JPS63210915A - エレクトロクロミツク材料および素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク材料および素子Info
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- JPS63210915A JPS63210915A JP62046113A JP4611387A JPS63210915A JP S63210915 A JPS63210915 A JP S63210915A JP 62046113 A JP62046113 A JP 62046113A JP 4611387 A JP4611387 A JP 4611387A JP S63210915 A JPS63210915 A JP S63210915A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化発色型エレクトロクロミック材料および防
眩ミラー等に応用可能な当該材料を科用した全固体エレ
クトロクロミック素子に関するものである。
眩ミラー等に応用可能な当該材料を科用した全固体エレ
クトロクロミック素子に関するものである。
電気信号により光学的性質を制御する光学機能素子のう
ち現在量も広く普及しているものに液晶表示素子(LC
)がある。しかし2表示素子として利用する場合、像の
二重写り、視認性の悪さ等の欠点が以前から指摘されて
いた。一方LC素子の可視光透過率制御性を利用し、い
わゆる調光膜として応用しようとする動きも活発であり
1反射鏡と組み合わせた液晶防眩ミラーがすでに実用化
されている。この場合、前述の像の二重写り、視認性の
悪さに加え、液晶そのものの可視光透過率が低く、非防
眩時に反射率が低く暗いとの不具合が指摘されてきた。
ち現在量も広く普及しているものに液晶表示素子(LC
)がある。しかし2表示素子として利用する場合、像の
二重写り、視認性の悪さ等の欠点が以前から指摘されて
いた。一方LC素子の可視光透過率制御性を利用し、い
わゆる調光膜として応用しようとする動きも活発であり
1反射鏡と組み合わせた液晶防眩ミラーがすでに実用化
されている。この場合、前述の像の二重写り、視認性の
悪さに加え、液晶そのものの可視光透過率が低く、非防
眩時に反射率が低く暗いとの不具合が指摘されてきた。
一方電気信号により調光機能を示す光学機能素子の一つ
にエレクトロクロミック(E C)素子がある。電気化
学反応により着・消色を繰り返すEC素子の歴史は非常
に古い。しかし今日現在、溶液型素子は実用化されてい
るが、全固体型EC素子は実用化には至っていない。し
かし、全固体型EC素子もその後の改良研究により長寿
命化、安定化が行われ、EC防眩ミラーとして実用化の
試みがなされている。全固体EC防眩ミラーはEC防眩
ミラーに比べ像の二重写りもなく視認性も良好であるが
、応答性が悪い、全固体ECを構成する膜の着色により
非防眩時のミラー反射率がLCミラーに比べ必ずしも高
くはならない、また、メモリー性が悪い、すなわち着色
後放置すると短時間に消色してしまう等の欠点があった
。これらの特性を左右する要因は膜を構成する酸化発色
型エレクトロクロミック層の特性にある。通常この酸化
発色型EC層として最も広く利用されている材料にイリ
ジウム(Ir)がある。このlr化合物膜の作製法とし
ては従来、陽極酸化法2反応性蒸着法9反応性イオンブ
レーティング法9反応性ス法で作製したIr酸化物また
は水酸化物が最も優れている。しかし陽極酸化法そのも
のが大面積基板への処理に不適であり、また、全固体E
Cセルを構成する還元発色層、誘電体層を物理的成膜法
(蒸着、スパック、イオンブレーティング等)により作
製する都合上、生産性、コストの面からもIr化合物(
つまり酸化物または水酸化物)を物理的手法により作製
することが強く望まれていた。
にエレクトロクロミック(E C)素子がある。電気化
学反応により着・消色を繰り返すEC素子の歴史は非常
に古い。しかし今日現在、溶液型素子は実用化されてい
るが、全固体型EC素子は実用化には至っていない。し
かし、全固体型EC素子もその後の改良研究により長寿
命化、安定化が行われ、EC防眩ミラーとして実用化の
試みがなされている。全固体EC防眩ミラーはEC防眩
ミラーに比べ像の二重写りもなく視認性も良好であるが
、応答性が悪い、全固体ECを構成する膜の着色により
非防眩時のミラー反射率がLCミラーに比べ必ずしも高
くはならない、また、メモリー性が悪い、すなわち着色
後放置すると短時間に消色してしまう等の欠点があった
。これらの特性を左右する要因は膜を構成する酸化発色
型エレクトロクロミック層の特性にある。通常この酸化
発色型EC層として最も広く利用されている材料にイリ
ジウム(Ir)がある。このlr化合物膜の作製法とし
ては従来、陽極酸化法2反応性蒸着法9反応性イオンブ
レーティング法9反応性ス法で作製したIr酸化物また
は水酸化物が最も優れている。しかし陽極酸化法そのも
のが大面積基板への処理に不適であり、また、全固体E
Cセルを構成する還元発色層、誘電体層を物理的成膜法
(蒸着、スパック、イオンブレーティング等)により作
製する都合上、生産性、コストの面からもIr化合物(
つまり酸化物または水酸化物)を物理的手法により作製
することが強く望まれていた。
しかし物理的手法により作製したIr酸化物または水酸
化物膜は種々の手法を駆使しても着・消色応答性が不充
分で高い可視光透過率も得られず。
化物膜は種々の手法を駆使しても着・消色応答性が不充
分で高い可視光透過率も得られず。
メモリー性も劣っていた。また、特開昭61−1238
19号では、物理的手法によってIrの酸化物または水
酸化物を酸化亜鉛(ZnO) 、酸化スズ(SnO□)
またはI T O(Indium−Tin−Oxide
)等の導電性物質中に分散させたEC材料を作製し、こ
れを用いたEC素子を作製している。しかし、このEC
素子もメモリー性にやや劣っており、上記特性のすべて
を満足させるものではなかった。
19号では、物理的手法によってIrの酸化物または水
酸化物を酸化亜鉛(ZnO) 、酸化スズ(SnO□)
またはI T O(Indium−Tin−Oxide
)等の導電性物質中に分散させたEC材料を作製し、こ
れを用いたEC素子を作製している。しかし、このEC
素子もメモリー性にやや劣っており、上記特性のすべて
を満足させるものではなかった。
本発明は物理的成膜法により可視光透過率9着色・消色
応答性、メモリー性のいずれにおいても優れている全固
体EC素子を得るためにEC素子を構成する酸化型発色
層の改良を目的とする。上記特性のうち、特に、メモリ
ー性の向上を図るために鋭意努力を重ねた。そのために
9本発明者等はIrの酸化物または水酸化物を分散させ
る受容体として導電性のSnO,ZnO2やITOに代
えて絶縁性を有するMgFz、CaFz+LiF、Na
F等の透明なフッ化物に着目した。そして、該フッ化物
中にIrの酸化物等を分散させた酸化発色層を用いたE
C素子を作製した。その結果、該EC素子は上記特性の
すべてにおいてすぐれていることが確かめられた。
応答性、メモリー性のいずれにおいても優れている全固
体EC素子を得るためにEC素子を構成する酸化型発色
層の改良を目的とする。上記特性のうち、特に、メモリ
ー性の向上を図るために鋭意努力を重ねた。そのために
9本発明者等はIrの酸化物または水酸化物を分散させ
る受容体として導電性のSnO,ZnO2やITOに代
えて絶縁性を有するMgFz、CaFz+LiF、Na
F等の透明なフッ化物に着目した。そして、該フッ化物
中にIrの酸化物等を分散させた酸化発色層を用いたE
C素子を作製した。その結果、該EC素子は上記特性の
すべてにおいてすぐれていることが確かめられた。
本発明は、IrならびにIrの酸化物または水酸化物と
MgF、CaFz+LiF、NaF等の透明なフ・ノ化
物とからなることを特徴とする酸化発色型エレクトロク
ロミック材料および該エレクトロクロミ・ツク材料を用
いた全固体エレクトロクロミ・ツク素子に関するもので
ある。
MgF、CaFz+LiF、NaF等の透明なフ・ノ化
物とからなることを特徴とする酸化発色型エレクトロク
ロミック材料および該エレクトロクロミ・ツク材料を用
いた全固体エレクトロクロミ・ツク素子に関するもので
ある。
本発明は極めて微細なIrならびにIrの酸化物または
水酸化物を分散させる受容体としてこれまで用いられて
きたSnO□、 ZnO□またはITO等の導電性物質
に代えて絶縁性を存するMgFt+CaFz、LiF、
NaF等の透明なフッ化物を用いることにより可視光透
過性を高め9次式に示す着色・消色可逆反応をスムーズ
に進むようにして9着色・消色応答I r (OH
)、+x (OH)−(透明) ;” I r (OH)n*x +xe−(
ダークブルー) 性を向上させた。また、絶縁性の受容体を使用したため
EC素子の絶縁抵抗が導電性のSnO□等を用いた場合
の数にΩ/ciから10’Ω/ ctAと大きくなり電
流の漏れ量が著しく減少し9着色後1回路を遮断し放置
した場合の消色までの時間が長くなり、メモリー性が著
しく向上した。したがって。
水酸化物を分散させる受容体としてこれまで用いられて
きたSnO□、 ZnO□またはITO等の導電性物質
に代えて絶縁性を存するMgFt+CaFz、LiF、
NaF等の透明なフッ化物を用いることにより可視光透
過性を高め9次式に示す着色・消色可逆反応をスムーズ
に進むようにして9着色・消色応答I r (OH
)、+x (OH)−(透明) ;” I r (OH)n*x +xe−(
ダークブルー) 性を向上させた。また、絶縁性の受容体を使用したため
EC素子の絶縁抵抗が導電性のSnO□等を用いた場合
の数にΩ/ciから10’Ω/ ctAと大きくなり電
流の漏れ量が著しく減少し9着色後1回路を遮断し放置
した場合の消色までの時間が長くなり、メモリー性が著
しく向上した。したがって。
全固体EC膜の防眩ミラー等への応用・実用化の可能性
が高まった。
が高まった。
以下本発明の実施態様について説明する。
本発明の実施態様にかかる全固体EC素子(反射型)の
断面構造を第1図により説明する。基板11は通常透明
なガラスまたは樹脂であり、その形状は平面板または曲
面板であっても良く、電気信号によりその光学特性の変
化する酸化発色型EC層13.還元発色型EC素子15
および誘電体層14を保持するとともに表示面としての
役割を有する。層I2および層1Gは電気信号を印加す
る電極である。反射型の場合2層12が透明導電膜であ
り1層16は反射鏡を兼ねた電極膜である。
断面構造を第1図により説明する。基板11は通常透明
なガラスまたは樹脂であり、その形状は平面板または曲
面板であっても良く、電気信号によりその光学特性の変
化する酸化発色型EC層13.還元発色型EC素子15
および誘電体層14を保持するとともに表示面としての
役割を有する。層I2および層1Gは電気信号を印加す
る電極である。反射型の場合2層12が透明導電膜であ
り1層16は反射鏡を兼ねた電極膜である。
また、透過型の場合層121層16共に透明導電膜から
なる。ここで、透明導電膜を形成する材料としてはIT
O(Indium−Tin−Oxide)、 ATO(
^ntimony−Tin−Oxide)、 Z A
O(Zinc−Aluminium−Oxide)等
を使用することができる。また反射膜を形成する材料と
しては通常光学反射率の高いAI!、 Ag、In、S
n等の金属または合金を使用することができる。酸化発
色型EC層13としてはfrogが用いられ9通常その
膜厚はlOO人〜2000人程度である。また、還元発
色型EC層15としては−0:+ + M OO3+
V 20 s + Re Oz等が用いられ、その膜厚
は通常2000人〜10000人程度である。
なる。ここで、透明導電膜を形成する材料としてはIT
O(Indium−Tin−Oxide)、 ATO(
^ntimony−Tin−Oxide)、 Z A
O(Zinc−Aluminium−Oxide)等
を使用することができる。また反射膜を形成する材料と
しては通常光学反射率の高いAI!、 Ag、In、S
n等の金属または合金を使用することができる。酸化発
色型EC層13としてはfrogが用いられ9通常その
膜厚はlOO人〜2000人程度である。また、還元発
色型EC層15としては−0:+ + M OO3+
V 20 s + Re Oz等が用いられ、その膜厚
は通常2000人〜10000人程度である。
さらに誘電体層14としてはTa205+5i02.T
iO2,Nb2O5、^7203.Zr(h+Hf(h
+Yz(h等が用いられ、その膜厚は大男2000人〜
10000人程度である。
iO2,Nb2O5、^7203.Zr(h+Hf(h
+Yz(h等が用いられ、その膜厚は大男2000人〜
10000人程度である。
第1図に示すEC素子で電極12.16間に印加される
電界により誘電体IJ14中に含まれるIt、0が電気
分解し、■(゛およびOH−を生ずる。このH′lおよ
びOH−とEC層15および20層13との酸化・還元
反応によってEC層15.13を形成する材料の吸光特
性が変化し2着色・消色等の可視光透過率制御が行われ
る。ちなみに反射型EC膜を防眩ミラーとして利用する
場合1着色により防眩状態となり消色により非防眩状態
となる。
電界により誘電体IJ14中に含まれるIt、0が電気
分解し、■(゛およびOH−を生ずる。このH′lおよ
びOH−とEC層15および20層13との酸化・還元
反応によってEC層15.13を形成する材料の吸光特
性が変化し2着色・消色等の可視光透過率制御が行われ
る。ちなみに反射型EC膜を防眩ミラーとして利用する
場合1着色により防眩状態となり消色により非防眩状態
となる。
本発明の実施態様にかかる酸化発色物質であるIrなら
びにIrの酸化物または水酸化物の受容体としては、可
視域で透明なMgFz+CaFz、LiF、NaF。
びにIrの酸化物または水酸化物の受容体としては、可
視域で透明なMgFz+CaFz、LiF、NaF。
CeFi、AZP:+等のフッ化物が良い。これらのフ
ッ化物はいずれも絶縁体である。
ッ化物はいずれも絶縁体である。
一方1rは通常、金属、酸化物または水酸化物の状態と
考えられるが、可視域で物理的手法により透明にするこ
とはかなり困難である。また、エレクトロクロミック膜
として機能させる為には少なくとも酸化物または水酸化
物の形で200Å以上の膜厚が必要である。着色・消色
時のλ=500nm(視感度が最も高い)に於ける分光
反射率比(コントラスト比)を大きく得ようとすればI
r酸化物または水酸化物の厚さを増加させることが必要
であるが、逆に消色時の分光反射率の低下を招く。とこ
ろが本発明の上記受容体中にIrを分散させることによ
り1等量のIr酸化物または水酸化物だけから成る膜に
比べ可視光透過率を向上させることができる。
考えられるが、可視域で物理的手法により透明にするこ
とはかなり困難である。また、エレクトロクロミック膜
として機能させる為には少なくとも酸化物または水酸化
物の形で200Å以上の膜厚が必要である。着色・消色
時のλ=500nm(視感度が最も高い)に於ける分光
反射率比(コントラスト比)を大きく得ようとすればI
r酸化物または水酸化物の厚さを増加させることが必要
であるが、逆に消色時の分光反射率の低下を招く。とこ
ろが本発明の上記受容体中にIrを分散させることによ
り1等量のIr酸化物または水酸化物だけから成る膜に
比べ可視光透過率を向上させることができる。
本発明の実施態様の酸化発色型EC層はIrを金属、酸
化物、水酸化物の形で上記受容体の中に5〜50at%
分散させたものである。Ir1lが50at%より多い
と着色量が増大し、光の透過率が著しく悪くなる。逆に
5at%以下であると実用上必要な着色量が得られなく
なる。また9層の厚さは200〜2000人の範囲で選
ばれる。2000人より厚いと酸化発色現象がイオンの
拡散反応によって律速されるため、その応答性が低下し
。
化物、水酸化物の形で上記受容体の中に5〜50at%
分散させたものである。Ir1lが50at%より多い
と着色量が増大し、光の透過率が著しく悪くなる。逆に
5at%以下であると実用上必要な着色量が得られなく
なる。また9層の厚さは200〜2000人の範囲で選
ばれる。2000人より厚いと酸化発色現象がイオンの
拡散反応によって律速されるため、その応答性が低下し
。
実用上致命的な欠陥となる。また、200人より薄いと
Ir1lが少なくなって実用上必要とされる着色量が得
られなくなるとともに、酸化発色過程における膜の損傷
が激しく実用的な耐久性を失う 2ことになる。
Ir1lが少なくなって実用上必要とされる着色量が得
られなくなるとともに、酸化発色過程における膜の損傷
が激しく実用的な耐久性を失う 2ことになる。
実際にはIr量と膜厚とは相互に関連し、上記範囲内で
それぞれ最適値が決定される。すなわち。
それぞれ最適値が決定される。すなわち。
膜厚を増大し着色量が著しく大きくなった場合にはIr
量を減らして調整する必要があり、逆に膜厚を薄くした
場合はIr量を増やして着色量を大きくする必要がある
。
量を減らして調整する必要があり、逆に膜厚を薄くした
場合はIr量を増やして着色量を大きくする必要がある
。
本発明の実施態様のIr等とフッ化物の複合酸化発色層
の形成は通常の物理的成膜法によって行うことができる
。Irは金属、酸化物または水酸化物の形での入手は通
常難しく、物理的手法以外では分散膜を形成させること
は困難である。物理的成膜法としては1例えば金属1r
ターゲツトまたは蒸発源であるペレットとMgP*、C
aFz、LiF、NaF。
の形成は通常の物理的成膜法によって行うことができる
。Irは金属、酸化物または水酸化物の形での入手は通
常難しく、物理的手法以外では分散膜を形成させること
は困難である。物理的成膜法としては1例えば金属1r
ターゲツトまたは蒸発源であるペレットとMgP*、C
aFz、LiF、NaF。
CeF3.A7F3等のフッ化物ターゲットまたはペレ
ットとを0□または11tO雰囲気中で同時スパッタ法
。
ットとを0□または11tO雰囲気中で同時スパッタ法
。
同時蒸着法または同時イオンブレーティング法等により
形成することができる。膜中のIrfiはIrターゲッ
トまたはペレットおよびフッ化物ターゲットまたはペレ
ットへの投入電力を制御することにより調整できる。さ
らに複合酸化発色膜の厚さ方向にIr量を変化させるこ
とも成膜過程でのIrおよびフッ化物ターゲットまたは
ペレットへの投入電力を変化させることにより可能とな
る。
形成することができる。膜中のIrfiはIrターゲッ
トまたはペレットおよびフッ化物ターゲットまたはペレ
ットへの投入電力を制御することにより調整できる。さ
らに複合酸化発色膜の厚さ方向にIr量を変化させるこ
とも成膜過程でのIrおよびフッ化物ターゲットまたは
ペレットへの投入電力を変化させることにより可能とな
る。
またIrと上記フッ化物の複合ターゲットまたはペレッ
トを用いれば同時成膜法を用いなくともスパッタ法、蒸
着法、イオンブレーティング法により所定のIrを含有
する複合酸化発色層を形成できる。
トを用いれば同時成膜法を用いなくともスパッタ法、蒸
着法、イオンブレーティング法により所定のIrを含有
する複合酸化発色層を形成できる。
本実施例の複合酸化発色膜の作製は金属1rとMgF、
、CaF2.LiF+NaF、CeF+等のフッ化物と
を02雰囲気中で室温基板(コーニングガラスl1kL
7059)上に反応性スパッタ法または反応性共蒸着法
により行った。複合膜の組成はIrターゲットまたは蒸
発源であるペレットおよびMgFg+CaF2.LiF
、NaF。
、CaF2.LiF+NaF、CeF+等のフッ化物と
を02雰囲気中で室温基板(コーニングガラスl1kL
7059)上に反応性スパッタ法または反応性共蒸着法
により行った。複合膜の組成はIrターゲットまたは蒸
発源であるペレットおよびMgFg+CaF2.LiF
、NaF。
CePi、AZFzターゲットまたは蒸発源への投入電
力を調整し行った。膜厚は触針法により測り1組成はX
線マイクロアナライザーおよびオージェ分析により定量
した。このようにして作製した膜の分光透過率は通常の
分光光度計により測定した。またIrターゲットおよび
11203ターゲツトへの投入電力を成膜時間とともに
連続的または断続的に変化させることにより本発明の複
合酸化発色膜の厚さ方向に対しIrの分布を自在に制御
できる。
力を調整し行った。膜厚は触針法により測り1組成はX
線マイクロアナライザーおよびオージェ分析により定量
した。このようにして作製した膜の分光透過率は通常の
分光光度計により測定した。またIrターゲットおよび
11203ターゲツトへの投入電力を成膜時間とともに
連続的または断続的に変化させることにより本発明の複
合酸化発色膜の厚さ方向に対しIrの分布を自在に制御
できる。
本実施例の複合酸化発色膜のEC特性は第1図にその断
面構造を示す反射型全固体EC素子の形で評価した。ま
ず透明ガラス基板ll上に透明導電膜12として[TO
を約2000人の厚さに真空蒸着し、続いて本発明の複
合酸化発色膜13を上述の方法で200−2000人の
厚さに形成し。
面構造を示す反射型全固体EC素子の形で評価した。ま
ず透明ガラス基板ll上に透明導電膜12として[TO
を約2000人の厚さに真空蒸着し、続いて本発明の複
合酸化発色膜13を上述の方法で200−2000人の
厚さに形成し。
さらに誘電体層14としてTazOsを約4000人の
厚さに真空蒸着し、還元発色膜15としてWO3を約4
000人の厚さに真空蒸着し、最後に反射鏡兼電極とし
てAIを約4000人蒸着し1反射型全回体EC素子と
した。なお、 TazOS+uOs膜はいずれも酸化物
ペレットを用い電子ビーム加熱。
厚さに真空蒸着し、還元発色膜15としてWO3を約4
000人の厚さに真空蒸着し、最後に反射鏡兼電極とし
てAIを約4000人蒸着し1反射型全回体EC素子と
した。なお、 TazOS+uOs膜はいずれも酸化物
ペレットを用い電子ビーム加熱。
真空蒸着法により作製した。なお酸化発色層13゜誘電
体層14.還元発色層15の積層順を上記実施例と逆に
して素子を形成することは当然可能で事実同一の効果が
得られた。また素子作製中基板の加熱は行わなかった。
体層14.還元発色層15の積層順を上記実施例と逆に
して素子を形成することは当然可能で事実同一の効果が
得られた。また素子作製中基板の加熱は行わなかった。
本実施例のEC素子の着色・消色特性は以下の手順で評
価した。
価した。
第1図に示す素子の透明導電膜としてA1反射膜16と
の間に±1.5ボルトの直流電圧を0.28zの周期で
500回印加し、活性化後着色時および消色時の分光反
射率を測定しそれらの比から以下の式で定義されるコン
トラスト比を求めた。
の間に±1.5ボルトの直流電圧を0.28zの周期で
500回印加し、活性化後着色時および消色時の分光反
射率を測定しそれらの比から以下の式で定義されるコン
トラスト比を求めた。
コントラスト比=log (消色時反射率/着色時反射
率) また1着色・消色応答性は±1.5ボルトの印加周期を
0.582(1抄着色/1秒消色)と変化させコントラ
スト比を評価した。さらに、素子のメモリー性は1.5
ボルトを5秒間印加し着色させた後。
率) また1着色・消色応答性は±1.5ボルトの印加周期を
0.582(1抄着色/1秒消色)と変化させコントラ
スト比を評価した。さらに、素子のメモリー性は1.5
ボルトを5秒間印加し着色させた後。
電極12.16間を開放し初期着色量の80%迄自然消
色する迄の時間τを計測した。τの長い程メモリー性は
良好となる。
色する迄の時間τを計測した。τの長い程メモリー性は
良好となる。
表は以下に示す実施例1〜19.比較例1〜4で作製し
た酸化発色膜の着色・消色応答性等の特性を調べた結果
を示したものである。
た酸化発色膜の着色・消色応答性等の特性を調べた結果
を示したものである。
実施例1〜14: Irターゲットとフッ化物ターゲッ
トとのOt雰囲気中での同 時スパッタ法ならびにlrペレ ットとフッ化物ペレットとの0゜ 雰囲気中での同時蒸着法によっ て成膜した。
トとのOt雰囲気中での同 時スパッタ法ならびにlrペレ ットとフッ化物ペレットとの0゜ 雰囲気中での同時蒸着法によっ て成膜した。
実施例15〜17:IrターゲットとMgF、ターゲッ
トを用いて0.雰囲気中で同 時スパッタ法によって成膜した。
トを用いて0.雰囲気中で同 時スパッタ法によって成膜した。
膜中のIr量を7.5at%一定と
し、スパッタ時間を変え、膜厚
を変化させた。
実施例18,19:IrターゲットとMgF、ターゲッ
トを用いて0.雰囲気中で同 時スパッタ法によって成膜した。
トを用いて0.雰囲気中で同 時スパッタ法によって成膜した。
Irターゲットへの投入電力と
MgP zターゲットへの投入電力と
を時間経過とともにそれぞれ相
補的に変化させ、Ir量を第2
図に示すように変化させた。
比較例1,2:Trのターゲットまたはペレットを用い
、0□雰囲気中でスパン タ法または蒸着法によってIr とIrの酸化物からなる膜を形 成させた。
、0□雰囲気中でスパン タ法または蒸着法によってIr とIrの酸化物からなる膜を形 成させた。
比較例3.4:ターゲットをIrとZnOまたはSnO
□とし、0寡雲囲気中で同時ス パッタし、 ZnO等の中にIrと Irの酸化物を分散させた酸化 発色膜を作製した場合の例であ る。
□とし、0寡雲囲気中で同時ス パッタし、 ZnO等の中にIrと Irの酸化物を分散させた酸化 発色膜を作製した場合の例であ る。
これらの実施例、比較例に示した結果から、酸化発色型
EC材としてフッ化物中にIrの酸化物を分散させたも
のを用いるとIrの酸化物のみからなるもの、あるいは
ZnOまたはSn0g中にIrの酸化物を分散させたも
のと比較して可視光透過率。
EC材としてフッ化物中にIrの酸化物を分散させたも
のを用いるとIrの酸化物のみからなるもの、あるいは
ZnOまたはSn0g中にIrの酸化物を分散させたも
のと比較して可視光透過率。
コントラスト比、メモリー性がいずれも優れているのが
明らかである。また9着色・消色応答性も表には示さな
かったが、Irの酸化物のみからなる酸化発色膜等に比
べ優れていた。
明らかである。また9着色・消色応答性も表には示さな
かったが、Irの酸化物のみからなる酸化発色膜等に比
べ優れていた。
なお、第1図に示す相構造を逆にし、EC素子を作製す
ること、また、i3過型とし調光機能膜として利用でき
ることは当然である。
ること、また、i3過型とし調光機能膜として利用でき
ることは当然である。
第1図は本発明で用いた反射型全固体EC素子の断面構
造を示す説明図である。また、第2図は本発明の実施例
18.19で作製した複合酸化発色膜中のIrの分布状
態を示した説明図である。
造を示す説明図である。また、第2図は本発明の実施例
18.19で作製した複合酸化発色膜中のIrの分布状
態を示した説明図である。
Claims (3)
- (1)イリジウムならびにイリジウムの酸化物または水
酸化物とMgF_2、CaF_2、LiF、NaF等の
フッ化物とからなることを特徴とする酸化発色型エレク
トロクロミック材料。 - (2)前記イリジウムならびにイリジウムの酸化物また
は水酸化物およびフッ化物が物理的成膜法によって形成
された膜によって構成されたことを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の酸化発色型エレクトロクロミッ
ク材料。 - (3)一対の電極間に酸化発色型エレクトロクロミック
層と誘電体からなる絶縁層と還元発色型エレクトロクロ
ミック層とを順次積層してなる全固体エレクトロクロミ
ック素子において、酸化発色型エレクトロクロミック層
がイリジウムならびにイリジウムの酸化物または水酸化
物とMgF_2、CaF_2、LiF、NaF等のフッ
化物とからなることを特徴とする全固体エレクトロクロ
ミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62046113A JPS63210915A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | エレクトロクロミツク材料および素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62046113A JPS63210915A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | エレクトロクロミツク材料および素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63210915A true JPS63210915A (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=12737941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62046113A Pending JPS63210915A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | エレクトロクロミツク材料および素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63210915A (ja) |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62046113A patent/JPS63210915A/ja active Pending
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