JPH0845993A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0845993A
JPH0845993A JP20422495A JP20422495A JPH0845993A JP H0845993 A JPH0845993 A JP H0845993A JP 20422495 A JP20422495 A JP 20422495A JP 20422495 A JP20422495 A JP 20422495A JP H0845993 A JPH0845993 A JP H0845993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tool
bonding
value
pressing force
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20422495A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2765524B2 (ja
Inventor
Toshihiko Sakai
俊彦 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP20422495A priority Critical patent/JP2765524B2/ja
Publication of JPH0845993A publication Critical patent/JPH0845993A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2765524B2 publication Critical patent/JP2765524B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】加圧ツールの力と速度を制御することにより、
TAB等の多ピンの接合処理の加圧初期においてもIC
チップに過大な力がかかるのを防止する。 【構成】ICチップに対する加圧力を検出する手段を設
け、加圧初期において加圧力が予め定めた初期加圧力設
定値を越えるまではツールを定速度移動させ、越えた後
はその時点の加圧力になるように力制御しながら速度が
零又は反転するまで保持し、その後前記設定値を最終目
標値に漸次近づけながら前記一連の動作を繰り返して加
圧力を最終目標値まで上昇させる。 【効果】ICチップの複数個の接合部の各々に全工程を
通して必要以上の加圧力がかからず、ダメージを発生し
ない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ツールを押し付けるこ
とにより圧着接続、又は接着を行う半導体装置の製造方
法に係り、特に高品質な接続に好適な加圧機構に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ツールにより圧着、又は接着を行う技術
として、TABインナリードボンディング、ダイボンデ
ィング、ペレットボンディング、転写バンプ使用インナ
リードボンディングにおけるバンプ転写技術及びICチ
ップへのインナリードボンディング、シール加熱はんだ
リフロー技術におけるツール加圧動作などがある。
【0003】従来これらの技術に用いられている装置
は、特開昭53−105972号公報に記載されたテー
プボンダの圧着方法のように、ツールに低いエア圧をか
けた状態でツールを下降させて接触させた後、エア圧を
高圧へと切換えてボンディングを開始することでボンデ
ィング時のICチップへの衝撃荷重を抑えている。その
際エア圧の切換えは、ツール駆動機構に設けたタイミン
グカムによってボンディング開始位置との同期をとって
行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、実際
にツールと被加圧部分であるICチップとの間に作用し
ている力を検出していないため、高精度に加圧力が実現
されているかどうか保証がない。
【0005】また、加圧力の立上り波形が接触開始時の
ツール速度及び被加圧部品の反発力特性によって左右さ
れ、再現性が低いという課題がある。
【0006】これらのことから、信頼性の高い加圧動作
が実現できないでいる。
【0007】また、両者の接触開始時の速度によって
は、過渡的に衝撃的加圧力が印加される可能性があり、
ボンディングによる悪影響がICチップに残るという課
題がある。
【0008】又、エア圧の切替えによるため、設定変更
のフレキシビキティが低く、最適条件でボンディングで
きないとう課題、及び対象部品の変更時の段取りに時間
がかかるという課題がある。
【0009】例えば、個々のICチップの間で接着部で
あるバンプの高さにばらつきがある場合のインナリード
ボンディングを考えると、バンプ高さが低いICチップ
を加圧する際、ツールがリードを介してバンプに接触す
る前にエア圧が高圧に切替り、ツールがリード及びバン
プに衝撃加圧力を及ぼす可能性が大きかった。その結
果、リードやバンプに応力集中を起こし、リード切れ、
バンプはがれバンプ下層部におけるクラックなどのいわ
ゆるボンディングダメージが発生しやすいという課題が
ある。
【0010】また、このような一括ボンディングにおい
ては、バンプ形成精度に起因したバンプ高さのばらつき
が原因となって、加圧開始時に少数のバンプだけに加圧
力が印加されるのは避けがたい。上記従来技術ではエア
を2段階に切換えることで、低圧にて多数バンプに接触
させてしまうことを意図しているが、接合箇所であるリ
ード・パンプの数が多くなればなるほど、加圧に必要と
される加圧力は増加するので、低圧から高圧への切り替
え時の加圧力変化も大きなものとなる。その結果、上記
ボンディングダメージがやはり発生しやすくなる。
【0011】本発明の第1の目的は、加圧中の実加圧力
を過渡的挙動も含めて、高精度に設定する半導体装置の
製造方法及び装置を提供することにある。
【0012】また、本発明の第2の目的は、加圧力、加
圧力立上り速度、ツールの接触速度などの加圧動作パラ
メータの設定にフレキシビリティをもたせる製造方法及
び装置を提供することにある。
【0013】また、本発明の第3の目的は、過渡的な衝
撃加圧力の発生を回避することによって、加圧対象にダ
メージを残さない加圧動作を実現する製造方法及び装置
を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の第1及び第2の目
的は、ツールが被加圧部品であるICチップ等との間で
及ぼしあう反力を、加圧時において実時間で検出しこれ
をもとにツールの駆動状態を所定の方式に従って変化さ
せることにより達成できる。
【0015】また、第3の目的は、ツールが被加圧部品
に接触する以前のツール速度を所定の方式に従って変化
させ、十分低速度にて両者を接触させることにより達成
できる。これはツール駆動制御を位置もしくは速度の検
出が可能な素子により行い、速度偏差の積分動作を含ん
だ速度サーボ演算を制御装置により行う。
【0016】ここで反力検出は、該反力により弾性変形
を生じる部材のたわみ量を歪ゲージにより電気的に検出
することで達成できる。又、ロードセルを用いて同様に
電気的検出してもよい。
【0017】このようにして検出された反力が所定の望
ましい時間的挙動及び望ましい定常加圧力となるように
ツール駆動部の駆動制御を制御装置により行う。その際
のツール駆動制御は、位置サーボ、速度サーボ、駆動力
サーボのどの様式に従うものでもよく、各サーボにおけ
るパラメータの適切な設定と、上記反力検出値のフィー
ドバック項をとる、という2点に配慮するのみで望まし
い反力制御が実現できる。
【0018】
【作用】実時間で検出された反力の信号は制御装置に取
り込まれる。制御装置内では自動演算が行われ、過渡状
態も含めて反力を所望の値とするために必要なツール駆
動部の動作を実時間で算出している。この算出結果はツ
ール駆動部へ指令信号値として伝えられ、ツール駆動部
はこれに応じた状態にツールを駆動する。即ち、位置サ
ーボであれば指令信号値に応じて位置が変化させられ、
速度サーボであれば指令信号値に応じて速度が変化させ
られ、駆動力サーボであれば指令信号値に応じて駆動力
が変化させられる。
【0019】こうすることにより、各時点の反力値、及
び反力値の過去の経歴に応じて適切なツール駆動が時間
遅れなくなされるため、加圧中の実加圧力を過渡的挙動
も含めて高精度に設定することができる。
【0020】又、上記自動演算に要する時間が無視でき
ない場合には、この時間遅れをも考慮した自動演算方式
を採ることにより、やはり同様に加圧中の実加圧力を過
渡的挙動も含めて高精度に設定することができる。
【0021】上記の制御装置は内部に記憶素子を備え、
入力手段を備えることにより、加圧力、加圧力立上り速
度、ツールの接触速度などの加圧動作パラメータを任意
に設定変更可能であるため、上記パラメータの設定にフ
レキシビリティをもたせることが出来る様になってい
る。
【0022】
【実施例】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。但
し、説明の便宜上、ここではTABインナリードボンデ
ィングを想定して説明して行く。
【0023】図1は本発明による加圧機構の一例であ
る。(a)は正面図、(b)は側面図を示す。ツールテ
ーブルベース124に対してY方向に摺動可能に取付け
られたツールステージ127は、サーボモータ128に
より駆動され、ツールステージ127上にはサーボモー
タ131が固定され、減速機134を介してリンク機構
136の入力リンク136aの角度を変化させうる構成
をとっている。上記リンク機構の出力リンク136cは
摺動案内機構139,140に沿って上下動可能に保持
されており、これと結合されたヘッドベース138及び
ツール7が上下に動きうる構成となっている。
【0024】ヘッドベース138には切欠き部138a
が形成されており、ツール7がICチップ4を加圧する
ことにより図2に示す様に上記切欠き部に弾性変形が生
じ、ヘッドベース上面に保持されたロードセル151を
止めネジに押付け、その際生じる歪信号をロードセルか
ら検出することにより、ツール7がICチップ4を加圧
する総加圧力が任意時点にて検出できる。このように摺
動部のない検出方式により、まさつに起因する誤差を含
むことなく加圧力検出が可能である。但し、切欠き部分
の弾性力がツールの加圧力の一部分とつり合う構造であ
るため、あらかじめ既知の加圧力にて押付け動作を行
い、その時のロードセルの歪信号を測定して較正をして
おかないと、ICチップに印加される実荷重は正確に設
定できない。
【0025】ツールの駆動は、サーボモータ128及び
131に同軸にて配置されているパルスエンコーダ28
及び31の出力パルス信号を図示しない加圧機構制御装
置に入力してサーボモータの回転角度を得て、ツールの
前後方向(Y方向)及び上下方向(Z方向)の位置を得
て、これをもとにサーボモータに出力する電流目標値を
演算することにより行う。又、ツールがICチップと接
触し得る位置からは、上記の加圧力検出も同時並行して
行い、ツールの位置と加圧力検出値の双方の値をもとに
上記演算を行う。
【0026】図3は以上説明した加圧機構を用いたボン
ディング装置の制御ブロック図の一例である。図におい
て、装置全体の管理をする主制御装置41は、接続対象
部品同志のアライメント終了と同時に、加圧機構制御装
置42に対してボンディング指令52を発信する。加圧
機構制御装置42内部ではツール駆動アルゴリズム43
が処理されている。ツール駆動アルゴリズム43は、ツ
ール47がICチップ4と接触することによって受ける
反力をロードセル151により検出し、これを増幅器5
0,A/D変換器51を介して取りこんだ検出値をもと
に、ツールを駆動するサーボモータ131を制御する。
サーボモータ131にはパルスエンコーダ31が取りつ
けられており、このパルスをカウンタ47が処理してツ
ールの位置及び速度の情報を得ている。ツールの駆動は
上記電流目標値に応じてパワーアンプ44がモータの電
流45を所定の値に保つことにより行う。
【0027】以上述べたツール加圧力の反力の検出、ツ
ール位置及び速度の検出、及びツール駆動モータへの出
力の演算のすべては、加圧機構制御装置42内にあるタ
イマにより一定時間間隔で起動がかけられ、動的な加圧
動作を望ましいものとするため操作が行われる。
【0028】加圧機構制御装置42の動作は次の4つの
段階から成る。
【0029】(1)高速にてツールをICチップに接近
させる。
【0030】(2)所定速度にてツールをICチップに
接触させる。
【0031】(3)所定の時間波形に従うように加圧力
を立ち上げて、所定時間の間、加圧する。
【0032】(4)ツールを退避させて加圧結果を主制
御装置41に返信53する。
【0033】図4にはツールの動きをY座標、及びZ座
標を適当に定めて図示した。図において、ツールの前後
移動(Y座標のO〜Ty に相当)は、障害物54の制約
から、Z=0近辺にて行う必要がある。障害物は例えば
テープガイド119(図13参照)である。AzはIC
チップ上方にてツールとICチップとが間違いなく非接
触である点のZ座標で、この値は後述のようにして設計
者或いは作業者が決める。Cz ,Bz は、前回のボンデ
ィング時に、接触を検出した点及び加圧力が設定値に達
した点(以後、それぞれ接触点、加圧点と呼ぶ)のZ座
標である。上述のAz は例えばCz の300μm情報、
或いはBz の500μm上方などと決める。この両者の
うちではCz の方がBz の検出に比べて雑音に敏感なの
で、後者の方が、安定してAz を定められる効果があ
る。但し、どのくらいの距離が余裕として必要かは、加
圧対象のICチップ側の問題であり、装置としては、稼
動中でも必要に応じて上記余裕距離の設定変更できるよ
うになっている。
【0034】以下、図4及び図5に従って(1)〜
(4)の各段階を説明する。
【0035】まず図中(0,Zo)→(0,0)→(T
y ,0)→(Ty ,Az )が(1)に相当する。ここで
は図5(a)に示すブロック図に従った制御演算が、一
定時間間隔ごとに繰り返される。ここでは55は、図3
におけるパワーアンプ44,サーボモータ131、及び
パルスエンコーダ31を統合した特性を示すブロックで
あり、以後モータ系と呼ぶこととする。又、56は時系
列信号の前後2項の差分をとる差分要素、57はサンプ
ルホールド要素、ZはZ変換因子である。又、θ及びθ
r は、Y軸もしくはZ軸のモータ回転角度及びその指令
値を一般的に表現したものとする。
【0036】ここで、図4の(0,Zo)→(0,0)
及び(Ty ,0)→(Ty ,Az )の移動においては、
図5(a)にてθr をZ軸モータの回転角度指令θzr
に、θをZ軸モータの回転角度θz に置換えた演算によ
り、サーボモータ131に対応するモータ系への出力時
系列mz (K)(K=1,2…)を次のように求めればよ
い。
【0037】
【数1】mz (K)=Kpz(θzr(K)−θz(K)) −Kvz(θz (K)−θz(K−1)) ここでθzr(K)は一定値ではなく、与えられた初期位置
と目標位置との間を補間した値を時々刻々取る。一方、
図4の(0,0)→(Ty,0)の移動では、Z軸のか
わりにY軸に対する指令が必要で、
【0038】
【数2】my (K)=Kpy(θyr(K)−θy(K)) −Kvy(θy (K)−θy(K−1)) となる。
【0039】又、図中破線で示したのような経路を移
動することも考えうる。これは、(Ty−r,0)から
(Ty ,r)の間を、(Ty −r cosφ,r sinφ)
(但しφ:0→π/2)に従って移動するもので、この
場合、〔数1〕及び〔数2〕を同時に計算して、mz
(K),my(K)を出力する。
【0040】破線に従うことで当然、動作速度が向上
する。
【0041】又、図中実線に従う場合でも、例えば目
標Y座標θyr がTy に達した後、実際のY座標θy (K)
がTy になるまで待っている「位置決めモード」を省略
することにより近似的に破線のような経路となり時間
を短縮できる。
【0042】なお、図5(a)中の定数Kp,Kdは、
モータ系55のステップ応答を測定することにより公知
の方法で定めることができるので省略する。
【0043】次に図4中の(Ty ,Az )→(Ty ,C
z )の動作について説明する。これは(1)〜(4)の
うちの(2)に相当する。ここでは図5(b)のブロッ
ク図の制御演算がZ方向移動用のサーボモータ131に
対して行われる。即ち、モータ系55の出力である位置
の差分をとったディジタル速度値υ*と制御装置内にあ
らかじめ設定した速度指令値Vrefとの間の偏差を積分
要素59により離散時間積分し、これに定数Kviを乗じ
たものを仮想的に速度指令としたうえで、これとディジ
タル速度値υ*との帰還制御をする。以上の処理は次の
ようになる。
【0044】
【数3】υ*(K)=θz(K)−θz(K−1) i(K)=i(K−1)+Kvi(Vref−υ*(K)) ;i(0)≡0 mz (K)=i(K)−Kvv・υ*(K) ここで用いるKvi,Kvvについても、図5(a)中のK
p,Kdと同様に定めうる。
【0045】図5(b)のように積分動作をとることに
よって、ツールの速度を正確に速度指令値に一致させる
ことが出きるので、モータ軸や摺動案内機構に存在する
摩擦力や重力による影響を打ち消して超低速でツールを
バンプに接触させることができる。
【0046】以上述べた動作によりツールを超低速でI
Cチップに接近させると同時に、ロードセルの信号を監
視して、接触検出する。通常ロードセル信号は雑音が重
畳しているため、本実施例では以下の処理により雑音の
影響を取除いている。即ち、(i)瞬時変化閾値ThrN
より大きい変化があった場合は、(ii)前々検出値との
変化分がThrNより大きい場合は前回検出値を用いて、
(iii) 前々検出値との変化分がThrNより小さい場合は
今回検出値をそのまま用いる。
【0047】この様子を図6(a)に示す。図は横軸に
時間、縦軸に信号レベルをとって、各検出時点の検出信
号を白丸64で示している。点J,L及びNのように、
前回及び前々回の検出信号に対してThrN以上変化した
検出点は修正65され、前回検出値で代替される。黒丸
はこの修正信号66を示す。この場合に適用されている
のは上述の(i),(ii)の条件である。点Kでは条件
(i)は成立つが、前々回との変化分は小さいため
(i)と(iii)とが成立し、修正はおこなわない。こ
の場合、点Jが孤立した雑音となる。点Mは点Lとは変
化分が小さいので上述(i)〜(iii)のどれも成立せ
ず、修正されない。この場合、急峻な信号変化(点L)
を1回遅れで検出したことになる。又、点Pは前回(点
N)とも前々回とも変化が大きく、(i),(ii)によ
り前回のレベルに修正される。この場合も急峻に変化し
続ける信号を1回遅れで検出していることになる。
【0048】この方法によれば、前回と前々回の検出値
を用いるだけの簡単な処理で、単なる雑音と信号の急変
とを1検出間隔の時間遅れのみで弁別でき、雑音と信号
自身の急変との両方を含む信号の正確な検出に効果があ
る。
【0049】以上に加えて接触時の検出では、2段階の
接触閾値を用いている。これは図6の(b),(c),
(d)に示すように、信号値が接触検出第1閾値Thr1
を超えた状態(図中の接触検出準備点68)と、接触検
出第2閾値Thr2を超えた状態(図中の接触検出点6
9)とを順に、しかも連続して通過しなければ接触検出
と判断しない処理である。こうすることで(d)の場合
のように雑音により接触検出閾値を容易に超える場合で
も、接触誤検出に伴って発生する非接触状態からの加圧
力発生を防ぎ、衝撃加圧力が回避できる。
【0050】以上述べた方法で接触が検出されると、処
理段階(3)の加圧力動作を行う。これは図4では、
(Ty ,Cz )→(Ty ,Bz )に対応する。ここでは
図5(c)にてZ方向の制御演算が行われる。ここでT
z はツールの接触基準点、Kfはツール・ICチップ間
の反発力特性62であり、両者間の反発力Fは、
【0051】
【数4】F=Kf・(θz −Tz ) で表せると近似して取扱う。この近似は、ツール・IC
チップ間に衝撃接触や高速加圧がなければほぼ成立す
る。図5(c)は、同図(b)に比べ、制御目標値とし
て与えるものが、ツールの下降速度からツール・ICチ
ップ間の加圧力にとってかわった点、及び帰還できる量
が反発力とツール速度の2種類に増えた点が異なるだけ
で処理の原理と定数設定手法は同じなので省略する。
【0052】但し、加圧力目標値Frは、接触時の加圧
力検出値と、ボンディング中に負荷すべき加圧力とを補
間した値を用いて順次大きくしてゆく。
【0053】以上述べたようにして一定時間加圧力動作
を行った後、動作(4)のツール退避に移る。これは動
作(1)のツール接近と逆動作なので同様に処理可能で
あるので省略する。
【0054】以上述べた動作、処理により、高速かつ正
確なツールの移動及び位置決め、正確かつ信頼性の高い
低衝撃接触及び接触検出、及び正確な加圧力印加が可能
であり、ボンディングの信頼性、再現性の高い、低衝撃
な加圧動作が達成できる効果がある。とくに、図5のよ
うに駆動力算出演算式を切り替えることにより、接触前
と接触後とにそれぞれ適した処理を施せるので、低衝撃
接触に著しい効果がある。
【0055】また、設定すべき目標値を容易に変更可能
であり、ボンディングにおける最適条件の設定に自由度
がある。このため対象ICチップ、リードの種類に応じ
た動作が短時間で設定でき、段取り替えの時間が短くな
る効果、ボンディングの高品質化の効果がある。
【0056】次に若干の代案変形例を説明する。
【0057】〈加圧動作の代案変形例〉接触検出直後に
図5(c)の処理に移らず、そのまま一定速度にて降下
し、その間反力検出値を監視し続け、検出値が真の加圧
力目標値Fref 或いはその近辺に達した時点にて、図5
(c)の処理に移る処理方法も可能である。
【0058】この例では、接触検出の誤判断がなくなる
効果、及び加圧力の立上りの波形の安定性が向上する効
果があり、高品質ボンディングに有利である。
【0059】〈低速下降モード〔数4〕の代案変形例〉
低速にて下降して非衝撃的接触に備える〔数4〕の動作
の替わりに、次式〔数5〕の動作をとる方法も考えう
る。
【0060】
【数5】υ*(K)=θz(K)−θz(K−1) i(K)=i(K−1)+Kvi(Vref−υ*(K)) ;i(0)≡0 mz(K)=i(K)−Kvvυ*(K) −Kf・F(K) これによれば、−Kf・F(K)の加圧力フィードフォワ
ード項により、接触して加圧力検出されると即時的にモ
ータ系駆動力が減じられ、接触直後の衝撃力ピーク値を
低く抑えることができる。
【0061】以上述べたツール上下動機構によって加圧
動作を行わせる際、図7に示すような条件設定を実現で
きる。まず、ツールが接触する対象の反発力特性Kf に
より、加圧力の増加速度すなわち図7における傾きは、
ほぼKf・Vref で与えられる。従って、設定可能なパ
ラメータである低速指令値を任意に変更することにより
加圧力の立上りにおける傾きは任意に実現可能である。
また、加圧力目標値Frefも、プログラム中の一変数と
できるため、任意に変更可能である。
【0062】<バンプ高さ偏りへの応用例>本実施例の
応用例として、ボンディング対象のICチップ上のバン
プに高さ偏りがある場合の処理を述べる。図8は応用例
のフローチャート、図9は本応用例におけるツールとバ
ンプとの挙動を示したものである。
【0063】初期においてツール7はICチップ4およ
びリード2とは離れた状態にある(400)。ボンディ
ング開始の指令があると制御装置42はツールの移動量
を検出してこれを現在値としてメモリに保持する(40
2)。続いて初期加圧力f0を加圧力設定値Fr に代入
したのちツール駆動制御プログラムの繰返し実行にうつ
る。
【0064】まず加圧力が検出され(406)、加圧力
設定値fr に対するサーボ演算動作が行われ、その結果
がツールの駆動力を変化する手段44に出力される(4
08)。続いてツールの移動量が検出され、前回検出し
たときの値x0と比較される(410,412)。x0
xが等しくなくツールが稼動中であれば、加圧力設定値
fr はそのままの値に保持したまま繰返し部分の先頭に
戻る。これはツール7が未だICチップ4に接触してい
ないか、バンプ3を初期加圧力f0以下の加圧力でつぶ
しているかのどちらかの状態に対応する。
【0065】x0とxが等しくなりツールの移動がなか
った場合は加圧力設定fr を増分Δfだけ増加させて繰
返し部分の先頭に戻る(414,416)。これはツー
ル7がバンプ3を加圧したまま両者がつり合っている状
態に相当する。
【0066】この繰返しを加圧力設定値fr が所定のボ
ンディング開始可能加圧力Fcより大きくなるまで続け
た後に、あらかじめ定められたボンディング荷重Fdを
加圧力設定値としたボンディング動作を行い(41
8)、その後ツールを後退させてボンディングを終了す
る(420,422)。
【0067】この際に、Fcの値は充分に多数のバンプ
がツールと接触状態になることを条件として実験的に定
める。図9は上記のアルゴリズムの進行に対応するツー
ル7とバンプ3a,3bとの接触状態の変化を図示した
ものである。ここでは理解の容易さのために、図示する
バンプ3は最も初期にツール7と接触するバンプ3a、
及び加圧力設定値fr がFcより大きくなる以前におい
ても最も遅くツール7と接触状態になったバンプ3bと
の2つのバンプに限っている。
【0068】同図(a)はツール7がどのバンプ3とも
接触せずに初期加圧力fo を設定値として下降している
状態である。(b)はツール7がバンプ3に接触して加
圧力fo でつり合った状態を示している。(c)は加圧
力を次第に増加させながらバンプ3aを押しつぶしなが
らツール7が下降してる状態であり、このとき加圧力は
バンプ3aを押しつぶし続けるのに必要な最小限の値を
とるため、衝撃力や過大な加圧力はバンプ3aにはかか
らない。(d)はツール7下降が更にすすみ、バンプ3
bがツール7と接触する直前の状態である。このときは
バンプ3aを含む所定の個数のバンプ3が、加圧力Fc
−Δfにより押しつぶされていると考えられる。(e)
はバンプ3bがツール7に接触し、加圧力設定値がFc
より大きくなった状態で、この状態からボンディング荷
重をあらかじめ定められた値Fbとした正規のボンディ
ングを行う。
【0069】本応用例によれば、ICチップ4ごとにバ
ンプ3の高さに誤差がある場合でも、ツール7とバンプ
3との接触時における衝撃的な荷重変化があらかじめ定
めた初期加圧力以内に抑えられる効果がある。又、ボン
ディング初期における少数のバンプ3aへの過大な加圧
力が回避される効果がありボンディングダメージ低減に
寄与する。
【0070】次に本発明による加圧機構を用いたTAB
インナボンディング装置につき説明する。
【0071】図10は本発明によるTABインナボンデ
ィング装置の概観図である。
【0072】ベース100の上面101に光学系ベース
102が取付けられ、その上面103に光学系プレート
104が固定されている。この光学系プレート104及
びその先端部105にテープ1上のインナリード2とI
Cチップ4上のバンプ3とのアライメントを行うための
光学系・撮像系が配置されている(図11参照)。18
4はリールプレートであり、ベース上面101に固定さ
れており、リール187を保持している。
【0073】図11は被加圧部付近を拡大した説明図
で、テープ1上に形成した多数のインナリード2を、I
Cチップ4上に形成した同数のバンプ3に接続すること
が作業の目的である。その際、テープ1に対してICチ
ップ4をアライメントするため、ICチップ4は水平面
内にて平行移動・回転移動可能なXYθステージ36上
に固定されたチップステージ6の上に置かれている。接
続は上記多数のインナリード2と、対応するバンプ3と
をアライメントした後、ツール7を下降させて接触・加
圧することにより行う。
【0074】図12は上記装置の主要な機構部分の説明
図である。主要な機構部分は大きく分けて次の4つから
構成されている。
【0075】(1)ツール駆動機構 図12、図13に示すように、124はツールテーブル
ベースであり、一対のスライドガイド125,126を
介して、ツールステージ127が取付けられ、モータ1
28はモータ軸128a、ボールネジ129、ナット1
30を介して、ツールステージ127に取付けられ、モ
ータ128を回動することにより、ツールステージ12
7を矢印B及び矢印C方向にスライドさせることができ
る。
【0076】モータ131はツールステージ127に取
付けられ、モータ軸132、カップリング133、減速
機134、及びピン135で連結されたリング136,
137を介して、上下摺動プレート138に連結されて
いる。上下摺動プレート138はツールステージート1
27に取付けられた一対の摺動案内機構139,140
によって案内され、モータ131を回動することによ
り、上下摺動プレート138が矢印D,E方向にスライ
ドさせることができる。
【0077】図14に示すように、上下摺動プレート1
38の前面には熱圧着用ボンディングツール7を把持
し、ボンディングツール7の下面7aの傾きを調整する
ピッチングプレート143と、ローリングプレート14
4及び、ボンディングツール7の軸部7bを把持する溝
と、押え板146で構成するヘッド147と、ヘッド1
47を上下に摺動可能な状態で保持する一対のスライド
ガイド148,149とこれを取付けるヘッドベース1
50が取付けられている。151はロードセルであり、
ヘッドベース150の上部152とヘッド147の上面
153の間隙に取付けられ、ヘッドベース150が降下
し、チップステージ6上のICチップ4及びインナリー
ド2にボンディングツール7の下面7aが接触し、ヘッ
ド147が停止しスライドガイド148,149を介し
てスライドし、ロードセル151が圧縮され、ボンディ
ング荷重を検出することができる。
【0078】ボンディングツール7は加熱ヒータ154
を取付ける穴155と、熱電対156を取付ける穴15
7が設けられ、固定ネジ158によって、各々取付けら
れており、温度制御ユニット(図示せず)によって、所
定の温度に維持されている。
【0079】この実施例の荷重検出機構は図2の荷重検
出機構と異なり摺動変位をロードセルで検出している。
このため、摩擦力に相当するだけのヒステリシスが誤差
として残る反面、加圧時には荷重が直接にロードセルに
印加されるため、較正の必要はないというメリットがあ
る。
【0080】(2)光学系及び撮像系(図12、図13
参照) 8は落射照明用光源であり、これから出た光はミラー
9、シャッタ(図示せず)、ミラー12、ハーフプリズ
ム13、対物レンズ14を介して、テープ1上のインナ
リード2に投光される。同様に斜方照明用光源16の光
はロータリソレノイド(図示せず)を駆動し、シャッタ
18を開くことにより、ガラスファイバ19、リング照
明装置20を介してICチップ4に投光される。共に反
射光は対物レンズ14、ハーフプリズム13、ミラー2
3、フィールドレンズ、リレーレンズ25、ミラー26
bを介して、2ヵ所のコーナの像がそれぞれTVカメラ
29b及びTVカメラ29aに取り込まれる。
【0081】(3)テープ駆動機構(図12参照) 184はリールプレートであり、送りモータ185が取
付けられ、モータ軸にリール187の角穴をはめ合わせ
る角軸189が取付けられている。192は固定ローラ
であり、リールプレート184に回動可能な状態で保持
されている。
【0082】194はテンションローラであり、リール
プレート184に取付けたスライドガイド195を介し
テンションローラ軸が固定され、ベアリング(図示せ
ず)を介して回動可能な状態で保持されている。
【0083】197はスペーサであり、テープ1と共に
リール187に巻かれている。198はスペーサ用固定
ローラであり、リールプレート184にベアリング(図
示せず)を介して回動可能な状態で保持されている。2
00はテンションローラであり、リールプレート184
に取付けたスライドガイド201を介して、テンション
ローラ軸が固定され、ベアリング(図示せず)を介して
回動可能な状態で保持されている。リールプレート18
4の左右対称な位置には、上記テープ駆動機構と左右対
称に巻取りモータ、リール、テンションローラ、固定ロ
ーラが配置されている。
【0084】リールプレート184には、テンションロ
ーラ194の位置を検出する一対のリミットスイッチ
(図示せず)が取付けられ、スライドガイド195のス
ライド部195aに接触することによって動作し、各
々、送りモータ185及び巻取りモータを駆動し、矢印
G方向にテープを移動する。
【0085】110はパルスモータであり、一対のタイ
ミングプーリ111,112及びタイミングベルト11
3を介して、スプロケットベース114に取付けられ回
動可能な状態で保持されている駆動スプロケット115
が駆動し、テープ1に設けられたスプロケットホール1
bを介して、一定ピッチだけ矢印A方向にテープを搬送
する。
【0086】スプロケットベース114の他方には、ア
イドルスプロケット117が回動可能な状態で保持され
ている。スプロケットベース114はXYZテーブル1
18に取付けられ、パルスモータ駆動ステージ118
a,118b,118cで構成し、スプロケットベース
114を前後、左右、上下に移動させることができる。
スプロケットベース114の中央部にはテープガイド1
19が取付けられ、テープ1のデパイスホール1aの中
心とテープガイド119に設けられたボンディングホー
ル121の中心が光軸106と一致する位置にテープ1
を案内すると共に、テープガイド119の下面は円弧状
に加工が施され、テープ1に適当な張力を加えることに
より、下面に密着させることができる。
【0087】(4)ICチップ供給機構(図12参照) 36はベース100の上面102に取付けられ、水平面
内で前後左右に移動するパルスモータ駆動ステージ36
a,36bと旋回する旋回テーブル36cで構成し、そ
の上部にはICチップ4の下面4bを真空ポンプ(図示
せず)、ソレノイドバルブ107、チップステージ6を
介して、チップステージ上面の中央部108に吸着保持
される。ICチップ4を保持した状態で、旋回テーブル
36cの旋回中心と光軸106とが一致する位置にXY
θステージ36の駆動ステージ36a,36bを動作す
る。
【0088】164はICチップ移載用真空吸着パット
であり、アーム168に取付けられ、アーム168はハ
ンドベース170に上下に摺動可能な状態で保持され、
ハンドベース170に取付けられたエアシリンダ171
のロッド172がアーム168に連結されている。16
7,175はそれぞれパット、及びアームを駆動するエ
ア用のソレノイドバルブである。
【0089】ソレノイドバルブ175を駆動することに
より、アーム168を介して、吸着パット164は上下
にスライドする。
【0090】ハンドベース170は水平面内を前後、左
右に移動するXYステージ176のパルスモータ駆動ス
テージ176a,176bに取付けられている。178
はトレー台であり、上面179にトレー180を一対の
位置決めピンによって位置決めされ、トレー180の上
面には複数箇所の凹部が設けられ、ICチップ4が位置
決めされ予め搭載されている。
【0091】以上の構成において、XYステージ176
を駆動して、トレー180上に吸着パット164を移動
した後、吸着パット164を降下してICチップ4の上
面を真空吸着し、再びアームを上昇させた後、XYステ
ージ176を駆動して、ICチップ4をチップステージ
6に搭載する。
【0092】次にソレノ次にXYθステージ36を駆動
し、旋回テーブル36cの旋回中心が光軸106と一致
する位置に戻す。同時にバルスモータ110を回動し
て、テープ1を一定ピッチだけ矢印F方向に搬送し、テ
ープガイド119のボンディングホール121の中心に
テープ1の中心を一致させる。
【0093】次に光学系・撮像系を動作させて、テープ
1のデバイスホール1a及びICチップ4の拡大画像を
処理装置に取り込み、計算機処理によりテープとICチ
ップとの位置ずれ量を求める。これをもとにしてXYθ
ステージ36を駆動し、基準位置にICチップ4のコー
ナ4c,4dを合わせる。
【0094】以上の動作を繰返し行い上記位置ずれ量を
所定の位置ズレ以内に納める。
【0095】位置合わせが終了した後、前述した加圧機
構の動作を行う。すなわち、モータ128を駆動し、図
13に示すように、前後摺動プレート127を矢印B方
向に移動し、ボンディングツール7をボンディング位置
39に位置合わせを行う。更に、モータ131を駆動し
て、カップリング133、減速機134、ピン135、
リンク136、137、上下摺動プレート138、を介
してヘッドベース150を矢印E方向に降下させる。こ
のとき、ボンディングツール7、ヘッド147を介しロ
ードセル151にはツール7がICチップ4から受ける
反力が検出されるので、この電気信号を制御装置に取り
込み、上記反力検出値と、モータ131の位置、電流指
令値などの駆動状態検出値をもとにして、低速度にてツ
ール7を、インナリード2を介してチップステージ6上
のICチップ4に接触させ、所定の反力が発生するまで
加圧し、所定時間ボンディングツール7を押し付けた
後、再びモータ131及び、モータ128を駆動して元
の位置に戻る。こうして1つのICチップ4とテープ1
上のインナリード2の熱圧着接合を完了する。上記全て
の動作を繰返し行うことによって連続的にインナリード
ボンディングを行うことができる。
【0096】以上の構成を採ることにより、ボンディン
グにおけるツール7とICチップ4との間の加圧力が常
時検出、制御でき、高精度かつ高信頼な全自動ボンディ
ング装置が実現される。この装置では、加圧力、加圧速
度、接触速度などの加圧動作パラメータを容易に変更可
能であり、常に、対象となるICチップ4とインナリー
ド2の種類に応じた動作が自動設定できる効果がある。
【0097】なお、以上の実施例では、TABインナリ
ードボンディング装置に限定して記述してきたが、本発
明は、ツールにより圧着、又は接着を行う技術に適用可
能であり、ダイボンダ、ペレットボンダ、転写バンプ使
用インナリードボンディングにおけるバンプ転写技術、
及びICチップへのインナリードボンディング、ツール
加熱はんだリフロー技術におけるツール加圧動作、およ
び、一般的に面的加圧による圧着・接合・接着技術にも
適用でき、高品質な接合が達成できる効果がある。
【0098】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、加圧
中の実加圧力を過渡的挙動も含めて、高精度に設定する
ことができる。このため、各ボンディング動作における
再現性が高くなり、高品質な加圧機構が実現でき、半導
体素子の製造における信頼性向上、歩留まり向上に効果
がある。
【0099】また、本発明によれば、加圧力、加圧力立
上り速度、ツールの接触速度などの加圧動作パラメータ
の設定にフレキシビリティをもたせることができる。
【0100】さらに、本発明によれば加圧対象にダメー
ジを残さない加圧動作を実現でき、半導体素子の製造に
おける信頼性向上、歩留まり向上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による加圧機構の説明図。
【図2】加圧力検出原理の説明図。
【図3】ツールの駆動制御の回路ブロック図。
【図4】ツールの動きを模式的に示す図。
【図5】図4における各モードの制御演算方式を示すブ
ロック図。
【図6】歪信号の検出方式の説明図。
【図7】加圧機構の条件設定の説明図。
【図8】バンプ高さ偏りへの応用例におけるフローチャ
ート。
【図9】図8におけるツールとバンプとの挙動を示す
図。
【図10】本発明によるTAB装置の全体概念図。
【図11】ボンディング部の拡大斜視図。
【図12】動作部分の斜視図。
【図13】ツールの上下動機構を示す図。
【図14】加圧部の構造を示す斜視図。
【符号の説明】
1…テープ、 2…インナリード、 3…バンプ、 4…ICチップ、 6…チップステージ、 7…ボンディングツール、 124…ツールテーブルベース、 125,126…スライドガイド、 127…前後摺動プレート、 128…モータ、 128a…モータ軸、 129…ボールネジ、 130…ナット、 131…モータ、 132…モータ軸、 133…カップリング、 134…減速機、 135…ピン、 136,137…リンク、 138…上下摺動プレート、 138a…切欠き部、 139,140…スライドガイド、 142…上下摺動プレート前面、 143…ビッチングプレート、 144…ローリングプレート、 146…押え板、 147…ヘッド、 148,149…スライドガイド、 150…ヘッドベース、 151…ロードセル、 152…ヘッドベース上部、 153…ヘッド上面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ICチップの複数個のバンプとキャリアテ
    ープの複数個のインナーリードとを対向させ、前記複数
    個のインナーリードの上から前記複数個のバンプに加圧
    力をかけてインナーリードとバンプとを接合する半導体
    装置の製造方法において、加圧ツールを該インナーリー
    ド及びバンプに向けて所定の速度で移動させると同時に
    加圧ツールがインナーリード及びバンプから受ける反力
    を検出し、予め定めた設定値との大小を比較判定し、 該反力が小さい場合は、前記所定速度を維持し、 該反力が大きい場合は、検出された反力の値に加圧ツー
    ルの加圧力を力制御し、同時に加圧ツールの速度を検出
    し、該速度と前記所定の速度との大小を比較判定し、 該速度が大きい場合は、前記加圧力を維持し、 該速度が小さい場合は、前記設定値に所定の増分を加え
    た値を新たな設定値として置き換え、前記所定の速度で
    加圧ツールの移動を再開し、前記設定値が予め定められ
    ている加圧力目標値になるまで前記ステップを繰り返
    し、加圧ツールをインナーリード及びバンプに加圧する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP20422495A 1995-08-10 1995-08-10 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2765524B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20422495A JP2765524B2 (ja) 1995-08-10 1995-08-10 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20422495A JP2765524B2 (ja) 1995-08-10 1995-08-10 半導体装置の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63222353A Division JP2569142B2 (ja) 1988-09-07 1988-09-07 半導体装置の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0845993A true JPH0845993A (ja) 1996-02-16
JP2765524B2 JP2765524B2 (ja) 1998-06-18

Family

ID=16486899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20422495A Expired - Lifetime JP2765524B2 (ja) 1995-08-10 1995-08-10 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2765524B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059953A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp ダイボンディング装置及び方法及び該装置及び方法により製造された半導体素子
WO2007029524A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Scivax Corporation 圧力を制御した微細加工方法および微細加工装置
JP2009269041A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Tsutsumi Denki:Kk 自動はんだ付け装置
JP2011151255A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Nec Corp 電子部品接合装置及び電子部品接合方法
KR20120081570A (ko) * 2011-01-11 2012-07-19 쥬키 가부시키가이샤 전자부품 실장장치
JP2019096671A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 キヤノンマシナリー株式会社 ボンディング装置およびボンディング方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059953A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp ダイボンディング装置及び方法及び該装置及び方法により製造された半導体素子
WO2007029524A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Scivax Corporation 圧力を制御した微細加工方法および微細加工装置
JP2009269041A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Tsutsumi Denki:Kk 自動はんだ付け装置
JP2011151255A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Nec Corp 電子部品接合装置及び電子部品接合方法
KR20120081570A (ko) * 2011-01-11 2012-07-19 쥬키 가부시키가이샤 전자부품 실장장치
JP2012146762A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Juki Corp 電子部品実装装置
JP2019096671A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 キヤノンマシナリー株式会社 ボンディング装置およびボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2765524B2 (ja) 1998-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102918936B (zh) 电子器件安装装置及其方法
US7513036B2 (en) Method of controlling contact load in electronic component mounting apparatus
JP5638978B2 (ja) マウンタ装置の加圧制御ヘッド
US6337489B1 (en) Bonding apparatus
CN101436560A (zh) 半导体装置的制造装置和半导体装置的制造方法
JPH08122807A (ja) Tcp実装方法
US6467678B2 (en) Wire bonding method and apparatus
JPH0737924A (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JPH0737923A (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JPH0845993A (ja) 半導体装置の製造方法
US11823938B2 (en) Mounting device and mounting method
JP2914850B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
KR100696211B1 (ko) 본딩 장치
JP2817700B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230163096A1 (en) Mounting device and mounting method
JP2569142B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JP3986196B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
KR19980019578A (ko) 반도체 패키지 제조용 디스펜서의 니들 원점 보정장치 (needle origin correcting device of a dispenser)
JP2629658B2 (ja) 電子回路部品の製造方法
JP2006114841A (ja) ボンディング装置
JP2650943B2 (ja) ボンディング方法及び装置
CN115780994A (zh) 全自动球引线键合机的bto校正系统及方法
JPH11243113A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0262059A (ja) 半導体装置の製造方法及び装置
JP2002076049A (ja) ワイヤボンディング装置及び電気部品の製造方法