JPH0843291A - 排気ポンプを含む装置に於ける粒子モニタリング方法及び装置 - Google Patents

排気ポンプを含む装置に於ける粒子モニタリング方法及び装置

Info

Publication number
JPH0843291A
JPH0843291A JP7072338A JP7233895A JPH0843291A JP H0843291 A JPH0843291 A JP H0843291A JP 7072338 A JP7072338 A JP 7072338A JP 7233895 A JP7233895 A JP 7233895A JP H0843291 A JPH0843291 A JP H0843291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particle
detector
process chamber
exhaust line
pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7072338A
Other languages
English (en)
Inventor
G Borden Peter
ピーター・ジー・ボーデン
Derek G Aqui
デレック・ジー・アクイ
Matt A Evanko
マット・エイ・エバンコ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HIGH YIELD TECHNOL Inc
HIGH YIELD Technology
Original Assignee
HIGH YIELD TECHNOL Inc
HIGH YIELD Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HIGH YIELD TECHNOL Inc, HIGH YIELD Technology filed Critical HIGH YIELD TECHNOL Inc
Publication of JPH0843291A publication Critical patent/JPH0843291A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02Investigating particle size or size distribution

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポンプの上流での粒子モニタリングを実現
する方法及び装置を提供すること。 【構成】 本発明による装置は、局所的なプラズマ光
に対して感度が低くなるようにスロットル弁に取り付け
られた粒子センサを備える。さらに、この粒子センサは
この粒子センサから発せられる粒子モニタリング用レー
ザ光がパイプの中心軸からずれて位置するように配置さ
れており、レーザ光がバタフライ弁のプレートによって
パイプの周辺部へ中心から離れるように流れるプロセス
ガス流に対して最大限に露出されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、製造装置の粒子モニタ
の設計及び配置に関する。特に、例えばプラズマエッチ
ングチャンバのような半導体プロセスに用いられる低圧
チャンバ中の粒子モニタの設計及び配置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハの製造プロセスに於いて
は、真空プロセス装置(“プロセスツール”と呼ばれ
る)の粒子汚染が、歩留まりの悪化の最も大きな原因の
1つとなっている。そのため、プロセス進行中には粒子
レベルを検出するための粒子モニタがプロセスチャンバ
に設置される。
【0003】プロセスチャンバ内の粒子をモニタリング
するためによく用いられている方法の1つとして、プロ
セスツールの排気ラインに、レーザを用いた粒子モニタ
を置いているものがある。このようなレーザを用いたモ
ニタでは、プロセスチャンバからの排ガスは粒子モニタ
を通過するが、この時、排ガスに含まれる粒子はレーザ
光を散乱することによって検出される。このような粒子
モニタに於けるレーザ光散乱は、レーザを横切る粒子が
レーザ光を粒子モニタの光セル(photocell)
へ向けて散乱するときに発生する。光セルは、散乱光を
受光すると、粒子の存在を示す電気的なパルスを発生す
る。レーザを用いたセンサと技術については、例えば、
(i)P.Bordenらに付与された米国特許第4,
804,853号(名称“Compact Parti
cle Flux Monitor”、serial
no.07/041,795、1987年4月23日出
願、1989年2月14日特許権発行)、(ii)P.
Bordenらに再発行された米国特許第Re.33,
213号(名称“Light Scattering
Particle Detector for Wat
er Processing Equipment”、
1986年9月16日出願、1988年4月19日特許
権発行、1990年5月8日に特許権再発行)、(ii
i)P.Bordenらに付与された“High Se
nsitivity,Large Detection
Area Particle Sensor for
Vacuum Applications”という名
称の米国特許第5,132,548号及び米国特許第
5,266,798号(それぞれ、sirial n
o.は07/582,718及び07/742,79
8、特許権発行日は1992年7月21日及び1993
年11月30日、出願日は1990年9月17日及び1
991年8月8日)の各明細書に記載されている。さら
に、レーザを用いた粒子モニタリング法についての検討
が、“PG Borden、10 part seri
es in Microcontamination
Magazine、Jan.、Feb.、Mar.、A
pr.、May.、Aug.、Sept.、Oct.、
Nov.、and Dec.issues、1991”
に見られる。
【0004】しかしながら、従来の粒子モニタが実用的
でないような装置もある。そのような装置の1つにプラ
ズマチャンバのような低圧プラズマ装置があるが、その
ような装置では、ターボポンプを用いてプラズマエッチ
ングに必要とされる低圧を維持している。ターボポンプ
は原理的にはプロペラと同じであり、高速回転する複数
のブレード(羽)の付いたロータを用いてプロセスチャ
ンバから流出する排ガス流を生成する。このようなポン
プについては、例えば“High−Vacuum Te
chnology、by Marsbed H.Hab
lanian、Marcel Dekker、New
York(1990)、section7.2、pp.
235−237”に述べられている。
【0005】図1は、ポンプを含むプラズマエッチング
装置の典型的な構成100を示している。このプラズマ
エッチング装置の中で1つまたは複数の半導体ウェハの
処理が行われる。図1に示されているプロセスチャンバ
101は、複数の電極(図示せず)を含み、これらの電
極はプラズマを維持するのに用いられる。装置の動作
中、プロセスガスが電極の1つにある複数の微細孔(通
常“シャワーヘッド”と呼ばれる)を通して導入され
る。プロセスチャンバ101の内部では、電極によって
生成されたプラズマと残りのガス流が露出された半導体
ウェハの表面を均一に流れ、それによってプロセス過程
に於いて化学反応(例えば誘電体フィルムのエッチング
など)が起こる。化学反応後の排ガスはターボポンプ1
50によって引き出される。通常の機械式ポンプ(図示
せず)がターボポンプ150に接続されており、最終的
に排ガスを大気へと引き出す。
【0006】構成100では、バタフライ弁120が通
常用いられており、プロセスチャンバ101内の圧力を
維持している。バタフライ弁120はドライブシャフト
103に取り付けられた円形プレート102を有し、ド
ライブシャフト103はモータ104によって駆動され
る。バタフライ弁120をその内側に囲い込むポンプラ
イン105も含めたバタフライ弁アセンブリ全体は、溶
接物(weldment)とも呼ばれる。バタフライ弁
120に於いては、円形プレート102の位置が可変で
あることによって、ターボポンプ150の上方の開口を
限定する度合いを変えることができる。開口を限定する
度合いは円形プレート102の角度によって変わる。例
えば、円形プレート102の面がポンプライン105の
軸に対して垂直の場合、限定度合いは最大となり、チャ
ンバからターボポンプへのガスの流れは概ね完全にブロ
ックされる。しかし、円形プレート102の面がポンプ
ライン105の軸に沿って寝ているときはプロセスチャ
ンバからターボポンプへのガスの流れは概ねブロックさ
れない。もちろん、円形プレートの角度がこの間にある
ときは、限定度合いは異なってくる。通常、円形プレー
ト102の角度は、プロセスチャンバ101内に置かれ
た圧力センサを含むフィードバックループによって制御
され、プロセスチャンバ101内の圧力が一定になるよ
うにされる。別の方法として、バタフライ弁120の代
わりにリニアゲート弁を用いて圧力制御を行うこともで
きる。リニアゲート弁は平らなプレートからなり、この
プレートはポンプラインの開口を横切ってスライドす
る。バタフライ弁120と同様に、リニアゲート弁の平
らなゲートの位置によってポンプラインの流れの限定度
合いが決定される。従って、リニアゲート弁についての
さらなる説明は省略する。
【0007】粒子モニタリングは、プロセスチャンバ1
01とターボポンプ150の間の排ガス流の一部で行わ
れるのが本来理想的である。その領域は、“ポンプの上
流(above the pump)”と呼ばれる。し
かし、後に述べる困難さのため、これまで粒子モニタリ
ングは“ポンプの上流”で行われておらず、それどころ
か、粒子モニタリングは通常“ポンプの下流(afte
r the pump)”(すなわちターボポンプ15
0の下流)で行われている。例えば、図1では、粒子モ
ニタ152はパイプ151に取り付けられている。ポン
プ下流での粒子モニタリングは、ターボポンプ150の
動作によってガスの混合が激しく行われるため、望まし
くない。ガスの混合は、ターボポンプ150のブレード
またはブレード表面の境界層へのガスの物理的な衝突の
結果起こる。その結果、ターボポンプ150内で化学反
応が起こり、ブレードやポンプベアリングによって粒子
が取り除かれたり、ガスに粒子がつけ加わったりする。
【0008】しかし、ポンプ上流での粒子モニタリング
は様々な理由により従来は行われていない。第1に、タ
ーボポンプ150の入り口は通常プロセスチャンバ10
1にできるだけ近づけてあり、ターボポンプ150とプ
ロセスチャンバ101との間の領域はプラズマからの強
力なグロー光で満たされているということがある。この
強いグロー光は、粒子のモニタリングのための暗視野セ
ンサに用いられる強度の低い散乱光を圧倒してしまうこ
とがある。第2に、プロセスチャンバ101とターボポ
ンプ150の間の領域のガス速度は、圧力が低いために
比較的速いということがある。この領域では、10〜2
0m/secの範囲の速度が普通である。この速度の粒
子は暗視野センサでは効率的にモニタすることができな
い。というのは、暗視野センサの最大感度領域は通常よ
り遅い速度にあるためである。第3には、ターボポンプ
150とプロセスチャンバ101との間の領域には、少
なくともレーザ光源と大面積ピックアップレンズとビー
ムストップとを有する暗視野センサを組み込むのに適し
たスペースがないということがある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、プロセスチャンバの排気ラインに於いてポンプの上
流で粒子モニタリングを行うことのできる方法及び装置
を提供することである。
【0010】
【課題を達成するための手段】本発明によると、プロセ
スチャンバの排気ラインで粒子モニタリングをする方法
及び装置が提供される。本発明は、前記排気ラインの開
口を限定するスロットル弁を備えたプロセスチャンバの
排気ラインに適用することができる。本発明による方法
は、(i)前記スロットル弁が部分的に開いていると
き、このスロットル弁によって形成された開口をレーザ
光が横切るようにレーザ光を配置する過程と、(ii)
前記レーザ光の当たった粒子を検出するための検出器を
配置する過程とを含む。一実施例では、レーザ光は排気
ラインの主軸からずらして配置される。
【0011】一実施例では、本発明によるレーザ光は明
視野粒子センサ(bright field part
icle sensor)によって供給される。別の実
施例では、検出器は散乱光を集めるように配置される。
さらに、狭帯域光フィルタを用いてプロセスチャンバ内
のプラズマのグロー光によるノイズを減少させることも
できる。本発明では、スロットル弁としていろいろなタ
イプのスロットル弁(例えば、バタフライ弁やリニアゲ
ート弁)を組み込むことができる。
【0012】本発明は以下の実施例と添付の図面によっ
て、よりよく理解されるだろう。
【0013】
【作用】上述のように、粒子センサを配置することによ
り、ポンプの上流に於ける粒子モニタリングが可能とな
る。
【0014】
【実施例】本発明は、ポンプの上流に於いて、プラズマ
のグロー光がある場合にも効果的な粒子モニタリングを
行うのに適用することができる。この目的を達成するた
め、本発明では、プラズマのグロー光に対して比較的感
度が低いセンサを用いており、さらに通常の動作条件の
下で、バタフライ弁が僅かにしか開いていないというこ
とを利用している。バタフライ弁が少ししか開いていな
いとき、プロセスガス流の大部分、従って粒子の大部分
は比較的狭い開口を通ることになる。
【0015】本発明の一実施例を図2に示す。図2で、
粒子センサ205のレーザ光206は、ポンプラインの
開口251を横切り、バタフライ弁220の軸と平行に
照射されている。レーザ光206は中心線(すなわち、
ドライブシャフト203に沿った線)からずれた位置に
配置されており、それによってレーザ光206は、バタ
フライ弁220が部分的にポンプラインの開口251を
限定しているようなプラズマエッチングプロセスの通常
動作中、ガス流の通過する通り道にあることになる。
【0016】図2の構成で粒子センサ205の位置はポ
ンプの上流で粒子モニタリングをするような位置にある
が、このことは粒子モニタリング分野の当業者にとって
当たり前のことではない。それには少なくとも2つの理
由がある。1つは、ターボポンプを用いたエッチングシ
ステムは通常非常に低い圧力で動作するため、ガス流は
軽すぎて粒子を浮遊させることができないと信じられて
いるということがある。従って、従来の知識によると、
粒子を粒子モニタのレーザ光へと誘導するのにガス流が
与える影響は限られたものであると信じられている。2
つめには、近くにあるプロセスチャンバ内のプラズマの
グロー光による干渉のため、この手の応用に対して粒子
センサの感度は低すぎると通常考えられているというこ
とがある。
【0017】しかし、従来は、バタフライ弁が通常動作
位置にあるとき、パイプライ弁の開口251を通過する
ガス流の大きさは、プロセスチャンバ内にしばしば存在
するタイプの粒子を浮遊させるのに実は十分であるとい
うことを考慮していない。これらの粒子はプロセスチャ
ンバ内に固定された部品のコーティングから発生する。
これらの粒子は、表面積が大きく質量は軽いという傾向
があり、通常、球状粒子(sphere)というより
は、むしろ薄片(flake)のような挙動を示す。さ
らに、ターボポンプの取り付けに於いては、通常、比較
的直線的で、湾曲部がないようにされることが多く、こ
のため湾曲部での球心加速度によって低圧ガス流から粒
子が損失するのを避けることができる。その結果、例え
ば5〜10mTorrといった低圧に於いても、粒子を
ターボポンプ150へと移動させるのに十分なガス流が
存在する。それと同時に、これらの比較的大きな表面積
を持つ粒子のサイズは通常0.3μmを越えている。こ
れらの要因が組合わさることにより、本発明では、従来
の粒子センサを用いて非常に低い圧力のガス流での粒子
の検出に成功している。
【0018】図3は、図2に示した構成を側面から見た
図である。レーザ光206は、バタフライ弁のプレート
202の動作位置が角度を持っていることによって、ガ
ス流がターボポンプに向かって集まってきているところ
に位置している。図3は溶接物220の断面から見たと
き、バタフライ弁のプレート202が角度θで位置して
いる様子を表している。結果としてガス流は自由粒子を
運び、レーザ光206を横切るように流れる。粒子セン
サ205の一般的な動作パラメータは以下のように計算
される。
【0019】まず、ポンプラインの開口251の有効面
積A(すなわち、ポンプライン251の総面積からバタ
フライ弁溶接物220によって限定された面積を差し引
いた面積)は、(式1)によって与えられる。 A=π(d/2)2×(1−cosθ) (式1) ここで、dはバタフライ弁溶接物220の直径であり、
θは弁のプレート202の角度である(θ=0のとき、
ポンプラインの開口251を流れるガス流は完全に妨げ
られる)。
【0020】従って、ポンプの開口251の有効面積を
通って流れるガスの速度は、以下の(式2)で与えられ
る。 v=V/A (式2) ここでVはポンプによって引かれるガスの体積であり、
Aは上記に計算された有効面積である。
【0021】従って、典型的なプロセスパラメータ(圧
力30mTorr、ガス流150sccm(stand
ard cubic centimeters per
minute)、弁のプレートの角度30°、溶接物
220の直径6インチ)に対して、ガス速度は、ポンプ
ラインの開口251の最も狭い部分で30m/sec、
最も広い部分で3.5m/secとなる。プロセスチャ
ンバ内ではガス速度はずっと遅いが、それはチャンバの
大きさはバタフライ弁220の大きさに比べ非常に大き
いためである。例えば、チャンバの直径が18インチだ
とすると、平均ガス速度は、ポンプラインの開口251
に於けるガス速度の概ね10%、すなわち、約0.35
m/secとなる。この低圧及び低速度が組み合わさっ
た条件の下で、粒子の動きは概ねガス流の動きに追従す
る。図2に於いて、粒子センサ205はバタフライ弁の
プレート202内、またはその近くに置かれている。こ
の実施例では、レーザ光206は、6インチの直径を有
する溶接物中のポンプラインの開口251の軸から2.
75インチだけずれた位置に配置してある。レーザ光2
06は、通常動作時にガスが流れる狭い開口を横切るよ
うに照射されている。粒子センサ205を実現するのに
適した粒子センサは明視野(brightfield)
または疑似明視野(quasi bright fie
ld)粒子センサである。このような粒子センサの一例
が、Peter Bordenらによる継続中の米国特
許出願“Quasi−Bright Field Pa
rticle Sensor”(1993年4月1日出
願、serial no.08/041,070、この
出願は本特許出願の譲受け人であるHigh Yiel
d Technology社に譲渡された)明細書に開
示されている。明視野または疑似明視野粒子センサの背
景情報を提供するため、ここで言及したことによりこの
係属中の特許出願全体を本出願の一部とされたい。な
お、この特許出願は、日本では1994年4月1日に特
願平6−88075として出願されている。このような
センサは比較的プラズマのグロー光に強く、速度応答性
(velocity response)がよい。この
ようなセンサの速度応答性は検出器の帯域と光線の幅と
によって決まる。前記継続中の特許出願のに述べられて
いるシステムでは、焦点距離を長くすることによって比
較的幅の広い光線を供給することにより、所望の速度で
ある30m/secにまで達する速度応答性を得てい
る。
【0022】粒子センサ205で、実際のセンサ光学器
材は溶接物220から凹んだ所に配置されている。この
ように凹んだ位置にセンサ光学器材を配置することによ
って光学器材がプロセスの副産物によってコーティング
されるのを防ぐことができ、またプロセスチャンバ内の
プラズマのグロー光によって生成されるノイズの粒子セ
ンサ205に対する影響も減少される。さらに、粒子セ
ンサ205のハウジングを加熱して、プロセス副産物の
粒子センサ205の露出面への堆積を遅らせることもで
きる。ポンプラインやポンプシステムの加熱は、プロセ
ス副産物の堆積を遅らせるためにプロセス装置ではよく
用いられる技術である。
【0023】別の方法として、粒子センサ205を暗視
野粒子センサによって構成することもできる。このよう
な暗視野粒子センサでは、ピックアップ光学器材はレー
ザ光205の軸に対してある角度(例えば90°)で配
置され散乱光を収集する。暗視野粒子センサを用いる場
合、ピックアップ光学器材は、粒子センサ205のプラ
ズマのグロー光に対する感度を低くするようにレーザ光
206の波長に合わせてチューニングされた狭帯域光学
フィルタを備えている方がよい。前記継続中の特許出願
明細書中に述べられている明視野センサと同じように、
幅の広い光線と注意深く選択された検出帯域幅とを有す
る暗視野センサは、このような装置の速度応答性を達成
することができる。もちろん、暗視野センサは散乱光を
収集するため適当な場所に収容する必要のあるより多く
の光学器材を含む。
【0024】上述の詳細な説明は、本発明の特定の実施
例に対して行ったが、それは本発明を限定することを意
図したものではない。多くの変形変更が本発明の請求の
範囲内で可能である。本発明は、特許請求の範囲によっ
て確定される。
【0025】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ターボ
ポンプの上流で粒子のモニタリングができるため、ポン
プによるガスの混合の影響を受けることなく精度のよい
粒子のモニタリングをすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、低圧プロセスチャンバ101のポンプ
を含む典型的な構成100を示している。
【図2】図2は、本発明に従って粒子センサ205を備
えたバタフライ弁マニホルド(manifold)22
0の上面図である。
【図3】図3は、図2に示した実施例に於いて、プロセ
スチャンバ201からの粒子を運搬する排ガスが、どの
ように粒子センサ205のレーザ光206を横切って流
れるかを示した図である。
【符号の説明】
100 ポンプを含むプラズマエッチング装置の典型的
な構成 101 プロセスチャンバ 102 円形プレート 103 ドライブシャフト 104 モータ 105 ポンプライン 120 バタフライ弁 150 ターボポンプ 151 パイプ 152 粒子モニタ 202 バタフライ弁のプレート 203 ドライブシャフト 205 粒子センサ 206 レーザ光 207 フランジ 220 バタフライ弁(溶接物) 251 ポンプラインの開口 θ プレート202が配置される角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デレック・ジー・アクイ アメリカ合衆国カリフォルニア州95129・ サンノゼ・#108・アルバニーサークル 4661 (72)発明者 マット・エイ・エバンコ アメリカ合衆国ニューメキシコ州87043・ プラシタス・プラシタストレイルズロード 12

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プロセスチャンバの排気ラインで粒子
    モニタリングをする方法であって、前記排気ラインは該
    排気ラインの開口を限定するスロットル弁を備えてお
    り、該方法は、 部分的に開いた前記スロットル弁によって形成された開
    口を横切るようにレーザ光を配置する過程と、 前記レーザ光の当たった粒子を検出するための検出器を
    配置する過程とを含むことを特徴とする粒子モニタリン
    グ方法。
  2. 【請求項2】 前記レーザ光を配置する過程が、前記
    レーザ光を前記排気ラインの主軸からずらして配置する
    過程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記検出器を配置する過程で、明視野
    粒子センサの一部である検出器を用いることを特徴とす
    る請求項1に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記検出器を配置する過程で、前記検
    出器を散乱光を集めるように配置することを特徴とする
    請求項1に記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記プロセスチャンバ内のプラズマに
    よるノイズを減少させるための狭帯域光フィルタを用い
    る過程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の
    方法。
  6. 【請求項6】 前記スロットル弁がバタフライ弁であ
    ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記スロットル弁がリニアゲート弁で
    あることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 【請求項8】 プロセスチャンバの排気ラインで粒子
    モニタリングをするための装置であって、前記排気ライ
    ンは該排気ラインの開口を限定するスロットル弁を備え
    ており、該装置は、 部分的に開いた前記スロットル弁によって形成された開
    口を横切るように配置されたレーザ光と、 前記レーザ光の当たった粒子を検出するように配置され
    た検出器とを含むことを特徴とする粒子のモニタリング
    装置。
  9. 【請求項9】 前記レーザ光が、前記排気ラインの主
    軸からずらして配置されていることを特徴とする請求項
    8に記載の装置。
  10. 【請求項10】 前記検出器が、明視野粒子センサの
    一部であることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  11. 【請求項11】 前記検出器が、散乱光を集めるよう
    に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の装
    置。
  12. 【請求項12】 前記プロセスチャンバ内のプラズマ
    によるノイズを減少させるための狭帯域光フィルタをさ
    らに含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
  13. 【請求項13】 前記スロットル弁がバタフライ弁で
    あることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  14. 【請求項14】 前記スロットル弁がリニアゲート弁
    であることを特徴とする請求項8に記載の装置。
JP7072338A 1994-03-07 1995-03-06 排気ポンプを含む装置に於ける粒子モニタリング方法及び装置 Pending JPH0843291A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/207,329 US5534706A (en) 1994-03-07 1994-03-07 Particle monitor for throttled pumping systems
US08/207,329 1994-03-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0843291A true JPH0843291A (ja) 1996-02-16

Family

ID=22770074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7072338A Pending JPH0843291A (ja) 1994-03-07 1995-03-06 排気ポンプを含む装置に於ける粒子モニタリング方法及び装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5534706A (ja)
JP (1) JPH0843291A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6430248B1 (en) 1998-12-24 2002-08-06 Hitachi, Ltd. Dry radioactive substance storage facility
JP2008175590A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd パーティクルモニタシステム及び基板処理装置
KR100882964B1 (ko) * 1999-06-15 2009-02-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법
KR101231460B1 (ko) * 2006-12-12 2013-02-07 현대자동차주식회사 플라즈마 합성 가스 개질기의 코킹 진단 시스템

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825487A (en) * 1996-10-10 1998-10-20 Venturedyne, Ltd. Particle sensor with features for setting, adjusting and trimming the flow rate of the sampled air
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
US6167107A (en) * 1999-07-16 2000-12-26 Particle Measuring Systems, Inc. Air pump for particle sensing using regenerative fan, and associated methods
EP1432972A1 (en) * 2001-09-07 2004-06-30 Inficon, Inc. Signal processing method for in-situ, scanned-beam particle monitoring
GB0214273D0 (en) * 2002-06-20 2002-07-31 Boc Group Plc Apparatus for controlling the pressure in a process chamber and method of operating same
KR100529632B1 (ko) * 2003-10-01 2005-11-17 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US6909102B1 (en) 2004-01-21 2005-06-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter system, method and program product including particle detection
US20070163714A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 Hong Jin Kim Etch chamber

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE33213E (en) * 1985-12-10 1990-05-08 High Yield Technology Light scattering particle detector for wafer processing equipment
US4804853A (en) * 1987-04-23 1989-02-14 High Yield Technology Compact particle flux monitor
US4942305A (en) * 1989-05-12 1990-07-17 Pacific Scientific Company Integrating sphere aerosol particle detector
US5055698A (en) * 1990-04-03 1991-10-08 High Yield Technology, Inc. Real-time particle sensor for disk drives
US5083865A (en) * 1990-05-11 1992-01-28 Applied Materials, Inc. Particle monitor system and method
US5266798A (en) * 1990-09-14 1993-11-30 High Yield Technology High sensitivity, large detection area particle sensor for vacuum applications
US5132548A (en) * 1990-09-14 1992-07-21 High Yield Technology High sensitivity, large detection area particle sensor for vacuum applications
US5247188A (en) * 1992-01-23 1993-09-21 High Yield Technology Concentrator funnel for vacuum line particle monitors
US5360980A (en) * 1993-02-26 1994-11-01 High Yield Technology Structure and method for providing a gas purge for a vacuum particle sensor installed in a corrosive or coating environment

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6430248B1 (en) 1998-12-24 2002-08-06 Hitachi, Ltd. Dry radioactive substance storage facility
KR100882964B1 (ko) * 1999-06-15 2009-02-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법
KR101231460B1 (ko) * 2006-12-12 2013-02-07 현대자동차주식회사 플라즈마 합성 가스 개질기의 코킹 진단 시스템
JP2008175590A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd パーティクルモニタシステム及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5534706A (en) 1996-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2765787B2 (ja) ジェットスプレイによる正確な洗浄のためのシステムおよび方法
JPH0843291A (ja) 排気ポンプを含む装置に於ける粒子モニタリング方法及び装置
US8083891B2 (en) Plasma processing apparatus and the upper electrode unit
JPH0251229A (ja) 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置
US6184537B1 (en) Detection of airborne pollutants
TW201630477A (zh) 基於電漿之光源
EP1190285A1 (fr) Procede et dispositif de conditionnement de l'atmosphere dans une chambre de procedes
US5271264A (en) Method of in-situ particle monitoring in vacuum systems
JP3342867B2 (ja) 蒸発光散乱装置
US8218145B2 (en) Particle monitor system and substrate processing apparatus
US6036821A (en) Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use
JP2009518187A (ja) レーザ微細加工応用における光学部品の清浄管理および漂積物管理
US20080216959A1 (en) Plasma processing apparatus
US11022018B2 (en) Exhaust system and method of using
US5360980A (en) Structure and method for providing a gas purge for a vacuum particle sensor installed in a corrosive or coating environment
US6381021B1 (en) Method and apparatus for measuring reflectivity of deposited films
US7352461B2 (en) Particle detecting method and storage medium storing program for implementing the method
JPS63501825A (ja) 固体サンプルの効率的な微粉器および広範な直線レンジを備えた原子吸収器、または螢光器具
JP2004019493A (ja) 排気装置
US5953119A (en) Optical shutter assembly for trace element detector
WO2024048316A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH06165960A (ja) 吸引ノズル、超音波除塵ノズル及び超音波除塵装置
JP2750082B2 (ja) 粒子検知装置及びその方法
WO2024107817A2 (en) Throttling element particle detector
JP2000124202A (ja) プラズマ処理装置およびパーティクルセンサの検出点設定方法