JPH08502258A - ペプチド連結用の新規な試薬 - Google Patents

ペプチド連結用の新規な試薬

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Abstract

(57)【要約】

Description

【発明の詳細な説明】 ペプチド連結用の新規な試薬 本発明はアミド形成、特にペプチド合成におけるアシル化工程を行うための新 規方法に関する。より詳しくは、本発明は下記式を有する化合物およびそのN− オキシド、ならびにそれらの塩の使用に関する。 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜合計13までの環炭素原子を含有する 酸素、イオウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリールは非置換で あるか、または低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6またはR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が 一緒になってオキソ基を形成するか、n=0の場合はR4とR6が一緒になってY の窒素または炭素原子とXの窒素または炭素原子との間に結合を形成してもよく ; Qは(CR89)または(NR8)であり; nが1の場合、R4とR8が一緒になって、Qの環炭素原子または窒素原子とR8 の環炭素原子または窒素原子との間の結合を形成してもよく; nは0、1または2であり; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アリールア 14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキル;qは0〜3; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8がそれ らが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく、AA1 はアミノ酸であり、BLKはアミノ保護基、そしてmは0または1である。 本発明はまた、上記式に含まれる新規化合物に関する。 ポリペプチドは薬剤として有用である。近年、ペプチドは種々の病気、例えば 癌、糖尿病、植物毒などとたたかう際に有用であることが見いだされた。さらに ペプチドは成長促進剤、抑制剤、抗生物質、殺虫剤、避妊薬、抗高血圧薬、就眠 薬、抗うつ薬、鎮痛薬などとして特異的な活性を示してきた。その種類は多く、 様々である。 ポリペプチドが薬剤として重要になるにつれ、それを合成する方法を改良しよ うとする動機が増しつつある。現在、ペプチドの合成は古典的、即ち種々の繰り 返し方法により溶液中で行われる。あるいは固体坦体上でペプチドを製造しても よい(メリフィールド法)。これらはすべて、2またはそれ以上のアミノ酸の連 結によりペプチドを合成する際、アミノ酸と短いペプチドの連結によりより長い ペプチドを合成する際、または短いペプチド同士を連結する際に、一般的な手法 である。液相法は監視が容易であり、必要であればどの工程ででも中間体の精製 ができるという利点を有する。しかし、主な欠点は、合成の速度が比較的遅く、 各工程は手動で行われることである。 メリフイールド法の主な利点は、その自動化が容易で、人手によらずにコンピ ューター制御された機械合成が可能となることである。あいにく、この方法は、 その上で合成が進行する担体が不溶性であることによる固有の欠点を有する。各 アシル化工程が約100%の効率で生じないと、混合物がポリマー上に蓄積するこ とが避けられない。鎖が長くなればなる程、望ましくない副反応による混入が増 える。このような反応で生じる副反応生成物は、サイクルの最後にポリマー基体 から目的の生成物を離す際に、目的生成物中に混入しつづける。これらの現在の 技術は、20〜30残基より長いペプチドを合成するには有用でない;所望の生成物 からの副反応生成物の分離は、より長いペチドを合成する場合にはますます困難 になる。 従って、非常に長い断片(50またはそれ以上のアミノ酸)には現在の方法では 十分でない。目的のペプチドを分離することが困難であるか、あるいは不可能で あるような非常に複雑な混合物が得られることかしばしばある。 上記に挙げた問題点は、基礎となるアミノ酸の適切な誘導体および/または連 結(カップリング)反応の適切な条件を見いだすことができれば解消されるかも しれない。t−ブチルオキシ−カルボニル(t−Boc)またはN−α−(9− フルオレニルメチル)オキシカルボニル(Fmoc)のような保護基が副反応を 最少にするのに使用されてきた。しかし、さらに連結反応の他の面、例えば連結 反応中で使用されるべきペプチド連結剤なども考慮されなければならない。 一般に添加剤は副反応を阻害し、ラセミ化を減少させる。これまで、液相およ び固相合成でペプチド連結の間に用いられた最も普通のペプチド連結剤は、1− ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール(HOBt)である。この試薬はカルボジイミ ドまたはその他の連結剤との組み合わせで、あるいは1−ベンゾ−トリアゾリオ キシトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウム・ヘキサフルオロホスフエート(B OP)や類似のウロニウム塩などの独立の試薬として使用されてきた。HOBt は逐次法(ステップワイズ法)にも断片縮合法にも適用できる。しかし、おそら くは立体効果またはアミノ成分の低い塩基性のために、HOBtが有効でない多 くの場合があった。特に、ラセミ化の問題が大きいため、グリシンまたはブロリ ン以外のアミノ酸単位での断片連結が問題である。類似のN−ヒドロキシベンゾ トリアジノン(HOOBt)がラセミ化に対してはより防止できるかししれない が、開環を含む競合する副反応によりめったに使用されない。 しかし、本発明者らは、式Iの化含物がペプチド合成のためのステップワイズ 結合(バッチおよび連続流動)においても断片縮合においても、ペプチド連結剤 として有用であることを見いだした。式Iの化合物は、従来の添加剤の欠点を解 消した。ペプチド連結剤としての本発明の化合物は、反応を促進する力を有する か、またはより巧みな方法、より高い収率を提供し、そしてラセミ化を減らす。 本発明の化合物を使用して形成された生成物は、従来使用されてきた方法による ものより純度が高い傾向がある。また、反応条件は非常に穏やかであり、そして 使用する試薬は市販されているか容易に製造できる。 さらに、本発明の範囲内の化合物は、さらに利点を有し、目に見える反応の終 点の指標を提供する。例えば、アミノ酸またはペプチドエステルの存在下でのH OAt、すなわち1−ヒドロキシ−7−アザベンゾトリアゾールは着色されたア ニオンに変換される。連結が進むにつれ、色は褪色し、次いで連結反応が完了す ると完全に消失する。研究者は色の消失を監視することにより、連結反応の完了 時を知る。研究者は連結反応の完了時を決定するために反応を監視する必要がな い。いつ反応が完了するか定まらない時間待つ必要がない。このように、本発明 の化合物を使用することにより、結果として、研究者は時間をより有効に使える 。 本発明は、ペプチド結合の形成によるペプチド合成において、式Iの化合物を 使用することに関する。より詳しくは、本発明は、各々が遊離アミノノ基をもつ 第1のアミノ酸または第1のペプチドを、各々が遊離カルポキシル基またはアシ ル化用のその誘導体をもつ第2のアミノ酸または第2のペプチドと、アミド形成 条件下、式Iを有する化合物の有効量の存在下で反応させることからなる、ペプ チド結合を生成させる方法に関する。さらに、本発明は式Iの新規化合物に関す る。 上記したように、本発明の1態様は、式Iの化合物、およびペプチド連結にお けるその使用に関する。即ち、各々が遊離アミノ基を有する第1のアミノ酸また は第1のペプチドを、アミド形成条件下、式Iを有する化合物の存在下で第2の アミノ酸または第2のペプチドのアシル化用誘導体と連結し、ペプチド結合を形 成し、こうしてより長いペプチドを形成するものである。 本明細書で使用する「ヘテロアリール」の用語は、窒素、イオウおよび酸素か ら選ばれた少なくとも1つのヘテロ原子の環原子および最大4つまでの環ヘテロ 原子を含むヘテロ芳香族を意味する。ヘテロアリールは5〜14個の環原子、合計 13個までの環炭素原子および合計18個までの炭素原子を含む。ヘテロアリール基 は単環でも二環でも三環でもよい。また、この中にはペンゾヘテロ環も含まれる 。 ヘテロアリール基は好ましくは2個以下の環ヘテロ原子を含み、最も好ましく は1個の環ヘテロ原子を含む。最も好ましい環ヘテロ原子は酸素および窒素であ り、窒素が最も好ましい。 窒素が環原子である場合、N−オキシドも形成されうる。本発明は窒素含有ヘ テロアリールのN−オキシドも意図している。 ヘテロアリールの例には、チエニル、ベンゾチエニル、1−ナフトチエニル、 チアンスレニル、フリル、ヘンゾフリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル 、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、インドリル、イソイン ドリル、インダゾリル、プリニル、イソキノリル、キノリル、ナフチリジニル、 キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルボリニル、 イソチアゾリル、イソキサゾリルなどがある。ヘテロアリール基はピリジル、ビ ロリル、フリル、インドリル、キノリル、イソキノリルまたはペンゾフリルであ るのが好ましい。特に好ましくはピリジルである。 R1とR2が、それらが結合している炭素原子と一緒になって三環のヘテロアリ ール基を形成する場合、式Iの化合物は四環であり、R1とR2が、それらが結合 している炭素原子と一緒になって二環のヘテロアリール基を形成する場合、式I の化合物は三環である。最後にR1とR2が一緒になって単環ヘテロアリール基を 形成する場合、式Iの化合物は二環である。式Iの化合物は三環であるのが好ま しく、特に二環であるのが好ましい。 「アルキルJの用語は、単独であるいは他の基と組み合わせて使われる場合、 1〜6個の炭素原子を含有する炭素鎖を意味する。これは、直鎖でも分岐鎖でも よく、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、scc− ブチル、イソブチル、t−ブチル、n−ペンチル、アミル、ヘキシルなどの基を 含む。好ましいアルキル基は1〜3個の炭素原子を含み、最も好ましくはメチル である。 ここで用いる「アリール」の用語は、単独であるいは他の基と組み合わせて用 いられ、6〜10個の環炭素原子および合計15個までの炭素原子を含有する芳香族 環系を意昧する。これは、フエニル、α−ナフチル、β−ナフチル等の基を含む 。 アラルキル基は、アルキレンの橋かけを介して主鎖に結合されるアリール基で ある。このような基にはペンジル、フエネチル等がある。 アルキルカルボニルは、カルボニルを介して主鎖に結合されるアルキル基を意 昧する。同様に、アリールカルボニルはカルボニル基を介して主鎖に結合される アリール基をいう。 本明細書で用いる「電子供与性基」は、分子中で同じ位置を占めたときに、水 素よりも電子を放出、即ち供与する基を指す。J.March,Advanced Oraganic Ch emisty, 3版,John Wiley & Sons,238頁(1985)参照のこと。これらの種類の 基は当分野でよく知られている。例示すると、低級アルキルアミノ、ジ低級アル キルアミノ、アミノ、ハロ、アリール、低級アルコキシ、低級アラルコキシ、ア リールオキシ、メルカプト、低級アルキルチオ等がある。好ましい電子供与性基 はアミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級アルキルアミノおよびジ低級アル キルアミノである。 本明細書で定義する「電子求引性基」の用語は、分子中で同じ位置を占めたと きに、水素原子よりも電子をそれ自身に求引する基を指す。J,March, Advance dOraganic Chemistry, 3版,John Wiley & Sons,17頁(1985)参照のこと、こ れらにはニトロ、モノハロアルキル、ジハロアルキル、トリハロアルキル(例え ばCF3)、ハロ、ホルミル、低級アルカノイル、低級アルキルスルホニル、低 級アルキルスルフィニル等の基がある。 正に荷電した電子求引性基は、正の電荷を有し、N−ヒドロキシド(N−O) へ安定な結合を形成する電子求引性基である。これらの種類の基は当分野でよく 知られている。具体例としてはウロニウム基、 立に水素または低級アルキル、低級アルコキシ低級アルキルであるか、あるいは R10とR12が、それらが結合している原子と一緒になって6個までの環原子およ び合計5個までの環炭素原子を含む環を形成するか、あるいはR12とR11がそれ らが結合している窒素原子と一緒になって合計5個までの環炭素原子を含む5ま たは6員環ヘテロ環を形成してもよい。R10とR11、R12とR11は両者とも存在 する場合同じであるのが好ましい。R10、R11、R12およびR13が存在する場合 、同じであるのが特に好ましい。 好ましい環状ウロニウムおよびイミノ基はそれぞれ下記式を有する。 式中、R11とR12は前記と同じであり、nは0または1である。 上記式において、R10、R11、R12およびR13の好ましい価は、メチル、エチ ル.n−ブチル、ペンチルおよび−CH2CH2−O−CH2CH3である。R11と R12が同じであるのが好ましい。 R12とR13の好ましい価は低級アルキル、特にメチルである。R12とR11の両 者が同じであるのが好ましい。さらに、両方ともメチルであるのが好ましい。 R12とR13が一緒になって環を形成する場合、下記式の複素環部分を形成して もよい: 式中、U=CH2、OまたはN−Alkであり、Alkは低級アルキル、特にメ チルである。 R7とR8は水素または低級アルキルであるのが好ましく、最も好ましくは水素 である。 Yの好ましい価はS、O、NR4またはCR45であり、ここでR4とR5は独 立に水素またはメチルである、特に好ましいYの価はO、CH2またはNHであ る。 XはCR67またはNR6であるのが好ましい。R6とR7の好ましい価は水素 または低級アルキルである。R6とR7が一緒になってオキソ基を形成する場合、 XはC=Oとなる。XがC=O、CH2またはNHまたはN(CH3)であるのが 最も好ましい。しかし、nが0である場合は、R4とR6は一緒になってXとYの 間の結合、即ちXの環炭素原子とYの環炭素原子との間の結合、Xの環窒素原子 とYの環窒素原子との間の結合、Xの環窒素原子とYの環炭素原子の間の結合、 あるいはXの環炭素原子とYの環窒素原子の間の結合を形成してもよい。即ち、 この場合、式Iの化合物は以下の通りである。 式中R1、R2、Y、XおよびR3は前記と同じ意味である。このような場合、Y がCHまたはNで、XがCHまたはNであるのが好ましい。YとXがNであるの が最も好ましい。 nが1の場合、式Iの化合物は以下の通りである。 式中、Q、R1、R2、Y、R8、R9、XおよびR3は前記の通りである。R8とR9 が水素であるのが好ましい。 前述したように、nが1の場合、R4とR8は一緒になってQとYと間の結合を 形成してもよい、即ちR4の環炭素原子とR8の環炭素原子が結合を形成するか、 R4の環炭素原子とR8の環窒素原子が結合を形成するか、R4の環窒素原子とR8 の環炭素原子が結合を形成するか、あるいはR4の環窒素原子とR8の環窒素原子 が結合を形成してもよい。即ち、このような場合、式は以下のようになる。 この式中のYの好ましい価は、S、O、CH2、N−HまたはN−(CH3)で ある。これらの場合YはS、OまたはN(CH3)であるのが最も好ましい。 この式中、Xの好ましい価はC=O、NHまたはCH2である。 Qの好ましい価はCH2またはNHである。しかし、上記化合物は次式を有す 式中QはCR9またはNである。 R9は水素または低級アルキルであり、R1、R2、X、OR3は前記の通り 式Iの化合物は次式を有するのも好ましい。 式中R1、R2、R3、YおよびXは前記の通りである。 式Iの好ましい化合物は次式を有する: またはそのオキシド。 式中Q、Y、X、R3、n、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR14は前記の 通りであり、 AはNまたはCR15; CはCR16またはN; EはCR17またはN; GはCR18またはN;そして R15、R16、R17およびR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 供与性基であるか、R16とR17が一緒になってアリール環を形成するが、但しA 、D、E、Gの少なくとも1つはNである。 A、D、E、Gの中の2個以下がNであるのが好ましい。A、D、E、Gの中 の1個のみがNであるのが最も好ましい。さらに、R15、R16、R17またはR18 は水素または本明細書で規定する電子供与性基であるのが好ましい。好ましい電 子供与性基は低級ジアルキルアミノ、特にN,N−ジメチル−アミノおよび低級 アルコキシ、例えばメトキシである。 式IIの好ましい化合物は以下の式を有する化合物またはそのN−オキシドであ る: 式中、Y、X、n、QおよびR3は前記の通りであり、R15とR17は独立に低級 アルキルであり、より好ましくは水素または電子供与性基である。 式III〜VIの化合物の中で最も好ましい化合物は式IIIaを有する化合物または そのN−オキシドである。 式中、Q、Y、XおよびR3は前記の通りであり、R15とR17は低級アルキルま たは水素または電子求引性基である。 式Iの好ましい化合物はまた、以下の式を有する化合物またはそのN−オキシ ドでもよい。 式中、R8、R9、n、Q、D、E、XおよびYは前記の通りであり、JはNR15 、O、CR1519またはS(O)pであり、pは0、1、2である。 R15は前記の通りであり、R19は水素または低級アルキルである。R19は水素 であるのが好ましくは、R15の好ましい価は電子供与性基または水素である。 Jの好ましい価はOまたはS(O)pであり、pの好ましい値は1である。 式中VIIの好ましい化合物は次式を有する化合物またはそのN−オキシドであ る: 式中J、Y、R8、R9、nおよびR3は前記の通りであり、XはC=Oである。 前に例示した化合物VII、VIIIまたはVIIaにおいて、D、EまたはJの少なく とも1つがヘテロ原子であるのが好ましい。さらに、J、EおよびDの中の2つ までがヘテロ原子であるのが最も好ましい。J、EおよびDの中の1つのみがヘ テロ 原子であるのが最も好ましい。 このように本発明は次式の化合物またはそのN−オキシドを含む: 式中、A、D、E、G、Y、X、R3およびJは前記の通りである。 さらに、本発明は以下式の化合物またはそのN−オキシドの使用を含む。 上記式において、環がY=Xを含むとき、これはYのR4とXのR6が一緒にな ってYの環原子とXの環原子の間に環結合を形成し、上記したように、Yの環原 子とXの環原子の間に二重結合を生じることを意昧する。さらに上記式において 環がY=N1を含む場合、YのR4とQのNR8のR8が一緒になって環結合を形成 し、窒素環原子とY原子間に二重結合を生じる。このようにこれらの場合にはY がCR5またはNである。 式Iの化合物の好ましい具体例には次の化合物またはそのN−オキシドがある 。 10とR12は独立にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルCH2CH2O −CH2CH3であり、R15はMe、Et、i−Pr、iPr2NまたはCMe3、 JはOまたはS(O)p、そしてpは0、1または2である。 もちろん、本発明にはここで記載した式の種々の組み合わせと変更も含まれる 。さらに、上記全要素より少ない場合も含むマーカッシュグループおよびその種 々の変更もまた本発明では意図している。 本明細書で記載したように、上記化合物はペプチド連結、即ち第1のアミノ酸 または第1のペプチドの遊離アミノ基と、第2のアミノ酸または第2のペプチド の遊離カルボキシル基またはアシル化用の基との間の反応を促進するのに有用で ある。本発明の方法は一般的であり、ジペプチドとアミノ酸、トリペプチドとア ミノ酸、テトラペプチドとアミノ酸、ジペプチド、ペンタペプチド、より高次の ペプチド、ポリペプチドなどの連結を行うのに使用できる。 式Iの化合物がアミノ化合物、例えば式BLK−AA2のアミノ封鎖アミノ酸 または蛋白質と反応する場合、次式の対応するアミノ酸エステルが生成する。即 ち、 式中、AA1はここで定義するアミノ酸または蛋白質、BLK1はここで定義する 封鎖(ブロッキング)基であり、Y、Q、n、X、R1およびR2は前記の通りで ある。このアミノ酸エステルは次いで、遊離アミノ基、例えばアリールアミ ノ、アルキルアミノ、低級アリールアミノ等を有する化合物、R2122NH(式 中R21とR22は独立に水素、低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキ ルである)と反応して次式の化合物を形成することができる。 当業者に既知の技術により封鎖基を除去すると、次の生成物が得られる: AA1NR2122 この方法は、第2のアミノ化合物が、AA2で示される、遊離アミノ基を有す るアミノ酸またはペプチドである場合に非常に有用である。この場合ペプチドは AA1とAA2の間に形成され、例えば 式中AA1、AA2、BLK1、R1、R、Y、Q、nおよびXは前記の通りである 。 ほとんどのペプチド連結反応について、EDCやDCCのような脱水剤を存在 させうる。 封鎖基はここに記載するいずれの封鎖基でもよいが、好ましい封鎖基はFMO C、BOC、ベンジルオキシカルボニル、BSMOCおよびBspocである。 本明細書で用いる「アミノ酸J、即ちAA、AA1またはAA2は塩基性アミノ 基(NH2)および酸性カルボキシル基(COOH)の両方を有する有機酸であ る。従って、この分子は両性であり、双極子イオンとして水溶液中に存在する( “The Condensod Chemical Dictionary”,10版,Gessner G.Hawley,Van Nost rand Reinhold Company 編、英国ロンドン、48頁(1981)参照。好ましいアミノ 酸はα−アミノ酸である。これらは蛋白質の成分として確立された25種のアミ ノ酸を含むが、これらに限定されない。これらは少なくとも1つのカルボキシル 基と1つの第1または第2アミノ基をアミノ酸分子中に含まなければならない。 この用語はアラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、ノルロイシン、プロリ ン、ヒドロキシプロリン、フエニルアラニン、トリプトファン、アミノイソ酪酸 、メチオニン、グリシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、グルタ ミン酸、リシン、ヒドロキシリシン、オルニチン、アルギニン、ヒスチジン、ペ ニシルアミン、ナフチルアミン、α−フェニルグリシン等の蛋白質を構成するア ミノ酸を含む。 本明細書で用いる「ペプチド」の用語は、アミド結合で化学的に結合されたア ミノ酸単位からなる種類の化合物をいう。ペプチドは、2個のアミノ酸残基を含 むものでも、アミノ酸残基のポリマー(ポリペプチド)を含んでもよい。 ここで用いる「アミノ酸」および「ペプチド」の用語は、それぞれ封鎖(保護 )基を含有するアミノ酸およびペプチドも含む。これらの保護「基」は、望まな い副反応を防止するために、連結には含まれない、即ち関係しないアミノ酸また はペプチド中のアミノ基またはカルボキシル基を封鎖する。これらの保護基はま た、側鎖上の反応性基を保護する。 多くのアミノ基封鎖剤が当分野では知られており、ペプチドの合成に利用され てきた。これらの封鎖基は米国特許第3,835,175、4,508,657、3,839,396、4,581 ,167、4.394,519、4,460,501および4,108,846に説明されており、これらの内容 は参考文献として含まれる。その他の保護基は米国特許出願第364,662号に記載 され、その内容もまた参考文献として含まれる。その他のアミノ保護基は、THE PEPTIDES,vol 2,E.Gross & J.Meienhoffer編,Acedemic Press,N.Y..N.Y. 100-118 (1980)おけるG.BaranyとR.B.Merrifieldによる「固相ペプチド合 成」と題した論文中、およびT.W.Green,John Wiley & Sons,ニューヨーク、「 有機合成における保護基」と題する本に記載され、これらのすべての内容は参考 文献として含まれている。 ここで用いる、アミノ酸保護基(BLK,BLK1)の用語は当分野で既知で あり、アミノ酸のアミノ基(NH2)を封鎖するために利用されてきた封鎖基を いう。9−低級アルキル−9−フルオレニルオキシカルボニル、2−クロロ−1 −インダニルメトキシ−カルボニル(CLIMOC)およびベンズ〔f〕インデ ン−3−メチルオキシカルボニル(BIOMOC)およびdbd−TMOCのよ うな封鎖基は上記で言及した米国特許第3,835,175、4,508,657、3,839,396、4,5 81,167、4,394,519、4,460,501および4,108,846に説明されている。さらに、2 −(t−ブチルスルホニル)−2−プロペニルオキシカルボニル(Bspoc) やベンゾチオフェンスルホン−2−メトキシカルボニル(Bsmoc)のうよう なその他のアミノ保護基は同時係属出願の米国特許出願第364,662号に述べられ 、その内容は参考文献としてここに含まれる。他のN−アミノ保護基にはt−ブ チルオキシカルボニル(BOC)、t−アミロキシ−カルボニル(Aoc)、β −トリメチルシリル−エチルオキシカルボニル(TEOC)、アダマンチルオキ シカルボニル(Adoc)、1−メチル−シクロブチルオキシカルボニル(Mc b)、2−〔p−ビフェニルイル)プロピル−2−オキシカルボニル(Bpoc )、2−(p−フェニルアゾフェニル)プロピル−2−オキシカルボニル(Az oc)、2,2−ジメチル−3,5−ジメチルオキシベンジル−オキシカルボニ ル(Ddz)、2−フェニルプロピル−2−オキシカルボニル(Poc)、ペン ジルオキシカルボニル(Cbz)、p−トルエンスルホニルアミノカルボニル( Tac)、o−ニトロフェニルスルフェニル(Nps)、ジチアスクシノイル( Dts)、フタロイル、ピペリジン−オキシカルボニル、ホルミル、トリフルオ ロアセチル等の基がある。こられの保護基は4つの範疇に分けられる。 1)FMOCなどの塩基不安定Nα−アミノ酸保護基。 2)酸により除去される保護基、例えばBoc,TEOC,Aoc、Adoc 、Mcb、Bpoc、Azoc、Ddz、Poc、Cbz、2−フランメチルオ キシカルボニル(Foc)、p−メトキシベンジルオキシカルボニル(Moz) 、Npsなど。 3)Dtz、Cbzなどの、水素化により除去される保護基。 4)求核性物質により除去され保護基、例えばBspoc、Bsmocおよび Npsなど。 5)カルボン酸から誘導される保護基、例えば、ホルミル、アセチル、トリフ ルオロアセチルなど、これらは酸、塩基または求核性物質により除去される。 当分野で既知の種々のカルボキシル保護基を用いることができる。これらの可 能な基の多くの例は、T.W. Green, John Wiley & Sons, 1981「有機合成におけ る保護基」に見いだされ、この内容は参考文献として含まれる。これらの例には メチルエステル、t−ブチルエステル、β−トリメチルシリルエチルエステル、 ベンジルエステル等の基がある。 さらに、蛋白質合成の過程の間、望まない副作用を防止するためアミノ酸の側 鎖を保護することが必要であるかもしれない。種々の保護基が、同時係属米国特 許出願第426,121号−この内容は参考文献としてここに含まれる−に説明されて いる。 「アミノ酸またはペプチドのアシル化基(acylating group)」の用語は、ア シル化反応、即ちアシル炭素における求核的置換を容易にする、アミノ酸または ペプチドの遊離カルボキシ末端上の基を意味する。これらの例には、遊離酸、酸 ハライド、エステル類(例えば低級アルキルエステル類、非置換あるいはここで 定義した1〜5の電子求引性基で置換されていてもよいフェノキシエステル類) または無水物等ある。好ましいアシル化誘導体は酸、酸ハロゲン化物 特に酸塩 化物もしくはふっ化物)およびフェノキシエステルである。 好ましいアシル化用アミノ酸(acy1ating amino acid)は、次式のアミノ酸基 である。 但しR20は独立にハロ、低級アルキル、ニトロ、シアノまたはその他の電子求引 性基であり、nは0〜5である。nが0の場合、フエノキシエステルは非置換で ある。 最も好ましいアミノ酸のアシル化基はアミノ酸塩化物またはふっ化物である。 アシル化誘導体としてのアミノ酸塩化物の調製および使用は、J. Org.Chem.,1 986,51,3734-3736におけるCarpinoらの論文に説明され、この論文の内容は参 考 文献としてここに含まれる。簡単にいうと、アミノ酸塩化物はアミノ酸を塩化チ オニルと反応させ、CH2Cl2−ヘキサンのような再結晶化試薬から生成物を再 結晶させることにより製造できる。 ペプチド合成におけるアミノ酸ふっ化物の調製と使用は、同時係属米国特許出 願第426,121号−この内容は参考文献として含まれる−に説明されている。そこ に記載されているように、アミノ酸ふっ化物は、N−保護アミノ酸とふっ化シア ヌリルとを反応させることにより製造できる。この反応は0℃のような低い温度 で、および溶剤の還流温度までの温度で行いうるが、反応を室温で行うのが好ま しい。反応はピリジン/CH2Cl2などの不活性溶剤中でも行うことができる。 ふっ化シアヌリルはふっ化カリウムの存在下、150℃〜250℃の範囲の高温で対応 する塩化物から次式のようにして製造できる。 当分野で既知のその他のふっ素化試薬−例えばふっ化チオニル、2,4,6− トリニトロフルオロベンゼン、N−メチル−2−フルオロピリジニウム塩等−を KFの代わりに用いてふっ化シアリルを生成させてもよい。 本発明によるペプチドの典型的製造法には次の工程が含まれる。 1)アミノ酸またはペプチドが固体担体に結合されない場合は、第1のアミノ酸 または第1のペプチドにおいて遊離カルボキシル基を保護する。 2)第2のアミノ酸またはペプチドの遊離アミノ基の保護。 3)必要に応じ、側鎖の保護。 4)式Iの化合物の存在下での第1のアミノ酸またはペプチドと第2のアミノ酸 またはペプチドとの連結。 5)保護基の除去。 工程1〜3の操作は任意の順で行えばよい。 連結工程において、式1の化合物は有効量存在すべきである。通當、第1のア ミノ酸またはペプチドは、第2のアミノ酸またはペプチドのおよそ等モル量存在 するが、前者と後者のモル比が1:3〜3:1の範囲内であれば反応は生じる。 さらに、使用される式Iを有する化合物の量は、最少量で存在する(即ち限界試 薬)ペプチドまたはアミノ酸の量による。このように、最小のモル量で存在する アミノ酸またはペプチドに対して、式Iの化合物とアミノ酸またはペプチドのモ ル比は1:3〜3:1の範囲内であるが、およそ等モル量の式Iの化合物、第1 のアミノ酸またはペプチドおよび第2のアミノ酸またはペプチドを用いるのが好 ましい。 上記した連結反応は、DCC(ジシクロヘキシルカルボジイミド)またはED C(N−エチル−N’−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩 )などの脱水剤がさらに存在する条件下で行ってもよい。連結反応は通常、ジメ チルホルムアミド(DMF)やエーテル類(例えばエチルエーテル、THFまた はジオキサン)のような不活性有機溶剤中で生じる。事実、DMFはその好まし い溶媒和の性質のために、固相合成においで好ましい溶媒である。反応は、通常 約0℃〜約30℃の範囲の穏やかな条件下で生じる。ペプチドが生成した後、封鎖 基を当業者に既知の方法で除去する。 以下の一連の式は連結反応を説明するものである;操作はアミノ酸および/ま たはペプチドに共通だが以下の例においてはアミノ酸(AA)を用いる。 上記系においてBLKはアミノ酸封鎖基であり、AA1、AA2およびAA3は それぞれ第1、第2および第3のアミノ酸であり、Pはカルボキシ保護基である 。 上記系で示されるように、N−αアミノ保護アミノ酸をカルボキシル基が保護 された第2のアミノ酸と反応させる。 第1のアミノ酸と第2のアミノ酸の間にペプチドが形成される。ペプチド鎖は 当業者に既知の方法によりアルファアミノ保護基を除去し、次いで式Iの化合物 の存在下で対応するジペプチドを別のN−αアミノ保護アミノ酸と反応させるこ とにより伸長させ対応するトリペプチドを形成することができる。トリペプチド のN−αアミノ保護基を除去し、所望のペプチドが得られるまで上記サイクルを 繰り返す。 本発明は固相ペプチド合成において容易に利用できる。固相ペプチド合成は、 固体担体または固相ペプチド樹脂の一端に付着させておき、ペプチド鎖を逐次組 み立てることに基づく。当分野では一般に2つの方法がよく知られている。 1つはメリフィールド法であり、アミノ酸またはペプチド残基の付着に固体担 体を用いるもののである。この方法は分子のアシル(酸)末端で固体担体に結合 しているアミノ酸またはペプチド残基に加える基礎単としてN−保護アミノ酸を 用いる。ペプチド結合が形成された後、保護基を除去、サイクルを繰り返す。所 望の配列を有するペプチドが合成されると、次に担体からそれを除去する。 第2の方法、逆メリフィールド法は、一連のカラムにおいて固体担体に結合し た試薬を用いる。アミノ酸またはペプチド残基をこれらの一連のカラムを通過さ せ、望ましいアミノ酸配列を形成させる。 これらの方法は当分野ではよく知られ、米国特許第4,108,846、3,839,396、3, 835,175、4,508,657、4,623,484、4,575,541、4,581,167、4,394,519またAdvanc es in Enzvmology32,221 (1969)およびPEPTIDES,vol.2,Erhard Gross a nd Johannes Meinhoffer編、Academic Press,ニューヨーク、3-255頁(1980) に開示され、これらの内容はすべて本明細書に示されているのと同じように参考 文献として含まれる。 限定はされないが、式1の化合物の効果は隣接基効果によると考えられる。よ り具体的には、N−ヒドロキシ基(N−O)の大きい求核性は、隣接縮合環上の ヘテロ原子の隣接基効果により高まるかもしれない。例えば、HOAt、1−ヒ ドロキシ−7−アゾペンゾトリアゾールにおいては、N−ヒドロキシ基の大きい 求核性はピリジン窒素原子の隣接基効果により高まるかもしれない。 式Iの化合物は当分野で周知の方法で製造することができる。次の例は典型的 なものである: 次式の化合物は、 ヒドラジンをそれぞれ以下の化合物と反応させることにより製造できる。 式中R’はハロゲン、NH−NH2またはOR”である。 R”はメチルのような低級アルキルである。この反応は70〜100℃のようなや や高い温度で行うが、室温から溶媒の沸点までの温度であれば反応を行うことが できる。 反応は通常、室温では反応物質が不溶性であるが、やや高い温度では反応物質 および生成物が可溶性となるような有機溶媒中で行う。溶媒の例にはエタノール 、DMF等がある。多くの場合、反応混合液中では生成物の形成を示す色の変化 がある。溶媒の除去とその後の酸性化のような操作により所望の生成物が得られ る。 1および2のヒドラジノ誘導体(R’=NH−NH2)は対応するハロゲン化 物(例えば塩化物や臭化物)をヒドラジンと、置換反応条件下で反応させること により製造できる。1および2のエーテル誘導体(R’=OR”)は、対応する アルコールをMe2SO4/Na2CO3のようなアルキル化剤とエーテル形成条件 下で反応させることにより製造できる。 R3が水素である式中Iの化合物は、またR3が水素以外である化合物を製造す るのにも有用である。これら後者の化合物は当分野で周知の技術によっても製造 できる。例えば、以下に示すように、R3がOHである式Iの化合物を置換条 件下でR3Lと反応させる。 上記の系においてQ、R1、R2、Y、X、R8、R9、nおよびR3は前述の通 りであり、Lはハロ(例えばクロロまたはブロモ)のような離脱基である。不活 性極性有機溶媒中で反応を行い、反応物質は室温でそれに可溶性であるのが好ま しい。また、生成物は室温で溶媒に不活性であるのが好ましい。溶媒の例にはク ロロホルム、四塩化炭素、エチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランお よび二塩化メチレンなどがある。反応は、溶媒の融点から還流温度までの範囲の 有効温度で行うことができるが、室温または溶媒の還流温度以下のやや高温で行 うのが望ましい。特に望ましいのは、反応を室温または60℃以下のようなやや高 い温度で行うことである。 ヘテロアリール基中に窒素環ヘテロ原子を有する式中Iの化合物からN−オキ シドが製造できる。これらのN−オキシドは過酢酸やm−クロロ過安息香酸のよ うな過酸での酸化により当分野で周知の方法で製造する。 以下の実施例は本発明をさらに説明するものである。 実施例1 1−ヒドロキシ−7−アザ−ベンゾトリアゾール 2−ニトロ−3−メトキシピリジン13.58 gに95%ヒドラジン26.4ml、水10.4 mlおよびDMF15.3mlを加えた。混合物をホットプレート上で約70℃に注意深く 温めた。次いで自発的に発熱し始め、固体が溶解するにつれ温度が約80℃まで上 昇した。溶液を24時間静置し、次にアスピレーターにより水浴から蒸発させて、 過剰なヒドラジンと水を除去した。暗緑色の残渣を氷浴中で冷却し、水50mlで希 釈し、濃塩酸(ca.17ml)でコンゴーレッドまで酸性化した。分離した淡黄色 の固体を濾過し、少量の冷水で洗浄して、6.25g(52.1%)のHOAtを得た。 水75mlから再結晶させて、ほとんど無色の結晶5.46g(45.5%)を得た。 濾液の蒸発により、さらに0.14gの純粋なヒドロキシ化合物を得て、合計収量は 5.6g(46.7%)となった。 実施例2 2−(7−アザベンゾトリアゾリル−1−オキシ)−1,1,3,3− テトラメチルウロニウム六フッ化リン酸塩 2−クロロ−1,1,3,3−テトラメチルウロニウム六フッ化リン酸塩0.88gの二 塩化メチレン30ml中への懸濁液へ、0.43gのHOAt、次いで0.44mlのEt3N を添加した。透明溶液が生成し、次いで粒状の固体が沈殿した。室温で30分攪拌 した後、固体を濾別し、二塩化メチレン10mlずつで2回洗浄し、空気中で乾燥す ると、0.79g(66.4%)のウロニウム塩が得られた。室温で、5mlのアセトニト リル溶液から再結晶させることより、多少の不溶性結晶性固体を除去し、瀘液を CH2Cl2で希釈して合計量25mlとすると、0.51g(44.6%)の純粋なウロニウ ム塩が明白色の結晶として得られた。180℃溶融物で暗色化、190−194’で分 101566OPとしての計算値:C,31.58、A,3.97,N,22.09 測定値: :C,31.47、A,3.94,N,22.12 実施例3 1−ヒドロキシ−4−アザ−ベンゾトリアゾール 2−クロロ−3−ニトロピリジン14.3gの無水エタノール90ml中の懸濁液へ、 2〜3分かけて攪拌しながら95%ヒドラジン18mlをゆつくり添加した。自然に発 熱するにつれ新しい固体がクロロ化合物の代わりに生じた。室温で20分後に,濾 過およびエタノールでの洗浄を行うと、15gの2−ヒドラジノ−3−ニトロピリ ジンが淡黄色の固体として得られた。無水エタノール24mlに懸濁した粗ヒドラジ ン4gへ、95%ヒドラジン16mlを加え、固体が溶解して深赤色の溶液となり,自 発的反応が発泡しながら生じるまで、混合物をホットプレート上で温めた。混合 物を熱源から離し、反応を進めた。5分後、混合物を沸点まで再び加熱して、5 分間ホットプレートから離した。混合物をこの方法でさらに2回処理すると、そ の後濃い着色溶液は色が薄くなった(赤みがかった黄色)。この溶液を温浴中で アスピレーターを用いて蒸発させると、褐色の油状物質となり、これを12mlの水 に溶かし、濃HClで酸性化(コンゴーレッド)した。水(Norite)から 再結晶させると、1.10g(31%)のヒドロキシトリアゾールが黄色結晶、mp203- 211゜dec.として得られた 実施例4 7−アザベンゾトリアゾリル−1−オキシ−トリスピロリジン− ホスホニウム六フッ化リン酸塩 トリス−ピロリジノホスフィン(〜0.05モル)のテトラヒドロフラン溶液へ、 HOAt(〜0.05モル)、トリエチルアミン(〜0.05モル)および四塩化炭素( 〜0.1モル)を加える。約−30゜で攪拌後、六フッ化リン酸カリウム(〜0.1モ ル)水溶液を添加し、上記生成物を生成させる。あるいはトリスピロリドンホス フィンオキシドとオキシ塩化リンとの等モル混合物を、上記操作におけるトリス ピロリジノホスフィンと四塩化炭素の代わりに用いて、上記化合物を得ること もできた。 実施例5 1−ヒドロキシ−4−メトキシ−7−アザベンゾトリアゾール 上記化合物を実施例1に記載の操作に従って、3,4−ジメトキシ−2−ニト ロピリジンおよびヒドラジンから製造する。 あるいは4−メトキシ−3−ハロ−2−ニトロピリジン(ここでハロはクロロ 、ブロモまたはフルオロである)を上記のようにヒドラジンと反応させ、上記化 合物を得てもよい。 実施例6 4−N,N−ジメチルアミノ−1−ヒドロキシ− 7−アザベンゾトリアゾール 上記化合物を実施例1に記載の操作に従って、4−N,N−ジメチルアミノ− 3−メトキシ−2−ニトロピリジンとヒドラジンとを反応させることにより製造 する。 あるいは実施例1に記載の操作に従って、4−N,N−ジメチルアミノ−3− ハロ−2−ニトロピリジンとヒドラジンとを反応させることにより上記化合物を 得る。 実施例7 1−ヒドロキシ−6−アザベンゾトリアゾール 実施例1に記載の操作に従って、3−ニトロ−4−メトキシピリジンをヒドラ ジンと反応させることにより上記化合物を製造する。 あるいは3−ニトロ−4−ハロピリジン(ここでハロはクロロ、フルオロまた はブロモである)をヒドラジンと反応させて上記化合物を得てもよい。 実施例8 1−ヒドロキシ−5−アザベンゾトリアゾール 実施例1に記載の操作に従って、3−メトキシ−4−ニトロピリジンあるいは 3−ハロ−4−ニトロピリジン(ここでハロはクロロ、ブロモまたはフルオロで ある)とヒドラジンとを反応させることにより表題の化合物を製造する。 実施例9 1−ヒドロキシ−7−アザ−1H−インダゾール Na2CO3・10H2O(7.3 m mol)のH2O(10ml)溶液を激しく攪拌しなが らほぼ室温またはやや高い温度において、2−ニトロ−3−メトキシピリジン( 4.25 m mol)溶液と相転換触媒としての臭化テトラブチルアンモニウム(10.06 m mol)の塩化メチレン(〜20ml)溶液を用いて乳化する。2−フエニル−5(4 H)-オキサゾロン(〜60m mol)を1時間の間に数回に分けて添加する。層を分 離し、水相をCH2Cl2で洗浄する。有機溶液を合わせ、Na2SO4で乾燥し、 減圧下で蒸発させる。残渣をシリカゲル中でのクロマトグラフイーにかけ、石油 エーテルからはじめ塩化メチレンを除々に添加する。再結晶化後、複合体を、触 媒量のp−トルエンスルホン酸を加えた還流メタノール中に入れる。試料を一晩 還流する。冷却および溶媒の蒸発後、上記生成物を単離する。 実施例10 1−ヒドロキシ−7−アザベンゾ−1H−イミダゾール 2−ニトロ−3−ホルムアミドピリジンのエーテル温溶液へ、alc.(NH42Sを加え、上記化合物を得る。 実施例11 1−ヒドロキシ−1−H−ピロロ(2,3−b〕ピリジン Svntheis 1983,537-38に記載の方法を用いて上記生成物を製造する。 テトラヒドロフラン中のポリ−4−ビニルピリジン混合物を共沸蒸留により乾 燥する。1−H−ピロロ〔2,3−b〕ピリジンを導入し、次いで過酸化ジベン ゾイルのテトラヒドロフラン溶液を1滴ずつ加える。室温で24時間後、混合物を 数時間還流下で加熱する。冷却した混合液を濾過し、ポリマーをジクロロメタン で洗浄する。合わせた有機相を減圧下で蒸発させ、残渣を残し、これをCH2C l2で希釈し、10%Na2CO3溶液で洗浄する。有機相を硫酸マグネシウムで乾 燥し、濃縮し.再結晶して固体を得て、これをエーテルに溶かす。固体を含有す るエーテル溶液へ、カリウムメトキシドのメタノール溶液を加える。混合物を室 温で少なくとも24時間攪拌を続け、次いで減圧下で濃縮し、残留した白色ペース トを、水とエーテルの間で分配処理する。有機相を分離し、5%HClを加え、 生成し た沈殿を分離し、エーテルで洗浄する。固体を5%の炭酸ナトリウム溶液に溶か し、新しいエーテルで抽出する。乾燥およびエーテル層の濃縮により上記化合物 を得る。 実施例12 実施例11に記載の操作を用い、出発アミンとして を用い、上記化合物を製造することができる。 実施例13 3−ヒドロキシ−2−ニトロピリジンを水酸化カリウムで処理して、次にその 生成物をウィリアムソン(Williamson)エーテル条件下で2−ブロモ酢酸エチル と反応させ、以下を生成させ、 次いでこれを硫化アンモニウムまたはNaBH4/Pd−Cと反応させ、上記化 合物を得る。 実施例14 1−ヒドロキシ−2−オキソ−2,3−ジヒドロ−7−アザインドール 2−ニトロ−3−メトキシピリジンのテトラヒドロフランの温溶液をt−ブチ ルエチルマロネートと反応させた。次いで得られた生成物を、濃塩酸によって酸 性化し、加熱して脱炭酸して3−(3−〔2−ニトロピリジル〕)−プロパン酸 エチルを生成させる。このプロパン酸エステルを木炭上のパラジウムまたは硫化 アンモニウム上で水素化ホウ素ナトリウムと反応させ、上記化合物を得る。 実施例15 3−ヒドロキシ−2−ニトロピリジンを水酸化カリウムで処理して、次にその 生成物をウィリアムソン(Williamson)エーテル条件下で2−ブロモ酢酸エチル と反応させ、以下を生成させ、 次いでこれを硫化アンモニウム次のNaBH4/Pd−Cと反応させ、上記化合 物を得る。 実施例16 実施例15の操作を用い、3−ヒドロキシ−2−ニトロピリジンに代え、3−メ ルカプト−2−ニトロピリジンを用い、上記化合物を製造する。 実施例17 3−ヒドロキシ−2−ニトロピリジンに代え、3−メチルアミノ−2−ニトロ ピリジンを用い、実施例15の操作を用い、上記化合物を製造する。 実施例18 1−ヒドロキシ−4−t−ブチル−7−アザベンゾトリアゾール 実施例1に記載の操作に従い、2−ニトロ−3−メトキシ−4−t−ブチルピ リジンをヒドラジンと反応させることにより上記化合物を製造する。 実施例19 実施例1の操作に従って、2−ニトロ−3−メトキシフランをヒドラジンと反 応させることにより表題の化合物を製造する。 実施例20 実施例18に記載の操作を用いて、実施例18のピリジン化合物に代え3−メトキ シ−2−ニトロ−チオフエンを用いて表題の化合物を製造する。 実施例21 式中、nは1または2である。 上記化合物を、実施例1に記載の操作に従って、 をヒドラジンと結合させることにより製造する。 実施例22 式中、n=0、1または2である。 表題の化合物を、実施例1に記載の操作に従って、ヒドラジンを と反応させることにより製造する。 実施例23 上記化合物を、実施例2に記載の操作に従って、2−クロロ−1、3−ジメチ ルイミダゾリニウム・パーフルオロボレートをHOAtと反応させることにより 製造する。 実施例24 1−フェニルスルホニルオキシ−7−アザベンゾトリアゾール 実施例2に記載の操作に従って、HOAtをフェニルスルホニル・クロリドと 反応させやことにより表題の化合物を得る。 実施例25 ビス−(7−アザベンゾトリアゾリル)カーボネート 2当量のHOAtをホスゲンと反応させること以外は実施例2に記載の操作に 従って、表題の化合物を製造する。 実施例26 ビス(7−アザベンゾトリアゾリル)オキサレート ヘキサフルオロホスフェートの代わりに塩化オキサリルを用い、2当量のHO Atを用いること以外は実施例2に記載の操作に従って、表題の化合物を製造す る。 実施例27 実施例1〜26の化合物のN−オキシドまたはS−オキシド 実施例1〜22の化合物のN−オキシドを、前記各化合物を単純に過酸酸化(例 えば、m−クロロ−過安息香酸)により製造する。 実施例23〜26の化合物のN−オキシドは、まずHOAtをm−クロロ−過安息 香酸と反応させ、次いでHOAtの代わりにHOAtのN−オキシドを用い、実 施例23〜26の操作を行うことにより製造する。。 S−オキシドは、チオフェン誘導体をm−クロロ−過安息香酸のような過酸酸 化と反応させることにより製造する。 実施例28 A.約1当量の化合物10DMFに溶かし、DMF中で水素化ナトリウム(〜1当量)とゆっくり反応させ る。生成物の化合物11が得られ、 これを反応混合物から分離する。次に化合物11を塩化メチレンに溶かし、少し温 めながら過剰のトリフルオロー酢酸を添加し、上記化合物を得る。 B.あるいは、化合物12のエーテルの温溶液へ、 硫化アンモニウムのアルコールを加えて、表題の化合物を得る。 実施例2965CH2OCONHC(CH32COOAt (Z−Aib−OAt) α−アミノイソ酪酸(Aib;0.71g、3m mol)のN−ベンジルオキシカル ボニル誘導体を10mlの乾燥THFに溶かし、この溶液を氷浴中で冷却し、0.411 g(3m mol)のHOAt、次いで0.618gのDCCで処理した。氷浴中で1時間 、室温で2時間の後、20mlのEtOAcを加え、DCUを濾過して除いた。有機 濾液を5%くえん酸、IMのNaHCO3および飽和NaCl(それぞれ2×15 −mlで洗浄し、乾燥し(MgSO4)、そしてロトバップで溶剤を除去し、油状 物を得て、これをエーテルの添加により固化させた。CH2Cl2/ヘキサンから の再結晶により有効なエステルを白色固体として0.78g(73%)得た。 171754としての計算値:C,57.46:H,4.79;N,19.72 測定値:C,57.84:H,4.94;N,19.46 Z−Aib−OAtをアミド形成条件下でp−クロロアニリンと反応させ、ア ミド、Z−Aib−NHC6HCl−pを得た。 実施例30 Z−Phc−OAt Z−フェニルアラニンから出発して、Z−Aib−OAtで行った調製法によ り、エステルを76.5%の収率で白色固体として得た。 221954としての計算値:C,63.31:H,4.56 測定値:C,63.59;H,4.78 実施例31 z−Phg−OAt Z−α−フェニルグリシンから出発して、Z−Aib−OAtで行った調製法 により、有効なエステルを84.2%の収率で泡状固体として得た。 実施例32 HOBt、7−HOAtおよび4−HOAtの O−ベンゾイル誘導体の反応性の比較 1当量のHOXt(ここでXはAまたはB)を1当量の塩化ベンゾイルと1当 量のNEt3(例えば5mlのCH2−Cl2中の68mgの4−HOAt、70mgC65 COCl、50.5mgのNEt3)と反応させることにより3種類のO−ベンゾイル 誘導体を得た。すばやく水洗した後、蒸発により固体を得て、これをトルエン/ ヘキサンから再結晶させて有効なエステルを白色結晶として得た。CDCl30.8 g中の12.9mgのt−オクチルアミンに、3つの別々の容器中で3種類のO−ベン ゾイルエステル12mgを加えた。O−ベンゾイル−7−HOATおよびO−ベ ンゾイル−4−HOAtの場合は2分以内にアシル化が完了し、一方O−ベンゾ イ ル−HOBtでは反応に約1時間要した。より反応性の低い求核性物質(p−ク ロロアニリンなど)を用い、実施例33に記載の連結(カップリング)操作により さらに実験すると、この種類の7−アザエステルは4−アザ類似体の約2倍の反 応性を有することとが分かった。これら両方のエステルは、10−20の要因により HOBtエステルの反応性より大きい。 実施例33 連結試験の一般的操作 保護されたアミノ酸0.37m molの溶液、0.33m molのHOBtまたは式Iの化合 物(例えば、HOAtまたは他の添加剤)、氷浴で冷却した1mlのDMF中の0. 33m molのアミノ酸エステル(または0.33m molの対応する塩酸塩+当量の第3ア ミン)へ、0.37m molのDCCもしくはEDCまたは他の縮合剤を加えた。HO Atを含む反応では、黄色の消失が連結工程の終点を示し、その後ずぐに処理を 行った。その他の添加剤では処理の時間は任意である。処理は10mlのCH2Cl2 、次いで200 mlの水で希釈し、有機層を集め、CH2Cl2の8〜10ml×4〜5で 抽出することであった。抽出物を合わせ、10%HClの10ml×2、水10ml×1お よび0.5MのNaHCO3の10ml×2で洗浄した。乾燥(MgSO4)と溶剤の蒸発 により、保護ペプチドエステルを得て、これを′NMRでジアステレオマー混入 の存在を調べた。いくつかの連結の結果を表1に示す。 実施例34 実施例33に記載の操作に従って、Z−Phe−OAtをDMF中のバリンのメ チルエステルと反応させ、Z−Phe−Valを生成させる。 a:0.37m molの保護アミノ酸またはジペプチド酸、0.33m molのHOAtまたは HOBt、0.33m molのアミノ酸エステル(またはその塩酸塩+1当量の第3ア ミン)を1mlのDMFに溶かした溶液を調製することにより、連結試験を行った 。この混合液を氷浴中で冷却し、0.37m molのDCCまたはEDCで処理した。 ウロニウム塩を含む反応では、0.74m molの第3アミンをHOAtまたはHOB tの代わりに用いた。過剰アミノ成分または第3塩基の不存在下でのHOAt反 応では、黄色の消失が連結工程の完了を示し、その後直ちに処理を行った。他の 場合では処理時間は任意である。一般に、攪拌を氷浴中で1.5〜2時問、次いで 室温において記載の時間続けた。15mlのCH2Cl2と200 mlの水での希釈を行い 、CH2Cl2の10ml×4〜5で抽出を行い、順に10mlの10%HCl(2回)、H2 O(1回)および0.5 MのNaHCO3(2回)で洗浄した。乾燥および溶媒除 去により組ペプチドが得られ、これを1H NMRによりジアステレオマーの混 入の存在を調べた(OMeおよび/またはMe2CH−)。b 略字:PG=保護基、AA1、AA2=アミノ酸またはジペプチド断片、PS =プロトンスポンジ(1,8−ビス(N,N−ジメチルアミノ)−ナフタレン)、 EDC=N−エチル−N’−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩 酸塩、DIEA=ジイソプロピルエチルアミン、NMM=N−メチルモルホリン 、DCC=ジシクロヘキシルカルボジイミド、DCM=ジクロロメタン、Z=ペ ンジルオキシカルボニル、Bz=ベンゾイル、BOC=t−ブチルオキシカルボ ニル。c :反応は特に記載する以外はすべてDMF中で行った。 表1はペプチド連結の促進における本発明化合物の効果を説明する。これは、 HOAtのような代表的例を用いて示されている。さらに、この表はラセミ化の 減少における、HOAtのような本発明化合物の効果を示している。 使用された1つの典型的な系は、蛋白質構成成分ではない反応を示しやすいア ミノ酸、α−フェニルグリシンのウレタン保護誘導体の連結、およびHOBTと 本発明の具体的化合物(例えばHOAt)を添加剤として用いた場合のラセミ化 の程度の比較に関する。例えば、ベンジルオギシカルボニル誘導体を、HOBt および1当量のプロトンスポンジの存在下でバリンメチルエステル塩酸塩で、あ るいはHBTUおよび2当量のOIEAで処理するとDL−ジアステレオマーが 3.7〜3.8%生成する(試験No.2および5)。これは、これらの反応においてH OBtに代えてHOAtを用いることにより1%未満に減少する(試験No.1お よび4)。 断片結合に関与する点でより有望である第2の例では、Z−Phc−Val− OHとアラニンメチルエステルとの反応に関する。この系ではNMMまたはDI EAの存在FでのHOBt−またはHBTU−連結(試験No.7および9)によ りLDL−異性体が3.6〜4.1%生じる。この場合は再び、本発明化合物、例えば HOAtまたはHATUの使用によりラセミ化の程度を1%末満に低下させる( 試験No.6および8)。最後に、ベンゾイルバリンとバリンメチルエステルの非 常に高い反応性の連結は、HOAtが、比較しうるHOB反応でみられるレベル のおよそ1/4または1/2までラセミ化を減らすことを示す(試験No.10-17)。この 系では、HOAtを用いてもジクロロメタンのような非極性溶媒中でのみラセミ 化を検出することなく連結を行うことが可能であった。 本発明の化合物の存在下で促進される反応性の例を以下の例において説明する : この例は、ヒンダートアミノ酸、α−アミノイソ酪酸(Aib)のカップリン グに関する。HOBtの存在下、この反応は24時間後も完了せず(HOBtエス テルの25〜35%が未反応のまま)、一方1HOAtではカツプリングの完了が観 察された。 本発明の化合物はアミンとカルボン酸またはそのアシル化用誘導体とのカップ リング(連結)を促進するのにも有用である。例えばヒンダート第2アミン23と BOC−Pro−OHの反応はHOAtの存在下では3.5時間以内に終わり、一 方、HOBtでは24時間後も完了しないままである。 同様にHOBtまたはHOAtと共にEDCを介したヒンダ−トトランス−アミ ン24のベンゾイル化では、HOBtの場合は約48時間、HOAtでは約5時間し か要しない。 エステル−およびアミド結合形成は、これらの試薬により行うことができる。 この研究では、HOBtおよび触媒量のプロトンスポンジの存在下でのジベプチ ドFMOC−Phg−Phe−OHのメチルエステルの形成は、D,I,−形が 20.5%混入して生じ、一方同じ条件下でのHOAtを用いた場合では7.5%に減 少するが、ラセミ化は除去されないことが分かった。他方、HOAtを用いた場 合は、塩基は必要ではなく、その場合ラセミ化はあまり生じないことが判明した 。HOBt単独での並行した反応では同じ条件下でわずかのエステルが生じるだ けであった。 上記のように、本発明の化合物、例えばHOAtはまた適当な条件下では、連 結反応の完了を示す内蔵インディケーターの効果も発揮する。例えば、HOAt のアニオンは黄色である。 アミノ酸またはペプチドエステルの存在下ではHOAtは濃い黄色のアニオンと なる。連結が進行すると着色は褪色し、完全に消失する。非立体障害性のアミノ 酸残基間の連結では、これはDMF溶液中で15〜20分以内に生じる。一方、添加 剤としてHOBtを使用する現在の処方では、多くは10〜24時間の反応時間であ る。 隣接する縮合環中のヘテロ原子が(N−O)結合に対して隣接基の位置にある 場合、最大の隣接基効果(反応性促進およびラセミ化減少)がみられることは注 目すべきである。例えば、隣接基効果はHOAt、即ち において、1−ヒドロキシ−4−アゾベンゾトリアゾール、即ち においてより大きい。しかし、後者のような場合、反応性は依然促進されるが、 ラセミ化低下はみられない。しかし、促進のみが必要な、例えばラセミ化のおそ れのない逐次固相合成におけるような場合がある。ヘテロ原子がN−O結合につ いて隣接基上にない化合物はこの要求を満たす。 上記好ましい態様と例は、本発明の範囲と思想を説明するために示される。こ れらの態様および例は当業者にとって他の態様および例を明らかにするものであ る。これらのその他の態様はまた、本発明の予測範囲内の例でもある。従って、 本発明は添付の請求の範囲によってのみ制限されるべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI C07D 471/04 120 7602−4C 491/048 7019−4C 495/04 103 9165−4C 513/04 343 9360−4C C07K 1/10 8318−4H

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.アミノ化合物とアシル化用カルボン酸誘導体との間の反応からペプチド結合 を形成する方法であり、該アミノ化合物がアミノ酸またはペプチドであり、該カ ルボン酸がN−末端アミノ保護アミノ酸またはN−末端アミノ保護ペプチドであ る方法において、前記反応へ、有効量の下記式を有する化合物もしくはそのN− オキシド、またはそれらの塩を添加することを含む改良方法であり、 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜13個の環炭素原子を含有する酸素、 イオウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリール環は非置換である かまたは低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が一緒 になってオキソ基を形成するか、n=0の場合はR4とR6が一緒になってXとY の間の結合を形成してもよく、該結合はYの窒素または炭素の環原子とXの窒素 または炭素の環原子との間の結合であり; Qは(CR89)または(NR8)であり; nが1の場合、R4とR5が一緒になって、YとQの間に結合を形成してもよく 、該結合はYの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間の 結合であり; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、SO214、低級アルキルカルボニル、 アリールカルボニル、低級アリールアルキルカルボニルまたは 14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキル; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8がそれ らが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく; mは0または1であり; nは0、1または2であり; qは0〜3である。 2.さらに脱水性アミド連結剤を存在させる請求の範囲第1項記載の方法。 3.脱水剤がDCCまたはEDCである請求の範囲第2項記載の方法。 4.アシル化用カルボン酸誘導体が、 BLK−AA−M であり、 式中、BLKはアミノ保護基であり、AAはアミノ酸であり、MはOH、ハロ、 または 但しR20は独立にハロ、低級アルキル、水素、または電子求引性基であり; nは0〜5である請求の範囲第1項記載の方法。 5.BLKがFmoc、BOC、TEOC、Aoc、Adoc、Bpoc、Az oc、Ddz、Poc、Foc、Moz、Nps、Dts、Cbz、Bspoc 、Bsmoc、Nps、ホルミル、アセチルまたはトリフルオロアセチルである 請求の範囲第4項記載の方法。 6.BLKがCbz、Bspoc、BsmocまたはBOCである請求の範囲第 5項記載の方法。 7.電子求引性基がニトロまたはシアノである請求の範囲第4項記載の方法、 8.電子供与性基が低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、アミノ、低級 アルコキシ、低級アラルコキシ、アリールオキシ、メルカプト、低級アルキルチ オまたは水酸基である請求の範囲第1項記載の方法。 9.電子供与性基がジ低級アルキルアミノまたは低級アルコキシである請求の範 囲第8項記載の方法。 10.電子供与性基がOMeまたはMe2Nである請求の範囲第9項記載の方法。 11.陽イオン性電子求引性基が以下のものである請求の範囲第1項記戦の方法: 式中、R10、R11、R12およびR13は独立に水素または低級アルキル、低級アル コキシ低級アルキルであるか、あるいはR10とR11が、それらが結合している原 子と一緒になって6個までの環原子および合計5個までの環炭素原子を含む環を 形成するか、あるいはR12とR13がそれらが結合している窒素原子と一緒になっ て合計5個までの環炭素原子を含む5または6員環窒素含有ヘテロ環を形成して もよい。 12.陽イオン性電子求引性基が以下のものであり、 式中、R10、R11、R12およびR13は独立に水素または低級アルキル、低級アル コキシ低級アルキルであり、mは0または1である請求の範囲第11項記載の方法 。 13.R11とR12が同じであり、R10とR11が同じである請求の範囲第12項記載の 方法。 14.R3がH、 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル ブチル、ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第1項記載の 方法。 15.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第14項記載の方法。 ルカルボニル、アリールカルボニル、 17.化合物が下記式を有するものであり、 式中、YはCR5またはNであり、XはNまたはCR7である請求の範囲第1項記 載の力法。 18.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法。 19.化合物が以下式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法。 20.化合物が以下式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒にな ってオキソを形成してもよく; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、低級アルキルカルボニル、アリールカ ルボニル、アラルキルカルボニルまたはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである;但しJ、 D,Eの少なくとも1つはヘテロ原子であり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、Qの炭素または 窒素原子とYの炭素または窒素原子との間に結合を形成してもよい。 21.J、DまたはEの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第20項記載の方法 。 22.JがO、NR15または(SO)pである請求の範囲第20項記載の方法。 23.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第20項記載の方法。 24.R3がH、 であり式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アル コキシ低級アルキルである請求の範囲第20項記載の方法。 25.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第24項記載の方法。 26.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第24項記載の方法。 ルボニル、アリールカルボニル、 28.化合物が以下の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法であり、 式中、 AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはCR17またはN; GはCR16またはN;そして R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 求引性基であり; YはO、S、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、QとYとの間に 結合を形成してもよく; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成してもよく; R3は水素、低級アルキルカルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、ア リールカルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキルアリールまたは低級アリールアルキルである、但しA、D 、EまたはGの少なくとも1つはNである。 29.A、E、D、またはGの1つがNである請求の範囲第28項記載の方法。 30.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第28項記載の方法。 式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アルコキシ 低級アルキルである請求の範囲第28項記載の方法。 32.R10、R11およびR12が独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第31項記載の方法。 33.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第32項記載の方法。 ルボニル、低級アルキルカルボニル、 35.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり、 R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; Pは0〜2であり: YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYの間の結合を形成し; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アラルキル カルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである、但しJ、 D、Eの少なくとも1つはヘテロ原子である。 36.J、D、Eのうちの1つがヘテロ原子である請求の範囲第35項記載の方法。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第34項記戟の方法。 38.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第37項記載の方法。 39.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第37項記載の方法。 41.化合物が以下の式を有するものである請求の範囲第35項記載の方法であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり、 R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子求引性基であり; Pは0〜2であり; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アラルキル カルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである、但しJ、 D、Eの少なくとも1つはヘテロ原子である。 42.J、D、Eのうちの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第41項記載の方 法。 43.JがS(O)p、OまたはNR15である請求の範囲第41項頂記載の方法。 44.JがS(O)p、OまたはNHである請求の範囲第43項記載の方法。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第41項記載の方法。 46.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第45項記載の方法。 47.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第45項記載の方法。 49.化合物が以下の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法であり、 式中、 AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 供与性基であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; XはCR67またはNR6; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYとの間の結合を形成し; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アリールア ルキルカルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルである、但しA、 D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 50.A、D、EまたはGの2つがNである請求の範囲第49項記載の方法。 51.A、D、EまたはGの1つのみがNである請求の範囲第49項記載の方法。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第49項記載の方法。 53.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第49項記載の方法。 54.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第49項記載の方法。 カルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、 56.化合物が以下の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法であり、 式中、 AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16、およびR17は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子供与 性基であり; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アラルキル カルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである;但しA、 D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 57.A、D、E、またはGのうち2つがNである情求の範囲第56項記載の方法。 58.A、D、E、またはGの1つがNである請求の範囲第57項記載の方法。 59.R15、R16、R17またはR18の少なくとも1つが電子求引性基である請求の 範囲第56項記載の方法。 60.R15、R16、R17またはR18の1つが電子求引性基である精求の範囲第59項 記載の方法。 ニル、低級アラルキルカルボニル、 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第56項記載の方法。 62.R10、R11およびR12が独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第56項記載の方法。 63.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第56項記載の方法。 カルボニル、低級アルキルカルボニル、 65.化合物が以下の式を有するものである請求の範囲第56項記載の方法であり、 式中、R16、R17およびR18の1つが水素、低級アルキル、または電子供与性 基であり、その他が水素であり; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである。 66.R16が電子供与性基である請求の範囲第65項記載の方法。 67.R16が低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、アミノ、水酸基、低級 アルコキシ、低級アラルコキシ、アリールオキシ、アリール、低級アラルキル、 メルカブトまたは低級アルキルチオである請求の範囲第66項記載の方法。 68.電子供与性基がジ低級アルキルアミノ、または低級アルコキシである請求の 範囲第67項記載の方法。 69.電子供与性基がOCH3またはMe2Nである請求の範囲第68項記載の方法。 70.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第65項記載の方法。 71.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第56項記載の方法。 ニル、低級アラルキルカルボニル、 であり、式中、R10、R11、R12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アルコ キシ低級アルキルである請求の範囲第65項記載の方法。 73.R10、R11およびR12が独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、 ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第65項記載の方法。 74.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第65項記載の方法。 ニル、低級アラルキルカルボニル、 76.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法。 77.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法。 78.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第1項記載の方法。 79.化合物が下記の式を有するものまたはそのN−オキシドである請求の範囲第 1項記載の方法。 80.有機アミンとアシル化用カルボン酸誘導体との間の反応からアミドを形成す る方法において、前記反応へ、有効量の下記式を有する化合物およびそのN−オ キシド、およびそれらの塩を添加することを含む改良方法であり、 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜13の環炭素原子を含有する酸素、イ オウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリール環は非置換であるか または低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6またはR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が 一緒になってオキソ基を形成するか、あるいはn=0の場合はR4とR6が一緒に なってYの窒素または炭素の環原子とXの窒素または炭素の環原子との間の結合 を形成してもよく; QはCR89またはNR8であるが、nが1の場合は、R4とR8が一緒になっ て、Yの炭素または窒素の環原子とQの炭素または窒素の環原子との間の結合を 形成してもよく; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、SO214または であり、 R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキル; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8が それらが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく; mは0または1であり; nは0または1であり; qは0〜3である。 81.第1のNα−アミノ保護アミノ酸を固相ペプチド合成樹脂に共有結合し、N −α−アミノ保護基を切り離し、そして得られた遊離アミノ基を第2のNα−ア ミノ保護アミノ酸のカルボキシル基へペプチド結合を介して連結し、このサイク ルを所望のペプチドが得られるまで繰り返し、次いでペプチドを前記樹脂から切 り離す、ペプチドの合成において、連結工程へ、有効量の下記式を有する化合物 およびそのN−オキシド、およびそれらの塩を添加することを含む改良方法であ り、 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜13の環炭素原子を含有する酸素、イ オウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリール環は非置換であるか または低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6またはR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が 一緒になってオキソ基を形成するか、あるいはn=0の場合はR4とR6が一緒に なってXの炭素または窒素の環原子とYの炭素または窒素の環原子との間の結合 を形成してもよく; QはCR89またはNR8あるが、nが1の場合は、R4とR8が一緒になって 、Yの炭素または窒素の環原子とXの炭素または窒素の環原子との間の結合 を形成してもよく; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、SO214、アリールカルボニル、低級 アルキルカルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、または 14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキル; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8がそれ らが結合している炭素と一緒になってアリール環を形成してもよく; nは0または1であり; qは0〜3である。 82.下記式を有する化合物であり、 式中、JはCR1519であるか、O、S(O)pまたはNR15からなるヘテロ原 子であり、 R15とR19は独立に水素または低級アルキルであり; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; QはCR89またはNR8であるか、nが1の場合、R8とR4が一緒になって 、Yの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間に結合を形 成してもよく; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成してもよく、あるいはn=0の場合はR4とR6が一緒になっ てXとYとの間の結合を形成してもよく; R3は水素、陽イオン性電子供与性基、SO214、低級アルキルカルボニル、 低級アリールカルボニル、低級アリールアルキルカルボニルまたは 14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキル; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8がそれ らが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく; nは0、1または2であり; pは0〜2であり; qは0〜3であり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素もしくは低級アルキルであるか、R16とR17が、それ らが結合している炭素原子と一緒になってアリール基を形成し、J、DまたはE の1つがヘテロ原子である。 83.下記式を有する化合物であり、 式中、YはO、NR4またはNR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; QはCR89またはNR8であり:nが1の場合、R8とR4が一緒になって、 Yの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間に結合を形成 してもよく; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成し; R3は水素、陽イオン性電子供与性基、OSO214、低級アリールアルキルカ ルボニル、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニルまたは、 14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルであり; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、R7とR8が、それらが結 合している炭素と一緒になってアリール環を形成し; qは0〜3であり; DはCR16またはNであり; EはCR17またはNであり、そしてDまたはEの少なくとも1つは Nであり ; R16とR17は独立に水素、低級アルキルであるか、R16とR17が、それらが結 合している炭素原子と一緒になってアリール基を形成する。 84.下記式を有する化合物であり、 式中、YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; QはCR89またはNR8であるか、n=1の場合、R8とR4が一緒になって 、Yの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間に結合を形 成してもよく; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成し; R3は水素、陽イオン性電子供与性基、低級アルキルカルボニル、低級アリー ルアルキルカルボニル、アリールカルボニル、OSO214または、 14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルであり; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、R7とR8が、それらが結 合している炭素と一緒になってアリール環を形成し; nは0または1であり; qは0〜3であり; DはCR16またはNであり; EはCR17またはNであり; AはCR15またはNであり; GはCR18またはNであり; そしてA、E、DまたはGの1つがNであり; R15、R16、R17およびR18は独立に水素または低級アルキルであるか、R16 とR17が、それらが結合している炭素原子と一緒になってアリール基を形成する 。 85.下記式を有する化合物であり、 式中、XとYは独立にNまたはCR4であり、そしてXとYの少なくとも1つが CR4であり; R4は水素もしくは低級アルキルであり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであり; R3は水素、陽イオン性電子供与性基、低級アルキルカルボニル、アリールカ ルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、OSO214または、 14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルであり; qは0〜3であり; AはCR15またはNであり; DはCR16またはNであり; EはCR17またはNであり; GはCR18またはNであり; そしてA、D、EまたはGの1つがNであり; R16とR17は独立に水素または低級アルキルであるか、R16とR17が、それら が結合している炭素原子と一緒になってアリール基を形成する。 86.電子供与性基が低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、アミノ、低級 アルコキシ、低級アラルコキシ、アリールオキシ、メルカプト、低級アルキルチ オまたは水酸基である請求の範囲第82〜85項のいずれかの項記載の方法。 87.電子供与性基がジ低級アルキルアミノまたは低級アルコキシである情求の範 囲第86項記載の方法。 88.電子供与性基がOMe3またはMe2Nである請求の範囲第87項記載の方法。 89.陽イオン性電子求引性基が以下のものである請求の範囲第82〜85項いずれか の項記載の化合物であり、 式中、R10、R11、R12およびR13は独立に水素または低級アルキル、低級アル コキシ低級アルキルであるか、あるいはR10とR11が、それらが結合している原 子と一緒になって6個までの環原子および合計5個までの炭素環原子を含む環を 形成する。 90.陽イオン性電子求引性基が以下のものである請求の範囲第89項記載の化合物 であり、 式中、R10、R11、R12は独立に水素または低級アルキル、低級アルコキシ低級 アルキルであり、mは0または1である。 91.R11とR12が同じであり、R10とR11が同じである請求の範囲第90項記載の 化合物。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル 、ブチル、ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第82〜85の いずれかの項記載の化合物。 93.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第92項記載の方法。 94.R3がH、 95.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第82項記載の化合物であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、OおよびS(O)pからなるヘテロ 原子であり; R1519は氷素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり、 XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成し; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、アリールカルボニル、低級アルキルカ ルボニル、低級アリールアルキルカルボニルまたはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルであり、但しJ 、D、Eの少なくとも1つはヘテロ原子である。 96.DおよびEの両者がCHである請求の範囲第95項記載の化合物。 97.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第95項記載の化合物。 98.R3がH、 であり式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アル コキシ低級アルキルである請求の範囲第95項記載の化合物。 99R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ ンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第95項記載の化合物。 100.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第95項記載の化合物。 102.化合物が下記式を有する請求の範囲第84項記載の化合物であり、 式中、 AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはCR17またはN; GはCR18またはN;そしてA、D、EおよびGの1つがNであり; R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキルであり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成し; R3は水素、低級アルキルカルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、ア リールカルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである。 103.YがOであり、xがc=oである請求の範囲第102項記載の化合物。 であり、式中、R10、R11、R12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アルコ キシ低級アルキルである請求の範囲第102頂記戟の化合物。 105.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロビル、ブチル 、ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第102頂記載の化合 物。 106.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第105項記載の方法。 108.下記の式を有する請求の範囲第82項記載の化合物であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、OおよびS(O)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素または低級アルキルであり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; xはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYの間の結合を形成し; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、低級アルキルカルボニル、アリールカ ルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルであり、J、D、 Eの1つがヘテロ原子である。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第108項記載の化合物。 110.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロビル、ブチル 、ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第109項記戟の化合 物。 111.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第109項記載の方法。 113.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第82項記載の化合物であ り、 式中、JはCR1519であるか、NR15、OおよびS(O)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子求引性基であり; pは0〜2であり; R3は水素、陽イオン性電子求引性基、アリールカルボニル、低級アルキルカ ルボニル、低級アリールアルキルカルボニル、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルであり、J、Dま たはEの1つがヘテロ原子である。 114.DおよびEの両者がCHである請求の範囲第113項記載の化合物。 115.JがS(O)p、OまたはNHである請求の範囲第113項記載の化合物。 であり、式中、R10、R11、R12は独立に水素、低級アルキルまたは低級アルコ キシ低級アルキルである請求の範囲第113項記載の化合物。 117.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル 、ベンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第116項記載の化合 物。 118.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第116項記載の化合物。 120.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第83項記載の化合物であ り、 式中、 DはNまたはCR16; EはNまたはCR17;そしてDまたはEの1つはNであり; R16とR17は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子供与性基であり; R3は水素、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アリールア ルキルカルボニル、陽イオン性電子求引性基、またはOSO214であり; R14は低級アルキル、アリールまたは低級アリールアルキルである。 であり、式中、R10、R11およびR12は独立に水素、低級アルキルまたは低級ア ルコキシ低級アルキルである請求の範囲第120項記載の化合物。 122.R10、R11およびR12は独立に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル 、ペンチルまたはCH2CH2OCH2CH3である請求の範囲第121項記載の化合 物。 123.R10、R11およびR12が同じである請求の範囲第121項記載の化合物。 125.DがNである請求の範囲第120項記載の化合物。 126.EがNである請求の範囲第120項記載の化合物。 127.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第83項記載の化合物。 128.下記の式を有する請求の範囲第85項記載の化合物。 129.下記の式を有する請求の範囲第128項記載の化合物。 130.下記の式を有する請求の範囲第128項記載の化合物。 131.下記の式を有する請求の範囲第128項記載の化合物。 132.下記の式を有する化合物またはそのN−オキシド。 133.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第20項記載の方法。 134.XがC=Oである請求の範囲第133項記載の方法。 135.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第28項記載の方法。 136.XがC=Oである請求の範囲第135項記載の方法。 137.下記の式を有する請求の範囲第82項記載の化合物。 138.XがC=Oである請求の範囲第137項記載の化合物。 139.化合物が下記の式を有する請求の範囲第84項記載の化合物。 140.XがC=Oである請求の範囲第139項記載の化合物。 141.下記の式を有する請求の範囲第84項記載の化合物。 142.第1のアミノ化合物とアシル化用アミノ酸誘導体との間のペプチド結合を 形成する方法であり、該アミノ酸化合物がアミノ酸またはペプチドであり、核カ ルボン酸がN−末端アミノ保護アミノ酸またはN−末端保護ペプチドである方法 において、アシル化用誘導体として、下記式を有する化合物もしくはそのN−オ キシド、またはそれらの塩を用いることを含む改良方法であり、 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜13の環炭素原子を含有する酸素、イ オウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリール環は非置換であるか または低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6またはR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が 一緒になってオキソ基を形成するか、n=0の場合はR4とR6が一緒になってX とYの間の結合を形成してもよく、該結合はYの窒素または炭素の環原子とXの 窒素または炭素の環原子との間の結合であり; QはCR89またはNR8であり; nが1の場合、R4とR8が一緒になって、YとQの間に結合を形成してもよく 、該結合はYの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間の 結合であり; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8が それらが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく; nは0または1であり; qは0〜3であり; BLK1はアミノ保護基であり、AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを除 いたアミノ酸またはペプチドである。 143.さらに脱水性アミド連結剤を含む請求の範囲第142項記載の方法。 144.脱水剤がDCCまたはEDCである請求の範囲第143項記載の方法。 145.BLKがFmoc、BOC、TEOC、Aoc、Adoc、Bpoc、A zoc、Ddz、Poc、Foc、Moz、Nps、Dts、Cbz、Bspo c、Bsmoc、Nps、ホルミル、アセチルまたはトリフルオロアセチルであ る請求の範囲第142項記載の方法。 146.BLKがCbz、Bspoc、BsmocまたはBOCである請求の範囲 第145項記載の方法。 147.AA1がα−アミノ酸である請求の範囲第142項記載の方法。 148.AA1が天然アミノ酸である請求の範囲第147項記載の方法。 149.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり、 式中、YはCR5またはNであり、XはNまたはCR7である。 150.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法。 151.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法。 152.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成し; R3はBLK1−AA1、アリールカルボニル、低級アルキルカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり、AA1はN−末端の水素、C−末端のOH を除いたアミノ酸またはペプチドであり; BLK1はアミノ保護基であり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、Qの窒素または 炭素の環原子とYの窒素または炭素の環原子との間に結合を形成してもよい。 153.J、DまたはEの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第152項記載の方 法。 154.JがO、NR15または(SO)pである請求の範囲第152項記載の方法。 155.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第152項記載の方法。 156.AA1がα−アミノ基である請求の範囲第152項記載の方法。 157.BLKがFMOC、BSMOC、BOC、ベンジルオキシカルボニルまた はBSPOCである請求の範囲第152項記載の方法。 158.AA1が天然アミノ酸である請求の範囲第152項記載の方法。 159.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142頂記載の方法であり 、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはCR17またはN; GはCR18またはN;そして R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 求引性基であり; YはO、S、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、QとYとの間に結 合を形成してもよく; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成してもよく; R3はBLK1−AA1−、アリールカルボニル、低級アリールアルキルカルボ ニル、低級アルキルカルボニルであり; AA1はN−末端の水素、C−末端の氷酸基を除いたアミノ酸またはペプチド であり;但し、A、D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 160.A、E、D、またはGの1つがNである請求の範囲第159項記載の方法。 161.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第159項記載の方法。 162.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYの間の結合を形成し; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、低級アリールアルキルカル ボニルまたはアリールカルボニルであり; AA1はN−末端の水素、C−末端の水酸基を除いたアミノ酸またはペプチド であり; BLK1はアミノ保護基であり;但し、J、DまたはEの少なくとも1つがヘ テロ原子である。 163.J、DまたはEのうちの1つがヘテロ原子である請求の範囲第162項記載の 方法。 164.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pbからなるヘテロ 原子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子求引性基であり; pは0〜2であり; R3はBLK−AA1、低級アリールアルキルカルボニル、低級アルキルカルボ ニル、アリールカルボニルであり; AA1はアミノ末端およびカルボキシルの水酸基から水素を除いたアミノ酸で あり; BLK1はアミノ保護基であり;但し、J、DまたはEの少なくとも1つがヘ テロ原子である。 165.J、DまたはEのうちの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第164項記 載の方法。 166.JがS(O)p、OまたはNR15である請求の範囲第164項記載の方法。 167.JがS(O)p、OまたはNHである請求の範囲第166項記載の方法。 168.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 供与性基であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYとの間の結合を形成し; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニルまたは 低級アリールアルキルカルボニルであり; AA1はN−末端の水素原子、C−末端のOH基を除いたアミノ酸またはペプ チドであり; BLK1はアミノ保護基であり; R14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルである、但しA、 D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 169.A、D、E、またはGの2つがNである請求の範囲第168項記載の方法。 170.A、D、E、またはGの1つのみがNである請求の範囲第168項記載の方法 。 171.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16およびR17は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子供与性 基であり; R3はBLK1−AA1、アリールカルボニル、低級アルキルカルボニルまたは 低級アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ保護基であり; AA1はN−末端の水素原子、C−末端の水酸基を除いたアミノ酸またはペプ チドであり;但し、A、D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 172.A、D、E、またはGのうち2つがNである請求の範囲第171項記載の方法 。 173.A、D、E、またはGの1つがNである請求の範囲第171項記載の方法。 174.R15、R16、R17またはR18の少なくとも1つが電子求引性基である請求 の範囲第171項記載の方法。 175.R15、R16、R17およびR18の1つが電子求引性基である請求の範囲第174 項記載の方法。 176.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、R16、R17およびR18の1つが水素、低級アルキル、または電子供与性基 り、その他が水素であり; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ保護基であり; AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを除いたアミノ酸またはペプチドで ある。 177.R16が電子供与性基である請求の範囲第176項記載の方法。 178 R16が低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、アミノ、水酸基、低 級アルコキシ、低級アラルコキシ、アリールオキシ、アリール、低級アラルキル 、メルカプトまたは低級アルキルチオである請求の範囲第176項記載の方法。 179.電子供与性基がジ低級アルキルアミノまたは低級アルコキシである請求の 範囲第177項記載の方法。 180.電子供与性基がOCH3またはMe2Nである請求の範囲第177項記載の方法 。 181.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法。 182.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法。 183.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法。 3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、低級アリールアルキルカル ボニル、アリールカルボニルであり; ここでBLK1はアミノ保護基であり; AA1はN−末端の水素、C−末端の水酸基を除いたアミノ酸またはペプチド である。 184.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第142項記載の方法であり 、 式中、R3はBLK1−AA1、アリールカルボニル、低級アルキルカルボニル、 低級アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ保護基であり; AA1はアミノ末端およびカルボキシル末端の水酸基から水素を除いたアミノ 酸またはペプチドである。 185.BLKがFmoc、BOC、TEOC、Aoc、Adoc、Bpoc、A zoc、Ddz、poc、Foc、Moz、Nps、Dts、Cbz、Bspo c、Bsmoc、Nps、ホルミル、アセチルまたはトリフルオロアセチルであ る請求の範囲第159、162、164、168、171、176、181、182、183または184項のい ずれかの項記載の方法。 186.BLKがFMOC、BOC、ベンジルオキシカルボニル、Bspocまた はBsmocである請求の範囲第159、162、164、168、171、176、181、182、18 3または184項のいずれかの項記載の方法。 187.AA1がα−アミノ酸である請求の範囲第159、162、164、168、171、176、 181、182、183−184項のいずれかの項記載の方法。 188.下記式を有する化合物もしくはそのN−オキシド、またはそれらの塩であ り、 上記式中、R1とR2はそれらの基が結合している炭素原子と共に、ヘテロアリー ル環を形成し、該ヘテロアリール環は3〜13の環炭素原子を含有する酸素、イ オウまたは窒素含有ヘテロ芳香族であり、該ヘテロアリール環は非置換であるか または低級アルキルもしくは電子供与性基で置換されていてもよく; YはO、NR4、CR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6またはR7は独立に水素または低級アルキルであるか;あるいはR6とR7が 一緒になってオキソ基を形成するか、n=0の場合はR4とR6が一緒になってX とYの間の結合を形成してもよく、該結合はYの窒素または炭素の環原子とXの 窒素または炭素の環原子との間の結合であり; QはCR89またはNR8であり; nが1の場合、R4とR8が一緒になって、YとQの間に結合を形成してもよく 、該結合はYの窒素または炭素の環原子とQの窒素または炭素の環原子との間の 結合であり; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり; R8とR9は独立に水素または低級アルキルであるか、あるいはR7とR8がそれ らが結合している炭素原子と一緒になってアリール環を形成してもよく; nは0または1であり;そして qは0〜3であり; BLK1はアミノ保護基であり、AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを 除いたアミノ酸またはペプチドである。 189.BLKがFmoc、BOC、TEOC、Aoc、Adoc、Bpoc、A zoc、Ddz、Poc、Foc、Moz、Nps、Dts、Cbz、Bspo c、Bsmoc、Nps、ホルミル、アセチルまたはトリフルオロアセチルであ る請求の範囲第188項記載の化合物。 190.BLKがCbz、Bspoc、BsmocまたはBOCである請求の範囲 第186項記載の化合物。 191.AA1がα−アミノ酸である請求の範囲第188項記載の化合物。 192.AA1が天然アミノ酸である請求の範囲第188項記載の化合物。 193.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物であり 、 式中、YはCR5またはNであり、XはNまたはCR7である。 194.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物。 195.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物。 196.化合物が下記式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物であり 、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成してもよく; R3はBLK−AA1であり、AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを除い たアミノ酸またはペプチドであり; BLK1はアミノ保護基であり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、Qの窒素または 炭素の原子とYの窒素または炭素の原子との間に結合を形成してもよい。 197.J、DまたはEの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第196項記載の化 合物。 198.JがO、NR15または(SO)pである請求の範囲第197項記載の化合物。 199.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第196項記載の化合物。 200.AA1がα−アミノ基である請求の範囲第196項記載の化合物。 201.BLKがFMOC、BSMOC、BOC、ベンジルオキシカルボニルまた はBSPOCである請求の範囲第196項記載の化合物。 202.AA1が天然アミノ酸である請求の範囲第196項記載の化合物。 203.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物であ り、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはCR17またはN; GはCR18またはN; R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 求引性基であり; YはO、S、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; QはCR89またはNR8であり;R4とR8が一緒になって、Qの窒素または 炭素の環原子とYの窒素または炭素の環原子との間に結合を形成してもよく; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6とR7が一緒になって オキソを形成してもよく; R3はBLK1−AA1、アリールカルボニル、低級アリールアルキルカルボニ ル、低級アリールアルキルカルボニルであり; AA1はN−末端のアミノ水素、C−末端の水酸基を除いたアミノ酸またはペ プチドであり;但し、A、D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 204.A、E、D、またはGの1つがNである請求の範囲第203項記載の化合物。 205.YがOであり、XがC=Oである請求の範囲第203項記載の化合物。 206.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物であ り、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子供与性基であり; pは0〜2であり; YはO、NR4またはCR45であり; R4とR5は独立に水素または低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYの間の結合を形成し; R3はBLK1−AA1、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり; AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを除いたアミノ酸またはペプチドで あり; BLK1はアミノ保護基であり;但し、J、DまたはEの少なくとも1つはヘ テロ原子である。 207.J、DまたはEのうちの1つがヘテロ原子である請求の範囲第206項記載の 化合物。 208.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第206項記載の化合物であ り、 式中、JはCR1519であるか、NR15、Oおよび(SO)pからなるヘテロ原 子であり; R15とR19は水素または低級アルキルであり; DはCR16であるか、Nからなるヘテロ原子であり; EはCR17であるか、Nからなるヘテロ原子であり; R16とR17は独立に水素、低級アルキルまたは電子求引性基であり; pは0〜2であり; R3はBLK1−AA1、低級アリールアルキルカルボニル、低級アルキルカル ボニル、アリールカルボニルであり; AA1はアミノ末端及びカルボキシル上の水酸基から水素を除いたアミノ酸ま たはペブチドであり; BLK1はアミノ保護基であり;但し、J、DまたはEの少なくとも1つはヘ テロ原子である。 209.J、DまたはEのうちの1つのみがヘテロ原子である請求の範囲第208項記 載の化合物。 210.JがS(O)p、OまたはNR15である請求の範囲第208項記載の化合物。 211.JがS(O)p、OまたはNHである請求の範囲第210項記裁の化合物。 212.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物であ り、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16、R17またはR18は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子 供与性基であり; YはO、NR4またはNR45であり; R4とR5は独立に水素もしくは低級アルキルであり; XはCR67またはNR6であり; R6とR7は独立に水素または低級アルキルであるか、R6がR4と一緒になって XとYとの間の結合を形成し; R3はBLK1−AA1−、アリールカルボニル、低級アリールアルキルカルボ ニル、低級アルキルカルボニルであり; BLKはアミノ保護基であり; AA1はアミノ末端及びカルボキシル末端上の水酸基から水素を除いたアミノ 酸またはペプチドであり; R14は低級アルキル、アリールまたはアリール低級アルキルである、但しA、 D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 213.A、D、E、またはGの2つがNである請求の範囲第212項記載の化合物。 214.A、D、E、またはGの1つのみがNである請求の範囲第212項記載の化合 物。 215.化合物が下記の式を有する請求の範囲第188項記載の化合物であり、 式中、AはNまたはCR15; DはNまたはCR16; EはNまたはCR17; GはNまたはCR18; R15、R16およびR17は独立に水素もしくは低級アルキル、または電子供与性 基であり; R3はBLK1−AA1−、アリールカルボニル、低級アルキルカルボニル、低 級アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ保護基であり; AA1はアミノ末端及びカルボキシルの水酸基からの水素を除いたアミノ酸で あり;但し、A、D、EまたはGの少なくとも1つはNである。 216.A、D、E、またはGのうち2つがNである請求の範囲第215項記載の化合 物。 217.A、D、E、またはGの1つがNである請求の範囲第215項記載の化合物。 218.R15、R16、R17またはR18の少なくとも1つが電子求引性基である請求 の範囲第215項記載の化合物。 219.R15、R16、R17またはR18の1つが電子求引性基である請求の範囲第218 項記載の化合物。 220.化合物が下記の式を有するものである請求の範囲第188項記載の化合物 であり、 16、R17およびR18の1つが水素、低級アルキル、または電子供与性基であ り、その他が水素であり; R3はBLK1−AA1−、アリールカルボニル低級アルキルカルボニル、低級 アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ封鎖基であり; AA1はN−末端の水素、C−末端のOHを除いたアミノ酸である。 221.R16が電子供与性基である請求の範囲第220項記載の化合物。 222.R16が低級アルキル、アミノ、ジ低級アルキルアミノ、アミノ、水酸基、 低級アルコキシ、低級アラルコキシ、アリールオキシ、アリール、低級アラルキ ル、メルカブトまたは低級アルキルチオである請求の範囲第220項記載の化合物 。 223.電子供与性基がジ低級アルキルアミノまたは低級アルコキシである請求の 範囲第222項記載の化合物。 224.電子供与性基がOCH3またはMe2Nである請求の範囲第220項記載の化合 物。 225.化合物が下記の式を有する請求の範囲第188項記載の化合物。 226.化合物が下記の式を有する請求の範囲第188項記載の化合物。 227.化合物が下記の式を有する請求の範囲第188項記載の化合物であり、 3はBLK1−AA1−、低級アリールアルキルカルボニル、低級アルキルカ ルボニルおよびアリールカルボニルであり; ここでBLK1はアミノ保護基であり; AA1はN−末端の水素、C−末端の水酸基を除いたアミノ酸またはペプチド である。 228.化合物が下記の式を有する請求の範囲第188項記載の化合物であり、 式中、R3はBLK1−AA1、低級アリールアルキルカルボニル、アリールカル ボニル、または低級アリールアルキルカルボニルであり; BLK1はアミノ保護基であり; AA1はアミノ末端及びカルボキシルの水酸基から水素を除いたアミノ酸であ る。 229.BLKがFmoc、BOC、TEOC、Aoc、Adoc、Bpoc、A zoc、Ddz、Poc、Foc、Moz、Nps、Dts、Cbz、Bspo c、Bsmoc、Nps、ホルミル、アセチルまたはトリフルオロアセチルであ る請求の範囲第203、205、208、212、215、220、225、226、227または228項のい ずれかの項記載の化合物。 230.BLKがFMOC、BOC、ベンジルオキシカルボニル、Bspocまた はBsmocである請求の範囲第203、205、208、212、215、220、225、226、22 7または228項のいずれかの項記載の化合物。 231.AA1がα−アミノ酸である請求の範囲第203、205、208、212、215、220、 225、226、227または228項のいずれかの項記載の方法。
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