JPH0845458A - イオン源装置 - Google Patents
イオン源装置Info
- Publication number
- JPH0845458A JPH0845458A JP6197650A JP19765094A JPH0845458A JP H0845458 A JPH0845458 A JP H0845458A JP 6197650 A JP6197650 A JP 6197650A JP 19765094 A JP19765094 A JP 19765094A JP H0845458 A JPH0845458 A JP H0845458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- intermediate plate
- plasma chamber
- cathode
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 永久磁石を用いてマイクロ波プラズマカソー
ド（ＭＰカソード）の電子放出孔の近傍部に軸方向の磁
場を発生し、装置を小型，軽量にする。 【構成】 ＭＰカソード１６の電子放出孔１５の近傍部
に軸方向の磁場を形成する永久磁石３６と、この永久磁
石３６の表面に形成された絶縁膜３７とを備える。
ド（ＭＰカソード）の電子放出孔の近傍部に軸方向の磁
場を発生し、装置を小型，軽量にする。 【構成】 ＭＰカソード１６の電子放出孔１５の近傍部
に軸方向の磁場を形成する永久磁石３６と、この永久磁
石３６の表面に形成された絶縁膜３７とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子供給源としてマイ
クロ波プラズマカソード（ＭＰカソード）を用いたイオ
ン源装置に関する。
クロ波プラズマカソード（ＭＰカソード）を用いたイオ
ン源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種ＭＰカソード型のイオン源
装置は図２に示すように構成され、同図において、１は
非磁性体金属材料の副筐体、２は副筐体１により形成さ
れた副プラズマ室、３，４は副筐体１の両側の強磁性体
金属材料の外蓋，中蓋である。
装置は図２に示すように構成され、同図において、１は
非磁性体金属材料の副筐体、２は副筐体１により形成さ
れた副プラズマ室、３，４は副筐体１の両側の強磁性体
金属材料の外蓋，中蓋である。
【０００３】５は外蓋３に形成された副プラズマ室２の
ガス導入口、６は先端部が外蓋３を介して副プラズマ室
２内に貫入されたマイクロ波導入用の同軸ケーブル、７
は同軸ケーブル６の先端のアンテナ、８は副筐体１の外
側に設けられた環状の永久磁石であり、副プラズマ室２
に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件以上の磁場を
発生する。
ガス導入口、６は先端部が外蓋３を介して副プラズマ室
２内に貫入されたマイクロ波導入用の同軸ケーブル、７
は同軸ケーブル６の先端のアンテナ、８は副筐体１の外
側に設けられた環状の永久磁石であり、副プラズマ室２
に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件以上の磁場を
発生する。
【０００４】９は中蓋４の中央に形成された開孔、１０
は中蓋４に接合したフランジ状の中間板であり、強磁性
体金属材料で形成されている。１１は中間板１０の中央
に形成された開孔であり、開孔９に重合する。１２は中
間板１０の周縁部に形成された延設フランジ、１３は中
間板１０の周縁部に設けられた磁場発生用の電磁コイル
である。
は中蓋４に接合したフランジ状の中間板であり、強磁性
体金属材料で形成されている。１１は中間板１０の中央
に形成された開孔であり、開孔９に重合する。１２は中
間板１０の周縁部に形成された延設フランジ、１３は中
間板１０の周縁部に設けられた磁場発生用の電磁コイル
である。
【０００５】１４は中間板１０，電磁コイル１３との間
に間隙を有する強磁性体金属材料の基蓋、１５は基蓋１
４の中央に形成された電子放出孔であり、開孔１１に重
合する。１６は副筐体１，副プラズマ室２，外蓋３，中
蓋４，アンテナ８，中間板１０，延設フランジ１２，電
磁コイル１３，基蓋１４等が形成するＭＰカソードであ
る、
に間隙を有する強磁性体金属材料の基蓋、１５は基蓋１
４の中央に形成された電子放出孔であり、開孔１１に重
合する。１６は副筐体１，副プラズマ室２，外蓋３，中
蓋４，アンテナ８，中間板１０，延設フランジ１２，電
磁コイル１３，基蓋１４等が形成するＭＰカソードであ
る、
【０００６】１７は非磁性体の金属製の主筐体、１８は
主筐体１７により形成された主プラズマ室、１９，２０
は主筐体１７の両側の形成された開口部、２１は一方の
開口部１９と基蓋１４との間に介在する絶縁体、２２は
他方の開口部２０に取り付けられたイオンビーム引出電
極であり、開口部１９から順の第１電極２３，第２電極
２４，第３電極２５から構成されている。２６は開口部
２０及び各電極２３，２４，２５間に介在する絶縁体、
２７は主筐体１７の外側に設けられたカスプ磁場発生用
の円筒状の永久磁石又は電磁石である。
主筐体１７により形成された主プラズマ室、１９，２０
は主筐体１７の両側の形成された開口部、２１は一方の
開口部１９と基蓋１４との間に介在する絶縁体、２２は
他方の開口部２０に取り付けられたイオンビーム引出電
極であり、開口部１９から順の第１電極２３，第２電極
２４，第３電極２５から構成されている。２６は開口部
２０及び各電極２３，２４，２５間に介在する絶縁体、
２７は主筐体１７の外側に設けられたカスプ磁場発生用
の円筒状の永久磁石又は電磁石である。
【０００７】２８は負極が外蓋３に接続されたカソード
電源であり、正極は基蓋１４に接続されている。２９は
負極がカソード電源２８の正極に接続された放電電源で
あり、正極は主筐体１７に接続されている。３０は正極
が主筐体１７に接続された加速電源であり、負極はアー
スされている。３１は放電電源２９の負極と第１電極２
３との間に設けられた抵抗、３２は負極が第２電極２４
に接続された減速電源であり、正極はアースされてい
る。なお、第３電極２５はアースされている。
電源であり、正極は基蓋１４に接続されている。２９は
負極がカソード電源２８の正極に接続された放電電源で
あり、正極は主筐体１７に接続されている。３０は正極
が主筐体１７に接続された加速電源であり、負極はアー
スされている。３１は放電電源２９の負極と第１電極２
３との間に設けられた抵抗、３２は負極が第２電極２４
に接続された減速電源であり、正極はアースされてい
る。なお、第３電極２５はアースされている。
【０００８】そして、ＭＰカソード１６においては、永
久磁石８及び強磁性体金属材料の外蓋３，中蓋４により
磁気回路が形成され、アンテナ７の近傍にＥＣＲ条件以
上の磁場が形成されている。したがって、ガス導入口５
より副プラズマ室２にガスを供給し、アンテナ７より副
プラズマ室２にマイクロ波を供給することにより、マイ
クロ波放電によって供給ガスが電離され、副プラズマ３
３が形成される。
久磁石８及び強磁性体金属材料の外蓋３，中蓋４により
磁気回路が形成され、アンテナ７の近傍にＥＣＲ条件以
上の磁場が形成されている。したがって、ガス導入口５
より副プラズマ室２にガスを供給し、アンテナ７より副
プラズマ室２にマイクロ波を供給することにより、マイ
クロ波放電によって供給ガスが電離され、副プラズマ３
３が形成される。
【０００９】さらに、中間板１０，基蓋１４が強磁性体
金属材料からなり、電磁コイル１３の通電により、図の
矢印Ｂに示すように電子放出孔１５の近傍に開孔９，１
１，電子放出孔１５を通る軸方向の磁場が形成される。
また、カソード電源２８により中間板１０と基蓋１４と
の間に直流電界が印加される。
金属材料からなり、電磁コイル１３の通電により、図の
矢印Ｂに示すように電子放出孔１５の近傍に開孔９，１
１，電子放出孔１５を通る軸方向の磁場が形成される。
また、カソード電源２８により中間板１０と基蓋１４と
の間に直流電界が印加される。
【００１０】そして、この直流電界の印加と前記軸方向
の磁場とにより、中間板１０と基蓋１４との間の開孔部
に高密度プラズマが閉じこめられる。この高密度プラズ
マの閉じこめにより、主筐体１７と基蓋１４との間に設
けられた放電電源２９の直流電圧印加に基づき、副プラ
ズマ室２より電子放出孔１５を通って主プラズマ室１８
内に電子が効率よく供給され、直流放電による主プラズ
マ３４が形成される。
の磁場とにより、中間板１０と基蓋１４との間の開孔部
に高密度プラズマが閉じこめられる。この高密度プラズ
マの閉じこめにより、主筐体１７と基蓋１４との間に設
けられた放電電源２９の直流電圧印加に基づき、副プラ
ズマ室２より電子放出孔１５を通って主プラズマ室１８
内に電子が効率よく供給され、直流放電による主プラズ
マ３４が形成される。
【００１１】そして、イオン引出電極２２のイオン引き
出し作用により、主プラズマ３４よりイオンビーム３５
が引き出される。
出し作用により、主プラズマ３４よりイオンビーム３５
が引き出される。
【００１２】そして、この種ＭＰカソード型イオン源装
置は、マイクロ波放電によるプラズマを電子供給源と
し、Ｗフィラメント等の熱電子放出材を用いないため、
酸素等の反応性ガスに対しても長時間の連続運転が行え
る利点がある。しかも、ＭＰカソード１６の電子放出孔
１５の近傍部に軸方向の磁場が形成されることにより、
この近傍部の領域に高密度のプラズマが閉じこめられて
輸送され、この結果、電子放出能力が著しく向上する。
置は、マイクロ波放電によるプラズマを電子供給源と
し、Ｗフィラメント等の熱電子放出材を用いないため、
酸素等の反応性ガスに対しても長時間の連続運転が行え
る利点がある。しかも、ＭＰカソード１６の電子放出孔
１５の近傍部に軸方向の磁場が形成されることにより、
この近傍部の領域に高密度のプラズマが閉じこめられて
輸送され、この結果、電子放出能力が著しく向上する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前記図２の従来装置の
場合、ＭＰカソード１６の電子放出孔１５の軸方向の磁
場の発生手段として、電磁コイル１３が使用される。こ
の場合、電磁コイル１３が大径，大型であるため、装置
が非常に大型かつ大重量になり、装置の小型化，軽量化
が図れない問題点がある。
場合、ＭＰカソード１６の電子放出孔１５の軸方向の磁
場の発生手段として、電磁コイル１３が使用される。こ
の場合、電磁コイル１３が大径，大型であるため、装置
が非常に大型かつ大重量になり、装置の小型化，軽量化
が図れない問題点がある。
【００１４】この問題点を解消するため、電磁コイル１
３の代わりに小型の永久磁石を電子放出孔１５の周囲に
設け、小型化，軽量化を図ることが考えられる。この場
合、軸方向の磁場の強度として、中心軸上で最大２〜３
ＫＧ或いはそれ以上の磁束密度が要求されるため、前記
永久磁石を基蓋１４に接合して設けたときは永久磁石と
中間板１０との絶縁間隔を極力小さくする必要があり、
前記永久磁石を中間板１０に接合して設けたときは永久
磁石と基蓋１４との絶縁間隔を極力小さくする必要があ
る。
３の代わりに小型の永久磁石を電子放出孔１５の周囲に
設け、小型化，軽量化を図ることが考えられる。この場
合、軸方向の磁場の強度として、中心軸上で最大２〜３
ＫＧ或いはそれ以上の磁束密度が要求されるため、前記
永久磁石を基蓋１４に接合して設けたときは永久磁石と
中間板１０との絶縁間隔を極力小さくする必要があり、
前記永久磁石を中間板１０に接合して設けたときは永久
磁石と基蓋１４との絶縁間隔を極力小さくする必要があ
る。
【００１５】しかし、永久磁石は一般に導電性を有し、
しかも、その表面に鉄粉等が付着し易いため、前記の絶
縁間隔を小さくすると、永久磁石を介して中間板１０と
基蓋１４とが電気的に容易に接触，短絡する。
しかも、その表面に鉄粉等が付着し易いため、前記の絶
縁間隔を小さくすると、永久磁石を介して中間板１０と
基蓋１４とが電気的に容易に接触，短絡する。
【００１６】そのため、単に電磁コイル１３を永久磁石
に置換えるのみでは、前記の絶縁間隔を小さくすること
ができず、永久磁石によっては十分な磁場強度が得られ
ず、装置の小型化，軽量化は図れない。本発明は、永久
磁石を用いてＭＰカソードの電子放出孔の近傍部に軸方
向の所要の磁場を発生し得るようにし、装置の小型化，
軽量化を図ることを目的とする。
に置換えるのみでは、前記の絶縁間隔を小さくすること
ができず、永久磁石によっては十分な磁場強度が得られ
ず、装置の小型化，軽量化は図れない。本発明は、永久
磁石を用いてＭＰカソードの電子放出孔の近傍部に軸方
向の所要の磁場を発生し得るようにし、装置の小型化，
軽量化を図ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明のイオン源装置においては、ＭＰカソード
の電子放出孔の近傍部に軸方向の磁場を形成する永久磁
石と、この永久磁石の表面に形成された絶縁膜とを備え
る。
めに、本発明のイオン源装置においては、ＭＰカソード
の電子放出孔の近傍部に軸方向の磁場を形成する永久磁
石と、この永久磁石の表面に形成された絶縁膜とを備え
る。
【００１８】
【作用】前記のように構成された本発明のイオン源装置
の場合、従来の電磁コイルの代わりに永久磁石を用いて
ＭＰカソードの電子放出孔の近傍部に軸方向の磁場が形
成される。さらに、前記永久磁石は表面が絶縁膜により
コーティングされ、電気的絶縁が図られる。そのため、
小型の永久磁石を用いて軸方向の所要の磁場が得られ、
装置の小型化，軽量化が実現する。
の場合、従来の電磁コイルの代わりに永久磁石を用いて
ＭＰカソードの電子放出孔の近傍部に軸方向の磁場が形
成される。さらに、前記永久磁石は表面が絶縁膜により
コーティングされ、電気的絶縁が図られる。そのため、
小型の永久磁石を用いて軸方向の所要の磁場が得られ、
装置の小型化，軽量化が実現する。
【００１９】
１実施例について、図１を参照して説明する。図１にお
いて、図２と同一符号は同一もしくは相当するものを示
し、異なる点は、図２の電磁コイル１３を省き、基蓋１
４の中間板１０側の面に電子放出孔１５を囲む環状の永
久磁石３６を設け、この磁石３６の表面にフッ素樹脂，
窒化ホウ素，窒化アルミニウム，酸化珪素，窒化珪素，
酸化タンタル又はＳｉＯＮからなる絶縁膜３７を形成し
た点である。なお、永久磁石３６と中間板１０との間に
は、磁場の大きさを調整する１ｍｍ以下の微小間隙が設
けられている。
いて、図２と同一符号は同一もしくは相当するものを示
し、異なる点は、図２の電磁コイル１３を省き、基蓋１
４の中間板１０側の面に電子放出孔１５を囲む環状の永
久磁石３６を設け、この磁石３６の表面にフッ素樹脂，
窒化ホウ素，窒化アルミニウム，酸化珪素，窒化珪素，
酸化タンタル又はＳｉＯＮからなる絶縁膜３７を形成し
た点である。なお、永久磁石３６と中間板１０との間に
は、磁場の大きさを調整する１ｍｍ以下の微小間隙が設
けられている。
【００２０】また、永久磁石３６は中間板１０に対向す
る一面がＮ極，基蓋１４側の他面がＮ極に設定され、永
久磁石８は図２の場合と逆極性に設けられている。そし
て、副プラズマ室２のマイクロ波放電により副プラズマ
３３が発生する。
る一面がＮ極，基蓋１４側の他面がＮ極に設定され、永
久磁石８は図２の場合と逆極性に設けられている。そし
て、副プラズマ室２のマイクロ波放電により副プラズマ
３３が発生する。
【００２１】さらに、永久磁石３６及び中間板１０，基
蓋１４の磁気回路により、従来の電磁コイル１３を設け
た場合と同様の矢印Ｂに示す軸方向の磁場が形成され
る。そして、この軸方向の磁場とカソード電源２８によ
る中間板１０，基蓋１４間の直流電界の印加とにより、
中間板１０と基蓋１４との間の開孔部分に高密度プラズ
マが閉じこめられる。
蓋１４の磁気回路により、従来の電磁コイル１３を設け
た場合と同様の矢印Ｂに示す軸方向の磁場が形成され
る。そして、この軸方向の磁場とカソード電源２８によ
る中間板１０，基蓋１４間の直流電界の印加とにより、
中間板１０と基蓋１４との間の開孔部分に高密度プラズ
マが閉じこめられる。
【００２２】また、主筐体１７と基蓋１４との間に設け
られた放電電源２９の直流電圧印加により、副プラズマ
室２から電子放出孔１５を通って主プラズマ室１８内に
電子が供給され、直流放電による主プラズマ３４が形成
される。さらに、イオン引出電極２２のイオン引き出し
作用により、主プラズマ３４よりイオンビーム３５が引
き出される。
られた放電電源２９の直流電圧印加により、副プラズマ
室２から電子放出孔１５を通って主プラズマ室１８内に
電子が供給され、直流放電による主プラズマ３４が形成
される。さらに、イオン引出電極２２のイオン引き出し
作用により、主プラズマ３４よりイオンビーム３５が引
き出される。
【００２３】そして、永久磁石３６の表面が絶縁膜３７
によりコーティングされてその電気的絶縁が図られるた
め、基蓋１４の中間板１０側の電子放出孔１５の同図に
永久磁石３６を設け、中間板１０と基蓋１４との絶縁間
隙を極力小さくしても、永久磁石３６を介して中間板１
０と基蓋１４とが電気的に接触，短絡せず、前記軸方向
の磁場の発生に小型の永久磁石を用いて装置が形成さ
れ、装置の小型化，軽量化が図られる。
によりコーティングされてその電気的絶縁が図られるた
め、基蓋１４の中間板１０側の電子放出孔１５の同図に
永久磁石３６を設け、中間板１０と基蓋１４との絶縁間
隙を極力小さくしても、永久磁石３６を介して中間板１
０と基蓋１４とが電気的に接触，短絡せず、前記軸方向
の磁場の発生に小型の永久磁石を用いて装置が形成さ
れ、装置の小型化，軽量化が図られる。
【００２４】また、絶縁膜３７のコーティングにより永
久磁石３６の表面に付着した鉄粉等を取り除き易いとい
う利点もある。さらに、絶縁膜３７を用いるため、絶縁
部材の割れ，欠けという危険性もなくなる。
久磁石３６の表面に付着した鉄粉等を取り除き易いとい
う利点もある。さらに、絶縁膜３７を用いるため、絶縁
部材の割れ，欠けという危険性もなくなる。
【００２５】そして、絶縁膜３７は永久磁石３６の表面
の一部に形成してもよい。また、永久磁石３６を中間板
１０の基蓋１４側の面に設けてもよい。
の一部に形成してもよい。また、永久磁石３６を中間板
１０の基蓋１４側の面に設けてもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、以下に記載する効果を奏する。従来の電磁
コイルの代わりに永久磁石３６を用いてＭＰカソード１
６の電子放出孔１５の近傍部に軸方向の磁場が形成さ
れ、しかも、永久磁石３６はその表面が絶縁膜３７によ
りコーティングされて電気的絶縁が図られるため、小型
の永久磁石を用いて軸方向の所要の磁場を得ることがで
き、装置の小型化，軽量化を図ることができる。
ているため、以下に記載する効果を奏する。従来の電磁
コイルの代わりに永久磁石３６を用いてＭＰカソード１
６の電子放出孔１５の近傍部に軸方向の磁場が形成さ
れ、しかも、永久磁石３６はその表面が絶縁膜３７によ
りコーティングされて電気的絶縁が図られるため、小型
の永久磁石を用いて軸方向の所要の磁場を得ることがで
き、装置の小型化，軽量化を図ることができる。
【図１】本発明の１実施例の切断正面図である。
【図２】従来例の切断正面図である。
２ 副プラズマ室 １５ 電子放出孔 １６ ＭＰカソード １８ 主プラズマ室 ２２ イオン引出電極 ３６ 永久磁石 ３７ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波放電により副プラズマ室に生
成したプラズマを電子供給源とするマイクロ波プラズマ
カソード（以下ＭＰカソードという）と、 前記ＭＰカソードの電子放出孔から電子が供給され，直
流放電により生成した主プラズマを生成する主プラズマ
室と、 前記主プラズマ室の前記ＭＰカソードに対向する位置に
設けられ，前記主プラズマからイオンビームを引き出す
イオン引出電極とを備えたイオン源装置において、 前記電子放出孔の近傍部に軸方向の磁場を形成する永久
磁石と、 前記永久磁石の表面に形成された絶縁膜とを備えたこと
を特徴とするイオン源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197650A JPH0845458A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | イオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197650A JPH0845458A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | イオン源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845458A true JPH0845458A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16378032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6197650A Pending JPH0845458A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | イオン源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100821837B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2008-04-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온주입기의 매니플레이터 |
| CN113611586A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-05 | 安徽费曼尔科技有限公司 | 一种ecr离子源装置 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP6197650A patent/JPH0845458A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100821837B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2008-04-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온주입기의 매니플레이터 |
| CN113611586A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-05 | 安徽费曼尔科技有限公司 | 一种ecr离子源装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5198718A (en) | Filamentless ion source for thin film processing and surface modification | |
| JP2959508B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| KR101146071B1 (ko) | 이온화 물리적 기상 증착용의 자성적으로 향상된 용량 플라즈마 소스 | |
| US6224725B1 (en) | Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode | |
| JPH0812856B2 (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| US6150764A (en) | Tandem hall field plasma accelerator | |
| US4597847A (en) | Non-magnetic sputtering target | |
| US5896012A (en) | Metal ion plasma generator having magnetic field forming device located such that a triggering is between the magnetic field forming device and an anode | |
| JPH0845458A (ja) | イオン源装置 | |
| WO1989010428A1 (en) | Method and apparatus for magnetron sputtering | |
| JP3010978B2 (ja) | イオン源装置 | |
| JPH06310065A (ja) | イオン源装置 | |
| US5506405A (en) | Excitation atomic beam source | |
| JPH09259781A (ja) | イオン源装置 | |
| JP3529445B2 (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| JPH0752635B2 (ja) | イオン源装置 | |
| JPH0845457A (ja) | イオン源装置 | |
| JPH0845459A (ja) | イオン源装置 | |
| JP3379227B2 (ja) | イオン源装置 | |
| JPH0696680A (ja) | 金属イオン源 | |
| JPH0619961B2 (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| JP2870473B2 (ja) | イオン源装置 | |
| JP2571894Y2 (ja) | イオン源 | |
| JP6952997B2 (ja) | ミラー磁場発生装置およびｅｃｒイオン源装置 | |
| JP2834147B2 (ja) | 荷電粒子ビームの形成方法 |