JPH0846096A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH0846096A
JPH0846096A JP6179234A JP17923494A JPH0846096A JP H0846096 A JPH0846096 A JP H0846096A JP 6179234 A JP6179234 A JP 6179234A JP 17923494 A JP17923494 A JP 17923494A JP H0846096 A JPH0846096 A JP H0846096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor element
semiconductor device
heat
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6179234A
Other languages
English (en)
Inventor
Yumi Tanaka
由美 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP6179234A priority Critical patent/JPH0846096A/ja
Publication of JPH0846096A publication Critical patent/JPH0846096A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 現状の樹脂封止型半導体装置の厚さを変える
ことなく信頼性及び熱疲労寿命を更に向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置、もしくは信頼性や熱疲労
寿命を損なうことなく薄型化することができる樹脂封止
型半導体装置を単純な構成で提供することを目的とす
る。 【構成】 消費電流等により発熱する半導体素子1と、
半導体素子1で発生した熱を放熱するための放熱板2
と、電極として使用される複数のリード端子4と、エポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂3とにより
構成され、放熱板2には半導体素子1を搭載するための
凹部2aが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、詳しくは放熱板を有する樹脂封止型半導体の具体
的構成に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子で発生した熱を放熱するため
の放熱板を有する従来の樹脂封止型半導体装置の実施例
としては、図3に断面形状を示すようなパワートランジ
スタのパッケージ形状がある。図3の樹脂封止型半導体
装置は半導体素子1と、放熱板2と、リード端子4及び
4′と、ワイヤ5と、封止樹脂3とからなり、リード端
子4とつながる放熱板2の上面に半導体素子1をダイボ
ンディングにより搭載している。リード端子4は放熱板
2の端面付近で曲げられて封止樹脂3の厚みのほぼ中央
から突出し、一部を点線で示す他のリード端子4′と半
導体素子1とは金細線等からなるワイヤ5により接続さ
れている。また、放熱板2の一部には、放熱板2を他の
放熱器に取り付けるための取り付け孔2bが設けられて
いる。
【0003】放熱板2は放熱特性を良くするために、で
きるだけ熱伝導率の大きな金属板が良いので、銅等の金
属の厚板が良く使われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の放熱板2を有す
る樹脂封止型半導体装置は、放熱板2の大きな熱容量を
確保して熱的な許容損失を大きくするため、放熱板2の
厚さ寸法が約1.5mmもある。更に、放熱板2及び封
止樹脂3が加熱及び放熱を繰り返すときの反りや歪等に
よる機械的応力で封止樹脂3の耐湿性等の信頼性が劣化
して熱疲労寿命が短縮してしまわないように、封止樹脂
3の厚さ寸法も放熱板2を必要としない樹脂封止型半導
体装置に比べて大幅に厚くしなければならなかった。こ
れらの要因により、放熱板2を有する樹脂封止型半導体
装置の厚さ約4.5mmとかなり厚くなっている。
【0005】従って、半導体装置の小型化や薄型化を要
求される携帯用機器等では、放熱板を有する樹脂封止型
半導体装置において信頼性や熱疲労寿命が優れていなが
ら、薄型の半導体装置がないという問題がある。また、
現状の樹脂封止型半導体装置の厚さ寸法や大きさを変え
ることなく、更に信頼性や熱疲労寿命を向上させたいと
いう要求もあり、この要求に答える半導体装置がないと
いう問題がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の問題を解決するた
めに、請求項1の記載に係わる樹脂封止型半導体は、半
導体素子を搭載すると共に半導体素子で発生した熱を放
熱するための放熱板を有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、放熱板の上面に半導体素子を搭載するために設け
た凹部の深さ寸法を、半導体素子の厚さ寸法より大きく
すると共に放熱板の厚さ寸法の半分より小さくすること
を特徴とする。
【0007】
【作用】本発明のように、半導体素子で発生した熱を放
熱するための放熱板の上面に半導体素子を搭載するため
に設けた凹部の深さ寸法を、半導体素子の厚さ寸法より
大きくすることにより、半導体素子と隣接する放熱板の
表面積が増大し、半導体素子の下面からだけでなく、凹
部の側面からも半導体素子の発熱を効率よく放熱板に吸
収して放熱できるようになる。同時に、半導体素子の上
面の封止樹脂の厚さが増した分だけ、半導体素子の気密
性が良くなり信頼性が向上する。逆に言えば、封止樹脂
の厚さが増した分だけ、封止樹脂の厚さを削減しても従
来と同様の信頼性が得られる。
【0008】また、凹部の深さ寸法は放熱板の厚さ寸法
の半分より小さくすることにより、半導体素子の取り付
けを容易に行うことができると共に、放熱板及び封止樹
脂が加熱及び放熱を繰り返すときの反りや歪等による機
械的応力に対して、放熱板は十分な強度を確保すること
ができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1を参照しなが
ら詳細に説明する。尚、本明細書では全図面を通して、
同一または同様の構成要素には同一の符号を付してい
る。図1は本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す説明図であり、図1(a)はその断面形状を示
し、図1(b)は半導体素子1がリードフレーム6上に
搭載されている樹脂封止前の状態を示す。
【0010】図1(a)の樹脂封止型半導体装置は、消
費電流等により発熱する半導体素子1と、半導体素子1
で発生した熱を放熱するために放熱特性の良い銅やアル
ミニウム等の金属や鉄やニッケル等の合金からなる放熱
板2と、放熱板2とつながり電極として使用されるリー
ド端子4及びワイヤ5により半導体素子1と接続された
複数のリード端子4′と、半導体素子1を封止して信頼
性を確保するためにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から
なる封止樹脂3とにより構成されている。放熱板2には
凹部2aが設けられ、その凹部2aの中に半導体素子1
が搭載されている。リード端子4と反対側の放熱板2に
は放熱板2を他の放熱器(図示なし)に取り付けるとき
に使用する取り付け孔2bが設けられている。
【0011】半導体素子1とリード端子4とは、半田や
銀及び金等の導電性ペーストを介して半導体素子1の裏
面から電気的に接続され、一部を点線で示す他のリード
端子4′と半導体素子1とは金やアルミニウムや半田の
細線からなるワイヤ5により電気的に接続されている。
また、リード端子4は放熱板2の端面付近で曲げられ
て、放熱板2の厚さを除いた封止樹脂3の厚さのほぼ中
央から突出している。
【0012】放熱板2は放熱特性を良くするために、で
きるだけ熱伝導率の大きな金属板が良いので、銅等の金
属の厚板が良く使われいる。本実施例では約1.3mm
の厚さの銅板を使用していて、凹部2aの深さ寸法は数
百μmから約0.65mmの深さになっている。凹部2
aは金型によるプレス加工やドリルによる研削加工、ま
たは薬品によるエッチング加工等により形成され、その
大きさ及び形状は、半導体素子1をダイボンディングす
る時に使用する搬送装置の半導体素子の押さえ具(図示
なし)が挿入できるだけの大きさがあれば、四角形等の
多角形はもちろんのこと円形であっても良い。また、凹
部2aの穴の側面部は半導体素子の搭載面と垂直に形成
されるだけでなく、徐々に大きさの変化するテーパ状の
面や曲面で形成されていても良い。
【0013】一般的に封止樹脂3の熱伝導率及び熱容量
は銅等の金属に比べて劣るので、凹部2aの穴の深さ寸
法を半導体素子1の厚さ寸法より大きくすることによ
り、半導体素子1と隣接する放熱板2の表面積が増大し
凹部2aの穴の側面部からも半導体素子1の発熱を伝導
により吸収するので、半導体素子1の厚さ寸法より小さ
い場合に比べて、より効率よく半導体素子1の発熱を吸
収し放熱できるようになる。ただし、凹部2aの穴の深
さ寸法が放熱板2の厚さ寸法の半分より大きくなると、
半導体素子1を取り付ける時の押さえ具を挿入しづらく
なったり、放熱板2にかかる機械的応力に対する強度が
低下してしまうので、請求項1に記載したように、半導
体素子1の厚さ寸法より大きくすると共に放熱板2の厚
さ寸法の半分より小さくするのが良い。
【0014】図1(b)は、複数の樹脂封止型半導体装
置を一括して組み立てれるように、帯状のリードフレー
ム6につながる複数の放熱板2及びリード端子4及び
4′とが打ち抜きにより形成されており、それぞれの放
熱板2の凹部2aには半導体素子1がダイボンディング
により固着されていると共に、ワイヤ5により各リード
端子4′に電気的に接続されている。点線で示す部分が
封止樹脂3により封止された後、各リード端子4及び
4′が切断されて個別の樹脂封止型半導体装置になる。
凹部2aの構成及び形状は図1(a)の場合と同様なの
で詳しい説明は省略する。
【0015】図2(a)及び図2(b)は本発明の他の
実施例による樹脂封止型半導体の断面形状を示す。図2
(a)は封止樹脂3が放熱板2の凹部2aの反対面以外
を全て覆い、図2(b)は封止樹脂3が放熱板2を全て
覆う形状をしており、放熱板2が他の配線や素子と接触
しないようになっている。図2(a)及び図2(b)の
封止樹脂3の形状以外の構成及び形状は図1(a)と同
様なので詳しい説明は省略する。
【0016】尚、本実施例では、3端子のトランジスタ
形状のみを示しているが、放熱板2を有する樹脂封止型
半導体装置であれば3端子には限定されない。
【0017】
【発明の効果】本発明のように、放熱板2の上面に半導
体素子1を搭載するために設けた凹部2aの深さ寸法
を、半導体素子1の厚さ寸法より大きくすることによ
り、半導体素子1の厚さ寸法より小さい場合に比べて、
より効率よく半導体素子1の発熱を凹部2aの側面から
も放熱板2に吸収して放熱できるようになるので、樹脂
封止型半導体装置の信頼性及び熱疲労寿命が向上し、各
種機器の信頼性を向上することができるという効果、及
び樹脂封止型半導体装置の熱的な許容損失を上げること
ができるという効果がある。
【0018】また、凹部2aの深さ寸法は放熱板2の厚
さ寸法の半分より小さいので、半導体素子1の取り付け
を容易に行うことができると共に、放熱板2及び封止樹
脂3が加熱及び放熱を繰り返すときの反りや歪等による
機械的応力に対して、放熱板2は十分な強度を確保する
ことができるという効果がある。更に別の効果として、
封止樹脂3の厚さが増した分だけ、封止樹脂3の厚さを
削減しても従来と同様の信頼性が得られるので、その分
だけ樹脂封止型半導体装置の厚さを削減することがで
き、携帯用機器等の小型・薄型機器への搭載がしやすく
なるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の実施例である樹脂封止型半導体
を示す断面図である。 (b)樹脂封止前のリードフレームに、本発明の実施例
である樹脂封止型半導体が取り付けられている状態を示
す上面図である。
【図2】(a)(b)本発明の他の実施例である樹脂封
止型半導体を示す断面図である。
【図3】従来の実施例である樹脂封止型半導体を示す断
面図である。
【符号の説明】
1 :半導体素子 2 :放熱板 2a :凹部 2b :取り付け孔 3 :封止樹脂(樹脂封止型半導体パッケージ) 4、4′:リード端子 5 :ワイヤ 6 :リードフレーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を搭載すると共に半導体素子
    で発生した熱を放熱するための放熱板を有する樹脂封止
    型半導体装置において、前記放熱板の上面に前記半導体
    素子を搭載するために設けた凹部の深さ寸法を、前記半
    導体素子の厚さ寸法より大きくすると共に前記放熱板の
    厚さ寸法の半分より小さくすることを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。
JP6179234A 1994-07-29 1994-07-29 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH0846096A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6179234A JPH0846096A (ja) 1994-07-29 1994-07-29 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6179234A JPH0846096A (ja) 1994-07-29 1994-07-29 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0846096A true JPH0846096A (ja) 1996-02-16

Family

ID=16062294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6179234A Pending JPH0846096A (ja) 1994-07-29 1994-07-29 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0846096A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6650006B2 (en) Semiconductor package with stacked chips
JP3868777B2 (ja) 半導体装置
US7642640B2 (en) Semiconductor device and manufacturing process thereof
JP3664766B2 (ja) プリント配線板装置
US5053855A (en) Plastic molded-type semiconductor device
JP2003031744A (ja) 半導体装置
JP3922809B2 (ja) 半導体装置
JPH1174439A (ja) 樹脂モールドパッケージ
CN216054669U (zh) 一种便于散热的氮化镓功率器件
JPH0637217A (ja) 半導体装置
CN113707624A (zh) 一种氮化镓功率器件及其封装方法
JPH03174749A (ja) 半導体装置
JP2004335493A (ja) 半導体装置の実装構造
JP4556732B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2845488B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0846096A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2690248B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP3894749B2 (ja) 半導体装置
JP3502511B2 (ja) 半導体装置
KR20190085587A (ko) 고열전도성 반도체 패키지
JP2665170B2 (ja) 半導体装置
JP2004119610A (ja) リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002064174A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000106415A (ja) 半導体装置
JP2504262Y2 (ja) 半導体モジュ―ル