JPH0851059A

JPH0851059A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0851059A
Application number: JP18621694A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Usujima; 章弘薄島; Kimie Matsuno; 公栄松野
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-08-09
Filing date: 1994-08-09
Publication date: 1996-02-20

Abstract

(57)【要約】【目的】段差の大きい基板でも基板上の全ての場所で
均一な膜厚の反射防止膜をカバレッジ良く形成すること
ができるとともに、汚染金属、パーティクル等の混入を
抑えて反射防止膜の特性劣化を抑える。【構成】基板１上に塩基性溶液５を一様に液盛りし、
基板１を乾燥して塩基性溶液５の溶剤を飛ばして基板１
表面に塩基性分子を残留させ、塩基性分子を覆うように
基板１上に化学増幅型ポジレジスト９を塗布した後、化
学増幅型ポジレジスト９に電離照射線を照射することに
より、化学増幅型ポジレジスト９中に酸を発生させると
ともに、化学増幅型ポジレジスト９との基板１界面近傍
に発生した酸を塩基性分子により中和して失活させ、化
学増幅型ポジレジスト９を熱処理することにより、基板
１界面近傍の化学増幅型ポジレジスト９の中和失活され
た領域に現像液に対して溶け難い難溶化層２６を形成し
た後、難溶化層２６上の化学増幅型レジスト９を現像液
で除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、半導体集積回路の製造方法における
パターン形成技術に適用することができ、特に、段差の
大きい基板でも基板上の全ての場所で均一な膜厚の反射
防止膜をカバレッジ良く形成することができるととも
に、汚染金属、パーティクル等の混入を抑えて反射防止
膜の特性劣化を抑えることができる半導体装置の製造方
法に関する。

【０００２】近年のＬＳＩには、高集積化が要求されて
おり、このＬＳＩの高集積化の要求に伴い、回路パター
ンの微細化技術が要求されている。この回路パターンの
微細化技術には、露光波長の短波長化（ＤＵＶ光の使
用）、化学増幅型レジスト等のレジストの高解像度化及
び高感度化、レジスト上、基板上での反射防止膜等によ
る基板ウエハの低反射化等が挙げられる。特に、パター
ン線幅を縮小する際、段差や反射率の大きな基板上での
レジストパターンは、光の多重反射やハレーションの影
響を受け易いため、パターン形成が困難であるという問
題がある。

【０００３】このため、段差や反射率の大きな基板上で
パターン線幅の縮小化を考慮して、レジストパターンを
形成する際、光の多重反射やハレーションの影響を受け
難くして、安定したパターン形成を容易に行うために、
基板上に反射防止膜を形成する技術が注目され検討され
てきている。

【０００４】

【従来の技術】従来、露光における基板からの光の多重
反射やハレーションを防止するためには、基板上に反射
防止膜を成膜することが行われている。この反射防止膜
は、材料及び成膜方法等で種々の異なったものが使用さ
れている。特に、代表的な反射防止膜には、有機系ポ
リマーに染料を入れて溶剤に溶かしたもの（例えば、ブ
リューワサイエンス社製、商品名ＡＲＣ（ＣＤ−９）
等）で、スピン塗布により成膜するものや、アモルフ
ァスカーボン等の材料で、スパッタリング法やＣＶＤ法
によって成膜するもの等が挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たによる従来の半導体装置の製造方法では、有機系ポ
リマーに染料を入れて溶剤に溶かしたものをスピン塗布
により成膜するため、特に基板の段差が大きいと、基板
上の全ての場所で同一の膜厚とすることが難しく、カバ
レッジの良好な反射防止膜を形成し難いという問題があ
った。

【０００６】また、上記したによる従来の半導体装置
の製造方法では、無機系材料をスパッタリング法やＣＶ
Ｄ法により成膜するため、カバレッジの点では前述した
スピン塗布の場合よりも優れ、問題は少ないが、スパッ
タ装置やＣＶＤ装置を用いている。このため、製造装置
のコストが掛かるうえ、真空系を用いているため、装置
内で汚染金属、パーティクル等の発塵が生じ易く、成膜
中に汚染金属、パーティクル等が混入して、反射防止膜
の特性を劣化させることがあるという問題があった。こ
こでの装置内でのパーティクル等の発塵は、ＣＶＤ、ス
パッタ成膜時にチャンバー内壁に付着した膜が再度ＣＶ
Ｄ、スパッタ成膜する時に飛散することにより発生す
る。

【０００７】そこで、本発明は、段差の大きい基板でも
基板上の全ての場所で均一な膜厚の反射防止膜をカバレ
ッジ良く形成することができるとともに、汚染金属、パ
ーティクル等の混入を抑えて反射防止膜の特性劣化を抑
えることができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に塩基性溶液を一様に液盛りする工程と、次い
で、該基板を乾燥して該塩基性溶液の溶剤を飛ばして該
基板表面に塩基性分子を残留させる工程と、次いで、該
塩基性分子を覆うように該基板上に化学増幅型ポジレジ
ストを塗布する工程、次いで、該化学増幅型ポジレジス
トに電離照射線を照射することにより、該化学増幅型ポ
ジレジスト中に酸を発生させるとともに、該化学増幅型
ポジレジストとの該基板界面近傍に発生した酸を該塩基
性分子により中和して失活させる工程と、次いで、該化
学増幅型ポジレジストを熱処理することにより、該基板
界面近傍の該化学増幅型ポジレジストの中和失活された
領域に現像液に対して溶け難い難溶化層を形成する工程
と、次いで、該難溶化層上の該化学増幅型ポジレジスト
を現像液で除去する工程とを含むことを特徴とするもの
である。

【０００９】請求項２記載の発明は、基板を塩基性気体
中に暴露して該基板表面に塩基性分子を付着させる工程
と、次いで、該塩基性分子を覆うように該基板上に化学
増幅型ポジレジストを塗布する工程、次いで、該化学増
幅型ポジレジストに電離照射線を照射することにより、
該化学増幅型ポジレジスト中に酸を発生させるととも
に、該化学増幅型ポジレジストとの該基板界面近傍に発
生した酸を該塩基性分子により中和して失活させる工程
と、次いで、該化学増幅型ポジレジストを熱処理するこ
とにより、該基板界面近傍の該化学増幅型ポジレジスト
の中和失活された領域に現像液に対して溶け難い難溶化
層を形成する工程と、次いで、該難溶化層上の該化学増
幅型レジストを現像液で除去する工程とを含むことを特
徴とするものである。

【００１０】請求項３記載の発明は、上記請求項１，２
記載の発明において、前記基板上に前記化学増幅型ポジ
レジストを塗布する前に、前記基板上に前記基板と前記
化学増幅型ポジレジストの密着性を向上させるための密
着剤を付着することを特徴とするものである。請求項４
記載の発明は、上記請求項１乃至３記載の発明におい
て、前記基板上に前記化学増幅型ポジレジストを塗布し
た後、電離線を照射する前に、前記化学増幅型ポジレジ
ストを熱処理することを特徴とするものである。

【００１１】請求項５記載の発明は、上記請求項１乃至
４記載の発明において、前記化学増幅型レジストを現像
液で除去した後、熱処理することを特徴とするものであ
る。

【００１２】

【作用】本発明では、後述する実施例の如く、基板１上
に塩基性溶液５を液盛りした後、乾燥するか、若しくは
基板１を塩基性気体中に暴露することにより、基板１表
面に付着した塩基性分子により、基板１界面近傍で露光
によって発生する酸を中和して失活させることができ
る。

【００１３】このため、熱処理することにより、基板１
界面近傍の化学増幅型ポジレジスト９の中和失活した領
域を現像液に対して難溶化して、反射防止膜となるレジ
スト難溶化層２６を形成することができる。しかも、こ
の反射防止膜となるレジスト難溶化層２６は、塩基性分
子の化学増幅型ポジレジスト９中への拡散長または酸の
基板１への拡散長によってのみ決まるため、その膜厚は
基板１上の何の位置においても一定とすることができ
る。

【００１４】従って、段差の厳しい基板１上でもカバレ
ッジの良好な薄膜のレジスト難溶化層２６を形成するこ
とができる。なお、反射防止膜となるレジスト難溶化層
２６の膜厚は、基板１に付着した塩基性分子の濃度を変
えることによって適宜制御することができる。また、本
発明では、後述する実施例の如く、一般にフォトリソグ
ラフィー工程で使用されている装置を用いることがで
き、薬液塗布ユニット２、表面処理用気体暴露ユニット
７、塩基性溶液５及び簡易型の一括露光ユニット２０が
あれば、反射防止膜となるレジスト難溶化層２６を形成
することができるため、従来のようなスパッタ装置やＣ
ＶＤ装置を用いる場合よりも、装置コストを低減するこ
とができる。

【００１５】また、真空系を用いていないため、従来の
ようなチャンバー内壁に付着した金属、パーティクル等
が飛散することもないため、金属汚染やパーティクルの
問題をほとんど生じないようにすることができる。従っ
て、本発明では、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の半導体装置の製
造に有効な微細な反射防止膜となるレジストパターンの
レジスト難溶化層２６を形成できる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１，２は本発明に係る一実施例の半導体装置の
製造工程を示す図である。本実施例では、まず、ＬＯＣ
ＯＳ工程を行った後にＣＶＤ法等により膜厚１８００オ
ングストローム程度のポリＳｉ等を成膜した径が６イン
チ程度の表面の段差が厳しく、高反射ウエハ基板１を、
図３に示す薬液塗布ユニット２の処理カップ２ａ内のス
ピンナーチャック３に載せ、ディスペンサノズル４よ
り、ジメチルアセトアミド溶液（ＤＭＡ）等の塩基性溶
液５を吐出してウエハ基板１上全面に均一に液盛りした
後、基板１全面に塩基性溶液５を液盛りした状態で３０
秒程度静止して保持する（図１（ａ））。

【００１７】なお、このように、基板１上に塩基性溶液
５を液盛りした状態で静止して保持することは、基板１
上全面に隅々まで、より均一に塩基性溶液５を液盛りす
ることを考慮すると、好ましい。ここで、図３に示す６
は、薬液塗布ユニット２外部のエアー中に含まれる塵埃
等を吸着して薬液塗布ユニット２内部に入らないように
するＨＥＰＡ（ＨｉｇｈＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＰａ
ｒｔｉｃｌｅＡｉｒｆｉｌｔｅｒの略，サイズは０．
３μ）フィルターである。

【００１８】その後、基板１を載せたスピンナーチャッ
ク３を２０００ｒｐｍ程度回転させるスピン乾燥を行う
ことにより、塩基性溶液５を液盛りした基板１表面を乾
燥させる。この時、塩基性溶液５の溶剤が飛ばされて、
基板１表面にアミン系等の塩基性分子が残留される。次
に、乾燥後の基板１を図４に示す表面処理用気体暴露ユ
ニット７のチャンバー８内のステージ８ａ上に保持し、
ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気に１１０℃
の加温状態で６０秒間程度基板１を暴露する。この時、
表面に塩基性分子が残留された基板１上に、基板１と化
学増幅型ポジレジスト９の密着性を向上させるためのＨ
ＭＤＳからなる密着剤が付着される。

【００１９】ここで、図４において、１０はバブリング
ユニットであり、１１はＨＭＤＳ溶液１２が入ったＳＵ
Ｓ等のボトルである。ボトル１１のＨＭＤＳ溶液１２内
には、ガス導入管１３ａを通ってＮ₂ガス等のバブリン
グガスが導入され、このバブリングガスでＨＭＤＳ溶液
１２はバブリングされる。ＨＭＤＳ溶液１２のＨＭＤＳ
ベーパーは、ガス導入管１３ｂを通ってチャンバー８内
に導入されて、排気口１４を通って外部に排気される。

【００２０】次に、ポリビニルフェノールの水酸基の４
０％をｔ−プトキシカルボニロキシ化した化合物、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート及び乳酸エチル等か
らなる化学増幅型ポジレジスト９を、図３と同様の薬液
塗布ユニット２により、塩基性分子を覆うように基板１
上に膜厚０．７μｍ程度で塗布した後、化学増幅型ポジ
レジスト９の溶剤を飛ばすためと、基板１と化学増幅型
ポジレジスト９の密着性を向上させるために、化学増幅
型ポジレジスト９塗布後の基板１を、図５に示す加熱ユ
ニット１６のステージチャック１７に保持し、ステージ
チャック１７下に設けたヒーター１８により、１１０℃
程度の加熱処理を９０秒程度行う（図１（ｂ））。な
お、図５において、１９は排気口である。

【００２１】その後、加熱処理後の基板１を、図６に示
す露光ユニット２０のチャンバー２１内のステージ２１
ａ上に保持し、波長２００〜４００ｎｍの水銀ランプ等
の照明系２２により、掲記波長帯を有する遠紫外光等の
電離照射線２３で、ウエハ基板１全面のポジ型化学増幅
レジスト９を露光する（図１（ｃ））。この露光処理に
より、化学増幅型ポジレジスト９中に酸が発生されると
ともに、化学増幅型ポジレジスト９との基板１界面近傍
に発生した酸は、塩基性分子により中和され失活され
る。なお、図６において、２４は排気口である。

【００２２】そして、露光後直ちに基板１を、図５の加
熱ユニット１６のステージチャック１７に保持し、ステ
ージチャック１７下に設けたヒーター１８により９０℃
程度で９０秒程度の加熱処理を行う。この加熱処理によ
り、基板１界面近傍の化学増幅型ポジレジスト９の中和
失活された領域に現像液２５に対して溶け難い反射防止
膜となるレジスト難溶化層２６が形成されるとともに、
レジスト難溶化層２６上の化学増幅型ポジレジスト９
は、露光処理によって発生した酸が化学増幅型ポジレジ
スト９を構成する樹脂と結合して現像液２５に対して溶
け易くなる（図２（ａ））。

【００２３】次に、加熱処理後の基板１を、図３に示す
薬液塗布ユニット２の処理カップ２ａ内のスピンナーチ
ャック３に保持し、ディスペンサノズル４により２．３
８％のＴＭＡＨ水溶液等の現像液２５で６０秒のバドル
現像を行って、レジスト難溶化層２６上のポジ型化学増
幅レジスト９を除去する（図２（ｂ））。この時、ポリ
Ｓｉ基板１の全ての場所において、膜厚５００オングス
トローム程度の反射防止膜となるレジスト難溶化層２６
が形成される。

【００２４】その後、残留した水溶液を蒸発させるため
に、現像処理後の基板１を、図５に示す加熱ユニット１
６のステージチャック１７に保持し、ステージチャック
１７下に設けたヒーター１８により、１１０℃程度で１
２０秒程度加熱処理を行う。ここで形成されたレジスト
難溶化層２６は、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレーザ
ー光に対して非常に高い吸収率を示すため、従来と同等
の反射防止膜として機能することを確認することができ
た。ここで、レジスト難溶化層２６を０．７μｍ厚で形
成すれば、１９３ｎｍの透過率は、０％である。

【００２５】このように、本実施例では、基板１上に塩
基性溶液５を一様に液盛りした後、乾燥することによ
り、基板１表面に付着した塩基性分子により、基板１界
面近傍で露光によって発生する酸を中和して失活させる
ことができる。このため、熱処理することにより、基板
１界面近傍の化学増幅型ポジレジスト９の中和失活した
領域を難溶化して反射防止膜となるレジスト難溶化層２
６を形成することができる。しかも、この反射防止膜と
なるレジスト難溶化層２６は、塩基性分子の化学増幅型
ポジレジスト９中への拡散長または酸の基板１への拡散
長によってのみ決まるため、その膜厚は基板１上の何の
位置においても一定とすることができる。

【００２６】従って、段差の厳しい基板１上でもカバレ
ッジの良好な薄膜の反射防止膜となる化学増幅型ポジレ
ジスト９を形成することができる。なお、反射防止膜と
なるレジスト難溶化層２６の膜厚は、基板１に付着した
塩基性分子の濃度を変えることによって適宜制御するこ
とができる。また、本実施例では、一般にフォトリソグ
ラフィー工程で使用されている装置を用いることがで
き、薬液塗布ユニット２、表面処理用気体暴露ユニット
７、塩基性溶液５及び簡易型の一括露光ユニット２０が
あれば、反射防止膜となるレジスト難溶化層２６を形成
することができるため、従来のようなスパッタ装置やＣ
ＶＤ装置を用いる場合よりも、装置コストを低減するこ
とができる。

【００２７】また、真空系を用いていないため、従来の
ようなチャンバー内壁に付着した金属、パーティクル等
が飛散することもないため、金属汚染やパーティクルの
問題をほとんど生じないようにすることができる。従っ
て、本実施例では、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の半導体装置の
製造に有効な微細な反射防止膜となるレジストパターン
のレジスト難溶化層２６を形成できる。

【００２８】なお、本実施例においては、図７に示す如
く、塩基性溶液５を吐出する薬液塗布ユニット２と、密
着剤を塗布する表面処理用気体暴露ユニット７と、化学
増幅型ポジレジスト９を塗布する薬液塗布ユニット２
と、現像液２５を吐出する薬液塗布ユニット２と、露光
処理する露光ユニット２０と、加熱処理する加熱ユニッ
ト１６と、ロボット搬送アーム３１と、ウエハインデク
サー３２とを同一装置内に設けて構成し、上記の如く一
連の処理を行うようにすれば、反射防止膜となるレジス
ト難溶化層２６を効率良く形成することができる。

【００２９】なお、上記実施例では、基板１上に塩基性
溶液５を液盛りした後、乾燥処理して基板１上に塩基性
分子を残留させる構成の場合について説明したが、本発
明においては、基板１を塩基性気体中に暴露して基板１
上に塩基性分子を付着させるように構成してもよく、こ
の場合も上記実施例と同様の効果を得ることができる。

【００３０】例えば、ＬＯＣＯＳ工程を行った後にＣＶ
Ｄ法等により膜厚１８００オングストローム程度のポリ
Ｓｉ等を成膜した径が６インチ程度の表面の段差が厳し
く、高反射ウエハ基板１を、図４に示す表面処理用気体
暴露ユニット７のチャンバー８内のステージ８ａに保持
し、ボトル１１に入れた濃度が５％程度のＮＨ₂ＯＨ溶
液１２をＮ₂等のバブリングガスでバブリングすること
により、チャンバー８内に塩基性のペーパーを引き込
み、１２０秒間程度暴露する。この時、基板１表面に
は、ＮＨ₃分子等の塩基性分子が付着される。

【００３１】その後のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）雰囲気に暴露する工程からは、実施例１と同様の処
理を行う。なお、この場合も、上記実施例と同様、図８
に示す如く、塩基性溶液５を吐出する表面処理用気体暴
露ユニット７と、密着剤を塗布する表面処理用気体暴露
ユニット７と、化学増幅型ポジレジスト９を塗布する薬
液塗布ユニット２と、現像液２５を吐出する薬液塗布ユ
ニット２と、露光処理する露光ユニット２０と、加熱処
理する加熱ユニット１６と、ロボット搬送アーム３１
と、ウエハインデクサー３２とを同一装置内に設けて構
成し、上記の如く一連の処理を行うようにすれば、反射
防止膜となるレジスト難溶化層２６を効率良く形成する
ことができる。

【００３２】上記実施例では、基板１上に液盛りする塩
基性溶液５にジメチルアセトアミド溶液等の塩基性有機
系溶液を用いたが、本発明はこれのみに限定されるもの
ではなく、少なくとも塩基性を有する溶液であれば各種
の溶液を用いることができ、例えばＮ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）、ＮＨ₄ＯＨ溶液（濃度５％）、酢酸ブチ
ルとメトキシプロパノール１：１の混合液等を用いるこ
とができる。

【００３３】また、液盛り後の乾燥は、スピン乾燥によ
り行う場合について説明したが、本発明はこれのみに限
定されるものではなく、例えばヒーターによる温風乾燥
を行ってもよいし、また、ホットプレートによる乾燥を
行ってもよいし、更に、スピン乾燥した後更にホットプ
レートによる乾燥を行って乾燥の効率化を図ってもよ
い。

【００３４】上記実施例では、電離照射線２３に波長２
００〜４００ｎｍの遠紫外光を用いたが、本発明はこれ
のみに限定されるものではなく、遠紫外光以外の可視
光、レーザー光、Ｘ線等の電磁波、電子線、イオン線等
の粒子線を用いてもよい。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、段差の大きい基板でも
基板上の全ての場所で均一な膜厚の反射防止膜をカバレ
ッジ良く形成することができるとともに、汚染金属、パ
ーティクル等の混入を抑えて反射防止膜の特性劣化を抑
えることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の半導体装置の製造工程
を示す図である。

【図２】本発明に係る一実施例の半導体装置の製造工程
を示す図である。

【図３】本発明に係る一実施例の基板に薬液を塗布する
薬液塗布ユニットの構成を示す図である。

【図４】本発明に係る一実施例の基板を表面処理用気体
中に暴露する表面処理用気体暴露ユニットの構成を示す
図である。

【図５】本発明に係る一実施例の基板を加熱する加熱ユ
ニットの構成を示す図である。

【図６】本発明に係る一実施例の基板を露光する露光ユ
ニットの構成を示す図である。

【図７】本発明に係る一実施例の半導体製造装置を示す
図である。

【図８】本発明に適用できる半導体製造装置を示す図で
ある。

【符号の説明】

１基板２薬液塗布ユニット２ａ処理カップ３スピンナーチャック４ディスペンサノズル５塩基性溶液６フィルター７表面処理用気体暴露ユニット８，２１チャンバー８ａ，２１ａステージ９化学増幅型ポジレジスト１０バブリングユニット１１ボトル１２溶液１３ａ，１３ｂガス導入管１４，１９，２４排気口１６加熱ユニット１７ステージチャック１８ヒーター２０露光ユニット２２照明系２３電離照射線２５現像液２６レジスト難溶化層３１ロボット搬送アーム３２ウエハインデクサー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１）上に塩基性溶液（５）を一様に
液盛りする工程と、次いで、該基板（１）を乾燥して該
塩基性溶液（５）の溶剤を飛ばして該基板（１）表面に
塩基性分子を残留させる工程と、次いで、該塩基性分子
を覆うように該基板（１）上に化学増幅型ポジレジスト
（９）を塗布する工程、次いで、該化学増幅型ポジレジ
スト（９）に電離照射線を照射することにより、該化学
増幅型ポジレジスト（９）中に酸を発生させるととも
に、該化学増幅型ポジレジスト（９）との該基板（１）
界面近傍に発生した酸を該塩基性分子により中和して失
活させる工程と、次いで、該化学増幅型ポジレジスト
（９）を熱処理することにより、該基板（１）界面近傍
の該化学増幅型ポジレジスト（９）の中和失活された領
域に現像液に対して溶け難い難溶化層（２６）を形成す
る工程と、次いで、該難溶化層（２６）上の該化学増幅
型ポジレジスト（９）を現像液で除去する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】基板（１）を塩基性気体中に暴露して該基
板（１）表面に塩基性分子を付着させる工程と、次い
で、該塩基性分子を覆うように該基板（１）上に化学増
幅型ポジレジスト（９）を塗布する工程、次いで、該化
学増幅型ポジレジスト（９）に電離照射線を照射するこ
とにより、該化学増幅型ポジレジスト（９）中に酸を発
生させるとともに、該化学増幅型ポジレジスト（９）と
の該基板（１）界面近傍に発生した酸を該塩基性分子に
より中和して失活させる工程と、次いで、該化学増幅型
ポジレジスト（９）を熱処理することにより、該基板
（１）界面近傍の該化学増幅型ポジレジスト（９）の中
和失活された領域に現像液に対して溶け難い難溶化層
（２６）を形成する工程と、次いで、該難溶化層（２
６）上の該化学増幅型レジスト（９）を現像液で除去す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項３】前記基板（１）上に前記化学増幅型ポジレ
ジスト（９）を塗布する前に、前記基板（１）上に前記
基板（１）と前記化学増幅型ポジレジスト（９）の密着
性を向上させるための密着剤を付着することを特徴とす
る請求項１，２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記基板（１）上に前記化学増幅型ポジレ
ジスト（９）を塗布した後、電離線を照射する前に、前
記化学増幅型ポジレジスト（９）を熱処理することを特
徴とする請求項１乃至３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記化学増幅型レジスト（９）を現像液で
除去した後、熱処理することを特徴とする請求項１乃至
４記載の半導体装置の製造方法。