JPH0851001A - セラミック抵抗体 - Google Patents
セラミック抵抗体Info
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- JPH0851001A JPH0851001A JP6187044A JP18704494A JPH0851001A JP H0851001 A JPH0851001 A JP H0851001A JP 6187044 A JP6187044 A JP 6187044A JP 18704494 A JP18704494 A JP 18704494A JP H0851001 A JPH0851001 A JP H0851001A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】窒化アルミニウム結晶相を主体とし、例えばＣ
ＶＤ法により作製されたセラミック抵抗体であって、抵
抗体中に酸素が０．００５〜２０原子％存在し、結晶相
における格子定数がａ軸で３．１０５〜３．１１７Å、
ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åであるとともに、２５
℃における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下の抵抗体
を提供する。 【効果】窒化アルミニウムの特性、例えば耐食性を失な
うことなく抵抗値を変化でき、帯電を防止し耐食性に優
れたセラミック抵抗体を提供できる。
ＶＤ法により作製されたセラミック抵抗体であって、抵
抗体中に酸素が０．００５〜２０原子％存在し、結晶相
における格子定数がａ軸で３．１０５〜３．１１７Å、
ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åであるとともに、２５
℃における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下の抵抗体
を提供する。 【効果】窒化アルミニウムの特性、例えば耐食性を失な
うことなく抵抗値を変化でき、帯電を防止し耐食性に優
れたセラミック抵抗体を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒータ材料、真空管外
囲管や半導体製造装置における帯電除去材料、ウエハ搬
送用アーム、ウエハハンドリング用治具などに適した窒
化アルミニウムを主体とするセラミック抵抗体に関す
る。
囲管や半導体製造装置における帯電除去材料、ウエハ搬
送用アーム、ウエハハンドリング用治具などに適した窒
化アルミニウムを主体とするセラミック抵抗体に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来より、絶縁性のセラミックスの電気抵
抗を調整するための方法としては、絶縁性セラミックス
に対して、導電性材料を添加して抵抗値を制御すること
が一般に行われている。例えば、アルミナに対して窒化
チタンを添加して電気抵抗を小さくすることが行われて
いる。
抗を調整するための方法としては、絶縁性セラミックス
に対して、導電性材料を添加して抵抗値を制御すること
が一般に行われている。例えば、アルミナに対して窒化
チタンを添加して電気抵抗を小さくすることが行われて
いる。
【０００３】一方、窒化アルミニウムは、非酸化性セラ
ミックスの１種であり、構造材料や高温材料としての応
用が期待され、最近では耐プラズマに対しても優れた耐
久性を有することが報告されている。よって、この窒化
アルミニウムを静電チャックなど半導体製造装置内の部
品としての応用が考慮されている。しかしながら、この
窒化アルミニウム自体、高絶縁材料であり、室温でも１
０16Ω−ｃｍ以上の抵抗値を有するために実用化には至
っていないのが現状である。
ミックスの１種であり、構造材料や高温材料としての応
用が期待され、最近では耐プラズマに対しても優れた耐
久性を有することが報告されている。よって、この窒化
アルミニウムを静電チャックなど半導体製造装置内の部
品としての応用が考慮されている。しかしながら、この
窒化アルミニウム自体、高絶縁材料であり、室温でも１
０16Ω−ｃｍ以上の抵抗値を有するために実用化には至
っていないのが現状である。
【０００４】このような窒化アルミニウムに対しても、
電気抵抗を小さくする試みが行われている。例えば、窒
化アルミニウムや窒化ホウ素の絶縁性セラミックスに対
してもＡｌなどの導電性材料を添加して比抵抗を調整す
ることが特開昭５６ー４５０９号に提案されている。ま
た、薄膜状セラミックスにおいては、例えば窒化アルミ
ニウムに金属アルミニウムを分散させて抵抗温度係数の
小さな薄膜抵抗体を得ることも特公昭５５ー５０３６４
号に提案されている。
電気抵抗を小さくする試みが行われている。例えば、窒
化アルミニウムや窒化ホウ素の絶縁性セラミックスに対
してもＡｌなどの導電性材料を添加して比抵抗を調整す
ることが特開昭５６ー４５０９号に提案されている。ま
た、薄膜状セラミックスにおいては、例えば窒化アルミ
ニウムに金属アルミニウムを分散させて抵抗温度係数の
小さな薄膜抵抗体を得ることも特公昭５５ー５０３６４
号に提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】一般に、絶縁体の体
積固有抵抗値は温度とともに低下する傾向にあるが、例
えば窒化アルミニウムの場合には室温で１０16Ω−ｃｍ
から６００℃で１０7 Ω−ｃｍ以下まで激減する傾向に
ある。そのため、室温から高温まで使用する場合、安定
した動作をすることができないために、使用することが
できないか、使用温度条件に制限があるなどの問題があ
った。
積固有抵抗値は温度とともに低下する傾向にあるが、例
えば窒化アルミニウムの場合には室温で１０16Ω−ｃｍ
から６００℃で１０7 Ω−ｃｍ以下まで激減する傾向に
ある。そのため、室温から高温まで使用する場合、安定
した動作をすることができないために、使用することが
できないか、使用温度条件に制限があるなどの問題があ
った。
【０００６】また、導電性材料を加えることにより電気
抵抗を制御する方法においては、導電性材料自体の特性
により、絶縁性セラミックスが本来有する特性が損なわ
れるなどの問題があった。例えば、耐食性や耐久性に欠
けたり、窒化アルミニウムの特性が劣化したりした。
抵抗を制御する方法においては、導電性材料自体の特性
により、絶縁性セラミックスが本来有する特性が損なわ
れるなどの問題があった。例えば、耐食性や耐久性に欠
けたり、窒化アルミニウムの特性が劣化したりした。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して特に電気抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下のセラ
ミック抵抗体としてその組成および組織の観点から検討
を重ねた結果、例えば化学気相合成法により形成された
窒化アルミニウムを主成分とする絶縁体中に酸素を０．
００５〜２０原子％含有させ、そして、その酸素を窒化
アルミニウム結晶中に固溶させて窒化アルミニウムの格
子定数を特定の範囲に制御することによって、絶縁層の
体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下の範囲に調整でき、
かつ温度変化が小さく広い温度域において安定した材料
特性が得られることを見いだし本発明に至った。
題点に対して特に電気抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下のセラ
ミック抵抗体としてその組成および組織の観点から検討
を重ねた結果、例えば化学気相合成法により形成された
窒化アルミニウムを主成分とする絶縁体中に酸素を０．
００５〜２０原子％含有させ、そして、その酸素を窒化
アルミニウム結晶中に固溶させて窒化アルミニウムの格
子定数を特定の範囲に制御することによって、絶縁層の
体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下の範囲に調整でき、
かつ温度変化が小さく広い温度域において安定した材料
特性が得られることを見いだし本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明のセラミック抵抗体は、窒化
アルミニウム結晶相を主体とするセラミック抵抗体であ
って、該抵抗体中に酸素が０．００５〜２０原子％存在
し、前記結晶相における格子定数がａ軸で３．１０５〜
３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åである
とともに、２５℃における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃ
ｍ以下であることを特徴とするものである。
アルミニウム結晶相を主体とするセラミック抵抗体であ
って、該抵抗体中に酸素が０．００５〜２０原子％存在
し、前記結晶相における格子定数がａ軸で３．１０５〜
３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åである
とともに、２５℃における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃ
ｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】以下、本発明を詳述する。本発明における
セラミック抵抗体は、窒化アルミニウムを主体とするも
のであるが、組成上、酸素原子を０．００５〜２０原子
％含有するものである。この酸素量は、窒化アルミニウ
ムに対して導電性を付与するための重要な元素であり、
この酸素量が０．００５原子％より少ないと所望の抵抗
が得られず、２０原子％を越えると、絶縁体であるＡｌ
ＯＮが生成しやすくなり抵抗制御が難しくなり、また薄
膜においては剥離やクラックが発生しやすくなる。
セラミック抵抗体は、窒化アルミニウムを主体とするも
のであるが、組成上、酸素原子を０．００５〜２０原子
％含有するものである。この酸素量は、窒化アルミニウ
ムに対して導電性を付与するための重要な元素であり、
この酸素量が０．００５原子％より少ないと所望の抵抗
が得られず、２０原子％を越えると、絶縁体であるＡｌ
ＯＮが生成しやすくなり抵抗制御が難しくなり、また薄
膜においては剥離やクラックが発生しやすくなる。
【００１０】また、このセラミック抵抗体は、組織上、
窒化アルミニウム結晶を主体とするものであるが、この
抵抗体中の酸素の一部は窒化アルミニウム結晶中に固溶
するが、この結晶中に固溶しきれない酸素により酸化ア
ルミニウムまたは酸窒化アルミニウムからなる相が１２
重量％以下の割合で存在する場合もある。また、窒化ア
ルミニウム結晶は、酸素の固溶により格子定数がａ軸で
３．１０５〜３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９
９０Åの範囲にあるもので、窒化アルミニウム単体から
なる結晶の格子定数（ａ軸３．１２０Å、ｃ軸４．９９
４Å）とは明らかに異なる格子定数を有するものであ
り、言い換えれば、窒化アルミニウム単体の格子定数に
対してａ軸で０．００３〜０．０１５Å小さく、ｃ軸で
０．００４〜０．０２１Å小さくなる。
窒化アルミニウム結晶を主体とするものであるが、この
抵抗体中の酸素の一部は窒化アルミニウム結晶中に固溶
するが、この結晶中に固溶しきれない酸素により酸化ア
ルミニウムまたは酸窒化アルミニウムからなる相が１２
重量％以下の割合で存在する場合もある。また、窒化ア
ルミニウム結晶は、酸素の固溶により格子定数がａ軸で
３．１０５〜３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９
９０Åの範囲にあるもので、窒化アルミニウム単体から
なる結晶の格子定数（ａ軸３．１２０Å、ｃ軸４．９９
４Å）とは明らかに異なる格子定数を有するものであ
り、言い換えれば、窒化アルミニウム単体の格子定数に
対してａ軸で０．００３〜０．０１５Å小さく、ｃ軸で
０．００４〜０．０２１Å小さくなる。
【００１１】本発明のセラミック抵抗体は、上記の構成
により２５℃において１０14Ω−ｃｍ以下の体積固有抵
抗を有するもので、その下限値はおよそ１０Ω−ｃｍで
ある。しかも、この抵抗体は後述する実施例から明らか
なように、室温から４００℃までの温度領域において、
２５℃の抵抗値に対する変化が３桁以下の優れた抵抗安
定性を有することも大きな特徴である。
により２５℃において１０14Ω−ｃｍ以下の体積固有抵
抗を有するもので、その下限値はおよそ１０Ω−ｃｍで
ある。しかも、この抵抗体は後述する実施例から明らか
なように、室温から４００℃までの温度領域において、
２５℃の抵抗値に対する変化が３桁以下の優れた抵抗安
定性を有することも大きな特徴である。
【００１２】本発明のセラミック抵抗体を製造する方法
としては、上記の構成を満足する限りにおいて格別その
製法を限定するものではないが、その製造の容易性の点
で、特に気相成長法が好ましく、具体的には、スパッタ
リング、イオンプレーティングなどの物理気相合成法
（ＰＶＤ法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍ
ｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成
法（ＣＶＤ法）により形成されるが、これらの中でもＣ
ＶＤ法がよい。これらの成膜法によれば、酸素を過剰に
固溶させた窒化アルミニウムを合成でき、本発明により
採用される酸素を０．０１〜２０原子％含有して窒化ア
ルミニウム結晶の格子定数の小さいセラミック抵抗体を
得ることができる。ＣＶＤ法を用いた具体的な製法とし
ては、原料ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス、ＮＯ2 お
よびＡｌＣｌ3 ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ
2 ／ＡｌＣｌ3 ＝５〜７０、ＮＯ2 ／ＮＨ3 ＝０．００
１〜１、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝０．１〜１０とし、成膜
温度を８５０℃以上の比較的高めに設定することにより
作製することができる。
としては、上記の構成を満足する限りにおいて格別その
製法を限定するものではないが、その製造の容易性の点
で、特に気相成長法が好ましく、具体的には、スパッタ
リング、イオンプレーティングなどの物理気相合成法
（ＰＶＤ法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍ
ｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成
法（ＣＶＤ法）により形成されるが、これらの中でもＣ
ＶＤ法がよい。これらの成膜法によれば、酸素を過剰に
固溶させた窒化アルミニウムを合成でき、本発明により
採用される酸素を０．０１〜２０原子％含有して窒化ア
ルミニウム結晶の格子定数の小さいセラミック抵抗体を
得ることができる。ＣＶＤ法を用いた具体的な製法とし
ては、原料ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス、ＮＯ2 お
よびＡｌＣｌ3 ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ
2 ／ＡｌＣｌ3 ＝５〜７０、ＮＯ2 ／ＮＨ3 ＝０．００
１〜１、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝０．１〜１０とし、成膜
温度を８５０℃以上の比較的高めに設定することにより
作製することができる。
【００１３】一方、膜を形成する基体としては、あらゆ
るものが使用できるが、具体的にはＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯ
Ｎ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ダイヤモンド、ムライト、ＺｒＯ2 、
Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボ
ンやＳｉ半導体材料（ｎ型あるいはｐ型）も挙げられる
が、これらの中でも窒化アルミニウムを主体とする焼結
体が最も望ましい。
るものが使用できるが、具体的にはＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯ
Ｎ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ダイヤモンド、ムライト、ＺｒＯ2 、
Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボ
ンやＳｉ半導体材料（ｎ型あるいはｐ型）も挙げられる
が、これらの中でも窒化アルミニウムを主体とする焼結
体が最も望ましい。
【００１４】
【作用】通常、窒化アルミニウムは体積固有抵抗１０14
Ω−ｃｍを越える高絶縁体であるが、その窒化アルミニ
ウム結晶中に酸素を固溶させて窒素を酸素で置換させる
と、電子が１個過剰となりこれが導電性に寄与し結晶の
導電率を高める作用となすものと考えられる。また、窒
化アルミニウム結晶への酸素の固溶は格子定数の変化に
より判定できる。例えば、酸素を含まない窒化アルミニ
ウムの格子定数はａ軸で３．１２０Å、ｃ軸で４．９９
４Åであるが、酸素原子が固溶するに従い、ａ軸、ｃ軸
とも小さくなる。そして格子定数をａ軸で３．１０５〜
３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åにする
と体積固有抵抗を１０14Ω−ｃｍ以下に制御することが
できる。
Ω−ｃｍを越える高絶縁体であるが、その窒化アルミニ
ウム結晶中に酸素を固溶させて窒素を酸素で置換させる
と、電子が１個過剰となりこれが導電性に寄与し結晶の
導電率を高める作用となすものと考えられる。また、窒
化アルミニウム結晶への酸素の固溶は格子定数の変化に
より判定できる。例えば、酸素を含まない窒化アルミニ
ウムの格子定数はａ軸で３．１２０Å、ｃ軸で４．９９
４Åであるが、酸素原子が固溶するに従い、ａ軸、ｃ軸
とも小さくなる。そして格子定数をａ軸で３．１０５〜
３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜４．９９０Åにする
と体積固有抵抗を１０14Ω−ｃｍ以下に制御することが
できる。
【００１５】しかも本発明のセラミック抵抗体は温度に
対する抵抗変化が小さく、例えば、一般的窒化アルミニ
ウムの場合、室温（２５℃）から４００℃までの温度範
囲では１０16Ω−ｃｍから１０10Ω−ｃｍまで変化する
のに対して、本発明のセラミック抵抗体ではおよそ１０
13Ω−ｃｍから１０11Ω−ｃｍまでと３桁以下しか変化
しないという特徴を有するものであり、少なくとも室温
から４００℃まで安定な抵抗特性を有するものである。
対する抵抗変化が小さく、例えば、一般的窒化アルミニ
ウムの場合、室温（２５℃）から４００℃までの温度範
囲では１０16Ω−ｃｍから１０10Ω−ｃｍまで変化する
のに対して、本発明のセラミック抵抗体ではおよそ１０
13Ω−ｃｍから１０11Ω−ｃｍまでと３桁以下しか変化
しないという特徴を有するものであり、少なくとも室温
から４００℃まで安定な抵抗特性を有するものである。
【００１６】従って、室温から高温まで安定した抵抗が
必要とされる半導体製造装置中の静電チャックなどの用
途に対しては特に有用性が高いものである。
必要とされる半導体製造装置中の静電チャックなどの用
途に対しては特に有用性が高いものである。
【００１７】
実施例１ 窒化アルミニウム質焼結体からなる基体表面に化学気相
合成法によってＡｌＮ膜を形成した。ＡｌＮ膜の成膜
は、基体を外熱式によって９００℃に加熱した炉に入
れ、窒素を８ＳＬＭ、アンモニアを１ＳＬＭ、０〜０．
５ＳＬＭのＮ2 Ｏガスを流して圧力を５０ｔｏｒｒとし
た。さらに、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）を０．３
ＳＬＭの流量で導入して反応を開始し、４５０μｍの膜
厚の膜を形成した。得られた膜に対してＸ線回折法でＳ
ｉ（ＳＲＭ６４０ｂ）を標準試料として角度補正を行
い、ピークトップ法により算出した。測定面指数は（１
００）、（００２）、（１０１）、（１０２）、（１１
０）、（１０３）、（１１２）、（００４）であった。
合成法によってＡｌＮ膜を形成した。ＡｌＮ膜の成膜
は、基体を外熱式によって９００℃に加熱した炉に入
れ、窒素を８ＳＬＭ、アンモニアを１ＳＬＭ、０〜０．
５ＳＬＭのＮ2 Ｏガスを流して圧力を５０ｔｏｒｒとし
た。さらに、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）を０．３
ＳＬＭの流量で導入して反応を開始し、４５０μｍの膜
厚の膜を形成した。得られた膜に対してＸ線回折法でＳ
ｉ（ＳＲＭ６４０ｂ）を標準試料として角度補正を行
い、ピークトップ法により算出した。測定面指数は（１
００）、（００２）、（１０１）、（１０２）、（１１
０）、（１０３）、（１１２）、（００４）であった。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１の結果から明らかなように、窒化アル
ミニウム中の酸素原子量および格子定数はＮ2 Ｏ流量に
よって変化し、Ｎ2 Ｏを全く導入せず、酸素原子量も不
純物レベルの０．０００１原子％の場合には、体積固有
抵抗も９×１０15Ω−ｃｍと高絶縁性であったが、Ｎ2
Ｏの流量を徐々に増加させるに伴い、膜中の酸素原子量
が増加するとともに、格子定数も次第に小さくなり、体
積固有抵抗も３０Ω−ｃｍまで低下した。
ミニウム中の酸素原子量および格子定数はＮ2 Ｏ流量に
よって変化し、Ｎ2 Ｏを全く導入せず、酸素原子量も不
純物レベルの０．０００１原子％の場合には、体積固有
抵抗も９×１０15Ω−ｃｍと高絶縁性であったが、Ｎ2
Ｏの流量を徐々に増加させるに伴い、膜中の酸素原子量
が増加するとともに、格子定数も次第に小さくなり、体
積固有抵抗も３０Ω−ｃｍまで低下した。
【００２０】なお、得られた窒化アルミニウム膜はＸ線
回折測定から（００２）に配向するＡｌＮ膜であった。
しかし、透過型電子顕微鏡観察ではアルミナ結晶相が存
在しており、その量はＮ2 Ｏ流量と相関がみられた。ま
た、アルミニウム、酸素および窒素が検出される結晶相
もわずかに見いだされた。
回折測定から（００２）に配向するＡｌＮ膜であった。
しかし、透過型電子顕微鏡観察ではアルミナ結晶相が存
在しており、その量はＮ2 Ｏ流量と相関がみられた。ま
た、アルミニウム、酸素および窒素が検出される結晶相
もわずかに見いだされた。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、窒
化アルミニウム中の酸素量及び格子定数を制御すること
により、室温における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以
下で、かつ温度変化の小さな抵抗体を得ることができ
る。したがって、窒化アルミニウムの特性、例えば耐食
性を失うことなく抵抗値を変化できる。
化アルミニウム中の酸素量及び格子定数を制御すること
により、室温における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以
下で、かつ温度変化の小さな抵抗体を得ることができ
る。したがって、窒化アルミニウムの特性、例えば耐食
性を失うことなく抵抗値を変化できる。
Claims (2)
- 【請求項１】窒化アルミニウム結晶相を主体とするセラ
ミック抵抗体であって、該抵抗体中に酸素が０．００５
〜２０原子％存在し、前記結晶相における格子定数がａ
軸で３．１０５〜３．１１７Å、ｃ軸で４．９７３〜
４．９９０Åであるとともに、２５℃における体積固有
抵抗が１０14Ω−ｃｍ以下であることを特徴とするセラ
ミック抵抗体。 - 【請求項２】前記抵抗体が化学気相合成法により形成さ
れたものである請求項１記載のセラミック抵抗体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18704494A JP3145574B2 (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | セラミック抵抗体 |
| US08/385,774 US5668524A (en) | 1994-02-09 | 1995-02-09 | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
| US08/841,605 US5777543A (en) | 1994-01-09 | 1997-04-30 | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18704494A JP3145574B2 (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | セラミック抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851001A true JPH0851001A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3145574B2 JP3145574B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=16199198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18704494A Expired - Fee Related JP3145574B2 (ja) | 1994-01-09 | 1994-08-09 | セラミック抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145574B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993699A (en) * | 1997-06-06 | 1999-11-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride based composite body electronic functional material, electrostatic chuck and method of producing aluminum nitride based composite body |
| US6225249B1 (en) | 1998-07-08 | 2001-05-01 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body, method of producing thereof, electrostatic chuck, susceptor, dummy wafer, clamp ring and particle catcher using the same |
| WO2005003414A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-13 | Kenichiro Miyahara | 薄膜形成用基板、薄膜基板、及び発光素子 |
| US7929269B2 (en) | 2008-09-04 | 2011-04-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
| JP2012134293A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4166455B2 (ja) | 2001-10-01 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 偏光フィルム及び発光装置 |
| JP4024510B2 (ja) | 2001-10-10 | 2007-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記録媒体、および基材 |
-
1994
- 1994-08-09 JP JP18704494A patent/JP3145574B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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