止
膜を形成すればよいのかを、見い出すことができる。し
かし、このような手法は、未だ、提案されていない。
ので、任意の単一波長の光を露光光源として、任意の下
地基板上にレジストパターンを形成する際に、そのレジ
ストパターンが微細なものであっても、良好に、安定し
たレジストパターンを形成するためのレジストパターン
形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供すること
を目的とする。
成するために、本発明に係るレジストパターン形成方法
は、下地基板上に形成した反射防止膜上のフォトレジス
トを単一波長により露光してレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成方法であって、下地基板上に、
直接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系
膜で構成される反射防止膜を成膜する工程と、前記反射
防止膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレ
ジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を
行い、マスクパターンを転写する工程とを有する。
0〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2以上
3.4以下であり、吸収屈折率kが0.16以上0.7
2以下であり、膜厚が10nm以上100nm以下の反
射防止膜を成膜することが好ましい。
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.9以上5.
7以下であり、吸収屈折率kが0以上0.46以下であ
り、膜厚が25nm以上100nm以下の反射防止膜を
用いることもできる。前記反射防止膜として、露光波長
が150〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2
以上3.4以下であり、吸収屈折率kが0.4以上1.
4以下であり、膜厚が10nm以上100nm以下の反
射防止膜を用いることもできる。
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.9以上5.
7以下であり、吸収屈折率kが0.2以上0.62以下
であり、膜厚が25nm以上100nm以下の反射防止
膜を用いることもできる。前記反射防止膜として、露光
波長が150〜450nmにおいて、反射屈折率n=
2.4±0.6、吸収屈折率k=0.7±0.2である
反射防止膜を用いることもできる。
面が、シリコン系材料で構成されたものを用いることも
できる。前記シリコン系材料としては、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、ドープトポリシ
リコンなどを例示することができる。
面が、高融点金属または高融点金属シリサイド系材料で
構成してある基板を用いることもできる。前記下地基板
としては、その少なくとも表面が、低融点金属系材料で
構成してある基板を用いることもできる。
ウム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シ
リコン−銅合金、銅、銅合金などを例示することができ
る。本発明において、下地基板の少なくとも表面が高融
点金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前
記反射防止膜として、露光波長が150〜450nmに
おいて、反射屈折率nが2.1以上3.36以下、好ま
しくは2.96以上3.36であり、吸収屈折率kが
0.14以上1.0以下、好ましくは0.14以上0.
34以下、さらに好ましくは0.19以上0.29以下
であり、膜厚が10nm以上60nm以下、好ましくは
40nm以上60nm以下の反射防止膜を用いることが
好ましい。
面が低融点金属系材料の場合に、前記反射防止膜とし
て、露光波長が150〜450nmにおいて、反射屈折
率nが2.1以上2.5以下であり、吸収屈折率kが
0.6以上1.0以下、好ましくは0.65以上0.9
5以下であり、膜厚が10nm以上30nm以下の反射
防止膜を用いることが好ましい。
面がシリコン系材料の場合に、前記反射防止膜として、
露光波長が150〜450nmにおいて、反射屈折率n
が2.1以上2.5以下であり、吸収屈折率kが0.4
5以上0.85以下であり、膜厚が15nm以上35n
m以下の反射防止膜を用いることが好ましい。
ジストパターン形成方法では、前記反射防止膜を実際に
成膜する前に、前記下地基板の種類に応じて、露光時の
フォトレジストでの定在波効果が最小となる条件の、反
射防止膜の反射屈折率n、吸収屈折率kおよび膜厚をシ
ミュレーションにより求め、そのシミュレーションによ
り求められた反射屈折率nおよび吸収屈折率kに近づく
ように、下地基板の表面に直接またはその他の層を介し
て、シリコンカーバイト系膜で構成される反射防止膜
を、成膜条件を調節しながら、前記シミュレーションに
より求められた膜厚と略等しい膜厚で成膜することが好
ましい。
有する物質を含むことが好ましい。上記の新規な反射防
止膜の決定に際しては、以下の手段を用いて行った。 (I)任意に定めたある膜厚のレジストの膜厚に対し、
反射防止膜の光学条件(n,k)を連続的に変化させ
(ただし、反射防止膜の膜厚は固定しておく)た際のレ
ジスト膜内で吸収される吸収光量の等高線を求める。
膜厚におけるレジスト内部の吸収光量の等高線の結果に
おいて、吸収光量の差が最小になる共通領域を見い出
し、この共通領域により限定される光学条件を、(I)
において定めた反射防止膜の膜厚における光学条件
(n,k)とする。
上記(I),(II)の操作を繰り返し行い、反射防止膜
の各膜厚に対する各最適条件の光学定数(n,k)を求
める。 (IV)上記(III)で得られた最適条件の光学定数を有
する実際の材質の反射防止膜を見い出す。
る反射防止膜の包括的条件を決定する上記手段(I)〜
(IV)について、より具体的に説明する。 定在波効果の極大値間、または極小値間のレジスト膜
厚は、レジストの屈折率をnPRとし、露光用光の波長を
λとすると、λ/2nで与えられる(図10参照)。
膜ARLを過程して、その膜厚さd arl ,光学定数をn
arl ,karl とする。 図10におけるある1点(例えば、定在波効果が極大
となる膜厚)の膜厚に着目すると、反射防止膜の膜厚さ
darl を固定してnarl ,karl を変化させた場合、そ
の点におけるレジスト膜の吸収光量は変化する。この変
化する軌跡、すなわち吸収光量の等高線を求めると、図
11に示すようになる。
て、少なくとも定在波効果を極大もしくは極小にする膜
厚を基準にして、λ/8nPR間隔で4ケ所に対して、
を繰り返し行うと、図11に対応した図12〜図14が
得られる(図11〜図14は、反射防止膜厚を20nm
に規定し、レジスト膜厚を各々985nm、1000n
m、1018nm、1035nmとした結果を示す)。
以上は、上記手段(I)に該当する。
は、反射防止膜の特定の膜厚について、レジスト膜厚が
変化しても、レジスト膜内での吸収光量が変化しない領
域を示している。すなわち、上記共通領域は、定在波効
果を最小にする、反射防止効果が最も高い領域である。
よって、かかる共通領域を見い出す。共通領域を見い出
すのは、例えば簡便には、各図(グラフ)を重ね合わせ
て、共通領域をとることにより、行うことができる(も
ちろん、コンピュータでの共通領域の検索により行って
もよい)。これは上記手段(II)に該当する。
化させて、上記を繰り返す。たとえば最初のステ
ップのまでは、d=20nmとして操作を行ったとす
ると、dを変えて、上記を繰り返し行う。これにより、
定在波効果を最小にするような反射防止膜の膜厚
darl 、光学定数narl ,karl の条件を特定できる。
これは上記手段(III)に該当する。
き条件(膜厚、光学定数)を満足するような膜の種類
を、露光用光における各膜種の光学定数を測定すること
により、見い出す。これは手段(IV)に該当する。上記
手法は、全ての波長、全ての下地基板に対して、原理的
に適用可能である。
る方法で好適に用いることができる反射防止膜について
検討したところ、シリコンカーバイト膜(SiX C
y 膜)が特に適切であることが判明した。この膜は、そ
の成膜条件により、光学条件を大きく変化させることが
可能であり、上記手法により求めた定在波効果を最小に
する反射防止膜の光学条件に合わせた反射防止膜を、容
易に成膜することができる。
防止膜は、各種CVD法、スパッタリング法により容易
に成膜することができる。たとえば、この膜は、平行平
板型プラズマCVD法、ECRプラズマCVD法、もし
くはバイアスECRプラズマCVD法を利用し、マイク
ロ波を用いて、シラン系ガスと酸素を含むガスと(たと
えばSiH4 +O2 )の混合ガスを用いて成膜すること
ができる。また、その際に、バッファガスとして、アル
ゴンArガスまたはN2 ガスなどを用いることができ
る。
マスクとして、CF4 、CHF3 、C2 F6 、C4 F
8 、SF6 、S2 F2 、NF3 系ガスをエッチャントと
し、Arを添加してイオン性を高めたRIEにより、容
易にエッチングすることができる。そのRIEは、約2
Pa程度の圧力下で、10〜100W程度のパワーをか
けて行うことが好ましい。また、RIE時のガスの流量
は、特に限定されないが、5〜70SCCMであること
が好ましい。
する。ただし、当然のことではあるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。実施例1 この実施例は、KrFエキシマリソグラフィーを用いて
W−Si膜上に安定したレジストパターンを形成するた
めの実施例である。
レジストパターンを形成する前に、以下の手法により、
フォトレジストでの定在波効果を最小にすることができ
る反射防止膜の最適な光学条件および膜厚を求めた。 (1)反射防止膜がない状態で、W−Si膜上にXP8
843レジスト(シプレイマイクロエレクトロニクス
(株))を塗布し、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザー光により露光、現象した際の定在波効果を図15
に示す。図15より、定在波効果は、約±20%であ
る。
値は、例えばレジスト膜厚が985nmのときにある。
レジスト膜厚985nmに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を30nmとした際、反射防止膜の光学定数narl 、
karl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化
(吸収光量の等高線)を図16に示す。
7.5nm、1035nm各々に対して、上記(2)を
繰り返し行った結果を、各々図17、図18、図19に
示す。 (4)図17〜19の共通領域を求めた結果、 narl =4.9, karl =0.1 または、narl =2.15, karl =0.67を得
た。
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 narl =4.9, karl =0.1 または、narl =2.15, karl =0.67であ
る。
20、図21に示す結果を得た。図20,21におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、約±1%であった。反射防止膜なしの場合と比較
して、1/20程度に定在波効果は低減された。なお、
図20と図21とでは、反射防止膜の光学条件が相違す
る。
防止膜の膜厚を30nmとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚(ARL膜厚)に対しても、(2)
〜(4)を繰り返して行うと、反射防止膜の膜厚に応じ
た反射防止膜の最適条件が求まる。求めた結果を図2
2,23に示す。図22,23に示すように、解(Valu
e)1については、反射防止膜として、反射屈折率nが
1.2以上3.4以下であり、吸収屈折率kが0.16
以上0.72以下であり、膜厚が10nm以上100n
m以下であるものが、最適な反射防止膜となり、解(Va
lue)2については、反射防止膜として、反射屈折率n
が1.9以上5.7以下であり、吸収屈折率kが0以上
0.46以下であるものが、最適な反射防止膜となるこ
とが判明した。図22,23に示す曲線上に一致する
n,kを有する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも
曲線上ではなく、nについては±0.6、好ましくは±
0.2であり、kについては±0.3、好ましくは±
0.2、さらに好ましくは±0.15、さらにまた好ま
しくは±0.05の範囲にあれば、十分な反射防止効果
を奏する。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター(SOPRA社、“Moss
System”)、および、“Handbook o
f Optical Constants of So
lids”(E.D.Palik,academypr
ess,’85)を用いて調査した。この結果、図24
に示すn,kチャートが得られた。このチャート上に、
対応するn,kを有する物質を示してある。この図24
より、膜厚50nmのSix Cy 膜(シリコンカーバイ
ト膜、SiC膜とも称する)が、図22,23の条件を
完全に満たすことが分かった。すなわち、WSiを下地
基板とする場合には、好ましくは、反射屈折率n=3.
16±0.6(好ましくはn=3.16±0.2)、吸
収屈折率k=0.24±0.2(好ましくはk=0.2
4±0.05)、膜厚d=50nm±10nmであるS
ix Cy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効果を
最小限にすることができることが予想される。
y 膜を成膜することにより、実際に定在波効果が低減さ
れるか否かを確認した。図25に示すように、シリコン
基板Sの上に、高融点金属シリサイドであるWSiを積
層し、その上に、Six Cy 膜から成る反射防止膜AR
Lを成膜した。すなわち、ECR−CVD装置を用い、
Six Cy 膜を50nm成膜した。そのSix Cy 膜か
ら成る反射防止膜ARLの反射屈折率nが3.16であ
り、吸収屈折率kが0.24であった。そのSix Cy
膜から成る反射防止膜ARLの上に、XP8843から
成るフォトレジストPRを形成し、定在波効果を調べた
結果を図26中の実施例1に示す。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も、図2
6中に比較例1として示す。実施例1では、定在波効果
は、約±1%程度であり、反射防止膜を用いなかった比
較例1の場合と比較して、定在波効果は1/20程度に
低減された。
を0.35μm ルールの線幅で、露光用光としてλ=2
48nmのKrFレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Six C
y 膜のエッチングは、CHF3 (50〜100SCC
M)+C2 (3〜20SCCM)のガス系を用い、2P
a程度の圧力下で、100〜1000W程度のパワーを
かけ、Arを添加してイオン性を高めたリアクティブエ
ッチング(RIE)法により、エッチングを行うように
して、所望のパターンをエッチングした。
ゲートGを、所定パターンのフォトレジストPRをマス
クとして、RIEなどでエッチングした。微細なレジス
トパターンが転写された良好な微細パターンのWSiゲ
ートGを得ることができた。実施例2 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例1と同様に
して、下地基板を加工した。
CVD法、ECRプラズマCVD法、もしくはバイアス
ECRプラズマCVD法を利用し、必要に応じてマイク
ロ波(2.45GHz)を用いて、SiH4 +CH4 +
H2 混合ガスを用いて、Six Cy 膜から成る反射防止
膜を成膜した。なお、原料ガスのバッファガスとして、
ArまたはN2 を用いてもよい。
に、O2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例1と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
熱CVD法を利用し、原料ガスとして、 SiCl4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiHCl3 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C2 H4 +H2 もしくは、SiCl3 +CH3 +H2 のガスを用いて、100℃〜1500℃温度で、0.0
1〜10000Paの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するSiC膜が得られた。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例1と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマCVD法を利用し、Si2 H6 +Si(CH
3 )H3 +C2 H2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
SiC膜が得られた。実施例5 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例1と同様に
して、下地基板を加工した。
用して、SiCをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するSiC膜が得られた。実施例6 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例1と同様にして、下地基
板を加工した。
エッチングは、C4 F8 (30〜70SCCM)+CH
F3 (10〜30SCCM)のガス系を用い、2Pa程
度の圧力下で、100〜1000W程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例1と同様にして、下地基
板を加工した。
エッチングは、S2 F2 (5〜30SCCM)のガス系
を用い、2Pa程度の圧力下で、100〜1000W程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
上に、Al、Al−Si、Al−Si−Cu、Cuなど
の低融点金属材料Gを積層し、その上に、反射防止膜A
RLを積層し、KrFエキシマリソグラフィーを用い
て、フォトレジストPRのフォトリソグラフィー加工を
行う。その際に、本実施例では、反射防止膜として、S
iX Cy 膜を用いる。
る1重量%Si含有のAl−Si合金の他、Siがこれ
よりも少ないものや、あるいはこれより多いものについ
ても、好ましく用いることができる。Al−Si−Cu
としては、たとえばSiが1重量%前後であり、Cuが
0.1〜2重量%程度のものに好ましく適用できるが、
これらに限らない。代表的には、Si1重量%、Cu
0.5重量%のAl−Si−Cu合金である。
uなどの低融点金属下地基板上に用いる反射防止膜とし
て、SiX Cy 膜を見い出した手法は、下地基板の材質
および反射率が相違する以外は、前記実施例1と同様に
して行った。すなわち、以下の手法を用いた。
l−Si、Al−Si−Cu、Cu基板上にXP884
3レジスト(シプレイマイクロエレクトロニクス
(株))を塗布し、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザー光により露光、現像した。この時の定在波効果を
図3に示す。図3により、定在波効果は、約±29.6
%である。
は、例えば、レジスト膜厚が982nmのときにある。
レジスト膜厚982nmに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を30nmとした際、反射防止膜の光学定数narl 、
karl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の等高線
を図28に示す。
8nm、1035nm各々に対して、上記(2)を繰り
返し行った結果、各々図29,図30,図31に示す。 (4)図28〜31の共通領域を求めた結果、 narl =4.8, karl =0.45 または、narl =2.0, karl =0.8を得
た。
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 narl =4.8, karl =0.45 または、narl =2.0, karl =0.8であ
る。
32,33に示す結果を得た。図332,図33におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、レンジ約1%以下であった。図3に示す反射防止
膜なしの場合に比較して、1/30程度に定在波効果は
低減された。図32と図33とでは、反射防止膜の光学
条件が相違する。 (5)上記(2)〜(4)の操作は、反射防止膜の膜厚
を30nmとした場合であるが、他の異なる反射防止膜
の膜厚(ARL膜厚)に対しても、(2)〜(4)を繰
り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた反射防止膜の
最適条件が求まる。求めた結果を図22,図34に示
す。図22,34に示すように、解(Value)1につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率nが1.2以上
3.4以下であり、吸収屈折率kが0.4以上1.4以
下であり、膜厚が10nm以上100nm以下であるも
のが、最適な反射防止膜となり、解(Value)2につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率nが1.9以上
5.7以下であり、吸収屈折率kが0.2以上0.62
以下であるものが、最適な反射防止膜となることが判明
した。図22,34に示す曲線上に一致するn,kを有
する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも曲線上では
なく、nについては±0.6、好ましくは±0.2であ
り、kについては±0.3、好ましくは±0.2、さら
に好ましくは±0.15、さらにまた好ましくは±0.
05の範囲にあれば、十分な反射防止効果を奏する。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター(SOPRA社)を用いて調
査した。この結果、Six Cy 膜をCVD法を用いて成
膜する際の成膜条件に対応して、光学定数が変化するこ
とを、図35に示すように見い出した。図35中、Al
−(1%)Siの○印で示す領域は、図22,図34の
条件を満たす。すなわち、好ましくは、反射屈折率n=
2.3±0.6(好ましくはn=2.3±0.2)、吸
収屈折率k=0.8±0.2、膜厚20±10nmであ
るSix Cy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効
果を最小限にすることができることが予想される。
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図27に示すように、シリコン基
板Sの上に、Al、Al−Si、Al−Si−Cuなど
の低融点金属材料層Gを積層し、その上に、図35に示
す○印の条件近くで、Six Cy 膜から成る反射防止膜
ARLを成膜した。すなわち、バイアスECR−プラズ
マCVD装置を用い、RFパワー300W近く、圧力
0.04Pa近傍、SiH4 /C2 H4 の流量比が、S
iH4 リッチの条件でSix Cy膜を約20nm成膜し
た。そのSix Cy 膜から成る反射防止膜ARLの反射
屈折率nが2.3であり、吸収屈折率kが0.81であ
った。そのSix Cy 膜から成る反射防止膜ARLの上
に、XP8843から成るフォトレジストPRを形成
し、定在波効果を調べた結果を図36中の実施例8に示
す。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
2として示す。実施例8では、定在波効果は、約±2.
2%(1.4%)程度であり、反射防止膜を用いなかっ
た比較例2の場合と比較して、定在波効果は1/15程
度に低減された。
を0.35μm ルールの線幅で、露光用光としてλ=2
48nmのKrFレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Six C
y 膜のエッチングは、CHF3 (50〜100SCC
M)+C2 (3〜20SCCM)のガス系を用い、2P
a程度の圧力下で、100〜1000W程度のパワーを
かけイオン性を高めたリアクティブエッチング(RI
E)法により、エッチングを行うようにして、所望のパ
ターンをエッチングした。
線材料である低融点金属材料層Gを、所定パターンのフ
ォトレジストPRをマスクとして、RIEなどでエッチ
ングした。微細なレジストパターンが転写された良好な
微細パターンの金属配線層を得ることができた。
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例8と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、平行平板型プラズマCVD法、EC
RプラズマCVD法、もしくはバイアスECRプラズマ
CVD法を利用し、必要に応じてマイクロ波(2.45
GHz)を用いて、SiH4 +CH4 +H2 混合ガスを
用いて、Six Cy 膜から成る反射防止膜を成膜した。
なお、原料ガスのバッファガスとして、ArまたはN2
を用いてもよい。
に、O2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例8と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、熱CVD法を利用し、原料ガスとし
て、 SiCl4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiHCl3 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C2 H4 +H2 もしくは、SiCl3 +CH3 +H2 のガスを用いて、100℃〜1500℃温度で、0.0
1〜10000Paの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するSiC膜が得られた。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例8と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマCVD法を利用し、Si2 H6 +Si(CH
3 )H3 +C2 H2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
SiC膜が得られた。実施例12 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例8と同様に
して、下地基板を加工した。
用して、SiCをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するSiC膜が得られた。実施例13 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例8と同様にして、下地基
板を加工した。
エッチングは、C4 F8 (30〜70SCCM)+CH
F3 (10〜30SCCM)のガス系を用い、2Pa程
度の圧力下で、100〜1000W程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例8と同様にして、下地基
板を加工した。
エッチングは、S2 F2 (5〜30SCCM)のガス系
を用い、2Pa程度の圧力下で、100〜1000W程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
として、Cu系金属材料であるCuを用いた以外は、前
記実施例と同様にして、下地基板上に反射防止膜を成膜
し、その上にレジスト膜を成膜し、レジスト膜のフォト
リソグラフィー加工を行い、そのレジスト膜をマスクと
して、反射防止膜および下地基板のエッチングを行っ
た。
定在波効果を最小限にして良好なパターンで微細加工を
行うことができた。実施例16 本実施例では、図37に示すように、下地基板Sとし
て、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコ
ン、ドープトポリシリコン等のシリコン系下地基板Gを
用い、その上に、反射防止膜ARLを積層し、KrFエ
キシマリソグラフィーを用いて、フォトレジストPRの
フォトリソグラフィー加工を行う。その際に、本実施例
では、反射防止膜として、SiX Cy 膜を用いる。
シリコン、ドープドポリシリコン等のシリコン系基板上
に用いる反射防止膜として、SiX Cy 膜を見い出した
手法は、下地基板の材質および反射率が相違する以外
は、前記実施例1と同様にして行った。すなわち、以下
の手法を用いた。
上にXP8843レジスト(シプレイマイクロエレクト
ロニクス(株))を塗布し、波長248nmのKrFエ
キシマレーザー光を光源とする露光機で、現像した。こ
の時の定在波効果を図38に示す。図38より、定在波
効果は、約±20%である。
値は、例えばレジスト膜厚が985nmのときにある。
レジスト膜厚985nmに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を30nmとした際、反射防止膜の光学定数narl 、
karl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化を
求める。
その各々に対して、上記(2)を繰り返し行った。 (4)その結果を図示し、これらの共通領域を求める。
このような操作を各種反射防止膜膜厚について求め、こ
れにより、ある膜厚についての光学定数の最適値(n
値,k値)を求める。例えば、反射防止膜の膜厚を25
nmとした際の最適反射防止膜の満たすべき光学条件
は、narl =2.3, karl =0.65である。
図39に示す結果を得た。図39において、本実施例
(with SiO)の場合の定在波効果は極めて小さく、±1
%以下であった。反射防止膜なし(without SiO)の場
合の±23%に比較して、1/23程度以下に定在波効
果は低減された。
防止膜の膜厚を25nmとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚(ARL膜厚)に対しても、(2)
〜(4)を繰り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた
反射防止膜の最適条件が求まる。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター(SOPRA社)を用いて調
査した。この結果、前記実施例8と同様に、Six Cy
膜をCVD法を用いて成膜する際の成膜条件に対応して
光学定数が図35に示す変化を示すことを見い出した。
図35中のSi条件○で示す領域は、上述した(4)の
条件を満たす。
となるように、CVDの条件を設定して、Six Cy 膜
から成る反射防止膜を成膜すれば、その反射屈折率nお
よび吸収屈折率kは、反射防止膜の膜厚が25nmで最
適となるnarl =2.3,k arl =0.65に近づく。
なお、nの許容値は±0.6であり、kの許容値は±
0.3であり、膜厚dの許容値は±10nmである。
系材料で構成された下地基板Gの上に、図35に示すS
i条件○印の条件で、Six Cy 膜から成る反射防止膜
を成膜し、その上にフォトレジストPRを成膜し、フォ
トレジストPRのホトリソグラフィ加工を行う際に、定
在波効果を最小限にすることができることが予想され
る。
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図37に示すように、シリコン基
板Sの上に、図35に示すSi条件○印の条件近くで、
Six Cy 膜から成る反射防止膜ARLを成膜した。す
なわち、バイアスECR−CVD装置を用い、RFパワ
ー300W付近で、SiH4 /C2 Hの流量比が、Si
H4 プアの条件でSix Cy 膜を約25nm成膜した。
そのSix Cy 膜から成る反射防止膜ARLの反射屈折
率nが2.3であり、吸収屈折率kが0.65であっ
た。そのSix Cy 膜から成る反射防止膜ARLの上
に、XP8843から成るフォトレジストPRを形成
し、定在波効果を調べた結果を図39中の実施例16に
示す。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
3として示す。実施例16では、定在波効果は、約±
1.1%程度であり、反射防止膜を用いなかった比較例
3の場合(±23%)と比較して、定在波効果は1/2
3程度に低減された。
ストPRを0.35μm ルールの線幅で、露光用光とし
てλ=248nmのKrFレーザを用いてフォトリソグ
ラフィーを行ったところ、マスクパターンに近い良好な
レジストパターンが得られた。
て、下地基板をエッチングした。まず、Six Cy 膜の
エッチングは、CHF3 (50〜100SCCM)+C
2 (3〜20SCCM)のガス系を用い、2Pa程度の
圧力下で、100〜1000W程度のパワーをかけイオ
ン性を高めたリアクティブエッチング(RIE)法によ
り、エッチングを行うようにして、所望のパターンをエ
ッチングした。
ン系材料で構成された下地基板Gの表面を、所定パター
ンのフォトレジストPRをマスクとして、RIEなどで
エッチングした。微細なレジストパターンが転写された
良好な微細パターンを得ることができた。
下の手法により成膜した以外は、実施例16と同様にし
て、反射防止膜を形成した。すなわち、本実施例では、
平行平板型プラズマCVD法、ECRプラズマCVD
法、もしくはバイアスECRプラズマCVD法を利用
し、必要に応じてマイクロ波(2.45GHz)を用い
て、SiH4 +C2 混合ガスを用いて成膜した。なお、
この原料ガスには、バッファガスとして、ArまたはN
2 を用いてもよい。
に、O2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
る反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前
記実施例16と同様にして、下地基板を加工した。
用し、原料ガスとして、 SiCl4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiHCl3 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C3 H8 +H2 もしくは、SiH4 +C2 H4 +H2 もしくは、SiCl3 +CH3 +H2 のガスを用いて、100℃〜1500℃温度で、0.0
1〜10000Paの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するSiC膜が得られた。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例16と同様
にして、下地基板を加工した。すなわち、本実施例で
は、プラズマCVD法を利用し、Si2 H6 +Si(C
H3 )H3 +C2 H2 混合ガスの光化学反応を用いて、
成膜を行った。
SiC膜が得られた。実施例20 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例16と同様
にして、下地基板を加工した。
用して、SiCをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するSiC膜が得られた。実施例21 本実施例では、Six Cy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例16と同様にして、下地
基板を加工した。
エッチングは、C4 F8 (30〜70SCCM)+CH
F3 (10〜30SCCM)のガス系を用い、2Pa程
度の圧力下で、100〜1000W程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例16と同様にして、下地
基板を加工した。
エッチングは、S2 F2 (5〜30SCCM)のガス系
を用い、2Pa程度の圧力下で、100〜1000W程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
Six Cy 膜を形成したところ、形成された膜には水素
が含有されていることが確認された。すなわち、上記実
施例において、Six Cy 膜と考えられていた反射防止
膜の一部は、Six Cy Hz 膜(ただし、zは0でも良
い)であったと考えられる。
示すように、レジスト厚みとクリティカルディメンジョ
ンとの関係を、実際に調べた。いずれもWSi上におい
て、KrFエキシマレーザー光を用いて実験した。図4
0は0.30μmラインアンドスペースパターンの場合
であり、図41は0.35μmラインアンドスペースパ
ターンの場合である。いずれも、レジストとしては化学
増幅型のポジレジストを用いた。
みによらず、略一定の線幅のパターンが得られることが
確認された。実施例25 本実施例では、前記実施例1,8または16において、
図42に示すように、反射防止膜ARLの上に、酸化シ
リコン膜などの他の層Oxを積層し、その上にフォトレ
ジストPRを積層し、前記実施例1,8または16と同
様にして、レジストパターンを形成した。
細なレジストパターンを良好に形成することができた。実施例26 本実施例では、前記実施例1,8または16において、
図43に示すように、下地基板Gの上に、酸化シリコン
膜などの他の層Oxを積層し、その上に反射防止膜AR
LおよびフォトレジストPRを積層し、前記実施例1,
8または16と同様にして、レジストパターンを形成し
た。
細なレジストパターンを良好に形成することができた。
レジストパターン形成方法によれば、任意の単一波長の
光を露光光源として、任意の下地基板上にレジストパタ
ーンを形成する際に、露光時の定在波効果を最小限にす
ることができ、レジストパターンが微細なものであって
も、良好に、安定したレジストパターンが形成できる。
また、本発明に係る反射防止膜形成方法によれば、定在
波効果を最小限にする光学条件を有する反射防止膜を、
きわめて容易に成膜することができ、また、そのエッチ
ングも容易である。
ト膜内での光の干渉を示す図である。
効果を示す図である。
効果を示す図である。
効果を示す図である。
影響をを示す図である。
示す図である。
Lの膜厚を固定して、narl ,karl を変化させた場合
のレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡(吸収光量の等高
線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
ト膜厚985nmについてのnarl ,karl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡(吸収光量の等
高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
跡(等高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
である。
である。
関係を示す図である。
関係を示す図である。
チャートである。
す断面図である。
防止効果を示す図である。
す断面図である。
ト膜厚982nmについてのnarl ,karl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡(吸収光量の等
高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
(等高線)を示す図である。
関係を示す図である。
を示す図である。
る。
示す断面図である。
止効果を示す図である。
用説明図である。
用説明図である。
示す断面図である。
示す断面図である。
Claims (21)
- 【請求項1】下地基板上に形成した反射防止膜上のフォ
トレジストを単一波長により露光してレジストパターン
を形成するレジストパターン形成方法であって、 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、シリコ
ンカーバイト系膜で構成される反射防止膜を成膜する工
程と、 前記反射防止膜の上に、直接またはその他の層を介して
フォトレジストを形成する工程と、 前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転
写する工程とを有するレジストパターン形成方法。 - 【請求項2】前記反射防止膜として、露光波長が150
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2以上3.
4以下であり、吸収屈折率kが0.16以上0.72以
下であり、膜厚が10nm以上100nm以下の反射防
止膜を成膜する請求項1に記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項3】前記反射防止膜として、露光波長が150
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.9以上5.
7以下であり、吸収屈折率kが0以上0.46以下であ
り、膜厚が25nm以上100nm以下の反射防止膜を
成膜する請求項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項4】前記反射防止膜として、露光波長が150
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2以上3.
4以下であり、吸収屈折率kが0.4以上1.4以下で
あり、膜厚が10nm以上100nm以下の反射防止膜
を成膜する請求項1に記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項5】前記反射防止膜として、露光波長が150
〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.9以上5.
7以下であり、吸収屈折率kが0.2以上0.62以下
であり、膜厚が25nm以上100nm以下の反射防止
膜を成膜する請求項1に記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項6】前記反射防止膜として、露光波長が150
〜450nmにおいて、反射屈折率n=2.4±0.
6、吸収屈折率k=0.7±0.2である反射防止膜を
成膜する請求項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項7】前記下地基板の少なくとも表面が、シリコ
ン系材料で構成してある請求項1〜6のいずれかに記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項8】前記シリコン系材料が、単結晶シリコン、
多結晶シリコン、非晶質シリコン、ドープとポリシリコ
ンのいずれかである請求項7に記載のレジストパターン
形成方法。 - 【請求項9】前記下地基板の少なくとも表面が、高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料で構成してある
請求項1〜6のいずれかに記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項10】前記下地基板の少なくとも表面が、低融
点金属系材料で構成してある請求項1〜6のいずれかに
記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項11】前記低融点金属系材料が、アルミニウ
ム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シリ
コン−銅合金、銅、銅合金のいずれかである請求項10
に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項12】前記反射防止膜を実際に成膜する前に、 前記下地基板の種類に応じて、露光時のフォトレジスト
での定在波効果が最小となる条件の、反射防止膜の反射
屈折率n、吸収屈折率kおよび膜厚をシミュレーション
により求め、 そのシミュレーションにより求められた反射屈折率nお
よび吸収屈折率kに近づくように、下地基板の表面に直
接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系膜
で構成される反射防止膜を、成膜条件を調節しながら、
前記シミュレーションにより求められた膜厚と略等しい
膜厚で成膜する請求項1〜11のいずれかに記載のレジ
ストパターン形成方法。 - 【請求項13】前記原料ガスに、少なくとも水素元素を
含有する物質を含むことを特徴とする請求項12に記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項14】反射防止膜を実際に成膜する前に、 下地基板の種類に応じて、露光時のフォトレジストでの
定在波効果が最小となる条件の、反射防止膜の反射屈折
率n、吸収屈折率kおよび膜厚をシミュレーションによ
り求め、 そのシミュレーションにより求められた反射屈折率nお
よび吸収屈折率kに近づくように、下地基板の表面に直
接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系膜
で構成される反射防止膜を、成膜条件を調節しながら、
前記シミュレーションにより求められた膜厚と略等しい
膜厚で成膜する反射防止膜形成方法。 - 【請求項15】前記原料ガスに、少なくとも水素元素を
含有する物質を含むことを特徴とする請求項14に記載
の反射防止膜形成方法。 - 【請求項16】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が150〜450nmにお
いて、反射屈折率nが2.1以上3.36以下であり、
吸収屈折率kが0.14以上1.0以下であり、膜厚が
10nm以上60nm以下の反射防止膜を成膜する請求
項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項17】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が150〜450nmにお
いて、反射屈折率nが2.96以上3.36以下であ
り、吸収屈折率kが0.14以上0.34以下であり、
膜厚が10nm以上60nm以下の反射防止膜を成膜す
る請求項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項18】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が150〜450nmにお
いて、反射屈折率nが2.96以上3.36以下であ
り、吸収屈折率kが0.19以上0.29以下であり、
膜厚が40nm以上60nm以下の反射防止膜を成膜す
る請求項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項19】前記下地基板の少なくとも表面が低融点
金属系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長
が150〜450nmにおいて、反射屈折率nが2.1
以上2.5以下であり、吸収屈折率kが0.65以上
0.95以下であり、膜厚が10nm以上30nm以下
の反射防止膜を成膜する請求項1に記載のレジストパタ
ーン形成方法。 - 【請求項20】前記下地基板の少なくとも表面が低融点
金属系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長
が150〜450nmにおいて、反射屈折率nが2.1
以上2.5以下であり、吸収屈折率kが0.6以上1.
0以下であり、膜厚が10nm以上30nm以下の反射
防止膜を成膜する請求項1に記載のレジストパターン形
成方法。 - 【請求項21】前記下地基板の少なくとも表面がシリコ
ン系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長が
150〜450nmにおいて、反射屈折率nが2.1以
上2.5以下であり、吸収屈折率kが0.45以上0.
85以下であり、膜厚が15nm以上35nm以下の反
射防止膜を成膜する請求項1に記載のレジストパターン
形成方法。
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