JPH08505242A - エレクトロクロミック装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 大きな表面領域の用途に使用することができるエレクトロクロミック装置（１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０）が開示されている。この装置は、構造体の層間の光学的干渉を最小にするとともに、均一な光学的透明性を最大にするのに、光学調整層（６０、６１、６２、６３、６４、６５）を利用する。光学調整により更に、透明な導電酸化物層（２０、２２）の代わりに薄い導電金属層（２１、２３）を配置することができるので、装置の全体の厚みを小さくするとともに、製造方法を容易にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 エレクトロクロミック装置 本願は、１９９１年９月４日付出願の出願番号第０７／７５４，６５０号の一 部継続出願である。技術分野 本発明は、光をはじめとするエネルギを制御された条件の下で伝送することが できるエレクトロクロミック（electrochromic）装置に関する。より詳細に云う と、本発明は、大きな表面に対して使用することができる改良されたエレクトロ クロミック装置およびかかる装置を製造する方法に関する。背景技術 エレクトロクロミック材料と云われるある種の材料は、電流または電位の印加 に応答してその光学的特性を変化させることが知られている。この特性は、光エ ネルギを選択的に伝送するするために制御することができるエレクトロクロミッ ク装置を製造するのに利用されてきた。かかるエレクトロクロミック装置は、導 電材料の層、エレクトロクロミック材料の層から形成された電極、イオン伝導層 および他の導電層を含む一連の層からなる構造体を備えている。エレクトロクロ ミック装置は、第１の状態では、上記した各層が、装置に入射する光エネルギの 大部分が透過するように光学的に透明である。しかしなから、これらの層に電位 が印加されると、エレクトロクロミック材料の光学特性は、エレクトロクロミッ ク層の透明性が減少して、光エネルギの多くの部分の透過を妨げるように変化す る。 これらのエレクトロクロミック装置の最も有意義な可能性のある用途は、窓、 特に、オフィスビルディングその他の同様な構造物の大形の窓に対する光エネル ギの透過を制御するものである。これらの窓に対する光エネルギの透過を選択的 に制御することにより、これらのビルディングの暖房および冷房を行なううえで 、著しいコストの節減を実現することができる。しかしながら、これまでは、か かる可能性のある利点を利用する努力は実質上不首尾に終っていた。かかる不首 尾の理由の１つに、大きな表面に亘って有効に使用することができるエレクトロ クロミック装置を経済的に製造することが産業界では不可能であったということ がある。これまで入手することができたかかる装置は、大きな表面積に対して使 用する場合には、種々の色の望ましくないモザイクまたは虹様の性状を呈してい た。これらの装置の色彩は、種々の層の肉厚即ち厚さに直接関係するので、層の 肉厚の変動が生ずると、領域ごとに色が異なるようになり、このような虹様の性 状が生ずるのである。かかる欠点を克服するには、著しく面倒な対策が必要とな るので、かかる装置を大きな表面積の用途に適用することは経済的に著しく不利 となる。 大きな表面積のエレクトロクロミック装置の広範な商業化に対する別の障害と して、かかる装置の光学的な透明性が損なわれないように光学的に透明な導電材 料を使用して電位をこれらの装置に印加しなければならないと、本技術分野にお いて云われていることが挙げられる。これらの材料から形成される導電層は、装 置全体の光学特性の変化が十分に迅速にかつ均一に行なわれるようにするために 、低いシート抵抗（sheet resistance）を有するのが好ましい。これらの層は、 多くの場合、低廉な透明導電金属酸化物から形成される。大きな表面積の装置に 、許容することができる低いシート抵抗を提供するのに必要なこれらの酸化物の 比較的厚肉の層は、全体の透明性を減ずる傾向がある。更に、これらの材料はコ ストが高いので、必要量が比較的多いと、かかる材料を使用した場合に経済的に 不利となる。 従って、大きな表面積の用途に対して使用された場合に許容することができる 外観を呈する改良されたエレクトロクロミック装置が待望されている。更に、効 率的にかつ経済的に製造することができ、従って、商業的に広範に利用すること ができるエレクトロクロミック装置が待望されている。発明の概要 本発明は、これらの要望に対処するものである。 本発明の一の観点によれば、エレクトロクロミック材料から形成された電極、 対電極および電極と対電極との間でイオンを移送する移送手段を有するエレクト ロクロミック構造体を備えたエレクトロクロミック装置が提供されている。エレ クトロクロミック構造体に電位を印加するようにエレクトロクロミック構造体を 挟持する少なくとも２つの導電層を有する導電手段が配設されている。更に、エ レクトロクロミック装置は、導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を高 進する高進手段を備えている。好ましくは、電極、対電極およびイオン伝導層は 、いずれも略同じ屈折率を有するように選定される。 好ましい実施例においては、高進手段は、少なくとも１つの導電層と面接触す る光学的に透明な材料の少なくとも１つの層を備える。好ましくは、光学的に透 明な材料は、透明な酸化物、透明窒化物またはこれらの組み合わせである。幾つ かの特に好ましい実施例においては、光学的に透明な材料は、酸化珪素および酸 化錫の混合物からなる。 移送手段は、電極と対電極との間に挟設されたイオン伝導材料から形成された 少なくとも１つの層を有するのが望ましい。これらの実施例においては、エレク トロクロミック材料は、酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリ ブデン、酸化ニッケル、酸化イリジウムまたはこれらの混合物から形成されるの が好ましい。対電極は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化ニ ッケル、酸化コバルト、酸化モリブデンまたはこれらの混合物から形成されるの が好ましい。イオン伝導材料は、珪酸リチウム、硼珪酸リチウム、珪酸リチウム アルミニウム、ニオブ酸リチウム、窒化リチウムまたはフッ化リチウムアルミニ ウムのようなリチウムイオン伝導材料とすることができる。あるいは、イオン伝 導材料は、二酸化珪素または五酸化タンタルのような水素イオン伝導材料とする ことができる。好ましくは、電極、対電極およびイオン伝導層は、いずれも略同 じ屈折率を有するように選定される。これは、これらの材料の屈折率を、異なる 屈折率を有する酸化物を添加して調整することにより行なうことができる。 本発明のこの観点に係る一の実施例においては、エレクトロクロミック装置は 更に、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層と面接触する基体材料を含み、 基体材料は第１の屈折率を有し、少なくとも１つの導電層は第２の屈折率を有し 、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層は第１の屈折率と第２の屈折率との 間の第３の屈折率を有する。この実施例に係る好ましいエレクトロクロミック装 置においては、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層は、第１および第２の 屈折率の数学積の平方根と略等しい。更に、光学的に透明な材料の少なくとも１ つの層は、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層の屈折率と反比例する厚さ を有するのが好ましく、より好ましくは約６０ｎｍ乃至約９０ｎｍの厚さを有す る。 別の実施例においては、高進手段は、少なくとも１つの導電層と面接触する第 １の光学的に透明な層で開始し、第ｎの光学的に透明な層で終了する一連の光学 的に透明な層からなることができる。装置のこの実施例は更に、第ｎの透明な層 と面接触する基体材料からなることができ、少なくとも１つの導電層は第１の屈 折率を有し、基体材料は第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する。この 実施例においては、第１の光学的に透明な層の屈折率は第１の屈折率よりも小さ く、第ｎの光学的に透明な層の屈折率は第２の屈折率よりも大きく、一連の光学 的に透明な層の各１つの屈折率は、第１の透明な層の屈折率から第ｎの透明な層 の屈折率へ単調に減少する。 更に別の実施例においては、高進手段は、２つの光学的に透明な層から構成す ることができ、光学的に透明な層の一方は少なくとも１つの導電層と面接触し、 光学的に透明な層の別の１つは、１つの光学的に透明な層と面接触している。こ の実施例においては、少なくとも１つの導電層は第１の屈折率を有し、光学的に 透明な層の１つは第１の屈折率よりも小さい屈折率を有し、光学的に透明な層の 別の１つは光学的に透明な層の１つの屈折率よりも大きい屈折率を有する。この 装置の好ましい実施例においては、光学的に透明な層の１つは、約１．４乃至約 １．７の屈折率を有し、光学的に透明な層の他の１つは第１の屈折率と略同等か 大きい屈折率を有する。更に、この実施例に係る好ましい装置の２つの光学的に 透明な層は、約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの組み合わせ厚さを有する。 更に別の実施例においては、導電層の少なくとも１つは第１の導電金属の層を 含む。好ましくは、この第１の導電金属層は約５ｎｍ乃至約１５ｎｍの厚さを有 し、より好ましくは、約７ｎｍ乃至約１２ｎｍの厚さを有する。必要な場合には 、この実施例は、エレクトロクロミック構造体と第１の導電金属層との間に配設 された中間層を含むことができる。この中間層は、第２の導電金属、好ましくは 、第１の導電金属よりも安定な金属からまたは導電酸化物から形成することがで きる。 好ましくは、高進手段は、この最後の実施例においては、第１の導電金属層と 面接触する光学的に透明な材料の少なくとも１つの層を含む。更により好ましく は、光学的に透明な材料は、導電酸化物からなる。好ましい光学的に透明な材料 は、約１．９よりも大きく、望ましくは約１．９乃至約２．８の屈折率と、約１ ０ｎｍ乃至約５０ｎｍ、より好ましくは約２３ｎｍ乃至約４５ｎｍの厚さとを有 する。 本発明の更に別の実施例においては、導電層の少なくとも１つは、導電酸化物 、好ましくは電極、対電極およびイオン伝導層と略同じ屈折率を有する酸化物の 層を含む。この実施例に係るエレクトロクロミック装置は更に、導電酸化物層と 面接触する導電金属の層を含む。この観点の好ましい実施例においては、導電酸 化物層は、エレクトロクロミック構造体と導電金属層との間に配設される。望ま しくは、これらの実施例における高進手段は、約１．９よりも大きい屈折率を有 する材料からなるとともに、導電金属層と面接触する少なくとも１つの層を含む 。好ましくは、これらの光学的に透明な層は、約１０ｎｍ乃至約５０ｎｍの厚さ を有する。 本発明の別の観点によれば、透明な基板と該透明な基板に配設されたエレクト ロクロミック装置とを備えたエレクトロクロミック組合わせ体が提供されている 。エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から形成された電極 、対電極および電極と対電極との間でイオンを移送する移送手段を有するエレク トロクロミック構造体を備えることができる。エレクトロクロミック装置は更に 、エレクトロクロミック構造体に電位を印加するようにエレクトロクロミック構 造体を挟持する少なくとも２つの導電層を有する導電手段と、導電層の少なくと も一方に対する輻射線の透過を高進する高進手段とを含む。 本発明のこの観点に係る好ましい実施例は更に、透明な上層を含み、エレクト ロクロミック装置は、透明な基板と透明な上層との間に挟設される。接着剤の層 を使用して、透明上層をエレクトロクロミック装置に結合することができる。か かる接着層は、約１．４乃至約１．８の屈折率を有するのが好ましく、この屈折 率は上層の屈折率と略同等であるのが好ましい。必要な場合には、少なくとも１ つの導電層は導電酸化物の層を含むことができ、接着層は導電酸化物層と面接触 することができる。この場合には、接着層は、導電酸化物層の屈折率と上層の屈 折率の間の屈折率を有するのが好ましい。図面の簡単な説明 本発明の構成および種々の利点の一層完全な理解は、添付図面に関してなされ ている以下の詳細な説明により実現されるものであるが、図面において、 図１は、先行技術に係るエレクトロクロミック装置の著しく概略化した横断面 図であり、 図２は、退色状態にある図１のエレクトロクロミック装置の光透過率を示すグ ラフ図であり、 図３は、本発明の一実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく概略化し た横断面図であり、 図４は、本発明の別の実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく概略化 した横断面図であり、 図５は、退色状態にある図４のエレクトロクロミック装置の光透過率を示すグ ラフ図であり、 図６は、本発明の更に別の実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく概 略化した横断面図であり、 図７は、退色状態にある図６のエレクトロクロミック装置の光透過率を示すグ ラフ図であり、 図８は、本発明の更に別の実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく概 略化した横断面図であり、 図９は、退色状態にある図８のエレクトロクロミック装置の光透過率を示すグ ラフ図であり、 図１０は、本発明の更に別の実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく 概略化した横断面図であり、 図１１は、本発明の更に別の実施例に係るエレクトロクロミック装置の著しく 概略化した横断面図である。発明を実施するための最良の形態 以下、本発明を、本発明のエレクトロクロミック装置を窓に対する光の透過を 制御するのに使用する場合について説明する。しかしながら、かかるエレクトロ クロミック装置は、表示装置、可変反射ミラー、レンズおよび透明構造体に対す る光エネルギの透過を選択的に制御することができる同様の装置をはじめとする 広範囲に亘る用途において有用なものである。 先行技術に係るエレクトロクロミック装置を組み込んだ窓１０が、図１におい て横断面で概略示されている。窓１０は、透明なガラス基板１２、透明な導電酸 化物層２０、エレクトロクロミック電極層３０、イオン伝導層４０、対電極層５ ０、別の透明導電酸化物層２２および透明なガラス上層１４を含む一連の連続し た層からなる。低電圧の電池２とスイッチ４が、導電ワイヤ６および８により層 構造体に接続されている。窓１０の光学特性を変えるために、スイッチ４が閉じ られると、電池２により電位が層構造体の両端に印加される。電池の極性により 、形成される電位の特性、従って、イオンおよび電子の流れの方向が決定される 。図１に示す実施例においては、スイッチ４が閉成されると形成される電位によ り、イオンが対電極層５０からイオン伝導層４０を介してエレクトロクロミック 電極層３０へ流れ、エレクトロクロミック材料をいわゆる「呈色」（"colored" ）状態へ変える。この状態では、窓１０の透明性は、窓１０に入射する光エネル ギの大部分がエレクトロクロミック電極層３０により吸収かつ反射されるので、 実質上低減される。窓１０は、層４０が電気的に絶縁している場合には、スイッ チ４が開いているときでもエレクトロクロミック層３０はこの呈色状態に留まる という点において、「メモリ」を有すると云われている。しかしながら、電池２ の極性が逆転し、スイッチ４が閉じると、印加電位によりイオンはエレクトロク ロミック電極層３０からイオン伝導層４０を介して対電極層５０へ逆方向へ流れ 、エレクトロクロミック材料を、窓１０の透明性が最大となる、いわゆる「退色 」（"bleached"）状態へ酸化する。 上記した窓１０を構成する場合には、層２０と２２は、ドープされた酸化錫、 ドープされた酸化亜鉛、錫がドープされた酸化インジウムおよび同様の材料のよ うな著しく電子伝導性のある透明な酸化物から形成される。層２０および２２を 形成する材料は同じである必要はない。エレクトロクロミック電極層３０は、一 般的には、酸化状態が変わると光学的特性が可逆的に変わる材料から形成される 。エレクトロクロミック電極層３０は通常、呈色状態にあるときに窓の透明性の 許容することができる減少が得られるような厚さとなっている。この場合に広く 使用される材料は酸化タングステン（WO₃）であるが、酸化モリブデン、酸化ニ ッケル、酸化イリジウム、酸化ニオブ、酸化チタンおよびこれらの酸化物の混合 物のような他の適宜の材料も使用することができる。イオンをエレクトロクロミ ック層３０に対して出入りさせるのに、イオン伝導層４０が使用されるが、この 層は２つの電気的に反対の特性を発揮するとともに保持するものでなければなら ない。即ち、イオン伝導層４０は、電位が印加されたときにイオンを容易に伝送 しなければならない一方で、電子の伝送に関しては電気的に絶縁性を保持しなけ ればならない。この場合、イオン伝導層４０は、エレクトロクロミック層３０と 対電極層５０との間での電子のアーク放電または短絡の可能性を避けるのに十分 な肉厚を有するものでなければならない。リチウムイオンを伝送する層４０を形 成するのに適した材料には、例えば、珪酸リチウム、硼珪酸リチウム、珪酸リチ ウムアルミニウム、ニオブ酸リチウム、窒化リチウムおよびフッ化リチウムアル ミニウムが含まれ、水素イオンを伝送するのに適した材料には、五酸化タンタル および二酸化珪素が含まれる。あるいは、イオン伝導層４０は、ポリマ材料から 形成することができる。 窓１０の対電極層５０は、典型的には、イオンを貯蔵し、次いで、適宜の電位 に応答してエレクトロクロミック層３０へ伝送するためにこれらのイオンを解放 することができる材料から形成される。この層は、対電極がエレクトロクロミッ ク電極層へ十分に多量のイオンを伝送して、この層において許容することができ る色の変化を引き起こすことができるような厚さにするのが好ましい。幾つかの 対電極材料は、電位の印加に応答してイオンの出し入れを行なうときに光学特性 も変化するという点において、それ自身がエレクトロクロミックである。これら のエレクトロクロミック対電極材料は、電位がエレクトロクロミック電極材料の 光学特性に及ぼす影響を補足することができる。即ち、これらの対電極材料は、 イオンを解放してエレクトロクロミック材料を呈色状態に変えたときに、透明性 が低くなるようにすることができる。同様に、対電極材料は、イオンを受けてエ レクトロクロミック材料を退色状態に変えたときに一層透明性のあるものとする ことができる。対電極層５０を形成するのに適した材料には、酸化バナジウム、 酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化モリブデンお よびこれらの酸化物の混合物が含まれる。 上記した各層は、分散しかつ連続した個々の層が形成される場合には、公知の 技術により被着することができる。各層の被着を行なう特定の方法は、被着され る材料、被着される層の厚さ、先の層において被着された材料などの幾つかのパ ラメータによる。ＲＦスパッタリング、化学蒸着、プラズマ促進化学蒸着、電子 ビーム蒸発、ゾル−ゲル技術その他の公知の薄膜被着方法をはじめとする被着技 術が一般に使用される。 製造操作においては、エレクトロクロミック電極層３０と対電極層５０の少な くとも一方は、リチウムまたは水素イオンのような適宜のイオンが、被着された 形態にあるこれらの層の１つに未だ存在しない場合には、これらのイオンを挿入 することができる。イオンの挿入は、層３０または層５０を適宜の還元剤で処理 することにより行なうことができる。例えば、ｎ−ブチルリチウムをリチウムの 挿入に使用することができ、あるいは硫酸水溶液を水素の挿入に使用することが できる。あるいは、イオンの挿入は、分解して蒸気相にリチウム原子を形成する リチウムターゲットのような、適宜のイオン源即ちソースとして作用するターゲ ットからのスパッタリングのごとき真空処理工程により行なうことができる。更 に、水素の挿入は、水素プラズマに暴露することにより行なうことができる。イ オンの挿入はまた、適宜のイオン含有電解質中での還元により化学的に行なうこ とができる。更に別の技術として、ソースまたはターゲット材料と反応して所望 の組成物を形成する還元雰囲気における蒸着により、あるいは還元された組成物 を有するソースまたはターゲットを使用することにより直接還元物質の層を被着 するものがある。挿入の更に別の技術として、揮発性前躯体を使用し、低蒸気圧 放出物に点火して挿入イオンを前躯体から解離させる方法がある。例えば、気体 の前躯体の形態をなす有機リチウム化合物を解離させて、リチウムイオンを、該 イオンを挿入しようとする材料と接触させることができる。 図２は、ガラス基板１２が１．５の屈折率を有し、透明導電酸化物層２０が２ ．１の屈折率と４５０ｎｍの厚さを有し、エレクトロクロミック電極層３０が２ ．１の屈折率と３００ｎｍの厚さを有し、イオン伝導層４０が１．５の屈折率と ２００ｎｍの厚さを有し、対電極層５０が２．０の屈折率と２００ｎｍの厚さを 有し、透明導電酸化物層２２が２．１の屈折率と４５０ｎｍの厚さを有し、ガラ ス上層１４が１．５の屈折率を有する構成の窓１０の退色状態における波長の関 数としての光エネルギの透過を示す。退色状態は、波長の関数としての均一な光 の透過を行なうという困難性に対して一層鋭敏であるので、退色状態が図示され ている。図から明らかなように、この層状構造体に対する光の透過の均一性が著 しく乏しいので、窓は着色モザイクまたは虹様の性状を呈するものとなる。 本発明の一の観点は、経済的な不利益を克服するとともに、表面積の大きい光 学的に透明なエレクトロクロミック装置において透明の導電酸化物を使用した場 合に関連する光学上の難点を低減させるものである。本発明のこの観点に係るエ レクトロクロミック装置を組み込んだ窓１００の実施例が、図３に概略横断面で 示されている。窓１００は、上記した窓１０と同様に構成されているが、エレク トロクロミック層と対電極層の位置が逆になっている。即ち、窓１００は、透明 なガラス基板１２と、透明な導電酸化物層２０と、対電極層５０と、イオン伝導 層４０と、エレクトロクロミック電極層３０とを有する。これらの層は、窓１０ に関して上記した材料と実質上同じ材料から形成される。しかしながら、窓１０ ０は、第２の透明導電酸化物層２２ではなく、導電性の金属から形成された層２ １と、透明な酸化物から形成され、光学調整（tuning）層として作用する層６０ とを有する層の組み合わせを備えている。必要な場合には、窓１００は、イオン がエレクトロクロミック電極層３０から導電金属層２１へ移行するのを防止する ように、ニッケルのような不活性または安定な導電金属から形成されたバリヤ層 ８０と、光学調整層６０の導電金属層２１への被着を促進することができ、ある いは層２１の導電金属の透明酸化物層６０への溶解を防止するバリヤとして作用 することができる第２の層とを更に備えることができる。組み立ては、透明なガ ラス上層１４を配設することにより完了する。 上記した構成においては、層２１は、銀または銅もしくはアルミニウムのよう な他の著しく導電性あるの金属から形成することができる。導電性の高い金属を 使用することにより、光吸収性を実質上持たずしかもシート抵抗の低い著しく薄 い層を形成することができるので、透明な導電酸化物からなる比較的厚肉の層の 使用に関連して生ずるコストおよび製造上の難点を克服することができる。層２ １は、好ましくは約５ｎｍ乃至約１５ｎｍ、より好ましくは約７ｎｍ乃至約１２ ｎｍの厚さを有する。銀その他の導電性金属は反射率が大きいので、かかる金属 の著しい薄層は光学的に透明性が高くない場合でも、かかる層に対する光の透過 は、適宜選択される光学調整層６０の存在により改良することができる。導電金 属層と組み合わせて使用される、層６０のような光学調整層は、好ましくは、約 １０ｎｍ乃至約５０ｎｍ、より好ましくは約２３ｎｍ乃至約４０ｎｍの厚さを有 する。光学調整層６０を形成するのに好ましい材料は、約１．９よりも大きい、 より好ましくは約１．９乃至約２．８の屈折率を有する。光学調整層６０は、約 ３０−４０ｎｍの厚さと、低い屈折率を有する導電金属層２１がより大きい屈折 率を有する層６０と３０との間に挟持されるように対電極３０と実質上同じある いは大きい屈折率とを有するように形成される場合には、層１４、６０、２１、 ３０および４０間の種々の界面での反射信号は少なくなり、反射を少なくすると ともに、透過を最大にする。従って、窓１００は、エレクトロクロミック層３０ の退色状態において光学透明性が著しく大きくなる。 エレクトロクロミック装置に対する光エネルギの透過は、光学調整層の原理を 透明な導電酸化物層と組み合わせて使用することにより、一層改良することがで きる。かかる特徴を組み込んだ窓１１０が、図４に概略横断面として図示されて いる。窓１１０は、ガラス基板１２と、透明な光学調整層６１と、透明な導電酸 化物層２０と、エレクトロクロミック電極層３０と、イオン伝導層４１と、対電 極層５０と、透明導電酸化物層２２と、透明光学調整層６２と、ラミネート層７ ０と、透明ガラス上層１４とからなる。各層１２、２０、３０、５０および１４ は、窓１００関して上記したものと同じであるが、電極層３０と対電極層５０は 、図１に示すように配向されるように、窓１００とは位置が逆となっている。こ の実施例においては、導電金属層２１と光学調整層６０の代わりに、層２０と同 じ透明導電酸化物から形成してもあるいは形成されなくてもよい透明導電酸化物 層２２と、適宜の光学調整層６２とが配置されている。更に、窓１１０に対する 光の透過を改善するように、即ち、波長の関数としての光の透過の均一性を改善 するように、光学調整層６１が組み込まれている。 適宜の光学調整層６１と６２の選択は、 屈折率＝ｎ＋ｉｋ なる式に基づいて行なわれ、上記式において、ｎは屈折率の実数成分（real com ponent）であり、ｉは−１の平方根であり、ｋは吸収に関する反射率の虚数成分 である。光学調整作用を最適なものとするため、層６１と６２は、可視光に対し て透明であり（即ち、屈折率ｋの虚数成分はほぼ零であり、従って、吸収はほと んどなく）、しかもこれらの層の屈折率の実数成分ｎがこれらの光学調整層の両 側の層の屈折率の幾何平均と等しくなるように選択される。かくして、光学調整 層６１は、ガラス基板１２の屈折率および透明導電酸化物層２０の幾何平均と等 しい屈折率を有する透明な材料から形成される。同様に、光学調整層６２は、導 電酸化物層２２およびラミネート層７０の屈折率の幾何平均と等しい屈折率を有 する透明な材料から形成するのが好ましい。本明細書おいて使用されている「幾 何平均」（"geometric mean"）なる語は、２つの屈折率の数学積（mathematical product）の平方根を云うものである。 適正な光学調整はまた、入射光の光学波長の４分の１に等しいのが好ましい光 学調整層６１および６２の厚さの関数でもある。層を通る光学波長は、問題の光 の波長を光が通過している媒質、即ち、層６１と６２の屈折率で除することによ り定められる。波長が約４００−６５０ｎｍの可視光線の場合には、光学波長の 有用な近似値は、５４０ｎｍの波長を光学調整層の屈折率で除することにより得 ることができる。次に、光学調整層の厚さは、光学波長を４で除することにより 得ることができる。層２０および２２のような透明な導電酸化物層と組み合わせ て使用される光学調整層は、約６０ｎｍ乃至約９０ｎｍの厚さを有するのが望ま しい。 上記の一例として、光学調整層６１の屈折率と厚さを選定する方法を以下にお いて示す。先づ、所望の屈折率は、１．５（ガラス基板１２の屈折率）を２．１ （透明導電酸化物層２０の屈折率）倍し、その積の平方根をとることにより得ら れる。この計算によると、１．７７の屈折率が得られる。次に、光学調整層６１ の厚さは、５４０ｎｍを１．７７で除して約３００ｎｍの光学波長を得ることに より決められる。好ましくは、光学調整層６１の厚さは、この値の４分の１、即 ち、約７５ｎｍである。光学調整層６２の算出は、同じ態様で行なわれる。 本発明の分離している光学調整層を形成する好ましい方法は、透明酸化物、透 明窒化物および透明酸化物と透明窒化物の組み合わせを含む。特に好ましいもの は、珪素と錫の酸化物の混合物である。かかる混合物においては、珪素の錫に対 する比が屈折率を決定し、珪素対錫の比が大きいと屈折率が低くなり、珪素対錫 の比が小さいと屈折率は大きくなる。光学調整層に使用することができる他の材 料は、ゴードン（Gordon）の米国特許第４，１８７，３３６号および第４，３０ ８，３１６号に説明されている。本明細書では、これらの米国特許を引用してそ の説明に代える。光学調整層６１と６２を適宜選定すると、調整層６１の場合に は導電酸化物層６１と基板１２との界面、調整層６２の場合には導電酸化物層２ ２とラミネート層７０との界面での光学干渉が最小になる。 ラミネート層７０は、ガラス上層１４を光学調整層６２に接着させる接着層で ある。ラミネート層７０が窓１１０の光透過率を損なわないように、ラミネート 層７０は、ガラス上層１４の屈折率と略同じ屈折率を有するように選定し、これ らの層間の干渉作用を最少にするのが好ましい。この場合、ラミネート層７０に 特に適している接着剤は、エチレン酢酸ビニルおよびポリビニルブチラールであ る。 窓１１０のエレクトロクロミック構造は、光学調整の原理がイオン導電層４１ に適用されているという点で、窓１００および先行技術のエレクトロクロミック 装置とは更に異なる。この場合、イオン導電層４１と隣接するエレクトロクロミ ック層３０および対電極層５０との界面における光学干渉は、イオン導電層４１ を、エレクトロクロミック電極層３０および対電極層５０の屈折率と略等しい屈 折率を有する透明な材料から形成することにより実質上なくすことができる。エ レクトロクロミック電極層３０、イオン伝導層４１および対電極層５０の屈折率 は、これらの層を形成する材料を一層高いまたは低い屈折率を有する材料と混合 して調整することにより、所望の結果を得ることができる。例えば、珪酸リチウ ムにより得られるよりも大きい屈折率を有するイオン導電層４１を得ることが所 望される場合には、珪酸リチウムとチタンまたはジルコンとの混合物を使用する ことができる。これら３つの層全ての屈折率が略等しい場合には、これらの界面 での干渉は実質上解消され、光の透過は最大となる。 特に好ましい実施例においては、エレクトロクロミック電極層３０、イオン導 電層４１および対電極層５０の屈折率は、導電酸化物層２０および２２の屈折率 と略同様となるように調整される。更に、上記光学調整プロセスの相補性により 、層２０乃至２２の厚さは光学干渉に対してはもはや臨界的ではないので、これ らの層の形成の際には、厚さのトレランスを著しく広くとることができる。 図５は、ガラス基板１２が１．５の屈折率を有し、光学調整層６１が１．７７ の屈折率と７５ｎｍの厚さを有し、透明導電酸化物層２０が２．１の屈折率と４ ５０ｎｍの厚さを有し、エレクトロクロミック電極層３０が２．１の屈折率と３ ００ｎｍの厚さを有し、イオン伝導層４１が２．０の屈折率と２００ｎｍの厚さ を有し、対電極層５０が２．０の屈折率と２００ｎｍの厚さを有し、透明導電酸 化物層２２が２．１の屈折率と４５０ｎｍの厚さを有し、光学調整層６２が１． ７７の屈折率と７５ｎｍの厚さを有し、ラミネート層７０が１．５の屈折率を有 し、ガラス上層１４が１．５の屈折率を有する場合の、退色状態にある窓１１０ の波長の関数としての光エネルギの透過を示すものである。図５に明示するよう に、上記特性により、光特性に対して優れた均一性を呈する窓１１０を形成する ことができる。 本発明の別の実施例に係る窓１２０が図６に示されている。窓１２０は、光学 調整層６１の代わりに一対の光学調整層６３と６４が配置され、光学調整層６２ が除去されている点を除いて、上記した窓１１０と略同じである。２つの光学調 整層６３と６４とを使用することにより、単一の光学調整層を使用した場合には 得られない利点を得ることができる。第１の利点は、２つの光学調整層により、 単一の光学調整層に関して必要とされる厚さよりも小さい、調整層の組み合わせ 厚さを用いて一層効果的な光学調整を行なうことができる可能性が得られるとい うことにある。２つの光学調整層の使用により得られる別の利点として、各層を 、単一の光学調整層の場合よりも一層簡単な材料から形成することができるので 、かかる単一層を形成するのに必要とされる複雑な化学から離れることができる ということが挙げられる。光学調整に２つの層を使用する技術は、ゴードン（Go rdon）の米国特許第４，３７７，６１３号および同第４，４１９，３８６号に開 示 されており、本明細書においては、これらの米国特許を引用してその説明に代え る。 ２つの光学調整層６３と６４が互いに隣接して使用される場合には、光学調整 は、層２０の屈折率よりも有意に小さい屈折率を有する光学調整層６４を選択し 、しかも光学調整層６４の屈折率よりも有意に大きく、最も好ましくは透明導電 酸化物層２０の屈折率と略同様の屈折率を有する光学調整層６３を選択すること により行なうことができる。かかる組み合わせにおいては、種々の界面間での干 渉が実質上なくなり、種々の層に対する透過は層６３および６４が適宜の厚さを 有するときに最大となる。好ましくは、層６４は約１．４乃至１．７の屈折率を 有し、層６３と６４は約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの組み合わせ厚さを有し、層６ ４は層６３よりも大きい厚さを有する。 図７は、ガラス基板１２が１．５の屈折率を有し、光学調整層６３が２．１の 屈折率と２０ｎｍの厚さを有し、光学調整層６４が１．５の屈折率と２９ｎｍの 厚さを有し、透明導電酸化物層２０が２．１の屈折率と４５０ｎｍの厚さを有し 、エレクトロクロミック電極層３０が２．１の屈折率と３００ｎｍの厚さを有し 、イオン伝導層４１が２．０の屈折率と２００ｎｍの厚さを有し、対電極層５０ が２．０の屈折率と２００ｎｍの厚さを有し、透明導電酸化物層２２が２．１の 屈折率と４５０ｎｍの厚さを有し、ラミネート層７０が１．５の屈折率を有し、 ガラス上層１４が１．５の屈折率を有する場合の、退色状態にある窓１２０に対 する光透過を示すものである。この図から明らかなように、窓１２０に対する光 の透過は、（窓１０のような）光学調整層が形成されていない窓に対するものよ りも均一であるが、窓１１０に対するものよりも均一性が低くなっている。この ように性能が劣っている主な理由は、装置の後端部における導電酸化物層２２と ラミネート層７０との間に光学調整層が配設されていないことにある。 窓１２０の光透過特性は、エレクトロクロミック電極層３０、イオン伝導層４ １および対電極層５０の屈折率が互いにかつ透明導電酸化物層２０および２２の 屈折率と一層類似するように、これらの層の屈折率を調整することにより改善す ることができる。 窓１２０の光透過特性は、ラミネート層７０の屈折率を最適なものとすること により、わずかではあるが更に改善することができる。これは、透明導電酸化物 層２２とガラス上層１４の屈折率の幾何平均である屈折率を有するラミネート層 ７０を使用することにより行なうことができる。ラミネート層７０は、上層１４ を透明導電酸化物層２２に接着する作用を行なうので、この層の厚さが変わる可 能性はほとんどない。 透明導電酸化物層２０を光学的に調整する上記方法とは異なり、この層は、種 々の層の屈折率が基板１２の屈折率から透明導電酸化物層２０の屈折率へ徐々に 増加するように選定される２つ以上の光学調整層を使用することにより、光学的 に調整することができる。この場合、窓の層６３と６４は、屈折率が単調に増加 する２つ以上の層により代えることができる。例えば、屈折率が１．５のガラス 基板１２と、屈折率が１．９の透明導電酸化物層２０とを有する装置の場合には 、光学調整層６３は、約（１．５²ｘ１．９）^1/3即ち１．６２の屈折率を有する のが望ましく、光学調整層６４は約（１．５ｘ１．９²）^1/3即ち１．７６の屈折 率を有するのが望ましい。層６３と６４の厚さは、最大の透過を行なう光学モデ ルによる測定の場合、それぞれ、約６０ｎｍおよび５３ｎｍであるのが望ましい 。所望の場合には、２つ以上の一連の隣接する光学調整層を使用して光学調整作 用を更に高めることができる。 上記した窓１１０および１２０の構造を有する本発明の実施例の場合には、透 明導電酸化物層２０および２２と、エレクトロクロミック電極層３０と、イオン 伝導層４１と、対電極層５０はいずれも、略同じ屈折率を有するのが望ましい。 この場合には、これらの層の厚さは、全く重要ではなく、最適な光学調整が行な われ、即ち、これらの窓が呈する虹様性状は最小となる。しかしながら、これら の層の屈折率に大きな不整合がある場合には、層の厚さを調整することにより、 幾分かの光学調整を更に行なうことができる。例えば、窓１２０の各層は、イオ ン伝導層４１が１．５の屈折率を有することができる点を除いて、図７に関して 上記したような屈折率と厚さを有することができる。この構成における虹様の性 状を最小にするためには、イオン伝導層４１の厚さは、窓に対する透過を最大に する光学モデルによる測定では、約１３０ｎｍ乃至１６０ｎｍまで小さくすべき である。 本発明の更に別の実施例に係る窓１３０が、図８において概略横断面として図 示されている。窓１３０は、透明導電酸化物層２２の代わりに導電金属層２１と 光学調整層６４が配置されている点を除いて、上記した窓１２０と同様に構成さ れている。層２１と６４は、上記した窓１００の層２１および６０と略同様に構 成することができ、窓１２０の場合と同じ態様で他の層と相互作用を行なって、 光学的に調整される、光学的に透明なエレクトロクロミック窓を提供することが できる。 図９は、窓１２０に関して上記したものと同じ屈折率と厚さを有する層を備え た窓１３０の退色状態における波長の関数としての光透過を示すもので、導電金 属層２１は厚さが１０ｎｍの銀であり、光学調整層６４は屈折率が２．５で、厚 さが３０ｎｍの透明酸化物である。この図から明らかなように、窓１３０の構造 により、波長に対する光透過の均一性が良好となる、更に、図７と図９とを比較 すると、導電金属層を備える窓は、導電金属層ではなく透明導電酸化物層を利用 する窓に対する光透過と同様の光透過を示すことができることがわかる。 本発明に係る窓１４０の更に別の実施例が図１０に概略示されている。窓１４ ０は、中間層２２が導電金属層２１と対電極層５０とに間に挿入されている点を 除き、上記した窓１３０と実質上同じ態様で構成されている。一の実施例におい ては、中間層２２は透明な導電酸化物から形成され、導電金属層２１と組み合わ されて、退色状態と呈色状態との間での切換えを改良する、全体のシート抵抗が 一層低いラミネートを提供している。かくして、かかる改良された切換えは、透 明金属層２１の厚さが実質上大きくなっている場合に遭遇するような装置の光学 特性の劣化をもたらすことなく達成することができる。更に、透明な導電酸化物 層２２は、対電極層５０と導電金属層２１との間での所望されない拡散を防止す る拡散バリヤとして作用することができる。 別の実施例においては、中間層２２は、約２ｎｍ未満の厚さを有する金属層の 形態をとることができる。この実施例においては、金属層は、多くの場合、透明 な導電酸化物から形成される層と同じ機能の１つを行ない、即ち、金属層は、対 電極層５０と導電金属層２１との間での望ましくない拡散を防止する。層２２を 形成する好ましい金属には、著しく安定なまたは不活性な金属が含まれる。この 場合の特に好ましい金属は、ニッケルである。中間層２２を形成する材料とは別 に、光学調整層６４もまた、１．９よりも大きい屈折率と、約１０ｎｍ乃至約５ ０ｎｍの厚さを有するのが好ましい。 本発明の更に別の実施例に係る窓１５０が、図１１に概略示されている。窓１ ５０は、透明な酸化物層２０と光学調整層６３および６４の代わりに導電金属層 ２３と光学調整層６５がそれぞれ配置されて、層３０、４１および５０を組み合 わせた厚さに制限を加えている点を除いて、窓１３０と実質上同じ態様で構成さ れている。この実施例においては、層３０、４１および５０は同様の屈折率を有 するとともに、これらを組み合わせた厚さをできるだけ小さくしかつ約４００ｎ ｍ乃至６５０ｎｍの所定の波長で最大の透過を行なうようにするのが望ましい。 例えば、層３０、４１および５０がそれぞれ約２．２の屈折率を有する場合には 、組み合わせた厚さは、最大の光透過を行なう光学モデルによる測定として、約 ５０ｎｍ乃至約３００ｎｍであるのが好ましい。この実施例においては、導電金 属層２３は、導電金属層２１と同様であり、光学調整層６５は光学調整層６４と 同様である。 本発明の別の実施例（図示せず）においては、窓１３０、１４０または１５０ の光学調整層６４は、導電性の透明な酸化物から形成することができる。この場 合には、これらの装置の製造は、ワイヤ６および８を、導電金属層２１ではなく 層６４に接続して、マスキングまたはエッチング工程をなくすことにより簡単に することができる。 上記したように、本発明のエレクトロクロミック装置は、多くの場合、ガラス 基板１２のような基板に組み立てられる。この基板は、製造および使用に際して これらの装置の極めて薄い層を支持するだけでなく、これらの層を周囲の環境に 暴露した場合に受ける損傷から保護する作用を行なう。ガラス上層１４のような 上層は、一層の支持と保護を提供する。本発明の各実施例をガラスから形成され る基板と上板とに関して説明したが、透明なセラミック材料並びに剛性のあるお よび柔軟な透明プラスチックをはじめとする他の基板および上層材料を使用する ことができる。この点について、図１１に示す実施例は、導電金属層２３を比較 的低温で被着することができるので、プラスチック基板に特に適用することがで きる。更にまた、エレクトロクロミック装置は、先づ、プラスチック基板に形成 し、次いで、集成体全体を窓その他の構造体に適用するように構成することがで きる。 更にまた、上記した本発明の実施例は、セラミック材料から形成されたイオン 伝導層を使用して、基板１２から上層１４へ層を連続して被着するようになって いる。しかしながら、ポリマシートの両側に、イオン伝導層として作用する２つ の「半分」構造体を集成することにより、光学的に調整される装置を形成するこ ともできるものである。例えば、窓１１０は、基板に層６１、２０および３０を 形成し、上層１４に層６２、２２および５０を形成し（この構成においては層７ ０は必要とはされない）、次いで、これらの２つの部分を、イオン伝導層４１と して作用するイオン伝導電気絶縁ポリマシートを中心に共に挟持することにより 形成することができる。 本発明を、本明細書において、特定の実施例に関して説明したが、これらの実 施例は本発明の原理と用途を単に例示するものである。従って、数多くの修正を 例示した実施例に対して行なうことができるとともに、請求の範囲に記載の本発 明の精神と範囲とから逸脱することなく他の態様で構成することができるもので ある。産業上の利用可能性 本発明のエレクトロクロミック装置は、従来公知の装置よりも優れた光透過性 を大きな表面領域に亘って発揮することができる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９４年１０月１２日 【補正内容】 レクトロクロミック装置は、導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を高 進する高進手段を備えている。好ましくは、電極、対電極およびイオン伝導層は 、いずれも略同じ屈折率を有するように選定される。 好ましい実施例においては、高進手段は、少なくとも１つの導電層と面接触す る光学的に透明な材料の少なくとも１つの層を備える。好ましくは、光学的に透 明な材料は、透明な酸化物、透明窒化物またはこれらの組み合わせである。幾つ かの特に好ましい実施例においては、光学的に透明な材料は、酸化珪素および酸 化錫の混合物からなる。 移送手段は、電極と対電極との間に挟設されたイオン伝導材料から形成された 少なくとも１つの層を有するのが望ましい。これらの実施例においては、エレク トロクロミック材料は、酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリ ブデン、酸化ニッケル、酸化イリジウムまたはこれらの混合物から形成されるの が好ましい。対電極は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化ニ ッケル、酸化コバルト、酸化モリブデンまたはこれらの混合物から形成されるの が好ましい。イオン伝導材料は、珪酸リチウム、硼珪酸リチウム、珪酸リチウム アルミニウム、ニオブ酸リチウム、窒化リチウムまたはフッ化リチウムアルミニ ウムのようなリチウムイオン伝導材料とすることかできる。あるいは、イオン伝 導材料は、二酸化珪素または五酸化タンタルのような水素イオン伝導材料とする ことができる。好ましくは、電極、対電極およびイオン伝導層は、いずれも略同 じ屈折率を有するように選定される。これは、これらの材料の屈折率を、異なる 屈折率を有する酸化物を添加して調整することにより行なうことができる。 本発明のこの観点に係る一の実施例においては、エレクトロクロミック装置は 更に、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層と面接触する基板（substrate ）を含み、基板は第１の屈折率を有し、少なくとも１つの導電層は第２の屈折率 を有し、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層は第１の屈折率と第２の屈折 率との間の第３の屈折率を有する。この実施例に係る好ましいエレクトロクロミ ック装置においては、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層は、第１および 第２の屈折率の数学積の平方根と略等しい。更に、光学的に透明な材料の少なく とも１つの層は、光学的に透明な材料の少なくとも１つの層の屈折率と反比例す る 厚さを有するのが好ましく、より好ましくは約６０ｎｍ乃至約９０ｎｍの厚さを 有する。 別の実施例においては、高進手段は、少なくとも１つの導電層と面接触する第 １の光学的に透明な層で開始し、第ｎの光学的に透明な層で終了する一連の光学 的に透明な層からなることができる。装置のこの実施例は更に、第ｎの透明な層 と面接触する基体材料からなることができ、少なくとも１つの導電層は第１の屈 折率を有し、基体材料は第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する。この 実施例においては、第１の光学的に透明な層の屈折率は第１の屈折率よりも小さ く、第ｎの光学的に透明な層の屈折率は第２の屈折率よりも大きく、一連の光学 的に透明な層の各１つの屈折率は、第１の透明な層の屈折率から第ｎの透明な層 の屈折率へ単調に減少する。 更に別の実施例においては、高進手段は、２つの光学的に透明な層から構成す ることができ、光学的に透明な層の一方は少なくとも１つの導電層と面接触し、 光学的に透明な層の別の１つは、１つの光学的に透明な層と面接触している。こ の実施例においては、少なくとも１つの導電層は第１の屈折率を有し、光学的に 透明な層の１つは第１の屈折率よりも小さい屈折率を有し、光学的に透明な層の 別の１つは光学的に透明な層の１つの屈折率よりも大きい屈折率を有する。この 装置の好ましい実施例においては、光学的に透明な層の１つは、約１．４乃至約 １．７の屈折率を有し、光学的に透明な層の他の１つは第１の屈折率と略同等か 大きい屈折率を有する。更に、この実施例に係る好ましい装置の２つの光学的に 透明な層は、約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの組み合わせ厚さを有する。 更に別の実施例においては、導電層の少なくとも１つは第１の導電金属の層を 含む。好ましくは、この第１の導電金属層は約５ｎｍ乃至約１５ｎｍの厚さを有 し、より好ましくは、約７ｎｍ乃至約１２ｎｍの厚さを有する。必要な場合には 、この実施例は、エレクトロクロミック構造体と第１の導電金属層との間に配設 された中間層を含むことができる。この中間層は、第２の導電金属、好ましくは 、第１の導電金属よりも安定な金属からまたは導電酸化物から形成することがで きる。 好ましくは、高進手段は、この最後の実施例においては、第１の導電金属層と 請求の範囲 １．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０）お よび前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有する エレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印加 するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電層 （２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層の少なくとも一方に対する輻射 線の透過を高進する高進手段（６１）とを備え、前記エレクトロクロミック材料 は第１の屈折率を有し、前記対電極は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３ の屈折率を有し、前記第１、第２および第３の屈折率は略等しいことを特徴とす るエレクトロクロミック装置。 ２．前記エレクトロクロミック材料は酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化チタ ン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化イリジウムおよびこれらの混合物より なる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 ３．前記対電極は酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化ニオブ、酸化インジウム、 酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化モリブデンおよびこれらの混合物よりなる群 から選ばれる材料から形成されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエ レクトロクロミック装置。 ４．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料はリチウムイオン 伝導性のリチウムベースのセラミック材料であることを特徴とする請求の範囲第 １項に記載のエレクトロクロミック装置。 ５．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料は水素イオン伝導 材料であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロミック装 置。 ６．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料はポリマであるこ とを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロミック装置。 ７．前記高進手段は前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進す る光学的に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別の１つ に対する輻射線の透過を高進する光学的に透明な材料からなる少なくとも１つの 他の層（６２）とを備えることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクト ロクロミック装置。 ８．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０）お よび前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有する エレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印加 するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電層 （２０、２２）を有する導電手段と、基板（１２）と、前記基板と前記導電層の 少なくと１つとの間に配設されて前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の 透過を高進する高進手段（６１）とを備え、前記基板は第１の屈折率を有し、前 記少なくとも１つの導電層は第２の屈折率を有し、前記光学的に透明な材料の前 記少なくとも１つの層は前記第１の屈折率と第２の屈折率との間の第３の屈折率 を有することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ９．前記第３の屈折率は、前記第１と第２の屈折率の数学積の平方根と略等しい ことを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロクロミック装置。 １０．光学的に透明な材料からなる前記少なくとも１つの層は約６０ｎｍ乃至約 ９０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロ クロミック装置。 １１．光学的に透明な材料からなる前記少なくとも１つの層は前記第３の屈折率 と逆比例する厚さを有することを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクト ロクロミック装置。 １２．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する光 学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６２）を備えることを特徴 とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロクロミック装置。 １３．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、基板（１２）と、前記導電層の少なくと も１つに対する輻射線の透過を高進する高進手段とを備え、該高進手段は前記基 板と前記少なくとも１つの導電層との間に配置された第１の光学的に透明な層（ ６４）で開始し前記基板と前記第１の光学的に透明な層との間に配置された第ｎ の光学的に透明な層（６３）で終了する一連の光学的に透明な層を有しており、 前記少なくとも１つの導電層は第１の屈折率を有し、前記基板は前記第１の屈折 率よりも小さい第２の屈折率を有し、前記第１の光学的に透明な前記第１の屈折 率よりも小さい第３の屈折率を有し、前記第ｎの光学的に透明な層は前記第２の 屈折率よりも大きい第４の屈折率を有し、前記一連の光学的に透明な層のそれぞ れの前記屈折率は前記第３の屈折率から前記第４の屈折率へ単調に減少すること を特徴とするエレクトロクロミック装置。 １４．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する 光学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６４）を有することを特 徴とする請求の範囲第１３項に記載のエレクトロクロミック装置。 １５．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層の少なくとも一方に対する輻 射線の透過を高進する高進手段（６１）とを備え、該高進手段は２つの光学的に 透明な層（６３、６４）を含み、該光学的に透明な層の一方は前記少なくとも１ つの導電層に対して基端にありかつ前記光学的に透明な層の他の１つは前記少な くとも１つの導電層に対して末端にあり、前記少なくとも１つの導電層は第１の 屈折率を有し、前記光学的に透明な層の前記１つは前記第１の屈折率よりも小さ い屈折率を有し、前記光学的に透明な層の前記他の１つは前記光学的に透明な層 の前記１つの前記屈折率よりも大きい屈折率を有することを特徴とするエレクト ロクロミック装置。 １６．前記光学的に透明な層の前記１つは約１．４乃至約１．７の屈折率を有し 、前記光学的に透明な層の前記他の１つは前記第１の屈折率と略同等または大き い屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 １７．前記２つの光学的に透明な層は約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの組み合わせ厚 さを有することを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロミック 装置。 １８．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する光 学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６４）を備えることを特徴 とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロミック装置。 １９．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段とを備え、前記導電層の少なくとも１つは導 電酸化物の層を有し、更に前記導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を 高進する高進手段（６１）を備え、前記エレクトロクロミック材料は第１の屈折 率を有し、前記対電極は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３の屈折率を有 し、前記導電酸化物の層は第４の屈折率を有し、前記第１、第２、第３および第 ４の屈折率は略等しいことを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ２０．前記高進手段は前記導電酸化物層に対する輻射線の透過を高進する光学的 に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別に１つに対する 輻射線の透過を高進する光学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（ ６２）とを備えることを特徴とする請求の範囲第１９項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 ２１．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、前記エレクトロクロミック構造体および 前記導電層を挟持するように互いに協働する透明な基板および透明な上層と、前 記導電層に対する輻射線の透過を高進する高進手段とを備え、該高進手段は前記 前記基板と前記導電層の１つとの間に挟設された少なくとも１つの光学的に透明 な層および前記上層と前記導電層の他の１つとの間に挟設された少なくとも１つ の他の光学的に透明な層を有することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ２２．透明な基板（１２）と該透明な基板に配設されたエレクトロクロミック装 置とを備え、前記エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から 形成された電極（３０）、対電極（５０）および前記電極と前記対電極との間で イオンを移送する移送手段（４１）を有するエレクトロクロミック構造体と、前 記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するように前記エレクトロクロミッ ク構造体を挟持する少なくとも２つの導電層（２０、２２）を有する導電手段と 、前記導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を高進する高進手段（６１ ）とを含み、前記エレクトロクロミック材料は第１の屈折率を有し、前記対電極 は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３の屈折率を有し、前記第１、第２お よび第３の屈折率は略等しいことを特徴とするエレクトロクロミック組合わせ体 。 ２３．前記高進手段は前記透明基板と前記エレクトロクロミック装置との間に 配設されて前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進する光学的 に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別の１つに対する 輻射線の透過を高進する光学的に透明な材料の少なくとも１つの別の層（６２） とを有することを特徴とする請求の範囲第２２項に記載のエレクトロクロミック 組合わせ体。 ２４．透明な上層（１４）を更に備え、前記エレクトロクロミック装置は前記透 明な基板と前記透明な上層との間に挟設されていることを特徴とする請求の範囲 第２２項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。 ２５．前記高進手段は、前記透明な基板と前記エレクトロクロミック装置との間 に配設されて前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進する光学 的に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記透明な上層と前記エレク トロクロミック装置との間に配設されて前記導電層の別の1つに対する輻射線の 透過を高進する光学的に透明な材料の少なくとも１つの別の層（６２）とを有す ることを特徴とする請求の範囲第２４項に記載のエレクトロクロミック組合わせ 体。 ２６．前記透明な上層を前記エレクトロクロミック装置に結合する接着剤の層（ ７０）を更に備えることを特徴とする請求の範囲第２４項に記載のエレクトロク ロミック組合わせ体。 ２７．前記接着層は約１．４乃至約１．８の屈折率を有することを特徴とする請 求の範囲第２６項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。 ２８．前記透明な上層は屈折率を有し、前記接着層は前記透明な上層の前記接着 層と略同等の屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第２６項に記載のエレ クトロクロミック組合わせ体。 ２９．前記導電層の別の１つは導電酸化物の層を含み、前記接着層は前記導電酸 化物層と面接触していることを特徴とする請求の範囲第２６項に記載のエレクト ロクロミック組合わせ体。 ３０．前記導電酸化物層は一の屈折率を有し、前記透明な上層は別の屈折率を有 し、前記接着層は前記一の屈折率と前記別の屈折率との間の屈折率を有すること を特徴とする請求の範囲第２９項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。 ３１．透明な基板（１２）と該透明な基板に配設されたエレクトロクロミック装 置とを備え、前記エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から 形成された電極（３０）、対電極（５０）および前記電極と前記対電極との間で イオンを移送する移送手段（４１）を有するエレクトロクロミック構造体と、前 記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するように前記エレクトロクロミッ ク構造体を挟持する少なくとも２つの導電層（２０、２２）を有する導電手段と を含み、前記エレクトロクロミック構造体と前記基板との間に配置された前記導 電層の少なくとも１つは透明な導電酸化物を含むか金属層は含まず、更に前記導 電層の前記少なくとも１つに対する輻射線の透過を高進する高進手段を含み、前 記高進手段は前記基板と前記導電層の前記少なくとも１つとの間に挟設された少 なくとも１つの光学的に透明な層（６１）を有することを特徴とするエレクトロ クロミック組合わせ体。 ３２．透明な基板（１２）と該透明な基板に配設されたエレクトロクロミック装 置とを備え、前記エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から 形成された電極（３０）、対電極（５０）および前記電極と前記対電極との間で イオンを移送する移送手段（４１）を有するエレクトロクロミック構造体と、前 記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するように前記エレクトロクロミッ ク構造体を挟持する少なくとも２つの導電層（２０、２２）を有する導電手段と 、前記導電層に対する輻射線の透過を高進する高進手段とを含み、該高進手段は 前記エレクトロクロミック構造体と前記導電層を挟持する少なくとも２つの光学 的に透明な層（６１、６２）を有し、前記光学的に透明な層の一方は前記基板と 前記導電層の１つとの間に挟設されていることを特徴とするエレクトロクロミッ ク組合わせ体。 ３３．前記少なくとも２つの光学的に透明な層は約１．５よりも大きい屈折率を 有することを特徴とする請求の範囲第３２項に記載のエレクトロクロミック組合 わせ体。 ３４．透明な基板（１２）と該透明な基板に配設されたエレクトロクロミック装 置とを備え、前記エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から 形成された電極（３０）、対電極（５０）および前記電極と前記対電極との間で イオンを移送する移送手段（４１）を有するエレクトロクロミック構造体と、前 記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するように前記エレクトロクロミッ ク構造体を挟持する少なくとも２つの導電層（２０、２２）を有する導電手段と を含み、前記エレクトロクロミック構造体と前記基板との間に配置されている前 記導電層の少なくとも１つは透明な酸化物を有し、更に前記導電層の少なくとも 一方に対する輻射線の透過を高進する高進手段とを含み、該高進手段は前記基板 と前記導電層の前記少なくとも１つとの間に挟設され、前記透明酸化物と面接触 する少なくとも１つの光学的に透明な層（６１）を有することを特徴とするエレ クトロクロミック組合わせ体。 ３５．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層に対する輻射線の透過を高進 する高進手段とを備え、該高進手段は前記エレクトロクロミック構造体と前記導 電層との間に挟設された少なくとも２つの光学的に透明な層（６１、６２）を有 し、該少なくとも２つの光学的に透明な層はそれぞれ約１．５よりも大きい屈折 率を有することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ３６．前記エレクトロクロミック構造体と前記基板との間に挟設された前記導電 層の前記１つは透明な酸化物を含み、前記基板と前記導電層の前記１つとの間に 挟設された前記少なくとも１つの光学的に透明な層は前記透明酸化物と面接触し ていることを特徴とする請求の範囲第２１項に記載のエレクトロクロミック装置 。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，Ｈ Ｕ，ＪＰ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＧ ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ， ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＫ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ヴァン・ダイン，ジョン・イー. アメリカ合衆国07430ニュージャージー州 マーワ，バーソロフ・レーン・26 (72)発明者 パーケ，ブイ．ディー. アメリカ合衆国08817ニュージャージー州 エディソン，ブルーベリィ・コート・ 1120

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０）お よび前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有する エレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印加 するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電層 （２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層の少なくとも一方に対する輻射 線の透過を高進する高進手段（６１）とを備え、前記エレクトロクロミック材料 は第１の屈折率を有し、前記対電極は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３ の屈折率を有し、前記第１、第２および第３の屈折率は略等しいことを特徴とす るエレクトロクロミック装置。 ２．前記エレクトロクロミック材料は酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化チタ ン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化イリジウムおよびこれらの混合物より なる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 ３．前記対電極は酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化ニオブ、酸化インジウム、 酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化モリブデンおよびこれらの混合物よりなる群 から選ばれる材料から形成されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエ レクトロクロミック装置。 ４．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料はリチウムイオン 伝導性のリチウムベースのセラミック材料であることを特徴とする請求の範囲第 １項に記載のエレクトロクロミック装置。 ５．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料は水素イオン伝導 材料であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロミック装 置。 ６．前記移送手段は前記電極と前記対電極との間に挟持されるイオン伝導材料か ら形成される少なくとも１つの層を含み、前記イオン伝導材料はポリマであるこ とを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクトロクロミック装置。 ７．前記高進手段は前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進す る光学的に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別の１つ に対する輻射線の透過を高進する光学的に透明な材料からなる少なくとも１つの 他の層（６２）とを備えることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレクト ロクロミック装置。 ８．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０）お よび前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有する エレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印加 するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電層 （２０、２２）を有する導電手段と、基体材料（１２）と、前記基体材料と前記 導電層の少なくと１つとの間に配設されて前記少なくとも１つの導電層に対する 輻射線の透過を高進する高進手段（６１）とを備え、前記基体材料は第１の屈折 率を有し、前記少なくとも１つの導電層は第２の屈折率を有し、前記光学的に透 明な材料の前記少なくとも１つの層は前記第１の屈折率と第２の屈折率との間の 第３の屈折率を有することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ９．前記第３の屈折率は、前記第１と第２の屈折率の数学積の平方根と略等しい ことを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロクロミック装置。 １０．光学的に透明な材料からなる前記少なくとも１つの層は約６０ｎｍ乃至約 ９０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロ クロミック装置。 １１．光学的に透明な材料からなる前記少なくとも１つの層は前記第３の屈折率 と逆比例する厚さを有することを特徴とする請求の範囲第８項に記載のエレクト ロクロミック装置。 １２．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する光 学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６２）を備えることを特徴 とする請求の範囲第８項に記載のエレクトロクロミック装置。 １３．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、基体材料（１２）と、前記導電層の少な くとも１つに対する輻射線の透過を高進する高進手段とを備え、該高進手段は前 記基体材料と前記少なくとも１つの導電層との間に配置された第１の光学的に透 明な層（６４）で開始し前記基体材料と前記第１の光学的に透明な層との間に配 置された第ｎの光学的に透明な層（６３）で終了する一連の光学的に透明な層を 有しており、前記少なくとも１つの導電層は第１の屈折率を有し、前記基体材料 は前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、前記第１の光学的に透明 な前記第１の屈折率よりも小さい第３の屈折率を有し、前記第ｎの光学的に透明 な層は前記第２の屈折率よりも大きい第４の屈折率を有し、前記一連の光学的に 透明な層のそれぞれの前記屈折率は前記第３の屈折率から前記第４の屈折率へ単 調に減少することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 １４．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する光 学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６４）を有することを特徴 とする請求の範囲第１３項に記載のエレクトロクロミック装置。 １５．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層の少なくとも一方に対する輻 射線の透過を高進する高進手段（６１）とを備え、該高進手段は２つの光学的に 透明な層（６３、６４）を含み、該光学的に透明な層の一方は前記少なくとも１ つの導電層に対して基端にありかつ前記光学的に透明な層の他の１つは前記少な くとも１つの導電層に対して末端にあり、前記少なくとも１つの導電層は第１の 屈折率を有し、前記光学的に透明な層の前記１つは前記第１の屈折率よりも小さ い屈折率を有し、前記光学的に透明な層の前記他の１つは前記光学的に透明な層 の前記１つの前記屈折率よりも大きい屈折率を有することを特徴とするエレクト ロクロミック装置。 １６．前記光学的に透明な層の前記１つは約１．４乃至約１．７の屈折率を有し 、前記光学的に透明な層の前記他の１つは前記第１の屈折率と略同等または大き い屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 １７．前記２つの光学的に透明な層は約３０ｎｍ乃至約７０ｎｍの組み合わせ厚 さを有することを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロミック 装置。 １８．前記高進手段は前記導電層の他の１つに対する輻射線の透過を高進する光 学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（６４）を備えることを特徴 とする請求の範囲第１５項に記載のエレクトロクロミック装置。 １９．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段とを備え、前記導電層の少なくとも１つは導 電酸化物の層を有し、更に前記導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を 高進する高進手段（６１）を備え、前記エレクトロクロミック材料は第１の屈折 率を有し、前記対電極は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３の屈折率を有 し、前記導電酸化物の層は第４の屈折率を有し、前記第１、第２、第３および第 ４の屈折率は略等しいことを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ２０．前記高進手段は前記導電酸化物層に対する輻射線の透過を高進する光学的 に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別に１つに対する 輻射線の透過を高進する光学的に透明な材料からなる少なくとも１つの他の層（ ６２）とを備えることを特徴とする請求の範囲第１９項に記載のエレクトロクロ ミック装置。 ２１．エレクトロクロミック材料から形成された電極（３０）、対電極（５０） および前記電極と前記対電極との間でイオンを移送する移送手段（４１）を有す るエレクトロクロミック構造体と、前記エレクトロクロミック構造体に電位を印 加するように前記エレクトロクロミック構造体を挟持する少なくとも２つの導電 層（２０、２２）を有する導電手段と、前記導電層の少なくとも一方に対する輻 射線の透過を高進する高進手段とを備え、該高進手段は前記エレクトロクロミッ ク構造体と前記導電層とを挟持する少なくとも２つの光学的に透明な層（６１、 ６２）とを有することを特徴とするエレクトロクロミック装置。 ２２．透明な基板（１２）と該透明な基板に配設されたエレクトロクロミック装 置とを備え、前記エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック材料から 形成された電極（３０）、対電極（５０）および前記電極と前記対電極との間で イオンを移送する移送手段（４１）を有するエレクトロクロミック構造体と、前 記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するように前記エレクトロクロミッ ク構造体を挟持する少なくとも２つの導電層（２０、２２）を有する導電手段と 、前記導電層の少なくとも一方に対する輻射線の透過を高進する高進手段（６１ ）とを含み、前記エレクトロクロミック材料は第１の屈折率を有し、前記対電極 は第２の屈折率を有し、前記移送手段は第３の屈折率を有し、前記第１、第２お よび第３の屈折率は略等しいことを特徴とするエレクトロクロミック組合わせ体 。 ２３．前記高進手段は前記透明基板と前記エレクトロクロミック装置との間に配 設されて前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進する光学的に 透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記導電層の別の１つに対する輻 射線の透過を高進する光学的に透明な材料の少なくとも１つの別の層（６２）と を有することを特徴とする請求の範囲第２２項に記載のエレクトロクロミック組 合わせ体。 ２４．透明な上層（１４）を更に備え、前記エレクトロクロミック装置は前記透 明な基板と前記透明な上層との間に挟設されていることを特徴とする請求の範囲 第２２項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。 ２５．前記高進手段は、前記透明な基板と前記エレクトロクロミック装置との間 に配設されて前記少なくとも１つの導電層に対する輻射線の透過を高進する光学 的に透明な材料の少なくとも１つの層（６１）と、前記透明な上層と前記エレク トロクロミック装置との間に配設されて前記導電層の別の１つに対する輻射線の 透過を高進する光学的に透明な材料の少なくとも１つの別の層（６２）とを有す ることを特徴とする請求の範囲第２４項に記載のエレクトロクロミック組合わせ 体。 ２６．前記透明な上層を前記エレクトロクロミック装置に結合する接着剤の層（ ７０）を更に備えることを特徴とする請求の範囲第２４項に記載のエレクトロク ロミック組合わせ体。 ２７．前記接着層は約１．４乃至約１．８の屈折率を有することを特徴とする請 求の範囲第２６項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。 ２８．前記透明な上層は屈折率を有し、前記接着層は前記透明な上層の前記接着 層と略同等の屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第２６項に記載のエレ クトロクロミック組合わせ体。 ２９．前記導電層の別の１つは導電酸化物の層を含み、前記接着層は前記導電酸 化物層と面接触していることを特徴とする請求の範囲第２６項に記載のエレクト ロクロミック組合わせ体。 ３０．前記導電酸化物層は一の屈折率を有し、前記透明な上層は別の屈折率を有 し、前記接着層は前記一の屈折率と前記別の屈折率との間の屈折率を有すること を特徴とする請求の範囲第２９項に記載のエレクトロクロミック組合わせ体。