JP2000124202A - プラズマ処理装置およびパーティクルセンサの検出点設定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微粒子の集中点にパーティクルセンサの検出
点を設定することが可能なプラズマ処理装置およびパー
ティクルセンサの検出点の設定方法を提供する。 【解決手段】 エッチング装置１００のウェハＷを処理
する処理室１０２は，バッフル板１１２と排気経路１１
３を介して排気管１２６と連通する。排気管１２６に
は，排気量調整バルブ１２８が内装され，その排気流下
流側にアダプタ１３８が介装される。アダプタ１３８に
設けられた第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１４
２，１４４の検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃは，
流体解析シミュレーションにより，排気経路１１３内お
よび排気管１２６内を通過する仮想パーティクルの軌跡
から求められる仮想パーティクルの第１〜第３集中点１
４６，１４８，１５０に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
およびパーティクルセンサの検出点設定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来，気密な処理容器内に上部電極と下
部電極とを対向配置したプラズマエッチング装置が提案
されている。該装置の処理容器内は，下部電極の周囲を
囲うバッフル板により，下部電極上に載置された被処理
体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）に処理を施す処理室と，排気管に接続された排気
経路に隔てられており，それら処理室と排気経路は，バ
ッフル板に設けられている複数の貫通孔（スリット）を
介して連通している。また，処理容器内に形成される排
気経路とは別に排気経路を構成する排気管内には，処理
室内の雰囲気の排気量を調整する排気量調整バルブが配
置されている。

【０００３】さらに，排気管には，排気管内を通過する
パーティクル（微粒子）を検出するパーティクルセンサ
が設けられている。このパーティクルセンサは，例えば
発光部と受光部から成る一対の光学センサとして構成さ
れており，それら発光部と受光部が排気管内を挟んで対
向配置されている。そして，該パーティクルセンサで上
記パーティクルを検出すれば，パーティクルの発生の有
無やその発生量を把握することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記パ
ーティクルセンサの検出点は，排気経路内でパーティク
ルが最も集中するであろうと予測される位置に単に設定
されているため，その検出点と実際のパーティクルの集
中点とがずれている場合が多く，パーティクルを確実に
検出することが困難である。その結果，処理時にパーテ
ィクルが発生している場合でも，パーティクルが検出さ
れなかったり，あるいはパーティクルの発生量が実際よ
りも少なく検出されてしまい，パーティクルが発生し難
いプロセスへの変更や処理装置の改良等を行うことが難
しくなる。また，最近，ウェハに形成される各種素子が
超微細化および超高集積化すると共に，それらの素子が
形成されるウェハも大口径化しているため，ごく微細な
パーティクルがそれら素子に付着しただけでも，歩留り
を大きく低下させる原因ともなり，パーティクルの検出
精度の向上は，早急に克服すべき技術的要求項目の１つ
に挙げられている。

【０００５】また，上記パーティクルセンサは，パーテ
ィクルセンサの検出点を通過するパーティクルの有無や
その発生量などの検出することはできるが，該パーティ
クルの挙動，すなわちパーティクルの発生箇所を特定す
ることはできなかった。その結果，上記発生箇所の特定
には，処理装置の稼働を停止しなければならず，生産性
を低下させる原因となっている。

【０００６】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みて成されたものであり，本発明の第１の
目的は，処理室内に生じた微粒子の検出精度を向上させ
ることが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置
およびパーティクルセンサの検出点設定方法を提供する
ことである。

【０００７】また，本発明の第２の目的は，パーティク
ルセンサの検出点を通過する微粒子を検出することで，
その微粒子の発生範囲をある程度を特定することが可能
な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置およびパーテ
ィクルセンサの検出点設定方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，処理室内に配置された被処理体に対してプ
ラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室と
連通する排気経路と，排気経路内に開閉自在に設けら
れ，処理室内の排気量を調整する排気量調整バルブと，
排気量調整バルブよりも排気流の下流側であって，排気
量調整バルブの開放時の最上流側傾斜端付近から直下流
方向に直線的に延伸する範囲内に，排気経路内を通過す
る微粒子を検出する検出点を有するメインパーティクル
センサと，を備えることを特徴とするプラズマ処理装置
が提供される。

【０００９】本発明によれば，プラズマ処理時に処理室
内で生じたパーティクルが最も多く集中する上記範囲内
にメインパーティクルセンサの検出点を配置できるの
で，パーティクルの検出精度を向上させることができ，
パーティクルの発生を容易に把握できる。

【００１０】また，上記プラズマ処理装置に，例えば請
求項２に記載の発明のように，排気量調整バルブの開放
時の最下流側傾斜端よりも排気流の下流側であって，排
気量調整バルブの回転軸に対してメインパーティクルセ
ンサの検出点と略反対側領域に微粒子を検出する検出点
を有する１または２以上のサブパーティクルセンサを備
えても良い。上記領域にもパーティクルが多く分布する
するので，メインパーティクルセンサに加えて該領域に
サブパーティクルセンサの検出点を配置すれば，パーテ
ィクルの検出精度をさらに向上させることができる。

【００１１】さらに，サブパーティクルセンサの検出点
を，例えば請求項３に記載の発明のように，メインパー
ティクルセンサの検出点と回転軸の中心点を含む仮想面
に対して両側に配置すれば，パーティクルの検出をより
確実に行うことができ，パーティクルの発生範囲をある
程度まで特定することができる。

【００１２】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項４に記載の発明のように，処理室内に配置された被処
理体にプラズマ処理を施す際に生じる微粒子を検出する
パーティクルセンサの検出点設定方法であって，処理室
と連通する排気経路内に仮想微粒子を散布し，排気経路
内を通過する仮想微粒子の軌跡を求める工程と，仮想微
粒子の軌跡から仮想微粒子に関する分布情報を求める工
程と，仮想微粒子に関する分布情報から仮想微粒子の集
中点を求める工程と，仮想微粒子の集中点とパーティク
ルセンサの検出点とを実質的に一致させる工程と，を含
むことを特徴とするパーティクルセンサの検出点設定方
法が提供される。

【００１３】かかる構成によれば，排気経路内を通過す
る仮想パーティクル（仮想微粒子）の流動状態をシミュ
レーションして分布情報を求め，該情報から仮想パーテ
ィクルの集中点を求めるので，実際のプラズマ処理装置
を用いては困難なパーティクルの集中点の検出を容易に
行うことができる。その結果，パーティクルセンサの検
出点を，実際のパーティクルが集中する点により近い位
置に配置することができるので，パーティクルの検出精
度を向上させることができる。

【００１４】また，仮想微粒子に関する分布情報とし
て，例えば請求項５に記載の発明のように，仮想微粒子
の重量分布または通過粒子数分布を採用しても良い。例
えば，上記重量分布を採用すれば，仮想パーティクルの
粒子数をカウントする必要がなく，シミュレーション時
の演算を簡素化することができる。また，上記通過粒子
数分布を採用すれば，排気経路内を通過する仮想パーテ
ィクル全体の粒子数分布を求めることができるので，集
中点の算出をより正確に行うことができる。

【００１５】さらに，例えば請求項６に記載の発明のよ
うに，排気経路内に処理室内の排気量を調整する排気量
調整バルブが配置されている場合に，パーティクルセン
サの検出点を，排気量調整バルブよりも排気流の下流側
に設定しても良い。排気量調整バルブの排気流下流側で
は，該バルブによって絞られた排気流が集中する領域が
形成され，パーティクルが集中する範囲が限定されるの
で，パーティクルセンサの検出点を的確な位置に配置す
ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置およびパーティク
ルセンサの検出点設定方法を，プラズマエッチング装置
および該装置のパーティクルセンサの検出点設定方法に
適用した実施の形態について説明する。

【００１７】（第１の実施の形態） （１）エッチング装置の全体構成 まず，図１および図２を参照しながら，エッチング装置
１００の全体構成について説明する。なお，図１は，本
発明を適用可能なエッチング装置１００を示す概略的な
断面図である。また，図２（ａ）は，エッチング装置１
００の第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１４２，
１４４をアダプタ１３８の開口方向側から見た概略的な
平面図であり，図２（ｂ）は，それら第１〜第３パーテ
ィクルセンサ１４０，１４２，１４４をアダプタ１３８
の側面側から見た概略的な平面図である。

【００１８】図１に示すエッチング装置１００の処理容
器１０４内には，ウェハＷの載置台を兼ねた略円筒形の
下部電極１０６が配置されている。この下部電極１０６
は，導電性材料から成り，整合器１０８を介して，例え
ば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を出力する高周波電源
１１０が接続されている。また，下部電極１０６の周囲
には，略環状のバッフル板１１２が配置されている。こ
のバッフル板１１２には，多数の小孔や，略放射状また
は略環状のスリット等の通気孔が設けられている。ま
た，処理容器１０４内は，バッフル板１１２によってウ
ェハＷにプラズマ処理を行う処理室１０２と，排気経路
１１３に隔てられると共に，それら処理室１０２と排気
経路１１３とは，上記通気孔を介して連通している。

【００１９】また，下部電極１０６の載置面に対向する
位置には，上部電極１１４が配置されており，この上部
電極１１４は，図１に示す例では，導電性の処理容器１
０４を介して接地されている。また，上部電極１１４に
は，ガス供給管１１６と連通する複数のガス吐出孔１１
４ａが設けられている。さらに，ガス供給管１１６に
は，バルブ１１８とガス流量調整バルブ１２０を介し
て，例えばＣ₄Ｆ₈とＡｒとＣＯから成る混合ガスを供給
する処理ガス供給源１２４が接続されている。

【００２０】また，排気経路１１３には，排気経路の一
部を構成する排気管１２６と，バルブ１３０を介して真
空ポンプ１３２が接続されている。上記排気管１２６内
には，排気量調整バルブ１２８が配置されており，図１
に示す例では，排気量調整バルブ１２８は，バルブ１３
０の排気流上流側の排気経路１１３との連通部分付近に
配置されている。さらに，排気量調整バルブ１２８は，
回転軸１２８ａを介して排気管１２６の内壁部に軸支さ
れており，排気管１２６の延伸方向に回転（開閉）自在
に構成されている。また，排気量調整バルブ１２８に
は，該排気量調整バルブ１２８の傾き，すなわち開度を
適宜調整する制御器１３４が接続されている。さらに，
制御器１３４には，バッフル板１１２下方の排気経路１
１３内壁面に設けられている圧力センサ１３６が接続さ
れており，この圧力センサ１３６からの圧力情報に基づ
いて，排気量調整バルブ１２８の開度が適宜調整され
る。

【００２１】さらに，排気管１２６の排気量調整バルブ
１２８とバルブ１３０との間には，アダプタ１３８が介
装されている。このアダプタ１３８には，メインパーテ
ィクルセンサとしての第１パーティクルセンサ１４０
と，サブパーティクルセンサとしての第２および第３パ
ーティクルセンサ１４２，１４４が取り付けられてい
る。これら第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１４
２，１４４は，図２（ａ）および図２（ｂ）に示すよう
に，略同一に構成されており，所定波長のレーザ光を発
振する発光部１４０ａ，１４２ａ，１４４ａと，そのレ
ーザ光を受光する受光部１４０ｂ，１４２ｂ，１４４ｂ
から成る一対の後方散乱型光学センサとして構成されて
いる。

【００２２】また，図２（ａ）および図２（ｂ）に示す
例では，第１パーティクルセンサ１４０の発光部１４０
ａと受光部１４０ｂは，アダプタ１３８内を介してアダ
プタ１３８の上部側方に対向配置されている。さらに，
第２および第３パーティクルセンサ１４２，１４４の発
光部１４２ａ，１４４ａは，アダプタ１３８の下部に設
けられており，また受光部１４２ｂ，１４４ｂは，それ
ぞれに対応する発光部１４２ａ，１４４ａに対向してア
ダプタ１３８の上部に設けられている。また，上記発光
部１４０ａ，１４２ａ，１４４ａと受光部１４０ｂ，１
４２ｂ，１４４ｂとの間に配されるアダプタ１３８の壁
部には，レーザ光を透過可能な透明部材，例えばガラス
から成る不図示の光透過窓が嵌め込まれている。

【００２３】また，第１〜第３パーティクルセンサ１４
０，１４２，１４４は，それぞれ制御器１３４に接続さ
れている。従って，その制御器１３４の制御により発光
部１４０ａ，１４２ａ，１４４ａがレーザ光を発振する
と，そのレーザ光が上記光透過窓とアダプタ１３８内と
を通過してそれぞれに対応する受光部１４０ｂ，１４２
ｂ，１４４ｂに入射し，該受光部１４０ｂ，１４２ｂ，
１４４ｂで得られた検出情報が再び制御器１３４に伝達
されるように構成されている。また，発光部１４０ａ，
１４２ａ，１４４ａと受光部１４０ｂ，１４２ｂ，１４
４ｂとの間には，上記レーザ光の焦点があり，この焦点
がパーティクルを検出する検出点になる。なお，図２
（ａ）には，第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１
４２，１４４の検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃが
図示されているが，これら各検出点１４０ｃ，１４２
ｃ，１４４ｃの設定方法については後述する。

【００２４】（２）パーティクルセンサの検出点の設定
工程 次に，図３〜図６を参照しながら，本実施の形態にかか
る第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１４２，１４
４の検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃの設定工程に
ついて詳細に説明する。なお，図３は，図１に示すエッ
チング装置１００のシミュレーションモデルを示す概略
的な斜視図であり，図４は，図３に示すモデルでの仮想
パーティクルの軌跡を表す概略的な説明図である。ま
た，図５は，図３に示すＡ−Ａ線に沿う平面において切
断した断面での仮想パーティクルの分布を表す概略的な
説明図であり，図６は，図５に示すＢ−Ｂ線に沿う平面
において切断した断面での該分布を表す概略的な説明図
である。

【００２５】（ａ）仮想パーティクルの軌跡を求める工
程 まず，仮想パーティクルの軌跡を求める際のシミュレー
ション条件について説明する。本シミュレーションは，
流体解析ソフトを用いて，図３に示すエッチング装置１
００の３次元モデルにより解析を行う。また，処理室１
０２内には，処理ガスをＣ₄Ｆ₈：Ａｒ：ＣＯ＝１０（ｓ
ｃｃｍ）：２００（ｓｃｃｍ）：５０（ｓｃｃｍ）の流
量で供給すると共に，処理室１０２内の圧力が略１００
ｍＴｏｒｒになるように，排気量調整バルブ１２８の上
端部１２８ｂを排気流の上流側に２３゜傾ける。

【００２６】また，仮想パーティクルは，例えば密度が
１．８ｇ／ｃｍ³で，粒径が０．３μｍとする。さら
に，仮想パーティクルの散布場所は，シミュレーション
の都合上，図３に示す仮想バッフル板１１２に形成され
ている略環状の第１〜第３貫通孔１１２ａ，１１２ｂ，
１１２ｃの処理室１０２側の離散した複数の領域とす
る。また，シミュレーション範囲は，仮想バッフル板１
１２とバルブ１３０との間の排気経路内，すなわち排気
経路１１３内と排気管１２６内とする。

【００２７】次に，仮想パーティクルの軌跡のシミュレ
ーション結果について説明する。上記シミュレーション
条件に基づいて散布した仮想パーティクルが，排気経路
１１３内および排気管１２６内を移動した軌跡を求める
と，図４に示す結果を得た。なお，この際には，仮想パ
ーティクルの軌跡が目で見てわかるように，上記領域か
ら仮想パーティクルを１回だけ散布した。図４に示すよ
うに，仮想パーティクルは，第１〜第３貫通孔１１２
ａ，１１２ｂ，１１２ｃから排気経路１１３内に侵入し
た後，排気経路１１３内および排気管１２６内を，ある
一定の軌跡を描きながら移動した。また，当該結果から
仮想パーティクルの散布場所と，排気量調整バルブ１２
８の排気流下流側での仮想パーティクルの流路との間に
一定の関係があることがわかる。さらに，密度が１．８
ｇ／ｃｍ³で，粒径が０．５μｍ，１．０μｍ，１．３
μｍの各仮想パーティクルについても軌跡を求めたとこ
ろ，図４に示す軌跡と同様の結果を得た。

【００２８】（ｂ）仮想パーティクルの軌跡からその仮
想パーティクルの分布を求め，仮想パーティクルの集中
点を求める工程 次に，図５および図６を参照しながら，上記仮想パーテ
ィクルの軌跡から仮想パーティクルの分布を求めると共
に，その仮想パーティクルの分布から仮想パーティクル
の集中点を求める工程について説明する。なお，図５お
よび図６は，処理室１０２内を真空排気しながら，密度
が１．８ｇ／ｃｍ³で，粒径が０．３μｍ，０．５μ
ｍ，１．０μｍ，３．０μｍの各仮想パーティクルを同
時に仮想バッフル板１１２の第１〜第３貫通孔１１２
ａ，１１２ｂ，１１２ｃの全箇所から連続的に散布し，
処理室１０２内と排気経路１１３内と排気管１２６内の
圧力が定常状態になった時の様子を表している。また，
本工程では，仮想パーティクルの分布として，仮想パー
ティクルの重量分布（ｋｇ／ｍ³），すなわち濃度分布
を採用しているが，該重量分布に代えて，仮想パーティ
クルの通過粒子数分布を採用しても良い。

【００２９】図５に示すように，排気量調整バルブ１２
８の排気流上流側では，複数の仮想パーティクルの集中
箇所があった。また，排気量調整バルブ１２８の通過位
置では，仮想パーティクルは，該排気量調整バルブ１２
８の最上流側傾斜端である上端部１２８ｂに沿って多く
分布した。これに対して，図５および図６に示すよう
に，排気量調整バルブ１２８の排気流下流側では，上端
部１２８ｂ付近から排気流下流側に直線的に所定距離移
動した位置に，仮想パーティクルが最も多く分布する第
１集中点１４６があった。さらに，図６に示すように，
第１集中点１４６の略中央部１４６ａと，排気量調整バ
ルブ１２８の回転軸１２８ａの中心点１２８ｄとを含む
仮想面１５２を挟んで略左右対称の位置にも，仮想パー
ティクルが多く分布する第２および第３集中点１４８，
１５０があった。これら第２および第３集中点１４８，
１５０は，それぞれに対応する排気量調整バルブ１２８
の回転軸１２８ａから下端部１２８ｃまでの左右外周部
と，排気管１２６の内壁面との間の空隙を通過した仮想
パーティクルが集中した位置である。

【００３０】従来，排気量調整バルブ１２８の上端部１
２８ｂを排気流上流側に傾けた場合には，排気流の大部
分が下端部１２８ｃ付近を通過し，それに伴って該下端
部１２８ｃの排気流下流側に仮想パーティクルが集中す
ると考えられていたが，上記シミュレーション結果によ
り，上記とは異なる箇所に実質的に３ヶ所の仮想パーテ
ィクル濃度が高い第１〜第３集中点１４６，１４８，１
５０が存在することがわかった。

【００３１】仮想パーティクルの第１〜第３集中点１４
６，１４８，１５０は，上記のようにして求められ，該
第１〜第３集中点１４６，１４８，１５０に上記第１〜
第３パーティクルセンサ１４０，１４２，１４４の検出
点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃを設定する。なお，本
実施の形態では，図２（ａ）に示す検出点１４０ｃを第
１集中点１４６に設定し，検出点１４２ｃを第２集中点
１４８に設定し，検出点１４４ｃを第３集中点１５０に
設定する。

【００３２】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，第１〜第３パーティクルセンサ１４０，１４２，
１４４の検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃを，第１
〜第３集中点１４６，１４８，１５０に配したので，そ
れら検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃを実際のパー
ティクルの集中点と略同一の場所に配置することができ
る。その結果，パーティクルの発生量や粒径などの情報
をより正確に把握できるので，パーティクルの検出精度
を向上させることができる。また，図４に示す結果によ
れば，第１〜第３集中点１４６，１４８，１５０に集中
する仮想パーティクルは，それぞれ仮想バッフル板１１
２の第１〜第３貫通孔１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの
異なる領域からのものである。従って，第１〜第３集中
点１４６，１４８，１５０のパーティクルを検出すれ
ば，上記仮想パーティクルの軌跡に基づいて実際のパー
ティクルの発生範囲をある程度まで特定できる。

【００３３】（第２の実施の形態）次に，図７〜図１０
を参照しながら，本発明の第２の実施の形態について説
明する。なお，図７に示す本実施の形態のエッチング装
置２００は，上記排気量調整バルブ１２８と傾きの方向
が異なること以外はエッチング装置１００と同一に構成
されているので，仮想パーティクルの流体解析シミュレ
ーション結果のみについて説明する。なお，図７〜図１
０は，それぞれ図３〜図６に対応する図である。

【００３４】排気量調整バルブ２０２の下端部２０２ａ
が排気流上流側に傾いているエッチング装置２００をモ
デルとし，上記第１の実施の形態と同様に仮想パーティ
クルの軌跡を求めたところ，図８に示す結果を得た。そ
して，図９および図１０に示すように，排気量調整バル
ブ２０２の排気流下流側には，上述した第１〜第３集中
点１４６，１４８，１５０と略上下対称の位置に，仮想
パーティクルの第１〜第３集中点２０４，２０６，２０
８があることがわかった。また，第１集中点２０４は，
第２および第３集中点２０６，２０８よりも仮想パーテ
ィクルが多く分布していた。

【００３５】以上のように，排気量調整バルブ２０２の
傾きが上述した排気量調整バルブ１２０８とは異なって
も，第１〜第３集中点２０４，２０６，２０８を検出す
ることができ，それら第１〜第３集中点２０４，２０
６，２０８に，第１〜第３パーティクルセンサ１４０，
１４２，１４４の検出点１４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃ
を配置すれば，パーティクルの検出精度を向上させるこ
とができる。

【００３６】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。

【００３７】例えば，上記実施の形態において，バッフ
ル板に第１〜第３貫通孔を略同心円状に配置した構成を
例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定され
るものではなく，例えばバッフル板の半径方向に複数の
貫通孔を備える場合にも本発明を適用することができ
る。

【００３８】また，上記実施の形態において，パーティ
クルセンサとして後方散乱型光学センサを採用した構成
を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定さ
れるものではなく，例えば前方散乱型や側方散乱型など
の光学センサを採用しても本発明を適用することができ
る。

【００３９】さらに，上記実施の形態において，エッチ
ング装置を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成
に限定されるものではなく，排気経路を有するプラズマ
処理装置，例えばアッシング装置やＣＶＤ装置やスパッ
タリング装置などの各種半導体製造装置にも本発明を適
用することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば，パーティクルセンサの
検出点を，排気経路内を通過するパーティクルの集中箇
所に設定できるので，パーティクルの検出精度を向上さ
せることができる。また，排気経路内を通過するパーテ
ィクルの移動軌跡を求めることができるので，その移動
軌跡に基づいてパーティクルの発生範囲をある程度特定
することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略
的な断面図である。

【図２】図１に示すエッチング装置のパーティクルセン
サを説明するための概略的な説明図である。

【図３】図１に示すエッチング装置に基づいて設定され
る排気経路のシミュレーション範囲を説明するための概
略的な説明図である。

【図４】図３に示す範囲内の仮想パーティクルの移動軌
跡を表す概略的な説明図である。

【図５】図３に示すＡ−Ａ線に沿う平面において切断し
た断面での仮想パーティクルの濃度分布を表す概略的な
説明図である。

【図６】図５に示すＢ−Ｂ線に沿う平面において切断し
た断面での仮想パーティクルの濃度分布を表す概略的な
説明図である。

【図７】本発明を適用可能な他のエッチング装置に基づ
いて設定される排気経路のシミュレーション範囲を説明
するための概略的な説明図である。

【図８】図７に示す範囲内の仮想パーティクルの移動軌
跡を表す概略的な説明図である。

【図９】図７に示すシミュレーション範囲の図５に示す
断面と同一断面での仮想パーティクルの濃度分布を表す
概略的な説明図である。

【図１０】図７に示すシミュレーション範囲の図６に示
す断面と同一断面での仮想パーティクルの濃度分布を表
す概略的な説明図である。

【符号の説明】

１００ エッチング装置 １０２ 処理室 １０６ 下部電極 １１２ バッフル板 １１３ 排気経路 １２６ 排気管 １２８ 排気量調整バルブ １３２ 真空ポンプ １４０ 第１パーティクルセンサ １４０ｃ，１４２ｃ，１４４ｃ 検出点 １４２ 第２パーティクルセンサ １４４ 第３パーティクルセンサ Ｗ ウェハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内に配置された被処理体に対して
   プラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって：前記処
   理室と連通する排気経路と；前記排気経路内に開閉自在
   に設けられ，前記処理室内の排気量を調整する排気量調
   整バルブと；前記排気量調整バルブよりも排気流の下流
   側であって，前記排気量調整バルブの開放時の最上流側
   傾斜端付近から直下流方向に直線的に延伸する範囲内
   に，前記排気経路内を通過する微粒子を検出する検出点
   を有するメインパーティクルセンサと；を備えることを
   特徴とする，プラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 前記排気量調整バルブの開放時の最下流
   側傾斜端よりも前記排気流の下流側であって，前記排気
   量調整バルブの回転軸に対して前記メインパーティクル
   センサの検出点と略反対側領域に前記微粒子を検出する
   検出点を有する１または２以上のサブパーティクルセン
   サを備えることを特徴とする，請求項１に記載のプラズ
   マ処理装置。
3. 【請求項３】 前記サブパーティクルセンサの検出点
   は，前記メインパーティクルセンサの検出点と前記回転
   軸の中心点を含む仮想面に対して両側に配されることを
   特徴とする，請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 処理室内に配置された被処理体にプラズ
   マ処理を施す際に生じる微粒子を検出するパーティクル
   センサの検出点設定方法であって：前記処理室と連通す
   る排気経路内に仮想微粒子を散布し，前記排気経路内を
   通過する前記仮想微粒子の軌跡を求める工程と；前記仮
   想微粒子の軌跡から前記仮想微粒子に関する分布情報を
   求める工程と；前記仮想微粒子に関する分布情報から前
   記仮想微粒子の集中点を求める工程と；前記仮想微粒子
   の集中点と前記パーティクルセンサの検出点とを実質的
   に一致させる工程と；を含むことを特徴とする，パーテ
   ィクルセンサの検出点設定方法。
5. 【請求項５】 前記仮想微粒子に関する分布情報は，前
   記仮想微粒子の重量分布または通過粒子数分布であるこ
   とを特徴とする，請求項４に記載のパーティクルセンサ
   の検出点設定方法。
6. 【請求項６】 前記排気経路内には，前記処理室内の排
   気量を調整する排気量調整バルブが配置され；前記パー
   ティクルセンサの検出点は，前記排気量調整バルブより
   も排気流の下流側に設定されることを特徴とする，請求
   項４または５のいずれかに記載のパーティクルセンサの
   検出点設定方法。